JP2002185201A - 高周波用配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高精度のインピーダンス整合を行うことがで
き、高周波的な不整合を解消し、高周波信号の反射損失
をなおいっそう低減すること。 【解決手段】誘電体基板２の上面および下面において、
貫通導体１０を中心とした半径０．８Ａの円と貫通導体
１０を中心として両コプレーナ線路５，８に直交する方
向の短辺が３Ａで両コプレーナ線路５，８方向の長辺が
４Aの長方形とで囲まれる領域内に、複数の入出力部接
地貫通導体１１ａを設ける。また、この領域外で第１の
コプレーナ線路５および／または第２のコプレーナ線路
８に沿ってその線路導体３，６の両側に、接地導体４，
７に電気的に接続された複数の伝送部接地貫通導体１１
ｂを高周波信号の波長の４分の１以下の間隔で配設す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高周波帯域での電気
的特性を向上させた高周波入出力部を具備する高周波用
配線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、高周波回路用基板、高周波用半導
体素子収納用パッケージおよび高周波用半導体素子搭載
用チップキャリア等に用いられる高周波用配線基板にお
いては、その上面に搭載される高周波用半導体素子等の
高周波用部品とその高周波用配線基板が実装される外部
電気回路基板の高周波用回路とを電気的に接続するため
に、高周波信号を伝送するための高周波用伝送線路を上
面と下面とに形成して、それらを貫通導体で電気的に接
続して成る高周波入出力部が形成される。そして、その
高周波用配線基板を外部電気回路基板に搭載するととも
に、下面の高周波用伝送線路を外部電気回路基板の接続
用線路導体に電気的に接続することにより、高周波用配
線基板が実装されて使用されることとなる。

【０００３】そのような従来の高周波用配線基板を高周
波用半導体装置を実装するパッケージに適用した例とし
て、例えば特許第２６０５５０２号公報に記載されたパ
ッケージがある。このパッケージは、パッケージ基板
と、このパッケージ基板に装着されたパッケージ側壁
と、パッケージ側壁により囲まれて形成されたキャビテ
ィを封止するフタと、キャビティ内に設けられた半導体
集積回路チップを実装するダイボンディング領域と、キ
ャビティ内に設けられた誘電体基板の表面上にメタライ
ズ金属層からなる内部高周波伝送線路を有し、パッケー
ジ基板の底面部にメタライズ金属層により形成したリー
ド端子をなす外部コプレーナ線路と、内部高周波伝送線
路と外部コプレーナ線路を電気的に接続する金属からな
るバイアホールとから構成されたパッケージにおいて、
キャビティ内に形成される内部高周波伝送線路を、コプ
レーナ線路で構成し、内部高周波伝送線路と外部コプレ
ーナ線路のそれぞれの接地金属間を金属からなる複数の
バイアホールにより接続したことを特徴とする。

【０００４】これによれば、内部高周波伝送線路をコプ
レーナ線路として構成したので、その信号線と接地金属
との間隔を適切に選択することにより、信号線の線路幅
をＩＣチップ上のマイクロストリップ線路の線路幅と適
合させることが可能となり、損失を低く抑え、反射損失
も低下させることができるというものである。

【０００５】また、外部コプレーナ線路と内部高周波伝
送線路を複数のバイアホールや同軸構造のバイアホール
により接続した場合には、高周波的な不整合も少なく、
かつアイソレーションを高めることが可能であるという
ものである。

【０００６】なお、このように高周波用伝送線路として
コプレーナ線路が用いられるのは、高周波用配線基板に
高周波用部品が搭載される側（上面）の信号線路のパタ
ーン幅と下面の外部電気回路基板に実装される側（下
面）の信号線路のパターン幅との不連続性を補償した
り、信号線間のアイソレーションを向上させる目的から
は、マイクロストリップ線路に比べてコプレーナ線路同
士の接続が好ましいことによるものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
許第２６０５５０２号公報に記載されたパッケージに適
用された高周波用配線基板では、外部コプレーナ線路と
内部高周波伝送線路を複数のバイアホール（貫通導体）
で接続するに際し、それらのバイアホールで同軸構造を
形成しているが、これらのバイアホールは貫通して外部
接地導体と内部接地導体とを接続しているため、インピ
ーダンス整合を行う場合、表層では外部コプレーナ線路
の線路導体と接地導体若しくは内部コプレーナ線路と接
地導体とのギャップで行い、誘電体基板内ではバイアホ
ールにより同軸構造を形成するため、インピーダンスの
整合が実際上非常に困難であった。

【０００８】よって、誘電体基板内でインピーダンス整
合のずれが生じ、インピーダンスの異なった伝送線路同
士を接続する部分で伝送される高周波信号の反射が生
じ、反射損失が増大するという問題点があった。

【０００９】従って、本発明は上記従来技術の問題点に
鑑みて完成されたものであり、その目的は、貫通導体の
周囲の接地貫通導体等の配置をより同軸構造に近づける
とともに、高周波信号の伝送特性の高い配置として、高
周波信号の反射損失を抑制した高周波入出力部を具備し
た高周波用配線基板を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の高周波用配線基
板は、複数の誘電体層を積層させて成る誘電体基板の上
面に形成された高周波信号を伝送するための第１のコプ
レーナ線路と、前記誘電体基板の下面に前記第１のコプ
レーナ線路と平行に形成された第２のコプレーナ線路と
を線路導体の先端同士を対向させて配置するとともに、
これら線路導体の先端同士を貫通導体で電気的に接続
し、かつ該貫通導体から前記両コプレーナ線路に直交す
る方向の両側で距離Ａの位置において両コプレーナ線路
の接地導体同士を接地貫通導体で電気的に接続して成る
高周波入出力部を具備して成り、前記上面および前記下
面において、前記貫通導体を中心とした半径０．８Ａの
円と前記貫通導体を中心として前記両コプレーナ線路に
直交する方向の短辺が３Ａで前記両コプレーナ線路方向
の長辺が４Aの長方形とで囲まれる領域内に、複数の入
出力部接地貫通導体が設けられていることを特徴とす
る。

【００１１】本発明の高周波用配線基板によれば、上記
構成により、入出力部接地貫通導体を貫通導体の周りに
より近接して設けて配置したことで、貫通導体を同軸構
造により近い疑似同軸構造とするとともに、貫通導体に
対する入出力部接地貫通導体の配置を所定の領域内とす
ることで、高精度のインピーダンス整合を行うことがで
きる。従って、高周波的な不整合を解消し、高周波信号
の反射損失を低減することが可能となる。

【００１２】本発明において、好ましくは、前記領域外
で前記第１のコプレーナ線路および／または第２のコプ
レーナ線路に沿ってその前記線路導体の両側に、前記接
地導体に電気的に接続された複数の伝送部接地貫通導体
が高周波信号の波長の４分の１以下の間隔で配設されて
いることを特徴とする。

【００１３】上記構成により、コプレーナ線路の接地導
体が良好な接地状態となり、伝送損失の小さい良好な伝
送線路を形成できる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波用配線基板
を図面に基づいて説明する。図１は本発明の高周波用配
線基板の実施の形態の一例を示すものであり、それぞれ
（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線断面図、
（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線断面図、（ｄ）は下面図で
ある。いずれも高周波入出力部の近傍を示している。

【００１５】これらの図において、１は高周波用配線基
板である。２は複数の誘電体層を積層させて成る誘電体
基板、３は誘電体基板２の上面に形成された高周波信号
を伝送するための第１の線路導体、４は第１の線路導体
３の両側に配設された第１の接地導体であり、これら線
路導体３と接地導体４とで第１のコプレーナ線路５が構
成されている。６は誘電体基板２の下面にその先端が第
１の線路導体３と対向するようにして第１の線路導体３
と平行に形成された第２の線路導体、７は第２の線路導
体６の両側に配設された第２の接地導体であり、これら
線路導体６と接地導体７とで第２のコプレーナ線路８が
構成されている。

【００１６】また、１０は第１のコプレーナ線路５の線
路導体３の先端と第２のコプレーナ線路８の線路導体６
の先端とを電気的に接続する貫通導体である。

【００１７】このようにして、誘電体基板２の上面に形
成された第１のコプレーナ線路５と、誘電体基板２の下
面に形成された第２のコプレーナ線路８とを、誘電体基
板２の上下面に対向配置するとともに、両コプレーナ線
路５，８の線路導体３，６の先端同士を貫通導体１０で
電気的に接続し、高周波用配線基板１の高周波入出力部
を構成している。このような高周波入出力部では、第２
のコプレーナ線路８の線路導体６は外部電気回路基板と
の接続用の実装電極も兼ねるものとなっている。

【００１８】そして、１１ａは入出力部接地貫通導体で
あり、両コプレーナ線路５，８の第１の接地導体４，第
２の接地導体７を電気的に接続するものである。そし
て、貫通導体１０を中心とした半径０．８Ａの円と、貫
通導体１０を中心として第１および第２のコプレーナ線
路５，８に直交する方向の短辺が３Ａで第１および第２
のコプレーナ線路５，８方向の長辺が４Ａの長方形とで
囲まれる領域内に、複数の入出力部接地貫通導体１１ａ
が配置されており、貫通導体１０を中心とした擬似同軸
構造を成している。

【００１９】なお、この例では、誘電体基板２の上面に
形成された第１の接地導体４および下面に形成された第
２の接地導体７はそれぞれの線路導体３，６の先端を囲
むように延設しており、これにより、より良好な接地状
態を得ることができるものとしている。

【００２０】また、１２は誘電体基板２の上面に接合さ
れた枠体であり、Ｍは誘電体基板２の上面に形成された
半導体素子等の電子部品の搭載部である。このように搭
載部Ｍおよび枠体１２を備えることにより、この高周波
用配線基板１を高周波用電子部品を収容する電子部品収
納用パッケージとして使用することができる。

【００２１】このような本発明の高周波用配線基板１に
よれば、図３に本発明の要部の拡大上面図を示すよう
に、誘電体基板２の上面および下面において、貫通導体
１０を中心とした半径０．８Ａの円と貫通導体１０を中
心として両コプレーナ線路５，８に直交する方向の短辺
が３Ａで両コプレーナ線路方向の長辺が４Aの長方形と
で囲まれる領域内に、複数の入出力部接地貫通導体１１
ａを設けたことにより、その高周波入出力部において、
第１および第２のコプレーナ線路５，８の貫通導体１０
を、入出力部接地貫通導体１１ａにより、より同軸構造
に近い疑似同軸構造としての電気的特性を有するものと
することができる。その結果、高周波的な不整合を少な
くして反射損失を低減することができ、また、線路導体
３，６と貫通導体１０との接続部におけるグランドの位
相を等しくしてそのずれをなくすことができ、高周波信
号の反射の発生を抑制して反射損失を抑えることができ
る。

【００２２】上記の距離Ａは、具体的には０．２〜５ｍ
ｍ程度がよく、０．２ｍｍ未満では、貫通導体１０と入
出力部接地貫通導体１１ａとの電磁結合による容量成分
と誘導成分（自己誘導成分）のうち、容量成分が増加す
る。すると、インピーダンス整合に適する容量成分と誘
導成分の整合が損なわれて共振点が現れる傾向にある。
５ｍｍを超えると、容量成分が減少し、相対的に誘導成
分が大きくなるため、同様に共振点が現れる傾向にあ
る。

【００２３】ここで、入出力部接地貫通導体１１ａが、
上記領域外にある場合、貫通導体１０と入出力部接地貫
通導体１１ａとの間隔が大きくなりすぎるため、貫通導
体１０を入出力部接地貫通導体１１ａにより擬似同軸構
造とできず、所望のインピーダンスを得ることが困難と
なる。

【００２４】入出力部接地貫通導体１１ａ同士のピッチ
は、距離Ａと同様に０．２〜５ｍｍ程度がよい。

【００２５】また、入出力部接地貫通導体１１ａと貫通
導体１０とを結ぶ線について、隣接する線のなす角度は
１０〜８０°がよく、１０°未満では、貫通導体１０同
士が近づきすぎるため、誘電体基板の製法上誘電体基板
にクラックが発生し易くなる。８０°を超えると、高周
波信号が貫通導体１０を伝搬する際、入出力部貫通導体
１１ａ間から電磁波が漏れてしまい伝送損失が大きくな
る傾向にある。

【００２６】さらに上記角度について、より好ましく
は、第１のコプレーナ線路５に直交する方向の両側で距
離Ａの位置にある入出力部接地貫通導体１１ａに対す
る、伝送方向の延長側（第１の線路導体３の先端の伝送
方向延長側）と伝送方向に戻る側（第１の線路導体３の
先端から伝送方向に戻る側）で隣接する入出力部接地貫
通導体１１ａの角度は、それぞれ１０〜４０°がよい。

【００２７】また、第１のコプレーナ線路５に直交する
方向の両側で距離Ａの位置にある入出力部接地貫通導体
１１ａに対して、伝送方向の延長側にある入出力部接地
貫通導体１１ａは、貫通導体１０を中心とした半径０．
８Ａ〜１．５Ａの円で囲まれる範囲内にあることが好ま
しい。このように配置することで、より同軸構造に近似
したものとなる。半径０．８Ａ未満の領域内にあると、
貫通導体１０と入出力部接地貫通導体１１ａとの電磁結
合による容量成分と誘導成分（自己誘導成分）のうち、
容量成分が増加する。すると、インピーダンス整合に適
する容量成分と誘導成分の整合が損なわれて共振点が現
れる傾向にある。１．５Ａを超えると、容量成分が減少
し、相対的に誘導成分が大きくなるため、同様に共振点
が現れる傾向にある。

【００２８】第１のコプレーナ線路５に直交する方向の
両側で距離Ａの位置にある入出力部接地貫通導体１１ａ
に対して、伝送方向に戻る側にある入出力部接地貫通導
体１１ａは、伝送部接地貫通導体１１ｂの配列線上にほ
ぼ存在することが好ましい。これにより、インピーダン
スの異なった伝送線路同士を接続する部分で伝送される
高周波信号の反射を有効に抑制し、反射損失の発生を防
止できるという効果が得られる。

【００２９】また、入出力部接地貫通導体１１ａは、第
１のコプレーナ線路５方向（第１の線路導体３方向；伝
送方向）に対して略対称的に配置することがよく、その
場合良好な同軸構造を形成し得る。

【００３０】上記のような種々の好ましい構成は、第２
のコプレーナ線路８においても同様に採り得る。

【００３１】また、上記領域外には、第１のコプレーナ
線路５および／または第２のコプレーナ線路８に沿って
それらの線路導体３，６の両側に、接地導体４，７に電
気的に接続された複数の伝送部接地貫通導体１１ｂが高
周波信号の波長の４分の１以下の間隔で配設されてい
る。

【００３２】この伝送部接地貫通導体１１ｂが高周波信
号の波長の４分の１を超えた間隔で設けられた場合、線
路導体３，６を伝送する高周波信号の電磁界の漏れを効
果的に抑制することが困難となり、高周波入出力部にお
ける高周波信号の反射損失を抑制することが難しくな
る。従って、伝送部接地貫通導体１１ｂは高周波信号の
波長の４分の１以下の間隔で配設されることが好適であ
る。

【００３３】なお、この伝送部接地貫通導体１１ｂは、
第１および第２のコプレーナ線路方向（第１，第２の線
路導体３，６方向；伝送方向）に対して対称的に配設さ
れているのがよく、対称的に配設されていない場合、線
路導体３，６を伝送する高周波信号の電磁界の漏れを効
果的に抑制できない傾向にあり、高周波入出力部におけ
る高周波信号の反射損失を抑制できなくなる場合があ
る。

【００３４】そして、このような本発明の高周波用配線
基板１を外部電気回路基板の上面に搭載するとともに、
第２のコプレーナ線路８の線路導体６を外部電気回路基
板の接続用線路導体に、また接地導体７を外部電気回路
基板の接地導体にそれぞれ半田バンプ等の導電性接続部
材により、あるいは半田材を用いたリフロープロセスに
より電気的に接続することによって、高周波用配線基板
１が外部電気回路基板に実装されることとなる。

【００３５】次に、本発明の高周波用配線基板について
実施の形態の他の例を、図２に図１と同様の図で示す。
図２において、それぞれ（ａ）は上面図、（ｂ）は
（ａ）のＸ−Ｘ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’
線断面図、（ｄ）は下面図であり、いずれも高周波入出
力部の近傍を示している。また、図１と同様の箇所には
同じ符号を付してある。

【００３６】これらの図において、１は高周波用配線基
板、２は複数の誘電体層を積層して形成された誘電体基
板、３は誘電体基板２の上面に形成された第１の線路導
体、４は第１の線路導体３の両側に配設された第１の接
地導体、５はこれら線路導体３と接地導体４とで構成さ
れた第１のコプレーナ線路である。６は誘電体基板２の
下面にその先端が第１の線路導体３と対向するようにし
て第１の線路導体３と平行に形成された第２の線路導
体、７は第２の線路導体６の両側に配設された第２の接
地導体、８はこれら線路導体６と接地導体７とで構成さ
れた第２のコプレーナ線路である。

【００３７】９は誘電体基板２の内部に第１および第２
のコプレーナ線路５，８と対向するように形成された２
層の内層接地導体であり、９ａは第１のコプレーナ線路
５の直下の内層接地導体、９ｂは第２のコプレーナ線路
８の直上の内層接地導体である。また、１０は第１の線
路導体３の先端と第２の線路導体６の先端とを電気的に
接続する貫通導体である。

【００３８】また、１２は誘電体基板２の上面に接合さ
れた枠体であり、Ｍは誘電体基板２の上面に形成された
半導体素子等の電子部品の搭載部である。

【００３９】そして、１３ａは第１の入出力部補助接地
貫通導体、１３ｂは第２の入出力部補助接地貫通導体で
あり、誘電体基板２の上面に形成された第１の接地導体
４および下面に形成された第２の接地導体７をそれぞれ
の線路導体３，６の先端を囲むように延設されて、より
良好な接地状態を得ることができるものとしている。そ
して、第１の入出力部補助接地貫通導体１３ａは第１の
接地導体４と内層接地導体９ａとを接続し、第２の入出
力部補助接地貫通導体１３ｂは第２の接地導体７と内層
接地導体９ｂとを接続している。また、内層接地導体９
ａ，９ｂは、中間部接地貫通導体１４により、電気的に
接続されている。

【００４０】これら第１の入出力部補助接地貫通導体１
３ａ，第２の入出力部補助接地貫通導体１３ｂは、第１
の線路導体３および第２の線路導体６のそれぞれの先端
の伝送方向の延長方向で、貫通導体１０から０．２〜５
ｍｍの位置において、内層接地導体９ａ，９ｂと延設し
た接地導体４，７とをそれぞれ電気的に接続している。

【００４１】このような本発明の高周波用配線基板１に
よれば、その高周波入出力部において、図１の例と同様
に第１および第２のコプレーナ線路５，８の接続部を、
貫通導体１０と内層接地導体９ａ，９ｂと入出力部接地
貫通導体１１ａ，中間部接地貫通導体１４，第１の入出
力部補助接地貫通導体１３ａ，第２の入出力部補助接地
貫通導体１３ｂとにより、同軸構造により近い疑似同軸
構造としての電気的特性を有するものとなる。その結
果、高周波的な不整合をより少なくして反射損失を低減
することができ、また、線路導体３，６と貫通導体１０
との接続部におけるグランドの位相を等しくしてそのず
れをなくすことができ、高周波信号の反射の発生を抑制
して反射損失を抑えることができる。

【００４２】そして、第１の入出力部補助接地貫通導体
１３ａ，第２の入出力部補助接地貫通導体１３ｂを上記
の如く所定の位置に設けたことにより、前述のように線
路導体３，６の先端から伝送方向の延長方向に向かう誘
電体基板２内への高周波信号の電磁界の漏れを効果的に
抑制することができ、高周波入出力部における高周波信
号の反射損失をさらに抑制することができる。

【００４３】ここで、第１の入出力部補助接地貫通導体
１３ａおよび第２の入出力部補助接地貫通導体１３ｂを
形成する位置｛間隔Ｌ１；図２（ｂ）｝が、各線路導体
３，６の延長方向で貫通導体１０から０．２ｍｍ未満と
なると、貫通導体１０と第１の補助接地貫通導体１３ａ
および第２の補助接地貫通導体１３ｂとの電磁結合によ
る容量成分と、誘導成分（自己誘導成分）のうち容量成
分が増加する。すると、インピーダンス整合に適する容
量成分と誘導成分の整合が損なわれて共振点が現れる傾
向がある。

【００４４】他方、第１の入出力部補助接地貫通導体１
３ａおよび第２の入出力部補助接地貫通導体１３ｂを形
成する位置（間隔Ｌ１）が５ｍｍより遠い距離の位置と
なると、容量成分が減少し、相対的に誘導性成分が大き
くなるため、同様に共振点が現れることとなる傾向があ
る。従って、第１の入出力部補助接地貫通導体１３ａお
よび第２の入出力部補助接地貫通導体１３ｂを形成する
位置は、第１のコプレーナ線路５の線路導体３および第
２のコプレーナ線路８の線路導体６のそれぞれの先端の
伝送方向の延長方向で、貫通導体１０との間隔Ｌ１が
０．２≦Ｌ１≦５ｍｍの位置とすることが好ましい。

【００４５】そして、第１の入出力部補助接地貫通導体
１３ａの長さは５０μｍ〜０．５ｍｍとするのが良く、
５０μｍ未満では高周波用配線基板１の配線パターン幅
が細くなり易く、そのため搭載する半導体チップと高周
波用配線基板１との接続部で信号の反射特性の劣化が大
きくなる。０．５ｍｍを超えると、高周波用配線基板１
の配線パターン幅が広くなり易く、そのため高周波用配
線基板１の小型化を阻害することになる。また第２の入
出力部補助接地貫通導体１３ｂの長さは５０μｍ〜０．
５ｍｍとするのが良く、５０μｍ未満では高周波用配線
基板１の配線パターン幅が細くなり易く、そのためリー
ド端子の接合部の強度が弱くなる、もしくはリード端子
の接合が困難になる。０．５ｍｍを超えると、高周波用
配線基板１の配線パターン幅が広くなり易く、そのため
高周波用配線基板１の小型化を阻害することになる。

【００４６】また、第１のコプレーナ線路５の接地導体
４および第２のコプレーナ線路８の接地導体７をそれぞ
れ線路導体３，６の先端を囲むように延設する場合、第
１のコプレーナ線路５から貫通導体１０を介して第２の
コプレーナ線路８へ、あるいはその逆へ信号を伝達する
ときのロスを極小にするように容量成分を調整し、接地
導体４，７を形成する。また、このとき、抵抗，インダ
クタ，容量が、信号線路全体でマッチングした位置に形
成することが好ましい。

【００４７】そして、このような本発明の高周波用配線
基板１についても、これを外部電気回路基板の上面に搭
載するとともに、第２のコプレーナ線路８の線路導体６
を外部電気回路基板の接続用線路導体に、また接地導体
７を外部電気回路基板の接地導体にそれぞれ半田バンプ
等の導電性接続部材により、あるいは半田材を用いたリ
フロープロセスにより電気的に接続することによって、
高周波用配線基板１が外部電気回路基板に実装されるこ
ととなる。

【００４８】また、本発明でいう高周波帯域とは１〜１
００ＧＨｚ程度の高周波帯域及びミリ波帯域であり、従
って本発明の高周波用配線基板１は１〜１００ＧＨｚ程
度の高周波帯域及びミリ波帯域で使用されるものである
が、１〜８０ＧＨｚ程度の比較的周波数の低い帯域で使
用するのが好ましい。それは、８０ＧＨｚを超える高周
波帯域では高周波信号が外部磁場の影響を受け易くな
り、ノイズおよび損失の増大をもたらすからである。よ
り好ましくは、１〜４０ＧＨｚ程度で使用するのが良
い。

【００４９】なお、本発明は上記の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変更、改良を施すことは何ら差し支えない。例え
ば、上記実施の形態では、それぞれ第１および第２のコ
プレーナ線路として線路導体を１本ずつ設けた場合につ
いて示したが、線路導体を２本ずつ設けた場合やさらに
３本以上の複数本ずつ配設した多ポートの場合であって
もよい。内層接地導体９ａ，９ｂについて上記実施の形
態では２層のものについて示したが、３層以上あっても
よい。また、コプレーナ線路の線路導体にリード端子や
ボール等の接続用金属部材を取り付けた構造としてもよ
い。

【００５０】

【発明の効果】本発明は、複数の誘電体層を積層させて
成る誘電体基板の上面に形成された高周波信号を伝送す
るための第１のコプレーナ線路と、誘電体基板の下面に
第１のコプレーナ線路と平行に形成された第２のコプレ
ーナ線路とを線路導体の先端同士を対向させて配置する
とともに、これら線路導体の先端同士を貫通導体で電気
的に接続し、かつこの貫通導体から両コプレーナ線路に
直交する方向の両側で距離Ａの位置において両コプレー
ナ線路の接地導体同士を接地貫通導体で電気的に接続し
て成る高周波入出力部を具備して成り、誘電体基板の上
面および下面において、貫通導体を中心とした半径０．
８Ａの円と貫通導体を中心として両コプレーナ線路に直
交する方向の短辺が３Ａで両コプレーナ線路方向の長辺
が４Aの長方形とで囲まれる領域内に、複数の入出力部
接地貫通導体が設けられていることにより、入出力部接
地貫通導体を貫通導体の周りにより近接して設けて配置
したことで、貫通導体を同軸構造により近い疑似同軸構
造とするとともに、貫通導体に対する入出力部接地貫通
導体の配置を所定の領域内とすることで、高精度のイン
ピーダンス整合を行うことができる。従って、高周波的
な不整合を解消し、高周波信号の反射損失を低減するこ
とが可能となる。

【００５１】また本発明は、好ましくは上記領域外で第
１のコプレーナ線路および／または第２のコプレーナ線
路に沿ってその線路導体の両側に、接地導体に電気的に
接続された複数の伝送部接地貫通導体が高周波信号の波
長の４分の１以下の間隔で配設されていることにより、
コプレーナ線路の接地導体が良好な接地状態となり、伝
送損失の小さい良好な伝送線路を形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の高周波用配線基板について実
施の形態の一例を示す上面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−
Ｘ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線断面図、
（ｄ）は下面図である。

【図２】（ａ）は本発明の高周波用配線基板について実
施の形態の他の例を示す上面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−
Ｘ’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線断面図、
（ｄ）は下面図である。

【図３】図１（ａ）の要部拡大上面図である。

【符号の説明】

１：高周波用配線基板 ２：誘電体基板 ３：第１の線路導体 ４：第１の接地導体 ５：第１のコプレーナ線路 ６：第２の線路導体 ７：第２の接地導体 ８：第２のコプレーナ線路 １０：貫通導体 １１：接地貫通導体 １１ａ：入出力部接地貫通導体 １１ｂ：伝送部接地貫通導体

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｅ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の誘電体層を積層させて成る誘電体基
   板の上面に形成された高周波信号を伝送するための第１
   のコプレーナ線路と、前記誘電体基板の下面に前記第１
   のコプレーナ線路と平行に形成された第２のコプレーナ
   線路とを線路導体の先端同士を対向させて配置するとと
   もに、これら線路導体の先端同士を貫通導体で電気的に
   接続し、かつ該貫通導体から前記両コプレーナ線路に直
   交する方向の両側で距離Ａの位置において両コプレーナ
   線路の接地導体同士を接地貫通導体で電気的に接続して
   成る高周波入出力部を具備して成り、 前記上面および前記下面において、前記貫通導体を中心
   とした半径０．８Ａの円と前記貫通導体を中心として前
   記両コプレーナ線路に直交する方向の短辺が３Ａで前記
   両コプレーナ線路方向の長辺が４Aの長方形とで囲まれ
   る領域内に、複数の入出力部接地貫通導体が設けられて
   いることを特徴とする高周波用配線基板。
2. 【請求項２】前記領域外で前記第１のコプレーナ線路お
   よび／または第２のコプレーナ線路に沿ってその前記線
   路導体の両側に、前記接地導体に電気的に接続された複
   数の伝送部接地貫通導体が高周波信号の波長の４分の１
   以下の間隔で配設されていることを特徴とする請求項１
   記載の高周波用配線基板。