JP2003253490A

JP2003253490A - ビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法

Info

Publication number: JP2003253490A
Application number: JP2002052070A
Authority: JP
Inventors: Hideo Honma; 英夫本間; Shuhei Miura; 修平三浦; Jinko Oyamada; 仁子小山田
Original assignee: Ebara Udylite Co Ltd
Current assignee: Ebara Udylite Co Ltd
Priority date: 2002-02-27
Filing date: 2002-02-27
Publication date: 2003-09-10
Anticipated expiration: 2022-02-27
Also published as: JP3780302B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ビアホール及びスルーホールが混在する基板
において、簡単な操作で、ビアホール内に効率よくビア
フィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金
属を析出することができる技術を提供すること。【解決手段】ビアホール及びスルーホールを有する基
板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法
において、酸性銅めっきを次の条件（１）および（２）
で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホー
ルを有する基板のめっき方法。（１）陰極電流密度５〜１０Ａ／ｄｍ^２で１０秒〜５
分間（２）陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ^２で１５〜１
８０分間

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微小孔を有する基
板のめっき方法に関する。さらに詳細には、ブラインド
の微小孔と貫通した微小孔が混在するプリント基板等の
基板において、ブラインドの微小孔であるビアホール
（以下、「ビアホール」という）には十分に金属を充填
し、かつ貫通した微小孔であるスルーホール（以下、
「スルーホール」という）内には均一に金属を析出させ
ることが可能なめっき方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、携帯電話、パソコン、ビデオ、ゲ
ーム機等の電子機器の回路実装法として、ビルドアップ
工法が適用されるようになってきた。このビルドアップ
工法では、積層板にビアホールやスルーホール等の微小
孔が設けられており、この微小孔中に析出させた金属に
よって各回路層間の接続が行われている。

【０００３】この微小孔のうち、ビアホールについて
は、従来からビアホールの内側面および底面に金属皮膜
を形成させるビアホールめっきやビアホール内に金属を
充填するビアフィリングによって各層間の接続が施され
ていたが、最近では、ビアホールめっきでは、穴の上に
さらに導体層を積み上げることは難しいとの理由で、ビ
アホール内に電気めっきで金属を充填するビアフィリン
グが主流となっている。

【０００４】一方、スルーホールについては、現在もス
ルーホールの内側面に均一に金属皮膜を形成させるスル
ーホールめっき法により、各層間の接続が行われてい
る。

【０００５】上記したビアフィリング法やスルーホール
めっき法は、それぞれほぼ完成された技術ではあるが、
これらの方法をビアホールとスルーホールの混在した基
板に適用することは難しく、大きな問題となっていた。

【０００６】すなわち、ビアホールとスルーホールの混
在する基板に単純にビアフィリングめっきを行うと、ス
ルーホール内部での金属皮膜の均一性が保証できず、性
能的に問題が生じることになる。一方、この問題を避け
るために、スルーホール内の金属皮膜の均一性を重視す
ると、ビアフィリング性能が低下し、めっき処理に長時
間を要することになるという別の問題が生じる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従って、ビアホール及
びスルーホールが混在する基板において、簡単な操作
で、ビアホール内に効率よくビアフィリングを形成し、
かつスルーホール内にも均一に金属を析出することがで
きる技術の提供が求められていた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解決するために鋭意検討を行った結果、電析初期の
一定時間の電流を、それ以降の条件より高電流とするこ
とにより、ビアホールに対しては、ビアホール内に十分
に金属を充填することができ、また、スルーホールに対
しては、スルーホール内に均一に金属を析出することが
可能とすることを見出し、本発明を完成した。

【０００９】すなわち本発明は、ビアホール及びスルー
ホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっき
をおこなうめっき方法において、酸性めっきを次の条件
（１）および（２）で順次行うことを特徴とするビアホ
ール及びスルーホールを有する基板のめっき方法を提供
するものである。（１）陰極電流密度５〜１０Ａ／ｄｍ^２で１０秒〜５
分間（２）陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ^２で１５〜１
８０分間

【００１０】また、本発明は、条件（１）の前に、下記
条件（３）で酸性銅めっきを行うことを特徴とする請求
項第１項記載の基板のめっき方法を提供するものであ
る。（３）陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ^２で５〜４０
分間

【００１１】さらに、本発明は、酸性銅めっきに先立
ち、酸性銅めっき浴組成中から銅成分を除去した溶液中
で、下記条件（４）で電解することを特徴とする請求項
第１項記載の基板のめっき方法をも提供するものであ
る。（４）陰極電流密度０．５〜５Ａ／ｄｍ^２で１０秒〜
５分間

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明方法を実施するには、ま
ず、ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化
処理することが必要である。

【００１３】本発明の方法の対象となる基板は、穴径５
０〜１８０μｍ程度、深さ（樹脂層厚さ）３０〜１００
μｍ程度のブラインドビアホール及び穴径３００〜５０
０μｍのスルーホールを有するプリント基板等の基板で
ある。具体的な基板の例としては、ＩＣベアーチップが
直接実装されるパッケージ基板等が挙げられる。この基
板には、更にトレンチがあっても良い。

【００１４】この基板の導電化処理は、通常の方法、例
えば無電解めっきによる金属被覆処理、スパッタリン
グ、蒸着または化学気相蒸着法（Chemical Vapor Depos
ition：ＣＶＤ）により行うことができる。

【００１５】次に、導電化処理された基板は、酸性銅め
っき浴で銅めっきされる。本発明においては、このめっ
きにおいて、次の条件（１）および（２）の順で酸性銅
めっきを行うことが必要である。

【００１６】まず、陰極電流密度を５〜１０Ａ／ｄ
ｍ^２、好ましくは５〜７Ａ／ｄｍ^２とし、１０秒〜５分
間、好ましくは３０秒〜２分間めっきを行う（条件
（１））。

【００１７】次に、陰極に電流密度を０．５〜３Ａ／ｄ
ｍ^２、好ましくは、０．５〜２Ａ／ｄｍ^２とし、１５〜
１８０分間、好ましくは４５〜１８０分間めっきを行う
（条件（２））。

【００１８】条件（２）によるめっきは、条件（１）の
めっきの後酸性銅めっきが完了するまで行えばよいが、
電流密度を上記条件（２）の範囲内の一定の電流密度に
固定しても良いし、上記電流密度の範囲内で低電流密度
から階段的に電流密度を上昇させてもよい。

【００１９】条件（１）と条件（２）のめっきにおい
て、条件（１）の電流密度は、条件（２）の電流密度の
２から２０倍程度とすることが好ましく、また、条件
（１）のめっき時間は、条件（２）のめっき時間の０．
００１から０．２倍程度とすることが好ましい。

【００２０】更に、本発明方法においては、上記条件
（１）の前に、下記条件（３）で電解電解することによ
り、ビアホールの埋め込み性を更に改善することができ
る。

【００２１】この電解条件（条件（３））は、陰極電流
密度０．５〜３Ａ／ｄｍ^２、好ましくは、１〜２Ａ／ｄ
ｍ^２で、５〜４０分間、好ましくは１０〜３０分間電解
することが好ましい。

【００２２】更にまた、本発明方法では、酸性銅めっき
に先立って、酸性銅めっき浴組成中から銅成分を除去し
た溶液を調整し、該溶液中で下記条件（４）で電解する
ことにより、添加剤を基板に有効に吸着させ、以降のの
電気酸性銅めっきでより効率的な銅めっきを可能にする
できる。

【００２３】この電解条件（条件（４））は、陰極電流
密度０．５〜５Ａ／ｄｍ^２、好ましくは、０．５〜３Ａ
／ｄｍ^２で、１０秒〜５分間、好ましくは３０秒〜３分
間電解することが好ましい。かかる電解が終わった後、
酸性銅めっき浴中で、上記条件（１）および（２）の順
で酸性銅めっきを行えばよい。

【００２４】上記の条件（１）ないし条件（３）のめっ
きで使用される酸性銅めっき浴としては、特に制限なく
通常使用されている酸性銅めっき浴を利用することがで
きるが、例えば下記の各成分を含有するものであること
が好ましい。

【００２５】まず、酸性銅めっき浴において含有される
銅イオン源成分としては、通常、酸性溶液において溶解
する銅化合物であれば特に制限なく使用することができ
る。この銅化合物の具体例としては、硫酸銅、酸化銅、
塩化銅、炭酸銅、ピロリン銅や、メタンスルホン酸銅、
プロパンスルホン酸銅等のアルカンスルホン酸銅、イセ
チオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅等のアルカノー
ルスルホン酸銅、酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などの
有機酸銅及びその塩などが挙げられる。これらの銅化合
物は、１種を単独で使用することもでき、また２種以上
を混合して使用することもできる。

【００２６】上記の銅化合物の濃度は、酸性銅めっき浴
の組成において２５〜３００ｇ／Ｌであればよく、好ま
しくは６５〜２００ｇ／Ｌである。

【００２７】なお、上記条件（４）で使用される溶液
は、上記した酸性銅めっき浴で、銅成分を除いたものを
使用すればよい。

【００２８】また、酸性銅めっき浴は、構成成分として
有機酸あるいは無機酸を含有させることができる。該有
機酸あるいは無機酸は、銅を溶解しうるものであれば特
に制約なく使用できる。好ましい具体例としては、硫
酸、メタンスルホン酸、プロパンスルホン酸等のアルカ
ンスルホン酸類、イセチオン酸、プロパノールスルホン
酸等のアルカノールスルホン酸類、クエン酸、酒石酸、
ギ酸などの有機酸類などが挙げられる。これらの有機酸
または無機酸は、１種を単独で使用するすることもで
き、また２種以上を混合して使用することもできる。

【００２９】上記の有機酸あるいは無機酸の濃度は、酸
性銅めっき浴の組成において、２５〜３００ｇ／Ｌであ
ればよく、好ましくは５０〜２００ｇ／Ｌである。

【００３０】なお、上記成分の他に塩素イオンが存在す
ることが好ましく、その濃度は塩素濃度として１０〜１
００ｍｇ／Ｌであり、特に３０〜７０ｍｇ／Ｌとするこ
とが好ましい。

【００３１】さらに、酸性めっき浴には、その構成成分
として、一般にポリマー成分といわれる成分、キャリア
ー成分またはブライトナー成分といわれる成分およびレ
ベラーといわれる成分を含有させることができる。

【００３２】そのうち、ポリマー成分の具体例として
は、例えば次のものが挙げられる。

【００３３】(１)：次式（Ｉ）で表されるポリプロピ
レングリコール

【化１】（式中、ｎ_１は１から２０の数を示す）

【００３４】（２）：次式（II）で表されるプルロニ
ック型界面活性剤

【化２】（式中、ｎ_２およびｌ_２は１から３０の数を、ｍ_２は１
０から１００の数を示す）

【００３５】（３）：次式（III）で表されるテトロ
ニック型界面活性剤

【化３】（式中、ｎ_３は１から２００の数を、ｍ_３は１から４０
の数を示す）

【００３６】（４)：次式（IＶ）で表されるポリエチ
レングリコール・グリセリルエーテル

【化４】（式中、ｎ_４、ｍ_４およびｌ_４はそれぞれ１から２００
の数を示す）

【００３７】（５）：次式（Ｖ）で表されるポリエチ
レングリコール・ジアルキルエーテル

【化５】（式中、Ｒ₁およびＲ₂は水素原子または炭素数１から５
の低級アルキル基を示し、ｎ_５は２から２００の数を示
す）

【００３８】上記のポリマー成分は、いずれか１種類を
単独で、もしくは２種以上を混合して用いることがで
き、その濃度としては、５〜１００ｍｇ／Ｌ程度、好ま
しくは１０〜１００ｍｇ／Ｌ程度である。

【００３９】また、キャリアー成分ないしブライトナー
成分の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。

【００４０】(６)：次式（ＶI）で表されるスルホア
ルキルスルホン酸塩

【化６】（式中、Ｌ_１は炭素数１から１８の飽和または不飽和の
アルキレン基を示し、Ｍ _１はアルカリ金属を示す）

【００４１】(７)：次式（ＶII）で表されるビススル
ホ有機化合物

【化７】（式中、Ｌ_２およびＬ_３は炭素数１から１８の飽和また
は不飽和のアルキレン基を示し、Ｘ_１およびＹ_１は硫酸
塩残基またはリン酸塩残基を示す）

【００４２】(８)：次式（ＶIII）で表されるジチオ
カルバミン酸誘導体

【化８】（式中、Ｒ_３およびＲ_４は水素原子または炭素数１から
３の低級アルキル基、Ｌ _４は炭素数３から６のアルキレ
ン基を示し、Ｘ_２は硫酸塩残基またはリン酸塩残基を示
す）

【００４３】この成分も、いずれか１種類を単独で、も
しくは複数を混合して用いることができ、その濃度とし
ては、５〜２０ｍｇ／Ｌ程度、好ましくは１０〜１５ｍ
ｇ／Ｌ程度である。

【００４４】更にレベラー成分の具体例としては、例え
ば次のものが挙げられる。

【００４５】(９)：次式（IＸ）で表されるポリアル
キレンイミン

【化９】（式中、Ｌ_５、Ｌ_６およびＬ_７は炭素数１から３の低級
アルキレン基を示し、ｎ _６およびｍ_５は１から２００の
数を示す）

【００４６】(１０)：次式（Ｘ）で表される１−ヒド
ロキシエチル−２−アルキルイミダゾリン塩

【化１０】（式中、Ｒ_５は炭素数１４から２０の飽和または不飽和
のアルキル基を示し、Ｘ _３はハロゲン原子を示す）

【００４７】(１１)：次式（ＸI）で表されるオーラ
ミン及びその誘導体

【化１１】（式中、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８およびＲ_９は水素原子または
炭素数１から３の低級アルキル基を示す）

【００４８】(１２)：次式（ＸII）で表されるメチル
バイオレットまたはクリスタルバイオレット及びそれら
の誘導体

【化１２】（式中、Ｒ_１０、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４およ
びＲ_１５は水素原子または炭素数１から３の低級アルキ
ル基を示し、Ｘ_４はハロゲン原子を示す）

【００４９】(１３)：次式（ＸIII）で表されるヤヌ
スブラック及びその誘導体

【化１３】（式中、Ｒ_１６およびＲ_１７は低級アルキル基を、Ｒ
_１８は水酸基、アミノ基、ヒドロキシフェニル基または
ヒドロキシフェニルジアゾ基を示し、Ｘ_５はハロゲン原
子を示す）

【００５０】（１４）：次式（ＸIＶ）で表されるヤ
ヌスグリーン

【化１４】（式中、Ｒ_１９およびＲ_２０は水素、メチルおよびエチ
ル基から成る群から選択された基、Ｘ⁻は塩素、臭素、
ヨウ素、フッ素、硫酸、重硫酸および硝酸イオンから成
る群から選択されたアニオン、ＹはＨ、−ＮＨ_２、−Ｎ
（ＣＨ_３）_２および−Ｎ＝Ｎ−Ｚ、Ｚはフェニル、ナフ
チルから成る群から選択された芳香族基並びにアミノ
基、アルキル置換アミノ基、ヒドロキシおよびアルコキ
シ置換基によって置換されるフェニルおよびナフチル基
である）

【００５１】このレベラー成分も、いずれか１種類を単
独で、もしくは２種以上を混合して用いることができ、
その濃度としては、５〜２０ｍｇ／Ｌ程度、好ましくは
１０〜１５ｍｇ／Ｌ程度である。

【００５２】また、上記酸性めっき浴の電流密度および
めっき時間以外の条件は、一般的なもので良く、例え
ば、酸性銅めっき浴の浴温は、１５〜３５℃程度、好ま
しくは２０〜３０℃である。また、一般には、エアレー
ションによる攪拌を行うことが好ましい。

【００５３】以上説明した本発明のめっき方法で、ビア
ホール及びスルーホールを完全に埋めるまでの時間は、
スルーホール及びビアホールの直径や、その深さにより
異なるが、例えば穴の直径がφ３００μｍのスルーホー
ル及び穴の直径がφ１５０ｍｍで、深さが５０μｍであ
るビアホールを完全に埋めるためには、まず、５Ａ／ｄ
ｍ^２の電流密度で１分程度酸性銅めっきし、その後１
Ａ／ｄｍ^２の電流密度で９０分間酸性銅めっきすればよ
く、このときの表面（ビアホール及びスルーホール以外
の部分）のめっき厚は、２５μｍ程度となる。

【００５４】また、本発明のめっき方法では、ビアホー
ル及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後
に、酸性銅めっきを行う際に、まず最初に、上記の成分
（ａ）〜（ｄ）を含有する酸性銅めっき浴を用い、酸性
銅めっきを、これも上記した条件（１）及び（２）で順
次行い（これを第１めっきと呼ぶ）、次いで、下記の成
分（ａ）〜（ｅ）を含有する酸性銅めっき浴を用いて、
再び酸性銅めっきを下記条件（１）及び（２）で順次行
うことにより（これを第２めっきとよぶ）、ビアホール
内のビアフィリングの形成と、スルーホール内への均一
な金属を析出をさらに優れたものとすることができる。

【００５５】この場合、第１めっきは、成分（ａ）〜
（ｅ）を含有する酸性銅めっき浴から、いわゆるレベラ
ー成分である成分（ｅ）を除いためっき浴でめっきを行
うことで、スルーホールやビアホールに対して均一にめ
っきを行う役割を果たす。次いで、第２めっきとして、
成分（ａ）〜（ｅ）を含有した酸性銅めっき浴を用いて
第２めっきを行うことにより、ビアホールに対してフィ
リングを優先的に行い、スルーホール及びビアホールに
対して、効率よくビアフィリングを形成し、かつスルー
ホール内にも均一に金属を析出することが可能となるの
である。

【００５６】本めっき方法を用いる場合には、酸性銅め
っき浴成分は、上記した（ａ）〜（ｄ）成分（第１めっ
き）および（ａ）〜（ｅ）成分（第２めっき）を用いれ
ばよく、各成分の濃度も上記した範囲のものを用いるこ
とができる。また、めっき条件の条件（１）及び条件
（２）についても、上記した陰極電流密度及びめっき時
間の範囲の条件を用いることができる。ただし、条件
（２）のめっき時間については、第１めっきにおいて
は、１０〜７５分間行えばよく、１５〜６０分間が好ま
しい。また、第２めっきにおいては、３０〜２００分間
行えばよく、４５〜１８０分間行うことが好ましい。さ
らに、それ以外のめっき浴の条件も、上記したものと同
様であり、例えば、酸性銅めっき浴の浴温は、１５〜３
５℃程度、好ましくは２０〜３０℃であり、一般には、
エアレーションによる攪拌を行うことが好ましい。更に
また、上記成分の他に塩素イオンが存在することが好ま
しいことも同様で、その濃度は塩素濃度として１０〜１
００ｍｇ／Ｌであり、特に３０〜７０ｍｇ／Ｌとするこ
とが好ましい。

【００５７】

【実施例】次に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれら実施例等に何ら制約されるもの
ではない。

【００５８】実施例１ビアホールのフィリング性及びスルーホールつきまわり
性の評価（１）：サイズ５ｃｍ×２ｃｍ、厚さ７．３ｍ
銅張りエポキシ樹脂プリント基板に、図１で模式的に示
すようにφ５００μｍ、φ３００μｍのスルーホール及
び直径φ１８０μｍ、φ１５０μｍ、φ１００μｍ、深
さ７５μｍのブラインドビアホールをあけ、テストピー
ス基板とした。このテストピース基板について、まず無
電解銅めっきを行い、ビアホール及びスルーホール内壁
及び基板の表面に無電解銅層を０．５μｍの厚さで形成
した（以下、「導電化処理」という）。この無電解銅め
っきには、ライザトロンプロセス（荏原ユージライト社
製）を用いた。

【００５９】次に、この導電化処理を行ったテストピー
ス基板を、下記組成の酸性銅めっき浴（Ｉ）を用い、以
下の電析条件１〜３を用いて硫酸銅めっきを行ない電解
銅層を形成した。なお、ここで使用した電析条件のうち
３は、一般的なプリント基板用硫酸銅めっきの電析条件
である。

【００６０】酸性銅めっき後のテストピース基板につい
て、スルーホール部及びビアホール部の断面状態を顕微
鏡により観察した。この結果を図２〜図７に示した。

【００６１】（硫酸銅めっき浴（Ｉ）組成）１．硫酸銅（５水塩）６５ｇ／Ｌ２．硫酸２００ｇ／Ｌ３．塩素イオン５０ｍｇ／Ｌ４．ポリエチレングリコール^＊１１０ｍｇ／Ｌ（平均分子量４０００）５．ＳＰＳ^＊２１０ｍｇ／Ｌ６．ヤヌスグリーン^＊３１０ｍｇ／Ｌ＊１：マクロゴール４０００（三洋化成工業（株）製）＊２：化合物（II）中、Ｌ_２＝Ｌ_３＝Ｃ_３Ｈ_６、Ｘ_１＝Ｙ_１＝ＳＯ_３Ｈ＊３：ヤヌスグリーン（和光純薬工業（株）製）

【００６２】（電析条件１）陰極の電流密度を５Ａ／ｄ
ｍ^２で３分間、その後１Ａ／ｄｍ^２で７５分間酸性銅め
っきを行った。

【００６３】（電析条件２）陰極電流密度を１Ａ／ｄｍ
^２で２０分間、その後５Ａ／ｄｍ^２で１分間、更に１Ａ
／ｄｍ^２で１２０分間酸性銅めっきを行った。

【００６４】（電析条件３：対照条件）陰極電流密度を
３Ａ／ｄｍ^２で３０分間酸性銅めっきを行った。

【００６５】（結果）図２〜図５の結果から明ら
かなように、電析条件１及び２で酸性銅めっきを行った
テストピース基板は、ビアホール内に金属を充填し、か
つスルーホール内にも均一に金属が析出されていた。特
に、電析条件２で酸性銅めっきを行ったものは、直径が
１８０μｍのビアホールに対しても、十分に金属を充填
することができ、表面全体を平坦にめっきすることがで
きた。

【００６６】一方、図６及び図７の結果より、電析条件
３で酸性銅めっきを行ったテストピース基板は、スルー
ホール内壁左右の膜厚差が大きく、またコーナー部片側
の膜厚が薄く、スルーホール内に均一に金属を析出する
ことができなかった。また、ビアホール内のめっきも、
ビアホールの径が大きくなるにつれて、ビアホール内に
金属を充填するのが困難であった。

【００６７】実施例２ビアホールのフィリング性及びスルーホールつきまわり
性の評価（２）：実施例１で用いたものと同仕様のテス
トピース基板を使用して、これも実施例１と同様にライ
ザトロンプロセスを用いて無電解めっきを施した。

【００６８】次に、この導電化処理を行ったテストピー
ス基板を、下記組成の酸性銅めっき浴（II）を用い、下
記電析条件４を用いて硫酸銅めっきを行ったあと（第１
めっきと呼ぶ）、さらに、実施例１用いた酸性銅めっき
浴（Ｉ）を用いて、下記電析条件５を用いて硫酸銅めっ
きを行い（第２めっきと呼ぶ）、電解銅層を形成した。
なお、酸性銅めっき浴（II）は、実施例１で用いた酸性
銅めっき浴（Ｉ）より、レベラー成分の添加剤（ヤヌス
グリーン）を除いたものである。

【００６９】酸性銅めっき後のテストピース基板につい
て、スルーホール部及びビアホール部の断面状態を顕微
鏡により観察した。第２めっき後の断面写真を図８及び
図９、第１めっき後の断面写真を図１０及び図１１に示
した。

【００７０】（硫酸銅めっき浴（II）組成）１．硫酸銅（５水塩）６５ｇ／Ｌ２．硫酸２００ｇ／Ｌ３．塩素イオン５０ｍｇ／Ｌ４．ポリエチレングリコール^＊１１０ｍｇ／Ｌ（平均分子量４０００）５．ＳＰＳ^＊２１０ｍｇ／Ｌ＊１、２：上と同じ

【００７１】（電析条件４）陰極の電流密度を５Ａ／ｄ
ｍ^２で１分間、その後１Ａ／ｄｍ^２で３０分間酸性銅め
っきを行った。

【００７２】（電析条件５）陰極電流密度を５Ａ／ｄｍ
^２で２０分間、その後１Ａ／ｄｍ^２で９０分間酸性銅め
っきを行った。

【００７３】（結果）図１０及び図１１の結果か
ら明らかなように、電析条件４及び５で２種類の酸性銅
めっき浴を用いて酸性銅めっきを行ったテストピース基
板は、ビアホール内に金属を充填し、かつスルーホール
内にも均一に金属が析出されており、上記実施例１での
電析条件１及び２の結果と比較しても、より優れたもの
であった。

【００７４】また、図８及び９は、第１めっき終了後の
スルーホール及びビアホールの断面状態を示すものであ
る。このように、本実施例のプロセスでは、まず、第１
めっきにより、スルーホールやビアホールに対して均一
にめっきを行い、その後、第２めっきを行い、ビアホー
ルに対してフィリングを優先的に行い、スルーホール及
びビアホールに対して、効率よくビアフィリングを形成
し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出すること
が可能とするのである。

【００７５】

【発明の効果】本発明のめっき方法を用いれば、ビアホ
ールとスルーホールが混在する基板に対して、効率よく
ビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一
に金属を析出することが可能となる。従って、ビルドア
ップ基板などの高性能で信頼性の高い微細パターンを有
したプリント基板を、効率よく簡便に製造することがで
きるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１及び２で用いたプリント基板のビア
ホール及びスルーホールを模式的に示した図面である。

【図２】実施例１において、電析条件１で酸性銅めっ
きを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真
である。

【図３】実施例１において、電析条件１で酸性銅めっ
きを行った後のビアホール部の断面状態を示した写真で
ある。

【図４】実施例１において、電析条件２で酸性銅めっ
きを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真
である。

【図５】電析条件２で酸性銅めっきを行った後のビア
ホール部の断面状態を示した写真である。

【図６】電析条件３で酸性銅めっきを行った後のスル
ーホール部の断面状態を示した写真である。

【図７】電析条件３で酸性銅めっきを行った後のビア
ホール部の断面状態を示した図面である。

【図８】実施例２において、第２めっきを行った後の
スルーホール部の断面状態を示した写真である。

【図９】実施例２において、第２めっきを行った後の
ビアホール部の断面状態を示した図面である。

【図１０】実施例２において、第１めっきを行った後
のスルーホール部の断面状態を示した写真である。

【図１１】実施例２において、第１めっきを行った後
のビアホール部の断面状態を示した写真である。

【符号の説明】

１ … … 絶縁樹脂２ … … 絶縁層以上

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｎ (72)発明者三浦修平神奈川県横浜市港南区最戸２−７−６ジュネス上大岡108 (72)発明者小山田仁子神奈川県高座郡寒川町宮山334−４Ｆターム(参考） 4K023 AA19 BA06 BA08 BA26 BA29 CB03 CB05 CB13 CB21 CB28 CB33 DA07 4K024 AA09 AB02 AB08 AB09 AB17 BA11 BB11 BC01 CA02 CA06 DA10 GA16 5E317 AA24 BB02 BB12 CC32 CC33 CC35 CD32 GG01 GG16 5E346 AA42 AA43 CC09 CC32 FF04 FF07 FF15 GG15 GG17 HH07 HH33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ビアホール及びスルーホールを有する基
板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法
において、酸性銅めっきを次の条件（１）および（２）
で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホー
ルを有する基板のめっき方法。（１）陰極電流密度５〜１０Ａ／ｄｍ^２で１０秒〜５
分間（２）陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ^２で１５〜１
８０分間
【請求項２】条件（１）の前に、下記条件（３）で酸
性銅めっきを行うことを特徴とする請求項第１項記載の
基板のめっき方法。（３）陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ^２で５〜４０
分間
【請求項３】酸性銅めっきに先立ち、酸性銅めっき浴
組成中から銅成分を除去した溶液中で、下記条件（４）
で電解することを特徴とする請求項第１項記載の基板の
めっき方法。（４）陰極電流密度０．５〜５Ａ／ｄｍ^２で１０秒〜
５分間
【請求項４】酸性銅めっきに用いるめっき浴が以下の
成分（ａ）〜（ｅ）（ａ）５０〜２００ｇ／Ｌの銅イオン（ｂ）５０〜２００ｇ／Ｌの有機酸または無機酸（ｃ）５〜１００ｍｇ／Ｌの、ポリプロピレングリコ
ール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面
活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル
またはポリエチレングリコール・ジアルキルエーテルか
らなる群から選ばれる１種または２種以上の成分、（ｄ）５〜２０ｍｇ／Ｌの、スルホアルキルスルホン
酸ナトリウム、ビススルホ有機化合物およびジチオカル
バミン酸誘導体からなる群から選ばれる１種または２種
以上の成分（ｅ）５〜２０ｍｇ／Ｌの、ポリアルキレンイミン、
１−ヒドロキシエチル−２−アルキルイミダゾリンクロ
ライド、オーラミンおよびその誘導体、メチルバイオレ
ットおよびその誘導体、クリスタルバイオレットおよび
その誘導体、ヤノスブラックおよびその誘導体並びにヤ
ノスグリーンおよびその誘導体からなる群から選ばれる
１種または２種以上の成分を含有するものである請求項
第１項または第２項記載の基板のめっき方法。
【請求項５】成分（ａ）の銅イオン源として、硫酸
銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅、ピロリン酸銅、アルカン
スルホン酸銅、アルカノールスルホン酸銅および有機酸
銅からなる群から選ばれる銅化合物の１種または２種以
上を使用する請求項第３項記載の基板のめっき方法。
【請求項６】成分（ｂ）の有機酸または無機酸とし
て、硫酸、アルカンスルホン酸およびアルカノールスル
ホン酸からなる群から選ばれる１種または２種以上を用
いる請求項第３項または第４項記載の基板のめっき方
法。
【請求項７】酸性銅めっき浴中の塩素濃度が１０〜１
００ｍｇ／Ｌである請求項第１項ないし第５項のいずれ
かの項記載の基板のめっき方法。
【請求項８】成分（ｂ）の有機酸または無機酸が硫酸
である請求項第１項ないし第６項の何れかの項記載の基
板のめっき方法。
【請求項９】導電化処理を、無電解金属めっき、スパ
ッタリング、蒸着または化学気相蒸着法（ＣＶＤ）によ
り行う請求項第１項ないし第６項のいずれかの項記載の
基板のめっき方法。
【請求項１０】ビアホール及びスルーホールを有する
基板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方
法において、最初に、下記の成分（ａ）〜（ｄ）を含有
する酸性銅めっき浴を用いて、酸性銅めっきを下記条件
（１）及び（２）で順次行い、次いで、下記の成分
（ａ）〜（ｅ）を含有する酸性銅めっき浴を用いて、酸
性銅めっきを下記条件（１）及び（２）で順次行うこと
を特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板
のめっき方法。（ａ）５０〜２００ｇ／Ｌの銅イオン（ｂ）５０〜２００ｇ／Ｌの有機酸または無機酸（ｃ）５〜１００ｍｇ／Ｌの、ポリプロピレングリコ
ール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面
活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル
またはポリエチレングリコール・ジアルキルエーテルか
らなる群から選ばれる１種または２種以上の成分、（ｄ）５〜２０ｍｇ／Ｌの、スルホアルキルスルホン
酸ナトリウム、ビススルホ有機化合物およびジチオカル
バミン酸誘導体からなる群から選ばれる１種または２種
以上の成分（ｅ）５〜２０ｍｇ／Ｌの、ポリアルキレンイミン、
１−ヒドロキシエチル−２−アルキルイミダゾリンクロ
ライド、オーラミンおよびその誘導体、メチルバイオレ
ットおよびその誘導体、クリスタルバイオレットおよび
その誘導体、ヤノスブラックおよびその誘導体並びにヤ
ノスグリーンおよびその誘導体からなる群から選ばれる
１種または２種以上の成分（１）陰極電流密度５〜１０Ａ／ｄｍ^２で１０秒〜５
分間（２）陰極電流密度０．５〜３Ａ／ｄｍ^２で１０〜１
８０分間