JP2002162745A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
基板との密着性を有し、しかもラインエッジラフネスが
改善された良好な形状のレジストパターンを与える化学
増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリに対する
溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により
酸を発生する酸発生剤成分及び(C)有機溶剤を含むポ
ジ型レジスト組成物において、(A)成分として、主鎖
を構成する溶解抑制基をもつアクリル酸エステル又はメ
タクリル酸エステル単位の少なくとも一部が、アクリル
酸又はメタクリル酸とラクトン環含有橋かけ型飽和多環
式アルコールとのエステルから誘導される構成単位及び
アクリル酸又はメタクリル酸とヒドロキシル基、アルコ
キシル基又はアシル基で置換された直鎖状アルコールと
のエステルから誘導される構成単位により置換されたポ
リアクリル酸エステル又はポリメタクリル酸エステルを
用いた化学増幅型ポジ型レジスト組成物とする。
Description
成物、さらに詳しくは、波長200nm以下の活性光、
特にArFエキシマレーザー光に対して透明性が高く、
かつ高解像性で、レジストパターン形状、耐ドライエッ
チング性及び基板との密着性に優れたレジストパターン
を形成することができ、しかもラインエッジラフネスが
改善された化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関する
ものである。
成分としては、KrFエキシマレーザー光(248n
m)に対する透明性が高いポリヒドロキシスチレンやこ
れの水酸基を酸解離性の溶解抑制基で保護したものが用
いられてきた。しかしながら、今日では、半導体素子の
微細化はますます進み、ArFエキシマレーザー光(1
93nm)を用いたプロセスの開発が精力的に進められ
ている。
を用いるプロセスでは、ポリヒドロキシスチレンのよう
なベンゼン環を有する樹脂は、この光に対して透明性が
不十分であるという欠点を有している。このような欠点
を克服するために、これまでベンゼン環を有さず、かつ
耐ドライエッチング性に優れる樹脂として、エステル部
にアダマンタン骨格を有するアクリル酸エステル又はメ
タクリル酸エステルから誘導される単位を主鎖に有する
樹脂(以下単に「アクリル酸エステル樹脂」と称す)が
多数提案されている(特許第2881969号公報、特
開平5−346668号公報、特開平7−234511
号公報、特開平9−73173号公報、特開平9−90
637号公報、特開平10−161313号公報、特開
平10−319595号公報及び特開平11−1232
6号公報など)。
ポジ型レジストは、2.38質量%のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液である標準現像液で現像可
能であり、さらにArFエキシマレーザー光に対する透
明性、耐ドライエッチング性及び基板に対する密着性に
おいて、ある程度満足すべき結果が得られている。
いては、さらに超微細のパターンが要求され、150n
m以下や100nm付近の解像度が必要とされるように
なってきたが、このような要求に対しては、もはや上記
の効果では不十分となってきている。
ターンを良好な形状で得るためには、レジスト膜厚の薄
膜化(従来の膜厚:約500nm、現在の要望される膜
厚:300〜400nm)や基材樹脂中における酸解離
性の溶解抑制基含有アクリルエステル単位部分(例えば
2‐メチルアダマンチルメタクリレート)の増大などが
必要である。
チング時の膜減りが従来の膜厚のものに比べ相対的に大
きくなるので、耐ドライエッチング性をいっそう向上さ
せる必要があるし、酸解離性の溶解抑制基含有アクリル
エステル単位部分を増大させると疎水性が大きくなるた
め、基板との密着性が劣化するという問題が生じる。ま
た、レジストパターンサイズが微細になると良好な形状
のレジストパターン形成も困難になる。このため、解像
性の向上に伴い、耐ドライエッチング性及び基板との密
着性をより向上させると共に、良好なレジストパターン
形状を得ることが要求されるようになった。このような
要求を満たすために、ラクトン環含有橋かけ飽和多環式
炭化水素基をもつ(メタ)アクリル酸単位と、酸分解性
基又はカルボキシル基をもつ橋かけ多環式炭化水素基を
もつ(メタ)アクリル酸単位及び(メタ)アクリル酸又
は(メタ)アクリル酸アルキル単位から構成され、質量
平均分子量2000〜200000をもつ共重合体を含
む化学増幅型レジスト組成物が提案された(特開200
0−26446号公報)。
ように、ターゲットの半導体デザインルールがいっそう
微細なものについては、前記の要求事項の外にラインエ
ッジラフネス(LER)、すなわちラインの外縁に不均
一な凹凸が形成され、精度がそこなわれる現象や、エッ
チング時における微小な表面荒れに起因する障害を防止
することが重要な問題として採り上げるようになってき
たが、この点については、まだ解決されていない。
優れた耐ドライエッチング性及び基板との密着性を有
し、しかもラインエッジラフネスが改善された良好な形
状のレジストパターンを与える化学増幅型ポジ型レジス
ト組成物を提供することを目的としてなされたものであ
る。
化学増幅型レジストについて種々研究を重ねた結果、酸
発生剤と併用する、酸の作用によりアルカリに対する溶
解性が増大する樹脂成分として、ラクトン環含有橋かけ
飽和多環式炭化水素基をもつアクリル酸又はメタクリル
酸エステル単位と、ヒドロキシル基、アルコキシル基又
はアシル基で置換された直鎖状アルキル基をもつアクリ
ル酸又はメタクリル酸エステル単位とを含む共重合体を
用いることにより、耐ドライエッチング性、基板との密
着性及びラインエッジラフネスを著しく改善しうること
を見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
りアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)
放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分及び
(C)有機溶剤を含むポジ型レジスト組成物において、
(A)成分として、主鎖を構成する溶解抑制基をもつア
クリル酸エステル又はメタクリル酸エステル単位の少な
くとも一部が、アクリル酸又はメタクリル酸とラクトン
環含有橋かけ型飽和多環式アルコールとのエステルから
誘導される構成単位及びアクリル酸又はメタクリル酸と
ヒドロキシル基、アルコキシル基又はアシル基で置換さ
れた直鎖状アルコールとのエステルから誘導される構成
単位により置換されたポリアクリル酸エステル又はポリ
メタクリル酸エステルを用いたことを特徴とする化学増
幅型ポジ型レジスト組成物を提供するものである。
(A)としては、酸の作用によりアルカリに対する溶解
性が増大する樹脂であることが必要である。このような
樹脂としては、例えば溶解抑制基をもつアクリル酸エス
テル又はメタクリル酸エステルから誘導される構成単位
を主鎖に有し、エステル基が酸により解離される重合体
又は共重合体を挙げることができる。
ル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する重
合体又は共重合体とは、一般式
る構成単位からなる主鎖を有する重合体又は共重合体で
ある。
分(B)が放射線の作用を受けて発生する酸によりアル
カリに対する溶解性が増大するという性質を有すること
が必要であり、このような性質は、アクリル酸又はメタ
クリル酸から誘導される構成単位中のカルボキシル基の
水酸基を酸解離性の溶解抑制基で保護し、アルカリ不溶
性とすることによって付与される。このような構成単位
をもつ重合体又は共重合体は、酸発生剤成分(B)から
発生する酸の作用により、溶解抑制基が脱離し、アルカ
リ可溶性に変わる結果、レジスト層の露光部はアルカリ
可溶性となるが、未露光部はアルカリ不溶性のまま残
り、ポジ型のレジストパターンが形成される。
増幅型ポジ型レジストにおいて知られている溶解抑制基
の中から任意のものを適宜選択して用いることができ
る。そのような溶解抑制基としては、例えば第三級アル
キル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニ
ル基のような環状エーテル基、1‐エトキシエチル基、
1‐メトキシプロピル基のようなアルコキシアルキル
基、γ‐ブチロラクトンのα炭素原子又はβ炭素原子の
水素原子を除いた基のようなラクトン残基などが挙げら
れるが、特に第三級アルキル基が好ましい。
‐ブチル基、tert‐アミル基などの分岐状アルキル
基や2‐ヒドロキシ‐3‐ピナノンの水酸基から水素原
子を除いた基、2‐メチルアダマンチル基、2‐エチル
アダマンチル基、2‐(1‐アダマンチル)‐2‐プロ
ピル基、1‐メチルシクロヘキシル基、1‐エチルシク
ロヘキシル基などの環状第三級アルキル基を挙げること
ができる。これらの溶解抑制基は異なる2種以上の基を
(A)成分中に有していてもよい。
エステルのエステル部分と結合する炭化水素基が単環式
又は多環式の飽和炭化水素基であるが、これらの中でも
2‐メチルアダマンチル基、2‐エチルアダマンチル基
のような2‐低級アルキルアダマンチル基が耐ドライエ
ッチング性に優れ、高解像性のレジストパターンを与え
るので好ましい。
有するアクリル酸エステル単位は、一般式
ル基である)で表わすことができ、この中のR′の例と
してはメチル基、エチル基を挙げることができ、特に好
ましいのはメチル基である。
含有橋かけ飽和多環式炭化水素基をもつエステル部分を
有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルか
ら誘導された構成単位と、ヒドロキシル基、アルコキシ
ル基又はアシル基で置換された直鎖状アルキル基をもつ
アクリル酸又はメタクリル酸エステルから誘導された単
位を含むことが必要である。
における樹脂成分(A)としては、例えば(a1)一般
式
である)で表わされる構成単位、(a2)一般式
る構成単位及び(a3)一般式
基、アルコキシル基又はアシル基、nは2〜18の整数
である)で表わされる構成単位を含む共重合体が用いら
れる。
る構成単位(a1)としては、例えば
成単位(a2)としては、例えばmが0である場合の式
式、
(a3)におけるnとしては、炭素数2〜18であり、
−(CH2)−は直鎖状のアルキレンである。直鎖状で
あることがLERの改善に寄与しているものと思われ
る。このような構成単位(a3)の具体例としては、ヒ
ドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、2‐メトキ
シエチル基、2‐エトキシエチル基、2‐アセチルエチ
ル基などが挙げられる。なお、本発明における樹脂成分
(A)の質量平均分子量は5000〜20000、好ま
しくは8000〜15000の範囲である。
とも10モル%含まれるのが好ましい。そして、本発明
においては、特に一般式(II)で表わされる構成単位
(a 1)40〜80モル%、好ましくは50〜75モル
%と、一般式(IV)で表わされる構成単位(a2)1
0〜40モル%、好ましくは20〜35モル%と、一般
式(V)で表わされる構成単位(a3)5〜20モル
%、好ましくは7〜15モル%とからなる共重合体が、
高解像度で優れた耐ドライエッチング性及び基板との密
着性を有し、しかもラインエッジラフネスが改善された
レジストパターンを与えるので、好適である。また、一
般式(II)と(IV)で表わされる構成単位の合計を
50モル%以上、好ましくは80〜90モル%の範囲と
することにより、形成されたレジスト膜の表面荒れを低
減しうるという効果もある。
成分(A)として、前記の各構成単位を形成するモノマ
ーに、これまで化学増幅型のポジ型レジストとして公知
の耐ドライエッチング性向上基や酸非解離性の溶解抑制
基を有するアクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、ア
クリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸などの
アルカリ可溶性とするためのエチレン性二重結合を有す
るカルボン酸、アクリル樹脂の製造に用いられる公知の
モノマーなどを必要に応じ、適宜組み合わせ、共重合さ
せて用いることができる。
アクリル酸1‐アダマンチル、アクリル酸2‐アダマン
チル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸ナフチ
ル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸3‐オキソシクロ
ヘキシル、アクリル酸ビシクロ[2.2.1]ヘプチ
ル、アクリル酸トリシクロデカニル、アクリル酸とテル
ピネオールとのエステル、アクリル酸と3‐ブロモアセ
トンとのエステルなどのカルボキシル基の水酸基を耐ド
ライエッチング性向上基や酸非解離性置換基で保護した
アクリル酸エステルなどが挙げられる。また、メタクリ
ル酸誘導体としてはこれらのアクリル酸誘導体に対応す
るメタクリル酸の誘導体を挙げることができる。
ン酸としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、マレ
イン酸、フマル酸などが挙げられる。アクリル樹脂の製
造に用いられる公知のモノマーの例としては、例えばア
クリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピ
ル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸n‐ブチル、
アクリル酸イソブチル、アクリル酸n‐ヘキシル、アク
リル酸オクチル、アクリル酸2‐エチルヘキシル、アク
リル酸ラウリル、アクリル酸2‐ヒドロキシエチル、ア
クリル酸2‐ヒドロキシプロピルなどのアクリル酸アル
キルエステル及び対応するメタクリル酸アルキルエステ
ルなどを挙げることができる。
ル酸エステルモノマーをアゾビスイソブチロニトリル
(AIBN)のようなラジカル重合開始剤を用いる公知
のラジカル重合により容易に製造することができる。
を発生する酸発生剤成分(B)としては、従来化学増幅
型レジストにおける酸発生剤として公知のものの中から
任意のものを適宜選択して用いることができる。この酸
発生剤の例としては、ジフェニルヨードニウムヘキサフ
ルオロホスフェート、(4‐メトキシフェニル)フェニ
ルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス
(p‐tert‐ブチルフェニル)ヨードニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、(4‐メトキシフェ
ニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、(p‐tert‐ブチルフェニル)ジフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、
ビス(p‐tert‐ブチルフェニル)ヨードニウムノ
ナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムノナフルオロブタンスルホネートなどのオニウム
塩、なかでもフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニ
オンとするオニウム塩が好ましい。
よいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。その配
合量は、樹脂成分(A)100質量部に対し、0.5〜
30質量部、好ましくは1〜10質量部の範囲で選ばれ
る。この配合量が0.5質量部未満ではパターン形成が
十分に行われないし、30質量部を超えると均一な溶液
が得られにくく、保存安定性が低下する原因となる。
び酸発生剤成分(B)を有機溶剤(C)に溶解させて溶
液として用いられる。この際用いる有機溶剤としては、
上記の両成分を溶解し、均一な溶液とすることができる
ものであればよく、従来化学増幅型レジストの溶媒とし
て公知のものの中から任意のものを1種又は2種以上適
宜選択して用いることができる。
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メ
チルイソアミルケトン、2‐ヘプタノンなどのケトン類
や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセ
テート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコール
モノアセテート、プロピレングリコール、プロピレング
リコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又
はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチル
エーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテ
ル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなど
の多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのよ
うな環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、
ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エト
キシプロピオン酸エチルなどのエステル類を挙げること
ができる。
して、特にプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート及び乳酸エチルの中から選ばれる少なくとも1
種とγ‐ブチロラクトンとの混合溶剤を用いるのが有利
である。この場合、混合割合としては、前者と後者の質
量比が70:30ないし95:5の範囲になるように選
ばれる。
ン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、
必要に応じて第二級低級脂肪族アミンや第三級低級脂肪
族アミンを含有させることができる。この第二級や第三
級アミンの例としては、トリメチルアミン、ジエチルア
ミン、トリエチルアミン、ジ‐n‐プロピルアミン、ト
リ‐n‐プロピルアミン、トリペンチルアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられ
る。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合
わせて用いてもよい。これらのアミンは、樹脂成分
(A)に対して、通常0.01〜0.2質量%の範囲で
用いられる。
性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するた
めの付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性
剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーショ
ン防止剤などを添加含有させることができる。
ホトレジスト技術のレジストパターン形成方法が用いら
れるが、好適に行うには、まずシリコンウエーハのよう
な支持体上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーな
どで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、これに例えば
ArF露光装置などにより、ArFエキシマレーザー光
を所望のマスクパターンを介して照射し、加熱する。次
いでこれをアルカリ現像液、例えば0.1〜10質量%
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて
現像処理する。このようにして、マスクパターンに忠実
なパターンを得ることができる。また、本発明組成物
は、特にArFエキシマレーザーに有用であるが、それ
より短波長のF2レーザー、EUV(極紫外線)、VU
V(真空紫外線)、電子線、X線、軟X線などの放射線
に対しても有効である。
波長200nm以下の活性光、特にArFエキシマレー
ザー光に対して透明性が高く、かつ高解像性を有すると
共に、良好なレジストパターン形状と改善されたライン
エッジラフネスをもち、耐ドライエッチング性及び基板
との密着性に優れたレジストパターンを与える。したが
って、ArFエキシマレーザー光を光源とする化学増幅
型のポジ型レジストとして、超微細加工が要求される半
導体素子などの製造に好適に用いられる。
明する。なお、各例中のラインエッジラフネス値及び耐
ドライエッチング性は次の方法により測定したものであ
る。
M(日立製作所社製,商品名「S−9220」)によ
り、試料のレジストパターンの幅を32箇所測定し、そ
の結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)を算出し
た。この3σが小さい程、ラフネスが小さく均一幅のレ
ジストパターンが得られたことを意味する。
オロメタン(CF4)、トリフルオロメタン(CHF3)
及びヘリウムの混合ガス(流量比30:30:100)
をエッチングガスとして用い、エッチング装置(東京応
化工業社製,商品名「OAPM−2400」)により処
理したときの膜減り量を測定し、評価した。
子量10,000の共重合体(A成分)100質量部
と、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート(B成分)0.2質量部と、トリフェニルスル
ホニウムノナフロオロブタンスルホネート2.0質量部
と、トリエタノールアミン0.2質量部とを、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル800質量部に溶解し
てポジ型レジスト組成物溶液を調製した。次いで、この
レジスト溶液をスピンナーを用いて、膜厚820Åの有
機反射防止膜(シプレー社製,商品名「AR−19」)
を設けたシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート
上で140℃(pre bake)で90秒間乾燥する
ことにより、膜厚360nmのレジスト層を形成した。
次いで、ArF露光装置(ニコン社製,商品名「NSR
−S302A」,NA=0.6)により、ArFエキシ
マレーザー光(193nm)を選択的に照射したのち、
130℃、90秒間加熱(PEB)処理し、次いで2.
38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で30秒間パドル現像したのち、30秒間水洗して乾
燥した。このような操作で形成されたレジストパターン
の限界解像度は120nmのラインアンドスペースパタ
ーンが1:1に形成された。その際の露光時間(感度)
をmJ/cm2(エネルギー量)単位で測定したとこ
ろ、17.0mJ/cm2であり、そして上記120n
mのラインアンドスペースのパターン形状は垂直性に優
れ、良好なレジストパターンであった。このレジストパ
ターンについては膜剥がれは認められず、良好な密着性
を示した。また、130nmのラインアンドスペースパ
ターンの焦点深度幅は0.6μmであった。さらに、膜
減り量を求めたところ、144nmであった。また、ラ
インエッジラフネス量は8.5であった。
子量10,000の共重合体を用いたこと以外は、実施
例1と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製した。次
いで、このレジスト溶液を用い、実施例1と同様にして
レジストパターンを形成させた。このようにして得たレ
ジストパターンについては、実施例1と同様に120n
mのラインアンドスペースパターンは垂直性に優れ、良
好な形状で形成され、感度は16mJ/cm2であり、
しかも膜剥がれは認められず、良好な密着性を示した。
また、130nmのラインアンドスペースパターンの焦
点深度幅は0.6μm、膜減り量は148nm、ライン
エッジラフネス量は7.1であった。
子量14,000の共重合体を用いたこと以外は、実施
例1と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製した。次
いで、このレジスト溶液を用い、実施例1と同様にして
レジストパターンを形成させた。このようにして得たレ
ジストパターンについては、130nmのラインアンド
スペースパターンがT字状の形状で形成され、感度は1
8mJ/cm2であった。さらに膜剥がれはなく、密着
性は良好であった。また、130nmのラインアンドス
ペースパターンの焦点深度幅は0.4μm、膜減り量は
139nm、ラインエッジラフネス量は18.2であっ
た。
0モル%、(ロ)構成単位30モル%及びメタクリル酸
単位10モル%からなる、質量平均分子量10,000
の共重合体を用い、実施例1と同様にしてポジ型レジス
ト組成物を調製し、次いでこれを用いてレジストパター
ンを形成させた。このようにして得たレジストパターン
については、120nmのラインアンドスペースパター
ンが矩形状で形成され、感度は21mJ/cm2であっ
た。さらに膜剥がれはなく、密着性は良好であった。ま
た、130nmのラインアンドスペースパターンの焦点
深度幅は0.6μm、膜減り量は140nm、ラインエ
ッジラフネス量は10.6であった。
に、メタクリル酸エチル単位を含む、質量平均分子量1
0,000の共重合体を用い、比較例2と同様にしてポ
ジ型レジスト組成物を調製し、次いでこれを用いてレジ
ストパターンを形成させた。このようにして得たレジス
トパターンについては、120nmのラインアンドスペ
ースパターンが矩形状で形成され、感度は18mJ/c
m2であった。さらに膜剥がれはなく、密着性は良好で
あった。また、130nmのラインアンドスペースパタ
ーンの焦点深度幅は0.6μm、膜減り量は142n
m、ラインエッジラフネス量は10.0であった。
Claims (10)
- 【請求項1】 (A)酸の作用によりアルカリに対する
溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により
酸を発生する酸発生剤成分及び(C)有機溶剤を含むポ
ジ型レジスト組成物において、(A)成分として、主鎖
を構成する溶解抑制基をもつアクリル酸エステル又はメ
タクリル酸エステル単位の少なくとも一部が、アクリル
酸又はメタクリル酸とラクトン環含有橋かけ型飽和多環
式アルコールとのエステルから誘導される構成単位及び
アクリル酸又はメタクリル酸とヒドロキシル基、アルコ
キシル基又はアシル基で置換された直鎖状アルコールと
のエステルから誘導される構成単位により置換されたポ
リアクリル酸エステル又はポリメタクリル酸エステルを
用いたことを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成
物。 - 【請求項2】 樹脂成分(A)が、(a1)溶解抑制基
をもつアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステル単
位、(a2)一般式 【化1】 (式中のRは水素原子又はメチル基、mは0又は1であ
る)で表わされる構成単位及び(a3)一般式 【化2】 (式中のRは前記と同じ意味をもち、Yはヒドロキシル
基、アルコキシル基又はアシル基、nは2〜18の整数
である)で表わされる構成単位を含む共重合体である請
求項1記載の化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 - 【請求項3】 樹脂成分(A)中の溶解抑制基をもつア
クリル酸エステル又はメタクリル酸エステル単位
(a1)が、一般式 【化3】 (式中のRは前記と同じ意味をもち、R′は低級アルキ
ル基である)で表わされる構成単位である請求項2記載
の化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 - 【請求項4】 樹脂成分(A)が、構成単位(a1)4
0〜80モル%、構成単位(a2)10〜40モル%、
構成単位(a3)5〜20モル%からなる共重合体であ
る請求項3記載の化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 - 【請求項5】 樹脂成分(A)が、構成単位(a2)と
して、一般式 【化4】 (式中のRは水素原子又は低級アルキル基である)で表
わされる構成単位を含む共重合体である請求項3又は4
記載の化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 - 【請求項6】 構成単位(a2)が、式 【化5】 で表わされる構成単位である請求項5記載の化学増幅型
ポジ型レジスト組成物。 - 【請求項7】 樹脂成分(A)が、構成単位(a2)と
して、一般式 【化6】 (式中のRは水素原子又は低級アルキル基である)で表
わされる構成単位を含む共重合体である請求項2、3又
は4記載の化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 - 【請求項8】 酸発生剤成分(B)が、フッ素化アルキ
ルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩である
請求項1ないし7のいずれかに記載の化学増幅型ポジ型
レジスト組成物。 - 【請求項9】 さらに、樹脂成分(A)に基づき、第二
級及び第三級の低級脂肪族アミンの中から選ばれる少な
くとも1種0.01〜0.2質量%を含む請求項1ない
し8のいずれかに記載の化学増幅型ポジ型レジスト組成
物。 - 【請求項10】 有機溶剤がプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート及び乳酸エチルの中から選ば
れる少なくとも1種とγ‐ブチロラクトンとの混合溶剤
である請求項1ないし9のいずれかに記載の化学増幅型
ポジ型レジスト組成物。
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