JP2002198647A - 低温焼成セラミック配線基板の製造方法 - Google Patents
低温焼成セラミック配線基板の製造方法Info
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Abstract
場合でも、基板シートの良好な表面性状を維持しつつ、
焼成収縮を良好に抑制できる低温焼成セラミック配線基
板を提供する。 【解決手段】セラミック配線基板を形成するための原料
粉末を含有するグリーンシート1の両面に、前記配線基
板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しないセラミ
ック粉末とガラス粉末を含有する第1の拘束シート8を
積層し、第1の拘束シート8を積層した積層体の両面
に、配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結し
ないセラミック粉末を含有するとともに、ガラス粉末を
実質的に含まない第2の拘束シート9を積層した後、該
複合シート積層体11を焼成して第1および第2の拘束
シート8、9を除去する。
Description
導体素子収納用パッケージなどに適した低温焼成セラミ
ック配線基板の製造方法に関するものである。
化、軽量化が進んでおり、これらを実装する配線基板も
小型化、軽量化が望まれている。このような要求に対し
て、基板内に内部配線回路層を形成したセラミック多層
配線基板は、高密度配線化が可能であり、且つ薄型化が
可能であることから、今日のエレクトロニクス業界にお
いて重要視されている。
ジなどに使用されるセラミック多層配線基板としては、
アルミナなどのセラミック絶縁基板の表面や内部にWや
Mo等の金属からなる配線回路層が形成されたもので、
この絶縁基板の一部にキャビティが形成され、このキャ
ビティ内に半導体素子が収納され、蓋体によってキャビ
ティを気密に封止されるものである。
導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各
種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用され
る配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量
化が要求されており、従来のアルミナ系セラミック材料
に比較して低い誘電率が得られ、配線回路層としてCu
などの低抵抗金属を用いることができることから、焼成
温度が1000℃以下のいわゆる低温焼成セラミック材
料を絶縁基板とした低温焼成セラミック配線基板が一層
注目されている。
特にガラスとセラミックフィラー成分とを含有するガラ
スセラミック配線基板において、特開平7−86743
号では、グリーンシート積層体の両面に、グリーンシー
トの焼成温度では焼結しない難焼結性のセラミック材料
からなるセラミックシート(以下、拘束シートと称す)
を積層して焼成することにより、焼成によるグリーンシ
ートの平面方向の収縮を抑制して、金属箔からなる配線
回路層と同時焼成する手法が提案されている。
ト中の無機質成分としてアルミナなどの基板シートの焼
成温度では焼結しない成分のみを添加し、拘束シートは
焼成過程でほとんど液相が生成されることなく多孔質体
として存在することから、同時焼成される基板シート中
に焼結過程で生じたガラスあるいは液相成分が拘束シー
ト側に拡散してしまう結果、焼成後の基板表面がポーラ
スになり、基板強度が低下したり、基板表面の配線回路
層にメッキを施した場合にメッキ広がりが発生するなど
の問題があった。
の拡散は、低温焼成セラミックの成分により不均一に拡
散するため、拘束シートと低温焼成セラミック間の結合
力にムラが生じ、部分的に基板用グリーシートと拘束シ
ートとの間に剥離が発生して基板の寸法精度が低下した
り、反りや変形が発生する等の問題があった。
は、拘束シート中にガラスを含有させることにより、低
温焼成セラミック表面での焼結不足の問題を解決しつ
つ、より寸法精度の高いガラスセラミック配線基板を得
る方法が提案されている。
ラス粉末を添加した拘束シート1層のみにて基板シート
を拘束する方法では、拘束シートの拘束力がガラス粉末
の存在によって若干低下するために、基板シートが大面
積となったり厚みが厚くなったりして大きな拘束力が要
求される場合には、基板シートの焼成時の収縮抑制効果
が不十分となる恐れがあった。
れたもので、その目的は、大面積あるいは厚みの厚い配
線基板を作製する場合でも、基板シートの良好な表面性
状を維持しつつ、焼成収縮を良好に抑制できる低温焼成
セラミック配線基板を提供することにある。
に対し、拘束シートの構成について検討した結果、基板
シートの両面にガラス粉末を含有する第1の拘束シート
を、さらに、その両面に前記第1の拘束シートと密着し
て、ガラス粉末を含有しない第2の拘束シートを順次積
層することによって、基板の表面をポーラスにすること
なく良好な表面性状を維持しつつ、拘束シートの拘束力
を大きくすることができることを知見した。
線基板は、セラミック配線基板を形成するための原料粉
末を含有するグリーンシートの両面に、前記配線基板を
形成する原料粉末の焼成温度では焼結しないセラミック
粉末とガラス粉末を含有する第1の拘束シートを積層
し、該第1の拘束シートを積層した積層体の両面に、前
記配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しな
いセラミック粉末を含有するとともに、ガラス粉末を実
質的に含まない第2の拘束シートを積層して、該積層体
を焼成した後、前記第1および第2の拘束シートを除去
することを特徴とするものである。
粉末の含有量が、前記第1の拘束シート中の無機物成分
の0.5〜15体積%からなることが望ましい。
(t1)に対する前記第2の拘束シートの厚み(t2)の
比(t2/t1)が0.4〜5であること、前記セラミッ
ク配線基板を構成するグリーンシート積層体の厚さ
(T)に対する前記拘束シートの片面での総厚み
(t3)の比(t3/T)が、0.1以上であることが望
ましい。
粉末の軟化点が、前記セラミック配線基板を形成する原
料粉末の焼成温度以下であるとともに、前記グリーンシ
ート中に添加される有機バインダの揮発温度よりも高い
ことが望ましい。
グリーンシートの表面に、金属箔からなる配線回路層を
形成することが望ましい。
体形状からなり、その少なくとも一辺の長さが70mm
以上であることが望ましい。
グリーンシートの両面に前記第1および第2の拘束シー
トを順次積層した積層体を、さらに複数個積層した状態
で焼成する場合にも効率よく低温焼成セラミック配線基
板を作製することができる。
基板の製造方法の一例についての工程図を図1に示す。
図1によれば、まず、セラミック配線基板を形成するた
めの原料粉末、例えば、セラミック粉末および/または
ガラス粉末に対し、所望により焼結助剤をなすセラミッ
ク粉末を添加、混合した混合物に有機バインダ、可塑
剤、有機溶剤等を加えてスラリーを調製した後、ドクタ
ーブレード法、圧延法、プレス法等の成形法によりシー
ト状に成形して厚さ50〜500μmのセラミック配線
基板をなすグリーンシート(以下、基板シートと称す)
1を作製する。
O2、B2O3、Al2O3、ZnO、PbO、Bi2O3、
ZrO2、TiO2、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類
金属酸化物、希土類酸化物の群から少なくとも一種を含
有するガラスが望ましく、特に上記成分を3種類以上含
有する多成分系ガラスであることが、ガラスの軟化点や
後述する絶縁基板12の特性の制御の点で望ましい。
O2、Al2O3、ZrO2、TiO2、ZnO、MgO、
MgAl2O4、ZnAl2O4、MgSiO3、Mg2Si
O4、Zn2SiO4、Zn2TiO4、SrTiO3、Ca
TiO3、MgTiO3、BaTiO3、CaMgSi2O
6、SrAl2Si2O8、BaAl2Si2O8、CaAl2
Si2O8、Mg2Al4Si5O18、Zn2Al4Si
5O18、AlN、Si3N 4、SiC、ムライト等が挙げ
られ、用途に合わせて選択することができる。
O、MnO2、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属
酸化物、希土類金属酸化物等が挙げられ、用途に合わせ
て選択することができる。
セラミックグリーンシートに使用されているものが使用
可能であり、例えば、アクリル系(アクリル酸、メタク
リル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重
合体、具体的にはアクリル酸エステル共重合体、メタク
リル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタク
リル酸エステル共重合体等)、ポリビニルブチラール
系、ポリビニルアルコール系、アクリル−スチレン系、
ポリプロピレンカーボネート系、セルロール系等の単独
重合体または共重合体が挙げられる。
ロドリル、パンチングなどにより、直径80〜200μ
mのビアホール(貫通孔)2を形成し、その内部に導体
ペーストを充填することにより、ビアホール導体3を形
成する。
u、Ag、PdおよびPtの群から選ばれる少なくとも
1種を主成分とする金属粉末に、アクリル樹脂等からな
る有機バインダ、およびトルエン、イソプロピルアルコ
ール、アセトン、テオピネオール等の有機溶剤を混合し
たものが好適に使用できる。有機バインダは、金属成分
100重量部に対して、0.5〜15.0重量部、有機
溶剤は、固形成分及び有機バインダ100重量部に対し
て、5〜100重量部の割合で混合されることが望まし
い。なお、この導体ペースト中には若干のガラス粉末や
酸化物粉末等の無機成分を添加してもよい。
基板シート1の表面に配線パターン4を印刷法および/
あるいは転写法により形成し、ビアホール導体3および
配線パターン4が形成された基板シート1を作製する
(図1(1)参照)。印刷法による配線パターン4の形
成方法としては、スクリーン印刷法や、グラビア印刷法
等の公知の印刷手法を用いて導体ペーストを基板シート
1の表面に形成する。なお、該導体ペーストは、上記ビ
アホール導体3用の導体ペーストと同様の手法により作
製され、必要に応じて成分や配合比率を変更することに
より作製する。なお、上記印刷法により形成した配線パ
ターン4を焼成した配線回路層13は、金属焼結体から
なる。
方法としては、まず、高分子材料等からなる転写フィル
ム上に高純度金属導体、特に金属箔を接着した後、この
金属導体の表面に鏡像のレジストを回路パターン状に塗
布した後、エッチング処理およびレジスト除去を行って
鏡像の配線パターン4を形成し、鏡像の配線パターン4
を形成した転写フィルムを前記ビアホール導体3が形成
された基板シート1の表面に位置合わせして積層圧着し
た後、転写フィルムを剥がすことにより、ビアホール導
体3と接続した配線パターン4を具備する基板シート1
を形成することができる。なお、上記転写法により形成
した配線パターン4を焼成した配線回路層13は金属の
含有量が90重量%以上の高純度金属導体からなる。
として、転写法等により金属箔を用いて配線回路層13
を形成することにより、高精度の回路パターンを形成す
ることができることから、配線幅80μm以下、配線ピ
ッチ80μm以下の微細配線化が可能である。
ーン4は、いずれか一方のみでも、両者が混在していて
も差し支えない。特に、グランド層などの面積の大きい
配線パターンは焼成前の脱脂工程を容易に行うために印
刷法で形成することが望ましい。
形成法においても、パターン形成後に導体形成面に対し
て圧力を印加することにより、基板シート1表面内に埋
設すること、特により埋設されるように配線パターン4
の形状が逆台形形状であることが望ましい。これは、特
に金属箔などの剛性の高い配線パターンの厚み分によっ
て、配線パターン4の端部において第1の拘束シート8
と基板シート積層体6表面との間に隙間が発生しやすく
なり、このような隙間が生じると、その部分における第
1の拘束シート8と基板シート積層体6との接着力が低
下し、配線パターン4付近における第1の拘束シート8
による拘束力が不均一となってしまう結果、焼成時に配
線パターン4の端部が剥がれたり、収縮バラツキが大き
くなるおそれがあるためである。なお、上記逆台形形状
の配線パターン4は転写フィルム上に形成した金属箔を
エッチング処理によってパターンを形成する際に、エッ
チング条件をコントロールして金属箔の厚み方向にした
がってエッチング速度に差をつけることよって形成する
ことができる。
0MPa以上の圧力を印加することが望ましい。この圧
力によって配線パターン4を強制的に埋設することがで
きる。なお、上記圧力の印加は、基板シート積層体6上
に拘束シート積層体7を積層する際に一括で行うことも
できる。
た基板シート1を所望により複数層積層して基板シート
積層体6を形成する(図1(2)参照)。
の焼結温度、すなわち前記配線基板を形成する原料粉末
の焼成温度では焼結しない難焼結性材料のセラミック粉
末に所定量のガラス粉末を添加し、基板シート1と同様
の方法に有機物成分を添加、混合した後、シート状に成
形してガラス粉末を含有する第1の拘束シート8を作製
する。
ラスの含有量は、前記基板シート積層体6の焼成時に、
第1の拘束シート8と基板シート積層体6との密着力を
高め、絶縁基板12表面のボイドの発生を抑制しつつ、
焼成後に配線基板表面から拘束シートを容易に除去する
ことができ、かつ第1の拘束シート8の収縮を極力抑制
する点で、第1の拘束シート8中の全無機成分に対して
0.5〜15体積%、特に1〜13体積%、最適には2
〜10体積%であることが望ましい。
l2O3、SiO2、MgO、ZrO2、TiO2、MgA
l2O4、ZnAl2O4、Mg2SiO4の群から選ばれる
少なくとも1種、特に第1の拘束シート8と基板シート
積層体6との密着性を高める上で、Al2O3、Si
O2、MgO、ZrO2、Mg2SiO4を主体とすること
が望ましい。
るガラス成分としては、基板シート積層体6内に存在す
る有機バインダ等の有機物成分を効率よく、かつ完全に
脱バインダ処理することができるとともに、拘束シート
8の拘束力を高めるために、ガラス粉末の軟化点が基板
シート積層体6の焼結温度以下であり、かつ基板シート
積層体6中の有機成分の分解揮散温度よりも高いことが
望ましい。具体的には、前記第1の拘束シート8中のガ
ラスの軟化点は450〜1100℃、特に550〜10
00℃、最適には650〜900℃程度であることが好
ましい。
るガラス成分は、前述した基板シート1中に含まれるガ
ラス成分と異なるものであってもよいが、基板シート1
中のガラスの拡散を防止するためには、同一であること
が望ましい。
の焼結温度では焼結しない難焼結性材料のセラミック粉
末に、基板シート1と同様の方法に有機物成分を添加、
混合した後シート状に成形してガラス粉末を含有しない
第2の拘束シート9を作製する。
Al2O3、SiO2、MgO、ZrO2、TiO2、Mg
Al2O4、ZnAl2O4、Mg2SiO4の群から選ばれ
る少なくとも1種、特に、Al2O3、SiO2、Mg
O、ZrO2、Mg2SiO4を主体とすることが望まし
い。さらに、より高い寸法精度を得るため、および量産
効果によるコストダウンのためには、第1の拘束シート
8中のセラミック材料と同じであることが望ましい。
絶縁基板12表面に圧縮応力を生ぜしめて絶縁基板12
の機械的強度を高めて絶縁基板12にクラックが発生す
るのを抑制するためには、焼成後の第1の拘束シート8
と第2の拘束シート9の熱膨張係数が絶縁基板12の熱
膨張係数よりも高いことが望ましい。さらに、絶縁基板
12の熱膨張係数と焼成後の第2の拘束シート9の熱膨
張係数に大きな差がある場合、焼成後の第1の拘束シー
ト8の熱膨張係数は両者の間の値であることが望まし
い。
の拘束シート8および第2の拘束シート9を順次積層
し、熱と圧力を加えて熱圧着する方法や、有機ビヒクル
等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法
により積層体のシート間を密着させて、基板シート1と
拘束シート8、9とが積層された積層体(以下、複合シ
ート積層体と略す。)11を得る(図1(3)参照)。
ート8と第2の拘束シート9とを予め加圧積層したもの
を基板シート積層体6表面に載置して再度加圧積層して
もよいし、先に加圧積層した基板シート積層体6の両面
に第1の拘束シート8および第2の拘束シート9を載置
した後、加圧積層する方法も適応可能である。
ート積層体6の両面にガラス粉末を含有する第1の拘束
シート8とガラスを含有しない第2の拘束シート9を順
次積層することが大きな特徴であり、これによって、焼
成後の基板シート積層体6(絶縁基板12)の表面をポ
ーラスにすることなく良好な表面性状を維持しつつ、拘
束シートの拘束力を大きくすることができる。
1の拘束シート8および第2の拘束シート9を合わせた
拘束シートの総厚み(t3、ただし、t3=t1+t2)
は、複合シート積層体11の拘束力を高め、複合シート
積層体11中の有機物成分の揮散を容易にするとともに
製造コスト低減のために、片面だけで基板シート積層体
6の厚さ(T)に対して0.1以上、特に0.2〜2、
最適には0.25〜1であるのが好ましい。また、有機
成分の揮散を容易にし、かつ絶縁基板12から拘束シー
ト8、9を容易に除去するためには、拘束シートの総厚
み(t)は800μm以下、特に600μm以下、最適
には400μm以下であることが望ましい。
めるためには、前記第1の拘束シート8の厚み(t1)
に対する第2の拘束シート9の厚み(t2)の比(t2/
t1)が0.4〜5、特に0.5〜4、さらに0.75
〜3であることが望ましい。
ては、第1の拘束シート8および第2の拘束シート9を
複数枚づつ用いることもでき、また、第1の拘束シート
8と第2の拘束シート9との間にガラス粉末の添加量が
第1の拘束シート8のそれよりも少ない、または第1の
拘束シート8と第2の拘束シート9との間の熱膨張係数
を有する第3の(他の)拘束シートを用いることも可能
である。
1を200〜800℃、特に400〜750℃、さらに
は700〜750℃で加熱処理して複合シート積層体1
1中の有機成分を分解除去した後、800〜1100
℃、特に850〜1000℃で0.5〜5時間、特に1
〜2時間同時焼成する。このとき、配線パターン4およ
びビアホール導体3中にCu等の焼成によって酸化する
金属を主成分とした場合には非酸化性雰囲気中で焼成す
る必要があり、Au、Ag、Pd、Ptを主成分とした
場合には、大気等の酸化性焼成雰囲気中で行うことがで
きる。
縮は1.0%以下、Z方向の収縮は35〜75%程度と
なる。また、本発明によれば、基板シート積層体6は第
1の拘束シート8によって全面にわたって均一にかつ確
実に結合されることにより、基板シート積層体6表面の
ガラス成分が第1の拘束シート8側に拡散するのを防止
することができるために、絶縁基板12表面の気孔率を
5%以下、特に4%以下、さらに3%以下と低減するこ
とができるために、絶縁基板12表面の配線パターン4
をも同時焼成によって形成することが可能である。な
お、上記絶縁基板12の気孔率とは、絶縁基板12表面
のSEM写真から気孔(ボイド)の面積をルーゼックス
画像解析によって求めたボイド面積占有率の意である。
間の熱膨張差に基づくシート間の剥離を防止するととも
に、基板シート積層体6表面の成分変動を極力抑制する
ためには、焼成中の昇温速度は10〜500℃/時間、
特に50〜400℃/時間であることが望ましく、絶縁
基板12と配線パターン4との熱膨張差によるクラック
が発生を防止するためには、焼成後の冷却速度は、40
0℃/hr以下であることが望ましい。
防止し、さらなる拘束力を得るために、複合シート積層
体11上面に重しを載せて荷重をかけてもよいが、複合
シート積層体11の表面がガラス粉末を含有せず、無機
質成分として難焼結性材料にて構成される第1の拘束シ
ート8からなるために、複合シート積層体11と重しと
が焼結することなく、焼成後重しを容易にはずすことが
できる。なお、荷重は50Pa〜1MPaが適当であ
る。
体11の表面は焼成によっても焼結しない難焼結性セラ
ミック粉末にて構成されているために、特に、複合シー
ト積層体11をさらに複数個、多段積みして(積層し
て)焼成する、多段積み焼成を行った場合でも、複合シ
ート積層体11間が固着することなく、焼成後、各複合
シート積層体を容易に1つづつ取り出すことができるこ
とができる。
拘束シート8を除去する(図1(4)参照)。除去の方
法としては、超音波洗浄、研磨、ウオータージェット、
ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウエットブラスト
(砥粒と水を噴射させる方法)等が挙げられる。
板、特に一辺の長さが70mm以上、特に100mm以
上、さらに、150mm以上の矩形形状の表面を有する
基板等の大きな拘束力が要求される得られる低温焼成セ
ラミック配線基板について特に有効である。
分の含有量を調整するために、SiO2−B2O3−Al2
O3系結晶化ガラス、またはSiO2−B2O3−BaO系
の非結晶化ガラスと、セラミックフィラー成分としてA
l2O3、ZrO2、SiO2を秤量し、表1の低温焼成セ
ラミック組成物A〜Fを作製した。
量部にアクリル樹脂12重量部、フタル酸系可塑材6重
量部、溶剤としてトルエン30重量部を加え、ボールミ
ルで混合してスラリーを調製した。このスラリーをドク
ターブレード法によって厚さ300μmの低温焼成セラ
ミックグリーンシートを成形し、表3の矩形形状にカッ
トした。
有機バインダとしてアクリル樹脂を、溶媒としてジブチ
ルフタレートを添加混練し、ペースト状の導体用ペース
ト試料を作製した。尚、前記導体ペースト試料中の有機
バインダ量は、主成分100重量部に対して2.0重量
部であり、有機バインダに対して75重量部の割合で溶
剤を加えた。そして前記グリーンシートの所定個所にビ
アホールを形成し、そのビアホール内に先の導体ペース
トを充填し、ビアホール導体とした。
%以上のCu箔を接着し、エッチングを行った後、断面
が台形形状の配線パターンを形成した。配線幅0.05
mm、配線ピッチ0.05mmの非常に微細な配線パタ
ーンを形成することができた。
ンシートにビアホールの位置あわせを行いながら転写シ
ートを積層し、60℃、15MPaで熱圧着した。その
後、転写シートを剥がすことにより、ビアホール導体を
接続した配線回路層を具備する一単位の配線層を形成す
ることができた。また、同様にして5枚の配線層を形成
し、これらを積層し基板シート積層体を形成した。
%の表2に示す難焼結性材料、および純度99.99%
の難焼結材料と前記グリーンシート中のガラス成分と同
じガラスを用いて添加して、厚さ150μmの拘束シー
トを作製した。なお、シート作製時の有機バインダ、可
塑材、溶剤などは基板シートと全く同様にした。
よび枚数の第1の拘束シート、第2の拘束シートの順
に、上記基板シート積層体の両面に載置し、60℃、圧
力20MPaで圧着して複合シート積層体を得た。
上に載置して、有機バインダ等の有機成分を分解除去す
るために、窒素雰囲気中、700℃で脱バインダ処理
し、次に窒素雰囲気中、900℃で1時間焼成を行っ
た。なお、焼成時の昇降温速度はいずれも200℃/h
rとした。その後、拘束シートをブラスト処理で除去
し、配線基板を作製した。
成前後の外辺をマイクロメータで測定し、収縮率を算出
した。また、配線基板表面状態の走査電子顕微鏡写真に
よる観察を行い、ボイド面積占有率(表ではボイド比
率)をルーゼックス画像解析によって求めた。
板の外観観察を行い、変形/付着の有無を確認し、さら
に、外辺をマイクロメーターにて測定し、寸法バラツキ
を測定し、バラツキが±0.1%以下を良品として良品
率を算出し、良品率95%以上を合格とした。
ガラス粉末を含有する第1の拘束シートとガラス粉末を
含有しない第2の拘束シートとを順次積層して焼成した
試料No.1〜18では、収縮率1%以下、絶縁基板表
面のボイド比率5%以下、良品率95%以上と、非常に
寸法精度の良い配線基板を歩留まり良く製造することが
でき、さらには、基板が大型化しても高い寸法精度を維
持することができた。
末を含有する(第1の)拘束シートのみを用いた試料N
o.20、22では、絶縁基板の収縮率が1%を越え、
逆に、ガラス粉末を含有しない(第2の)拘束シートの
みを用いた試料No.19、21では、基板シート積層
体と拘束シートとの間に部分的な剥離が生じて絶縁基板
の収縮率が1%を超え、さらにボイド比率も5%を超え
るものとなった。さらに、拘束シートを一切用いない試
料No.23では、絶縁基板の収縮率が16.0%とな
り、絶縁基板の収縮率が1%を越えた試料では、いずれ
も一部の配線回路層およびビアホール導体、またはその
間に断線がみられた。
大面積あるいは厚みの厚い配線基板を作製する場合で
も、基板シートの良好な表面性状を維持しつつ、焼成収
縮を良好に抑制できる低温焼成セラミック配線基板を作
製できる。
を説明するための工程図である。
ト) 2 ビアホール 3 ビアホール導体 4 配線パターン 6 低温焼成セラミックグリーンシート積層体(基板
シート積層体) 8 第1の拘束シート 9 第2の拘束シート 11 低温焼成セラミックグリーンシートと第1、第2
の拘束シートの積層体(複合シート積層体) 12 絶縁基板 13 配線回路層
Claims (8)
- 【請求項1】セラミック配線基板を形成するための原料
粉末を含有するグリーンシートの両面に、前記配線基板
を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しないセラミッ
ク粉末とガラス粉末を含有する第1の拘束シートを積層
し、該第1の拘束シートを積層した積層体の両面に、前
記配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しな
いセラミック粉末を含有するとともに、ガラス粉末を実
質的に含まない第2の拘束シートを積層して、該積層体
を焼成した後、前記第1および第2の拘束シートを除去
することを特徴とする低温焼成セラミック配線基板の製
造方法。 - 【請求項2】前記第1の拘束シート中のガラス粉末の含
有量が、前記第1の拘束シート中の無機物成分の0.5
〜15体積%からなることを特徴とする請求項1記載の
低温焼成セラミック配線基板の製造方法。 - 【請求項3】前記第1の拘束シートの厚み(t1)に対
する前記第2の拘束シートの厚み(t2)の比(t2/t
1)が0.4〜5であることを特徴とする請求項1また
は2記載の低温焼成セラミック配線基板の製造方法。 - 【請求項4】前記セラミック配線基板を構成するグリー
ンシート積層体の厚さ(T)に対する前記拘束シートの
片面での総厚み(t3)の比(t3/T)が、0.1以上
であることを特徴とする請求項1乃至3いずれか記載の
低温焼成セラミック配線基板の製造方法。 - 【請求項5】前記第1の拘束シート中のガラス粉末の軟
化点が、前記セラミック配線基板を形成する原料粉末の
焼成温度以下であるとともに、前記グリーンシート中に
添加する有機バインダの揮発温度よりも高いことを特徴
とする請求項1乃至4いずれか記載の低温焼成セラミッ
ク配線基板の製造方法。 - 【請求項6】前記セラミック配線基板を形成するグリー
ンシートの表面に、金属箔からなる配線回路層を形成す
ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の低
温焼成セラミック配線基板の製造方法。 - 【請求項7】前記セラミック配線基板が略直方体形状か
らなり、その少なくとも一辺の長さが70mm以上であ
ることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか記載の低
温焼成セラミック配線基板の製造方法。 - 【請求項8】前記セラミック配線基板を形成するグリー
ンシートの両面に前記第1および第2の拘束シートを順
次積層した積層体を、さらに複数個積層した状態で焼成
することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか記載の
低温焼成セラミック配線基板の製造方法。
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