JP2002190624A - Processing method of thermoelectric semiconductor single crystal and manufacturing method of peltier module - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To offer a processing method which can prevent chipping or cleaving of a thermoelectric semiconductor single crystal. SOLUTION: This method employs a holding member comprising at least one groove. Then a process of arranging a bar-shaped thermoelectric semiconductor single crystal and a mold material in the groove and covering that single crystal with the mold material at the same time, a process of cutting and dividing the holding member together with the single crystal and the mold material and exposing the cut plane of the single crystal as the plane for forming a plated film, a process of subjecting each of the divided holding members to plating to form a plated film on the cut plane, and a processing method of the single crystal in which the mold material is removed and the single crystal is separated from the holding member, are employed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は熱電半導体単結晶の
加工方法に関し、特にペルチェモジュールの製造方法に
係わる。The present invention relates to a method for processing a thermoelectric semiconductor single crystal, and more particularly to a method for manufacturing a Peltier module.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ペルチェモジュールは、電極パターンを
有する一対の基板間にＮ型とＰ型の熱電半導体の小片を
交互に並べ、電極パターンを介して熱電半導体を直列に
接続し、両端の電極に通電用のリード線を設けたもので
ある。リード線から熱電半導体に直流電流を流すと、ペ
ルチェ効果で一方の熱電半導体の接合面では熱を吸収し
て他方の接合面では熱を発生するため、冷却素子や温度
制御素子として用いられている。このようなペルチェモ
ジュールは、例えば実開平０４−０１０７０３号公報に
開示されている。2. Description of the Related Art In a Peltier module, small pieces of N-type and P-type thermoelectric semiconductors are alternately arranged between a pair of substrates having electrode patterns, and the thermoelectric semiconductors are connected in series via the electrode patterns. A lead wire for energization is provided. When a direct current is passed from a lead wire to a thermoelectric semiconductor, it is used as a cooling element or a temperature control element because the Peltier effect absorbs heat at the junction surface of one thermoelectric semiconductor and generates heat at the other junction surface. . Such a Peltier module is disclosed, for example, in Japanese Utility Model Laid-Open No. 04-010703.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ペルチェモジュールに
は、基板間に配列する熱電半導体の小片を用いる。小片
の作製方法としては、大きなインゴットから切り出す方
法等が用いられている。熱電半導体のインゴットをモジ
ュール高さに相当する厚さで切断して基板を作製し、基
板にメッキ膜を形成し、基板を切断用部材の上に仮固定
してからグラインダーあるいはワイヤーソーで切断して
小片を得る。従来の切断方法では切断を重ねる度に、切
代となって無駄になる量が多く、材料の有効利用という
点で効率が良くない。また、切断を重ねる度にチッピン
グや劈開を生じる頻度が増える。チッピングや劈開で単
結晶の端面の面積が狭くなると、ペルチェ効果の熱効率
が低下する。そこで、本発明の目的は、切断による切代
の無駄の低減や、切断によって生じるチッピングや劈開
を防止する熱電半導体単結晶の加工方法およびペルチェ
モジュールの製造方法を提供することである。The Peltier module uses small pieces of thermoelectric semiconductor arranged between substrates. As a method for producing small pieces, a method of cutting out a large ingot or the like is used. A thermoelectric semiconductor ingot is cut at a thickness equivalent to the module height to produce a substrate, a plating film is formed on the substrate, the substrate is temporarily fixed on a cutting member, and then cut with a grinder or a wire saw. Get a small piece. In the conventional cutting method, each time cutting is repeated, a large amount of waste is generated as a cutting allowance, which is not efficient in terms of effective use of materials. Further, the frequency of occurrence of chipping and cleavage increases each time cutting is performed. When the area of the end face of the single crystal is reduced due to chipping or cleavage, the thermal efficiency of the Peltier effect decreases. Therefore, an object of the present invention is to provide a method of processing a thermoelectric semiconductor single crystal and a method of manufacturing a Peltier module, which reduce cutting waste caused by cutting and prevent chipping and cleavage caused by cutting.

【０００４】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の熱電半導体単結
晶の加工方法は、少なくとも１つ以上の溝を有する保持
部材を用い、前記溝内に棒状の熱電半導体単結晶とモー
ルド材を設けるとともに前記熱電半導体単結晶をモール
ド材で覆う工程と、前記熱電半導体単結晶及びモールド
材と共に前記保持部材を切断・分割して、メッキ膜を形
成するための面として熱電半導体単結晶の切断面を露出
させる工程と、分割した前記保持部材ごとメッキ処理し
て前記切断面にメッキ膜を形成する工程と、前記モール
ド材を除去して前記保持部材から熱電半導体単結晶を分
離する工程を備えることを特徴とする。ここで、棒状の
単結晶とは、断面形状が円形、四角形、あるいは多角形
等の単結晶材料のことである。以下、本明細書では熱電
半導体単結晶を単結晶と称する。According to the method for processing a thermoelectric semiconductor single crystal of the present invention, a holding member having at least one groove is used, a rod-shaped thermoelectric semiconductor single crystal and a molding material are provided in the groove, Covering the thermoelectric semiconductor single crystal with a mold material, cutting and dividing the holding member together with the thermoelectric semiconductor single crystal and the mold material, and exposing a cut surface of the thermoelectric semiconductor single crystal as a surface for forming a plating film Forming a plating film on the cut surface by plating the entire holding member, and separating the thermoelectric semiconductor single crystal from the holding member by removing the mold material. And Here, the rod-shaped single crystal refers to a single crystal material having a circular, square, or polygonal cross section. Hereinafter, in this specification, a thermoelectric semiconductor single crystal is referred to as a single crystal.

【０００５】前記保持部材は、溝の幅を前記棒状の熱電
半導体単結晶の直径（断面の直径）より大きくすべきで
ある。もし、単結晶の直径より狭い溝の上に単結晶を配
置してモールド材を被覆して切断すると、単結晶とモー
ルド材が共に保持部材から剥離することがある。単結晶
の直径より広く且つ直径より深い溝にモールド材を介し
て溝の中に単結晶を固定すると、モールド材と単結晶が
共に剥がれるという不具合を防止できる。また、基板に
設ける溝の数が多い方が加工効率を高くできるため、溝
の間隔や幅を大きくし過ぎない方がよい。溝の幅の上限
は単結晶の直径の数倍程度に抑えることが好ましい。棒
状の単結晶の中には必ずしも直線状ではなく、多少湾曲
したものも存在する。湾曲した単結晶が直線状となるよ
うに幅の狭い溝に入れてモールド材で被覆すると、単結
晶の湾曲を矯正した状態で切断することができる。In the holding member, the width of the groove should be larger than the diameter (cross-sectional diameter) of the rod-shaped thermoelectric semiconductor single crystal. If a single crystal is placed on a groove narrower than the diameter of the single crystal and the mold material is covered and cut, both the single crystal and the mold material may be separated from the holding member. When a single crystal is fixed in a groove wider than the diameter of the single crystal and deeper than the diameter of the single crystal via a molding material, a problem that both the molding material and the single crystal are separated can be prevented. In addition, the greater the number of grooves provided on the substrate, the higher the processing efficiency can be. Therefore, it is better not to make the interval and width of the grooves too large. It is preferable that the upper limit of the width of the groove is suppressed to about several times the diameter of the single crystal. Some rod-shaped single crystals are not necessarily straight but may be slightly curved. When the curved single crystal is placed in a narrow groove so as to be linear and covered with a mold material, the single crystal can be cut in a state where the curvature of the single crystal is corrected.

【０００６】保持部材に設ける溝の深さは、単結晶（断
面）の直径の１．５倍から３倍の範囲にすることが望ま
しい。溝に充填されたモールド材は固化する際に収縮す
ることがある。溝の深さを単結晶直径の１．５倍以上に
してモールド材を充填すると、収縮が起っても単結晶が
モールド材から露出しないよう保護することができる。
但し、溝の深さは単結晶の直径の３倍程度あれば十分で
ある。３倍より大きくすると切代が増えて材料が無駄に
なる。It is desirable that the depth of the groove provided in the holding member is in the range of 1.5 to 3 times the diameter of the single crystal (cross section). The mold material filled in the grooves may shrink when solidified. Filling the mold material with the depth of the groove being 1.5 times or more the diameter of the single crystal can protect the single crystal from being exposed from the mold material even if the shrinkage occurs.
However, it is sufficient that the depth of the groove is about three times the diameter of the single crystal. If it is larger than three times, the cutting margin increases and the material is wasted.

【０００７】また、前記保持部材は、平行に配置した複
数の溝を設けた基板であることが望ましい。並列に配置
した複数の溝の各々に単結晶を固定して溝に垂直な向き
に沿って保持部材を切断すると、多数の単結晶を垂直に
一括して切断できるので加工の効率が良い。また、前記
保持部材は、モールド材よりも軟化温度の高い有機材料
あるいは無機材料で構成した基板のいずれかであること
を特徴とする。無機材料としてはセラミック、フェライ
ト、ガラス、アルミナ、酸化シリコン等を用いることが
できる。有機材料等を用いる場合シリコン樹脂、プラス
チック等を用いる事が出来る。無機材料を用いる場合に
は初めから溝付焼結成形したり、有機材料を用いる場合
には溝つきの部材を射出成形で作製したりすると、溝を
切る方法に比べて工程を短縮しコストを下げることがで
きる。It is preferable that the holding member is a substrate provided with a plurality of grooves arranged in parallel. When a single crystal is fixed to each of the plurality of grooves arranged in parallel and the holding member is cut along a direction perpendicular to the grooves, a large number of single crystals can be cut at once in a vertical direction, so that the processing efficiency is high. Further, the holding member is any one of a substrate made of an organic material and an inorganic material having a softening temperature higher than that of a molding material. As the inorganic material, ceramic, ferrite, glass, alumina, silicon oxide, or the like can be used. When an organic material or the like is used, silicon resin, plastic, or the like can be used. When using inorganic materials, sinter molding with grooves from the beginning, or when using organic materials, manufacturing members with grooves by injection molding, shortens the process and reduces costs compared to the method of cutting grooves. be able to.

【０００８】前記モールド材は、その軟化温度がメッキ
処理で用いるメッキ浴の温度より高くすることにより、
熱電半導体単結晶の側面を覆うマスクとして用いられ
る。モールド材は単結晶を被覆あるいは包埋するもので
あり、樹脂、プラスチック、接着剤、ワックス、レジス
ト等を用いることができる。モールド材の機能として
は、加熱により軟化させたときに溝に充填できる程度に
粘度が低いこと、メッキ処理において耐薬品性・耐熱性
を有することと、溶剤等で溶解させて除去できることが
挙げられる。本発明において、モールド材は単結晶を切
断する方法と単結晶の端面にメッキ膜を形成する方法の
双方で機能する部材である。The above-mentioned mold material has a softening temperature higher than a temperature of a plating bath used in a plating process,
It is used as a mask for covering the side surface of the thermoelectric semiconductor single crystal. The molding material covers or embeds the single crystal, and may be made of resin, plastic, adhesive, wax, resist, or the like. The function of the mold material is that the viscosity is low enough to fill the groove when softened by heating, that it has chemical resistance and heat resistance in the plating process, and that it can be removed by dissolving with a solvent or the like. . In the present invention, the mold material is a member that functions both in a method of cutting a single crystal and in a method of forming a plating film on an end face of the single crystal.

【０００９】また、溝と単結晶間にモールド材を充填さ
せる方法は次に挙げる複数の方法から選択することがで
きる。第１の方法は、溝の底にモールド材を塗布して単
結晶を配置し、さらに単結晶を覆うようにモールド材を
塗布して溝を埋める方法である。粘度の高いモールド材
を溝に入れたときに溝の底に空隙が残るような場合、第
１の方法を採用すると空隙を防止できる。第２の方法
は、溝内に単結晶を配置してから粘度の低いモールド材
を押し込んで充填する方法である。第３の方法は、溝内
にモールド材を充填してから単結晶をモールド材内に押
し込み、加熱で軟化したモールド材が自然に単結晶を包
み込むものである。第４の方法は、溝に入れる前に単結
晶の周囲を保護膜で被覆しておく方法である。保護膜
は、モールド材と同様にメッキ処理に耐性を有する材料
を用いる。保護膜の被覆方法は、熱収縮チューブで覆う
方法、液状に軟化させた被覆材料に単結晶を浸ける方
法、被覆材料を直接塗布する方法等を用いることができ
る。第４の方式を用いると保持部材と被覆材の間に空隙
が出来ても単結晶は被覆材となる保護膜で覆われている
ので切断で劈開やチッピングが生じる事はない。The method of filling the mold material between the groove and the single crystal can be selected from a plurality of methods described below. The first method is a method in which a mold material is applied to the bottom of a groove to arrange a single crystal, and a mold material is applied so as to cover the single crystal to fill the groove. If a void remains at the bottom of the groove when a high-viscosity mold material is put into the groove, the void can be prevented by adopting the first method. The second method is a method in which a single crystal is arranged in a groove, and then a low-viscosity mold material is pushed in to fill the groove. The third method is to fill the groove with a mold material and then push the single crystal into the mold material, and the mold material softened by heating naturally wraps the single crystal. A fourth method is to cover the periphery of the single crystal with a protective film before entering the groove. As the protective film, a material having resistance to the plating process is used similarly to the molding material. As a method of coating the protective film, a method of covering with a heat-shrinkable tube, a method of dipping a single crystal in a liquid softened coating material, a method of directly applying a coating material, or the like can be used. When the fourth method is used, even if a gap is formed between the holding member and the covering material, the single crystal is covered with the protective film serving as the covering material, so that cleavage or chipping does not occur by cutting.

【００１０】本発明のペルチェモジュールの製造方法
は、上述の加工方法によって切断された前記熱電半導体
単結晶は、モールド材を除去することにより保持部材全
面に設けたメッキ膜が切断されて熱電半導体単結晶の端
面にメッキ膜が形成されており、電極のパターンを設け
た一対の基板間に前記熱電半導体単結晶を配列させるペ
ルチェモジュールの製造方法であって、配列させる工程
の前に前記電極もしくは前記メッキ膜の少なくとも一方
にハンダを設けて、熱電半導体単結晶を配列させた一対
の基板を熱処理することで前記ハンダをリフローさせ、
前記熱電半導体単結晶と一対の基板を一体に固定するこ
とを特徴とする。ハンダを設けるには、メタルマスク印
刷で基板の電極上にハンダを形成するか、熱電半導体単
結晶のメッキ膜上あるいは基板の電極上においてハンダ
メッキを行う。リフローとは熱処理を経ることでハンダ
を溶融・硬化させることである。In the method of manufacturing a Peltier module according to the present invention, the thermoelectric semiconductor single crystal cut by the above-described processing method is formed by removing a mold material to cut a plating film provided on the entire surface of a holding member to cut the thermoelectric semiconductor single crystal. A method of manufacturing a Peltier module in which a plating film is formed on an end face of a crystal, and the thermoelectric semiconductor single crystal is arranged between a pair of substrates provided with an electrode pattern, wherein the electrode or the Solder is provided on at least one of the plating films, and the solder is reflowed by heat-treating a pair of substrates on which the thermoelectric semiconductor single crystals are arranged,
The thermoelectric semiconductor single crystal and a pair of substrates are integrally fixed. To provide the solder, solder is formed on a substrate electrode by metal mask printing, or solder plating is performed on a thermoelectric semiconductor single crystal plating film or a substrate electrode. Reflow is to melt and harden the solder through heat treatment.

【００１１】本願の方法を用いると、単結晶の周囲をモ
ールド材で覆うことにより、保持部材を切断した後にそ
のままメッキすることができる。ここで覆うとは埋める
こと若しくは包むことを包含する用語として用いる。保
持部材とモールド材は単結晶の側面を被覆し、側面にメ
ッキ膜を形成させない為のマスクとして機能する。ま
た、単結晶とモールド材が同時に切断されて同一の切断
面を構成する。同一面では断面の周囲がモールド材によ
って保護されるため、メッキ工程で保持部材同士がぶつ
かっても、熱電半導体の断面の周囲を傷めるようなこと
が回避される。また、取り扱い中でも同様の効果があ
り、切断面の劈開を免れる。さらに、メッキ後にモール
ド材を溶解すると、モールド材を覆っていたメッキ膜が
切断され、単結晶の端面（切断面）に形成されたメッキ
膜と保持部材の面に形成されたメッキ膜が分離される。
すなわち、切断面のみにメッキ面を成膜した単結晶を得
ることができる。According to the method of the present invention, by covering the periphery of the single crystal with the mold material, the holding member can be cut and plated as it is. Here, “cover” is used as a term including burying or wrapping. The holding member and the mold material cover the side surface of the single crystal, and function as a mask for preventing formation of a plating film on the side surface. In addition, the single crystal and the mold material are cut at the same time to form the same cut surface. Since the periphery of the cross section is protected by the mold material on the same surface, even if the holding members collide with each other in the plating step, damage to the periphery of the cross section of the thermoelectric semiconductor is avoided. The same effect is obtained even during handling, and cleavage of the cut surface is avoided. Furthermore, when the mold material is melted after plating, the plating film covering the mold material is cut, and the plating film formed on the end surface (cut surface) of the single crystal and the plating film formed on the surface of the holding member are separated. You.
That is, a single crystal in which the plating surface is formed only on the cut surface can be obtained.

【００１２】保持部材は１本の溝に１本の単結晶を固定
するべきである。もし、１本の溝に複数の単結晶を入れ
ると、隣り合う単結晶が接触することがある。接触状態
で保持部材ごと単結晶を切断すると、一方の単結晶が隣
の単結晶に押し付けられて単結晶が変形してしまう。円
形断面の単結晶が楕円断面等に変形すると、劈開を生じ
て使用できなくなることがある。しかし、前記第４の方
法を用いれば単結晶が直接接触しないので複数本を同一
溝に入れる事は可能である。The holding member should fix one single crystal in one groove. If a plurality of single crystals are put in one groove, adjacent single crystals may come into contact with each other. When the single crystal is cut together with the holding member in a contact state, one single crystal is pressed against an adjacent single crystal and the single crystal is deformed. When a single crystal having a circular cross section is deformed into an elliptical cross section or the like, it may be cleaved and become unusable. However, if the fourth method is used, it is possible to insert a plurality of single crystals in the same groove because the single crystals do not directly contact each other.

【００１３】保持部材の溝の断面形状をＵ字状あるいは
溝の隅に曲面が付けられた形にすると、矩形溝に比べて
モールド材を溝に充填する際に溝の隅に気泡による空隙
が残らないので好ましい。空隙を除去する目的は、単結
晶の切断時に空隙と単結晶が接触する箇所で発生するチ
ッピングや劈開を防ぐこと、または単結晶の側面にメッ
キ膜が形成されるのを防ぐことにある。また、切断時の
単結晶のチッピングや劈開、もしくはワックス剥離を防
ぐために保持部材は硬い材料で構成すべきである。単結
晶より硬い無機材料や有機材料を用いる。When the cross section of the groove of the holding member has a U-shape or a shape in which a curved surface is provided at the corner of the groove, a gap due to air bubbles is formed at the corner of the groove when filling the groove with the molding material as compared with the rectangular groove. It is preferable because it does not remain. The purpose of removing the voids is to prevent chipping or cleavage occurring at a place where the voids and the single crystal come into contact when the single crystal is cut, or to prevent a plating film from being formed on a side surface of the single crystal. Further, the holding member should be made of a hard material in order to prevent chipping and cleavage of the single crystal at the time of cutting, or to prevent wax peeling. Use an inorganic or organic material that is harder than a single crystal.

【００１４】本願の方法は溝内に単結晶を入れ込んで位
置合せを行うため、切断面の加工精度が良好である。例
えば、ワックスのようなモールド材を押し込んでも溝の
寸法以上には単結晶が位置ずれしないため、モールド材
の充填を短時間で行うことができる。またワックスは基
本的には熔けて保持部材の溝の壁を伝わって流入する為
に、固形状のワックスが直接単結晶に触れることは殆ど
無い。従って単結晶に損傷を与える事も無い。これに対
して、溝のような位置決め手段の無い基板の上に多数の
単結晶を置いて、ワックスで被覆して固定しようとする
と、位置合せを正確にすることが難しく、単結晶に損傷
を与えてしまう危険性もある。According to the method of the present invention, since the positioning is performed by inserting a single crystal into the groove, the processing accuracy of the cut surface is good. For example, even if a mold material such as wax is pushed in, the single crystal does not shift beyond the dimension of the groove, so that the mold material can be filled in a short time. Further, since the wax basically melts and flows along the groove wall of the holding member, the solid wax hardly directly touches the single crystal. Therefore, the single crystal is not damaged. On the other hand, if a large number of single crystals are placed on a substrate having no positioning means such as a groove, and then coated with wax and fixed, it is difficult to accurately align the single crystals, and damage to the single crystals may occur. There is a risk of giving it.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態を説明する。図１および図２は、本発明の加工方法
を説明する概略図である。図３は図１及び図２に係る工
程図である。図４はペルチェモジュールの斜視図であ
る。図５は、保持部材の他の一実施形態を示す平面図で
ある。図６は、単結晶の加工方法に係る他の実施形態を
示す斜視図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 are schematic diagrams illustrating a processing method of the present invention. FIG. 3 is a process drawing according to FIGS. 1 and 2. FIG. 4 is a perspective view of the Peltier module. FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the holding member. FIG. 6 is a perspective view showing another embodiment according to the method for processing a single crystal.

【００１６】図１に沿って単結晶の加工方法とそれに続
くペルチェモジュールの製造方法を説明する。 （基板加工工程）まず、フェライト基板に回転砥石で複
数の溝２を並列に形成して保持基板１を得た（図１の
ａ，ｂ）。各々の溝２の断面寸法は、幅１．０ｍｍ、深
さ１．２ｍｍの長方形とした。溝同士の間隔は０．３ｍ
ｍとした。保持基板１の外寸法は、長１００ｍｍ、幅１
００ｍｍ、厚さ３ｍｍとした。A method for processing a single crystal and a method for manufacturing a Peltier module that follow will be described with reference to FIG. (Substrate Processing Step) First, a plurality of grooves 2 were formed in parallel on a ferrite substrate with a rotary grindstone to obtain a holding substrate 1 (a and b in FIG. 1). The cross-sectional dimension of each groove 2 was a rectangle having a width of 1.0 mm and a depth of 1.2 mm. 0.3m between grooves
m. The outer dimensions of the holding substrate 1 are length 100 mm, width 1
The thickness was 00 mm and the thickness was 3 mm.

【００１７】（モールド工程）次に、温度３１０℃に保
温したヒーター３上に保持部材１を置いて、溝の深さの
２／３を埋めるように下塗りプラスチック４を塗り込ん
だ（図１のｃ）。下塗りプラスチック４の上に棒状単結
晶５をおいて上塗りプラスチック６を塗り込んで溝をプ
ラスチックで埋めた（図１のｄ）。棒状単結晶５として
直径０．６１ｍｍのビスマス・テルル系材を用いた。ヒ
ーター３から保持部材１を外して自然に冷却したとこ
ろ、プラスチック４、６が固まって、各々の溝２内に１
本づつ棒状単結晶５が封止された。プラスチックにはポ
リスチレンを用いた。(Molding Step) Next, the holding member 1 was placed on the heater 3 kept at a temperature of 310 ° C., and the undercoat plastic 4 was applied so as to fill ２ of the depth of the groove (FIG. 1). c). The rod-shaped single crystal 5 was placed on the undercoat plastic 4 and the overcoat plastic 6 was applied to fill the grooves with the plastic (FIG. 1D). A bismuth tellurium-based material having a diameter of 0.61 mm was used as the rod-shaped single crystal 5. When the holding member 1 was removed from the heater 3 and cooled naturally, the plastics 4 and 6 solidified, and 1
Each rod-shaped single crystal 5 was sealed. Polystyrene was used as the plastic.

【００１８】（切断工程）次に、マイクログラインダー
に設けた電鋳砥石７によって、プラスチックを固めた保
持部材をその長手方向に垂直な面で切断していった（図
１のｅ）。保持部材を等間隔で切り分けて厚さ０．７５
ｍｍのバー８を複数得た。バー８は、単結晶が一列に配
列された細長い板状となった（図１のｆ）。元の保持部
材の端に相当する部分は、溝によって単結晶の厚さが異
なるので廃棄した。(Cutting Step) Next, the holding member made of plastic was cut along a plane perpendicular to the longitudinal direction by the electroforming grindstone 7 provided in the micro grinder (FIG. 1E). The holding member is cut at equal intervals and the thickness is 0.75
A plurality of bars 8 of mm were obtained. The bar 8 became an elongated plate shape in which single crystals were arranged in a line (f in FIG. 1). The portion corresponding to the end of the original holding member was discarded because the thickness of the single crystal varied depending on the groove.

【００１９】（メッキ工程）次に、メッキ工程を行っ
た。まず、メッキの前処理として、無電解でニッケル燐
の最初の析出に必要な触媒核（パラジウム）を形成させ
る触媒付与を行った。支持具８ｂの先に固定したバー８
を処理槽９内のパラジウム溶液１０に６分浸漬した（図
１のｇ）。さらに、還元液に５分浸漬してバーの表面に
パラジウム核を付着させた後、支持具８ｂに設けたバー
８をメッキ槽９ｂ内のメッキ浴１０ｂに浸して、単結晶
の端面を含むバー８の表面にニッケル燐メッキ膜を形成
した。メッキ浴１０ｂは無電解ニッケル燐（ＮｉＰ）メ
ッキ溶液を用い、メッキ時間は２０分、メッキ浴の温度
は約９０℃とした（図１のｈ）。図示は省略したが、膜
厚の均一化を図るためにメッキ処理中はメッキ浴を攪拌
した。次に、ニッケル燐メッキ膜上に金メッキ膜を形成
するために２回目の無電解メッキ工程を行った。支持具
８ｂやメッキ槽９は図１のｈと同様のものを用いた。但
し、メッキ浴は無電解金メッキ溶液とし、メッキ時間は
２５分とした。ここで、プラスチック４、６は単結晶の
切断面以外の部分にメッキ膜を形成しないためのマスク
として機能した。(Plating Step) Next, a plating step was performed. First, as a pretreatment for plating, a catalyst for forming a catalyst nucleus (palladium) required for the first deposition of nickel phosphorus without electrolysis was provided. Bar 8 fixed at the tip of support 8b
Was immersed in a palladium solution 10 in a treatment tank 9 for 6 minutes (g in FIG. 1). Further, the bar 8 provided on the support 8b is immersed in the plating bath 10b in the plating tank 9b after immersing the bar in the reducing solution for 5 minutes to attach the palladium nuclei to the surface of the bar. On the surface of No. 8, a nickel phosphorous plating film was formed. The plating bath 10b used an electroless nickel-phosphorous (NiP) plating solution, the plating time was 20 minutes, and the temperature of the plating bath was about 90 ° C. (h in FIG. 1). Although not shown, the plating bath was agitated during the plating process to make the film thickness uniform. Next, a second electroless plating step was performed to form a gold plating film on the nickel phosphorous plating film. The support 8b and the plating tank 9 used were the same as those in FIG. However, the plating bath was an electroless gold plating solution, and the plating time was 25 minutes. Here, the plastics 4 and 6 functioned as masks for preventing a plating film from being formed on portions other than the cut surface of the single crystal.

【００２０】（ばらし洗浄工程）次に、メッキしたバー
８を入れた洗浄カゴ８ｃを９０℃に保温した溶解槽１１
内の溶解液１１ｂ（溶剤：商品名ソルファイン）に浸し
てプラスチックを除去し、短くなった保持部材１ｂと単
結晶の小片１２を分離した。溶解槽１１から洗浄カゴ８
ｃを取り出して保持部材１ｂのみを洗浄カゴから除去し
た。つづけて洗浄カゴ８ｃを洗浄槽１１ｃ内の洗浄液１
１ｄ（ＩＰＡ：イソプロピルアルコール）に浸けて洗浄
して単結晶の小片１２を得た（図２のｉ）。以上述べた
基板加工工程からばらし洗浄工程までによって、両方の
端面のみにパラジウム核／ニッケル燐／金からなるメッ
キ膜１２ｂを形成した単結晶の小片１２を得た。(Separation washing step) Next, the washing basket 8c containing the plated bar 8 is kept at 90.degree.
The plastic was removed by immersion in a dissolution solution 11b (solvent: trade name: Solfine), and the shortened holding member 1b and the single crystal small pieces 12 were separated. Cleaning basket 8 from melting tank 11
c was taken out and only the holding member 1b was removed from the washing basket. Then, the washing basket 8c is washed with the washing liquid 1 in the washing tank 11c.
It was immersed in 1d (IPA: isopropyl alcohol) and washed to obtain a single crystal piece 12 (i in FIG. 2). From the above-described substrate processing step to the separating and cleaning step, a single crystal small piece 12 having a plating film 12b made of palladium nucleus / nickel phosphorus / gold only on both end faces was obtained.

【００２１】次に前記単結晶の小片を用いたペルチェモ
ジュールの製造方法を説明する。 （ハンダ印刷工程）メッキで電極パターンを形成したア
ルミナ基板１３ａを用意した。これらの電極１４には錫
アンチモン系のハンダをメタルマスク印刷で積層した
（図２のｊ）。Next, a method of manufacturing a Peltier module using the single crystal piece will be described. (Solder printing step) An alumina substrate 13a having an electrode pattern formed by plating was prepared. Tin-antimony solder was laminated on these electrodes 14 by metal mask printing (j in FIG. 2).

【００２２】（配列工程）さらに電極側を上にしたアル
ミナ基板１３ａに重ねるように配列用枠１６を固定し、
配列用枠１６の格子にＮ型とＰ型の単結晶の小片１２を
交互に入れ込んで、電極上に単結晶の小片１２を配列さ
せた。単結晶の小片を完全に配列させた後、配列用枠１
６は単結晶の小片を倒さぬよう抜き取り、電極側を下に
向けた他方のアルミナ基板１３ｂを単結晶の小片を倒さ
ぬよう被せた（図２のｋ）。(Arrangement Step) Further, the arrangement frame 16 is fixed so as to overlap the alumina substrate 13a with the electrode side facing up.
Small pieces 12 of N-type and P-type single crystals were alternately inserted into the lattice of the alignment frame 16, and the single-crystal pieces 12 were arranged on the electrodes. After the single crystal pieces are completely aligned, the alignment frame 1
In No. 6, the single crystal piece was extracted so as not to fall down, and the other alumina substrate 13b with the electrode side facing down was covered so that the single crystal piece did not fall down (k in FIG. 2).

【００２３】（熱処理工程）基板と単結晶をバッチ炉１
８中において熱処理した。処理条件は時間３分とし、雰
囲気は大気中とし、温度３００℃として、ハンダをリフ
ローさせた（図２のｌ）。バッチ炉から取り出して自然
冷却させた後、基板と単結晶が一体となったモジュール
を取り出し、モジュールの末端の電極にリード線２０
ａ、２０ｂをハンダ１５で接続してペルチェモジュール
２２を得た（図２のｍ）。図２のｍではペルチェモジュ
ールの構成を簡単に記したが、図４にて詳細を説明す
る。上記図１から図２までの製造方法の工程図は図３に
示す。図４において上述の方法で作製したペルチェモジ
ュール２２の詳細を斜視図で示す。図４の（ａ）はペル
チェモジュールの分解斜視図であり、図４の（ｂ）は、
組立て後のペルチェモジュール２２の斜視図である。図
４（ｃ）はＰ型の単結晶の小片１２ｐの拡大図である。
円柱状の単結晶の端面にはメッキ膜１２ｂを形成した。
（ａ）で構成の概要を説明する。アルミナの基板１３ｂ
の上にはハンダ付き電極１４のパターンが形成されてお
り、そのパターンごとにＰ型の単結晶の小片１２ｐとＮ
型の単結晶の小片１２ｎを交互に並べた。この上からハ
ンダ付き電極のパターンを有するアルミナ基板１３ａを
接合させてペルチェモジュール２２を構成した。アルミ
ナ基板１３ａ及び１３ｂのハンダ付き電極のパターン
は、Ｐ型の単結晶の小片１２ｐとＮ型の単結晶の小片１
２ｎを交互に直列に接続する。末端のＰ型の単結晶の小
片に接続した電極とその電極にハンダ２１を介して接続
したリード線２０ａはマイナス電極側に相当し、他端の
Ｎ型の単結晶の小片に接続した電極とその電極にハンダ
２１を介して接続したリード線２０ｂはプラス電極側に
相当する。（ｂ）のペルチェモジュール２２において、
プラス電極側から電流Ｉを流入させると、アルミナ基板
１３ａ側が吸熱基板となり、アルミナ電極１３ｂ側が発
熱基板として作動した。(Heat Treatment Step) A batch furnace 1
8 was heat treated. The processing conditions were 3 minutes, the atmosphere was air, the temperature was 300 ° C., and the solder was reflowed (l in FIG. 2). After being taken out of the batch furnace and allowed to cool naturally, the module in which the substrate and the single crystal were integrated was taken out, and the lead wire 20 was connected to the terminal electrode of the module.
The Peltier module 22 was obtained by connecting a and 20b with the solder 15 (m in FIG. 2). Although the configuration of the Peltier module is briefly described in FIG. 2M, details will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows a process chart of the manufacturing method from FIG. 1 to FIG. FIG. 4 is a perspective view showing details of the Peltier module 22 manufactured by the above-described method. FIG. 4A is an exploded perspective view of the Peltier module, and FIG.
FIG. 4 is a perspective view of the Peltier module 22 after assembly. FIG. 4C is an enlarged view of a small piece 12p of a P-type single crystal.
A plating film 12b was formed on the end face of the columnar single crystal.
The outline of the configuration will be described in (a). Alumina substrate 13b
A pattern of an electrode 14 with solder is formed on each of the small pieces 12p of P-type single crystal and N
Small single crystal pieces 12n were alternately arranged. The Peltier module 22 was formed by joining an alumina substrate 13a having an electrode pattern with solder from above. The patterns of the electrodes with solder on the alumina substrates 13a and 13b are composed of a small piece 12p of a P-type single crystal and a small piece 1 of an N-type single crystal.
2n are connected alternately in series. The electrode connected to the terminal P-type single crystal piece and the lead wire 20a connected to the electrode via the solder 21 correspond to the negative electrode side, and the electrode connected to the N-type single crystal piece at the other end. The lead wire 20b connected to the electrode via the solder 21 corresponds to the positive electrode side. In the Peltier module 22 shown in FIG.
When the current I was allowed to flow from the plus electrode side, the alumina substrate 13a side acted as a heat absorbing substrate, and the alumina electrode 13b side acted as a heat generating substrate.

【００２４】図５は、図１と図２の加工方法で用いる保
持部材について、他の実施形態をを説明する平面図であ
る。この保持部材３１は、Ｓｉ（シリコン）基板に回転
砥石で複数のＵ字溝３２を並列に形成したものである。
各々の溝３２の外寸法等は図１の構成と同様にしたが、
溝の底面はＵ字状にした。溝内で単結晶５を保持するモ
ールド材にはプラスチック３４を用いた。保持部材をヒ
ーターで加熱しながらＵ字溝３２にプラスチック３４を
充填すると、Ｕ字溝３２の底面に気泡による空隙を生じ
なかった。比較例として同様の条件で角型溝を設けた保
持基板を用意した。角型溝はプラスチック３４を入れた
ときに、底面の角に空隙が生じることがあった。空隙が
できると単結晶の側面にメッキ膜がついて歩留まりが低
下した。これに対して、Ｕ字溝は底面の角がないので空
隙を生じることがほとんどない。Ｕ字溝を設けた保持部
材を用いて、図１と同様の工程を行うことができた。FIG. 5 is a plan view for explaining another embodiment of the holding member used in the processing method shown in FIGS. The holding member 31 has a plurality of U-shaped grooves 32 formed in parallel on a Si (silicon) substrate with a rotary grindstone.
The outer dimensions and the like of each groove 32 were the same as in the configuration of FIG.
The bottom of the groove was U-shaped. Plastic 34 was used as a mold material for holding the single crystal 5 in the groove. When the plastic was filled in the U-shaped groove 32 while the holding member was heated by the heater, no void was formed on the bottom surface of the U-shaped groove 32 due to bubbles. As a comparative example, a holding substrate provided with square grooves under the same conditions was prepared. When the plastic 34 was put into the square groove, a gap was sometimes formed in the corner of the bottom surface. If voids were formed, a plating film was attached to the side surface of the single crystal, and the yield was reduced. On the other hand, since the U-shaped groove has no bottom corner, there is almost no void. Using the holding member provided with the U-shaped groove, the same process as in FIG. 1 could be performed.

【００２５】なお、図１のように角型の溝を設けた保持
部材を用い、且つ溝の底に生じる空隙を抑制するために
は、特に粘度の低いモールド材として瞬間接着剤を用い
た。この場合、図１及び２の工程とは次の点で異なる。
まず、保持部材の溝に単結晶と瞬間接着剤を固定する際
には、ヒーターを用いないで室温で充填・硬化させた。
次に、ばらし洗浄工程で瞬間接着剤を除去するために溶
解槽の溶剤としてアセトンを用いた。瞬間接着材のモー
ルド材に対して、溶剤をソルファインにすると瞬間接着
材が十分に溶けず残ってしまう。従って、溶剤はモール
ド材を溶解して容易に除去できるものでなくてはならな
い。モールド材を膨潤させる溶剤や溶け残りを生じるも
のは使えなかった。In order to use a holding member provided with a rectangular groove as shown in FIG. 1 and to suppress a void formed at the bottom of the groove, an instant adhesive was used as a mold material having a particularly low viscosity. This case is different from the steps of FIGS. 1 and 2 in the following point.
First, when the single crystal and the instant adhesive were fixed in the grooves of the holding member, they were filled and cured at room temperature without using a heater.
Next, acetone was used as a solvent for the dissolving tank in order to remove the instant adhesive in the separating and washing step. If the solvent is used as the solvent for the instant adhesive molding material, the instant adhesive is not sufficiently dissolved and remains. Therefore, the solvent must be capable of dissolving the mold material and easily removing it. A solvent that swells the mold material or one that produces undissolved residue could not be used.

【００２６】図６は、図１の加工方法の応用例を説明す
る斜視図である。この応用例は、予め単結晶を熱収縮性
チューブで被覆してモールド材で保持部材に固定する方
法である。まず、棒状単結晶５に熱収縮性チューブ４２
を被せた後、加熱して単結晶５の側面に熱収縮性チュー
ブを密着させて保護膜４３とした（図６のａ）。保護膜
４３を設けた単結晶５を保持部材１の溝に入れて（図６
のｂ）、ヒーター３で加熱しながら溝にワックス４４を
充填して棒状単結晶５を固定した（図６のｃ）。その後
の工程は図１のｅ以降と同様にして単結晶の小片を得
た。但し、ワックスには半導体加工のマスキングに用い
るＫＰＷＡプロテクトワックスを用いた。ばらし洗浄工
程の溶解液にはソルファインを用いた。この応用例で
は、単結晶の側面が保護膜４３で被覆されているため、
仮にワックスと保持部材の溝との間に空隙が残っても単
結晶の側面にメッキ膜が形成されることはない。また、
熱収縮性チューブを用いているため、塗布で保護膜を設
ける方法に比べて工程が短くてすみ、保護膜厚さが均一
である。熱収縮性チューブなしで単結晶をワックス固定
した構成と図６の構成を比較したところ、図６の構成の
方がチッピングの発生率がより低くなった。FIG. 6 is a perspective view for explaining an application example of the processing method of FIG. In this application example, a single crystal is previously covered with a heat-shrinkable tube and fixed to a holding member with a mold material. First, the heat-shrinkable tube 42 is added to the rod-shaped single crystal 5.
After that, a heat-shrinkable tube was brought into close contact with the side surface of the single crystal 5 by heating to form a protective film 43 (FIG. 6A). The single crystal 5 provided with the protective film 43 is inserted into the groove of the holding member 1 (FIG. 6).
B), the groove was filled with wax 44 while heating with the heater 3 to fix the rod-shaped single crystal 5 (c in FIG. 6). Subsequent steps were performed in the same manner as in FIG. However, KPWA protect wax used for masking in semiconductor processing was used as the wax. Solfine was used as a dissolution solution in the separating and washing step. In this application example, since the side surface of the single crystal is covered with the protective film 43,
Even if a gap remains between the wax and the groove of the holding member, no plating film is formed on the side surface of the single crystal. Also,
Since the heat-shrinkable tube is used, the process is shorter than the method of providing a protective film by coating, and the protective film thickness is uniform. A comparison between the configuration in which the single crystal was fixed by wax without the heat-shrinkable tube and the configuration in FIG. 6 showed that the configuration in FIG. 6 had a lower incidence of chipping.

【００２７】[0027]

【発明の効果】本発明の加工方法、即ち、少なくとも一
つの溝を有する保持部材を用い、前記溝内に棒状の熱電
半導体単結晶とモールド材を設けるとともに前記熱電半
導体単結晶をモールド材で覆い、前記熱電半導体単結晶
及びモールド材と共に保持部材を切断・分割して、メッ
キ膜を形成するための面として熱電半導体単結晶の切断
面を露出させ、分割した前記保持部材をメッキ処理して
前記切断面にメッキ膜を形成し、前記モールド材を除去
して前記保持部材から熱電半導体単結晶を分離すること
により、切断の切代の無駄を低減し、チッピングや劈開
を防いで単結晶を歩留まりよく得ることができる。ま
た、溝つきの保持部材とモールド材を用いることで単結
晶の端面にメッキ膜を効率よく形成することができる。
また、本発明の加工方法を導入することによりペルチェ
モジュールを効率よく製造することができる。According to the working method of the present invention, a rod-shaped thermoelectric semiconductor single crystal and a molding material are provided in the groove using a holding member having at least one groove, and the thermoelectric semiconductor single crystal is covered with the molding material. Cutting and dividing the holding member together with the thermoelectric semiconductor single crystal and the mold material, exposing a cut surface of the thermoelectric semiconductor single crystal as a surface for forming a plating film, plating the divided holding member, By forming a plating film on the cut surface, removing the mold material and separating the thermoelectric semiconductor single crystal from the holding member, cutting waste is reduced, chipping and cleavage are prevented, and the yield of the single crystal is reduced. Can get well. Also, by using the grooved holding member and the molding material, a plating film can be efficiently formed on the end face of the single crystal.
Further, by introducing the processing method of the present invention, a Peltier module can be manufactured efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の加工方法を説明する概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a processing method of the present invention.

【図２】図１に続く工程を説明する概略図である。FIG. 2 is a schematic view illustrating a step following FIG. 1;

【図３】図１および２に係る工程図である。FIG. 3 is a process drawing according to FIGS. 1 and 2;

【図４】ペルチェモジュールの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a Peltier module.

【図５】他の保持部材の実施形態を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing an embodiment of another holding member.

【図６】単結晶の加工方法に関する応用例を説明する斜
視図である。FIG. 6 is a perspective view illustrating an application example related to a method for processing a single crystal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 保持部材、１ｂ 短くなった保持部材、２ 溝、３
ヒーター、４ 下塗りプラスチック、５ 棒状単結
晶、６ 上塗りプラスチック、７ 切断刃、８ バー、
８ｂ 支持具、８ｃ 洗浄カゴ、９ 処理槽、９ｂ メ
ッキ槽、１０ パラジウム溶液、１０ｂ メッキ浴、１
１ 溶解槽、１１ｂ 溶解液、１１ｃ 洗浄槽、１１ｄ
洗浄液、１２ 単結晶の小片、１２ｂ メッキ膜、１
２ｐ Ｐ型の単結晶の小片、１２ｎ Ｎ型の単結晶の小
片、１３ａ １３ｂ アルミナ基板、１４ ハンダ付き
電極、１５ ハンダ、１６ 配列用枠、１８ バッチ
炉、２０ａ マイナス電極側のリード線、２０ｂ プラ
ス電極側のリード線、２１ ハンダ、２２ ペルチェモ
ジュール、３１ 保持部材、３２ Ｕ字溝、３４ プラ
スチック、４２ 熱収縮性チューブ、４３ 保護膜、４
４ ワックス1 holding member, 1b shortened holding member, 2 groove, 3
Heater, 4 undercoated plastics, 5 rod-shaped single crystals, 6 overcoated plastics, 7 cutting blades, 8 bars,
8b support, 8c washing basket, 9 processing tank, 9b plating tank, 10 palladium solution, 10b plating bath, 1
1 Dissolution tank, 11b Dissolution liquid, 11c Cleaning tank, 11d
Cleaning solution, 12 Single crystal pieces, 12b Plating film, 1
2p P type single crystal piece, 12n N type single crystal piece, 13a 13b alumina substrate, 14 soldered electrode, 15 solder, 16 arrangement frame, 18 batch furnace, 20a negative electrode side lead wire, 20b plus Lead wire on electrode side, 21 solder, 22 Peltier module, 31 holding member, 32 U-shaped groove, 34 plastic, 42 heat-shrinkable tube, 43 protective film, 4
4 wax

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植村 典夫 栃木県真岡市松山町18番地 株式会社電子 テック内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Norio Uemura 18 Matsuyama-cho, Moka-shi, Tochigi Pref.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 少なくとも一つ以上の溝を有する保持部
材を用い、前記溝内に棒状の熱電半導体単結晶とモール
ド材を設けるとともに前記熱電半導体単結晶をモールド
材で覆う工程と、前記熱電半導体単結晶及びモールド材
と共に前記保持部材を切断・分割して、メッキ膜を形成
するための面として熱電半導体単結晶の切断面を露出さ
せる工程と、分割した前記保持部材ごとメッキ処理して
前記切断面にメッキ膜を形成する工程と、前記モールド
材を除去して前記保持部材から熱電半導体単結晶を分離
する工程を備えることを特徴とする熱電半導体単結晶の
加工方法。A step of providing a rod-shaped thermoelectric semiconductor single crystal and a molding material in said groove and covering said thermoelectric semiconductor single crystal with a molding material using a holding member having at least one groove; Cutting and dividing the holding member together with the single crystal and the mold material to expose a cut surface of the thermoelectric semiconductor single crystal as a surface for forming a plating film; and plating and cutting the divided holding member together. A method for processing a thermoelectric semiconductor single crystal, comprising: forming a plating film on a surface; and separating the thermoelectric semiconductor single crystal from the holding member by removing the mold material. 【請求項２】 前記保持部材は、溝の幅は前記棒状の熱
電半導体単結晶の直径より大きく、溝の深さは熱電半導
体単結晶の直径の１．５倍から３倍あることを特徴とす
る請求項１に記載の熱電半導体単結晶の加工方法。2. The holding member, wherein the width of the groove is larger than the diameter of the rod-shaped thermoelectric semiconductor single crystal, and the depth of the groove is 1.5 to 3 times the diameter of the thermoelectric semiconductor single crystal. The method for processing a thermoelectric semiconductor single crystal according to claim 1. 【請求項３】 前記保持部材は、複数の溝を平行に配置
した基板であることを特徴とする請求項項１または２の
いずれかに記載の熱電半導体単結晶の加工方法。3. The method for processing a thermoelectric semiconductor single crystal according to claim 1, wherein the holding member is a substrate having a plurality of grooves arranged in parallel. 【請求項４】 前記保持部材は、モールド材より軟化温
度の高い有機材料あるいは無機材料で構成した基板のい
ずれかであることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れかに記載の熱電半導体単結晶の加工方法。4. The thermoelectric semiconductor unit according to claim 1, wherein the holding member is one of a substrate made of an organic material and an inorganic material having a softening temperature higher than that of a molding material. Crystal processing method. 【請求項５】 前記モールド材は、その軟化温度がメッ
キ処理で用いるメッキ浴の温度より高く、熱電半導体単
結晶の側面を覆うマスクとして用いられることを特徴と
する請求項１ないし４のいずれかに記載の熱電半導体単
結晶の加工方法。5. The mold material according to claim 1, wherein a softening temperature of the mold material is higher than a temperature of a plating bath used in a plating process, and the mold material is used as a mask for covering a side surface of the thermoelectric semiconductor single crystal. 3. The method for processing a thermoelectric semiconductor single crystal according to 1.). 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の熱
電半導体単結晶の加工方法によって切断された前記熱電
半導体単結晶は、モールド材を除去する事により保持部
材全面に設けたメッキ膜が切断されて熱電半導体単結晶
の端面にメッキ膜が形成されており、電極のパターンを
設けた一対の基板間に前記熱電半導体単結晶を配列させ
るペルチェモジュールの製造方法であって、配列させる
工程の前に前記電極もしくは前記メッキ膜の少なくとも
一方にハンダを設け、熱電半導体単結晶を配列させた一
対の基板を熱処理することで前記ハンダをリフローさ
せ、前記熱電半導体単結晶と一対の基板を一体に固定す
ることを特徴とするペルチェモジュールの製造方法。6. The thermoelectric semiconductor single crystal cut by the method for processing a thermoelectric semiconductor single crystal according to claim 1, wherein a plating film provided on an entire surface of the holding member by removing a molding material is used. A method of manufacturing a Peltier module in which a thermoelectric semiconductor single crystal is cut and a plating film is formed on an end face thereof, and the thermoelectric semiconductor single crystal is arranged between a pair of substrates provided with an electrode pattern. A solder is provided on at least one of the electrode and the plating film before, and the solder is reflowed by heat-treating a pair of substrates on which the thermoelectric semiconductor single crystals are arranged, so that the thermoelectric semiconductor single crystal and the pair of substrates are integrally formed. A method for manufacturing a Peltier module, comprising fixing the module.