JP2002178260A - ポリッシング装置 - Google Patents
ポリッシング装置Info
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- JP2002178260A JP2002178260A JP2000381775A JP2000381775A JP2002178260A JP 2002178260 A JP2002178260 A JP 2002178260A JP 2000381775 A JP2000381775 A JP 2000381775A JP 2000381775 A JP2000381775 A JP 2000381775A JP 2002178260 A JP2002178260 A JP 2002178260A
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- polished
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨剤供給部から供給される研磨剤は被研磨
物のポリッシングに使用されるが、研磨により生じる研
磨屑が研磨剤に含まれる。この研磨屑が被研磨面に傷を
付ける原因となった。また、定盤の平坦度の劣化を促進
させる一因にもなった。 【解決手段】 ポリッシング装置101は、定盤2と、
被研磨物である半導体ウェハ3が貼り付けられたウェハ
保持治具4を定盤2の研磨面に押しつけるフィクスチャ
ー5と、研磨砥液6を供給する研磨剤供給部102と、
研磨屑11を含む研磨砥液6を洗い流す流体噴射部10
3とで構成され、研磨剤供給部102を定盤2の回転方
向に対しウェハ保持治具4の上流側でかつ定盤2の半径
方向に配置し、研磨により生じる研磨屑11を含む研磨
砥液6を定盤2上から洗い流すための流体を噴射する流
体噴射部103をウェハ保持治具4の下流側でかつ定盤
2の半径方向に配置する。
物のポリッシングに使用されるが、研磨により生じる研
磨屑が研磨剤に含まれる。この研磨屑が被研磨面に傷を
付ける原因となった。また、定盤の平坦度の劣化を促進
させる一因にもなった。 【解決手段】 ポリッシング装置101は、定盤2と、
被研磨物である半導体ウェハ3が貼り付けられたウェハ
保持治具4を定盤2の研磨面に押しつけるフィクスチャ
ー5と、研磨砥液6を供給する研磨剤供給部102と、
研磨屑11を含む研磨砥液6を洗い流す流体噴射部10
3とで構成され、研磨剤供給部102を定盤2の回転方
向に対しウェハ保持治具4の上流側でかつ定盤2の半径
方向に配置し、研磨により生じる研磨屑11を含む研磨
砥液6を定盤2上から洗い流すための流体を噴射する流
体噴射部103をウェハ保持治具4の下流側でかつ定盤
2の半径方向に配置する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、定盤に半導体ウェ
ハなどの被研磨物を押し当て研磨剤を供給しつつ被研磨
物の被研磨面を研磨するポリッシング装置に関する。
ハなどの被研磨物を押し当て研磨剤を供給しつつ被研磨
物の被研磨面を研磨するポリッシング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のポリッシング装置の一例として半
導体ウェハの裏面を研磨する枚葉型ポリッシング装置を
その構成を示す要部斜視図である図4,5と、半導体ウ
ェハを貼り付けるウェハ保持治具を示す説明図である図
6と、半導体ウェハを通過する前後の研磨剤の状態を示
す断面図である図7とを参照して説明する。図4に示す
ようにポリッシング装置1は、定盤2と、被研磨物であ
る半導体ウェハ3が貼り付けられたウェハ保持治具4を
定盤2の研磨面に押しつけるフィクスチャー5と、研磨
剤としての砥粒を含む研磨砥液6を供給する研磨剤供給
部7とで構成されている。定盤2はモータ(図示せず)
に連結されており、軸心回りに回転可能になっている
(図中に矢印で示す)。ウェハ保持治具4には図6に示
すように例えば3枚の半導体ウェハ3が任意の位置に、
被研磨面3aを上にして貼付け用のワックス8,薬包紙
9,ワックス8,半導体ウェハ3の順に重ねて貼り付け
られる。薬包紙9は半導体ウェハ3をウェハ保持治具4
に脱着するときに傷が付かないように保護するためのも
のである。フィクスチャー5はモータ(図示せず)及び
昇降シリンダ(図示せず)に連結され昇降可能で、かつ
軸心回りに回転可能になっており(図中に矢印で示
す)、ウェハ保持治具4を定盤2に対して任意の圧力で
押圧しながら回転させられるようになっている。すなわ
ち、定盤2とウェハ保持治具4の運動としては自転運動
する定盤2上の偏心した位置でウェハ保持治具4が自転
運動するのである。一方、定盤2上に研磨砥液6を供給
する研磨剤供給部7は定盤2の中心近くの上空に配置さ
れ、例えばノズル状の研磨砥液流出孔10から回転する
定盤2上に研磨砥液6を滴下する。研磨剤供給部7は研
磨剤が溜められた研磨剤タンク(図示せず)に繋がって
いる。定盤2上に滴下された研磨砥液6は回転する定盤
2の遠心力により定盤2上を広がる。研磨砥液流出孔1
0の定盤2に対する配置位置と供給圧力を変化させるな
どして研磨砥液6の滴下量とを調整し、半導体ウェハ3
全部に研磨砥液6が行き渡るようにする。また、定盤2
に研磨砥液6をより均一に供給するために研磨砥液流出
孔10を複数個具備して定盤2半径方向に配列してもよ
い。これにより、半導体ウェハ3の被研磨面3aと定盤
2との間に研磨砥液6が介在した状態でポリッシングが
行われる。また、図7に示すように供給された新しい研
磨砥液6が半導体ウェハ3を通過すると研磨砥液6には
研磨により発生した研磨屑11が含まれる。この研磨屑
11を含む研磨砥液6のいくらかは遠心力により定盤2
の外へ流れ落ち廃液受け部12で回収されるが、定盤2
上に残った研磨砥液6は回転してきて再度、研磨砥液流
出孔10より供給される新しい研磨砥液6と混じり半導
体ウェハ3のポリッシングに使用されることになる。
導体ウェハの裏面を研磨する枚葉型ポリッシング装置を
その構成を示す要部斜視図である図4,5と、半導体ウ
ェハを貼り付けるウェハ保持治具を示す説明図である図
6と、半導体ウェハを通過する前後の研磨剤の状態を示
す断面図である図7とを参照して説明する。図4に示す
ようにポリッシング装置1は、定盤2と、被研磨物であ
る半導体ウェハ3が貼り付けられたウェハ保持治具4を
定盤2の研磨面に押しつけるフィクスチャー5と、研磨
剤としての砥粒を含む研磨砥液6を供給する研磨剤供給
部7とで構成されている。定盤2はモータ(図示せず)
に連結されており、軸心回りに回転可能になっている
(図中に矢印で示す)。ウェハ保持治具4には図6に示
すように例えば3枚の半導体ウェハ3が任意の位置に、
被研磨面3aを上にして貼付け用のワックス8,薬包紙
9,ワックス8,半導体ウェハ3の順に重ねて貼り付け
られる。薬包紙9は半導体ウェハ3をウェハ保持治具4
に脱着するときに傷が付かないように保護するためのも
のである。フィクスチャー5はモータ(図示せず)及び
昇降シリンダ(図示せず)に連結され昇降可能で、かつ
軸心回りに回転可能になっており(図中に矢印で示
す)、ウェハ保持治具4を定盤2に対して任意の圧力で
押圧しながら回転させられるようになっている。すなわ
ち、定盤2とウェハ保持治具4の運動としては自転運動
する定盤2上の偏心した位置でウェハ保持治具4が自転
運動するのである。一方、定盤2上に研磨砥液6を供給
する研磨剤供給部7は定盤2の中心近くの上空に配置さ
れ、例えばノズル状の研磨砥液流出孔10から回転する
定盤2上に研磨砥液6を滴下する。研磨剤供給部7は研
磨剤が溜められた研磨剤タンク(図示せず)に繋がって
いる。定盤2上に滴下された研磨砥液6は回転する定盤
2の遠心力により定盤2上を広がる。研磨砥液流出孔1
0の定盤2に対する配置位置と供給圧力を変化させるな
どして研磨砥液6の滴下量とを調整し、半導体ウェハ3
全部に研磨砥液6が行き渡るようにする。また、定盤2
に研磨砥液6をより均一に供給するために研磨砥液流出
孔10を複数個具備して定盤2半径方向に配列してもよ
い。これにより、半導体ウェハ3の被研磨面3aと定盤
2との間に研磨砥液6が介在した状態でポリッシングが
行われる。また、図7に示すように供給された新しい研
磨砥液6が半導体ウェハ3を通過すると研磨砥液6には
研磨により発生した研磨屑11が含まれる。この研磨屑
11を含む研磨砥液6のいくらかは遠心力により定盤2
の外へ流れ落ち廃液受け部12で回収されるが、定盤2
上に残った研磨砥液6は回転してきて再度、研磨砥液流
出孔10より供給される新しい研磨砥液6と混じり半導
体ウェハ3のポリッシングに使用されることになる。
【0003】また、上記のポリッシング作業を所定時間
継続すると、定盤2には砥粒や研磨屑11が付着したり
定盤2の平坦度が悪化して研磨性能が劣化するため修正
リングを用いて定盤2の平坦度を回復する修正作業を行
う必要がある。この修正作業は半導体ウェハ3の研磨と
は別に実施する場合と、半導体ウェハ3の研磨作業と並
行して実施する場合とがある。すなわち、前者では、修
正リングは半導体ウェハ3の研磨作業時には定盤2から
外れた位置にあり修正作業時にのみ定盤2上に設置する
ものである。これに対して後者では、図5に示すように
修正リング13は、半導体ウェハ3の研磨作業時にも常
時、定盤2上に設置するものである。修正リング13は
定盤2を研磨する面にダイヤモンド電着リング面14を
備えている。修正方法は回転する定盤2の研磨面に修正
リング13のダイヤモンド電着リング面14を当接させ
て修正リング13を軸中心回転させることで定盤2の研
磨面を薄く削り取り平坦度を回復させるものである。修
正リング13の駆動力は、例えば図5では修正リング1
3を単に定盤2上に自重で置き、外部からのアームによ
り軸支された回転自在なガイドリング15を2個配置し
て修正リング13を回転可能に保持させ、定盤2の回転
により定盤2半径内側と半径外側の周速度の違いによっ
て生じる回転力によって回転させるものであるが、モー
ター(図示せず)などと連結させて強制的に回転させる
ものであってもよい。修正リング13の直径はウェハ保
持治具4の直径より大きく、半導体ウェハ3が定盤2上
を通過する全ての領域を修正するように配置される。半
導体ウェハ3の研磨作業と並行して修正作業を行う場合
には、修正リング13は常に定盤2上に押し当てられて
いるため研磨砥液6には半導体ウェハ3の研磨による研
磨屑11に加えて修正リング13による定盤2の研磨に
より発生する研磨屑11も含まれることになる。
継続すると、定盤2には砥粒や研磨屑11が付着したり
定盤2の平坦度が悪化して研磨性能が劣化するため修正
リングを用いて定盤2の平坦度を回復する修正作業を行
う必要がある。この修正作業は半導体ウェハ3の研磨と
は別に実施する場合と、半導体ウェハ3の研磨作業と並
行して実施する場合とがある。すなわち、前者では、修
正リングは半導体ウェハ3の研磨作業時には定盤2から
外れた位置にあり修正作業時にのみ定盤2上に設置する
ものである。これに対して後者では、図5に示すように
修正リング13は、半導体ウェハ3の研磨作業時にも常
時、定盤2上に設置するものである。修正リング13は
定盤2を研磨する面にダイヤモンド電着リング面14を
備えている。修正方法は回転する定盤2の研磨面に修正
リング13のダイヤモンド電着リング面14を当接させ
て修正リング13を軸中心回転させることで定盤2の研
磨面を薄く削り取り平坦度を回復させるものである。修
正リング13の駆動力は、例えば図5では修正リング1
3を単に定盤2上に自重で置き、外部からのアームによ
り軸支された回転自在なガイドリング15を2個配置し
て修正リング13を回転可能に保持させ、定盤2の回転
により定盤2半径内側と半径外側の周速度の違いによっ
て生じる回転力によって回転させるものであるが、モー
ター(図示せず)などと連結させて強制的に回転させる
ものであってもよい。修正リング13の直径はウェハ保
持治具4の直径より大きく、半導体ウェハ3が定盤2上
を通過する全ての領域を修正するように配置される。半
導体ウェハ3の研磨作業と並行して修正作業を行う場合
には、修正リング13は常に定盤2上に押し当てられて
いるため研磨砥液6には半導体ウェハ3の研磨による研
磨屑11に加えて修正リング13による定盤2の研磨に
より発生する研磨屑11も含まれることになる。
【0004】尚、上記の説明では定盤2上のウェハ保持
治具4,研磨剤供給部7,修正リング13の組が一つの
場合で説明したが、研磨作業のスループットを上げるた
めに定盤2上に複数組設置されるものもある。
治具4,研磨剤供給部7,修正リング13の組が一つの
場合で説明したが、研磨作業のスループットを上げるた
めに定盤2上に複数組設置されるものもある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法には以下の
問題があった。研磨剤供給部から供給された研磨剤は、
被研磨物のポリッシングに使用されるが、このとき、研
磨により生じる研磨屑が研磨剤に含まれる。この研磨屑
を含む研磨剤はその内のいくらかは遠心力により定盤の
外へ流れ落ちるが、定盤上に残った研磨剤は回転してき
て再度、研磨剤供給部より供給される新しい研磨剤と混
じり被研磨物のポリッシングに使用されることになる。
これを繰り返すうちに研磨剤に含まれる研磨屑の量が増
え被研磨物の被研磨面に傷を付ける原因となったり、定
盤の平坦度の劣化を促進させる一因にもなった。定盤の
平坦度が劣化すると修正リングによる修正作業が必要と
なり修正作業を研磨作業とは別作業として行なう場合に
は、当然その間のスループットを低下させるという問題
点があった。また、もう一つの作業方法として被研磨物
の研磨作業と並行して修正作業を行なう場合には、修正
作業により生じる定盤からの研磨屑も研磨剤に含まれる
ため、被研磨物の研磨面に傷を付ける危険が増した。ま
た、修正リングを研磨作業中も定盤上に配置すること
は、その分、定盤上の被研磨物を配置するスペースを減
らすことになりスループット増加の妨げとなった。
問題があった。研磨剤供給部から供給された研磨剤は、
被研磨物のポリッシングに使用されるが、このとき、研
磨により生じる研磨屑が研磨剤に含まれる。この研磨屑
を含む研磨剤はその内のいくらかは遠心力により定盤の
外へ流れ落ちるが、定盤上に残った研磨剤は回転してき
て再度、研磨剤供給部より供給される新しい研磨剤と混
じり被研磨物のポリッシングに使用されることになる。
これを繰り返すうちに研磨剤に含まれる研磨屑の量が増
え被研磨物の被研磨面に傷を付ける原因となったり、定
盤の平坦度の劣化を促進させる一因にもなった。定盤の
平坦度が劣化すると修正リングによる修正作業が必要と
なり修正作業を研磨作業とは別作業として行なう場合に
は、当然その間のスループットを低下させるという問題
点があった。また、もう一つの作業方法として被研磨物
の研磨作業と並行して修正作業を行なう場合には、修正
作業により生じる定盤からの研磨屑も研磨剤に含まれる
ため、被研磨物の研磨面に傷を付ける危険が増した。ま
た、修正リングを研磨作業中も定盤上に配置すること
は、その分、定盤上の被研磨物を配置するスペースを減
らすことになりスループット増加の妨げとなった。
【0006】本発明の目的は、一度、被研磨物の研磨に
使用された研磨屑を含む研磨剤が再度、被研磨物の研磨
に使用されることをなくし研磨屑により被研磨物の被研
磨面に傷が付くことを防止するとともに、定盤の平坦度
寿命を延命し、その修正作業の頻度の低減を図りスルー
プットの増加を図るものである。
使用された研磨屑を含む研磨剤が再度、被研磨物の研磨
に使用されることをなくし研磨屑により被研磨物の被研
磨面に傷が付くことを防止するとともに、定盤の平坦度
寿命を延命し、その修正作業の頻度の低減を図りスルー
プットの増加を図るものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、第1の回転軸周りに回転
する定盤と、第1の回転軸から偏心配置された第2の回
転軸周りに回転し下面に薄板状の被研磨物を保持する被
研磨物保持部とを、被研磨物の被研磨面が定盤に近接し
て対向するように配置し定盤上に研磨剤を供給しつつ定
盤と被研磨物保持部とを回転させて被研磨面を研磨する
ポリッシング装置において、研磨剤供給部を定盤の回転
方向に対し被研磨物保持部の上流側でかつ定盤の半径方
向に配置し、研磨により生じる研磨屑を含む研磨剤を定
盤上から洗い流すための流体を噴射する流体噴射部を被
研磨物保持部の下流側でかつ定盤の半径方向に配置した
ことを特徴とするポリッシング装置である。
するために提案されたもので、第1の回転軸周りに回転
する定盤と、第1の回転軸から偏心配置された第2の回
転軸周りに回転し下面に薄板状の被研磨物を保持する被
研磨物保持部とを、被研磨物の被研磨面が定盤に近接し
て対向するように配置し定盤上に研磨剤を供給しつつ定
盤と被研磨物保持部とを回転させて被研磨面を研磨する
ポリッシング装置において、研磨剤供給部を定盤の回転
方向に対し被研磨物保持部の上流側でかつ定盤の半径方
向に配置し、研磨により生じる研磨屑を含む研磨剤を定
盤上から洗い流すための流体を噴射する流体噴射部を被
研磨物保持部の下流側でかつ定盤の半径方向に配置した
ことを特徴とするポリッシング装置である。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明のポリッシング装置は、研
磨剤供給部を定盤の回転方向に対し被研磨物保持部の上
流側でかつ定盤の半径方向に配置し、研磨により生じる
研磨屑を含む研磨剤を定盤上から洗い流すための流体を
噴射する流体噴射部を被研磨物保持部の下流側でかつ定
盤の半径方向に配置する。流体噴射部から噴射する流体
としては研磨により生じる研磨屑を含む研磨剤を洗い流
せて被研磨物に対して無害のものであれば何でもよく、
例えば水,有機溶剤,酸,アルカリ,界面活性剤等の液
体を使用してもよく、空気,窒素などの気体でもよい。
廃液処理が容易なものが望ましく、その点では気体がよ
いが研磨剤を洗い流す力の点では液体がよい。また、気
体と液体の流体噴射部を併設してもよい。流体を噴射す
る流体噴射部としては研磨屑を含む研磨剤をより確実に
洗い流すために複数の噴射孔を有し定盤の半径方向に配
列したり、その各噴射孔毎に噴射量を可変にすべく噴射
孔の大きさを変えたり、噴射圧を調整する噴射圧調整コ
ックを備えるとよい。また、回転する定盤に追従して流
体による洗い流しが好適にできるように定盤の中心近く
の噴射孔より外周の噴射孔を定盤の回転方向に沿って下
流側に斜めに配置するとよい。
磨剤供給部を定盤の回転方向に対し被研磨物保持部の上
流側でかつ定盤の半径方向に配置し、研磨により生じる
研磨屑を含む研磨剤を定盤上から洗い流すための流体を
噴射する流体噴射部を被研磨物保持部の下流側でかつ定
盤の半径方向に配置する。流体噴射部から噴射する流体
としては研磨により生じる研磨屑を含む研磨剤を洗い流
せて被研磨物に対して無害のものであれば何でもよく、
例えば水,有機溶剤,酸,アルカリ,界面活性剤等の液
体を使用してもよく、空気,窒素などの気体でもよい。
廃液処理が容易なものが望ましく、その点では気体がよ
いが研磨剤を洗い流す力の点では液体がよい。また、気
体と液体の流体噴射部を併設してもよい。流体を噴射す
る流体噴射部としては研磨屑を含む研磨剤をより確実に
洗い流すために複数の噴射孔を有し定盤の半径方向に配
列したり、その各噴射孔毎に噴射量を可変にすべく噴射
孔の大きさを変えたり、噴射圧を調整する噴射圧調整コ
ックを備えるとよい。また、回転する定盤に追従して流
体による洗い流しが好適にできるように定盤の中心近く
の噴射孔より外周の噴射孔を定盤の回転方向に沿って下
流側に斜めに配置するとよい。
【0009】また、被研磨物を研磨する研磨作業と、修
正リングを用いて定盤の平坦度を修正する修正作業とを
並行して行なう場合には、上記に加えて修正リングが定
盤の回転方向に対し被研磨物保持部の下流側に配置され
るが、研磨剤供給部を被研磨物保持部の上流側でかつ定
盤の半径方向に配置し、研磨により生じる研磨屑を含む
研磨剤を定盤上から洗い流すための流体を噴射する流体
噴射部を修正リングの下流側でかつ定盤の半径方向に配
置する。
正リングを用いて定盤の平坦度を修正する修正作業とを
並行して行なう場合には、上記に加えて修正リングが定
盤の回転方向に対し被研磨物保持部の下流側に配置され
るが、研磨剤供給部を被研磨物保持部の上流側でかつ定
盤の半径方向に配置し、研磨により生じる研磨屑を含む
研磨剤を定盤上から洗い流すための流体を噴射する流体
噴射部を修正リングの下流側でかつ定盤の半径方向に配
置する。
【0010】
【実施例】本発明に基づくポリッシング装置の一例とし
て半導体ウェハの裏面を研磨する枚葉型ポリッシング装
置101について、その構成を示す要部斜視図1,2を
用いて説明する。図1,2は修正リングによる定盤の修
正作業と研磨作業とを別作業として行なう場合の構成で
あり、図3は修正リングによる定盤の修正作業と研磨作
業とを並行して行なう場合の構成である。図4〜7と同
一部分については同一符号を付して説明を省略する。図
1に示すポリッシング装置101は、定盤2と、被研磨
物である半導体ウェハ3が貼り付けられたウェハ保持治
具4を定盤2の研磨面に押しつけるフィクスチャー5
と、研磨砥液6を供給する研磨剤供給部102と、研磨
屑11を含む研磨砥液6を洗い流す流体噴射部103と
で構成され、研磨剤供給部102を定盤2の回転方向に
対しウェハ保持治具4の上流側でかつ定盤2の半径方向
に配置し、研磨により生じる研磨屑11を含む研磨砥液
6を定盤2上から洗い流すための流体を噴射する流体噴
射部103をウェハ保持治具4の下流側でかつ定盤2の
半径方向に配置する。研磨剤供給部102は複数の研磨
砥液流出孔104を有する円筒上のもので複数の研磨砥
液流出孔104より研磨砥液6を定盤2上に流下する。
これにより半導体ウェハ3に対し均一な研磨砥液6を供
給できる。流体噴射部103は複数の流体噴射孔105
を有する円筒上のもので複数の流体噴射孔105より水
106を定盤2上に勢いよく噴射する。流体噴射部10
3には噴射圧調整コック107が付いていて噴射圧の調
整が可能となっている。流体噴射孔105は真下よりや
や定盤2外周方向に向けて開口していて研磨屑11を含
む研磨砥液6を定盤2の外部へ押し流すようになってい
る。押し流された研磨屑11を含む研磨砥液6は廃液受
け部12で回収される。すなわち、半導体ウェハ3を通
過した研磨屑11を含んだ研磨砥液6はすべて洗い流さ
れて再度、半導体ウェハ3の研磨に使用されることはな
く、半導体ウェハ3は常に新しい研磨砥液6でポリッシ
ングされることになり被研磨面3aに傷の付かない好適
な研磨ができる。研磨砥液6の使用量が若干増加するこ
とが予測されるが、これは回収した廃液を浄化するなど
して再利用する方向で解決することは容易である。
て半導体ウェハの裏面を研磨する枚葉型ポリッシング装
置101について、その構成を示す要部斜視図1,2を
用いて説明する。図1,2は修正リングによる定盤の修
正作業と研磨作業とを別作業として行なう場合の構成で
あり、図3は修正リングによる定盤の修正作業と研磨作
業とを並行して行なう場合の構成である。図4〜7と同
一部分については同一符号を付して説明を省略する。図
1に示すポリッシング装置101は、定盤2と、被研磨
物である半導体ウェハ3が貼り付けられたウェハ保持治
具4を定盤2の研磨面に押しつけるフィクスチャー5
と、研磨砥液6を供給する研磨剤供給部102と、研磨
屑11を含む研磨砥液6を洗い流す流体噴射部103と
で構成され、研磨剤供給部102を定盤2の回転方向に
対しウェハ保持治具4の上流側でかつ定盤2の半径方向
に配置し、研磨により生じる研磨屑11を含む研磨砥液
6を定盤2上から洗い流すための流体を噴射する流体噴
射部103をウェハ保持治具4の下流側でかつ定盤2の
半径方向に配置する。研磨剤供給部102は複数の研磨
砥液流出孔104を有する円筒上のもので複数の研磨砥
液流出孔104より研磨砥液6を定盤2上に流下する。
これにより半導体ウェハ3に対し均一な研磨砥液6を供
給できる。流体噴射部103は複数の流体噴射孔105
を有する円筒上のもので複数の流体噴射孔105より水
106を定盤2上に勢いよく噴射する。流体噴射部10
3には噴射圧調整コック107が付いていて噴射圧の調
整が可能となっている。流体噴射孔105は真下よりや
や定盤2外周方向に向けて開口していて研磨屑11を含
む研磨砥液6を定盤2の外部へ押し流すようになってい
る。押し流された研磨屑11を含む研磨砥液6は廃液受
け部12で回収される。すなわち、半導体ウェハ3を通
過した研磨屑11を含んだ研磨砥液6はすべて洗い流さ
れて再度、半導体ウェハ3の研磨に使用されることはな
く、半導体ウェハ3は常に新しい研磨砥液6でポリッシ
ングされることになり被研磨面3aに傷の付かない好適
な研磨ができる。研磨砥液6の使用量が若干増加するこ
とが予測されるが、これは回収した廃液を浄化するなど
して再利用する方向で解決することは容易である。
【0011】ここでは、説明のため、ウェハ保持治具4
が1個の場合について説明したが、ウェハ保持治具4が
複数個になった場合でも、それと同数の研磨剤供給部1
02と流体噴射部103とをそれぞれ、上記の通り配置
すればよい。一例としてウェハ保持治具4が2個の場合
を図2に示す。
が1個の場合について説明したが、ウェハ保持治具4が
複数個になった場合でも、それと同数の研磨剤供給部1
02と流体噴射部103とをそれぞれ、上記の通り配置
すればよい。一例としてウェハ保持治具4が2個の場合
を図2に示す。
【0012】次に、半導体ウェハ3の研磨作業と、修正
リング13による定盤2の平坦度の修正作業とを並行し
て行なう場合を図3に示す。修正リング13が定盤2の
回転方向に対しウェハ保持治具4の下流に配置されてい
ること以外は上記と同様である。また、ウェハ保持治具
4とそれに対応した修正リング13の組が複数組配置さ
れた場合でも研磨剤供給部102を各ウェハ保持治具4
の上流に配置し、流体噴射部103を各修正リング13
の下流に配置すればよい。
リング13による定盤2の平坦度の修正作業とを並行し
て行なう場合を図3に示す。修正リング13が定盤2の
回転方向に対しウェハ保持治具4の下流に配置されてい
ること以外は上記と同様である。また、ウェハ保持治具
4とそれに対応した修正リング13の組が複数組配置さ
れた場合でも研磨剤供給部102を各ウェハ保持治具4
の上流に配置し、流体噴射部103を各修正リング13
の下流に配置すればよい。
【0013】
【発明の効果】本発明のポリッシング装置によれば、一
度、被研磨物の研磨に使用され研磨屑を含む研磨剤が再
度、被研磨物の研磨に使用されることをなくすため、研
磨屑により被研磨物の被研磨面に傷が付くことを防止で
きるとともに、定盤の平坦度寿命が延命され、修正作業
の頻度が低減出来スループットの増加が図れる。
度、被研磨物の研磨に使用され研磨屑を含む研磨剤が再
度、被研磨物の研磨に使用されることをなくすため、研
磨屑により被研磨物の被研磨面に傷が付くことを防止で
きるとともに、定盤の平坦度寿命が延命され、修正作業
の頻度が低減出来スループットの増加が図れる。
【図1】 本発明に基づくポリッシング装置の要部斜視
図(被研磨物1個)
図(被研磨物1個)
【図2】 本発明に基づくポリッシング装置の要部斜視
図(被研磨物2個)
図(被研磨物2個)
【図3】 本発明に基づくポリッシング装置の要部斜視
図(修正リングあり)
図(修正リングあり)
【図4】 従来技術のポリッシング装置の要部斜視図
【図5】 従来技術のポリッシング装置の要部斜視図
(修正リングあり)
(修正リングあり)
【図6】 研摩対象物保持治具を説明する説明図
【図7】 半導体ウェハ通過前後の研磨砥液の状態を示
す説明図
す説明図
101 ポリッシング装置 102 研磨剤供給部 103 流体噴射部 104 研磨砥液流出孔 105 流体噴射孔 106 水 107 噴射圧調整コック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 622 H01L 21/304 622Q
Claims (7)
- 【請求項1】第1の回転軸周りに回転する定盤と、第1
の回転軸から偏心配置された第2の回転軸周りに回転し
下面に薄板状の被研磨物を保持する被研磨物保持部と
を、被研磨物の被研磨面が定盤に近接して対向するよう
に配置し定盤上に研磨剤を供給しつつ定盤と被研磨物保
持部とを回転させて被研磨面を研磨するポリッシング装
置において、研磨剤供給部を定盤の回転方向に対し被研
磨物保持部の上流側でかつ定盤の半径方向に配置し、研
磨により生じる研磨屑を含む研磨剤を定盤上から洗い流
すための流体を噴射する流体噴射部を被研磨物保持部の
下流側でかつ定盤の半径方向に配置したことを特徴とす
るポリッシング装置。 - 【請求項2】第1の回転軸周りに回転する定盤と、第1
の回転軸から偏心配置された第2の回転軸周りに回転し
下面に薄板状の被研磨物を保持する被研磨物保持部と
を、被研磨物の被研磨面が定盤に近接して対向するよう
に配置し定盤上に研磨剤を供給しつつ定盤と被研磨物保
持部とを回転させて被研磨面を研磨する研磨作業と、定
盤の経時的変化を修正する第3の回転軸周りに回転する
修正リングを定盤の回転方向に対し被研磨物保持部の下
流に配置し定盤と修正リングとを回転させて定盤を研磨
する修正作業とを並行して行なうポリッシング装置にお
いて、研磨剤供給部を定盤の回転方向に対し被研磨物保
持部の上流側でかつ定盤の半径方向に配置し、研磨によ
り生じる研磨屑を含む研磨剤を定盤上から洗い流すため
の流体を噴射する流体噴射部を修正リングの下流側でか
つ定盤の半径方向に配置したことを特徴とするポリッシ
ング装置。 - 【請求項3】被研磨物保持部を定盤上に複数個配置し、
各被研磨物保持部に対してそれぞれ研磨剤供給部及び流
体噴射部を配置したことを特徴とする請求項1に記載の
ポリッシング装置。 - 【請求項4】被研磨物保持部及びそれに対応した修正リ
ングを定盤上に複数組配置し、各組に対してそれぞれ研
磨剤供給部及び流体噴射部を配置したことを特徴とする
請求項2に記載のポリッシング装置。 - 【請求項5】前記被研磨物が半導体ウェハであることを
特徴とする請求項1または請求項2に記載のポリッシン
グ装置。 - 【請求項6】前記流体が液体であることを特徴とする請
求項1または請求項2に記載のポリッシング装置。 - 【請求項7】前記流体が気体であることを特徴とする請
求項1または請求項2に記載のポリッシング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000381775A JP2002178260A (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | ポリッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000381775A JP2002178260A (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | ポリッシング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002178260A true JP2002178260A (ja) | 2002-06-25 |
Family
ID=18849718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000381775A Pending JP2002178260A (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | ポリッシング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002178260A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045262A (ja) * | 2008-08-15 | 2010-02-25 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2010114398A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-20 | Araca Inc | Cmpスラリの注入のための方法及び機器 |
JP2013099828A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Ebara Corp | 研磨装置および方法 |
-
2000
- 2000-12-15 JP JP2000381775A patent/JP2002178260A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045262A (ja) * | 2008-08-15 | 2010-02-25 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2010114398A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-20 | Araca Inc | Cmpスラリの注入のための方法及び機器 |
KR101394745B1 (ko) | 2008-10-31 | 2014-05-26 | 아라카 인코포레이티드 | Cmp 슬러리의 주입을 위한 방법 및 장치 |
JP2013099828A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Ebara Corp | 研磨装置および方法 |
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