JP2002216618A - Manufacturing method for plasma display device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイ表示装置の製造方法にお
いて、特に隔壁の形成工程に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a plasma display device used for a display device or the like, and more particularly to a step of forming a partition.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、薄型に適したディスプレイ装置と
して注目されているプラズマディスプレイ表示装置は、
例えば図１に示す構成を有する。このプラズマディスプ
レイ表示装置は、互いに対向して配置された前面基板１
００と背面基板１０１とを備えている。前面基板１００
の上には、表示電極１０２および１０３、誘電体層１０
４および誘電体保護層１０５が順に形成されている。ま
た背面基板１０１の上には、アドレス電極１０６および
誘電体層１０７が形成されており、その上には更に隔壁
１０８が形成されている。そして隔壁１０８の側面には
蛍光体層１０９が塗布されている。2. Description of the Related Art In recent years, a plasma display device which has attracted attention as a display device suitable for a thin type is:
For example, it has a configuration shown in FIG. This plasma display device includes a front substrate 1 disposed opposite to each other.
00 and a back substrate 101. Front substrate 100
Display electrodes 102 and 103, dielectric layer 10
4 and a dielectric protection layer 105 are formed in this order. An address electrode 106 and a dielectric layer 107 are formed on the rear substrate 101, and a partition 108 is further formed thereon. Then, a phosphor layer 109 is applied to the side surface of the partition wall 108.
【０００３】前面基板１００と背面基板１０１との間に
は、放電ガス１１０が封入されている。この放電ガス１
１０を表示電極１０２および１０３の間で放電させて紫
外線を発生させ、その紫外線を蛍光体層１０９に照射す
ることによって、カラー表示を含む画像表示が可能にな
る。A discharge gas 110 is sealed between a front substrate 100 and a rear substrate 101. This discharge gas 1
10 is discharged between the display electrodes 102 and 103 to generate ultraviolet rays, and the ultraviolet rays are applied to the phosphor layer 109, whereby an image display including a color display can be performed.
【０００４】隔壁の形状としては、蛍光体塗布面積を広
げることで蛍光面を発光させた場合の輝度を高めること
を目的として、アドレス電極と平行方向に背面板に形成
される主隔壁と、バス電極と平行方向に背面板に形成さ
れる補助隔壁を設けること、さらに蛍光面の形成が容易
となることを目的として補助隔壁の高さを主隔壁の高さ
より低くすることが提案されている（特開平１０−３２
１１４８公報）。[0004] The shape of the partition wall includes a main partition wall formed on the back plate in a direction parallel to the address electrode and a bus for the purpose of increasing the luminance when the phosphor screen emits light by enlarging the phosphor coating area. It has been proposed to provide an auxiliary partition formed on the back plate in a direction parallel to the electrodes, and to make the height of the auxiliary partition lower than the height of the main partition for the purpose of facilitating the formation of the fluorescent screen ( JP-A-10-32
1148 publication).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】高さの異なる主隔壁と
補助隔壁を形成する方法として、転写シートを使用して
形成する方法が提案されている。この方法は、隔壁形状
に対応する凹型の転写シートに隔壁材料を充填し、前記
隔壁材料をガラス基板に転写する方法である。しかし、
本方法は、１度の隔壁形成工程で１枚の転写シートが必
要となるため、製造コストが高くなるという問題があ
る。転写シートの再利用に関しても、転写工程での転写
シートへの隔壁材料の残存付着という問題があり、これ
らの洗浄による除去が必要となるため、工程が煩雑とな
ってしまう。さらに転写シートへの隔壁材料の残存付着
の問題は、転写した隔壁形状不良の原因にもなる。特に
高さが異なる２種類の隔壁という複雑な形状の加工の場
合には、ライン形状の隔壁形成よりいっそう深刻な課題
となる。これらの理由から、転写シート法は、現時点で
は、プラズマディスプレイ表示装置用の隔壁工法とし
て、量産された実績はなく、より簡単に高さの異なる隔
壁を形成する工法が望まれていた。As a method for forming the main partition and the auxiliary partition having different heights, a method using a transfer sheet has been proposed. In this method, a concave transfer sheet corresponding to a partition shape is filled with a partition material, and the partition material is transferred to a glass substrate. But,
This method has a problem that the production cost is increased because one transfer sheet is required in one partition formation step. Regarding the reuse of the transfer sheet, there is a problem that the partition wall material remains on the transfer sheet in the transfer step, and these steps need to be removed by washing, which complicates the process. Further, the problem of the remaining adhesion of the partition wall material to the transfer sheet also causes a defective transfer partition wall shape. In particular, in the case of processing a complicated shape of two types of partition walls having different heights, it becomes a more serious problem than forming a line-shaped partition wall. For these reasons, the transfer sheet method has not been mass-produced as a partition wall method for a plasma display device at present, and a method of easily forming partition walls having different heights has been desired.
【０００６】本発明は、上記課題に対してなされたもの
であって、高さの異なる隔壁を簡単に形成する工法を提
供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problem, and has as its object to provide a method for easily forming partition walls having different heights.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、互いに概平行な主隔壁部と前記主隔壁部
より高さの低い補助隔壁部を有するプラズマディスプレ
イ表示装置の製造方法であって、溶剤、少なくとも光重
合性化合物および光重合開始剤を含む感光性材料、低融
点ガラス粉末を含むペーストを塗工する第１工程と、前
記塗膜内に少なくとも前記溶剤が含有された状態で、第
１フォトマスクを通して前記主隔壁部領域に第１露光部
を形成する第２工程と、前記第１露光部とそれ以外の領
域に例えば乾燥によって溶媒を除去することで高低差を
設ける第３工程と、第２フォトマスクを通して前記補助
隔壁領域に第二露光部を形成する第４工程と、未露光部
分を現像、焼成する第５工程を含むことを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a plasma display device having a main partition part substantially parallel to each other and an auxiliary partition part lower in height than the main partition part. A solvent, a photosensitive material containing at least a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator, a first step of applying a paste containing a low-melting glass powder, and at least the solvent was contained in the coating film. A second step of forming a first exposed portion in the main partition portion region through a first photomask in a state, and providing a height difference by removing a solvent in the first exposed portion and other regions by, for example, drying. The method includes a third step, a fourth step of forming a second exposed portion in the auxiliary partition region through a second photomask, and a fifth step of developing and baking unexposed portions.
【０００８】この時の原理を図２および図３を参照して
説明する。前記光重合開始剤の光吸収波長の吸光度分布
２０１と、前記第２工程における露光光の光強度分布２
０２の重複領域２０３が図２（ａ）に示すように５０％
以下であれば、架橋反応による重合、高分子化が前記塗
膜の第１露光部２０７の表面のみに集中せず膜厚方向に
も進行するため、第１露光部２０７は塗工時の膜厚をあ
る程度維持したまま硬化する（図２（ｂ））。そして、
前記第３工程で溶媒を除去する際、未露光部２０８は溶
媒が除去され膜厚が低下するが、第１露光部２０７は既
に硬化しているため膜厚は大きく変化しない（図２
（ｃ））。したがって、前記第３工程において露光部と
未露光部に高低差が生じるため、主隔壁部と前記主隔壁
部より高さの低い補助隔壁部を有するプラズマディスプ
レイ表示装置の製造方法が提供される。なお、図２の２
０４は基板、２０５は露光光、２０６は第１フォトマス
クをそれぞれ示す。The principle at this time will be described with reference to FIGS. Absorbance distribution 201 of the light absorption wavelength of the photopolymerization initiator and light intensity distribution 2 of the exposure light in the second step
02 is 50% as shown in FIG.
If it is below, the polymerization and polymerization by the cross-linking reaction proceed in the film thickness direction without concentrating only on the surface of the first exposed portion 207 of the coating film. It cures while maintaining a certain thickness (FIG. 2B). And
When the solvent is removed in the third step, the solvent is removed from the unexposed portion 208 and the film thickness is reduced, but the film thickness is not largely changed because the first exposed portion 207 is already cured (FIG. 2).
(C)). Therefore, a height difference occurs between the exposed part and the unexposed part in the third step, so that a method for manufacturing a plasma display device having a main partition part and an auxiliary partition part having a height lower than the main partition part is provided. In addition, 2 in FIG.
04 denotes a substrate, 205 denotes exposure light, and 206 denotes a first photomask.
【０００９】また、前記光重合開始剤の光吸収波長の吸
光度分布３０１と、前記第２工程における露光光の光強
度分布３０２の重複領域３０３が図３（ａ）に示すよう
に５０％以上であれば、架橋反応による重合、高分子化
が前記塗膜の露光部分の表面のみに集中して、表面に前
記光重合性化合物が光重合した樹脂層３０７ができる
（図３（ｂ））。この樹脂層３０７が、前記第３工程で
溶媒を除去する際、樹脂層の形成された第１露光部３０
８が選択的に溶剤除去が抑制されるため、第１露光部３
０８と未露光部３０９の溶剤濃度に差が生じ、第１露光
部３０８の溶剤が未露光部３０９に浸透圧の原理により
移動する。この時、低融点ガラスなどの固形分も一緒に
移動するため、未露光部３０９の膜厚が厚くなる（図３
（ｃ））。したがって、前記第３工程において露光部と
未露光部に高低差が生じるため、主隔壁部と前記主隔壁
部より高さの低い補助隔壁部を有するプラズマディスプ
レイ表示装置の製造方法が提供される。なお、図３の３
０４は基板、３０５は露光光、３０６は第１フォトマス
ク、３１０は乾燥時の溶剤および固形分の移動をそれぞ
れ示す。Further, as shown in FIG. 3A, the overlap area 303 of the absorbance distribution 301 of the light absorption wavelength of the photopolymerization initiator and the light intensity distribution 302 of the exposure light in the second step is 50% or more. If so, polymerization and polymerization by the cross-linking reaction are concentrated only on the surface of the exposed portion of the coating film, and a resin layer 307 in which the photopolymerizable compound is photopolymerized is formed on the surface (FIG. 3B). When the resin layer 307 removes the solvent in the third step, the first exposed portion 30 on which the resin layer is formed is formed.
8 selectively suppresses the removal of the solvent.
08 and the solvent concentration in the unexposed portion 309, and the solvent in the first exposed portion 308 moves to the unexposed portion 309 by the principle of osmotic pressure. At this time, the solid content of the low-melting glass or the like moves together, so that the film thickness of the unexposed portion 309 increases (FIG. 3).
(C)). Therefore, a height difference occurs between the exposed part and the unexposed part in the third step, so that a method for manufacturing a plasma display device having a main partition part and an auxiliary partition part having a height lower than the main partition part is provided. In addition, 3 in FIG.
04 denotes a substrate, 305 denotes exposure light, 306 denotes a first photomask, and 310 denotes movement of a solvent and a solid during drying.
【００１０】また本発明は、互いに概平行な主隔壁部と
前記主隔壁部より高さの低い補助隔壁部を有するプラズ
マディスプレイ表示装置の製造方法であって、少なくと
も感光性材料、低融点ガラス粉末を含む材料を塗工して
第１層を形成する第１工程と、第１層を被覆して、溶
剤、少なくとも光重合性化合物および光重合開始剤を含
む感光性材料、低融点ガラス粉末を含むペーストを塗工
して第２層を形成する第２工程と、前記第２層内に少な
くとも前記溶剤が含有された状態で、第１フォトマスク
を通して前記主隔壁部領域に第１露光部を形成する第３
工程と、前記第１露光部とそれ以外の領域に高低差を設
ける第４工程と、第２フォトマスクを通して前記補助隔
壁領域に第２露光部を形成する第５工程と、未露光部分
を現像、焼成する第６工程を含むことを特徴とする。こ
の時、前記第１工程において前記第１層を形成すること
により前記補助隔壁部の高さを制御することが可能とな
り、簡単で高精度な方法で、高さの異なる隔壁を有する
プラズマディスプレイ表示装置の製造方法が提供され
る。The present invention also relates to a method for manufacturing a plasma display device having a main partition part which is substantially parallel to each other and an auxiliary partition part which is lower than the main partition part, comprising at least a photosensitive material and a low melting point glass powder. A first step of forming a first layer by applying a material containing: a solvent, a photosensitive material containing at least a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator, and a low-melting glass powder. A second step of applying a paste containing the second layer to form a second layer; and, in a state in which the solvent is contained in the second layer, forming a first exposed portion on the main partition wall region through a first photomask. The third to form
A fourth step of providing a height difference between the first exposed portion and the other region, a fifth step of forming a second exposed portion in the auxiliary partition region through a second photomask, and developing an unexposed portion And a sixth step of firing. At this time, by forming the first layer in the first step, it is possible to control the height of the auxiliary partition part, and a plasma display device having partition walls having different heights in a simple and accurate manner. A method for manufacturing a device is provided.
【００１１】また本発明は、互いに概平行な主隔壁部と
前記主隔壁部より高さの低い補助隔壁部を有するプラズ
マディスプレイ表示装置の製造方法であって、少なくと
も感光性材料、低融点ガラス粉末を含む材料を塗工して
第１層を形成する第１工程と、第１フォトマスクを通し
て前記主隔壁部領域に第１露光部を形成する第２工程
と、第１層を被覆して、溶剤、少なくとも光重合性化合
物および光重合開始剤を含む感光性材料、低融点ガラス
粉末を含むペーストを塗工して第２層を形成する第３工
程と、前記溶剤の乾燥により、前記第１露光部領域に凸
部形成する第４工程と、未露光部分を現像、焼成する第
５工程を含むことを特徴とする。これは、図４に示すよ
うな原理に基づくと考えられる。少なくとも感光性材
料、低融点ガラス粉末を含む材料を露光すると、材料中
の感光性材料が光照射により架橋反応し重合、高分子化
する（図４（ａ））。架橋により重合した部分（第１露
光部４０４）は未露光部４０５よりも密度が疎に変化す
るため、第１露光部４０４は未露光部４０５と比較する
と溶剤の吸収性が高まる。前記のような第１露光部４０
４と未露光部４０５が同時に存在する膜状にさらに第２
層として感光性ペーストを形成すると、第２層の感光性
ペースト中の溶剤が前記露光部に吸収されるため、露光
部上ペースト４０７の膜厚は薄くなるとともに、露光部
上ペースト４０７の溶剤含有量が未露光部上ペースト４
０６に比べて少なくなる（図４（ｂ））。この後乾燥す
ると、溶剤含有量が少ない露光部上ペースト４０６の溶
剤蒸発がより促されるため、未露光部上ペースト４０６
の溶剤は露光部上を経由して蒸発することとなる。この
溶剤移動４０９に伴い、固形分も同時に移動するため、
前記露光部上のペーストと未露光部上のペーストの膜厚
減少率に大きく差が生じる。その結果、乾燥後の露光部
上ペースト４１０の膜厚が厚くなる（図４（ｃ））た
め、主隔壁部と前記主隔壁部より高さの低い補助隔壁部
の形成が可能となる。なお、図４における４０１は基
板、４０２は第１フォトマスク、４０３は露光光、４０
８は塗布後の溶剤の吸収をそれぞれ示す。The present invention also relates to a method of manufacturing a plasma display device having a main partition part substantially parallel to each other and an auxiliary partition part having a height lower than the main partition part, comprising at least a photosensitive material and a low melting point glass powder. A first step of forming a first layer by applying a material containing: a second step of forming a first exposed portion in the main partition area through a first photomask; and covering the first layer, A third step of forming a second layer by applying a solvent, a photosensitive material containing at least a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator, and a paste containing a low-melting glass powder; and drying the first layer by drying the solvent. The method is characterized by including a fourth step of forming a convex portion in the exposed portion area and a fifth step of developing and baking the unexposed portion. This is considered to be based on the principle as shown in FIG. When at least the photosensitive material and the material containing the low-melting glass powder are exposed, the photosensitive material in the material undergoes a cross-linking reaction by light irradiation to be polymerized and polymerized (FIG. 4A). Since the density of the portion polymerized by the crosslinking (first exposed portion 404) changes more sparsely than that of the unexposed portion 405, the first exposed portion 404 has higher solvent absorbency than the unexposed portion 405. First exposure unit 40 as described above
4 and the unexposed portion 405 are simultaneously present in the film shape.
When the photosensitive paste is formed as a layer, the solvent in the photosensitive paste of the second layer is absorbed by the exposed portion, so that the thickness of the paste 407 on the exposed portion is reduced and the solvent content of the paste 407 on the exposed portion is reduced. Paste 4 on unexposed area
The number is smaller than that of the number 06 (FIG. 4B). Thereafter, when the paste is dried, the solvent evaporation of the exposed portion paste 406 having a small solvent content is further promoted.
The solvent evaporates via the exposed portion. With this solvent movement 409, solids also move at the same time,
There is a large difference in the thickness reduction ratio between the paste on the exposed part and the paste on the unexposed part. As a result, the thickness of the paste 410 on the exposed portion after drying is increased (FIG. 4C), so that a main partition and an auxiliary partition having a height lower than the main partition can be formed. In FIG. 4, reference numeral 401 denotes a substrate; 402, a first photomask; 403, exposure light;
8 shows the absorption of the solvent after coating.
【００１２】また本発明は、上記のいずれかの製造方法
で形成したプラズマディスプレイ表示装置であることを
特徴とする。Further, the present invention is characterized in that it is a plasma display device formed by any one of the above manufacturing methods.
【００１３】以上のような特徴を有する本発明による
と、高さの異なる隔壁を工程数の少ない簡単な製造方法
で形成することが可能となり、プラズマディスプレイ表
示装置の低コスト化が実現される。According to the present invention having the above-described features, it is possible to form the partition walls having different heights by a simple manufacturing method with a small number of steps, and the cost of the plasma display device can be reduced.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図５は、本実施
の形態にかかるＡＣ面放電型プラズマディスプレイパネ
ル（以下、ＰＤＰと記す）の主要構成を示す部分的な断
面斜視図である。図中、ｚ方向がＰＤＰの厚み方向、ｘ
ｙ平面がＰＤＰ面に平行な平面に相当する。当図に示す
ように、本ＰＤＰは互いに主面を対向させて配設された
前面板５０１および背面板５１１から構成される。(Embodiment 1) FIG. 5 is a partial cross-sectional perspective view showing a main configuration of an AC surface discharge type plasma display panel (hereinafter, referred to as PDP) according to the present embodiment. . In the figure, the z direction is the thickness direction of the PDP, x
The y plane corresponds to a plane parallel to the PDP plane. As shown in the figure, the present PDP includes a front plate 501 and a back plate 511 arranged with their main surfaces facing each other.
【００１５】前面板５０１の基板となる前面板ガラス５
０２には、その片面に一対の透明電極５０３がｘ方向を
長手方向として複数並設される。さらに透明電極５０３
には、透明電極５０３よりも十分に幅が狭く、導電性に
優れるバス電極５０４が積層される。この透明電極５０
３とバス電極５０４とが面放電にかかる表示電極５０７
として動作する。表示電極５０７を配設した前面板ガラ
ス５０２には、ガラス面全体にわたって誘電体層５０５
がコートされ、誘電体層５０５には保護膜５０６がコー
トされている。Front plate glass 5 serving as a substrate of front plate 501
02, a plurality of pairs of transparent electrodes 503 are arranged on one side thereof with the x direction as a longitudinal direction. Further, the transparent electrode 503
A bus electrode 504, which is sufficiently narrower than the transparent electrode 503 and has excellent conductivity, is laminated on the substrate. This transparent electrode 50
3 and the display electrode 507 in which the bus electrode 504 is subjected to surface discharge
Works as The front plate glass 502 on which the display electrodes 507 are disposed has a dielectric layer 505 over the entire glass surface.
, And the dielectric layer 505 is coated with a protective film 506.
【００１６】背面板５１１の基板となる背面板ガラス５
１２には、その片面に複数のアドレス電極５１３がｙ方
向を長手方向としてストライプ状に並設され、誘電体層
５１４がアドレス電極５１３を配した背面板ガラス５１
２の全面にわたってコートされる。この誘電体層５１４
上には、隣接するアドレス電極５１３の間隔に合わせて
主隔壁５１５が配設され、主隔壁５１５と垂直なx方向
に、主隔壁５１５より高さが低い補助隔壁５１６が配設
される。そして隣接する主隔壁５１５および補助隔壁５
１６とその間の誘電体層５１４の面上には、ＲＧＢの何
れかに対応する蛍光体層５１７が主隔壁５１５の側面、
補助隔壁５１６の側面および必要に応じて上部、誘電体
層５１４の表面に塗布されている。Back plate glass 5 serving as a substrate of back plate 511
12, a plurality of address electrodes 513 are arranged on one side in a stripe shape with the y direction as a longitudinal direction, and a dielectric layer 514 is formed on the back plate glass 51 on which the address electrodes 513 are arranged.
2 is coated over the entire surface. This dielectric layer 514
A main partition 515 is provided on the upper side in accordance with the interval between the adjacent address electrodes 513, and an auxiliary partition 516 having a height lower than the main partition 515 is provided in the x direction perpendicular to the main partition 515. And the adjacent main partition 515 and auxiliary partition 5
A phosphor layer 517 corresponding to any of RGB is provided on a side surface of the main partition wall 515 on the surface of the dielectric layer 514 therebetween.
It is applied to the side surface of the auxiliary partition wall 516 and, if necessary, the upper portion, and the surface of the dielectric layer 514.
【００１７】このような構成を有する前面板５０１と背
面板５１１は、アドレス電極５１３と表示電極５０７の
互いの長手方向が主隔壁５１５および補助隔壁５１６の
中間で直交するように対向させた状態で配され、図示し
ていないが、両面板５０１、５１１の外周縁部は封着ガ
ラスで接着し封止されている。そして前記両面板５０
１、５１１の間には、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅなどの希ガス成
分からなる放電ガス（封入ガス）が６６５００Ｐａ（約
５００Ｔｏｒｒ）程度の圧力で封入されている。これに
より、隣接する主隔壁５１５および補助隔壁５１６間に
形成される空間が放電空間５１８となり、隣り合う一対
の表示電極５０７と１本のアドレス電極５１３が放電空
間５１８を挟んで交差する領域が、画像表示にかかるセ
ルとなる。ＰＤＰ駆動時には各セルにおいて、アドレス
電極５１３と表示電極５０７、また一対の表示電極５０
７同士での放電によって短波長の紫外線（波長約１４７
ｎｍ）が発生し、蛍光体層５１７が発光して画像表示が
なされる。The front plate 501 and the back plate 511 having such a structure are opposed to each other so that the longitudinal directions of the address electrode 513 and the display electrode 507 are orthogonal to each other in the middle of the main partition 515 and the auxiliary partition 516. Although not shown, the outer peripheral edges of the double-sided plates 501 and 511 are bonded and sealed with sealing glass. And the double-sided board 50
A discharge gas (filled gas) composed of a rare gas component such as He, Xe, Ne or the like is filled between 1, 511 at a pressure of about 66500 Pa (about 500 Torr). Accordingly, a space formed between the adjacent main partition 515 and the auxiliary partition 516 becomes a discharge space 518, and a region where a pair of adjacent display electrodes 507 and one address electrode 513 intersect with the discharge space 518 interposed therebetween is This is a cell for image display. At the time of PDP driving, in each cell, the address electrode 513 and the display electrode 507, and the pair of display electrodes 50
7 discharge short-wave ultraviolet rays (wavelength of about 147).
nm), the phosphor layer 517 emits light, and an image is displayed.
【００１８】ここで、本発明のＰＤＰの製造方法におけ
る主な特徴部分は、少なくとも主隔壁５１５および補助
隔壁５１６の形成に関するところにある。Here, the main feature of the PDP manufacturing method of the present invention is at least the formation of the main partition 515 and the auxiliary partition 516.
【００１９】次に、本ＰＤＰの作製方法を具体的に説明
する。Next, a method of manufacturing the present PDP will be specifically described.
【００２０】（前面板５０１の作製）厚さ約２．８ｍｍ
のソーダーガラスからなる前面板ガラス５０２の表面上
に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＳｎＯ2など
の導電体材料により、厚さ約３０００オングストローム
の透明電極５０３を平行に作製する。さらに、この透明
電極５０３の上に銀またはクロム−銅−クロムの３層か
らなるバス電極５０４を積層し、表示電極５０７とす
る。これらの電極の作製方法に関しては、スクリーン印
刷法、フォトリソグラフィー法などの公知の製造方法が
適用できる。(Preparation of Front Plate 501) Thickness: about 2.8 mm
A transparent electrode 503 having a thickness of about 3000 Å is formed in parallel with a conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or SnO 2 on the surface of a front plate glass 502 made of soda glass. Further, a bus electrode 504 composed of three layers of silver or chromium-copper-chromium is laminated on the transparent electrode 503 to form a display electrode 507. A known manufacturing method such as a screen printing method or a photolithography method can be applied to a method for manufacturing these electrodes.
【００２１】次に表示電極５０７を作製した前面板ガラ
ス５０２の面上に、鉛系ガラスのペーストを全面にわた
ってコートし、焼成して約２０〜３０μｍの誘電体層５
０５を形成する。そして、誘電体層５０５の表面に、厚
さ約１μｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護
膜５０６を蒸着法あるいはＣＶＤ法などにより形成す
る。Next, a lead-based glass paste is coated on the entire surface of the front plate glass 502 on which the display electrode 507 is formed, and baked to form a dielectric layer 5 having a thickness of about 20 to 30 μm.
05 is formed. Then, a protective film 506 made of magnesium oxide (MgO) having a thickness of about 1 μm is formed on the surface of the dielectric layer 505 by an evaporation method or a CVD method.
【００２２】これで前面板５０１が完成する。Thus, the front plate 501 is completed.
【００２３】（背面板５１１の作製）厚さ約２．８ｍｍ
のソーダーガラスからなる背面板ガラス５１２の面上
に、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法などに
より、銀を主成分とする導電体材料を一定間隔でストラ
イプ状に塗布し、厚さ約２〜１０μｍのアドレス電極５
１３を形成する。ここで作製するＰＤＰを４０インチク
ラスのハイビジョンテレビとするためには、隣り合う２
つのアドレス電極５１３の間隔を０．２ｍｍ程度以下に
設定する。続いてアドレス電極５１３を形成した背面板
ガラス５１２の面全体にわたって、鉛系ガラスのペース
トをコートして焼成し、厚さ約５〜２０μｍの誘電体層
５１４を形成する。(Preparation of Back Plate 511) Thickness: about 2.8 mm
A conductive material mainly composed of silver is applied in stripes at regular intervals on the surface of a back plate glass 512 made of soda glass by a screen printing method or a photolithography method, and has an address of about 2 to 10 μm in thickness. Electrode 5
13 is formed. In order to make the PDP manufactured here a 40-inch class high definition television, two adjacent
The interval between two address electrodes 513 is set to about 0.2 mm or less. Subsequently, a lead-based glass paste is coated and baked over the entire surface of the rear glass plate 512 on which the address electrodes 513 are formed, to form a dielectric layer 514 having a thickness of about 5 to 20 μm.
【００２４】ここからの工程に本実施の形態の製造方法
における特徴が含まれる。図６（ａ）〜図６（ｆ）を参
照して、本実施の形態における隔壁形成プロセスを説明
する。図６（ａ）〜図６（ｆ）は、隔壁形成プロセスの
各工程を説明する断面斜視図である。なお、図中の基板
６０１は上記のアドレス電極および誘電体層を形成した
基板を用いるが、アドレス電極および誘電体層は図中で
は省略している。The subsequent steps include the features of the manufacturing method of the present embodiment. With reference to FIGS. 6A to 6F, a partition forming process according to the present embodiment will be described. FIGS. 6A to 6F are cross-sectional perspective views illustrating each step of the partition wall forming process. Although a substrate on which the above-mentioned address electrode and dielectric layer are formed is used as the substrate 601 in the figure, the address electrode and the dielectric layer are omitted in the figure.
【００２５】本実施の形態で用いるペーストは、溶剤、
少なくとも光重合性化合物および光重合開始剤を含む感
光性材料、低融点ガラス粉末からなる。溶剤としては、
例えば、アセトン、トルエン、酢酸エチル、メタノー
ル、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、エチルセロソルブアセテート、メチルエチルケト
ン、ジオキサン、シクロヘキサノン、シクロペンタノ
ン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、γ
−ブチロラクトンなどや、これらのうちの１種以上を含
有する有機溶媒混合物を用いることができる。感光性材
料としては分子内に少なくとも１つの重合可能なエチレ
ン性不飽和基（ビニル基、アクリル基、アリル基、メタ
クリル基など）を少なくとも有する光重合性化合物、光
重合開始剤を含めば特に限定されず、公知の材料をいず
れも使用することができる。感光性材料には、架橋剤、
紫外線吸収剤、増感剤、増感助剤、重合禁止剤、増粘
剤、可塑剤、酸化防止剤、分散剤、有機あるいは無機の
沈殿防止剤などの添加剤成分が加えられていてもよい。
光重合性化合物は、感光性モノマーおよび感光性ポリマ
ーの内、少なくとも１種類から選ばれる光反応性成分を
含むものであればよい。感光性モノマーとしては、炭素
−炭素不飽和結合を含有する化合物で、その具体的な例
として、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ
−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、
ｎ−ブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレー
ト、イソ−ブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアク
リレート、ｎ−ペンチルアクリレート、アリルアクリレ
ート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレ
ート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、
シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアク
リレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−エチ
ルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、
グリシジルアクリレート、ヘプタデカフロロデシルアク
リレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボ
ニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、イソデキシルアクリレート、イソオキチルアクリレ
ート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアク
リレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、
メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフ
ロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレ
ート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアク
リレート、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、
１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチ
レングリコールジアクリレート、エチレングリコールジ
アクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、
トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレン
グリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘ
キサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロ
キシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテ
トラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メト
キシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグ
ルコールジアクリレート、プロピレングリコールジアク
リレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、
トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロ
パントリアクリレート、アミノエチルアクリレート、ア
クリルアミドおよび上記化合物の分子内のアクリレート
を一部もしくはすべてをメタクリレートに変えたもの、
１−ビニル−２−ピロリドン、γ−メチクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン、フェニル（メタ）アクリレー
ト、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ベンジル
（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレ
ート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、ビスフェノ
ールＡジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ−エ
チレンオキサイド付加物のジ（メタ）アクリレート、ビ
スフェノールＡ−プロピレンオキサイド付加物のジ（メ
タ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレー
ト、２−ナフチル（メタ）アクリレート、チオフェノー
ル（メタ）アクリレート、ベンジルメルカプタン（メ
タ）アクリレートまたこれらの芳香環中の１〜５個の水
素原子を塩素または臭素原子に置換した化合物を用いる
ことができる。感光性ポリマーとしては、感光性オリゴ
マーを含み、炭素−炭素不飽和結合を含有する化合物
や、スチレンやビニルナフタレン、α−メチルナフタレ
ン等を重合して用いることができる。光重合開始剤とし
ては、例えば、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、ベンゾ
フェノン、４，４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェ
ノン、４，４−ビス（ジエチルアミン）ベンゾフェノ
ン、４，４−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル
−４−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フ
ルオレノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，
２−ジメトキシ−２−フェニル−２−フェニルアセトフ
ェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノ
ン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサ
ントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキ
サントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチル
チオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタノー
ル、ベンジル−メトキシエチルアセタール、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエー
テル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノ
ン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキ
ノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロ
ン、メチレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフ
ェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シク
ロヘキサン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）
−４−メチルシクロヘキサノン、２−フェニル−１，２
−ブタジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシ
ム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキ
シカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパ
ントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシ
ム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−
２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラ−ケトン、２
−メチル−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モル
フォリノ−１−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロ
ライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニル
チオアクリドン、４，４−アゾビスイソブチロニトリ
ル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスル
フィド、トリフェニルホルフィン、カンファーキノン、
トリブロモフェニルスルホン、四臭素化炭素、過酸化ベ
ンゾインおよびエオシン、メチレンブルーなどの光還元
性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミンなど
の還元剤の組み合わせなどが挙げられ、これらを１種ま
たは２種以上使用することができる。低融点ガラス粉末
としては、例えば、酸化鉛、酸化ビスマス、酸化ナトリ
ウム、酸化カリウム、酸化リチウムを含有したガラス粉
末を用いることができる。このガラス粉末は、Ｓｉ
Ｏ2、Ｂ2Ｏ3、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｐ
ｂＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2を含んでいてもよい。
また、上記のようなガラス成分以外に、荷重熱軟化温度
が６００℃以上のガラスやセラミックスなどを含有する
ことができる。これらの材料はフィラーとして機能し、
隔壁の強度を向上することができる。荷重熱軟化温度が
６００℃以上のガラスやセラミックスとしては、ＳｉＯ
2を３０重量％以上含有するガラスやＡｌ2Ｏ3を２０重
量％以上含有するガラス、もしくは、アルミナやジルコ
ニアやコーディエライトのようなセラミックス粉末を用
いることができる。ペーストの粘度は、無機微粒子、増
粘剤、有機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤などの添加割
合によって適宜調整することができる。また、露光光が
照射されたときに、露光光の光強度分布と光重合開始剤
の吸光度分布の重複領域が５０％以下となるように、光
重合開始剤の種類および含有比率を適宜調整する。The paste used in the present embodiment is a solvent,
It is composed of a photosensitive material containing at least a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator, and a low-melting glass powder. As the solvent,
For example, acetone, toluene, ethyl acetate, methanol, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol,
Methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, methyl ethyl ketone, dioxane, cyclohexanone, cyclopentanone, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ
-Butyrolactone and the like, and an organic solvent mixture containing at least one of them can be used. The photosensitive material is particularly limited as long as it includes a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group (vinyl group, acryl group, allyl group, methacryl group, and the like) in the molecule and a photopolymerization initiator. Instead, any known materials can be used. Crosslinking agents,
Additive components such as ultraviolet absorbers, sensitizers, sensitization aids, polymerization inhibitors, thickeners, plasticizers, antioxidants, dispersants, and organic or inorganic precipitation inhibitors may be added. .
The photopolymerizable compound may be any as long as it contains a photoreactive component selected from at least one of a photosensitive monomer and a photosensitive polymer. The photosensitive monomer is a compound containing a carbon-carbon unsaturated bond, and specific examples thereof include methyl acrylate, ethyl acrylate, and n.
-Propyl acrylate, isopropyl acrylate,
n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, iso-butyl acrylate, tert-butyl acrylate, n-pentyl acrylate, allyl acrylate, benzyl acrylate, butoxyethyl acrylate, butoxytriethylene glycol acrylate,
Cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate,
Glycidyl acrylate, heptadecafluorodecyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, isobornyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, isodexyl acrylate, isooxyl acrylate, lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate,
Methoxydiethylene glycol acrylate, octafluoropentyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, stearyl acrylate, trifluoroethyl acrylate, allylated cyclohexyl diacrylate,
1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate,
Triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, glycerol diacrylate, methoxylated cyclohexyl diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, propylene glycol Diacrylate, polypropylene glycol diacrylate,
Triglycerol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, aminoethyl acrylate, acrylamide and those in which a part or all of the acrylate in the molecule of the above compound is changed to methacrylate,
1-vinyl-2-pyrrolidone, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, phenyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 1-naphthyl (meth) acrylate, 2-naphthyl (meta ) Acrylate, bisphenol A di (meth) acrylate, di (meth) acrylate of bisphenol A-ethylene oxide adduct, di (meth) acrylate of bisphenol A-propylene oxide adduct, 1-naphthyl (meth) acrylate, 2-naphthyl (Meth) acrylate, thiophenol (meth) acrylate, benzylmercaptan (meth) acrylate, and compounds in which 1 to 5 hydrogen atoms in these aromatic rings have been substituted with chlorine or bromine atoms can be used. As the photosensitive polymer, a compound containing a photosensitive oligomer and containing a carbon-carbon unsaturated bond, styrene, vinylnaphthalene, α-methylnaphthalene, or the like can be used after polymerization. Examples of the photopolymerization initiator include methyl o-benzoylbenzoate, benzophenone, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamine) benzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, and 4-benzoyl- 4-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,
2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethyl Thioxanthone, benzyl, benzyldimethyl ketanol, benzyl-methoxyethyl acetal, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzos Veron, methyleneanthrone, 4-azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexane, 2,6-bi (P- azidobenzylidene)
-4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-1,2
-Butadione-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, -Phenyl-3-ethoxy-propanetrione-
2- (o-benzoyl) oxime, Michler's ketone, 2
-Methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, naphthalenesulfonyl chloride, quinoline sulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benz Thiazole disulfide, triphenylphorphine, camphorquinone,
A combination of a photoreducing dye such as tribromophenyl sulfone, carbon tetrabromide, benzoin and eosin, and methylene blue and a reducing agent such as ascorbic acid and triethanolamine; and one or more of these. Can be used. As the low melting point glass powder, for example, a glass powder containing lead oxide, bismuth oxide, sodium oxide, potassium oxide, and lithium oxide can be used. This glass powder is Si
O 2 , B 2 O 3 , BaO, ZnO, ZrO 2 , Al 2 O 3 , P
bO, MgO, CaO, may contain TiO 2.
Further, in addition to the above glass components, glass or ceramics having a heat softening temperature under load of 600 ° C. or more can be contained. These materials function as fillers,
The strength of the partition can be improved. Examples of glass and ceramics having a heat softening temperature of 600 ° C. or higher include SiO.
Glass containing 2 % by weight or more of 2 or glass containing 20% by weight or more of Al 2 O 3 or ceramic powder such as alumina, zirconia or cordierite can be used. The viscosity of the paste can be appropriately adjusted by the addition ratio of inorganic fine particles, a thickener, an organic solvent, a plasticizer, a precipitation inhibitor and the like. Further, the type and content ratio of the photopolymerization initiator are appropriately adjusted such that the overlap region between the light intensity distribution of the exposure light and the absorbance distribution of the photopolymerization initiator becomes 50% or less when the exposure light is irradiated. .
【００２６】上記のペーストを、図６（ａ）に示すよう
に、基板６０１上にダイコート法などの手法により塗布
することで、ペースト状態の塗布膜６０２を形成する
（第１工程）。なお、ペーストの塗布方法は、実質的に
溶剤を含む状態で焼成工程後の隔壁高さが所望の高さを
実現するために十分な塗布後の膜厚を実現できれば、特
にダイコート法に限定されない。As shown in FIG. 6A, the paste is applied on a substrate 601 by a method such as a die coating method to form a coating film 602 in a paste state (first step). The method of applying the paste is not particularly limited to the die coating method, as long as the height of the partition walls after the firing step in a state substantially containing a solvent can achieve a sufficient film thickness after application to achieve a desired height. .
【００２７】次に、図６（ｂ）に示すように、ペースト
状態の塗布膜６０２の所定位置を、第１フォトマスク６
０３を介して露光光６０４を照射することで、架橋反応
による重合、高分子化が膜厚方向全体に進行した第１露
光部６０５と、未露光部６０６を形成する。この時、第
１露光部６０５は塗工時の膜厚をある程度維持したまま
硬化する（第２工程）。第１フォトマスク６０３として
は、ガラス等の透過率の優れた板にＣｒ等で露光パター
ンを形成したものが使用できるが、ガラスおよびＣｒに
限定されるものではない。また、保護膜等が形成されて
いても良い。本実施の形態の場合は、第１フォトマスク
の開口部は、基板に形成されたアドレス電極５１３と平
行かつアドレス電極５１３間の中央に位置するように配
置されたストライプ状で、開口幅は６０μｍのフォトマ
スクを使用し、主隔壁部のパターンを形成した。なお、
開口幅は、所望の主隔壁部の形状を実現する開口幅であ
れば特に限定しない。露光光６０４としては、例えば近
紫外線、紫外線、電子線、Ｘ線などが挙げられるが、こ
れらの中でも紫外線が好ましい。その光源としては、例
えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲン
ランプ、殺菌灯などが使用できるが、これらの中でも超
高圧水銀灯が好ましい。露光条件としては、塗布厚みに
よって異なるが、５〜１０００ｍＪ／ｃｍ2の出力の超
高圧水銀灯を用いて、０．１〜３０分間露光を行う。ま
た、第１フォトマスク６０３とペースト状態の塗布膜６
０２との距離は１ｍｍであることが望ましいが、これに
限定されるものではない。なお、本実施の形態の場合、
この第２工程はフォトリソグラフィー法で行ったが、レ
ーザー光などで選択的に露光を行うものであっても良
い。Next, as shown in FIG. 6B, a predetermined position of the coating film 602 in the paste state is
By irradiating the exposure light 604 through 03, a first exposed portion 605 and a non-exposed portion 606 in which polymerization and polymerization by the crosslinking reaction have progressed in the entire film thickness direction are formed. At this time, the first exposed portion 605 is cured while maintaining a certain thickness at the time of coating (second step). As the first photomask 603, a material having an exposure pattern formed of Cr or the like on a plate having excellent transmittance such as glass can be used, but is not limited to glass and Cr. Further, a protective film or the like may be formed. In the case of the present embodiment, the opening of the first photomask is in the form of a stripe arranged parallel to the address electrodes 513 formed on the substrate and at the center between the address electrodes 513, and has an opening width of 60 μm. Was used to form a pattern of the main partition. In addition,
The opening width is not particularly limited as long as the opening width achieves a desired shape of the main partition. Examples of the exposure light 604 include near-ultraviolet rays, ultraviolet rays, electron beams, and X-rays. Among them, ultraviolet rays are preferable. As the light source, for example, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, a germicidal lamp, and the like can be used. Among them, an ultra-high-pressure mercury lamp is preferable. Exposure conditions vary depending on the coating thickness, but exposure is performed for 0.1 to 30 minutes using an ultra-high pressure mercury lamp having an output of 5 to 1000 mJ / cm 2 . Further, the first photomask 603 and the coating film 6 in a paste state are formed.
The distance to 02 is desirably 1 mm, but is not limited thereto. In the case of the present embodiment,
Although the second step is performed by a photolithography method, the second step may be performed by selectively exposing with a laser beam or the like.
【００２８】次に、図６（ｃ）に示すように、乾燥を行
い溶媒を除去する（第３工程）。この時、前記未露光部
６０６は溶媒が除去され膜厚が低下するが、前記第１露
光部６０５は既に硬化しているため膜厚は大きく変化し
ない。乾燥条件としては、タクト式のＩＲ乾燥炉などを
用い、８０〜１２０℃の温度のうち望ましくは１００℃
で、１０〜３０分のうち望ましくは２０分間乾燥させ
る。なお、乾燥炉はタクト式ＩＲ炉に限定されず、他の
乾燥炉を用いても良い。補助隔壁の高さは、この第３工
程が支配的となるため、乾燥後の第１露光部６０５と未
露光部６０６の高低差は目標とする値になるよう適宜調
節する。Next, as shown in FIG. 6C, drying is performed to remove the solvent (third step). At this time, although the solvent is removed from the unexposed portion 606 and the film thickness is reduced, the film thickness is not largely changed because the first exposed portion 605 is already cured. As a drying condition, a tact-type IR drying furnace or the like is used.
Then, it is desirably dried for 20 minutes among 10 to 30 minutes. The drying furnace is not limited to the tact IR furnace, and another drying furnace may be used. Since the height of the auxiliary partition wall is dominant in the third step, the height difference between the first exposed portion 605 and the unexposed portion 606 after drying is appropriately adjusted to a target value.
【００２９】次に、図６（ｄ）に示すように、第２フォ
トマスク６０７を介して露光光６０８を照射すること
で、架橋反応による重合、高分子化が膜厚方向全体に進
行した第２露光部６０９と、未露光部６１０を形成する
（第４工程）。ここで、第２フォトマスク６０７は第２
工程と同様なものを用いればよいが、露光パターンは主
隔壁部と垂直で開口幅４０μｍのストライプ状のパター
ンを使用した。なお、露光パターンは、所望の補助隔壁
パターンが得られれば特に限定せず、また、主隔壁部を
一部もしくは全部含んでいてもよい。露光光６０８およ
び露光条件は第２工程と同様である。Next, as shown in FIG. 6D, by irradiating exposure light 608 through the second photomask 607, polymerization and polymerization by the crosslinking reaction proceed in the entire film thickness direction. Two exposed portions 609 and unexposed portions 610 are formed (fourth step). Here, the second photomask 607 is
The same pattern as in the process may be used, but the exposure pattern used was a stripe pattern perpendicular to the main partition and having an opening width of 40 μm. The exposure pattern is not particularly limited as long as a desired auxiliary partition pattern is obtained, and may include a part or all of the main partition. The exposure light 608 and exposure conditions are the same as in the second step.
【００３０】次に、図６（ｅ）に示すように、第４工程
の未露光部６１０を現像により取り除き、主隔壁および
補助隔壁のパターンのみを露出させた後、図６（ｆ）に
示すように、焼成を行うことで、樹脂成分を焼失させ、
またガラス成分を溶融させて強固な隔壁を形成する（第
５工程）。なお、現像としては、現像液をスプレーする
方法、現像液中に基板を浸せきする方法などがあるが、
現像方法に限定されるものではない。焼成としては、ベ
ルト式の焼成炉で４００℃以上の温度で加熱、焼成を行
うのが好ましいが、これに限定されるものではない。Next, as shown in FIG. 6E, the unexposed portions 610 in the fourth step are removed by development to expose only the main partition and auxiliary partition patterns. Then, as shown in FIG. 6F. In this way, by firing, the resin component is burned off,
Further, the glass component is melted to form strong partition walls (fifth step). As the development, there are a method of spraying a developer, a method of dipping a substrate in the developer, and the like.
It is not limited to the developing method. The firing is preferably performed by heating and firing at a temperature of 400 ° C. or more in a belt-type firing furnace, but is not limited thereto.
【００３１】以上の様にして隔壁を形成した後、隣接す
る主隔壁５１５および補助隔壁５１６とその間の誘電体
層５１４の面上に、ＲＧＢの何れかに対応する蛍光体層
５１７を、主隔壁５１５の側面、補助隔壁５１６の側面
および必要に応じて上部、誘電体層５１４の表面に塗布
する。塗布方法は公知の印刷法やラインジェット法等を
用いることができるが、特に限定されない。After the partition walls are formed as described above, a phosphor layer 517 corresponding to any one of RGB is formed on the surface of the adjacent main partition wall 515 and auxiliary partition wall 516 and the dielectric layer 514 therebetween. The surface of the dielectric layer 514 is coated on the side surface of the dielectric layer 515, the side surface of the auxiliary partition 516, and, if necessary, the upper portion. As a coating method, a known printing method, a line jet method, or the like can be used, but is not particularly limited.
【００３２】これで背面板５１１が完成する。Thus, the back plate 511 is completed.
【００３３】（実施の形態２）本実施の形態は、実施の
形態１とほぼ同様な製法であるため、実施の形態１と相
違する点について言及する。(Embodiment 2) This embodiment is substantially the same as the first embodiment, and therefore points different from the first embodiment will be described.
【００３４】本実施の形態で用いるペーストは、実施の
形態１に記したペーストのうち、露光光が照射されたと
きに、露光光の光強度分布と光重合開始剤の吸光度分布
の重複領域が５０％以上となるように、光重合開始剤の
種類および含有比率を適宜調整したものである。The paste used in the present embodiment is the same as the paste described in Embodiment 1 except that when the exposure light is irradiated, the overlapping area of the light intensity distribution of the exposure light and the absorbance distribution of the photopolymerization initiator is different. The type and the content ratio of the photopolymerization initiator are appropriately adjusted so as to be 50% or more.
【００３５】上記のようにペーストが調整されているた
め、露光光が照射された部分に樹脂層が生成し、前記樹
脂層が乾燥時に溶剤の蒸発を抑制して未露光部を通過し
て溶剤が蒸発するため、同時に固形分も移動して、最終
的に未露光部が主隔壁を形成することとなる。したがっ
て、本実施の形態で使用するフォトマスクは、実施の形
態１における第１フォトマスク６０３の開口部と遮光部
が逆転したパターンを有するフォトマスクを使用するこ
とができる。Since the paste is adjusted as described above, a resin layer is formed in the portion irradiated with the exposure light, and when the resin layer is dried, the evaporation of the solvent is suppressed, and the resin layer passes through the unexposed portion and passes through the unexposed portion. Is evaporated, the solid content also moves at the same time, and finally the unexposed portion forms a main partition. Therefore, as the photomask used in this embodiment, a photomask having a pattern in which the opening of the first photomask 603 and the light-shielding portion in Embodiment 1 are reversed can be used.
【００３６】また、第４工程におけるフォトマスクは、
実施の形態１と同様の開口部が補助隔壁を形成するフォ
トマスクを使用することができる。これは、第４工程に
おいては被露光体である塗膜が乾燥状態であるため、ペ
ースト状態での露光とは異なり、光重合した光重合性化
合物が膜表面に樹脂層を形成することなく、膜厚方向全
体に光重合が進行するため、最終的に露光部が隔壁を形
成することになるからである。The photomask in the fourth step is as follows:
As in Embodiment 1, a photomask in which an opening forms an auxiliary partition can be used. This is because, in the fourth step, the coating film to be exposed is in a dry state, so that unlike the exposure in the paste state, the photopolymerizable compound that has been photopolymerized does not form a resin layer on the film surface, This is because photopolymerization proceeds in the entire film thickness direction, so that the exposed portions eventually form partition walls.
【００３７】以上の点が、実施の形態１と相違する点で
あり、そのほかの工程は実施の形態１と同様に行うこと
で、高さの異なる隔壁を形成することができ、本発明に
かかわるプラズマディスプレイ表示装置を製造すること
ができる。The above point is different from the first embodiment. By performing other steps in the same manner as in the first embodiment, partition walls having different heights can be formed, and the present invention is related to the present invention. A plasma display device can be manufactured.
【００３８】（実施の形態３）図７（ａ）〜図７（ｇ）
を参照して、本実施の形態における隔壁形成プロセスを
説明する。図７（ａ）〜図７（ｇ）は、隔壁形成プロセ
スの各工程を説明する断面斜視図である。なお、図中の
基板７０１は前記のアドレス電極および誘電体層を形成
した基板を用いるが、アドレス電極および誘電体層は図
中では省略している。また、隔壁以外の製造方法は実施
の形態１と同様である。また、隔壁ペーストは実施の形
態１および２に記載の両者の場合が考えられるが、本実
施の形態では実施の形態１で用いたペーストを例にして
説明する。なお、本実施の形態で用いる工法および条件
は実施の形態１と同様に限定されるものではない。(Embodiment 3) FIGS. 7 (a) to 7 (g)
The process of forming the partition walls in the present embodiment will be described with reference to FIG. 7A to 7G are cross-sectional perspective views illustrating each step of the partition wall forming process. Although the substrate on which the address electrodes and the dielectric layer are formed is used as the substrate 701 in the figure, the address electrodes and the dielectric layer are omitted in the figure. The manufacturing method other than the partition wall is the same as that of the first embodiment. The partition paste may be either of those described in Embodiments 1 and 2. In this embodiment, the paste used in Embodiment 1 will be described as an example. The method and conditions used in the present embodiment are not limited as in the first embodiment.
【００３９】上記のペーストを、図７（ａ）に示すよう
に、基板７０１上にダイコート法などの手法により塗布
する。次に、タクト式のＩＲ乾燥炉などを用い、８０〜
１２０℃の温度のうち望ましくは１００℃で、１０〜３
０分のうち望ましくは２０分間乾燥させることで、乾燥
状態の第１層塗布膜７０２を形成する（第１工程）。な
お、第１層塗布膜７０２の膜厚は、最終的に主隔壁部と
補助隔壁部の高さを満足する膜厚に適宜調節する。As shown in FIG. 7A, the above paste is applied on a substrate 701 by a method such as a die coating method. Next, using a tact type IR drying furnace or the like,
Desirably 100 ° C out of 120 ° C, 10-3
The first layer coating film 702 in a dry state is formed by drying for preferably 20 minutes out of 0 minutes (first step). The thickness of the first layer coating film 702 is appropriately adjusted so as to finally satisfy the heights of the main partition and the auxiliary partition.
【００４０】次に、図７（ｂ）に示すように、第１層塗
布膜７０２の上にダイコート法などの手法により第１層
と同様なペーストを塗布し、ペースト状態の第２層塗布
膜７０３を形成する（第２工程）。この時、第２層中に
含まれる溶剤は、第１層に一部吸収されるが、第２層は
実質的に溶剤を多く含む状態である。Next, as shown in FIG. 7B, a paste similar to the first layer is applied on the first layer coating film 702 by a method such as a die coating method, and the second layer coating film in a paste state is formed. 703 is formed (second step). At this time, the solvent contained in the second layer is partially absorbed by the first layer, but the second layer is substantially in a state containing a large amount of solvent.
【００４１】次に、図７（ｃ）に示すように、ペースト
状態の第２層塗布膜７０３の所定位置を、第１フォトマ
スク７０４を介して露光光７０５を照射することで、架
橋反応による重合、高分子化が第１層を含めて膜厚方向
全体に進行した第１露光部７０６と、未露光部７０７を
形成する（第３工程）。この時、第１露光部７０６は塗
工時の膜厚をある程度維持したまま硬化する。Next, as shown in FIG. 7C, a predetermined position of the second layer coating film 703 in a paste state is irradiated with exposure light 705 through a first photomask 704, thereby causing a cross-linking reaction. A first exposed portion 706 and an unexposed portion 707 in which polymerization and polymerization have progressed in the entire thickness direction including the first layer are formed (third step). At this time, the first exposed portion 706 is cured while maintaining a certain thickness at the time of coating.
【００４２】次に、図７（ｄ）に示すように、乾燥を行
い溶媒を除去する（第４工程）。この時、前記未露光部
７０７は溶媒が除去され膜厚が低下するが、前記第１露
光部７０６は既に硬化しているため膜厚は大きく変化し
ない。乾燥条件としては、タクト式のＩＲ乾燥炉などを
用い、８０〜１２０℃の温度のうち望ましくは１００℃
で、１０〜３０分のうち望ましくは２０分間乾燥させ
る。Next, as shown in FIG. 7D, drying is performed to remove the solvent (fourth step). At this time, although the solvent is removed from the unexposed portion 707 and the film thickness is reduced, the film thickness is not largely changed because the first exposed portion 706 is already cured. As a drying condition, a tact-type IR drying furnace or the like is used.
Then, it is desirably dried for 20 minutes among 10 to 30 minutes.
【００４３】次に、図７（ｅ）に示すように、第２フォ
トマスク７０８を介して露光光７０９を照射すること
で、架橋反応による重合、高分子化が膜厚方向全体に進
行した第２露光部７１０と、未露光部７１１を形成する
（第５工程）。Next, as shown in FIG. 7E, by irradiating exposure light 709 through a second photomask 708, polymerization and polymerization by a crosslinking reaction proceed in the entire film thickness direction. Two exposed portions 710 and unexposed portions 711 are formed (fifth step).
【００４４】次に、図７（ｆ）に示すように、第５工程
の未露光部７１１を現像により取り除き、主隔壁および
補助隔壁のパターンのみを露出させた後、図７（ｇ）に
示すように、焼成を行うことで、樹脂成分を焼失させ、
またガラス成分を溶融させて強固な隔壁を形成する（第
６工程）。Next, as shown in FIG. 7 (f), the unexposed portions 711 in the fifth step are removed by development to expose only the main partition and auxiliary partition patterns. In this way, by firing, the resin component is burned off,
Further, the glass component is melted to form strong partition walls (sixth step).
【００４５】以上の様にして隔壁を製造することで、簡
単な工程で高さの異なる隔壁を製造することが可能とな
る。また、実施の形態１の効果に加えて本実施の形態の
製造方法では、より広範囲に主隔壁および補助隔壁の高
さを制御することが可能となり、より高品位な隔壁の製
造が可能となる。By manufacturing partition walls as described above, it is possible to manufacture partition walls having different heights in a simple process. In addition to the effects of the first embodiment, in the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to control the heights of the main partition and the auxiliary partition in a wider range, and to manufacture a higher-quality partition. .
【００４６】（実施の形態４）図８（ａ）〜図８（ｇ）
を参照して、本実施の形態における隔壁形成プロセスを
説明する。図８（ａ）〜図８（ｇ）は、隔壁形成プロセ
スの各工程を説明する断面斜視図である。なお、図中の
基板８０１は前記のアドレス電極および誘電体層を形成
した基板を用いるが、アドレス電極および誘電体層は図
中では省略している。また、隔壁以外の製造方法は実施
の形態１と同様である。また、隔壁ペーストは実施の形
態１および２に記載の両者の場合が考えられるが、本実
施の形態では実施の形態１で用いたペーストを例にして
説明する。なお、本実施の形態で用いる工法および条件
は実施の形態１と同様に限定されるものではない。(Embodiment 4) FIGS. 8 (a) to 8 (g)
The process of forming the partition walls in the present embodiment will be described with reference to FIG. 8A to 8G are cross-sectional perspective views illustrating each step of the partition wall forming process. Although a substrate on which the above-mentioned address electrodes and a dielectric layer are formed is used as a substrate 801 in the figure, the address electrodes and the dielectric layer are omitted in the figure. The manufacturing method other than the partition wall is the same as that of the first embodiment. The partition paste may be either of those described in Embodiments 1 and 2. In this embodiment, the paste used in Embodiment 1 will be described as an example. The method and conditions used in the present embodiment are not limited as in the first embodiment.
【００４７】上記のペーストを、図８（ａ）に示すよう
に、基板８０１上にダイコート法などの手法により塗布
する。次に、タクト式のＩＲ乾燥炉などを用い、８０〜
１２０℃の温度のうち望ましくは１００℃で、１０〜３
０分のうち望ましくは２０分間乾燥させることで、乾燥
状態の第１層塗布膜８０２を形成する（第１工程）。な
お、第１層塗布膜８０２の膜厚は、最終的に主隔壁部と
補助隔壁部の高さを満足する膜厚に適宜調節する。As shown in FIG. 8A, the above paste is applied on a substrate 801 by a method such as a die coating method. Next, using a tact type IR drying furnace or the like,
Desirably 100 ° C out of 120 ° C, 10-3
The first-layer coating film 802 in a dry state is formed by desirably drying for 20 minutes out of 0 minutes (first step). Note that the thickness of the first layer coating film 802 is appropriately adjusted so as to finally satisfy the heights of the main partition and the auxiliary partition.
【００４８】次に、図８（ｂ）に示すように、乾燥状態
の第１層塗布膜８０２の所定位置を、第１フォトマスク
８０３を介して露光光８０４を照射することで、架橋反
応による重合、高分子化が膜厚方向全体に進行した第１
露光部８０５と、未露光部８０６を形成する（第２工
程）。この時、第１露光部８０５は未露光部８０６より
も密度が疎に変化するため、第１露光部８０５は未露光
部８０６と比較すると溶剤の吸収性が高まる。Next, as shown in FIG. 8B, a predetermined position of the first layer coating film 802 in a dry state is irradiated with exposure light 804 through a first photomask 803 to cause a crosslinking reaction. The first in which polymerization and polymerization proceeded in the entire thickness direction
An exposed portion 805 and an unexposed portion 806 are formed (second step). At this time, since the density of the first exposed portion 805 changes more sparsely than that of the unexposed portion 806, the first exposed portion 805 has higher solvent absorbability than the unexposed portion 806.
【００４９】次に、図８（ｃ）に示すように、第１層と
同様のペーストをダイコート法などの手法により塗布す
る。この時、第１層の第１露光部８０５の上に塗布され
たペーストは、第１層の第１露光部８０５と未露光部８
０６の溶剤吸収性の差により第１露光部８０５に溶剤を
多く吸収されるため、膜厚が薄く変化すると共に、溶剤
含有量も少なくなる。この様にして、第１露光部８０５
上の塗膜８０７と未露光部８０６上の塗膜８０８の膜厚
および溶剤含有量の異なる、ペースト状態の第２層が形
成される（第３工程）。Next, as shown in FIG. 8C, the same paste as that for the first layer is applied by a method such as a die coating method. At this time, the paste applied on the first exposed portion 805 of the first layer is composed of the first exposed portion 805 of the first layer and the unexposed portion 8.
Since a large amount of the solvent is absorbed by the first exposed portion 805 due to the difference in solvent absorbability of 06, the film thickness changes thinly and the solvent content decreases. Thus, the first exposure unit 805
A second layer in a paste state is formed in which the upper coating 807 and the coating 808 on the unexposed portion 806 have different thicknesses and different solvent contents (third step).
【００５０】次に、図８（ｄ）に示すように、タクト式
のＩＲ乾燥炉などを用い、８０〜１２０℃の温度のうち
望ましくは１００℃で、１０〜３０分のうち望ましくは
２０分間乾燥する。この時、溶剤含有量が少ない第１露
光部８０５上の塗膜８０７の溶剤蒸発がより促されるた
め、未露光部８０６上の塗膜８０８の溶剤は第１露光部
８０５上の塗膜８０７の内部を経由して蒸発することと
なる。この溶剤移動に伴い、固形分も同時に移動するた
め、前記第１露光部８０５上の塗膜８０７と未露光部８
０６上の塗膜８０８の膜厚減少率に大きく差が生じる。
その結果、膜厚の大きい第１露光部８０５上の乾燥膜８
０９と膜厚の小さい未露光部８０６上の乾燥膜８１０を
含んだ乾燥状態の第２層が形成される（第４工程）。Next, as shown in FIG. 8D, using a tact type IR drying furnace or the like, the temperature is preferably 100.degree. C. at a temperature of 80 to 120.degree. dry. At this time, since the solvent evaporation of the coating film 807 on the first exposed portion 805 having a small solvent content is further promoted, the solvent of the coating film 808 on the unexposed portion 806 becomes less than that of the coating film 807 on the first exposed portion 805. It will evaporate via the interior. Since the solids move at the same time as the solvent moves, the coating 807 on the first exposed portion 805 and the unexposed portion 8
There is a large difference in the reduction rate of the thickness of the coating film 808 on the substrate 06.
As a result, the dried film 8 on the first exposed portion 805 having a large thickness
The second layer in a dry state including the dried film 810 on the unexposed portion 806 having a small thickness of 09 is formed (fourth step).
【００５１】次に、図８（ｅ）に示すように、第２フォ
トマスク８１１を介して露光光８１２を照射すること
で、架橋反応による重合、高分子化が膜厚方向全体に進
行した第２露光部８１３と、未露光部８１４を形成する
（第５工程）。この時の第２フォトマスク８１１の露光
パターンは、主隔壁部および補助隔壁部のパターンを同
時に含むパターンである。Next, as shown in FIG. 8 (e), by irradiating exposure light 812 through the second photomask 811, polymerization and polymerization by a cross-linking reaction proceed in the entire film thickness direction. Two exposed portions 813 and unexposed portions 814 are formed (fifth step). At this time, the exposure pattern of the second photomask 811 is a pattern that simultaneously includes the patterns of the main partition and the auxiliary partition.
【００５２】次に、図８（ｆ）に示すように、第５工程
の未露光部８１４を現像により取り除き、主隔壁および
補助隔壁のパターンのみを露出させた後、図８（ｇ）に
示すように、焼成を行うことで、樹脂成分を焼失させ、
またガラス成分を溶融させて強固な隔壁を形成する（第
６工程）。Next, as shown in FIG. 8 (f), the unexposed portions 814 in the fifth step are removed by development to expose only the main partition and auxiliary partition patterns. In this way, by firing, the resin component is burned off,
Further, the glass component is melted to form strong partition walls (sixth step).
【００５３】以上の様にして隔壁を製造することで、簡
単な工程で高さの異なる隔壁を製造することが可能とな
る。By manufacturing the partition walls as described above, it is possible to manufacture partition walls having different heights by a simple process.
【００５４】[0054]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、プラズマ
ディスプレイ表示装置において高さの異なる隔壁を形成
する際、塗布、露光、乾燥の各工程をうまく組み合わせ
ることで、現像前の状態で高さが異なる隔壁前駆体を形
成し、一度の現像および一度の焼成を行うことで高さが
異なる隔壁前駆体を形成できるため、低コストで高品位
な表示を可能とするプラズマディスプレイ表示装置を実
現することが可能となる。As described above, according to the present invention, when forming partition walls having different heights in a plasma display device, the steps of coating, exposing, and drying are well combined to achieve a high height in a state before development. By forming barrier rib precursors with different heights and performing development and firing once, barrier rib precursors with different heights can be formed, realizing a plasma display device that enables high-quality display at low cost. It is possible to do.
【図１】プラズマディスプレイパネルの構成を模式的に
示す図FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a plasma display panel.
【図２】請求項１から３にかかる本発明の原理を説明す
る図FIG. 2 is a diagram for explaining the principle of the present invention according to claims 1 to 3;
【図３】請求項１および２と請求項４にかかる本発明の
原理を説明する図FIG. 3 is a diagram for explaining the principle of the present invention according to claims 1 and 2 and claim 4;
【図４】請求項６にかかる本発明の原理を説明する図FIG. 4 is a diagram for explaining the principle of the present invention according to claim 6;
【図５】ＡＣ面放電型プラズマディスプレイパネルの主
要構成を示す一部断面斜視図FIG. 5 is a partial cross-sectional perspective view showing a main configuration of an AC surface discharge type plasma display panel.
【図６】実施の形態１にかかる本発明の製造方法の一つ
を示す概略図FIG. 6 is a schematic view showing one of the manufacturing methods of the present invention according to the first embodiment.
【図７】実施の形態３にかかる本発明の製造方法の一つ
を示す概略図FIG. 7 is a schematic diagram showing one of the manufacturing methods according to the third embodiment of the present invention.
【図８】実施の形態４にかかる本発明の製造方法の一つ
を示す概略図FIG. 8 is a schematic view showing one of the manufacturing methods of the present invention according to the fourth embodiment.
１００ 前面基板 １０１ 背面基板 １０２，１０３ 表示電極 １０４ 誘電体層 １０５ 誘電体保護層 １０６ アドレス電極 １０７ 誘電体層 １０８ 隔壁 １０９ 蛍光体層 １１０ 放電ガス ２０１ 光重合開始剤の光吸収波長の吸光度分布 ２０２ 露光光の光強度分布 ２０３ ２０１と２０２の重複領域 ２０４ 基板 ２０５ 露光光 ２０６ 第１フォトマスク ２０７ 第１露光部 ２０８ 未露光部 ３０１ 光重合開始剤の光吸収波長の吸光度分布 ３０２ 露光光の光強度分布 ３０３ ３０１と３０２の重複領域 ３０４ 基板 ３０５ 露光光 ３０６ 第１フォトマスク ３０７ 樹脂層 ３０８ 第１露光部 ３０９ 未露光部 ３１０ 乾燥時の溶剤および固形分の移動 ４０１ 基板 ４０２ 第１フォトマスク ４０３ 露光光 ４０４ 第１露光部 ４０５ 未露光部 ４０６ 未露光部上ペースト ４０７ 露光部上ペースト ４０８ 塗布後の溶剤の吸収 ４０９ 乾燥時の溶剤移動 ４１０ 乾燥後の露光部上ペースト ５０１ 前面板 ５０２ 前面板ガラス ５０３ 透明電極 ５０４ バス電極 ５０５ 誘電体層 ５０６ 保護膜 ５０７ 表示電極 ５１１ 背面板 ５１２ 背面板ガラス ５１３ アドレス電極 ５１４ 誘電体層 ５１５ 主隔壁 ５１６ 補助隔壁 ５１７ 蛍光体層 ５１８ 放電空間 ６０１ 基板 ６０２ ペースト状態の塗布膜 ６０３ 第１フォトマスク ６０４ 露光光 ６０５ 第１露光部 ６０６ 未露光部 ６０７ 第２フォトマスク ６０８ 露光光 ６０９ 第２露光部 ６１０ 未露光部 ７０１ 基板 ７０２ 乾燥状態の第１層塗布膜 ７０３ ペースト状態の第２層塗布膜 ７０４ 第１フォトマスク ７０５ 露光光 ７０６ 第１露光部 ７０７ 未露光部 ７０８ 第２フォトマスク ７０９ 露光光 ７１０ 第２露光部 ７１１ 未露光部 ８０１ 基板 ８０２ 乾燥状態の第１層塗布膜 ８０３ 第１フォトマスク ８０４ 露光光 ８０５ 第１露光部 ８０６ 未露光部 ８０７ 第１露光部８０５上の塗膜 ８０８ 未露光部８０６上の塗膜 ８０９ 第１露光部８０５上の乾燥膜 ８１０ 未露光部８０６上の乾燥膜 ８１１ 第２フォトマスク ８１２ 露光光 ８１３ 第２露光部 ８１４ 未露光部 REFERENCE SIGNS LIST 100 Front substrate 101 Back substrate 102, 103 Display electrode 104 Dielectric layer 105 Dielectric protection layer 106 Address electrode 107 Dielectric layer 108 Partition 109 Phosphor layer 110 Discharge gas 201 Absorbance distribution of light absorption wavelength of photopolymerization initiator 202 Exposure Light intensity distribution 203 Light 201 Distribution of overlap of 201 and 202 204 Substrate 205 Exposure light 206 First photomask 207 First exposure part 208 Unexposed part 301 Absorbance distribution of light absorption wavelength of photopolymerization initiator 302 Light intensity distribution of exposure light 303 overlap region of 301 and 302 304 substrate 305 exposure light 306 first photomask 307 resin layer 308 first exposure portion 309 unexposed portion 310 solvent and solid matter movement during drying 401 substrate 402 first photomask 403 exposure light 404 First exposed portion 405 Unexposed portion 406 Not exposed Paste on exposed part 407 Paste on exposed part 408 Absorption of solvent after application 409 Solvent movement during drying 410 Paste on exposed part after drying 501 Front plate 502 Front plate glass 503 Transparent electrode 504 Bus electrode 505 Dielectric layer 506 Protective film 507 Display electrode 511 Back plate 512 Back plate glass 513 Address electrode 514 Dielectric layer 515 Main partition 516 Auxiliary partition 517 Phosphor layer 518 Discharge space 601 Substrate 602 Paste coating film 603 First photomask 604 Exposure light 605 First exposure unit 606 Unexposed portion 607 Second photomask 608 Exposure light 609 Second exposure portion 610 Unexposed portion 701 Substrate 702 Dry first layer coating film 703 Paste second layer coating film 704 First photomask 705 Exposure light 706 1 exposure unit 707 Exposed section 708 Second photomask 709 Exposure light 710 Second exposure section 711 Unexposed section 801 Substrate 802 Dry first layer coating film 803 First photomask 804 Exposure light 805 First exposure section 806 Unexposed section 807 First Coating film on exposed portion 805 808 Coating film on unexposed portion 806 809 Dry film on first exposed portion 805 810 Dry film on unexposed portion 806 811 Second photomask 812 Exposure light 813 Second exposed portion 814 Exposure section
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米原 浩幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 鈴木 茂夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山下 勝義 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C027 AA09 5C040 FA01 GF03 GF12 GF19 MA02 MA22 MA26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hiroyuki Yonehara 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Pref. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Shigeo Suzuki 1006 Odaka Kadoma Kadoma, Osaka Pref. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Katsuyoshi Yamashita 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F-term (reference)
Claims (7)
より高さの低い補助隔壁部を有するプラズマディスプレ
イ表示装置の製造方法であって、溶剤、少なくとも光重
合性化合物および光重合開始剤を含む感光性材料、低融
点ガラス粉末を含むペーストを塗工する第１工程と、前
記塗膜内に少なくとも前記溶剤が含有された状態で、第
１フォトマスクを通して前記主隔壁部領域に第１露光部
を形成する第２工程と、前記第１露光部とそれ以外の領
域に高低差を設ける第３工程と、第２フォトマスクを通
して前記補助隔壁領域に第二露光部を形成する第４工程
と、未露光部分を現像、焼成する第５工程を含むことを
特徴とするプラズマディスプレイ表示装置の製造方法。1. A method of manufacturing a plasma display device having a main partition part substantially parallel to each other and an auxiliary partition part having a height lower than the main partition part, comprising a solvent, at least a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator. A first step of applying a paste containing a photosensitive material containing low melting point glass powder, and a first step of passing a first photomask through a first photomask in a state where the solvent is contained in the coating film. A second step of forming an exposed portion, a third step of providing a height difference between the first exposed portion and the other region, and a fourth step of forming a second exposed portion in the auxiliary partition region through a second photomask And a fifth step of developing and baking the unexposed portion.
剤の乾燥によることを特徴とする請求項１に記載のプラ
ズマディスプレイ表示装置の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the third step of providing the height difference is performed by drying the solvent.
分布と、前記第２工程における露光光の光強度分布の重
複領域が５０％以下であることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のプラズマディスプレイ表示装置の製造方
法。3. The method according to claim 1, wherein an overlap area between the absorbance distribution of the light absorption wavelength of the photopolymerization initiator and the light intensity distribution of the exposure light in the second step is 50% or less. A manufacturing method of the plasma display device according to the above.
分布と、前記第２工程における露光光の光強度分布の重
複領域が５０％以上であることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のプラズマディスプレイ表示装置の製造方
法。4. The method according to claim 1, wherein an overlap area between the absorbance distribution of the light absorption wavelength of the photopolymerization initiator and the light intensity distribution of the exposure light in the second step is 50% or more. A manufacturing method of the plasma display device according to the above.
より高さの低い補助隔壁部を有するプラズマディスプレ
イ表示装置の製造方法であって、少なくとも感光性材
料、低融点ガラス粉末を含む材料を塗工して第１層を形
成する第１工程と、第１層を被覆して、溶剤、少なくと
も光重合性化合物および光重合開始剤を含む感光性材
料、低融点ガラス粉末を含むペーストを塗工して第２層
を形成する第２工程と、前記第２層内に少なくとも前記
溶剤が含有された状態で、第１フォトマスクを通して前
記主隔壁部領域に第１露光部を形成する第３工程と、前
記第１露光部とそれ以外の領域に高低差を設ける第４工
程と、第２フォトマスクを通して前記補助隔壁領域に第
２露光部を形成する第５工程と、未露光部分を現像、焼
成する第６工程を含むことを特徴とするプラズマディス
プレイ表示装置の製造方法。5. A method for manufacturing a plasma display device having a main partition portion substantially parallel to each other and an auxiliary partition portion having a height lower than the main partition portion, wherein the material includes at least a photosensitive material and a low-melting glass powder. A first step of forming a first layer by coating the first layer, a solvent, a photosensitive material containing at least a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator, and a paste containing a low melting glass powder. A second step of coating to form a second layer, and forming a first exposed portion in the main partition portion region through a first photomask in a state where the solvent is contained in the second layer. Three steps, a fourth step of providing a height difference between the first exposed portion and the other region, a fifth step of forming a second exposed portion in the auxiliary partition region through a second photomask, and an unexposed portion. Including the sixth step of developing and baking And a method of manufacturing a plasma display device.
より高さの低い補助隔壁部を有するプラズマディスプレ
イ表示装置の製造方法であって、少なくとも感光性材
料、低融点ガラス粉末を含む材料を塗工して第１層を形
成する第１工程と、第１フォトマスクを通して前記主隔
壁部領域に第１露光部を形成する第２工程と、第１層を
被覆して、溶剤、少なくとも光重合性化合物および光重
合開始剤を含む感光性材料、低融点ガラス粉末を含むペ
ーストを塗工して第２層を形成する第３工程と、前記溶
剤の乾燥により、前記第１露光部領域に凸部形成する第
４工程と、未露光部分を現像、焼成する第５工程を含む
ことを特徴とするプラズマディスプレイ表示装置の製造
方法。6. A method for manufacturing a plasma display device having a main partition part substantially parallel to each other and an auxiliary partition part lower in height than the main partition part, wherein the material comprises at least a photosensitive material and a low melting point glass powder. A first step of forming a first layer by coating the first layer, a second step of forming a first exposed portion in the main partition area through a first photomask, and coating the first layer with a solvent, at least A third step of applying a photosensitive material containing a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator, and a paste containing a low-melting glass powder to form a second layer; and drying the solvent to form the first exposed area. A method of manufacturing a plasma display device, comprising: a fourth step of forming a convex portion on the substrate; and a fifth step of developing and baking the unexposed portion.
形成したプラズマディスプレイ表示装置。7. A plasma display device formed by the manufacturing method according to claim 1.
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