JP2002184855A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体素子及びその製造方法Info
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- JP2002184855A JP2002184855A JP2000381577A JP2000381577A JP2002184855A JP 2002184855 A JP2002184855 A JP 2002184855A JP 2000381577 A JP2000381577 A JP 2000381577A JP 2000381577 A JP2000381577 A JP 2000381577A JP 2002184855 A JP2002184855 A JP 2002184855A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メサ型トランジスタを製造する時にメサ溝に
保護膜を形成すると半導体基板6に撓みが生じる。 【解決手段】 半導体基板6の一方の主面7側にメサ溝
9を形成し、ここに保護膜10aを形成する。半導体基
板6の他方の主面8側に半導体基板6よりも大きい線膨
張係数を有する金属膜12を形成して半導体基板6の撓
みを緩和させる。
保護膜を形成すると半導体基板6に撓みが生じる。 【解決手段】 半導体基板6の一方の主面7側にメサ溝
9を形成し、ここに保護膜10aを形成する。半導体基
板6の他方の主面8側に半導体基板6よりも大きい線膨
張係数を有する金属膜12を形成して半導体基板6の撓
みを緩和させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、反りを防止した半
導体素子及びその製造方法に関する。
導体素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】PN接合が露出した側面を傾斜面とし、
このPN接合から延びる空乏層を広がり易くした構造、
いわゆるベベル構造を有するトランジスタ等の半導体素
子は公知である。ベベル構造を有するトランジスタを製
造する際には、例えば、図1(A)に示すように、N+
コレクタ領域1と、N形コレクタ領域2と、P形ベース
領域3と、P+形ベース領域4と、エミッタ領域5とを
有する半導体ウエハ即ち大面積の半導体基板6を用意す
る。半導体基板6は複数の半導体素子形成領域を有し、
且つ互いに対向している一方及び他方の主面7、8を有
する。次に、図1(B)に示すように半導体基板6の一
方の主面7の複数の半導体素子形成領域の相互間に周知
のメサ溝9を設ける。メサ溝9はP形ベース領域3とN
形コレクタ領域2との間のPN接合が露出するように形
成される。次に、図1(C)に示すように保護樹脂材料
膜10をメサ溝9に傾斜側面を含むように塗布し、固化
処理して、図1(D)に示す保護膜10aを得る。しか
る後、エミッタ領域、ベース電極、コレクタ電極を設
け、メサ溝9を切断して複数の半導体素子即ちトランジ
スタを分離する。
このPN接合から延びる空乏層を広がり易くした構造、
いわゆるベベル構造を有するトランジスタ等の半導体素
子は公知である。ベベル構造を有するトランジスタを製
造する際には、例えば、図1(A)に示すように、N+
コレクタ領域1と、N形コレクタ領域2と、P形ベース
領域3と、P+形ベース領域4と、エミッタ領域5とを
有する半導体ウエハ即ち大面積の半導体基板6を用意す
る。半導体基板6は複数の半導体素子形成領域を有し、
且つ互いに対向している一方及び他方の主面7、8を有
する。次に、図1(B)に示すように半導体基板6の一
方の主面7の複数の半導体素子形成領域の相互間に周知
のメサ溝9を設ける。メサ溝9はP形ベース領域3とN
形コレクタ領域2との間のPN接合が露出するように形
成される。次に、図1(C)に示すように保護樹脂材料
膜10をメサ溝9に傾斜側面を含むように塗布し、固化
処理して、図1(D)に示す保護膜10aを得る。しか
る後、エミッタ領域、ベース電極、コレクタ電極を設
け、メサ溝9を切断して複数の半導体素子即ちトランジ
スタを分離する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、保護膜10
aを形成するための保護樹脂材料膜10は、揮発性溶剤
を含有しており、これを熱処理して硬化すると、図1
(D)に示すように半導体基板6が一方の主面7側が凹
部となるように撓む、即ち、熱処理によって樹脂を硬化
する際に、樹脂材料膜10に含まれていた溶剤が揮発
し、樹脂材料膜10の体積が減少し、樹脂材料が収縮
し、各半導体素子形成領域の一方の主面7aが相互に接
近するように半導体基板6が変形する。半導体基板6が
図1(D)に示すように一方の主面7側で凹、他方の主
面8側で凸になるように撓むと、電極形成及び半導体基
板6の切断を良好に行う上で支障をきたす。また、保護
膜10aによって各半導体素子形成領域の半導体基板6
aの一方の主面7a側に圧縮力が作用し、他方の主面8
側に引っ張り力が作用し、半導体素子の特性の劣化が生
じる恐れがある。
aを形成するための保護樹脂材料膜10は、揮発性溶剤
を含有しており、これを熱処理して硬化すると、図1
(D)に示すように半導体基板6が一方の主面7側が凹
部となるように撓む、即ち、熱処理によって樹脂を硬化
する際に、樹脂材料膜10に含まれていた溶剤が揮発
し、樹脂材料膜10の体積が減少し、樹脂材料が収縮
し、各半導体素子形成領域の一方の主面7aが相互に接
近するように半導体基板6が変形する。半導体基板6が
図1(D)に示すように一方の主面7側で凹、他方の主
面8側で凸になるように撓むと、電極形成及び半導体基
板6の切断を良好に行う上で支障をきたす。また、保護
膜10aによって各半導体素子形成領域の半導体基板6
aの一方の主面7a側に圧縮力が作用し、他方の主面8
側に引っ張り力が作用し、半導体素子の特性の劣化が生
じる恐れがある。
【0004】そこで、本発明の目的は、撓みによる弊害
を防止することができる半導体素子及びその製造方法を
提供することにある。
を防止することができる半導体素子及びその製造方法を
提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、半導体基板と、前記半
導体基板の一方の主面に形成された第1の電極と、前記
半導体基板の他方の主面に形成された第2の電極とを有
し、前記半導体基板の一方の主面にメサ溝に基づく傾斜
側面が設けられており、前記傾斜側面に保護膜が形成さ
れている半導体素子において、前記第2の電極が前記半
導体基板の線膨張係数よりも大きな線膨張係数を有する
金属から形成されていることを特徴とする半導体素子に
係わるものである。
目的を達成するための本発明は、半導体基板と、前記半
導体基板の一方の主面に形成された第1の電極と、前記
半導体基板の他方の主面に形成された第2の電極とを有
し、前記半導体基板の一方の主面にメサ溝に基づく傾斜
側面が設けられており、前記傾斜側面に保護膜が形成さ
れている半導体素子において、前記第2の電極が前記半
導体基板の線膨張係数よりも大きな線膨張係数を有する
金属から形成されていることを特徴とする半導体素子に
係わるものである。
【0006】なお、請求項2に示すように、前記第2の
電極を構成する金属が、銅を含有するアルミニウムであ
ることが望ましい。また、請求項3に示すように、前記
第2の電極を構成する金属が、銅の含有率が重量比で
0.2〜0.4%のアルミニウムであることが望まし
い。また、請求項4に示すように、複数の半導体素子形
成領域を有する半導体基板を用意する工程と、前記半導
体基板の一方の主面の前記複数の半導体素子形成領域の
相互間にメサ溝を形成する工程と、前記メサ溝に保護膜
を形成する工程と、前記半導体基板の一方の主面側にお
ける前記複数の半導体素子形成領域の一方の主面に第1
の電極を形成する工程と、前記保護膜の形成工程の後で
あり且つ前記第1の電極の形成工程の前又は後又は同時
に前記半導体基板の他方の主面に前記半導体基板の線膨
張係数よりも大きな線膨張係数を有する金属から成る第
2の電極を形成する工程と、前記保護膜及び前記第1及
び第2の電極を伴なった前記半導体基板を前記メサ溝の
部分で切断する工程とを有していることが望ましい。
電極を構成する金属が、銅を含有するアルミニウムであ
ることが望ましい。また、請求項3に示すように、前記
第2の電極を構成する金属が、銅の含有率が重量比で
0.2〜0.4%のアルミニウムであることが望まし
い。また、請求項4に示すように、複数の半導体素子形
成領域を有する半導体基板を用意する工程と、前記半導
体基板の一方の主面の前記複数の半導体素子形成領域の
相互間にメサ溝を形成する工程と、前記メサ溝に保護膜
を形成する工程と、前記半導体基板の一方の主面側にお
ける前記複数の半導体素子形成領域の一方の主面に第1
の電極を形成する工程と、前記保護膜の形成工程の後で
あり且つ前記第1の電極の形成工程の前又は後又は同時
に前記半導体基板の他方の主面に前記半導体基板の線膨
張係数よりも大きな線膨張係数を有する金属から成る第
2の電極を形成する工程と、前記保護膜及び前記第1及
び第2の電極を伴なった前記半導体基板を前記メサ溝の
部分で切断する工程とを有していることが望ましい。
【0007】
【発明の効果】各請求項の発明によれば、保護膜に基づ
く半導体基板の応力を半導体基板よりも大きい線膨張係
数を有する第2の電極によって緩和又は打ち消すことが
でき、半導体素子の特性劣化を防ぐことができる。ま
た、請求項4の方法の発明によれば、複数の半導体素子
形成領域を含む半導体基板の平坦性を改善した後に切断
工程を設けるので、切断を良好に行うことができる。
く半導体基板の応力を半導体基板よりも大きい線膨張係
数を有する第2の電極によって緩和又は打ち消すことが
でき、半導体素子の特性劣化を防ぐことができる。ま
た、請求項4の方法の発明によれば、複数の半導体素子
形成領域を含む半導体基板の平坦性を改善した後に切断
工程を設けるので、切断を良好に行うことができる。
【0008】
【実施形態】次に、図1〜図3を参照して本発明の一実
施形態に係る半導体素子としてのメサ型トランジスタ及
びその製造方法を説明する。
施形態に係る半導体素子としてのメサ型トランジスタ及
びその製造方法を説明する。
【0009】図1(A)〜図1(D)に示す工程は、従
来の半導体素子の製造工程と同じである。従って、従来
方法と同様に、まず、図1の半導体ウエハ即ち複数の半
導体素子形成領域を含む大面積のシリコン半導体基板6
を用意する。この半導体基板6は、N+形半導体から成
るN+形コレクタ領域1と、N形半導体から成るN形コ
レクタ領域2と、P形半導体から成るP形ベース領域3
と、P+形半導体から成るP+形ベース領域4と、N+
形半導体から成るエミッタ領域5とを有する。複数の半
導体素子を形成するための複数のエミッタ領域5及びこ
れを囲むP+形ベース領域4は半導体基板6の一方の主
面7に露出している。N+形形コレクタ領域1は半導体
基板6の他方の主面8に露出している。
来の半導体素子の製造工程と同じである。従って、従来
方法と同様に、まず、図1の半導体ウエハ即ち複数の半
導体素子形成領域を含む大面積のシリコン半導体基板6
を用意する。この半導体基板6は、N+形半導体から成
るN+形コレクタ領域1と、N形半導体から成るN形コ
レクタ領域2と、P形半導体から成るP形ベース領域3
と、P+形半導体から成るP+形ベース領域4と、N+
形半導体から成るエミッタ領域5とを有する。複数の半
導体素子を形成するための複数のエミッタ領域5及びこ
れを囲むP+形ベース領域4は半導体基板6の一方の主
面7に露出している。N+形形コレクタ領域1は半導体
基板6の他方の主面8に露出している。
【0010】次に、図1(B)に示すように、この半導
体基板6の一方の主面7にエッチングを施してP形ベー
ス領域3とN形コレクタ7との界面に形成されたPN接
合を露出する傾斜面9aを構成するメサ溝9を形成す
る。メサ溝9は、平面的に見たときに半導体基板6の一
方の主面7に網目状に形成されており、N+コレクタ領
域1の上方部分、N形コレクタ領域2、P形ベース領域
3、P+形ベース領域4の側面を露出させる傾斜面9a
とN+形コレクタ領域1の上面を露出させる底面9bと
から構成されている。メサ溝9で囲まれた領域は半導体
素子形成領域である。従って、大面積の半導体基板6に
は複数の半導体素子形成領域6aが含まれている。
体基板6の一方の主面7にエッチングを施してP形ベー
ス領域3とN形コレクタ7との界面に形成されたPN接
合を露出する傾斜面9aを構成するメサ溝9を形成す
る。メサ溝9は、平面的に見たときに半導体基板6の一
方の主面7に網目状に形成されており、N+コレクタ領
域1の上方部分、N形コレクタ領域2、P形ベース領域
3、P+形ベース領域4の側面を露出させる傾斜面9a
とN+形コレクタ領域1の上面を露出させる底面9bと
から構成されている。メサ溝9で囲まれた領域は半導体
素子形成領域である。従って、大面積の半導体基板6に
は複数の半導体素子形成領域6aが含まれている。
【0011】次に、図1(C)に示すように、このメサ
溝9に保護膜を形成するための樹脂材料を供給して保護
樹脂材料膜10を形成する。この保護樹脂材料として
は、揮発性の溶剤を含有するポリイミド系の樹脂等が適
しているが、揮発性溶剤を含有するその他の樹脂であっ
ても良い。樹脂材料は、周知のディスペンサやスピンナ
−を使用した物理的な塗布方法によってメサ溝9に供給
することができる。また、保護樹脂材料膜10はスクリ
‐ン印刷などで形成することもできる。樹脂材料はメサ
溝9を充填し、メサ溝9の傾斜面9aと底面9bを被覆
する。図示のように、樹脂材料は半導体基板6の一方の
主面7から上方に盛り上がって形成されており、樹脂材
料の一部は半導体基板6の一方の主面7のメサ溝9の周
辺にまで広がっている。
溝9に保護膜を形成するための樹脂材料を供給して保護
樹脂材料膜10を形成する。この保護樹脂材料として
は、揮発性の溶剤を含有するポリイミド系の樹脂等が適
しているが、揮発性溶剤を含有するその他の樹脂であっ
ても良い。樹脂材料は、周知のディスペンサやスピンナ
−を使用した物理的な塗布方法によってメサ溝9に供給
することができる。また、保護樹脂材料膜10はスクリ
‐ン印刷などで形成することもできる。樹脂材料はメサ
溝9を充填し、メサ溝9の傾斜面9aと底面9bを被覆
する。図示のように、樹脂材料は半導体基板6の一方の
主面7から上方に盛り上がって形成されており、樹脂材
料の一部は半導体基板6の一方の主面7のメサ溝9の周
辺にまで広がっている。
【0012】次に、樹脂材料膜10の形成された半導体
基板6に100℃程度の熱処理を施す。これにより、樹
脂材料中に含まれる溶剤が揮発して樹脂材料が硬化する
ことで絶縁性保護膜10aが形成される。保護膜10a
は、メサ溝9を充填し、メサ溝9の傾斜面9aと底面9
bを被覆する。図示のように、保護膜10aは半導体基
板6の一方の主面7から上方に盛り上がって形成されて
おり、保護膜10aの一部は半導体基板6の一方の主面
7のメサ溝9周辺にまで広がっている。樹脂材料中の溶
剤が揮発して形成された保護膜10aは、樹脂材料に比
較して揮発した溶剤の分だけ体積が減少する。従って、
図1(D)に示す保護膜10aの体積は、図1(C)に
示す樹脂材料膜10の体積よりも減少し、収縮してい
る。この樹脂材料の体積収縮により、図1(D)に示す
ように、半導体基板6には従来技術と同様に、保護膜1
0aの形成された半導体基板6の一方の主面7側(上面
側)を凹、他方の主面8側(下面側)を凸とする撓みが
発生する。
基板6に100℃程度の熱処理を施す。これにより、樹
脂材料中に含まれる溶剤が揮発して樹脂材料が硬化する
ことで絶縁性保護膜10aが形成される。保護膜10a
は、メサ溝9を充填し、メサ溝9の傾斜面9aと底面9
bを被覆する。図示のように、保護膜10aは半導体基
板6の一方の主面7から上方に盛り上がって形成されて
おり、保護膜10aの一部は半導体基板6の一方の主面
7のメサ溝9周辺にまで広がっている。樹脂材料中の溶
剤が揮発して形成された保護膜10aは、樹脂材料に比
較して揮発した溶剤の分だけ体積が減少する。従って、
図1(D)に示す保護膜10aの体積は、図1(C)に
示す樹脂材料膜10の体積よりも減少し、収縮してい
る。この樹脂材料の体積収縮により、図1(D)に示す
ように、半導体基板6には従来技術と同様に、保護膜1
0aの形成された半導体基板6の一方の主面7側(上面
側)を凹、他方の主面8側(下面側)を凸とする撓みが
発生する。
【0013】次に、周知の熱酸化方法等によって半導体
基板6の一方の主面7にシリコン酸化膜を形成し、これ
にエッチングを施すことで図1(E)に示すシリコン酸
化膜を形成する。シリコン酸化膜11は、図示のよう
に、エミッタ領域5とP+形ベース領域4との界面に形
成されるPN接合の半導体基板6の一方の主面7におけ
る露出部分を被覆する。
基板6の一方の主面7にシリコン酸化膜を形成し、これ
にエッチングを施すことで図1(E)に示すシリコン酸
化膜を形成する。シリコン酸化膜11は、図示のよう
に、エミッタ領域5とP+形ベース領域4との界面に形
成されるPN接合の半導体基板6の一方の主面7におけ
る露出部分を被覆する。
【0014】次に、半導体基板6の他方の主面8に周知
の真空蒸着方法やスパッタリング方法等によってコレク
タ電極を構成する金属膜12を形成する。この金属膜1
2は、上述の半導体基板6の撓みを緩和するための特定
の金属材料から成る。即ち、金属膜12は、銅を重量比
で0.2〜0.4%含有するアルミニウム即ちAl9
9.6〜99.8重量%とCu0.2〜0.4重量%と
から成るAlとCu合金から成り、その線膨張係数は半
導体基板6の線膨張係数よりも大きくなっている。具体
的には、半導体基板6の線膨張係数は約2〜4×10-6
/℃、金属膜12の線膨張係数は約20〜40×10-6
/℃である。このように、半導体基板6の線膨張係数よ
りも大きい線膨脹係数を有する金属膜12を形成するこ
とによって、蒸着あるいはスパッタリング後に金属膜1
2が収縮する際に、半導体基板6にその他方の主面8側
(下面側)を凹、一方の主面7側(上面側)を凸とする
撓みが発生させようとする。この撓みの方向は、樹脂材
料が硬化して保護膜10aが形成された際に半導体基板
6に発生する撓みと反対方向である。このため、保護膜
10aの形成に伴なう半導体基板6の撓みがキャンセル
されて半導体基板6の撓みが減少し、図示のように両主
面が平坦化した半導体基板6が得られる。本実施形態で
は、金属膜12の厚みを8μmに設定した。
の真空蒸着方法やスパッタリング方法等によってコレク
タ電極を構成する金属膜12を形成する。この金属膜1
2は、上述の半導体基板6の撓みを緩和するための特定
の金属材料から成る。即ち、金属膜12は、銅を重量比
で0.2〜0.4%含有するアルミニウム即ちAl9
9.6〜99.8重量%とCu0.2〜0.4重量%と
から成るAlとCu合金から成り、その線膨張係数は半
導体基板6の線膨張係数よりも大きくなっている。具体
的には、半導体基板6の線膨張係数は約2〜4×10-6
/℃、金属膜12の線膨張係数は約20〜40×10-6
/℃である。このように、半導体基板6の線膨張係数よ
りも大きい線膨脹係数を有する金属膜12を形成するこ
とによって、蒸着あるいはスパッタリング後に金属膜1
2が収縮する際に、半導体基板6にその他方の主面8側
(下面側)を凹、一方の主面7側(上面側)を凸とする
撓みが発生させようとする。この撓みの方向は、樹脂材
料が硬化して保護膜10aが形成された際に半導体基板
6に発生する撓みと反対方向である。このため、保護膜
10aの形成に伴なう半導体基板6の撓みがキャンセル
されて半導体基板6の撓みが減少し、図示のように両主
面が平坦化した半導体基板6が得られる。本実施形態で
は、金属膜12の厚みを8μmに設定した。
【0015】次に、半導体基板6の一方の主面7に周知
の真空蒸着方法やスパッタリング方法等によって金属膜
から成るベース電極13とエミッタ電極14を形成す
る。ベース電極13及びエミッタ電極14は、銅を含有
しないアルミニウムから形成されており、その線膨張係
数は半導体基板6の他方の主面8に形成されたコレクタ
電極を構成する金属膜12の線膨脹係数よりも小さくな
っている。
の真空蒸着方法やスパッタリング方法等によって金属膜
から成るベース電極13とエミッタ電極14を形成す
る。ベース電極13及びエミッタ電極14は、銅を含有
しないアルミニウムから形成されており、その線膨張係
数は半導体基板6の他方の主面8に形成されたコレクタ
電極を構成する金属膜12の線膨脹係数よりも小さくな
っている。
【0016】最後に、図2で破線で示すメサ溝9部分に
おいて半導体基板6を切断分離して図3に示すメサ型ト
ランジスタ素子を得る。トランジスタの半導体基板6a
は他方の主面8に金属膜12に基づくコレクタ電極12
aを有する。半導体基板6aの傾斜側面9a及びN+形
コレクタ領域1の上面9b及び一方の主面7aの周辺部
分に保護膜10aが配置されている。
おいて半導体基板6を切断分離して図3に示すメサ型ト
ランジスタ素子を得る。トランジスタの半導体基板6a
は他方の主面8に金属膜12に基づくコレクタ電極12
aを有する。半導体基板6aの傾斜側面9a及びN+形
コレクタ領域1の上面9b及び一方の主面7aの周辺部
分に保護膜10aが配置されている。
【0017】本実施形態は次の効果を有する。 (1) 半導体基板6よりも線膨張係数の大きい金属膜
12を形成することによって保護膜10aの形成によっ
て生じた撓みを打ち消し、半導体基板6の平坦性を良く
することができるので、その後のベース電極13及びエ
ミッタ電極14の形成及び半導体基板6の切断を容易且
つ高精度に行うことができる。即ち、素子の微細加工及
び高集積化が可能になる。 (2) 半導体基板6の一方の主面7側に圧縮力、半導
体基板6の他方の主面8側に引っ張り力が強く加わるこ
とが防止されるため、素子の特性劣化を防ぐことができ
る。
12を形成することによって保護膜10aの形成によっ
て生じた撓みを打ち消し、半導体基板6の平坦性を良く
することができるので、その後のベース電極13及びエ
ミッタ電極14の形成及び半導体基板6の切断を容易且
つ高精度に行うことができる。即ち、素子の微細加工及
び高集積化が可能になる。 (2) 半導体基板6の一方の主面7側に圧縮力、半導
体基板6の他方の主面8側に引っ張り力が強く加わるこ
とが防止されるため、素子の特性劣化を防ぐことができ
る。
【0018】
【変形例】本発明は上述の実施形態に限定されるもので
なく、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 実施形態では、半導体基板6の裏面の金属膜1
2を銅の含有率が重量比で0.2〜0.4%のアルミニ
ウムで形成したが、それ以外の金属膜で形成することで
きる。但し、銅を含有するアルミニウムは、保護膜10
aによる基板6の撓みを良好に緩和するに最適な線膨張
係数を有するので、本発明の裏面電極を形成する金属と
して望ましい。特に、銅の含有率が重量比で0.2〜
0.4%のアルミニウムは、耐腐食性にも優れているの
で、本発明の半導体基板の他方の主面の第2の電極を形
成する金属として最も望ましい。 (2) 半導体基板6の金属膜12の厚みは、保護膜1
0aによる基板6の撓みを良好緩和するために、3μm
以上、望ましくは5μm以上にするのが良い。 (3) トランジスタ以外のダイオード、サイリスタ等
の半導体素子にも本発明を適用することができる。 (4) ベ−ス電極13、エミッタ電極14を金属膜1
2よりも先に形成することができる。 (5) 保護膜は、電気泳動法や遠心分離法等で形成し
てガラスパッシベ−ションとしてもよい。
なく、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 実施形態では、半導体基板6の裏面の金属膜1
2を銅の含有率が重量比で0.2〜0.4%のアルミニ
ウムで形成したが、それ以外の金属膜で形成することで
きる。但し、銅を含有するアルミニウムは、保護膜10
aによる基板6の撓みを良好に緩和するに最適な線膨張
係数を有するので、本発明の裏面電極を形成する金属と
して望ましい。特に、銅の含有率が重量比で0.2〜
0.4%のアルミニウムは、耐腐食性にも優れているの
で、本発明の半導体基板の他方の主面の第2の電極を形
成する金属として最も望ましい。 (2) 半導体基板6の金属膜12の厚みは、保護膜1
0aによる基板6の撓みを良好緩和するために、3μm
以上、望ましくは5μm以上にするのが良い。 (3) トランジスタ以外のダイオード、サイリスタ等
の半導体素子にも本発明を適用することができる。 (4) ベ−ス電極13、エミッタ電極14を金属膜1
2よりも先に形成することができる。 (5) 保護膜は、電気泳動法や遠心分離法等で形成し
てガラスパッシベ−ションとしてもよい。
【図1】本発明の実施形態に従うメサ型トランジスタを
製造工程順に示す断面図である。
製造工程順に示す断面図である。
【図2】図1(E)に続く工程におけるトランジスタを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図3】切断後のトランジスタを示す断面図である。
6、6a 半導体基板 9 メサ溝 10 保護樹脂材料膜 10a 保護膜 12 金属膜 12a コレクタ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 29/74 Fターム(参考) 4M104 AA01 BB02 DD34 DD37 EE09 EE18 FF02 GG02 GG06 GG07 HH20 5F003 AP00 BA92 BH05 5F005 BA02 BB02 GA01 GA02 5F032 AA35 AA50 CA18 DA10 DA22 DA74
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体基板と、前記半導体基板の一方の
主面に形成された第1の電極と、前記半導体基板の他方
の主面に形成された第2の電極とを有し、前記半導体基
板の一方の主面にメサ溝に基づく傾斜側面が設けられて
おり、前記傾斜側面に保護膜が形成されている半導体素
子において、 前記第2の電極が前記半導体基板の線膨張係数よりも大
きな線膨張係数を有する金属から形成されていることを
特徴とする半導体素子。 - 【請求項2】 前記第2の電極を構成する金属が、銅を
含有するアルミニウムである請求項1記載の半導体素
子。 - 【請求項3】 前記第2の電極を構成する金属が、銅の
含有率が重量比で0.2〜0.4%のアルミニウムであ
る請求項2記載の半導体素子。 - 【請求項4】 複数の半導体素子形成領域を有する半導
体基板を用意する工程と、 前記半導体基板の一方の主面の前記複数の半導体素子形
成領域の相互間にメサ溝を形成する工程と、 前記メサ溝に保護膜を形成する工程と、 前記半導体基板の一方の主面側における前記複数の半導
体素子形成領域の一方の主面に第1の電極を形成する工
程と、 前記保護膜の形成工程の後であり且つ前記第1の電極の
形成工程の前又は後又は同時に前記半導体基板の他方の
主面に前記半導体基板の線膨張係数よりも大きな線膨張
係数を有する金属から成る第2の電極を形成する工程
と、 前記保護膜及び前記第1及び第2の電極を伴なった前記
半導体基板を前記メサ溝の部分で切断する工程とを有し
ていることを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000381577A JP2002184855A (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 半導体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2000381577A JP2002184855A (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 半導体素子及びその製造方法 |
Publications (1)
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ID=18849550
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2002184855A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227398A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製法 |
WO2022158365A1 (ja) * | 2021-01-20 | 2022-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN116360159A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-06-30 | 惠科股份有限公司 | 发光模组和显示装置 |
-
2000
- 2000-12-15 JP JP2000381577A patent/JP2002184855A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227398A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製法 |
WO2022158365A1 (ja) * | 2021-01-20 | 2022-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN116360159A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-06-30 | 惠科股份有限公司 | 发光模组和显示装置 |
CN116360159B (zh) * | 2023-06-02 | 2023-09-05 | 惠科股份有限公司 | 发光模组和显示装置 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041018 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041110 |