JP2002164583A - チップ型発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
チップ型発光ダイオード及びその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マザーボードに他の電子部品と同じ工程の中
で一度に取付けることができる共に、液晶バックライト
の光源として極めて有用であるチップ型発光ダイオード
を提供する。 【解決手段】 このチップ型発光ダイオード２０は、マ
ザーボードの裏面側に取付けられる基台２１と、前記基
台２１から延び且つマザーボードに設けられた孔を貫通
して配置される本体部２２と、この本体部２２に設けら
れ且つマザーボードの表面側で発光する発光ダイオード
素子２８とを備えている。前記基台２１と本体部２２と
は略Ｔ字状に形成され、基台２１には前記発光ダイオー
ド素子２８と電気的に接続される一対の外部接続用電極
２４，２５が設けられている。また、発光ダイオード素
子２８は樹脂封止体３０により封止されている。
で一度に取付けることができる共に、液晶バックライト
の光源として極めて有用であるチップ型発光ダイオード
を提供する。 【解決手段】 このチップ型発光ダイオード２０は、マ
ザーボードの裏面側に取付けられる基台２１と、前記基
台２１から延び且つマザーボードに設けられた孔を貫通
して配置される本体部２２と、この本体部２２に設けら
れ且つマザーボードの表面側で発光する発光ダイオード
素子２８とを備えている。前記基台２１と本体部２２と
は略Ｔ字状に形成され、基台２１には前記発光ダイオー
ド素子２８と電気的に接続される一対の外部接続用電極
２４，２５が設けられている。また、発光ダイオード素
子２８は樹脂封止体３０により封止されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型発光ダイ
オード及びその製造方法に関するものである。
オード及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のチップ型発光ダイオード
としては、例えば図１５に示したものが知られている。
このチップ型発光ダイオード１は、ガラスエポキシ基板
２（以下、ガラエポ基板という）の上面にカソード電極
３とアノード電極４をパターン形成し、カソード電極３
の上に導電性接着剤（図示せず）によって発光ダイオー
ド素子６を固着すると共に、発光ダイオード素子６の上
面電極とアノード電極４とをボンディングワイヤ７で接
続し、このボンディングワイヤ７及び発光ダイオード素
子６を樹脂封止体８によって保護した構造のものであ
る。
としては、例えば図１５に示したものが知られている。
このチップ型発光ダイオード１は、ガラスエポキシ基板
２（以下、ガラエポ基板という）の上面にカソード電極
３とアノード電極４をパターン形成し、カソード電極３
の上に導電性接着剤（図示せず）によって発光ダイオー
ド素子６を固着すると共に、発光ダイオード素子６の上
面電極とアノード電極４とをボンディングワイヤ７で接
続し、このボンディングワイヤ７及び発光ダイオード素
子６を樹脂封止体８によって保護した構造のものであ
る。
【０００３】上述のチップ型発光ダイオード１は、一般
にはマザーボードの表面側に実装され上方に向けて発光
させることが多い。しかし、最近では他の多くの電子部
品がマザーボードの裏面側に実装されることから、図１
６に示すように、他の電子部品１２と同様マザーボード
９の裏面側でガラエポ基板２の外部接続用電極１５，１
６を半田１０で固定し、マザーボード９に開設した孔１
１の中に樹脂封止体８を挿入し、上方に向けて発光させ
る構造が取られている。このような構造ではチップ型発
光ダイオード１及び他の電子部品１２ともマザーボード
９の一面側だけの実装で済むので、従来のようにマザー
ボード９の両面側に行う実装に比較して実装工程の簡素
化が図られるメリットがある。
にはマザーボードの表面側に実装され上方に向けて発光
させることが多い。しかし、最近では他の多くの電子部
品がマザーボードの裏面側に実装されることから、図１
６に示すように、他の電子部品１２と同様マザーボード
９の裏面側でガラエポ基板２の外部接続用電極１５，１
６を半田１０で固定し、マザーボード９に開設した孔１
１の中に樹脂封止体８を挿入し、上方に向けて発光させ
る構造が取られている。このような構造ではチップ型発
光ダイオード１及び他の電子部品１２ともマザーボード
９の一面側だけの実装で済むので、従来のようにマザー
ボード９の両面側に行う実装に比較して実装工程の簡素
化が図られるメリットがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにマザーボード９の裏面側に実装されたチップ型発
光ダイオード１を液晶バックライトの光源として利用す
る場合、図１６に示したように、マザーボード９の表面
側に配設された導光板１３の導光方向と発光ダイオード
素子６からの発光方向とが異なるために、導光板１３の
端部に約４５°の反射面１４を形成し、チップ型発光ダ
イオード１から上方に向かって発光する光を前記反射面
１４で９０°屈曲し、導光板１３内に導く構造としなけ
ればならない。その結果、チップ型発光ダイオード１か
ら上方に向かって発光する光の内、略真上に向かって発
光した光しか導光板１３に導光されないために入射光量
が少なく、また導光板１３の反射面１４においても光の
損失が生じてしまうといった問題があった。
ようにマザーボード９の裏面側に実装されたチップ型発
光ダイオード１を液晶バックライトの光源として利用す
る場合、図１６に示したように、マザーボード９の表面
側に配設された導光板１３の導光方向と発光ダイオード
素子６からの発光方向とが異なるために、導光板１３の
端部に約４５°の反射面１４を形成し、チップ型発光ダ
イオード１から上方に向かって発光する光を前記反射面
１４で９０°屈曲し、導光板１３内に導く構造としなけ
ればならない。その結果、チップ型発光ダイオード１か
ら上方に向かって発光する光の内、略真上に向かって発
光した光しか導光板１３に導光されないために入射光量
が少なく、また導光板１３の反射面１４においても光の
損失が生じてしまうといった問題があった。
【０００５】一方、上記導光板１３に光を効果的に導く
構造として、側面発光のチップ型発光ダイオードを利用
し、導光板１３の導光方向とチップ型発光ダイオードか
らの発光方向とを一致させることも考えられるが、この
場合にはマザーボード９の表面側にチップ型発光ダイオ
ードを実装することになるために、上述した一面側への
実装が実現できないことになる。
構造として、側面発光のチップ型発光ダイオードを利用
し、導光板１３の導光方向とチップ型発光ダイオードか
らの発光方向とを一致させることも考えられるが、この
場合にはマザーボード９の表面側にチップ型発光ダイオ
ードを実装することになるために、上述した一面側への
実装が実現できないことになる。
【０００６】そこで、本発明の一つの目的は、マザーボ
ードの一面側に取付けることができ、他面側で発光させ
ることで、液晶バックライトの光源として極めて有用と
なるチップ型発光ダイオードを提供することにある。
ードの一面側に取付けることができ、他面側で発光させ
ることで、液晶バックライトの光源として極めて有用と
なるチップ型発光ダイオードを提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、マザーボードの一面
側に取付けることができ、従って、この一面側に取付け
られる他の電子部品と同じ工程の中で一度に取付けるこ
とができるチップ型発光ダイオードを提供することにあ
る。
側に取付けることができ、従って、この一面側に取付け
られる他の電子部品と同じ工程の中で一度に取付けるこ
とができるチップ型発光ダイオードを提供することにあ
る。
【０００８】本発明の更に他の目的は、一枚の集合回路
基板から多数のチップ型発光ダイオードを簡易に作るこ
とができるチップ型発光ダイオードの製造方法を提供す
ることにある。
基板から多数のチップ型発光ダイオードを簡易に作るこ
とができるチップ型発光ダイオードの製造方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に係るチップ型発光ダイオード
は、基台と、この基台から延びる本体部と、この本体部
に設けられた発光部と、この発光部を封止する樹脂封止
体とを備えたことを特徴とする。
に、本発明の請求項１に係るチップ型発光ダイオード
は、基台と、この基台から延びる本体部と、この本体部
に設けられた発光部と、この発光部を封止する樹脂封止
体とを備えたことを特徴とする。
【００１０】この発明によれば、チップ型発光ダイオー
ドの基台から本体部が延び、この本体部に発光部が設け
てあるので、基台がマザーボードに取付けられた時に、
このマザーボードから離れた位置で発光部を発光させる
ことができる。
ドの基台から本体部が延び、この本体部に発光部が設け
てあるので、基台がマザーボードに取付けられた時に、
このマザーボードから離れた位置で発光部を発光させる
ことができる。
【００１１】請求項２の発明は、請求項１に記載のチッ
プ型発光ダイオードにおいて、前記基台と本体部とが略
Ｔ字形状をなすことを特徴とする。
プ型発光ダイオードにおいて、前記基台と本体部とが略
Ｔ字形状をなすことを特徴とする。
【００１２】この発明によれば、基台と本体部とが略Ｔ
字状に形成されることから、基台がマザーボードに取付
けられたときに、マザーボードの取付面と直交する方向
に本体部を延ばした位置で発光させることができる。
字状に形成されることから、基台がマザーボードに取付
けられたときに、マザーボードの取付面と直交する方向
に本体部を延ばした位置で発光させることができる。
【００１３】請求項３の発明は、請求項１に記載のチッ
プ型発光ダイオードにおいて、前記基台には発光部と電
気的に接続される一対の外部接続用電極が設けられてい
ることを特徴とする。
プ型発光ダイオードにおいて、前記基台には発光部と電
気的に接続される一対の外部接続用電極が設けられてい
ることを特徴とする。
【００１４】請求項４の発明は、請求項１に記載のチッ
プ型発光ダイオードにおいて、前記基台がマザーボード
の一面側に配置されると共に、前記本体部がマザーボー
ドに開設された孔を貫通し、本体部に設けられた発光部
がマザーボードの他面側に露出してなることを特徴とす
る。
プ型発光ダイオードにおいて、前記基台がマザーボード
の一面側に配置されると共に、前記本体部がマザーボー
ドに開設された孔を貫通し、本体部に設けられた発光部
がマザーボードの他面側に露出してなることを特徴とす
る。
【００１５】この発明によれば、基台がマザーボードの
一面側に位置し、本体部がマザーボードの孔を貫通する
ので、例えば、マザーボードの裏面側に基台を取付けた
ときに、発光部をマザーボードの表面側に露出させるこ
とができる。
一面側に位置し、本体部がマザーボードの孔を貫通する
ので、例えば、マザーボードの裏面側に基台を取付けた
ときに、発光部をマザーボードの表面側に露出させるこ
とができる。
【００１６】請求項５の発明は、請求項１に記載のチッ
プ型発光ダイオードにおいて、前記発光部が本体部の側
面に設けられ、その発光方向がマザーボード上に配設さ
れた液晶バックライトの導光板の導光方向と略一致する
ことを特徴とする。
プ型発光ダイオードにおいて、前記発光部が本体部の側
面に設けられ、その発光方向がマザーボード上に配設さ
れた液晶バックライトの導光板の導光方向と略一致する
ことを特徴とする。
【００１７】この発明によれば、チップ型発光ダイオー
ドの発光部が本体部の側面に設けられることで、その発
光方向をマザーボード上に配設された液晶バックライト
の導光板の導光方向に略一致させることができ、導光板
への入射光量を多くとることができる。
ドの発光部が本体部の側面に設けられることで、その発
光方向をマザーボード上に配設された液晶バックライト
の導光板の導光方向に略一致させることができ、導光板
への入射光量を多くとることができる。
【００１８】請求項６の発明は、請求項１に記載のチッ
プ型発光ダイオードにおいて、前記樹脂封止体に凸状の
レンズ部を設けたことを特徴とする。
プ型発光ダイオードにおいて、前記樹脂封止体に凸状の
レンズ部を設けたことを特徴とする。
【００１９】この発明によれば、発光部から発光される
光の指向性をレンズ部によって高めることができ、輝度
アップが図られる。
光の指向性をレンズ部によって高めることができ、輝度
アップが図られる。
【００２０】請求項７の発明は、請求項１に記載のチッ
プ型発光ダイオードにおいて、前記発光部を構成する発
光ダイオード素子の周りを取り囲むように、外方に向か
って傾斜する反射面を設けたことを特徴とする。
プ型発光ダイオードにおいて、前記発光部を構成する発
光ダイオード素子の周りを取り囲むように、外方に向か
って傾斜する反射面を設けたことを特徴とする。
【００２１】この発明によれば、発光部から発光される
光を反射面で同一方向に反射させることで光の集光性を
高めることができる。
光を反射面で同一方向に反射させることで光の集光性を
高めることができる。
【００２２】請求項８の発明は、請求項１に記載のチッ
プ型発光ダイオードにおいて、前記樹脂封止体の外表面
の一部に遮光面を形成したことを特徴とする。
プ型発光ダイオードにおいて、前記樹脂封止体の外表面
の一部に遮光面を形成したことを特徴とする。
【００２３】この発明によれば、発光部から発光される
光の一部を遮光面によって遮ることで光が樹脂封止体の
周囲に散乱しないので、所望の方向に対して光の集光性
を高めることができる。
光の一部を遮光面によって遮ることで光が樹脂封止体の
周囲に散乱しないので、所望の方向に対して光の集光性
を高めることができる。
【００２４】請求項９に係るチップ型発光ダイオードの
製造方法は、一枚の集合回路基板に複数のチップ型発光
ダイオードを複数の工程を経て形成し、最終工程で個々
のチップ型発光ダイオードが作られるように集合回路基
板を分割することを特徴とする。
製造方法は、一枚の集合回路基板に複数のチップ型発光
ダイオードを複数の工程を経て形成し、最終工程で個々
のチップ型発光ダイオードが作られるように集合回路基
板を分割することを特徴とする。
【００２５】この発明によれば、一枚の集合回路基板か
ら多数のチップ型発光ダイオードを簡易な手段で得るこ
とができる。
ら多数のチップ型発光ダイオードを簡易な手段で得るこ
とができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係るチップ型発光ダイオードの実施形態を詳細に説明
する。図１乃至図３に示した第１実施形態に係るチップ
型発光ダイオードにおいて、図１はチップ型発光ダイオ
ードの外観形状を示す斜視図、図２はマザーボードに実
装した時のチップ型発光ダイオードの正面図、図３はマ
ザーボードに実装した時の図１におけるＡ−Ａ線に沿っ
た断面図である。
に係るチップ型発光ダイオードの実施形態を詳細に説明
する。図１乃至図３に示した第１実施形態に係るチップ
型発光ダイオードにおいて、図１はチップ型発光ダイオ
ードの外観形状を示す斜視図、図２はマザーボードに実
装した時のチップ型発光ダイオードの正面図、図３はマ
ザーボードに実装した時の図１におけるＡ−Ａ線に沿っ
た断面図である。
【００２７】図１乃至図３を参照すると、本発明に係る
チップ型発光ダイオードの一実施形態が符号２０で示さ
れており、このチップ型発光ダイオード２０は、マザー
ボード２３の一面、例えば、裏面側に固着される基台２
１と、この基台２１の略中央部から上方に延びる本体部
２２とを略Ｔ字状に形成したガラエポ基板によって構成
したものである。なお、この実施形態では基台２１と本
体部２２とを一体に形成したが、別個にしてもよい。基
台２１は本体部２２の両側において水平状に延び、その
上面に一対の外部接続用電極２４，２５が形成されてい
る。本体部２２は四角柱形状をしており、その左右側面
２２ａ，２２ｂには前記の外部接続用電極２４，２５が
連続して立ち上がって左右側面２２ａ，２２ｂの上端ま
で達している。また、本体部２２の前側面２２ｃには第
１電極部としてのカソード電極２６と、第２電極部とし
てのアノード電極２７とが上下に形成され、これらカソ
ード電極２６及びアノード電極２７が前記外部接続用電
極２４，２５にそれぞれ接続されている。
チップ型発光ダイオードの一実施形態が符号２０で示さ
れており、このチップ型発光ダイオード２０は、マザー
ボード２３の一面、例えば、裏面側に固着される基台２
１と、この基台２１の略中央部から上方に延びる本体部
２２とを略Ｔ字状に形成したガラエポ基板によって構成
したものである。なお、この実施形態では基台２１と本
体部２２とを一体に形成したが、別個にしてもよい。基
台２１は本体部２２の両側において水平状に延び、その
上面に一対の外部接続用電極２４，２５が形成されてい
る。本体部２２は四角柱形状をしており、その左右側面
２２ａ，２２ｂには前記の外部接続用電極２４，２５が
連続して立ち上がって左右側面２２ａ，２２ｂの上端ま
で達している。また、本体部２２の前側面２２ｃには第
１電極部としてのカソード電極２６と、第２電極部とし
てのアノード電極２７とが上下に形成され、これらカソ
ード電極２６及びアノード電極２７が前記外部接続用電
極２４，２５にそれぞれ接続されている。
【００２８】前記カソード電極２６の上面には発光部と
しての発光ダイオード素子２８が載置され、その下面電
極が導電性接着剤（図示せず）を介して固着されてい
る。また、発光ダイオード素子２８の上面電極はアノー
ド電極２７にボンディングワイヤ２９によって接続され
ている。そのため、外部接続用電極２４，２５からカソ
ード電極２６及びアノード電極２７を介して発光ダイオ
ード素子２８に電流が供給され、発光ダイオード素子２
８が発光する。なお、発光ダイオード素子２８の極性に
よって、アノード電極２７側に載置される場合もある。
また、上記発光ダイオード素子２８の種類や発光色は何
ら限定されるものではない。
しての発光ダイオード素子２８が載置され、その下面電
極が導電性接着剤（図示せず）を介して固着されてい
る。また、発光ダイオード素子２８の上面電極はアノー
ド電極２７にボンディングワイヤ２９によって接続され
ている。そのため、外部接続用電極２４，２５からカソ
ード電極２６及びアノード電極２７を介して発光ダイオ
ード素子２８に電流が供給され、発光ダイオード素子２
８が発光する。なお、発光ダイオード素子２８の極性に
よって、アノード電極２７側に載置される場合もある。
また、上記発光ダイオード素子２８の種類や発光色は何
ら限定されるものではない。
【００２９】前記発光ダイオード素子２８及びボンディ
ングワイヤ２９は、本体部２２の前側面２２ｃに設けら
れた樹脂封止体３０によって被覆されている。この樹脂
封止体３０は、本体部２２の前側面２２ｃにブロック状
に形成されたもので、前述の発光ダイオード素子２８及
びボンディングワイヤ２９の他、カソード電極２６及び
アノード電極２７を被覆している。樹脂封止体３０の材
料には例えば透明のエポキシ系樹脂が用いられる。
ングワイヤ２９は、本体部２２の前側面２２ｃに設けら
れた樹脂封止体３０によって被覆されている。この樹脂
封止体３０は、本体部２２の前側面２２ｃにブロック状
に形成されたもので、前述の発光ダイオード素子２８及
びボンディングワイヤ２９の他、カソード電極２６及び
アノード電極２７を被覆している。樹脂封止体３０の材
料には例えば透明のエポキシ系樹脂が用いられる。
【００３０】図２及び図３は、マザーボード２３に実装
した時の上記チップ型発光ダイオード２０を示したもの
である。マザーボード２３にはチップ型発光ダイオード
２０の本体部２２をマザーボード２３の裏面側から貫通
させる孔３１が開設されている。チップ型発光ダイオー
ド２０の基台２１はマザーボード２３の裏面側において
孔３１の周縁に当接し、両側の外部接続用電極２４，２
５がマザーボード２３にプリント配線された回路３２
ａ，３２ｂと半田１０によって固定される。
した時の上記チップ型発光ダイオード２０を示したもの
である。マザーボード２３にはチップ型発光ダイオード
２０の本体部２２をマザーボード２３の裏面側から貫通
させる孔３１が開設されている。チップ型発光ダイオー
ド２０の基台２１はマザーボード２３の裏面側において
孔３１の周縁に当接し、両側の外部接続用電極２４，２
５がマザーボード２３にプリント配線された回路３２
ａ，３２ｂと半田１０によって固定される。
【００３１】この時、チップ型発光ダイオード２０の本
体部２２は、前記マザーボード２３の孔３１を裏面側か
ら貫通してマザーボード２３の他面、即ち表面側に突出
する。そして、本体部２２の前側面２２ｃに搭載した発
光ダイオード素子２８が前方を向いた状態でマザーボー
ド２３の表面から露出する。したがって、これを液晶バ
ックライトの導光板の光源として利用する場合、図３に
示したように、マザーボード２３の表面側に配設された
導光板３３の側端面３４の近傍に発光ダイオード素子２
８が位置するようにチップ型発光ダイオード２０を設定
する。導光板３３の側端面３４は縦方向に真っ直ぐに形
成され、従来のような反射面にはなっていない。このよ
うな構造において、発光ダイオード素子２８から導光板
３３の側端面３４に向かって発光されると、その発光方
向と導光板３３の導光方向とが略一致するので、導光板
３３の側端面３４に入射された光は屈曲することなく、
そのまま水平方向に真っ直ぐに導かれる。このように、
発光ダイオード素子２８が導光板３３の側端面３４の近
傍に位置しているので、導光板３３への入射光量が増加
すると共に、従来のような反射面を利用した光の屈曲が
ないので、光の損失が極めて少なくなる。
体部２２は、前記マザーボード２３の孔３１を裏面側か
ら貫通してマザーボード２３の他面、即ち表面側に突出
する。そして、本体部２２の前側面２２ｃに搭載した発
光ダイオード素子２８が前方を向いた状態でマザーボー
ド２３の表面から露出する。したがって、これを液晶バ
ックライトの導光板の光源として利用する場合、図３に
示したように、マザーボード２３の表面側に配設された
導光板３３の側端面３４の近傍に発光ダイオード素子２
８が位置するようにチップ型発光ダイオード２０を設定
する。導光板３３の側端面３４は縦方向に真っ直ぐに形
成され、従来のような反射面にはなっていない。このよ
うな構造において、発光ダイオード素子２８から導光板
３３の側端面３４に向かって発光されると、その発光方
向と導光板３３の導光方向とが略一致するので、導光板
３３の側端面３４に入射された光は屈曲することなく、
そのまま水平方向に真っ直ぐに導かれる。このように、
発光ダイオード素子２８が導光板３３の側端面３４の近
傍に位置しているので、導光板３３への入射光量が増加
すると共に、従来のような反射面を利用した光の屈曲が
ないので、光の損失が極めて少なくなる。
【００３２】図４は本発明に係るチップ型発光ダイオー
ドの第２実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ａは、本体部２２の前面に設けられた
樹脂封止体３０に半球状のレンズ部３５を一体に突出形
成し、発光ダイオード素子２８から発光された光の指向
性をレンズ部３５によって高め、輝度アップを狙ったも
のである。そのため、前記レンズ部３５は発光ダイオー
ド素子２８上に位置し、発光ダイオード素子２８から発
光した光が一点に集光し易い構成となっている。なお、
前記レンズ部３５以外の構成は、先の第１実施形態の発
光ダイオード２０の構成と同様であるので、同一の符号
を付すことで詳細な説明は省略する。
ドの第２実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ａは、本体部２２の前面に設けられた
樹脂封止体３０に半球状のレンズ部３５を一体に突出形
成し、発光ダイオード素子２８から発光された光の指向
性をレンズ部３５によって高め、輝度アップを狙ったも
のである。そのため、前記レンズ部３５は発光ダイオー
ド素子２８上に位置し、発光ダイオード素子２８から発
光した光が一点に集光し易い構成となっている。なお、
前記レンズ部３５以外の構成は、先の第１実施形態の発
光ダイオード２０の構成と同様であるので、同一の符号
を付すことで詳細な説明は省略する。
【００３３】図５は本発明に係るチップ型発光ダイオー
ドの第３実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｂは、本体部２２に設けられた樹脂封
止体３０の前面にかまぼこ状のレンズ部３６を一体に形
成したものである。この実施形態においても、発光ダイ
オード素子２８から発光された光がレンズ部３６によっ
て中央側に集光し易く、左右側には散乱しにくい構成と
なっているので、前記第２実施形態と同様、光の指向性
が高められる。なお、前記レンズ部３６以外の構成は、
先の第１実施形態の発光ダイオード２０の構成と同様で
あるので、同一の符号を付すことで詳細な説明は省略す
る。
ドの第３実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｂは、本体部２２に設けられた樹脂封
止体３０の前面にかまぼこ状のレンズ部３６を一体に形
成したものである。この実施形態においても、発光ダイ
オード素子２８から発光された光がレンズ部３６によっ
て中央側に集光し易く、左右側には散乱しにくい構成と
なっているので、前記第２実施形態と同様、光の指向性
が高められる。なお、前記レンズ部３６以外の構成は、
先の第１実施形態の発光ダイオード２０の構成と同様で
あるので、同一の符号を付すことで詳細な説明は省略す
る。
【００３４】図６は本発明に係るチップ型発光ダイオー
ドの第４実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｃは、発光ダイオード素子２８の周り
を取り囲むように、カップ状の反射枠３７を配置し、発
光ダイオード素子２８から発光された光を反射枠３７の
内周面で反射させて、前方への光の集光性を高めたもの
である。反射枠３７の内周面はテーパ状に形成され、ま
た反射率を高めるために白色塗装や銀メッキなどが施さ
れている。なお、前記反射枠３７以外の構成は、先の第
１実施形態の発光ダイオード２０の構成と同様であるの
で、同一の符号を付すことで詳細な説明は省略する。
ドの第４実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｃは、発光ダイオード素子２８の周り
を取り囲むように、カップ状の反射枠３７を配置し、発
光ダイオード素子２８から発光された光を反射枠３７の
内周面で反射させて、前方への光の集光性を高めたもの
である。反射枠３７の内周面はテーパ状に形成され、ま
た反射率を高めるために白色塗装や銀メッキなどが施さ
れている。なお、前記反射枠３７以外の構成は、先の第
１実施形態の発光ダイオード２０の構成と同様であるの
で、同一の符号を付すことで詳細な説明は省略する。
【００３５】図７は本発明に係るチップ型発光ダイオー
ドの第５実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｄは、本体部２２の前面に凹所３８を
有する突出体３９を一体に設け、凹所３８内に発光ダイ
オード素子２８を配置すると共に、凹所３８内に透光性
の樹脂４０を充填して、発光ダイオード素子２８を樹脂
封止した構造である。したがって、この実施形態にあっ
ても、発光ダイオード素子２８から発光された光は凹所
３８の内周面で反射されるために、前方への光の集光性
が高められ、輝度アップにつながることになる。前記実
施形態と同様、凹所３８の内周面は外側に向かって傾斜
しており、また反射率を高めるために白色塗装や銀メッ
キなどが施されている。なお、凹所３８を有する突出体
３９以外の構成は、先の第１実施形態の発光ダイオード
２０の構成と同様であるので、同一の符号を付すことで
詳細な説明は省略する。
ドの第５実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｄは、本体部２２の前面に凹所３８を
有する突出体３９を一体に設け、凹所３８内に発光ダイ
オード素子２８を配置すると共に、凹所３８内に透光性
の樹脂４０を充填して、発光ダイオード素子２８を樹脂
封止した構造である。したがって、この実施形態にあっ
ても、発光ダイオード素子２８から発光された光は凹所
３８の内周面で反射されるために、前方への光の集光性
が高められ、輝度アップにつながることになる。前記実
施形態と同様、凹所３８の内周面は外側に向かって傾斜
しており、また反射率を高めるために白色塗装や銀メッ
キなどが施されている。なお、凹所３８を有する突出体
３９以外の構成は、先の第１実施形態の発光ダイオード
２０の構成と同様であるので、同一の符号を付すことで
詳細な説明は省略する。
【００３６】図８は本発明に係るチップ型発光ダイオー
ドの第６実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｅは、樹脂封止体３０の外周面の全て
を遮光し、発光ダイオード素子から発光した光が樹脂封
止体の周囲に散乱しないようにして、前方への集光性を
高めたものである。即ち、樹脂封止体の両側面及び上下
面に遮光性の塗装膜やメッキあるいは遮光性シートを施
すことによって遮光面４６を形成し、発光ダイオード素
子２８から発光した光が樹脂封止体３０の遮光していな
い前面側のみ向かうように構成したものである。なお、
前記樹脂封止体３０に遮光面４６を設けた以外の構成
は、先の第１実施形態の発光ダイオード２０の構成と同
様であるので、同一の符号を付すことで詳細な説明は省
略する。
ドの第６実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｅは、樹脂封止体３０の外周面の全て
を遮光し、発光ダイオード素子から発光した光が樹脂封
止体の周囲に散乱しないようにして、前方への集光性を
高めたものである。即ち、樹脂封止体の両側面及び上下
面に遮光性の塗装膜やメッキあるいは遮光性シートを施
すことによって遮光面４６を形成し、発光ダイオード素
子２８から発光した光が樹脂封止体３０の遮光していな
い前面側のみ向かうように構成したものである。なお、
前記樹脂封止体３０に遮光面４６を設けた以外の構成
は、先の第１実施形態の発光ダイオード２０の構成と同
様であるので、同一の符号を付すことで詳細な説明は省
略する。
【００３７】図９は本発明に係るチップ型発光ダイオー
ドの第７実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｆも、先の第６実施形態と同様、本体
部２２の前面側に突出する樹脂封止体３０を遮光し、発
光ダイオード素子２８から発光する光の集光性を高めた
ものである。この実施形態では、樹脂封止体３０の一方
の側面４７だけを除いて、他方の側面、上下面及び前面
に遮光面４８を形成し、発光ダイオード素子２８から発
光した光が樹脂封止体３０一方の側面４７のみから発光
するように構成したものである。なお、前記樹脂封止体
３０に遮光面４８を設けた以外の構成は、先の第１実施
形態の発光ダイオード２０の構成と同様であるので、同
一の符号を付すことで詳細な説明は省略する。
ドの第７実施形態を示したものである。このチップ型発
光ダイオード２０ｆも、先の第６実施形態と同様、本体
部２２の前面側に突出する樹脂封止体３０を遮光し、発
光ダイオード素子２８から発光する光の集光性を高めた
ものである。この実施形態では、樹脂封止体３０の一方
の側面４７だけを除いて、他方の側面、上下面及び前面
に遮光面４８を形成し、発光ダイオード素子２８から発
光した光が樹脂封止体３０一方の側面４７のみから発光
するように構成したものである。なお、前記樹脂封止体
３０に遮光面４８を設けた以外の構成は、先の第１実施
形態の発光ダイオード２０の構成と同様であるので、同
一の符号を付すことで詳細な説明は省略する。
【００３８】次に、上記第１実施形態に係るチップ型発
光ダイオード２０の製造工程を説明する。図１０は本発
明に係る製造方法の全工程を示したもの、図１１〜図１
４は個々の製造工程を順に示したものである。先ず、図
１０及び図１１に示したように、一枚の集合回路基板４
１に四角形の孔４２を縦横に等間隔に多数開設し、この
孔４２の内周面にスルーホールを形成すると共に、集合
回路基板４１の表面及び裏面に前述の外部接続用電極２
４，２５とカソード電極２６及びアノード電極２７をパ
ターン形成する。（第１工程） なお、前記集合回路基板４１は、一般にガラスエポキシ
基板が用いられ、またスルーホール及び電極パターンは
エッチングあるいは蒸着法によって形成される。
光ダイオード２０の製造工程を説明する。図１０は本発
明に係る製造方法の全工程を示したもの、図１１〜図１
４は個々の製造工程を順に示したものである。先ず、図
１０及び図１１に示したように、一枚の集合回路基板４
１に四角形の孔４２を縦横に等間隔に多数開設し、この
孔４２の内周面にスルーホールを形成すると共に、集合
回路基板４１の表面及び裏面に前述の外部接続用電極２
４，２５とカソード電極２６及びアノード電極２７をパ
ターン形成する。（第１工程） なお、前記集合回路基板４１は、一般にガラスエポキシ
基板が用いられ、またスルーホール及び電極パターンは
エッチングあるいは蒸着法によって形成される。
【００３９】次いで、図１０及び図１２に示したよう
に、前記形成されたカソード電極２６の上に導電性接着
剤を介して発光ダイオード素子２８を接着固定すると共
に、発光ダイオード素子２８の上面から延びるボンディ
ングワイヤ２９の先端をアノード電極２７に接続する。
（第２工程）
に、前記形成されたカソード電極２６の上に導電性接着
剤を介して発光ダイオード素子２８を接着固定すると共
に、発光ダイオード素子２８の上面から延びるボンディ
ングワイヤ２９の先端をアノード電極２７に接続する。
（第２工程）
【００４０】次に、図１０及び図１３に示したように、
前記集合回路基板４１の上に金型４３を被せる。この金
型４３は、発光ダイオード素子２８及びボンディングワ
イヤ２９の配設部分に対応して凹所４４が形成されたも
のであり、集合回路基板４１上に被せた時に外部接続用
電極２４，２５及び四角形の孔４２の全部を被覆する。
このようにして被せた金型４３の凹所４４に無色透明の
エポキシ樹脂を充填し、発光ダイオード素子２８及びボ
ンディングワイヤ２９を樹脂封止する。充填されたエポ
キシ樹脂は硬化処理工程を経て硬化される。（第３工
程）
前記集合回路基板４１の上に金型４３を被せる。この金
型４３は、発光ダイオード素子２８及びボンディングワ
イヤ２９の配設部分に対応して凹所４４が形成されたも
のであり、集合回路基板４１上に被せた時に外部接続用
電極２４，２５及び四角形の孔４２の全部を被覆する。
このようにして被せた金型４３の凹所４４に無色透明の
エポキシ樹脂を充填し、発光ダイオード素子２８及びボ
ンディングワイヤ２９を樹脂封止する。充填されたエポ
キシ樹脂は硬化処理工程を経て硬化される。（第３工
程）
【００４１】最後の工程では、図１０及び図１４に示し
たように、先ず前記の金型４３を取り外す。この時、金
型４３の凹所４４内に充填された樹脂封止体３０によっ
て発光ダイオード素子２８及びボンディングワイヤ２９
が完全に封止されている。次いで、集合回路基板４１上
に想定されたＸ軸（Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎ）とＹ軸（Ｙ
１，Ｙ２，…Ｙｎ）方向に沿って集合回路基板４１を切
断し、一つのチップ型発光ダイオードごとに分割する
（第４工程）。
たように、先ず前記の金型４３を取り外す。この時、金
型４３の凹所４４内に充填された樹脂封止体３０によっ
て発光ダイオード素子２８及びボンディングワイヤ２９
が完全に封止されている。次いで、集合回路基板４１上
に想定されたＸ軸（Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎ）とＹ軸（Ｙ
１，Ｙ２，…Ｙｎ）方向に沿って集合回路基板４１を切
断し、一つのチップ型発光ダイオードごとに分割する
（第４工程）。
【００４２】上述した一連の工程を経て、図１に示した
ような基台２１とこの基台２１から略垂直な方向に延び
る本体部２２とから成るＴ字状のチップ型発光ダイオー
ド２０が完成する。これらのチップ型発光ダイード２０
はテーピングされたのち、前記図２及び図３に示したよ
うに、マザーボード２３に実装される。
ような基台２１とこの基台２１から略垂直な方向に延び
る本体部２２とから成るＴ字状のチップ型発光ダイオー
ド２０が完成する。これらのチップ型発光ダイード２０
はテーピングされたのち、前記図２及び図３に示したよ
うに、マザーボード２３に実装される。
【００４３】なお、上述の実施形態では、マザーボード
２３に対して上方へ真っ直ぐに延びる本体部２２の前側
面２２ｃに発光ダイオード素子２８を取り付け、マザー
ボード２３と平行な側方に向けて発光させているが、導
光板３３の側端面３４の角度が上記の実施形態と異なる
場合には、その角度に応じて発光ダイオード素子２８の
取付角度を変更し、発光ダイオード素子２８からの発光
方向と導光板３３の導光方向とを略一致させるのが望ま
しい。
２３に対して上方へ真っ直ぐに延びる本体部２２の前側
面２２ｃに発光ダイオード素子２８を取り付け、マザー
ボード２３と平行な側方に向けて発光させているが、導
光板３３の側端面３４の角度が上記の実施形態と異なる
場合には、その角度に応じて発光ダイオード素子２８の
取付角度を変更し、発光ダイオード素子２８からの発光
方向と導光板３３の導光方向とを略一致させるのが望ま
しい。
【００４４】また、上記の実施形態では本発明のチップ
型発光ダイオード２０を液晶バックライトの導光板３３
の光源として利用した場合について説明したが、これ以
外にも利用できることは勿論であり、例えば携帯電話や
ＰＤＡ（Personal Digital Assistance）などのインジ
ケータとしての利用も可能である。
型発光ダイオード２０を液晶バックライトの導光板３３
の光源として利用した場合について説明したが、これ以
外にも利用できることは勿論であり、例えば携帯電話や
ＰＤＡ（Personal Digital Assistance）などのインジ
ケータとしての利用も可能である。
【００４５】なお、本発明は、上述の実施形態に限定さ
れることなく、種々の変更や改変がなされ得るものであ
る。
れることなく、種々の変更や改変がなされ得るものであ
る。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プ型発光ダイオードによれば、基台から本体部を延ば
し、この本体部に発光部を設けたので、基台をマザーボ
ードの裏面側に取付けた時に、本体部が孔を貫通してマ
ザーボードの表面側に発光部を露出させることができる
ため、液晶バックライトの光源として極めて有用であ
る。特に、Ｔ字状に形成されている場合には本体部から
水平方向に発光して、マザーボードの表面側に配設され
た導光板の導光方向と前記発光部からの発光方向が一致
するため、導光板への入射光量が多くなると共に光の損
失も少なく非常に有用である。
プ型発光ダイオードによれば、基台から本体部を延ば
し、この本体部に発光部を設けたので、基台をマザーボ
ードの裏面側に取付けた時に、本体部が孔を貫通してマ
ザーボードの表面側に発光部を露出させることができる
ため、液晶バックライトの光源として極めて有用であ
る。特に、Ｔ字状に形成されている場合には本体部から
水平方向に発光して、マザーボードの表面側に配設され
た導光板の導光方向と前記発光部からの発光方向が一致
するため、導光板への入射光量が多くなると共に光の損
失も少なく非常に有用である。
【００４７】また、本発明のチップ型発光ダイオード
は、マザーボードの一面側に取付けることができ、従っ
て、この一面側に取付けられる他の電子部品と同じ工程
の中で一度に取付けることができるので、実装工程が簡
素化され、また実装時間が短縮される。
は、マザーボードの一面側に取付けることができ、従っ
て、この一面側に取付けられる他の電子部品と同じ工程
の中で一度に取付けることができるので、実装工程が簡
素化され、また実装時間が短縮される。
【００４８】また、本発明に係るチップ型発光ダイオー
ドの製造方法によれば、一枚の集合回路基板から多数の
チップ型発光ダイオードを簡易に作ることができ、製造
コストの低減化が図られる。
ドの製造方法によれば、一枚の集合回路基板から多数の
チップ型発光ダイオードを簡易に作ることができ、製造
コストの低減化が図られる。
【図１】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第１実
施形態を示す斜視図である。
施形態を示す斜視図である。
【図２】上記チップ型発光ダイオードをマザーボードに
実装した時の正面図である。
実装した時の正面図である。
【図３】上記チップ型発光ダイオードをマザーボードに
実装した時の、上記図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面
図である。
実装した時の、上記図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面
図である。
【図４】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第２実
施形態を示す斜視図である。
施形態を示す斜視図である。
【図５】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第３実
施形態を示す斜視図である。
施形態を示す斜視図である。
【図６】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第４実
施形態を示す斜視図である。
施形態を示す斜視図である。
【図７】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第５実
施形態を示す斜視図である。
施形態を示す斜視図である。
【図８】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第６実
施形態を示す斜視図である。
施形態を示す斜視図である。
【図９】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第７実
施形態を示す斜視図である。
施形態を示す斜視図である。
【図１０】上記第１実施形態に係るチップ型発光ダイオ
ードの製造工程を示す図である。
ードの製造工程を示す図である。
【図１１】集合回路基板に電極をパターン形成する際の
工程図である。
工程図である。
【図１２】集合回路基板上に発光ダイオード素子を搭載
する際の工程図である。
する際の工程図である。
【図１３】集合回路基板上に搭載された発光ダイオード
素子を樹脂封止する際の工程図である。
素子を樹脂封止する際の工程図である。
【図１４】樹脂封止された集合回路基板をＸ，Ｙ軸方向
に分割する際の工程図である。
に分割する際の工程図である。
【図１５】従来の発光ダイオードの一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１６】上記従来の発光ダイオードをマザーボードに
実装した時の断面図である。
実装した時の断面図である。
２０ チップ型発光ダイオード ２１ 基台 ２２ 本体部 ２３ マザーボード ２４，２５ 外部接続用電極 ２６ カソード電極（第１電極部） ２７ アノード電極（第２電極部） ２８ 発光ダイオード素子（発光部） ２９ ボンディングワイヤ ３０ 樹脂封止体 ３１ 孔 ３３ 導光板 ３５，３６ レンズ部 ３７ 反射枠 ４６，４８ 遮光面 ４１ 集合回路基板 ４２ 四角形の孔 ４３ 金型 ４４ 凹所
Claims (9)
- 【請求項１】 基台と、この基台から延びる本体部と、
この本体部に設けられた発光部と、この発光部を封止す
る樹脂封止体とを備えたことを特徴とするチップ型発光
ダイオード。 - 【請求項２】 前記基台と本体部とが略Ｔ字形状をなす
請求項１記載のチップ型発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記基台には発光部と電気的に接続され
る一対の外部接続用電極が設けられている請求項１記載
のチップ型発光ダイオード。 - 【請求項４】 前記基台がマザーボードの一面側に配置
されると共に、前記本体部がマザーボードに開設された
孔を貫通し、本体部に設けられた発光部がマザーボード
の他面側に露出してなる請求項１記載のチップ型発光ダ
イオード。 - 【請求項５】 前記発光部が本体部の側面に設けられ、
その発光方向がマザーボード上に配設された液晶バック
ライトの導光板の導光方向と略一致する請求項１記載の
チップ型発光ダイオード。 - 【請求項６】 前記樹脂封止体に凸状のレンズ部を設け
てなる請求項１記載のチップ型発光ダイオード。 - 【請求項７】 前記発光部を構成する発光ダイオード素
子の周りを取り囲むように、外方に向かって傾斜する反
射面を設けてなる請求項１記載のチップ型発光ダイオー
ド。 - 【請求項８】 前記樹脂封止体の外表面の一部に遮光面
を形成してなる請求項１記載のチップ型発光ダイオー
ド。 - 【請求項９】 集合回路基板に四角形の孔を縦方向及び
横方向に等間隔に多数開設し、これら孔の内周面にスル
ーホールを形成すると共に、前記複数の孔の間に、複数
の基台とこれら基台のそれぞれから垂直に延びる本体部
と前記基台に形成された外部接続用電極と前記本体部に
形成された第１及び第２の電極部を設ける工程と、 前記第１電極部の上に発光部を配置すると共に、発光部
と第２電極部とをボンディングワイヤによって接続する
工程と、 前記発光部及びボンディングワイヤを収容する凹所が形
成された金型を、前記凹所が発光部及びボンディングワ
イヤに対応した状態で前記集合回路基板の上に被せ且つ
前記凹所に樹脂を充填して発光部及びボンディングワイ
ヤを封止する工程と、 前記金型を取り外した後、外部接続用電極を有する基台
と第１及び第２の電極部及び発光部を有する本体部とを
備えた各チップ型発光ダイオードがそれぞれ形成される
ように、前記集合回路基板を縦横方向に切断する工程と
を備えたことを特徴とするチップ型発光ダイオードの製
造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001210604A JP3930710B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-07-11 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
| TW090121783A TW508843B (en) | 2000-09-13 | 2001-09-03 | Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof |
| KR10-2001-0053816A KR100454777B1 (ko) | 2000-09-13 | 2001-09-03 | 칩형 발광다이오드 및 그 제조방법 |
| EP01307541A EP1189291A3 (en) | 2000-09-13 | 2001-09-05 | Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof |
| CNB011313307A CN1187844C (zh) | 2000-09-13 | 2001-09-11 | 片式发光二极管及其制造方法 |
| US09/949,725 US20020030445A1 (en) | 2000-09-13 | 2001-09-12 | Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-278087 | 2000-09-13 | ||
| JP2000278087 | 2000-09-13 | ||
| JP2001210604A JP3930710B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-07-11 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164583A true JP2002164583A (ja) | 2002-06-07 |
| JP3930710B2 JP3930710B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=26599861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001210604A Expired - Lifetime JP3930710B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-07-11 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020030445A1 (ja) |
| EP (1) | EP1189291A3 (ja) |
| JP (1) | JP3930710B2 (ja) |
| KR (1) | KR100454777B1 (ja) |
| CN (1) | CN1187844C (ja) |
| TW (1) | TW508843B (ja) |
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| JP7320452B2 (ja) | 2017-03-21 | 2023-08-03 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 平坦なキャリア上へのｌｅｄ素子の取り付け |
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Also Published As
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| US20020030445A1 (en) | 2002-03-14 |
| KR20020021004A (ko) | 2002-03-18 |
| CN1187844C (zh) | 2005-02-02 |
| KR100454777B1 (ko) | 2004-11-05 |
| EP1189291A3 (en) | 2006-03-22 |
| TW508843B (en) | 2002-11-01 |
| CN1344036A (zh) | 2002-04-10 |
| EP1189291A2 (en) | 2002-03-20 |
| JP3930710B2 (ja) | 2007-06-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040401 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060915 |
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