JP2002161391A - 電気めっき方法及びそれを用いた配線基板の製造方法 - Google Patents

電気めっき方法及びそれを用いた配線基板の製造方法

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JP2002161391A
JP2002161391A JP2000354049A JP2000354049A JP2002161391A JP 2002161391 A JP2002161391 A JP 2002161391A JP 2000354049 A JP2000354049 A JP 2000354049A JP 2000354049 A JP2000354049 A JP 2000354049A JP 2002161391 A JP2002161391 A JP 2002161391A
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layer
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Riichi Okubo
利一 大久保
Kazuo Kondo
和夫 近藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】微細なビア用穴に導体を完全に埋め込む電気め
っき方法及びそれを用いた配線基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】絶縁層の一方の側に導体層が形成され、該
絶縁層には、所定の箇所に直径が1μm乃至100μ
m、深さが1μm乃至100μmで、かつアスペクト比
が3以下であるビア用穴が形成されており、少なくとも
ビア用穴内に薄膜導電層を形成した後に、前記薄膜導電
層を電極として電気めっきを行い、前記ビア用穴内に導
体を埋め込む電気めっき方法において、前記電気めっき
時における電気めっき液の動粘度を1.5×10-62
/S以上とし、前記動粘度の調整は粘度を増加させる添
加剤を添加する方法または液の温度を下げる方法のいず
れかで行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細なビア用穴内
に導体を埋め込むことが可能な電気めっき方法及びそれ
を用いた配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の小型化により、使用されるプ
リント基板等の配線基板では、配線の高密度化が急速に
進められている。このため片面配線よりも、両面配線あ
るいは多層配線が行われるようになってきている。そし
て、両面配線あるいは多層配線となると配線層間を電気
的に接続するビアが必須であり、しかも高密度化のため
に、ビアは小さい穴径となってきている。
【0003】上述のような配線基板の例として、ビルド
アップ基板と呼ばれる形態の多層配線基板が大量に生産
されるようになってきている。これは、コア基板となる
プリント基板の表面に絶縁層(樹脂層)と配線層を積み
上げて形成していくものであり、配線層間の導通はビア
用穴を形成してその内部に導体めっき、例えば銅めっき
を行うことによって行われる。従来は、ビア用穴の壁面
に無電解銅めっきと電気銅めっきの技術を適用してビア
を形成していたが、この方法では、ビア上にさらにビア
を形成することができないため、パターンの設計の自由
度が損なわれるという問題がある。そこで、ビア上にビ
アを積み上げることも可能となるよう、ビア用穴内を銅
で埋めてしまうフィルドビアと呼ばれる方法が注目され
るようになった。
【0004】また、他の配線基板の例として、フィルム
キャリアがあげられる。製造方法の一例をあげると、ポ
リイミドフィルム等の絶縁材料の両面に銅箔を貼着し、
一方の面の銅箔のビア部分をエッチング等で除去し、レ
ーザー加工によりビア部分の絶縁フィルムを除去する。
続いて無電解めっきを施して、ビアを形成した後に、両
面の銅箔をエッチングによりパターニングし、配線層を
形成するというものである。この場合にも、ビア用穴内
が導体で埋められていないと、製造時の各種処理液が残
存し、経時的に腐食の原因となる恐れがあるために、ビ
ア用穴内を導体で完全に埋めることが望まれていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このフィル
ドビアを高密度な配線基板に求められる直径が1μm乃
至100μm、深さが1μm乃至100μmで、かつア
スペクト比が3以下であるようなビア用穴に対して電気
めっきにより導体を形成する場合には、めっき条件の管
理が難しく、めっきにより析出した導体で完全に埋め込
まれない場合が多かった。
【0006】電気銅めっきの場合を例にとると、めっき
液中の各成分の濃度、電流密度および電流密度分布、さ
らには、銅イオンや液中成分の拡散速度など、管理され
なければならない因子が多数あり、それらが互いに影響
しあっている。特に、工業的に大量生産を行う場合に
は、めっき液の疲労等でそれらの因子の変動は避けられ
ない。このわずかのめっき条件の変動によりビア用穴内
を導体で完全に埋めることができないために、この穴埋
めめっきの実用化は困難となっていた。
【0007】本発明は上記の問題点に鑑み考案されたも
ので、電気銅めっき液の動粘度を調整することにより、
ビア用穴に導体を確実に埋めこむことができる電気めっ
き方法とそれを用いた配線基板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明において上記問題
を解決するため、まず請求項1においては、絶縁層の一
方の側に導体層が形成され、該絶縁層には、所定の箇所
に直径が1μm乃至100μm、深さが1μm乃至10
0μmで、かつアスペクト比が3以下であるビア用穴が
形成されており、少なくともビア用穴内に薄膜導電層を
形成した後に、前記薄膜導電層を電極として電気めっき
を行い、前記ビア用穴内に導体を埋め込む電気めっき方
法において、前記電気めっき時における電気めっき液の
動粘度を1.0cSt以上とすることを特徴とする電気
めっき方法としたものである。
【0009】また、請求項2においては、前記電気めっ
き液の動粘度を、粘度を増加させる添加剤を添加する方
法または液の温度を下げる方法のいずれかで調整するこ
とを特徴とする請求項1記載の電気めっき方法としたも
のである。
【0010】また、請求項3においては、前記電気めっ
き液として、硫酸銅、硫酸、塩素及び電気化学的に銅の
析出反応を抑制する効果を有する添加剤を含有する銅め
っき液を用いることを特徴とする請求項1または請求項
2記載の電気めっき方法としたものである。
【0011】さらにまた、請求項4においては、絶縁層
の一方の側に導体層が形成されている基板を用意する工
程と、絶縁層の所定の箇所に直径が1μm乃至100μ
m、深さが1μm乃至100μmで、かつアスペクト比
が3以下であるビア用穴を形成する工程と、少なくとも
ビア用穴内に薄膜導電層を形成する工程と、前記薄膜導
電層を電極として電気めっきを行い、前記ビア用穴内に
導体を埋め込む工程と、前記導体層をパターニングして
配線層を形成する工程とからなる配線基板の製造方法に
おいて、前記ビア用穴内に導体を埋め込む前記電気めっ
きとして、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載
の電気めっき方法を用いることを特徴とする配線基板の
製造方法としたものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
説明する。本発明の電気めっき法は絶縁層に形成された
直径が1μm乃至100μm、深さが1μm乃至100
μmで、かつアスペクト比が3以下のビア用穴に前記薄
膜導電層を電極として電気めっきを行い、前記ビア用穴
内を導体で埋め込む電気めっき方法において、電気めっ
き時における電気めっき液の動粘度を1.5×10 -6
2/S以上で電気めっきを行うようにしたものである。
電気めっき液の動粘度を1.5×10-62/S以上と
することにより、電気めっき液の流れを容易に作ること
が可能となり、好ましくはめっきされる基板の表面に平
行となる電気めっき液の流れを作ることであるが、その
ような流れも作りやすくなる。この電気めっき液の動粘
度を調整するには、粘度を増加させる添加剤を電気めっ
き液に添加するか、または電気めっき液の温度を下げる
かのいずれかの方法で調整する。
【0013】本発明の電気めっき法に使用する電気めっ
き液としては、液中の成分として、硫酸銅、硫酸、塩
素、および電気化学的に銅の析出反応を抑制する効果を
有する添加剤を含有するものがあげられる。動粘度を上
記の方法により調整することで、液中に含まれている添
加剤は、ビア用穴内よりも表面に対して作用し易くなる
ため、表面のめっき析出を抑制し、相対的にビア用穴内
の導体析出を優先させる。このような作用は、直径が1
μm乃至100μm、深さが1μm乃至100μmで、
かつアスペクト比が3以下である場合に顕著に現れる。
【0014】これは、液の流れが電気めっきでのビア用
穴内への導体埋め込み性に影響するのは、ビア用穴の大
きさとの関係があるためと考えられる。ビア用穴の穴
径、深さが100μmよりも大きい場合には、ビア用穴
内にめっき液が進入して抑制剤が作用するため、ビア用
穴内の析出が優先される効果は現れにくくなる。
【0015】本発明の電気めっき方法に使用する電気銅
めっき液の組成の一例を示す。 硫酸銅(硫酸銅5水和物) 40〜230g/L 硫酸 (98%) 50〜200g/L ポリエチレングリコール 10〜1000ppm SPS(ヒ゛ス(3-スルフォフ゜ロヒ゜ル)シ゛スルフィト゛2ナトリウム塩) 0.1〜10ppm ヤヌスグリーンB 1〜100ppm 塩素 30〜100ppm 粘度を増加させる添加剤 適量 ここで、硫酸銅は、液中に銅イオンを供給するために含
有されている。硫酸は、液の電導度を向上させる。ポリ
エチレングリコールは、電気化学的に銅の析出反応を抑
制する効果のある添加剤であり、平均分子量は200〜
30000が適当である。SPSは、光沢剤であり、析
出した銅の結晶を微細化させる。ヤヌスグリーンBは、
液の流れの効果を強調する作用があり、液の流れが強い
表面での析出反応を強く抑制し、相対的にビア用穴内部
での析出反応を優先させる。塩素は、アノードである含
リン銅の電気化学的溶解を促進する。
【0016】粘度を増加させる添加剤としては、アルギ
ン酸プロピレングリコールエーテル、メチルセルロー
ス、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリビニルアルコー
ル、デキストリンなどが使用できる。添加量は、使用温
度における液の動粘度が1.5×10-62/S以上と
なる量とし、上限は溶解度により決められる。これら
は、一般的には、0.001〜1g/Lが適量である。
【0017】また、本発明では、市販の穴埋め用電気銅
めっき液に粘度を増加させる添加剤を加えることでも、
同様の効果を得ることができる。市販の液としては、例
えば、キュプロナールVF(メルテックス)、キューブ
ライトVF(荏原ユージライト)が用いられる。
【0018】本発明の電気めっき方法が適用可能な配線
基板としては、両面の配線基板として、ガラスエポキシ
樹脂等の材料を用いた両面プリント配線板、フィルムキ
ャリア等があげられ、多層の配線基板として、ガラスエ
ポキシ樹脂等の材料を用いた多層プリント配線板や、エ
ポキシ樹脂等を絶縁層として用いたビルドアップ多層プ
リント配線板等があげられる。以下本発明の電気めっき
方法を適用してビア用穴に導体を埋め込んでビアを作製
する配線基板の製造方法について述べる。図1(a)〜
(d)に発明の電気めっき方法を適用してビア用穴に導
体を埋め込んでビアを作製する配線基板の製造方法の一
実施例を示す構成部分断面図を示す。
【0019】まず、ガラスエポキシ基板からなる絶縁基
板11の両面に導体層をパターニングして配線層12a
及び12bを形成する(図1(a)参照)。
【0020】次に、絶縁基板11の両面に樹脂溶液をロ
ールコーター、スクリーン印刷等により塗布し、加熱硬
化して絶縁層13を形成し、絶縁層13の所定位置にビ
ア用穴14a及び14bを形成し、ビア用穴14a及び
14bの壁面及び絶縁層13上に薄膜導電層を形成する
(図1(b)参照)。絶縁層としては、エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が
あげられる。ビア用穴の穿孔手段としては、レーザー加
工法や、絶縁性の感光性樹脂を用いてフォトリソグラフ
ィーを行う方法等があげられる。なお、前記のレーザー
加工法の場合は、絶縁層が感光性を有する必要がなく、
材料選択上の自由度が高いこと、そして微小なビア用穴
を加工することができ、好ましい。使用可能なレーザー
としては、UV−YAGレーザー、炭酸ガスレーザー、
エキシマレーザー等があげられる。ビア用穴内及び絶縁
層13上に薄膜導電層を形成する方法としては、無電解
めっきやスパッタリング、スズ−パラジウムコロイドや
パラジウム粉末を付着させる方法があげられる。なお、
薄膜導電層はビア用穴内だけに形成することに限定され
ず、絶縁層の他方の側にも形成するようにしてもよい。
【0021】次に、薄膜導電層を電極にして本発明の電
気めっき方法ににて導体をめっきして、ビア15a、ビ
ア15b及び導体層16を形成する(図1(c)参
照)。本発明の電気めっき方法に使用する電気銅めっき
液の組成の一例は、以下の通りである。 硫酸銅(硫酸銅5水和物) 40〜230g/L 硫酸 (98%) 50〜200g/L ポリエチレングリコール 10〜1000ppm SPS(ヒ゛ス(3-スルフォフ゜ロヒ゜ル)シ゛スルフィト゛2ナトリウム塩) 0.1〜10ppm ヤヌスグリーンB 1〜100ppm 塩素 30〜100ppm 粘度を増加させる添加剤 適量
【0022】上記電気めっき用の電気銅めっき液を用い
て電気めっきを行う電気めっき条件の一例は、以下の通
りである。 電流密度 0.1〜5A/dm2 温度 0〜25℃ アノード 含リン銅(P:0.04〜0.06%) 液攪拌 空気攪拌または基板面に平行な液噴流 基板の動き 基板面に平行な方向へ動き(上下or左右) ビア用穴内に銅の導体を埋め込むのに最適な電流密度の
値は、0.1〜5A/dm2の範囲内で諸条件により変
化するが、一般的には、低い方が埋め込み性が高い。電
気めっき液の温度は、従来の電気銅めっき液では20〜
30℃であるが、本発明においては、0〜25℃で使用
することが好ましい。温度を低い温度で使用することで
粘度が増加する。これと、上記の粘度を増加させる添加
剤により、めっき時の液の動粘度を1.5×10-62
/S以上に調整する。
【0023】アノードは、従来から使用されている含り
ん銅を使用できる。また、白金、白金めっきしたチタン
などの不溶性アノードも使用することができる。液の攪
拌、および基板の揺動は、基板表面において、表面に平
行な液の流れを作るようにすべきであり、この具体的方
法としては、従来から使用されている空気攪拌や基板の
上下方向への揺動で十分である。このような従来の攪
拌、揺動方法を用いた時でも、本発明の電気銅めっき液
を使用すると、各めっき条件の管理範囲を広げて良好な
埋め込み性を得ることができる。
【0024】次に、導体層16をフォトエッチング法に
よりパターニング処理し、配線層16a及び配線層16
bを形成し、ビルドアップ方式の4層配線基板を得る
(図1(d)参照)。
【0025】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 <実施例1>まず、ガラス−エポキシ基板からなる絶縁
基板11の両面に銅箔が貼着された材料を用い、両面の
銅箔をエッチングし、配線層12a及び配線層12bを
形成した。
【0026】次に、絶縁基板11及び配線層12a及び
配線層12b上に液状のエポキシ樹脂を塗布し、熱硬化
させて膜厚80μm及び40μmの2種の絶縁層13を
形成し、絶縁層13の所定位置にUV−YAGレーザー
を用いてビア用穴14a及び14bを形成した。さら
に、過マンガン酸カリウムを用いてビア用穴14a及び
14bの穴内クリーニングを行った。ここで、ビア用穴
14a及び14bの穴径は下記の二種である。 膜厚80μmの絶縁層に対しては 穴径:100μm(アスペクト比0.8) 膜厚40μmの絶縁層に対しては 穴径:50μm(アスペクト比0.8) なお、アスペクト比は、ビア用穴の深さを穴径で除した
値である。さらに、絶縁層13表面及びビア用穴14a
及び14bの穴内の壁面に無電解銅めっきを行って薄膜
導電層を形成した。
【0027】次に、下記に示す各電気銅めっき液にて薄
膜導電層を電極にして電気銅めっきを行い、ビア用穴1
4a及び14b穴内にはビア15a及び15b、絶縁層
13上には導体層16を形成した。なお、基板材料は上
記穴径40μm及び80μmのものをそれぞれ3枚用意
し、電気銅めっき液は表1に示すようなめっき液の動粘
度を1.4、1.5及び1.7(10-62/S)の3
種に調整した電気銅めっき液を用いた。
【0028】
【表1】
【0029】その他のめっき条件は次の通りとした。 電流密度 :2A/dm2 液攪拌 :空気攪拌 基板の揺動:上下揺動(ストローク長30mm、2回/
分または12回/分) めっき膜厚:表面で銅20μm相当 上記のように、液中の添加剤であるSPSの濃度と、基
板の揺動速度を変化させ各めっき液で電気めっきを行っ
た後のビア用穴内の導体の埋め込み性について評価した
結果を表2に示す。
【0030】
【表2】
【0031】表2でSPS濃度は1ppm、基板揺動回
数は2回/分が標準である。表2の結果からも分かるよ
うに電気めっき液の動粘度が1.5×10-62/S及
び1.7×10-62/Sの場合いずれのめっき条件に
おいてもビア用穴内に完全に導体が埋め込まれており、
ボイドの発生のないビアが形成されていた。
【0032】さらに、両面の導体層16をパターニング
処理して、配線層16a及び配線層、16bを形成し
た、ビルドアップ4層配線基板を得た。
【0033】<実施例2>まず、厚さ75μmのポリイ
ミドフィルムからなる絶縁基板の両面に銅箔が貼着され
た材料を用い、一方の側の銅箔上全面にレジストを形成
し、他方の側の銅箔上にはビア形成部分を除いてレジス
トを形成した。エッチングして他方の側のビア形成部分
の銅箔を除去した。
【0034】次に、前記他方の側からUV−YAGレー
ザーを用いてビア形成部分のポリイミドフィルムを除去
し、穴径50μmのビア用穴を形成した。この際は、前
記一方の側の銅箔がレーザー加工のストッパーとなっ
た。即ち、ビア用穴は一方の側が銅箔で閉塞された状態
となった。そして、ビア用穴の穴内クリーニングを行っ
た。なお、アスペクト比は、ビア用穴の深さがポリイミ
ドフィルムの厚さである75μmとなるため、1.5と
なった。
【0035】次に、無電解銅めっきを行って薄膜導電層
を形成した。さらに、電気銅めっきを行い、ビア用穴内
を埋め込み、ビア及び導体層を形成した。ここで、電気
銅めっきのめっき液及びめっき条件は実施例1で用いた
動粘度を1.5×10-62/Sに調整した電気銅めっ
き液を用い、実施例1と同様の条件で、電気めっきによ
るビア用穴内の導体埋め込みを行った。
【0036】次に、両面の導体層をパターニング処理し
て配線層を形成し、ビルドアップ4層配線基板を得た。
その結果、いずれの場合もビア用穴内に導体が完全に埋
め込まれたビアを有する配線基板を得ることができた。
【0037】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、電気めっ
き時における電気めっき液の動粘度を1.5×10-6
2/S以上とすることにより、ビア用穴内に導体を完全
に埋めることができる電気めっき方法を提供することが
できる。請求項2記載の発明によれば、電気めっき液の
動粘度を、粘度を増加させる添加剤を添加する方法また
は液の温度を下げる方法のいずれかで調整するため、粘
度を安定させることができ、従ってビア用穴内に導体を
完全に埋めることができる電気めっき方法を提供するこ
とができる。また、請求項3記載の発明によれば、めっ
き液として、硫酸銅、硫酸、塩素及び電気化学的に銅の
析出反応を抑制する効果を有する添加剤を含有する銅め
っき液を用いるため、安価な銅めっきによって、ビア用
穴内に導体を完全に埋めることができる電気めっき方法
を提供することができる。請求項4記載の発明によれ
ば、電気めっきの際に、請求項1乃至請求項3のいずれ
か一項記載の電気めっき方法を用いるため、ビアを積み
上げたり、穴埋めされたビアを求められた場合でも、高
い信頼性でビア用穴内に導体を完全に埋めることが可能
な配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電気めっき方法を用いて作製する配線
基板の製造方法の一実施例を示す説明図である。
【符号の説明】
11……絶縁基板 12a、12b……配線層 13……絶縁層 14a、14b……ビア用穴 15a、15b……ビア 16……導体層 16a、16b……配線層
フロントページの続き Fターム(参考) 4K023 AA19 BA06 CB32 DA02 4K024 AA09 AB01 BB11 BC10 CA01 CA02 CA06 CB12 CB13 DA08 GA16 5E317 AA24 CC25 CC33 CD25 CD27 CD32 GG17 5E343 AA07 AA15 AA17 AA18 BB24 BB67 CC78 DD43 DD76 ER18

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁層の一方の側に導体層が形成され、該
    絶縁層には、所定の箇所に直径が1μm乃至100μ
    m、深さが1μm乃至100μmで、かつアスペクト比
    が3以下であるビア用穴が形成されており、少なくとも
    ビア用穴内に薄膜導電層を形成した後に、前記薄膜導電
    層を電極として電気めっきを行い、前記ビア用穴内に導
    体を埋め込む電気めっき方法において、 前記電気めっき時における電気めっき液の動粘度を1.
    5×10-62/S以上とすることを特徴とする電気め
    っき方法。
  2. 【請求項2】前記電気めっき液の動粘度を、粘度を増加
    させる添加剤を添加する方法または液の温度を下げる方
    法のいずれかで調整することを特徴とする請求項1記載
    の電気めっき方法。
  3. 【請求項3】前記電気めっき液として、硫酸銅、硫酸、
    塩素及び電気化学的に銅の析出反応を抑制する効果を有
    する添加剤を含有する銅めっき液を用いることを特徴と
    する請求項1または請求項2記載の電気めっき方法。
  4. 【請求項4】絶縁層の一方の側に導体層が形成されてい
    る基板を用意する工程と、絶縁層の所定の箇所に直径が
    1μm乃至100μm、深さが1μm乃至100μm
    で、かつアスペクト比が3以下であるビア用穴を形成す
    る工程と、少なくともビア用穴内に薄膜導電層を形成す
    る工程と、前記薄膜導電層を電極として電気めっきを行
    い、前記ビア用穴内に導体を埋め込む工程と、前記導体
    層をパターニングして配線層を形成する工程とからなる
    配線基板の製造方法において、 前記ビア用穴内に導体を埋め込む前記電気めっきとし
    て、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電気
    めっき方法を用いることを特徴とする配線基板の製造方
    法。
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