JP2002198496A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】 第１電極、強誘電体膜および第２電極が積層された強誘電体キャパシタの製造方法であって、
少なくとも前記強誘電体膜の材料が堆積される領域に、あらかじめ機能性薄膜が形成される工程を含み、
前記機能性薄膜の形成工程は、前記領域に、化学吸着により物質を自己集積的に堆積する成膜工程を有する、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２】 請求項１において、
前記機能性薄膜は、前記強誘電体膜の成膜においてシード層として機能する、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項３】 請求項１または２において、
前記機能性薄膜は、その表面が前記強誘電体膜の材料に対して親和性を有する、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項４】 請求項１において、
前記機能性薄膜はシード層の下地層として機能し、該機能性薄膜を形成した後、該機能性薄膜を化学的に活性化してシード層の材料を反応させる工程を有する、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項５】 請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記機能性薄膜は、無機物質からなる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項６】 請求項５において、
前記機能性薄膜は、有機物質からなる薄膜を自己集積によって形成した後、これを焼成することにより形成された無機物質からなる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項７】 請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記機能性薄膜は、有機物質からなる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項８】 請求項７において、
前記強誘電体膜は、有機物質からなる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項９】 第１電極、機能性薄膜、強誘電体膜および第２電極を含み、
前記機能性薄膜は、少なくとも前記強誘電体膜が形成される領域に配置され、かつ、化学吸着により物質を自己集積的に堆積して形成された自己組織化膜である、強誘電体キャパシタ。
【請求項１０】 請求項９において、
前記機能性薄膜は、前記強誘電体膜の成膜においてシード層として機能する、強誘電体キャパシタ。
【請求項１１】 請求項９において、
前記機能性薄膜はシード層の下地層として機能し、該機能性薄膜上にシード層が配置された、強誘電体キャパシタ。
【請求項１２】 請求項９〜１１のいずれかにおいて、
前記機能性薄膜は、無機物質からなる、強誘電体キャパシタ。
【請求項１３】 請求項１２において、
前記機能性薄膜は、有機物質からなる薄膜を自己集積によって形成した後、これを焼成することにより形成された無機物質からなる、強誘電体キャパシタ。
【請求項１４】 請求項９〜１１のいずれかにおいて、
前記機能性薄膜は、有機物質からなる、強誘電体キャパシタ。
【請求項１５】 請求項１４において、
前記強誘電体膜は、有機物質からなる、強誘電体キャパシタ。
【請求項１６】 請求項９〜請求項１５のいずれかに記載の強誘電体キャパシタを含む、強誘電体メモリ装置。
【請求項１７】 請求項１６において、
トランジスタ形成領域を構成する基体を含み、該基体上に所定パターンで配置された前記強誘電体キャパシタを有する、蓄積容量型の強誘電体メモリ装置。
【請求項１８】 請求項１６において、
半導体基板上に形成されたゲート絶縁層に前記キャパシタ構造が接続された、ＭＩＳトランジスタ型の強誘電体メモリ装置。
【請求項１９】 請求項１６において、
前記強誘電体キャパシタからなるメモリセルがマトリクス状に配列され、
前記強誘電体キャパシタは、第１信号電極と、該第１信号電極と交差する方向に配列された第２信号電極と、少なくとも前記第１信号電極と前記第２信号電極との交差領域に配置された強誘電体膜と、を含む、強誘電体メモリ装置。 [Claims]
1. A method for manufacturing a ferroelectric capacitor in which a first electrode, a ferroelectric film, and a second electrode are laminated.
At least in the region where the material of the ferroelectric film is deposited, a step of forming a functional thin film in advance is included.
The functional thin film forming step is a method for manufacturing a ferroelectric capacitor, which comprises a film forming step of self-integrating a substance in the region by chemisorption.
2. In claim 1,
The functional thin film is a method for manufacturing a ferroelectric capacitor, which functions as a seed layer in forming a ferroelectric film.
3. In claim 1 or 2,
The functional thin film is a method for producing a ferroelectric capacitor, the surface of which has an affinity for the material of the ferroelectric film.
4. In claim 1,
The functional thin film functions as a base layer of a seed layer, and after forming the functional thin film, the ferroelectric capacitor has a step of chemically activating the functional thin film to react the material of the seed layer. Production method.
5. In any of claims 1 to 4,
The functional thin film is a method for manufacturing a ferroelectric capacitor made of an inorganic substance.
6. In claim 5,
The functional thin film is a method for producing a ferroelectric capacitor, which is made of an inorganic substance formed by forming a thin film made of an organic substance by self-assembly and then firing the thin film.
7. In any of claims 1 to 4,
The functional thin film is a method for manufacturing a ferroelectric capacitor made of an organic substance.
8. In claim 7,
The ferroelectric film is a method for manufacturing a ferroelectric capacitor made of an organic substance.
9. A first electrode, a functional thin film, a ferroelectric film, and a second electrode are included.
A ferroelectric capacitor, wherein the functional thin film is a self-assembled film that is arranged at least in a region where the ferroelectric film is formed and is formed by self-assembling substances by chemisorption.
10. In claim 9,
The functional thin film is a ferroelectric capacitor that functions as a seed layer in the film formation of the ferroelectric film.
11. In claim 9,
The functional thin film functions as a base layer of a seed layer, and a ferroelectric capacitor in which a seed layer is arranged on the functional thin film.
12. In any of claims 9 to 11,
The functional thin film is a ferroelectric capacitor made of an inorganic substance.
13. In claim 12,
The functional thin film is a ferroelectric capacitor made of an inorganic substance formed by forming a thin film made of an organic substance by self-assembly and then firing the thin film.
14. In any of claims 9 to 11,
The functional thin film is a ferroelectric capacitor made of an organic substance.
15. In claim 14,
The ferroelectric film is a ferroelectric capacitor made of an organic substance.
16. A ferroelectric memory device comprising the ferroelectric capacitor according to any one of claims 9 to 15.
17. In claim 16,
A storage capacity type ferroelectric memory device including a substrate constituting a transistor forming region and having the ferroelectric capacitor arranged in a predetermined pattern on the substrate.
18. In claim 16,
A MIS transistor type ferroelectric memory device in which the capacitor structure is connected to a gate insulating layer formed on a semiconductor substrate.
19. In claim 16,
Memory cells composed of the ferroelectric capacitors are arranged in a matrix.
The strong dielectric capacitor is arranged in an intersection region of a first signal electrode, a second signal electrode arranged in a direction intersecting the first signal electrode, and at least the first signal electrode and the second signal electrode. A strong dielectric memory device, including a hard dielectric film.