JP2002161250A - 接着フィルム、その製造法、半導体素子と支持部材との接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 低温貼付性及び低吸湿性等に優れ、さらに熱
時において高い接着力を有し、耐ＰＣＴ性に優れる接着
フィルム、接着フィルム付き支持部材並びに高温高湿条
件下における高い信頼性を確保する半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 炭素数が２〜２０のアルキレン鎖を有す
るテトラカルボン酸二無水物（Ａ）及び芳香環を１〜４
有する芳香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）を含有し
てなるテトラカルボン酸二無水物とシロキサンジアミン
（Ｃ）とを反応させて得られるポリイミド樹脂（Ｄ）を
含有してなる接着フィルム、前記接着フィルムを半導体
素子と支持部材の間に挾み、加熱圧着することを特徴と
する半導体素子と支持部材との接着法、前記接着フィル
ムを支持部材に接着させた接着フィルム付き支持部材並
びに前記接着フィルムを用いて、半導体素子を支持部材
に接着させた構造を含有してなる半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持
部材の接合材料、すなわちダイボンディング用材料とし
て用いられる接着フィルム、その製造法、接着法、接着
フィルム付き支持部材及び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩとリードフレームの
接合にはＡｕ−Ｓｉ共晶合金、半田あるいは銀ペースト
等が用いられている。Ａｕ−Ｓｉ共晶合金は、耐熱性及
び耐湿性は高いが、弾性率が大きいため大型チップへ適
用した場合に割れやすいほか、高価である難点がある。
半田は安価であるものの、耐熱性が劣り、更に弾性率は
Ａｕ−Ｓｉ共晶合金と同様に高く、大型チップへ適用が
困難である。いっぽう、銀ペーストは安価で、耐湿性が
高く、弾性率も上記三者の中では最も低く、３５０℃の
熱圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性も有するの
で、現在はＩＣやＬＳＩとリードフレームの接着用材料
の主流である。しかし、近年ＩＣやＬＳＩの高集積化が
進み、それに伴ってチップが大型化しているなかで、Ｉ
ＣやＬＳＩとリードフレームを銀ペーストで接合しよう
とする場合、銀ペーストをチップ全面に広げ塗布するに
は困難を伴う。

【０００３】マイクロエレクトロニック マニュファク
チャリング アンド テスティング（MICROELECTRONIC
MANUFACTURING AND TESTING 1985年10月）に、導電性フ
ィラーを熱可塑性樹脂に充填したダイボンド用の接着フ
ィルムが報告された。これは熱可塑性樹脂の融点付近ま
で温度を上げ、加圧接着するものである。

【０００４】前記マイクロエレクトロニック マニュフ
ァクチャリング アンド テスティングで報告された接
着フィルムは、融点の低い熱可塑性樹脂を選んで用いる
と接着温度を低くすることができ、リードフレームの酸
化等、チップに与えるダメージは少なくてすむが、熱時
接着力が低いのでダイボンド後の熱処理（例えばワイヤ
ボンド、封止工程等）に耐えられない。熱処理に耐えら
れる融点の高い熱可塑性樹脂を用いると、接着温度が高
くなり、リードフレームが酸化等のダメージを受けやす
い。

【０００５】また、特定のポリイミド樹脂を用いた接着
フィルム、及びこれに導電性フィラーもしくは無機フィ
ラーを含有するダイボンド用接着フィルム（特開平6-14
5639号公報、特開平7-228697号公報他）は比較的低温で
接着でき、かつ良好な熱時接着力をもっているのでダイ
ボンド用として４２アロイリードフレーム等に好適に使
用できる。しかしながら、近年使われ始めている銅リー
ドフレームは酸化を受けやすく、酸化によるダメージを
避けるために上記接着フィルムよりも更に低い温度で接
着できる接着フィルムが望まれている。

【０００６】熱伝導性の低い絶縁性支持基板は熱膨張率
が大きいため加熱接合時に反りやすく、吸水性も高いの
で、その水分を接着フィルムが吸収すると半導体パッケ
ージの熱時信頼性が損なわれる。また、接着フィルムの
一部が完全に封止材に被われず、露出しているパッケー
ジの検討も始められている。これらのような場合には接
着フィルムが厳しい条件に曝されるため、低温接着性、
熱時における高接着力といった特性に加え、これまでよ
りも優れた低吸湿性、耐ＰＣＴ性を有する接着フィルム
が望まれている。

【０００７】低吸湿、低温接着性の接着フィルムを作製
する手段の一つとしてシロキサンジアミンを反応させて
得られるポリイミド樹脂を含有してなる接着フィルムが
提案されている。しかし、より低吸湿化及び低温接着性
を有する接着フィルムを得る目的で、シロキサンジアミ
ンの比率を上げたポリイミド樹脂を得ようとした場合、
シロキサンジアミンとテトラカルボン酸二無水物の縮重
合に用いる有機溶媒のうち両者を共によく溶解させる有
機溶媒がなく、樹脂の特性が安定しないという問題があ
った。また、シロキサンジアミンは他の一般的なジアミ
ンに比べ、ポリイミド合成時の反応性に劣るため、その
含有比率をあげることは容易ではなかった。

【０００８】低吸湿、低温接着性の接着フィルムを作製
する別の手段として炭素数が２〜２０のアルキレン鎖を
有するテトラカルボン酸二無水物（Ａ）を反応させて得
られるポリイミド樹脂を含有してなる接着フィルムも提
案されている。このポリイミド樹脂を用いたフィルムで
は炭素数が２〜２０のアルキレン鎖を有するテトラカル
ボン酸二無水物（Ａ）の比率を上げても室温の弾性率の
低下が少なく、熱硬化性樹脂との相溶性も良好で接着力
の高いフィルムが得られる。しかし、炭素数が２〜２０
のアルキレン鎖を有するテトラカルボン酸二無水物
（Ａ）を用いた場合、シロキサンジアミンを反応させて
得られるポリイミド樹脂を含有してなる接着フィルムと
比較して吸湿率がわずかに高くなり、室温弾性率の低下
による応力緩和の効果も望めないことから、パッケージ
の薄型化や絶縁性支持基板を用いたパッケージのように
水分がダイボンド層まで達しやすいパッケージでさらに
信頼性を向上させることは困難であった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】請求項１〜６記載の発
明は、低温貼付性及び低吸湿性等に優れ、さらに熱時に
おいて高い接着力を有し、耐ＰＣＴ性に優れる接着フィ
ルムを提供するものである。請求項７記載の発明は、未
反応成分をなくし、膜厚及び特性のばらつきの少なくす
ることができ、さらに生産性よく製造できる接着フィル
ムの製造法を提供するものである。

【００１０】請求項８記載の発明は、上記接着フィルム
を、その特性である低温貼付性、低吸湿性を充分活か
し、半導体素子及び支持部材を簡便に作業性よく接着で
きる半導体素子と支持部材の接着法を提供するものであ
る。請求項９記載の発明は、４２アロイ、銅リードフレ
ーム等を用いた半導体パッケージ又は絶縁性支持基板を
用いた半導体パッケージに使用するのに好適な接着フィ
ルム付き支持部材を提供するものである。請求項１０記
載の発明は、高温高湿条件下における高い信頼性を確保
する半導体装置を提供するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、炭素数が２〜
２０のアルキレン鎖を有するテトラカルボン酸二無水物
（Ａ）及び芳香環を１〜４個有し、芳香環を２つ以上有
する場合はその間が単結合又は１つの原子を介して結合
する構造を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物
（Ｂ）を含有してなるテトラカルボン酸二無水物とシロ
キサンジアミン（Ｃ）を含有してなるジアミンとを反応
させて得られるポリイミド樹脂（Ｄ）を含有してなる接
着フィルムに関する。

【００１２】また本発明は、上記ポリイミド樹脂（Ｄ）
が、テトラカルボン酸二無水物（Ａ）を１０〜５０モル
％及び芳香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）を５０〜
９０モル％含有してなるテトラカルボン酸二無水物と、
シロキサンジアミン（Ｃ）を５０〜９０モル％含有して
なるジアミンとを反応させて得られるものである上記接
着フィルムに関する。

【００１３】また本発明は、炭素数が２〜２０のアルキ
レン鎖を有するテトラカルボン酸二無水物（Ａ）が、下
記一般式（１）

【化３】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す）で表されるテトラ
カルボン酸二無水物である上記接着フィルムに関する。

【００１４】また本発明は、芳香族テトラカルボン酸二
無水物（Ｂ）が、ピロメリット酸二無水物、２，２−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物
からなる郡より単数又は二種類以上選択されるものであ
る上記接着フィルムに関する。

【００１５】また本発明は、シロキサンジアミン（Ｃ）
が、下記一般式（２）

【化４】 （式中、Ｑ¹及びＱ²は各々独立に炭素数１〜１０のアル
キレン基又はフェニレン基を示し、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵及び
Ｑ⁶は各々独立に炭素数１〜１０のアルキル基、フェニ
ル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５０の整数を示
す）で表されるものである上記接着フィルムに関する。

【００１６】また本発明は、ポリイミド樹脂（Ｄ）１０
０重量部に対して、熱硬化性樹脂（Ｅ）０〜２００重量
部及びフィラー（Ｆ）０〜８０００重量部を含有してな
る上記接着フィルムに関する。

【００１７】また本発明は、（ｉ）芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物（Ｂ）及びシロキサンジアミン（Ｃ）を反
応させる工程、（ii）この反応生成物にテトラカルボン
酸二無水物（Ａ）、及びその他のジアミンを加え反応を
させ、ポリイミド樹脂（Ｄ）を製造する工程、（iii）
ポリイミド樹脂（Ｄ）を含有してなる組成物をベースフ
ィルム上に塗布する工程、（iv）加熱、乾燥する工程、
を含むことを特徴とする接着フィルムの製造法に関す
る。

【００１８】また本発明は、上記接着フィルム又は上記
製造法により得られる接着フィルムを半導体素子と支持
部材の間に挾み、加熱圧着することを特徴とする半導体
素子と支持部材との接着法に関する。

【００１９】また本発明は、支持部材に上記接着フィル
ム又は上記製造法により得られる接着フィルムを接着さ
せた接着フィルム付き支持部材に関する。また本発明
は、上記着フィルム又は上記製造法により得られる接着
フィルムを用いて、半導体素子を支持部材に接着させて
なる半導体装置に関する。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明は、炭素数が２〜２０のア
ルキレン鎖を有するテトラカルボン酸二無水物（Ａ）及
び芳香環を１〜４個有し、芳香環を２つ以上有する場合
はその間が単結合又は１つの原子を介して結合する構造
を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）を含有
してなるテトラカルボン酸二無水物とシロキサンジアミ
ン（Ｃ）を含有してなるジアミンとを反応させて得られ
るポリイミド樹脂（Ｄ）を必須成分とする。

【００２１】本発明の接着フィルムに含まれるポリイミ
ド樹脂（Ｄ）の重量平均分子量は、特に制限はないが、
１００００〜２０００００であることが好ましく、２０
０００〜１０００００がより好ましい。重量平均分子量
が１００００以下であると成膜性が悪くなる傾向があ
り、２０００００以上であると接着性が悪くなる傾向が
ある。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチ
レン検量線を用いて換算することにより求めることがで
きる。

【００２２】炭素数が２〜２０のアルキレン鎖を有する
テトラカルボン酸無水物（Ａ）は、ポリイミド樹脂
（Ｄ）と熱硬化性樹脂との相溶性を良くし、ポリイミド
樹脂（Ｄ）を含有してなる接着フィルムに、ウェハ又は
半導体素子との密着性を損なうことなく低温接着性を付
与する効果がある。

【００２３】上記テトラカルボン酸二無水物（Ａ）とし
ては、特に制限はないが、下記一般式（１）

【化５】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す）で示されるテトラ
カルボン酸二無水物が、合成が容易な点で好ましい。

【００２４】具体的には、例えば、１，２−（エチレ
ン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，３−（トリ
メチレン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，４−
（テトラメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）、
１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート二無
水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテ
ート二無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（ト
リメリテート二無水物）、１，８−（オクタメチレン）
ビス（トリメリテート二無水物）、１，９−（ノナメチ
レン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，１０−
（デカメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）、
１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート二
無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビストリ
メリテート二無水物、１，１８−（オクタデカメチレ
ン）ビス（トリメリテート二無水物）等が挙げられ、こ
れらは単独で又は二種類以上を組み合せて使用すること
ができる。

【００２５】上記テトラカルボン酸二無水物（Ａ）は、
無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジオー
ルから、公知の方法を用いて合成することができる。

【００２６】上記テトラカルボン酸二無水物（Ａ）の使
用量は、全テトラカルボン酸二無水物に対して、１０〜
５０モル％が好ましく、１０〜４０モル％がより好まし
く、１０〜３０モル％が特に好ましい。使用量が１０％
未満であると、低温接着性とフィルムの接着力の保持と
の両立が困難になる傾向があり、５０％を超えると耐Ｐ
ＣＴ性、低応力化が不充分になる傾向がある。

【００２７】本発明において、もう一方のテトラカルボ
ン酸二無水物としては、芳香環を１〜４個有し、芳香環
を２つ以上有する場合はその間が単結合又は１つの原子
を介して結合する構造を有する芳香族テトラカルボン酸
二無水物（Ｂ）を用いる。この芳香族テトラカルボン酸
二無水物（Ｂ）を使用することによって、他のジアミン
に比べて反応性の劣るシロキサン系ジアミンを効率的に
ポリイミド中に導入することができ、得られた接着フィ
ルムの特性を安定化する。

【００２８】このような芳香族テトラカルボン酸二無水
物（Ｂ）としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、
３，３′，４，４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，２′，３，３′−ジフェニルテトラカルボン
酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン
二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタ
ン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−
テトラカルボン酸二無水物、３，４，３′，４′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２′，
３−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
３，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、１，２，４，５−ナフタレン−テトラカルボ
ン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカ
ルボン酸二無水物、２，６−ジクロルナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジク
ロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二
無水物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−
１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナン
スレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水
物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無
水物、チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸
二無水物、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，４，３′，４′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、２，３，２′，３′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニル
シラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物等が挙げら
れ、中でも、ピロメリット酸二無水物、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、
２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパ
ン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカ
ルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼ
ン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物等が好
ましく、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテ
ル二無水物が特に好ましい。これらは単独で又は二種類
以上を組み合わせて使用することができる。

【００２９】上記芳香族テトラカルボン酸二無水物
（Ｂ）の使用量は、全テトラカルボン酸二無水物に対し
て５０〜９０モル％が好ましく、６０〜９０モル％がよ
り好ましく、７０〜９０モル％が特に好ましい。５０％
未満であると、シロキサン系ジアミンとの反応性が低下
する傾向があり、９０％を超えると低温接着性と熱時信
頼性の両立が困難になる傾向がある。

【００３０】本発明の接着フィルムに係るポリイミド樹
脂（Ｄ）の製造原料の一つであるシロキサンジアミン
（Ｃ）としては、特に制限はないが、下記一般式（２）

【化６】 （式中、Ｑ¹及びＱ²は各々独立に炭素数１〜１０のアル
キレン基又はフェニレン基を示し、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵及び
Ｑ⁶は各々独立に炭素数１〜１０のアルキル基、フェニ
ル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５０の整数を示
す）で表されるシロキサン系ジアミンが好ましい。中で
も接着力が優れる点で、ｐ＝１〜３０のシロキサンジア
ミンがより好ましく、ｐ＝１〜２０のシロキサンジアミ
ンが特に好ましい。

【００３１】上記一般式（２）で表されるシロキサン系
ジアミンの具体例としては、ｐが１のとき、１，１，
３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェ
ニル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキ
シ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−
アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラ
フェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス
（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−
テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジ
シロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ビス（３−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジメ
チル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミノ
ブチル）ジシロキサン等が挙げられ、ｐが２のとき、
１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス
（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１，１，５，
５−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス
（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，
５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビ
ス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，
５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビ
ス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，
５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−
ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，
５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−
ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，
５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−
ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，
３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−ア
ミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，
５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピ
ル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサ
プロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシ
ロキサン及び下記式で表されるシロキサンジアミン等が
挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせ
て使用することができる。

【００３２】

【化７】

【００３３】シロキサンジアミンの使用量は、全ジアミ
ンに対して５０〜９０モル％が好ましく、作業性の観点
から５０〜８０モル％がより好ましく、優れた低温接着
性と優れた耐ＰＣＴ性を両立できる点で５０〜７０モル
％が特に好ましい。５０％未満であると、低温接着性と
耐ＰＣＴ性の両立が困難になる傾向があり、９０％を超
えると未反応のシロキサンジアミンが残りやすくなる傾
向がある。

【００３４】前記シロキサンジアミン（Ｃ）とともに、
他のジアミンを併用することができる。併用できる他の
ジアミンとしては、特に制限はなく、例えば、１，２−
ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−
ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−
ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８
−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１
０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、
１，１２−ジアミノドデカン等の脂肪族ジアミン、ｏ−
フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フ
ェニレンジアミン、３，３′−ジアミノジフェニルエー
テル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミ
ノジフェニルメタン、３，４′−ジアミノジフェニルメ
タン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′
−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４′−ジ
アミノジフェニルジフルオロメタン、４，４′−ジアミ
ノジフェニルジフルオロメタン、３，３′−ジアミノジ
フェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフェニルスル
ホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，
３′−ジアミノジフェニルスルフイド、３，４′−ジア
ミノジフェニルスルフイド、４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルフイド、３，３′−ジアミノジフェニルケト
ン、３，４′−ジアミノジフェニルケトン、４，４′−
ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノ
フェニル）プロパン、２，２′−（３，４′−ジアミノ
ジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）
ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４′−ジアミ
ノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，
３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３′−〔１，
４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）〕ビスア
ニリン、３，４′−〔１，４−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン）〕ビスアニリン、４，４′−〔１，４
−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）〕ビスアニ
リン、２，２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ビス〔４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ン等の芳香族ジアミンなどが挙げられる。

【００３５】テトラカルボン酸二無水物とジアミンの縮
合反応は、有機溶媒中で行う。この場合、全テトラカル
ボン酸二無水物量と全ジアミン量のモル比は、酸：アミ
ン＝１．２：１．０〜０．８：１．０の範囲が好まし
い。

【００３６】縮合反応は、先にシロキサンジアミンと芳
香族テトラカルボン酸二無水物とを反応させた後に残り
のジアミンとテトラカルボン酸二無水物を反応させるこ
とが好ましい。こうすることによって、反応性の悪いシ
ロキサンジアミンを充分反応させることができ、得られ
たフィルムに、低温貼付性等の特性を付与することがで
きる。

【００３７】縮合反応の際に用いる有機溶媒としては、
特に制限はないが、例えば、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、
ｍ−クレゾール、ｏ−クロルフェノール等が挙げられ、
これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用する
ことができる。

【００３８】反応温度は８０℃以下が好ましく、０〜５
０℃がより好ましい。反応時間は用いる原料によっても
変化するが、通常１０分〜２４時間である。反応が進行
するにつれポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生
成し、反応液の粘度が徐々に上昇する。

【００３９】ポリイミドは、生成したポリアミド酸を脱
水閉環させて得ることができる。脱水閉環させる方法と
しては、１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法、化学的
方法等が挙げられる。

【００４０】なお、本発明においてポリイミド樹脂と
は、ポリイミド及びその前駆体を総称する。ポリイミド
の前駆体には、ポリアミド酸、ポリアミド酸が部分的に
イミド化したもの等が挙げられる。

【００４１】１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法の場
合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うこと
が好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等
を用いて水を共沸除去してもよい。また、熱処理時間は
通常１０分〜２４時間程度である。

【００４２】化学的方法で脱水閉環させる場合は、閉環
剤として無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等
の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカル
ボジイミド化合物等を用いることが好ましい。このとき
必要に応じてピリジン、イソキノリン、トリメチルアミ
ン、アミノピリジン、イミダゾール等の閉環触媒などを
用いてもよい。

【００４３】上記閉環剤及び上記閉環触媒は、テトラカ
ルボン酸二無水物１モルに対し、各々１〜８モルが好ま
しい。また、接着力を向上させるため、ポリイミド樹脂
にシランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノ
ニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン
系添加剤等を適宜加えてもよい。

【００４４】本発明の接着フィルムは、上記ポリイミド
樹脂に熱硬化性樹脂（Ｅ）を含有させてもよい。

【００４５】上記熱硬化性樹脂を使用する場合、その使
用量は、ポリイミド樹脂１００重量部に対し、２００重
量部以下が好ましく、１００重量部以下がより好まし
く、３０重量部以下が特に好ましい。２００重量部を超
えるとフィルム形成性が悪くなる傾向がある。下限は特
に制限されないが、０．１重量部が好ましく、３重量部
がより好ましい。

【００４６】本発明において熱硬化性樹脂とは、熱によ
り架橋反応を起こしうる反応性化合物をいう。このよう
な化合物としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネート
樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコ
ーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシ
レン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹
脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート
樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラー
トを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有す
る樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹
脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等
が挙げられる。中でも、高温において優れた接着力を持
たせることができる点で、エポキシ樹脂、シアネート樹
脂及びビスマレイミド樹脂が好ましい。なお、これら熱
硬化性樹脂は単独で又は二種類以上を組み合わせて用い
ることができる。

【００４７】好ましい熱硬化性樹脂の一つである上記エ
ポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも２個のエポキ
シ基を含むものがより好ましく、硬化性や硬化物特性の
点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹
脂が極めて好ましい。このような樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）の
グリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリ
シジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノー
ルＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加
体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、フェノー
ルノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノ
ボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ
ノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂
のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグ
リシジルエーテル、ジシクロペンタジェンフェノール樹
脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエス
テル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン、
ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられ、これ
らは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用すること
ができる。

【００４８】好ましい熱硬化性樹脂の一つである上記シ
アネート樹脂としては、例えば、２，２′−ビス（４−
シアネートフェニル）イソプロピリデン、１，１′−ビ
ス（４−シアネートフェニル）エタン、ビス（４−シア
ネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−
ビス〔４−シアネートフェニル−１−（１−メチルエチ
リデン）〕ベンゼン、シアネーテッドフェノール−ジシ
クロペンタンジエンアダクト、シアネーテッドノボラッ
ク、ビス（４−シアナートフェニル）チオエーテル、ビ
ス（４−シアナートフェニル）エーテル、レゾルシノー
ルジシアネート、１，１，１−トリス（４−シアネート
フェニル）エタン、２−フェニル−２−（４−シアネー
トフェニル）イソプロピリデン等が挙げられ、これらは
単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することがで
きる。

【００４９】好ましい熱硬化性樹脂の一つである、上記
ビスマレイミド樹脂としては、例えば、ｏ−（又はｍ
−、ｐ−）ビスマレイミドベンゼン、４−ビス（ｐ−マ
レイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイ
ミドクミル）ベンゼン及び下記一般式（３）〜（６）で
表されるマレイミド化合物等が挙げられ、これらは単独
で又は二種類以上を組み合わせて使用することができ
る。

【化８】 （式中、ＸはＯ、ＣＨ₂、ＣＦ₂、ＳＯ₂、Ｓ、ＣＯ、Ｃ
(ＣＨ₃)₂又はＣ(ＣＦ₃)₂を示し、四つのＲ¹は各々独立
に、水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ
素、塩素又は臭素を示し、二つのＤは各々独立にエチレ
ン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す）

【００５０】

【化９】 （式中、ＹはＯ、ＣＨ₂、ＣＦ₂、ＳＯ₂、Ｓ、ＣＯ、Ｃ
(ＣＨ₃)₂又はＣ(ＣＦ₃)₂を示し、四つのＲ²は各々独立
に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、
塩素又は臭素を示し、二つのＤは各々独立にエチレン性
不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す）

【００５１】

【化１０】 （式中、ｑは０〜４の整数を示し、複数のＤは各々独立
にエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基
を示す）

【００５２】

【化１１】 （式中、二つのＲ³は各々独立に二価の炭化水素基、四
つのＲ⁴は各々独立に一価の炭化水素基を示し、二つの
Ｄは各々独立にエチレン性不飽和二重結合を有するジカ
ルボン酸残基を示し、ｒは１以上の整数を表す）

【００５３】なお、上記各構造式において、Ｄで示され
るエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基
としては、マレイン酸残基、シトラコン酸残基等が挙げ
られる。

【００５４】上記一般式（３）で表されるビスマレイミ
ド樹脂としては、例えば、４，４−ビスマレイミドジフ
ェニルエーテル、４，４−ビスマレイミドジフェニルメ
タン、４，４−ビスマレイミド−３，３′−ジメチル−
ジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミドジフェニル
スルホン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルフィ
ド、４，４−ビスマレイミドジフェニルケトン、２′−
ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４−ビスマ
レイミドジフェニルフルオロメタン、１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレイミ
ドフェニル）プロパン等が挙げられる。

【００５５】上記一般式（４）で表されるビスマレイミ
ド樹脂としては、例えば、ビス〔４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−マ
レイミドフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−
（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕フルオロメタ
ン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル〕スルホン、ビス〔４−（３−マレイミドフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−
マレイミドフェノキシ）フェニル〕ケトン、２−ビス
〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２
−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕
プロパン等が挙げられる。

【００５６】上記熱硬化性樹脂を硬化させるために、適
宜添加剤を加えることができる。このような添加剤とし
ては、例えば、硬化剤、硬化促進剤、触媒等が挙げら
れ、触媒を添加する場合は助触媒を必要に応じて使用す
ることができる。

【００５７】上記熱硬化性樹脂にエポキシ樹脂を使用す
る場合、エポキシ樹脂硬化剤又は硬化促進剤を使用する
ことが好ましく、これらを併用することがより好まし
い。硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂
肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリア
ミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水
物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化
ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミン、分
子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフ
ェノール系化合物等が挙げられ、中でも分子中に少なく
とも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化
合物が好ましい。

【００５８】上記分子中に少なくとも２個のフェノール
性水酸基を有するフェノール系化合物としては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロ
ペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フ
ェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、
トリスフェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノー
ルノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、
ポリ−ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキ
ル樹脂等が挙げられる。

【００５９】上記硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂を
硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミ
ダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジ
ヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニル
ホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４
−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，
８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テ
トラフェニルボレート等が挙げられる。

【００６０】上記エポキシ樹脂硬化剤の使用量は、エポ
キシ樹脂１００重量部に対して０〜２００重量部が好ま
しく、上記硬化促進剤の使用量は、エポキシ樹脂１００
重量部に対して０〜５０重量部が好ましい。

【００６１】上記熱硬化性樹脂にシアネート樹脂を使用
する場合、触媒及び必要に応じて助触媒を使用すること
が好ましい。触媒としては、例えば、コバルト、亜鉛、
銅等の金属塩や金属錯体などが挙げられ、助触媒として
はアルキルフェノール、ビスフェノール化合物、フェノ
ールノボラック等のフェノール系化合物などを助触媒と
することが好ましい。

【００６２】上記熱硬化性樹脂に上記マレイミド化合物
を使用する場合、ラジカル重合剤を使用することが好ま
しい。ラジカル重合剤としては、例えば、アセチルシク
ロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパ
ーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイ
ルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミル
パーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、アゾ
ビスイソブチロニトリル等が挙げられる。このとき、ラ
ジカル重合剤の使用量は、ビスマレイミド樹脂１００重
量部に対して０．０１〜１．０重量部が好ましい。

【００６３】本発明の接着フィルムは、接着強度を上げ
る等の目的で、適宜カップリング剤を含有させてもよ
い。カップリング剤としては、例えば、シランカップリ
ング剤、チタン系カップリング剤等が挙げられるが、中
でもシランカップリング剤が接着フィルムに高い接着力
を付与できる点で好ましい。

【００６４】カップリング剤を含有させる場合、その使
用量は、ポリイミド樹脂１００重量部に対して、０〜５
０重量部が好ましく、０〜２０重量部がより好ましい。
５０重量部を超えるとフィルムの保存安定性が悪くなる
傾向がある。

【００６５】上記シランカップリング剤としては、例え
ば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、
Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３
−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキ
シシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシ
ラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−
ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３―
ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−
１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ′―ビス〔３−（トリメト
キシシリル）プロピル〕エチレンジアミン、ポリオキシ
エチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシ
ジメチルシロキサン等が挙げられ、これらは単独で又は
二種類以上を組み合わせて使用することができる。

【００６６】本発明の接着フィルムは、適宜フィラー
（Ｆ）を含有してもよい。フィラーとしては、例えば、
銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー、シリカ、アルミ
ナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミッ
ク等の非金属無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー
等の有機フィラーなどが挙げられる。

【００６７】上記フィラーは所望する機能に応じて使い
分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着フ
ィルムに導電性又はチキソ性を付与する目的で添加さ
れ、非金属無機フィラーは、接着フィルムに低熱膨張
性、低吸湿性を付与する目的で添加され、有機フィラー
は接着フィルムに靭性を付与する目的で添加される。こ
れら金属フィラー、非金属無機フィラー又は有機フィラ
ーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用すること
ができる。フィラーを用いた場合の混合、混練は、通常
の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分
散機を適宜、組み合わせて行うことができる。

【００６８】フィラーを含有させる場合、その使用量
は、ポリイミド樹脂１００重量部に対し、８０００重量
部以下が好ましく、４０００重量部以下がより好まし
い。下限は特に制限はないが、一般に５重量部である。
８０００重量部を超えると接着性が低下する傾向があ
る。

【００６９】次に本発明の接着フィルムの製造法につい
て説明する。本発明の接着フィルムは、フィルム単独自
己支持性のフィルムとして又は基材の片面若しくは両面
に、直接若しくは他の層を介して上記接着フィルムが積
層されてなる基材付き接着フィルムとして使用すること
ができる。

【００７０】接着フィルムの製造時に使用する基材は、
接着フィルム製造時の加熱、乾燥条件に耐えるものであ
れば特に限定するものではない。例えば、ポリエステル
フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテ
ルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィル
ム、メチルペンテンフィルム等がある。これらのフィル
ムは２種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよい。
また、これらのフィルムは、シリコーン系やシリカ系の
離型剤で処理されたものであってもよい。

【００７１】基材付き接着フィルムをそのまま半導体装
置の接着剤として用いる場合、上記基材は耐熱性のフィ
ルムであることが好ましい。上記耐熱性のフィルムとし
ては、例えば、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミ
ドフィルム、メチルペンテンフィルム及びポリエーテル
ナフタレートフィルム等が挙げられる。

【００７２】本発明の接着フィルムは、（ｉ）芳香環を
１〜４個有し、芳香環を２つ以上有する場合はその間が
単結合又は１つの原子を介して結合する構造を有する芳
香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）及びシロキサンジ
アミン（Ｃ）を反応させ、（ii）この反応生成物に炭素
数が２〜２０のアルキレン鎖を有するテトラカルボン酸
二無水物（Ａ）及びその他のジアミンを加えて反応さ
せ、ポリイミド樹脂（Ｄ）を製造し、（iii）ポリイミ
ド樹脂（Ｄ）、並びに必要に応じて熱硬化性樹脂、カッ
プリング剤、フィラー及びその他の添加剤を有機溶媒中
で混合して混合物を得、（iv）基材上に前記混合物の層
を形成させ、（ｖ）加熱、乾燥することにより製造する
ことができる。

【００７３】得られたフィルムから基材を除去すれば、
自己支持性のフィルムが得られる。また、基材を除去せ
ずに片面に接着フィルムが積層されてなる基材付き接着
フィルムとしてもよい。

【００７４】両面に接着フィルム層が積層されてなる基
材付き接着フィルムの製造は、上記（ｉ）〜（iv）の工
程を行った後、（ｖ′）基材の接着フィルムが積層され
ていない面上に前記混合物の層を形成させ、（vi）加
熱、乾燥して行うことができる。

【００７５】上記基材付き接着フィルムは、作業性を上
げる等の目的で、基材と接着フィルムの間に他の層を挟
んでいてもよい。このような層としては、例えば、基材
と接着フィルムの剥離性を上げるための剥離層及び基材
と接着フィルムの付着強度を上げるための接着層等が挙
げられる。

【００７６】上記接着フィルムの製造の際に用いる有機
溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるもので
あれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、シクロヘキサノン、トルエン、ベンゼン、キシレ
ン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチル
セロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロ
ソルブ、ジオキサン、酢酸エチル等が挙げられる。

【００７７】上記接着フィルムの製造の際における加
熱、乾燥条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件で
あればよく、乾燥温度は６０℃〜２００℃が、乾燥時間
は０．１〜９０分間が好ましい。

【００７８】本発明で得られた接着フィルムは、４２ア
ロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレ
ーム、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチッ
クフィルム、ガラス不織布等基材にエポキシ樹脂、ポリ
イミド系樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたも
の、アルミナ等のセラミックスなどの支持部材と、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体素子との接合に用いることができ
る。

【００７９】本発明の接着フィルムは、例えば、ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体素子とリードフレーム等の支持部材と
を接着する場合、次の様な方法で接着することができ
る。

【００８０】第一に、接着フィルムをテープリボン状に
形成し、これを半導体素子の大きさに合わせて切断し、
支持部材と半導体素子の間に挟み込んで、加熱接着させ
る方法がある。この方法で接着する場合には、例えば、
半田リボン用のダイボンディング装置等を応用した装置
などで接着させることができる。

【００８１】第二に、接着フィルムをまず支持部材上に
形成又は仮貼付しておき、次に半導体素子を加熱接着さ
せる方法がある。支持部材上に接着フィルムを仮貼付す
るには、例えば、接着フィルムを半導体素子の大きさに
合わせて切断し、加熱して貼り付ける方法あるいは溶媒
を塗布して貼り付ける方法等が挙げられる。また、接着
フィルムのワニスをリードフレーム上に印刷塗布する方
法で形成させることもできる。支持部材上に接着フィル
ムを形成した後、半導体素子を接着するには、例えば、
従来、銀ペーストで用いられていたダイボンディング装
置等を応用した装置で接着させることができる。

【００８２】第三に、接着フィルムをウェハ裏面に形成
又は仮貼付しておき、次にダイシング工程でウェハ及び
接着フィルムを切断し、支持部材に接着する方法があ
る。ウェハ裏面に接着フィルムを形成するには、例え
ば、接着フィルムを加熱して貼り付ける方法、溶媒を塗
布して貼り付ける方法等が挙げられる。また、接着フィ
ルムのワニスをウェハ裏面に印刷塗布あるいはスピンコ
ートする方法で形成させることもできる。ウェハ裏面に
接着フィルムを形成した後、半導体素子を接着するに
は、例えば、従来、銀ペーストで用いられていたダイボ
ンディング装置等を応用した装置で接着させることがで
きる。

【００８３】上記の方法の他にも、例えば、ダイシング
工程で用いられる粘着性のダイシングフィルムの上に、
接着フィルムを形成させて一体型のフィルムにしてお
き、これをウェハに貼り付けた後、ダイシング工程で半
導体素子と接着フィルムを切断し、リードフレームに貼
り付ける方法等が挙げられるが、本発明の接着フィルム
は、上記に例示したいずれの方法に限定されるものでは
ない。

【００８４】本発明の接着フィルムを用いて半導体素子
と支持部材とを加熱圧着する際、加熱温度は、通常、８
０〜３００℃、０．１〜３００秒間である。

【００８５】このポリイミド樹脂を含有してなる接着フ
ィルムは、低温貼付性及び低吸湿性等に優れ、さらに熱
時における高い接着力、優れた耐ＰＣＴ性をも有するこ
とから、ダイボンド用として４２アロイリードフレーム
に用いられるばかりでなく、銅リードフレームにも好適
に使用でき、更に絶縁性支持基板に使用する接着フィル
ムとしても好適なものである。

【００８６】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。

【００８７】実施例１〜６ 《ポリイミドの合成》 ポリイミド樹脂Ａ：温度計、攪拌機及び塩化カルシウム
管を備えた５０００mlの四つ口フラスコに下記一般式
（７）で表されるジアミン（平均分子量８８０）

【化１２】 ３４８．５ｇ（０．３６９モル）及びビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エーテル二無水物１７１．０ｇ
（０．５５２モル）を秤取し、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン１８００ｇを加え、撹拌し完全に溶解させた後、１
時間撹拌し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１０００ｇ、
２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン１０９．２ｇ（０．２６６モル）、デカメ
チレンビストリメリテート二無水物７１．５ｇ（０．１
３７モル）を少量ずつ添加した。添加終了後、さらに室
温で４時間反応させたのち、無水酢酸１７６．０ｇ及び
ピリジン１３６．６ｇを加え、室温で２時間攪拌した。
その反応液を水中に注ぎ、沈澱したポリマーを濾過によ
り採取し、乾燥してポリイミド樹脂Ａを得た。

【００８８】ポリイミド樹脂Ｂ：温度計、攪拌機及び塩
化カルシウム管を備えた５０００mlの四つ口フラスコに
上記一般式（７）で表されるジアミン（平均分子量８８
０）２９１．２ｇ（０．３３１モル）及びビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物１２８．８
ｇ（０．４１５モル）を秤取し、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン１８００ｇを加え、撹拌した。酸無水物の溶解
後、１時間撹拌し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１００
０ｇ、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル）プロパン１３７．２ｇ（０．３３５モル）、デ
カメチレンビストリメリテート二無水物１４３．５ｇ
（０．２７５モル）を少量ずつ添加した。添加終了後、
さらに室温で４時間反応させたのち、無水酢酸１７６．
０ｇ及びピリジン１３６．６ｇを加え、室温で２時間攪
拌した。その反応液を水中に注ぎ、沈澱したポリマーを
濾過により採取し、乾燥してポリイミド樹脂Ｂを得た。

【００８９】《ワニスの調合》配合表（表１及び表２）
に示す通り、実施例１〜６のワニスを調合した。なお、
表１において、種々の記号は下記の意味である。 エピコート８３４：(株)油化シェルエポキシ製、ビスフ
ェノール型エポキシ（エポキシ当量２５０） ＹＤＣＮ−７０２：(株)東都化成製、クレゾールノボラ
ック型エポキシ（エポキシ当量２２０） ＢＥＯ−６０Ｅ：(株)新日本理化学製、エチレンオキサ
イド付加体ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当
量３７３）

【００９０】Ｔｒｉｓ−Ｐ−ＴＣ：(株)本州化学製、ト
リスフェノールノボラック（ＯＨ当量１６０） Ｔｒｉｓ−Ｐ−ＰＡ：(株)本州化学製、トリスフェノー
ルノボラック（ＯＨ当量１４１） ＴＰＰＫ：(株)東京化成製、テトラフェニルホスホニウ
ムテトラフェニルボラート ２Ｐ４ＭＨＺ：(株)四国化成製、キュアゾール２Ｐ４Ｍ
ＨＺ

【００９１】ＤＭＡＣ：ジメチルアセトアミド ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン ＤＭＦ：ジメチルホルムアミド ＴＣＧ−１：徳力化学、銀粉（形状：鱗片状、平均粒子
径：２μｍ）

【００９２】

【表１】

【００９３】

【表２】

【００９４】《フィルムの作成》調合した実施例１〜７
のワニスを４０μｍの厚さにポリプロピレンフィルム
（ベースフィルム）上に塗布し、８０℃で１０分、続い
て１２０℃で３０分加熱、乾燥し、その後、室温でベー
スフィルムを剥がして接着フィルムを得た。

【００９５】《評価試験》 〈剪断接着力の測定方法〉実施例１〜７で得られた接着
フィルムを用いて剪断接着力測定用のサンプルを作成
し、剪断接着力及び８５℃、８５％ＲＨ、２４時間吸湿
後の剪断接着力を測定した。サンプルは接着フィルムを
５mm×５mmの大きさに切断し、これを５mm×５mmのシリ
コンチップと４２アロイリードフレームのダイパッド部
（８mm×１０mm）との間に挟み、１０００ｇの荷重をか
けて、２２０℃、３秒間圧着させたのち、１８０℃で１
時間加熱硬化して作成した。また、サンプルの一部を８
５℃、８５％ＲＨの条件下に２４時間曝し、吸湿後の剪
断接着力測定用サンプルとした。それぞれのサンプルに
ついて、２５０℃加熱２０秒後の熱時剪断接着力を、プ
ッシュプルゲージを用いて測定した。

【００９６】〈吸湿性の測定法〉接着フィルムを２００
℃で１時間硬化させた後、５０mm×５０mmの大きさに切
断し、これを減圧下、１２０℃で１時間加熱乾燥し、室
温まで冷却した後重量（Ｘ₁）を測定する。その後、こ
のフィルムを室温でイオン交換水中に２４時間侵漬し、
これを取り出して表面の水滴を濾紙で丁寧に拭き取り、
その後再び重量（Ｘ₂）を測定する。次式により、吸湿
性（吸湿率）を求める。

【００９７】

【数１】吸湿率（％）＝（Ｘ₂−Ｘ₁）／Ｘ₁×１００ 上記の評価試験の結果を表３に示す。

【００９８】

【表３】

【００９９】上記のように、本発明の接着フィルムは低
温における接着が可能であり、実装時の半田付け処理温
度である２５０℃付近の接着力が高い。また、吸湿によ
る接着力の低下が少なく、かつ吸湿性が低い。そのた
め、ダイボンド用として、絶縁性支持基板にも好適に使
用できる。

【０１００】

【発明の効果】請求項１〜６記載の接着フィルムは、低
温貼付性及び低吸湿性等に優れ、さらに熱時において高
い接着力を有し、耐ＰＣＴ性に優れるものである。請求
項７記載の接着フィルムの製造法は、未反応成分をなく
し、膜厚及び特性のばらつきの少なくすることができ、
さらに生産性よく製造できるものである。

【０１０１】請求項８記載の半導体素子と支持部材の接
着法は、上記接着フィルムを、その特性である低温貼付
性、低吸湿性を充分活かし、半導体素子及び支持部材を
簡便に作業性よく接着できるものである。請求項９記載
の接着フィルム付き支持部材は、４２アロイ、銅リード
フレーム等を用いた半導体パッケージ又は絶縁性支持基
板を用いた半導体パッケージに使用するのに好適なもの
である。請求項１０記載の半導体装置は、高温高湿条件
下における高い信頼性を確保するものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA10 AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AB04 AB05 BA02 FA05 4J040 DE041 DE042 DF021 DF022 DK021 DK022 EB011 EB012 EB031 EB032 EB111 EB112 EB131 EB132 EC061 EC062 EC071 EC072 EC091 EC092 EC121 EC122 ED091 ED092 ED111 ED112 EF031 EF032 EH031 EH032 EK031 EK032 EK111 EK112 EL051 EL052 JA09 JB02 KA16 KA17 KA42 LA01 LA07 MA02 MA04 MA10 MB03 NA20 5F047 AA11 AA14 AA17 BA23 BA33 BB03

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 炭素数が２〜２０のアルキレン鎖を有す
   るテトラカルボン酸二無水物（Ａ）及び芳香環を１〜４
   個有し、芳香環を２つ以上有する場合はその間が単結合
   又は１つの原子を介して結合する構造を有する芳香族テ
   トラカルボン酸二無水物（Ｂ）を含有してなるテトラカ
   ルボン酸二無水物とシロキサンジアミン（Ｃ）を含有し
   てなるジアミンとを反応させて得られるポリイミド樹脂
   （Ｄ）を含有してなる接着フィルム。
2. 【請求項２】 上記ポリイミド樹脂（Ｄ）が、テトラカ
   ルボン酸二無水物（Ａ）を１０〜５０モル％及び芳香族
   テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）を５０〜９０モル％含
   有してなるテトラカルボン酸二無水物と、シロキサンジ
   アミン（Ｃ）を５０〜９０モル％含有してなるジアミン
   とを反応させて得られるものである請求項１記載の接着
   フィルム。
3. 【請求項３】 炭素数が２〜２０のアルキレン鎖を有す
   るテトラカルボン酸二無水物（Ａ）が、下記一般式
   （１） 【化１】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す）で表されるテトラ
   カルボン酸二無水物である請求項１又は２記載の接着フ
   ィルム。
4. 【請求項４】 芳香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）
   が、ピロメリット酸二無水物、２，２−ビス（３，４−
   ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビ
   ス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
   物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エ
   タン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフ
   ェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシ
   フェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
   シフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
   キシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカ
   ルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，
   ２，３，４−テトラカルボン酸二無水物からなる郡より
   単数又は二種類以上選択されるものである請求項１、２
   又は３記載の接着フィルム。
5. 【請求項５】 シロキサンジアミン（Ｃ）が、下記一般
   式（２） 【化２】 （式中、Ｑ¹及びＱ²は各々独立に炭素数１〜１０のアル
   キレン基又はフェニレン基を示し、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵及び
   Ｑ⁶は各々独立に炭素数１〜１０のアルキル基、フェニ
   ル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５０の整数を示
   す）で表されるものである請求項１〜４のいずれかに記
   載の接着フィルム。
6. 【請求項６】 ポリイミド樹脂（Ｄ）１００重量部に対
   して、熱硬化性樹脂（Ｅ）０〜２００重量部及びフィラ
   ー（Ｆ）０〜８０００重量部を含有してなる請求項１〜
   ５のいずれかに記載の接着フィルム。
7. 【請求項７】 （ｉ）芳香族テトラカルボン酸二無水物
   （Ｂ）及びシロキサンジアミン（Ｃ）を反応させる工
   程、（ii）この反応生成物にテトラカルボン酸二無水物
   （Ａ）、及びその他のジアミンを加え反応をさせ、ポリ
   イミド樹脂（Ｄ）を製造する工程、（iii）ポリイミド
   樹脂（Ｄ）を含有してなる組成物をベースフィルム上に
   塗布する工程、（iv）加熱、乾燥する工程、を含むこと
   を特徴とする接着フィルムの製造法。
8. 【請求項８】 請求項１〜６のいずれかに記載の接着フ
   ィルム又は請求項７記載の製造法により得られる接着フ
   ィルムを半導体素子と支持部材の間に挾み、加熱圧着す
   ることを特徴とする半導体素子と支持部材との接着法。
9. 【請求項９】 請求項１〜６のいずれかに記載の接着フ
   ィルム又は請求項７記載の製造法により得られる接着フ
   ィルムを支持部材に接着させた接着フィルム付き支持部
   材。
10. 【請求項１０】 請求項１〜６のいずれかに記載の接着
    フィルム又は請求項７記載の製造法により得られる接着
    フィルムを用いて、半導体素子を支持部材に接着させた
    構造を含有してなる半導体装置。