JP2002171196A - 高周波モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】電力増幅部とカップラを一体化しても、電力増
幅部に用いられる高周波用半導体素子の特性を最大限に
引き出すことができ、高効率化できる高周波モジュール
を提供する。 【解決手段】高周波入力信号を増幅する電力増幅部ＡＭ
Ｐと、該電力増幅部ＡＭＰからの出力をモニタするため
のカップラＣＯＰとを有するとともに、電力増幅部ＡＭ
ＰとカップラＣＯＰとが、５０Ωよりも低いインピーダ
ンスで整合されていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波モジュール
に関し、特に、高周波入力信号を増幅する電力増幅部
と、該電力増幅部からの出力をモニタするためのカップ
ラとを有する高周波モジュールに関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年の携帯電話の普及には、目を見張るも
のがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られて
いる。そして、新たな携帯電話として、デュアルバンド
携帯電話の提案がなされている。このデュアルバンド携
帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り
扱うのに対し、２つの送受信系を取り扱うものである。
これにより、利用者は都合の良い送受信系を選択して利
用することができるものである。

【０００３】近年の欧州においては、通過帯域の異なる
複数の送受信系を有するＧＳＭ／ＤＣＳのデュアルバン
ド方式の携帯電話が検討されている。

【０００４】図７に、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方
式の回路ブロック図を示す。図７に示したＧＳＭ／ＤＣ
Ｓデュアルバンド方式の場合には、送信時においては、
Ｔｘ側の電力増幅器ＡＭＰ１００またはＡＭＰ２００で
増幅した後、カップラＣＯＰ１００またはＣＯＰ２００
を通し、高周波スイッチ、分波回路から成る高周波スイ
ッチモジュールＡＳＭ１を経由してアンテナＡＮＴから
電波を送信する。

【０００５】一方、受信時においては、電波がアンテナ
ＡＮＴから受信され、高周波スイッチモジュールＡＳＭ
１を介して取り出し、受信回路（Ｒｘ）側の電力増幅器
ＡＭＰ３００、またはＡＭＰ４００へ送出される。

【０００６】上記デュアルバンド方式の携帯電話におい
て、従来、それぞれの送受信系にそれぞれ専用の部品、
即ち、カップラＣＯＰ１００、ＣＯＰ２００、電力増幅
器ＡＭＰ１００、ＡＭＰ２００を用いて回路が構成され
ており、これらの部品は、それぞれ５０Ωのインピーダ
ンスで整合がとれていたため、それぞれの専用の部品を
単に接続するだけで回路を構成できていた。

【０００７】ところで、従来、それぞれの専用の部品を
用いていたため、機器の大型化、高コスト化を招いてい
た。共通可能な部分はできるだけ共通部品を用いること
が、機器の小型化、低コスト化に有利となる。そのた
め、今後とも、より機能を高めつつ一層の小型化、軽量
化が進展するものと期待される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、従来
においては、例えばデュアルバンド対応高周波スイッチ
モジュールに代表されるような一部のモジュール化は行
なわれているが、高周波スイッチモジュール、カップラ
および電力増幅器の各部品をプリント配線基板に実装し
ているため、さらなる小型化、軽量化は困難であるとい
う問題があった。

【０００９】そこで、近年においては、電力増幅器、こ
の電力増幅器の出力電力を分配するカプラ、高周波信号
の送受信信号を分波する高周波スイッチなどをモジュー
ル化することが提案されている。

【００１０】上記した高周波スイッチモジュール、カッ
プラおよび電力増幅器の各部品をプリント配線基板に実
装する従来の場合には、それぞれ単独で設計ならびに製
品化がされているため、おのおのの特性を満足するよう
に設計を行うために通常はそれぞれを５０Ωのインピー
ダンスで設計し、カップラおよび電力増幅器の各部品は
５０Ωで整合がとれており、電力増幅器、カプラ、高周
波スイッチなどをモジュール化する場合にも、５０Ωで
整合をとることが考えられる。

【００１１】ここで、従来の高周波スイッチモジュー
ル、カップラおよび電力増幅器のインピーダンス整合に
ついて、図８に記載する。この図８からも理解されるよ
うに、電力増幅器ＡＭＰの両端ではインピーダンスが５
０Ωであり、高周波スイッチモジュールＡＳＭ１、カッ
プラＣＯＰの両端でも５０Ωとされていた。

【００１２】即ち、カップラＣＯＰと電力増幅器ＡＭＰ
との整合は５０Ω設計で行い、カップラＣＯＰ、電力増
幅器ＡＭＰ、それぞれの特性、例えば出力電力、消費電
流、挿入損失等を満足するように、接続後にカップラと
電力増幅器間に整合回路を付加して整合回路のライン長
ならびにチップコンデンサやチップインダクタの定数調
整を行っていた。

【００１３】電力増幅器ＡＭＰについて詳細にみると、
図９に示すように、電力増幅器ＡＭＰは、入力整合回
路、高周波用半導体素子ＭＭＩＣ、出力整合回路から構
成されており、通常は、高周波用半導体素子ＭＭＩＣと
出力整合回路との間のａ３から出力整合回路側を見たイ
ンピーダンス、即ち高周波用半導体素子ＭＭＩＣの負荷
は数Ωであり、ｂ３から出力側をみたインピーダンスは
電力増幅器ＡＭＰが５０Ω設計であるため５０Ωになっ
ている。

【００１４】しかしながら、ａ３からみたインピーダン
スが数Ωであるにもかかわらず、電力増幅器ＡＭＰ単体
で５０Ω設計を行うために、ｂ３にて５０Ωにしなけれ
ばならず、電力増幅器ＡＭＰの出力整合回路における負
荷変動が大きいため狭帯域設計となり、出力整合回路に
おける挿入損失が大きくなり、電力増幅器ＡＭＰに用い
られる高周波用半導体素子ＭＭＩＣの特性を最大限に引
き出すことができず、さらなる高効率化ができないとい
う問題があった。

【００１５】しかも、カップラＣＯＰ、電力増幅器ＡＭ
Ｐをモジュール化する場合には、モジュール全体で５０
Ω設計すればよく、単体で５０Ω設計する必要もなかっ
た。

【００１６】本発明は、電力増幅部とカップラを一体化
しても、電力増幅部に用いられる高周波用半導体素子の
特性を最大限に引き出すことができ、高効率化できる高
周波モジュールを提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の高周波モジュー
ルは、高周波用半導体素子を有し、高周波入力信号を増
幅する電力増幅部と、該電力増幅部からの出力をモニタ
するためのカップラとを有するとともに、前記電力増幅
部と前記カップラとが、５０Ωよりも低いインピーダン
スで整合されていることを特徴とする。

【００１８】本発明の高周波モジュールによれば、カッ
プラと電力増幅部とのインピーダンス整合をそれぞれ５
０Ω設計とせずに、５０Ωよりも低いインピーダンスで
整合されているために、電力増幅部の出力整合回路にお
いて負荷変動が小さくなり、その結果広帯域設計が可能
となり、かつ出力整合回路の挿入損失が小さくなるた
め、電力増幅部に用いられる高周波用半導体素子の特性
を最大限に引き出すことができ、カップラ、電力増幅器
をそれぞれ単体で組み合わせた従来の場合、さらにはカ
ップラ、電力増幅部をそれぞれ５０Ω設計で一体化した
高周波モジュールと比較してさらなる小型化、高効率化
を達成できる。

【００１９】また、本発明の高周波モジュールは、通過
帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分離すると
ともに、送信系と受信系を切り替える高周波スイッチを
有することが望ましい。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１に、本発明に係る高周波モジ
ュールのブロック図を示す。本発明の高周波モジュール
は、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分
ける分波回路ＤＩＰ１、および高調波信号を取り除くた
めのローパスフィルタＬＰＦ２、および前記各送受信系
に送信系と受信系を切り替えるダイオードスイッチ回路
ＳＷ１、ＳＷ２を有するマルチバンド用高周波スイッチ
ＳＷと、増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２と、この増幅部ＡＭ
Ｐ１、ＡＭＰ２の出力をモニタするために、ダイオード
スイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２のＴｘ端子側に接続され、
各々の通過周波数に対応したカップラＣＯＰ１、ＣＯＰ
２とで構成されている。

【００２１】なお、高周波スイッチＳＷは、ＧＳＭ／Ｄ
ＣＳデュアルバンド方式の携帯電話機において、それぞ
れのシステムに対応する送信回路Ｔｘと共通回路である
分波回路ＤＩＰ１との接続、および受信回路Ｒｘと共通
回路である分波回路ＤＩＰ１との接続を切り換えるため
に用いられる。

【００２２】また、Ｔｘ側のカップラＣＯＰ１、ＣＯＰ
２は、各々の増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２により増幅され
た送信信号の一部を取り出し、ＡＰＣ回路にフィードバ
ック信号を送る役割を果たす。

【００２３】図２に、図１の高周波スイッチＳＷと、カ
ップラＣＯＰ１、ＣＯＰ２の具体的構成について説明す
る。Ｔｘ側のカップラＣＯＰ１と接続されるダイオード
スイッチ回路ＳＷ１の第１ポートＰ１は、ダイオードＤ
ＡＧ１のアノードに接続されている。また、ダイオード
ＤＡＧ１のアノードは、インダクタＬＡＧ２およびコン
デンサＣＡＧ４を介して接地されている。

【００２４】さらに、インダクタンスＬＡＧ２とコンデ
ンサＣＡＧ４との接続点は、制御抵抗ＲＧ１を介して制
御端子ＶＧ１に接続されている。また、ダイオードＤＡ
Ｇ１のカソードは、分波回路ＤＩＰ１の第２ポートＰ２
に接続されている。

【００２５】この第２ポートＰ２には、伝送線路ＳＴＬ
１の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬ１の他端は、
Ｒｘ信号出力端子である第３ポートＰ３に接続されてい
る。また、伝送線路ＳＴＬ１の他端は、ダイオードＤＡ
Ｇ２のアノードに接続され、ダイオードＤＡＧ２のカソ
ードは、コンデンサＣＡＧ２、インダクタＬＡＧ１を介
して接地されている。ここでコンデンサＣＡＧ２、イン
ダクタＬＡＧ１にて形成される並列共振回路は、第１ポ
ートＰ１と第３ポートＰ３間のアイソレーションを制御
する役割を担っている。

【００２６】同様にＴｘ側のカップラＣＯＰ２は、高調
波信号を取り除くためのローパスフィルタＬＰＦ２の第
４ポートＰ４に接続されている。また、ローパスフィル
タＬＰＦ２の他端は、ダイオードスイッチ回路ＳＷ２の
ダイオードＤＡＤ１のアノードに接続されている。

【００２７】また、ダイオードＤＡＤ１のアノードは、
インダクタＬＡＤ２およびコンデンサＣＡＤ４を介して
接地されている。さらに、インダクタＬＡＤ２とコンデ
ンサＣＡＤ４との接続点は、制御抵抗ＲＤ１を介して制
御端子ＶＤ１に接続されている。また、ダイオードＤＡ
Ｄ１のカソードは、分波回路ＤＩＰ１の第５ポートＰ５
に接続されている。

【００２８】さらに、第５ポートＰ５には、伝送線路Ｓ
ＴＬ２の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬ２の他端
は、Ｒｘ信号出力端子である第６ポートＰ６に接続され
ている。また、伝送線路ＳＴＬ２の他端は、ダイオード
ＤＡＤ２のアノードに接続され、ダイオードＤＡＤ２の
カソードは、コンデンサＣＡＤ２、インダクタＬＡＤ１
を介して接地されている。ここでコンデンサＣＡＤ２、
インダクタＬＡＤ１にて形成される並列共振回路は、ポ
ートＰ４とポートＰ６間のアイソレーションを制御する
役割を担っている。

【００２９】また、アンテナ端子ＡＮＴは分波回路ＤＩ
Ｐ１を介してそれぞれ第２ポートＰ２、第５ポートＰ５
に接続されている。この分波回路ＤＩＰ１は、異なる２
つのシステムの周波数、例えば９００ＭＨｚ帯の送受信
信号と１８００ＭＨｚ帯の送受信信号を分離する役割を
持っている。

【００３０】ここで分波回路ＤＩＰ１は、例えば１８０
０ＭＨｚ帯を通過させるハイパスフィルタＨＰＦ１と、
コンデンサＣ２と、インダクタＬ２と、９００ＭＨｚ帯
を通過させるローパスフィルタＬＰＦ１と、コンデンサ
Ｃ１と、インダクタＬ１とにより形成されている。

【００３１】そして、分波回路ＤＩＰ１、ダイオードス
イッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、ローパスフィルタＬＰＦ
２、およびカップラＣＯＰ１、ＣＯＰ２の少なくとも一
部が基板に内蔵されている。例えば、分波回路ＤＩＰ１
を構成するハイパスフィルタＨＰＦ１、ローパスフィル
タＬＰＦ１、高調波を取り除くためのローパスフィルタ
ＬＰＦ２、およびダイオードスイッチ回路を構成する伝
送線路ＳＴＬ１、ＳＴＬ２、およびカップラＣＯＰ１、
ＣＯＰ２が、電極パターンと誘電体層とを積層してなる
基板に内蔵されている。また、分波回路ＤＩＰ１、ダイ
オードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、ローパスフィルタ
ＬＰＦ２、およびカップラＣＯＰ１、ＣＯＰ２の一部を
構成する、ダイオード等のチップ素子が基板上に実装さ
れている。

【００３２】図３に、図１の増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２
の回路図を、図４に図３の具体的構成を示す。

【００３３】例えば、欧州の携帯電話システムであるＧ
ＳＭ／ＤＣＳのデュアル方式において、一方がＧＳＭ用
高周波電力増幅部ＡＭＰ１で、もう一方がＤＣＳ用高周
波電力増幅部ＡＭＰ２であり、これらが複合されて増幅
部ＡＭＰが構成されている。

【００３４】増幅部ＡＭＰは、高周波用半導体素子（以
下、高周波用ＭＭＩＣということもある）３ａ、３ｂ
と、これらの高周波用ＭＭＩＣ３ａ、３ｂに接続され
た、高周波入力信号の入力インピーダンス整合をとるた
めの入力整合回路２ａ、２ｂと、高周波用ＭＭＩＣ３
ａ、３ｂに電圧を供給する電圧供給線路６ａ、６ｂに接
続された、所望の出力特性に整合をとるための出力整合
回路５ａ、５ｂとを具備している。

【００３５】入力整合回路２ａ、２ｂは、コンデンサや
インダクタ等を有している。

【００３６】一方、出力整合回路５ａ、５ｂは、異なる
信号を送出する出力側マイクロストリップライン線路
７、１０を有しており、この出力側マイクロストリップ
ライン線路７、１０と出力端子１２、１５との間には出
力側直流阻止コンデンサＣが接続されている。出力端子
１２、１５が、図１、図２のＴｘ端子に接続されること
になる。

【００３７】出力側マイクロストリップライン線路７、
１０は、出力端子１２、１５に接続される外部回路との
インピーダンス整合を最適なものとして所望の出力特
性、例えば出力電力・消費電流等を単独であるいは同時
に満足するように整合をとるためのものであり、この出
力側マイクロストリップライン線路７、１０は出力整合
用コンデンサＣ２１ａ、Ｃ３１ａを介して接地されてい
る。

【００３８】さらに、出力側マイクロストリップライン
線路７、１０には、高周波用ＭＭＩＣ３ａ、３ｂに電圧
を印加するための電圧供給線路６ａ、６ｂが接続されて
おり、また、先端開放分布定数線路（オープンスタブ）
１７ａ、１７ｂが電圧供給線路６ａ、６ｂと並列に接続
されている。

【００３９】本発明の増幅部ＡＭＰは、具体的には図４
に示すように、２つの増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２として
所定の値の比誘電率を有する誘電体基板に形成されてい
る。具体的には欧州の携帯電話システムであるＧＳＭ／
ＤＣＳのデュアル方式において、Ａ−Ｂ間下部がＧＳＭ
用の高周波電力増幅部ＡＭＰ１で、Ａ−Ｂ間上部がＤＣ
Ｓ用高周波電力増幅部ＡＭＰ２である。

【００４０】増幅部ＡＭＰは、高周波用ＭＭＩＣ３（３
ａ、３ｂ）に接続された、高周波入力信号の入力インピ
ーダンス整合をとるための入力整合回路２と、バイアス
回路４と、所望の出力特性に整合をとるために出力整合
回路５とを具備している。入力整合回路２は、コンデン
サやインダクタ等が接続されている。

【００４１】出力整合回路５においては、高周波用ＭＭ
ＩＣ３には、所望の出力特性、例えば出力電力・消費電
流等を単独であるいは同時に満足するように整合をとる
ために、分布定数線路である出力側マイクロストリップ
ライン線路７、１０が接続されており、これらの出力側
マイクロストリップライン線路７、１０は出力整合用コ
ンデンサＣ２１ａ、Ｃ３１ａを介して接地されている。

【００４２】さらに、出力側マイクロストリップ線路
７、１０には、先端開放分布定数線路１７ａ、１７ｂが
接続されている。

【００４３】Ａ−Ｂ間の上部のＤＣＳ用高周波電力増幅
回路ＡＭＰ２の周波数が１８００ＭＨｚで、ＧＳＭ用高
周波電力増幅回路ＡＭＰ１の９００ＭＨｚの２倍の周波
数にあたる。ＧＳＭ側の高調波、特に２倍波が、ＤＣＳ
側の基本波である１８００ＭＨｚの高調波信号に干渉に
よって影響を与える恐れがあるが、本発明では、出力側
マイクロストリップライン線路７、１０に先端開放分布
定数線路１７ａ、１７ｂを設けることで高調波を低減す
ることが可能となる。

【００４４】そして、出力整合回路５ａ、５ｂにおい
て、ＤＣＳ側の出力側マイクロストリップライン線路７
とＧＳＭ側の出力側マイクロストリップライン線路１０
の間には、ＧＮＤ線路９及びＧＮＤ線路１８が配置さ
れ、ＤＣＳ側とＧＳＭ側の出力マイクロストリップ線路
７、１０間の干渉を低減する配置となっている。このＧ
ＮＤ線路９、１８は平行に形成されており、複数のビア
ホール導体によりＧＮＤに接続されている。

【００４５】電圧供給線路６ａ、６ｂ、先端開放分布定
数線路１７ａ、１７ｂの線路長は、高周波入力信号にお
ける基本波の波長の１／４よりも短くされている。線路
長が基本波の１／４波長に固定でなく１／４波長より短
いために高調波の位相を調整することができ、カップラ
と増幅部間の任意のスプリアス周波数において非共役整
合とすることができるとともに、小型の高周波モジュー
ルを得ることができる。

【００４６】そして、本発明では、図５に示すように、
電力増幅部ＡＭＰと、カップラＣＯＰとは、５０Ωより
低いインピーダンスで整合するように設計が行われてお
り、図５では、２０Ω設計を行った場合が記載されてい
る。

【００４７】電力増幅部ＡＭＰと、カップラＣＯＰ１と
は、電力増幅部における高周波用半導体素子ＭＭＩＣ端
での負荷である数Ωを負荷変動が少なくカップラと整合
させるという点から、２０〜３０Ωでインピーダンス整
合させることが望ましい。このような５０Ωよりも低い
インピーダンスで整合させるためには、電力増幅部ＡＭ
Ｐの出力側マイクロストリップ線路７，１０の線路長を
短くして整合をとれば良い。

【００４８】以上のような高周波モジュールでは、電力
増幅部ＡＭＰと、カップラＣＯＰとの整合を２０Ωで設
計することにより、図９のａ３からみたインピーダンス
が数Ωのものを、ｂ３にて５０Ωではなく５０Ωより低
い２０Ωとでき、電力増幅部の出力整合回路における負
荷変動が５０Ω設計の従来の場合に比べて小さく、その
ために出力整合回路における挿入損失が小さくなり、電
力増幅部に用いられる高周波用半導体素子の特性を最大
限に引き出すことができる。

【００４９】従って、カップラ、電力増幅部をそれぞれ
単体で組み合わせた従来の場合や、カップラ、電力増幅
部をそれぞれ５０Ω設計で一体化したモジュール品に比
べて、さらなる小型化、高効率化を実現できる。

【００５０】なお、本発明の高周波モジュールはこれら
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能である。

【００５１】本発明者は、上記、図３に示す電力増幅部
ＡＭＰと、図２に示すようにカップラＣＯＰと高周波ス
イッチＳＷとを一体化し、モジュール化するとともに、
図５、図８に示すように、電力増幅部とカップラとの整
合を５０Ωと、２０Ωでとった場合について、電力増幅
部の出力整合回路におけるＳ１１、Ｓ２１特性を回路シ
ミュレーションにより検討し、その結果を図６に示し
た。尚、２０Ω整合する場合には、５０Ω整合の場合よ
りも出力側マイクロストリップ線路の線路長を短くし、
コンデンサＣ２１ａ、Ｃ３１ａの微調整を行って整合を
とった。

【００５２】この結果、電力増幅部とカップラとの整合
を２０Ωでとった場合には、カップラ、電力増幅部を５
０Ωで整合させた比較例の場合に比較して、リターンロ
スが約１０ｄＢ改善し、また、１ＧＨｚ付近での低損失
部分が広く、広帯域化がなされることが確認された。さ
らに出力整合回路における挿入損失も小さくなってお
り、さらなる小型化、高効率化を実現できることが確認
された。

【００５３】

【発明の効果】本発明の高周波モジュールによれば、カ
ップラと電力増幅部とのインピーダンス整合をそれぞれ
５０Ω設計とせずに、５０Ωよりも低いインピーダンス
で整合させたために、電力増幅部の出力整合回路におい
て、負荷変動が小さくなり、その結果出力整合回路の挿
入損失が小さくなり、電力増幅部に用いられる高周波用
半導体素子の特性を最大限に引き出すことができ、さら
なる小型化、高効率化を達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波モジュールの概念を示すブロッ
ク図である。

【図２】図１の高周波モジュールにおける高周波スイッ
チとカップラの回路図である。

【図３】本発明の高周波モジュールの増幅部の回路図で
ある。

【図４】図３のパターン配置図である。

【図５】カップラと電力増幅部とのインピーダンス整合
を２０Ωとした場合の通信機器における送受信部のブロ
ック図である。

【図６】カップラと電力増幅部とのインピーダンス整合
を５０Ω、２０Ωとした場合のＳ１１、Ｓ２１特性を示
すグラフである。

【図７】従来の高周波スイッチ、カップラ、電力増幅器
を有する送受信系のブロック図である。

【図８】カップラと電力増幅部とのインピーダンス整合
を５０Ωとした場合の通信機器における送受信部のブロ
ック図である。

【図９】電力増幅部のブロック図である。

【符号の説明】

ＡＭＰ１、ＡＭＰ２・・・電力増幅部 ＣＯＰ１、ＣＯＰ２・・・カップラ ＳＷ・・・高周波スイッチ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J067 AA01 AA04 AA41 CA36 CA75 CA92 FA00 HA19 HA25 HA29 HA33 HA39 KA00 KA12 KA13 KA29 KA42 KA68 KS01 KS11 LS12 QS04 SA13 TA01 5J091 AA01 AA04 AA41 CA36 CA75 CA92 FA00 HA19 HA25 HA29 HA33 HA39 KA00 KA12 KA13 KA29 KA42 KA68 SA13 TA01 5J092 AA01 AA04 AA41 CA36 CA75 CA92 FA00 HA19 HA25 HA29 HA33 HA39 KA00 KA12 KA13 KA29 KA42 KA68 SA13 TA01 5K011 BA03 BA04 DA21 DA23 JA01 KA00

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】高周波用半導体素子を有し、高周波入力信
   号を増幅する電力増幅部と、該電力増幅部からの出力を
   モニタするためのカップラとを有するとともに、前記電
   力増幅部と前記カップラとが、５０Ωよりも低いインピ
   ーダンスで整合されていることを特徴とする高周波モジ
   ュール。
2. 【請求項２】通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受
   信系に分離するとともに、送信系と受信系を切り替える
   高周波スイッチを有することを特徴とする請求項１記載
   の高周波モジュール。