JP2002161117A - ポリマー及びフォトレジスト組成物 - Google Patents

ポリマー及びフォトレジスト組成物

Info

Publication number
JP2002161117A
JP2002161117A JP2001048803A JP2001048803A JP2002161117A JP 2002161117 A JP2002161117 A JP 2002161117A JP 2001048803 A JP2001048803 A JP 2001048803A JP 2001048803 A JP2001048803 A JP 2001048803A JP 2002161117 A JP2002161117 A JP 2002161117A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alkyl
monomers
spirocyclic
polymer
monomer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001048803A
Other languages
English (en)
Inventor
Charles R Szmanda
チャールズ・アール・スマンダ
George G Barclay
ジョージ・ジー・バークレー
Peter Trefonas Iii
ピーター・トレフォナス,ザサード
Wang Yueh
ワン・ユエ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Shipley Co LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shipley Co LLC filed Critical Shipley Co LLC
Publication of JP2002161117A publication Critical patent/JP2002161117A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F10/00Homopolymers and copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F32/00Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F32/08Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having two condensed rings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/108Polyolefin or halogen containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polymerization Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】スピロサイクリックオレフィンポリマー、スピ
ロサイクリックオレフィンポリマーの調製方法、スピロ
サイクリックオレフィン樹脂バインダーを含むフォトレ
ジスト組成物を提供する。 【解決手段】重合単位としての1以上のスピロサイクリ
ックオレフィンモノマー及び任意に1以上のエチレン性
又はアセチレン性不飽和モノマーを含むポリマーであっ
て、そのスピロサイクリックオレフィンモノマーがオレ
フィン性炭素を介してポリマー骨格に結合されているポ
リマーであり、更に、1以上のスピロサイクリックオレ
フィンモノマーとパラジウム(II)重合触媒、ニケッ
ル(II)重合触媒及びフリーラジカル重合触媒から選
択される1以上の触媒を接触させる工程を含む、1以上
のスピロサイクリックオレフィンモノマーを重合して、
重合単位として1以上のスピロサイクリックオレフィン
モノマーを含むポリマーの形成法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、一般的にフォトレジスト組成物
に有用なポリマー組成物に関する。特に、本発明は、フ
ォトレジスト組成物におけるバインダーとして有用なス
ピロサイクリックオレフィン単位を含むポリマー組成物
に関する。
【0002】フォトレジストは、基体への画像の転移に
使用される感光性フィルムである。フォトレジストのコ
ーティング層は基体上で形成され、それから、フォトレ
ジスト層は、フォトマスクを通して活性化放射線ソース
に露光される。そのフォトマスクは、活性化放射線に対
し非透過性の領域と活性化放射線に対し透過性の他の領
域を有する。活性化放射線の露光により、フォトレジス
トコーティングは光誘起による化学変換を受け、それに
よりフォトマスクパターンがフォトレジストを塗布され
た基体へ転移する。露光に引き続き、フォトレジストは
現像され、基体の選択的処理を許容するレリーフイメー
ジが提供される。
【0003】フォトレジストは、ポジ型又はネガ型のい
ずれかであり得る。大部分のネガ型フォトレジストにと
って、活性化放射線で露光されたコーティング層部分
は、光活性化合物及びフォトレジスト組成物の重合剤と
の反応において重合し又は架橋する。結果的に、その露
光されたコーティング部分は、未露光部分よりも現像溶
液に対する溶解性が減少する。ポジ型フォトレジストに
ついては、未露光領域が現像液に対する溶解性が比較的
少ないまま残るのに対し、露光部分は現像溶液に対し溶
解性が増大する。一般に、フォトレジスト組成物は、少
なくともレジンバインダー成分及び光活性剤を含む。
【0004】より最近は、化学増幅型レジストの使用
が、特にサブミクロン画像の形成及び他の高性能用途に
おいて増加している。斯かるフォトレジストはネガ型又
はポジ型であってもよく、一般に、光生成酸の単位当た
り多くの架橋形成(ネガ型レジストの場合)又はの脱保
護反応(deprotection reactio
n)(ポジ型レジストの場合)が含まれる。化学増幅さ
れたポジ型レジストの場合には、ある種のカチオン光重
合開始剤が、フォトレジストバインダーのペンダントで
ある特定の「ブロッキング」基の開裂又はフォトレジス
トバインダー骨格に含まれる特定の基の開裂を誘導する
のに使用されていた。例えば、米国特許第5、075、
199号;4、968、581号;4、810、613
号;及び4、491、628及びカナダ特許出願第2、
001、384号に開示がある。斯かるレジストのコー
ティング層の露光を通してブロッキング基の開裂に際し
ては、極性官能基、例えば、カルボキシル又はイミド基
が形成されレジストコーティング層の露光及び未露光領
域における異なる溶解特性が生ずる。更に、R.D.ア
レン等のSPIEの会報,2724:334−343
(1996);P.トーマス等の第11回フォトポリマ
ー国際学会会報(Soc.of PlasticsEn
gineers)、44−58頁(1997年、10月
6日)の開示を参照。
【0005】現在入手可能なフォトレジストは多くの用
途に適してはいるが、現在のレジストは、特に、高度に
解像した0.5ミクロン以下の及び0.25ミクロン以
下の像の形成等を必要とする高性能用途には著しい欠陥
をも提示する。
【0006】従って、約250nm以下あるいは更に約
200nm以下、例えば、248nm(KrFレーザー
により提供)又は193nm(ArF露光ツールにより
提供)の露光放射線をはじめとする短波長放射線でフォ
ト画像形成することができるフォトレジストに、関心が
高まってきている。そのような短い露光波長を使用する
ことによりより細かい像の形成を可能にすることができ
る。従って、248又は193nm露光で充分解像され
た画像を生じさせるフォトレジストは、より小さな次元
の回路パターンの恒常的な工業的要求、例えば、より大
きな回路密度及び向上したデバイス性能を提供するため
のより小さな次元の回路パターンの要求に応える著しく
小さな(例えば0.25ミクロン以下の)像の形成を可
能にすることができた。
【0007】しかしながら、現在ある多くのフォトレジ
ストは、一般にI−ライン(365nm)及びG−ライ
ン(436nm)露光のような比較的長波長において画
像形成するように設計されており、一般に248nm及
び193nmのような短波長における画像形成には不向
きである。特に、今までのレジストは、これらのより短
い波長での露光に際し(いかなる画像であれ、現像可能
あれば)劣悪な解像度を示す。これらの中でも、現在あ
るフォトレジストは248nm及び193nm等の極め
て短い露光波長に対し、非常に非透過性になり得るの
で、それにより結果的に劣悪に解像された画像を生ず
る。短波長露光に対する透過性を向上させる努力は、劇
的な画像解像度の悪化を引き起こす可能性のある基体接
着性又は膨潤性等の他の重要な性能特性に悪影響を及ぼ
し得る。
【0008】環状モノマー単位、特に官能基を含有する
ものは、それがレジンバインダー骨格に導入されたと
き、レジンバインダーに様々な特性を付与する。レジン
バインダー骨格に導入された無水物は、膨潤性を減少さ
せるのに役立つ。例えば、バークレイ等のフォトレジス
トの水性ベース現像に対するポリマー構造による影響、
Polym.Prepr.(米国化学会、ポリマーケミ
ストリー部門)、1999年、第40(1)巻、438
−439頁は、(メタ)アクリルポリマー等のフォトレ
ジストレジンバインダーの中に無水イタコン酸を導入す
ることを開示している。しかしながら、斯かる無水物
は、アルコール又は他の溶媒、特に少量の水が混入した
溶媒の存在下で加水分解が引き起こされ得る。
【0009】そのようなレジンバインダーの膨潤は、ポ
リマー骨格内の高い割合の環状モノマー、特に官能性基
を含有する環状モノマーを含むバインダーの使用を通し
て、なおいっそう減少又は排除し得るものである。これ
を達成する取り組みの一つは、ポリマーの調製において
環状モノマーだけを使用することである。しかしなが
ら、この取り組みには、特に、環状モノマーが酸無水物
等の電子吸引基を含むとき、斯かる環状モノマーを重合
することが困難であるという難点を有している。特に、
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物は、容
易に重合できない。
【0010】例えば、WO99/42510は、種々の
官能基を含有するノルボルニルモノマーからなる樹脂で
あり、フォトレジスト組成物に有用な樹脂を開示してい
る。この特許出願は、多環式ポリマーを製造する方法及
び重合するのが難しい官能性をポスト重合官能化によっ
てポリマー中に導入する方法を目的にしている。斯かる
ポスト重合処理は、アミド等の窒素含有基、及びアルコ
ール及びカルボン酸等の水酸基含有基としての重合が困
難な官能性を含むモノマーの使用を回避する。ポスト重
合官能化は、保護された官能性を含有する環状モノマー
を使用し、その官能性の保護を解除してフリーの官能基
を与え、それからフリーの官能基を反応させてポスト官
能化された部分を付与することによって達成される。本
発明の欠点は、ポリマーレジンの嵩が変化して、ポリマ
ーが結果的に収縮するなど多くの余分の工程が要求さ
れ、その製造に多大の時間とコストが付加されることで
ある。
【0011】無水五員環に縮合したノルボルネン環から
構成されるトリサイクリックのノルボルネニルモノマー
を含有するポリマーは、WO99/42510に開示さ
れている。しかし、スピロサイクリックモノマーは、そ
の特許出願には開示されていない。丸善石油株式会社の
日本特許公開公報平10−310640号は、ラクトン
及びイミド基を含有するものを含む多種類のスピロサイ
クリックオレフィンモノマーを開示している。スピロポ
リイミドも開示されているが、そのようなポリイミドは
イミド基の窒素基を介してポリマー骨格に結合してい
る。この特許出願はスピロサイクリックオレフィンモノ
マーのオレフィン炭素を介してポリマー骨格に結合して
いるスピロサイクリックモノマー単位を開示していな
い。
【0012】従って、短波長で画像形成でき、膨潤性が
減少したレジンバインダーを含み、公知のフォトレジス
ト組成物よりも優れた基体接着性を有するフォトレジス
ト組成物を持つことが望ましい。嵩保持性(mass
persistence)を有し、わずかの反応で又は
わずかの変換で調製され得るレジンバインダーを含むフ
ォトレジスト組成物を得ることは、更に望ましい。
【0013】驚くべきことに、スピロサイクリックモノ
マーを含むポリマーが開環重合を使用することなしに、
容易に入手し得ることが見出された。また、驚くべき
ことに、電子吸引性官能基を有する環状モノマーをはじ
めとする環状モノマーを高い割合でポリマー骨格内に有
するレジンバインダーが調製され得ることが見出され
た。更に、驚くべきことに、斯かるスピロサイクリック
レジンバインダーは重合単位として、モノマーのオレフ
ィン性炭素を介してポリマー骨格に結合するスピロサイ
クリックモノマーを含んでいることが見出された。
【0014】一態様として、本発明は、重合単位として
の1以上のスピロサイクリックオレフィンモノマー及び
任意に1以上のエチレン性又はアセチレン性不飽和モノ
マーを含むポリマーであって、そのスピロサイクリック
オレフィンモノマーがオレフィン性炭素を介してポリマ
ー骨格に結合されているポリマーを提供する。
【0015】第二の態様においては、本発明は、1以上
のスピロサイクリックオレフィンモノマーとパラジウム
(II)重合触媒、ニッケル(II)重合触媒及びフリ
ーラジカル重合触媒から選択される1以上の触媒を接触
させる工程を含む、1以上のスピロサイクリックオレフ
ィンモノマーを重合して、重合単位として1以上のスピ
ロサイクリックオレフィンモノマーを含むポリマーの形
成法を提供する。
【0016】第三の態様においては、本発明は、重合単
位として1以上のスピロサイクリックオレフィンモノマ
ー、および任意の1以上のエチレン性又はアセチレン性
不飽和モノマーを含むレジンバインダー、及び光活性成
分を含むフォトレジスト組成物であって、そのスピロサ
イクリックオレフィンモノマーがオレフィン性炭素を介
してポリマー骨格に結合されている組成物を提供する。
【0017】第四の態様においては、本発明は、上記し
たフォトレジスト組成物のコーティング層を塗布し;そ
のフォトレジストコーティング層をパターン付けられた
活性放射線に露光し;露光されフォトレジストコーティ
ング層を現像してフォトレジストレリーフイメージを提
供する工程を含む、フォトレジストレリーフイメージを
形成する方法を提供する。
【0018】本明細書を通じて、特段の断りがない限
り、次の略語は下記の意味を有する:℃=摂氏度;g=
グラム;mol=モル;mol%=モルパーセント;w
/w=基準重量あたりの重量;mmol=ミリモル;m
l=ミリリッター;mm=ミリメーター;nm=ナノメ
ーター;Ar=アリール;及びsec=秒。
【0019】「レジン」及び「ポリマー」の用語は、本
明細書を通して互換的に用いられる。「アルキル」の用
語は、直鎖、分岐鎖及び環状アルキルを意味する。「ハ
ロゲン」及び「ハロ」の用語は、フッ素、塩素、臭素及
びヨウ素を意味する。従って、「ハロゲン化」の用語
は、フッ素化、塩素化、臭素化及びヨウ素化の意味に用
いられる。「ポリマー」は、ホモポリマー及びコポリマ
ーの双方を意味する。「(メタ)アクリレート」の用語
は、アクリレート及びメタクリレートの双方を意味す
る。同様に、「(メタ)アクリル」の用語は、アクリル
及びメタクリル双方を意味する。特記しない限り、全て
の量は重量パーセントであり又全ての割合は重量基準で
ある。全ての数字範囲は、両端の値を含む。
【0020】本発明は、重合単位としての1以上のスピ
ロサイクリックオレフィンモノマーを含むポリマーを提
供する。ここで使用される「スピロサイクリック」の用
語は、慣用的な意味を有し、即ち、2以上の環を有する
如何なる化合物をも表し、その二つの環は共通の一個の
環炭素を有するものである。「スピロサイクリックオレ
フィン」は、二重結合を有するいかなるスピロサイクリ
ック化合物をも意味する。「スピロサイクリックオレフ
ィンモノマー」は、重合可能ないかなるスピロサイクリ
ックオレフィンをも意味する。
【0021】本発明のポリマーは、モノマーの総重量基
準にして1から100重量パーセントの一以上のスピロ
サイクリックモノマーを含有する。従って本発明のポリ
マーは、スピロサイクリックオレフィンモノマーのホモ
ポリマー又はコポリマーであってよい。当業者であれ
ば、いかなるエチレン性不飽和モノマー、アセチレン性
不飽和モノマー又はそれらの混合物は、本発明のスピロ
サイクリックオレフィンモノマーと共重合されてもよい
ことを認識するであろう。斯かるエチレン性モノマー若
しくはアセチレン性モノマー又はそれらの混合物は、モ
ノマーの総重量基準で1から99パーセントの範囲の量
で本発明のポリマー中に存在してもよい。
【0022】いかなるスピロサイクリックオレフィンモ
ノマーも、本発明のポリマーに有用である。スピロサイ
クリックオレフィンモノマーの少なくとも一つの環は5
から7員環であることが好ましく、より好ましくは、双
方のスピロサイクリック環とも5から7員環である。本
発明に用いられる好ましいスピロサイクリックオレフィ
ンモノマーは次式(I)のものが含まれる。
【0023】
【化8】
【0024】[式中、A=O、S、CH及びN
;R=フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換
ベンジル、(C−C)アルキル及び置換(C−C
)アルキル;G=C(Z’)、O,S及びNR;R
=(C−C)アルキル及び置換(C−C)ア
ルキル;E及びWは、C(Z’)、O、NR及び化学
結合より独立に選択される;Z’=O又はS;n=0〜
3;m=0〜2;m’=0〜2;l=0〜5;及びp=
0〜5;但し、l+p=3〜5;但し、A=O、S又は
NRのとき、n=1;ここで、T及びLは一緒になっ
て、二重結合又は5〜8員不飽和環から選択される。]
【0025】T及びLが一緒になって5〜8員不飽和環
を形成する本発明の好ましいスピロサイクリックモノマ
ーには、次式Iaのものが含まれる、
【0026】
【化9】
【0027】[式中、A、E、W、G、l、m、n及び
pは上記で定義された通りである。]
【0028】本発明のスピロサイクリックオレフィンモ
ノマーは、次式Ibの構造を有することが好ましい。
【0029】
【化10】
【0030】[式中、A,E、W、G、l、m、n及び
pは、上記で定義された通りである。]より好ましく
は、スピロサイクリックオレフィンモノマーは、次式I
cの構造を有する。
【0031】
【化11】
【0032】[式中、A,E、W、G、l、m、n及び
pは、上記で定義された通りである。]更に好ましく
は、nは1又は2である。更にまた好ましくは、AはC
である。また、好ましくは、mは0又は1である。
【0033】「置換フェニル」は、1以上の水素が他の
置換基で置き換えられたフェニル環を意味する。「置換
ベンジル」は、1以上の水素が他の置換基で置き換えら
れたベンジル基を意味する。好ましい置換基には、シア
ノ、ハロ、(C−C)アルコキシ、(C−C
アルキル、アミノ、(C−C)アルキルアミノ、
(C−C)ジアルキルアミノ及び(C−C)ア
ルキルチオ等が含まれるが、これらに限定されない。本
発明に有用なスピロサイクリックオレフィンモノマー
は、任意に置換されてもよい。置換とは、環炭素上の1
以上の水素が1以上の置換基で置き換えられているもの
を意味する。好適な置換基には、(C−C 12)アル
キル、フェニル、置換フェニル、(C−C12)アル
コキシ、(C −C10)アルカリール、(C
)パーハロアルキル及びハロゲンが含まれる。好ま
しい置換基は、(C−C12)アルキルであり、より
好ましくは(C−C)アルキルであり、最も好まし
くは(C−C)アルキルである。
【0034】好ましいスピロサイクリックオレフィンモ
ノマーは、少なくとも一つのスピロサイクリック環の中
に電子吸引基を含有するものである。ここで用いられて
いるように、電子吸引基を含有するスピロサイクリック
オレフィンモノマーには、環原子としてカルボニル、チ
オカルボニル、オキサ、メルカプト、アミノ、置換アミ
ノ、アミド等を有する化合物を含むよう意図されてい
る。好適な電子吸引基には、酸無水物、チオ無水物、ラ
クトン、チオラクトン、イミド、チオイミド、ラクタム
及びチオラクタムが含まれるが、これらに限定されな
い。電子吸引基は、酸無水物、ラクトン、イミド及びラ
クタムが好ましく、酸無水物及びラクトンは、より好ま
しい。斯かる電子吸引基は、スピロ炭素に対しα位であ
ることが更に好ましい。
【0035】好適なスピロサイクリックオレフィンモノ
マーとしては、スピロサイクリックノルボルネニルモノ
マー、スピロサイクリックシクロヘキセンモノマー、ス
ピロサイクリックシクロペンテンモノマー及びこれらの
混合物があげられるが、これらに限定されるわけではな
い。好適なスピロサイクリックノルボルネニルモノマー
としては、次式II及びIIIのような5員スピロサイ
クル環を有するものがあげられる。
【0036】
【化12】
【0037】[式中、Z=CH、C(O)、C
(S)、O又はS;X及びYは、CH、C(O)、C
(S)、O又はNRから独立して選ばれる;及びR
=(C−C)アルキル及び置換(C−C
アルキル;但し、少なくとも一つのX、Y及びZはC
(O)又はC(S)から選ばれる;及びここで、スピロ
サイクリックモノマーは、任意に置換される。]式II
及び式IIIの好ましいスピロサイクリックノルボルネ
ニルオレフィンモノマーは、ZがC(O)であり、より
好ましくはZがC(O)であり、Xが酸素である。斯か
るエキソモノマーの重合は相当するエンドモノマーの重
合より早いと信じられているので、エキソ位置にカルボ
ニル又はチオカルボニルを有するスピロサイクリックノ
ルボルネニルオレフィンモノマーはある種の重合におい
て好ましい。従って、例えば、式IIのスピロサイクリ
ックノルボルネニイルオレフィンモノマーは、ZがC
(O)又はC(S)のとき、好ましい。
【0038】本発明に有用なスピロサイクリックオレフ
ィンモノマーは、一般的に文献において知られている。
例えば、グリフィニー、ヘテロサイクルズ、1981
年、第16巻、ナンバー5、775〜788頁は、種々
のスピロサイクリックオレフィンイミドを開示し、斯か
る化合物の製造に関し、この文献は本明細書の一部とし
て参照される。
【0039】一般に、本発明のスピロサイクリックオレ
フィンモノマーは、エキソ二重結合を含有する環状炭化
水素とブタジエン、置換ブタジエン、シクロペンタジエ
ン又は1,3−シクロヘキサジエン等のシクロジエン、
又は置換シクロジエンとのディールスアルダー反応によ
って調製されることができる。そのような反応は、次の
反応式によって図示される。
【0040】
【化13】
【0041】本発明で使用されるエチレン性又はアセチ
レン性不飽和モノマーは、本発明のスピロサイクリック
オレフィンモノマーと共重合する如何なるものでもよ
い。1以上のエチレン性又はアセチレン性不飽和モノマ
ーは本発明のスピロサイクリックオレフィンモノマーと
共重合されてもよいことを、当業者なら認識しているで
あろう。本発明のポリマーに有用なエチレン性及びアセ
チレン性モノマーの総量は、モノマー総重量に基づいて
1〜99重量パーセントであり、好ましくは10〜95
重量パーセントであり、更に好ましくは20〜90重量
パーセントであり、更により好ましくは60〜90重量
パーセントである。
【0042】好適なエチレン性又はアセチレン性不飽和
モノマーとしては、(メタ)アクリル酸、(メタ)アク
リルアミド、アルキル(メタ)アクリレート、アルケニ
ル(メタ)アクリレート、芳香族(メタ)アクリレート、
ビニル芳香族モノマー、窒素含有化合物及びそれらのチ
オ類似化合物、置換エチレンモノマー、環状オレフィ
ン、置換環状オレフィン等が含まれるが、しかしこれら
に限定はされない。
【0043】本発明に有用なアルキル(メタ)アクリレ
ートは、典型的には(C−C24)アルキル(メタ)
アクリレートである。適当なアルキル(メタ)アクリレ
ートとしては、「ローカット(low cut)」アル
キル(メタ)アクリレート、「ミッドカット(mid
cut)」アルキル(メタ)アクリレート及び「ハイカ
ット(high cut)」アルキル(メタ)アクリレ
ートが含まれるが、これらに限定されない。
【0044】「ローカット」アルキル(メタ)アクリレ
ートは、典型的には、アルキル基が1から6の炭素原子
を含むものである。適当なローカットアルキル(メタ)
アクリレートには、メチルメタクリレート(「MM
A」),メチルアクリレート、エチルアクリレート、プ
ロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート(「BM
A」)、ブチルアクリレート(「BA」)、イソブチル
メタクリレート(「IBMA」)、ヘキシルメタクリレ
ート、シクロヘキシルメタクリレート、シクロヘキシル
アクリレート及びこれらの混合物が含まれるが、これら
に限定されない。
【0045】「ミッドカット」アルキル(メタ)アクリ
レートは、典型的にはアルキル基が7から15の炭素原
子を含むものである。適当なミッドカットアルキル(メ
タ)アクリレートには、2−エチルヘキシルアクリレー
ト(「EHA」)、2−エチルヘキシルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、デシルメタクリレート、
イソデシルメタクリレート( 「IDMA」、 分岐(C
10)アルキル異性体混合物に基づく)、ウンデシルメ
タクリレート、ドデシルメタクリレート(ラウリルメタ
クリレートとしても知られる)、トリデシルメタクリレ
ート、テトラデシルメタクリレート(ミリスチルメタク
リレートとしても知られる)、ペンタデシルメタクリレ
ート及びそれらの混合物が含まれるが、これらに限定さ
れない。特に有用な混合物としては、ドデシル−ペンタ
デシルメタクリレート(「DPMA」)、ドデシル、ト
リデシル、テトラデシル及びペンタデシルメタクリレー
トの直鎖及び分岐鎖の異性体の混合物;及びラウリル−
ミリスチルメタクリレート(「LMA」)があげられ
る。
【0046】「ハイカット」アルキル(メタ)アクリレ
ートは、典型的にはアルキル基が16から24の炭素原
子を含むものである。適当なハイカットアルキル(メ
タ)アクリレートは、ヘキサデシルメタクリレート、ヘ
プタデシルメタクリレート、オクタデシルメタクリレー
ト、ノナデシルメタクリレート、コシルメタクリレー
ト、エイコシルメタクリレート及びこれらの混合物が含
まれるが、これらに限定されない。特に有用なハイカッ
トアルキル(メタ)アクリレートとしては、ヘキサデシ
ル、オクタデシル、コシル及びエイコシルメタクリレー
トの混合物であるセチル−エイコシルメタクリレート
(「CEMA」);及びヘキサデシル及びオクタデシル
メタクリレートの混合物であるセチル−ステアリルメタ
クリレート(「SMA」)があげられるが、これらに限
定されない。
【0047】上記のミッドカット及びハイカットのアル
キル(メタ)アクリレートは、一般的に工業品質の長鎖
脂肪族アルコールを使用して標準エステル化操作により
製造され、これらの商業的に入手可能なアルコールは、
アルキル基が10から15又は16から20の炭素原子
を含む鎖長の間で変動するアルコールの混合物である。
これらのアルコールの例は、ビスタケミカルカンパニー
の種々のチーグラー触媒によって製造されるアルフォー
ル(ALFOL)アルコール、即ち、アルフォール16
18及びアルフォール1620、シェルケミカルカンパ
ニーのチーグラー触媒によって製造される種々のネオド
ール(NEODOL)アルコール、即ち、ネオドール2
5L及びプロクターアンドギャンブル社のTA−161
8及びCO−1270等の天然物由来のアルコールであ
る。結果的に、本発明の目的のためには、アルキル(メ
タ)アクリレートは、個々の名称のアルキル(メタ)ア
クリレート製品ばかりでなく、アルキル(メタ)アクリ
レートと大勢を占める量の特定の名称のアルキル(メ
タ)アクリレートとの混合物をも含むことが意図されて
いる。
【0048】本発明に有用なアルキル(メタ)アクリレ
ートモノマーは、単一モノマーでもよいし、アルキル部
分に異なる数の炭素原子を有するものの混合物であって
もよい。また、本発明に有用な(メタ)アクリルアミド
及びアルキル(メタ)アクリレートモノマーには、任意
に置換されてもよい。任意に置換された、適当な(メ
タ)アクリルアミド及びアルキル(メタ)アクリレート
モノマーには、ヒドロキシ(C−C)アルキル(メ
タ)アクリレート、ジアルキルアミノ(C−C )−
アルキル(メタ)アクリレート及びジアルキルアミノ
(C−C)アルキルメタアクリルアミドが含まれる
が、これらに限定されない。
【0049】特に有用な置換アルキル(メタ)アクリレ
ートモノマーは、アルキル基に一つ以上の水酸基を有す
るもの、特にアルキル基のβ位(2の位置)に 水酸基
が見出されるものである。置換アルキル基が分岐又は非
分岐の(C−C)アルキル基であるヒドロキシアル
キル(メタ)アクリレートモノマーが好ましい。好適な
ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートモノマーに
は、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(「HEM
A」)、2−ヒドロキシエチルアクリレート(「HE
A」)、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、1−
メチル−2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒ
ドロキシ−プロピル−アクリレート、1−メチル−2−
ヒドロキシ−エチル−アクリレート、2−ヒドロキシブ
チルメタクリレート、2−ヒドロキシブチルアクリレー
ト及びこれらの混合物が含まれるが、これらに限定され
ない。好ましいヒドロキシアルキル(メタ)アクリレー
トモノマーは、HEMA、1−メチル−2−ヒドロキシ
エチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタク
リレート及びそれらの混合物である。後者の二つのモノ
マーの混合物は、一般に「ヒドロキシプロピルメタクリ
レート」又はHPMAと呼ばれている。
【0050】本発明に有用な他の置換(メタ)アクリレ
ート及び(メタ)アクリルアミドモノマーは、アルキル
基中にジアルキルアミノ基又はジアルキルアミノアルキ
ル基を有するものである。斯かる置換(メタ)アクリレ
ート及び(メタ)アクリルアミドの例としては、ジメチ
ルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチル
アクリレート、N,N−ジメチルアミノエチルメタクリ
ルアミド、N,N−ジメチル−アミノプロピルメタクリ
ルアミド、N,N−ジメチルアミノブチルメタクリルア
ミド、N,N−ジ−エチルアミノエチルメタクリルアミ
ド、N,N−ジエチルアミノプロピルメタクリルアミ
ド、N,N−ジエチルアミノブチルメタクリルアミド、
N−(1,1−ジメチル−3−オキソブチル)アクリル
アミド、N−(1,3−ジフェニル−1−エチル−3−
オキソブチル)アクリルアミド、N−(1−メチル−1
−フェニル−3−オキソブチル)メタクリルアミド、及
び2−ヒドロキシエチルアクリルアミド、アミノエチル
エチレンウレアのN−メタクリルアミド、N−メタクリ
ロキシエチルモルフォリン、ジメチルアミノプロピルア
ミンのN−マレイミド及びこれらの混合物が挙げられ
る。
【0051】本発明に有用な他の置換(メタ)アクリレ
ートモノマーは、γ−プロピルトリ(C−C)アル
コキシシリル(メタ)アクリレート、γ−プロピルトリ
(C −C)アルキルシリル(メタ)アクリレート、
γ−プロピルジ(C−C)アルコキシ(C
)アルキルシリル(メタ)アクリレート、γ−プロ
ピルジ(C−C)アルキル(C−C)アルコキ
シシリル(メタ)アクリレート、ビニルトリ(C−C
)アルコキシシリル(メタ)アクリレート、ビニルジ
(C−C)アルコキシ(C−C)アルキルシリ
ル(メタ)アクリレート、ビニル(C−C)アルコ
キシジ(C−C)アルキルシリル(メタ)アクリレ
ート、ビニルトリ(C−C)アルキルシリル(メ
タ)アクリレート、及びこれらの混合物等のシリコン含
有モノマーである。
【0052】本発明の不飽和モノマーとして有用なビニ
ル芳香族モノマーには、スチレン(「STY」)、α−
メチルスチレン、ビニルトルエン、p−メチルスチレ
ン、エチルビニルベンゼン、ビニルナフタレン、ビニル
キシレン、及びこれらの混合物が含まれるが、これらに
限定されない。ビニル芳香族モノマーには、また、ハロ
ゲン化誘導体、即ち、フッ素、塩素又は臭素等の1以上
のハロゲン基を含む誘導体;及びニトロ、シアノ、(C
−C10)アルコキシ、ハロ(C−C10)アルキ
ル、カルブ(C−C10)アルコキシ、カルボキシ、
アミノ、(C−C10)アルキルアミノ誘導体等のそ
れらの相当する置換相対物が含まれる。
【0053】本発明の不飽和モノマーとして有用な窒素
含有化合物及びチオ類似化合物には、2−ビニル−ピリ
ジン又は4−ビニルピリジン等のビニルピリジン;2−
メチル−5−ビニルピリジン、2−エチル−5−ビニル
ピリジン、3−メチル−5−ビニルピリジン、2,3−
ジメチル−5−ビニルピリジン、及び2−メチル−3−
エチル−5−ビニル−ピリジン等の低級アルキル(C
−C)置換N−ビニルピリジン;メチル置換キノリン
及びイソキノリン;N−ビニルカプロラクタム;N−ビ
ニルブチロラクタム;N−ビニルピロリドン;ビニルイ
ミダゾール;N−ビニルカルバゾール;N−ビニルスク
シンイミド;(メタ)アクリロニトリル;o−,m−,
又はp−アミノスチレン;マレイミド;N−ビニルオキ
サゾリドン;N、N−ジメチルアミノエチル−ビニル−
エーテル;エチル−2−シアノアクリレート;ビニルア
セトニトリル;N−ビニルフタルイミド;N−ビニル−
チオ−ピロリドン、3−メチル−1−ビニル−ピロリド
ン、4−メチル−1−ビニル−ピロリドン、5−メチル
−1−ビニル−ピロリドン、3−エチル−1−ビニル−
ピロリドン、3−ブチル−1−ビニル−ピロリドン、
3,3−ジメチル−1−ビニル−ピロリドン、4,5−
ジメチル−1−ビニル−ピロリドン、5,5−ジメチル
−1−ビニル−ピロリドン、3,3,5−トリメチル−
1−ビニル−ピロリドン、4−エチル−1−ビニル−ピ
ロリドン、5−メチル−5−エチル−1−ビニル−ピロ
リドン及び3,4,5−トリメチル−1−ビニル−ピロ
リドン等のN−ビニルピロリドン;ビニルピロール;ビ
ニルアニリン;及びビニルピペリジンが含まれるが、こ
れらに限定されない。
【0054】本発明において不飽和モノマーとして有用
な置換エチレンモノマーには、酢酸ビニル、ビニルホル
ムアミド、塩化ビニル、フッ化ビニル、臭化ビニル、塩
化ビニリデン、フッ化ビニリデン、臭化ビニリデン、無
水イタコン酸が含まれるが、これらに限定されない。
【0055】本発明に有用な好適な環状オレフィンモノ
マーは、たとえばシクロペンテン、シクロペンタジエ
ン、ジシクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘキサ
ジエン、シクロヘプテン、シクロヘプタジエン、シクロ
オクテン、シクロオクタジエン、ノルボルネン、無水マ
レイン酸等の(C−C10)環状オレフィンである。
好適な置換環状オレフィンモノマーには、ヒドロキシ;
アリールオキシ;ハロ;(C−C12)アルキル;
(C−C12)ハロアルキル;(C−C12)ヒド
ロキシアルキル;(CHn’C(CFOH、
ここでn’=0〜4、等の(C−C12)ハロヒドロ
キシアルキル;(C−C12)アルコキシ;チオ;ア
ミノ;(C−C)アルキルアミノ;(C−C
ジアルキルアミノ;(C−C12)アルキルチオ;カ
ルボ(C−C20)アルコキシ;カルボ(C−C
20)ハロアルコキシ;(C−C12)アシル;(C
−C)アルキルカルボニル(C−C)アルキル
等から選択される1以上の置換基を有する環状オレフィ
ンが含まれるが、これらに限定されない。特に好適な置
換環状オレフィンには、1以上のヒドロキシ、アリール
オキシ、(C−C12)アルキル、(C−C12
ハロアルキル、(C−C12)ヒドロキシアルキル、
(C−C12)ハロヒドロキシアルキル、カルボ(C
−C20)アルコキシ及びカルボ(C−C20)ハ
ロアルコキシを有する無水マレイン酸及び環状オレフィ
ンが含まれる。当業者であれば、アルキル及びアルコキ
シ置換基は任意にハロゲン、ヒドロキシル、シアノ、
(C−C)アルコキシ、メルカプト、(C
)アルキルチオ、アミノ、酸レイビル脱離基等と置
換されてもよいことを認識するであろう。
【0056】好適なカルボ(C−C20)アルコキシ
置換基には、式C(O)O−LG、[ここで、LGはカ
ルボキシル基と直接に結合される少なくとも一つの第4
級炭素原子を持つ4以上の炭素原子を有する脱離基であ
る]のものが含まれるが、これらに限定されない。好適
な脱離基には、イソブチル、2,3−ジメチルブチル、
2,3,4−トリメチルペンチル及び脂環式脱離基が含
まれるが、これらに限定されない。好適な脂環式脱離基
には、アダマンチル、メチルアダマンチル、エチルアダ
マンチル、メチルノルボルニル、エチルノルボルニル、
エチルトリメチルノルボルニル等が含まれる。特に有用
な脂環式脱離基は、式IVa〜IVdのものである。
【0057】
【化14】
【0058】その他の特に有用な環状オレフィンモノマ
ー置換基には、Ar−O−LG及び(CHn’
(CFO−LG、[ここで、n’=0〜4、LG
は上記のとおり]が含まれるが、これに限定されない。
アリール基は、フェニルが好ましい。
【0059】1以上の水酸基を有する好適なエチレン性
不飽和環状オレフィンには、次式(V)のノルボルネニ
ルアルコールが含まれるが、これらに限定されない。
【0060】
【化15】
【0061】[式中、R、R、及びRは、独立し
て水素及び(C−C)アルキルであり、R及びR
は一緒になって、5〜7員の縮合環を形成してもよ
い。]好ましくは、R及びRは独立して水素又は
(C−C)アルキルから選択され、R=シクロ
ヘキシル又はシクロペンチル、及びR及びRは一緒
になって、5〜7員の縮合環を形成してもよい。更に好
ましくは、Rは水素又はメチルである。特に有用なノ
ルボルネニルアルコールは、式Va〜Vcで表されるも
のである。
【0062】
【化16】
【0063】本発明のスピロサイクリックポリマーは、
フリーラジカル重合及び金属触媒重合等の種々の方法で
調製されてよい。触媒は、それがスピロサイクリックモ
ノマーを実質的に開環することなくスピロサイクリック
モノマーの二重結合の重合を触媒するものである限り、
本発明での使用に適している。金属触媒重合が好まし
い。好適なフリーラジカル重合触媒には、過酸化水素、
ter−ブチルヒドロペルオキシド、過硫酸ナトリウ
ム、過硫酸カリウム、過硫酸リチウム等が含まれる。斯
かるフリーラジカル重合条件は、当業者にとって明らか
である。
【0064】当業者であれば、2以上の金属触媒を本発
明の重合に用いてもよいことを認識するであろう。好適
な金属重合触媒には、パラジウムジハライド、非イオン
性パラジウム(II)−ハライド錯体、(Pd(RC
N))(BF[ここで、Rは(C−C)ア
ルキルである]、パラジウム(II)−アルキル錯体及
び弱配位対イオンを有する(η−アリル)パラジウム
(II)化合物等のパラジウム(II)触媒が含まれる
が、これらに限定されない。好ましいパラジウム(I
I)触媒は(Pd(RCN)(BF[ここで、
Rは(C−C)アルキルである]、弱配位対イオン
を有する(η−アリル)パラジウム(II)化合物、
及びこれらの混合物である。特に有用なパラジウム(I
I)触媒には、(Pd(CHCN))(B
、(Pd(CCN))(BF
(η−アリル)Pd(BF),(η−アリル)P
dCl),(η−アリル)Pd(SbF)、及び
(η−アリル)Pd(BF)と(η −アリル)P
d(SbF)との混合物が含まれるが、これらに限定
されない。例えば、マシュウー等、官能基を有するノル
ボルネン誘導体の付加重合用の(η−アリル)パラジ
ウム(II)及びパラジウム(II)ニトリル触媒、マ
クロモレキュールズ、1996年、第29巻、2755
〜2763頁。その調製及びそのような触媒の使用に関
し、この文献は本明細書の一部として参照される。
【0065】他の好適な金属重合触媒には、少なくとも
一つのサリチルアルジミン又は置換サリチルアルジミン
及び少なくとも一つのアセトニトリル又はトリフェニル
ホスフィン等のホスフィンを配位子として有するニッケ
ル(II)触媒が含まれる。好適な置換サリチルアルジ
ミン配位子には、フェニル、置換フェニル、アントラセ
ン、置換アントラセン、トリフェニルメチル、メタ−タ
ーフェニル等のような嵩高な基で、酸素に対してオルト
位が置換されたものが含まれる。好適な触媒は、ヨウン
キン等、ヘテロアトムに耐性の中性、単一成分ニッケル
(II)ポリオレフィン触媒、サイエンス、2000年
1月21日、第287巻、460〜462頁に開示され
ている。
【0066】本発明の重合反応において金属に対するモ
ノマーの比率は、約5000:1から約25:1まで、
好ましくは約1000:1から50:1まで、及び更に
好ましくは100:1から50:1までの範囲に亘るこ
とができる。この触媒を用いる重合反応は、シクロヘキ
サン、トルエン、ベンゼン、ニトロベンゼン、クロロベ
ンゼン、ニトロメタン、ジクロロメタン及びこれらの混
合物等の炭化水素溶媒中で遂行できる。
【0067】特に有用な溶媒混合物は、4:1の比率の
ニトロベンゼン及びジクロロベンゼンである。パラジウ
ム(II)触媒を使用する重合反応は、約0℃〜約70
℃の範囲の温度で遂行できる。好ましくは、重合反応は
10℃〜50℃及びより好ましくは20℃〜40℃の温
度で遂行される。重合の収率は、典型的には25〜10
0%の範囲である。
【0068】本発明のスピロサイクリックポリマーは、
サイクリックポリマーが使用される如何なる用途にも使
用されてもよい。本発明のスピロサイクリックポリマー
は、特にフォトレジスト組成物、反射防止コーティング
組成物、ソルダマスク、誘電体等のエレクトロニクス用
途に有用であるが、これらに限定されない。重合単位と
して1以上の電子吸引性基を含有する、1以上のスピロ
サイクリックオレフィンモノマーを含有する本発明のス
ピロサイクリックポリマーは、特にフォトレジスト組成
物におけるレジンバインダーとしての使用に好適であ
る。フォトレジスト組成物に使用されるとき、本発明の
斯かるスピロサイクリックポリマーは、公知のフォトレ
ジスト組成物に対して低減された膨潤性及び改良された
接着性を示す。
【0069】フォトレジストに使用される特に好適な本
発明のスピロサイクリックポリマーには、次式VIa及
びVIbで表されるものが含まれる。
【0070】
【化17】
【0071】[式中、Z=CH、C(O)、C
(S)、O又はS;X及びYは、CH、C(O)、C
(S)、O又はNRから独立して選択される;R
(C−C )アルキル及び置換(C−C)アルキ
ル;R=C(O)O(CHOH,H及びC
(O)OR;R=(C−C24)アルキル及び
H;J=C(O)O−、Ar−O−及び(CHn’
(CF−O−;LGは、カルボキシル基に直接結
合した少なくとも一つの第4級炭素原子を持つ4以上の
炭素原子を有する脱離基である;qは、0から20まで
の整数である;n’=0〜4;rはモノマーの総重量を
基準にして、10〜60重量%のモノマー単位である;
r’はモノマーの総重量を基準にして、10〜80重量
%のモノマー単位である;tはモノマーの総重量を基準
にして、10〜90重量%のモノマー単位である;t’
はモノマーの総重量を基準にして、20〜90重量%の
モノマー単位である;及びpはモノマーの総重量を基準
にして、0〜80重量%のモノマー単位である。t+p
はモノマーの総重量を基準にして、20〜90重量%の
範囲であることが好ましく、更に好ましくは60〜90
重量%の範囲である。]
【0072】特にフォトレジスト系の使用のための、特
に好適な本発明の他のスピロサイクリックポリマーに
は、重合単位として本発明の1以上のスピロサイクリッ
クオレフィンモノマー、無水マレイン酸、ここで記載さ
れた置換基としての脱離基を有する1以上のサイクリッ
クオレフィンモノマーが含まれる。これらのポリマーの
内で好適な任意のモノマーとしては、ノルボルネン、無
水イタコン酸及び(メタ)アクリレートエステル等が挙
げられるが、これらに限定されない。
【0073】フォトレジスト組成物に使用される本発明
のその他の特に好適なスピロサイクリックポリマーは、
重合単位として、次式VII及びVIIIで表される1
以上のスピロサイクリックオレフィンモノマーを含有す
るものである。
【0074】
【化18】
【0075】[式中、R=(C−C24)アルキル
であり、vは1と4の間の整数である。]好ましくはR
=(C−C)アルキルであり、より好ましくは
(C−C)アルキルである。理論に拘束されること
を意図しているわけではないが、ある種の場合、例え
ば、vが3以上であるとき、斯かるスピロサイクリック
オレフィンモノマーは酸の存在下で開環して、ペンダン
ト鎖としてカルボン酸及びアルケン双方を含むノルボル
ネニル化合物を生ずると信じられている。従って、斯か
るスピロサイクリックモノマー単位は、重合されてポリ
マーになるとき、酸の存在下で開環してもよい。そのよ
うな開環は、それほど嵩を損失することなく環状ポリマ
ー骨格にカルボン酸官能性及びアルケニル基を持たしめ
ることになる。従って、公知の方法より少ない反応工程
で環状ポリマー骨格に酸官能性が導入され得るだけでな
く、結果として生ずるスピロサイクリックポリマーは嵩
保持性をも示す、即ち、それは有意には収縮しないので
ある。従って、重合単位として1以上の7員環以上のス
ピロサイクリックオレフィンモノマーを含有するスピロ
サイクリックポリマーは、特にフォトレジスト組成物に
は有用なのである。
【0076】本発明のフォトレジスト組成物は、1以上
の光活性成分、本発明の1以上のスピロサイクリックレ
ジンバインダー及び任意に1以上の添加剤を含む。本発
明に有用な光活性成分は、典型的にはフォト酸(pho
toacid)又はフォト塩基(photobase)
発生剤であり、好ましくはフォト酸発生剤である。
【0077】本発明に有用なフォト酸発生剤は、露光に
際し酸を遊離する化合物であり、典型的には約320〜
420ナノメーターの波長における光線での露光である
が、その他の波長でも好適なものである。好適なフォト
酸発生剤には、ハロゲン化トリアジン、オニウム塩、ス
ルホン化エステル及びハロゲン化スルホニルオキシジカ
ルボキシイミドが含まれる。
【0078】特に有用なハロゲン化トリアジンには、ハ
ロメチル−s−トリアジンが含まれる。好適なトリアジ
ンとしては、例えば、2−[1−(3,4−ベンゾジオ
キソリル)]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−
1,2,5−トリアジン、2−[1−(2,3−ベンゾ
ジオキソリル)]−4,6−ビス(トリクロロメチル)
−1,3,5−トリアジン、2−[1−(3,4−ベン
ゾジオキソリル)]−4,6−ビス(トリブロモメチ
ル)−1,3,5−トリアジン、2−[1−(2,3−
ベンゾジオキソリル)]−4,6−ビス(トリブロモメ
チル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−フルフィ
ルエチリデン)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−
1,3,5−トリアジン、2−[2−(5−メチルフリ
ル)エチリデン]−4,6−ビス(トリクロロメチル)
−1,3,5−トリアジン、2−[2−(4−メチルフ
リル)エチリデン]−4,6−ビス(トリクロロメチ
ル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(3−メチ
ルフリル)エチリデン]−4,6−ビス(トリクロロメ
チル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(4,5
−ジメチルフリル)エチリデン]−4,6−ビス(トリ
クロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−
(5−メトキシフリル)エチリデン]−4,6−ビス
(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−
[2−(4−メトキシフリル)エチリデン]−4,6−
ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−[2−(3−メトキシフリル)エチリデン]−4,
6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジ
ン、2−[2−(4,5−ジメトキシフリル)エチリデ
ン]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5
−トリアジン、2−(2−フルフィルエチリデン)−
4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリ
アジン、2−[2−(5−メチルフリル)エチリデン]
−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−ト
リアジン、2−[2−(4−メチルフリル)エチリデ
ン]−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5
−トリアジン、2−[2−(3−メチルフリル)エチリ
デン]−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,
5−トリアジン、2−[2−(4,5−ジメトキシフリ
ル)エチリデン]−4,6−ビス(トリブロモメチル)
−1,3,5−トリアジン、2−[2−(5−メトキシ
フリル)エチリデン]−4,6−ビス(トリブロモメチ
ル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(4−メト
キシフリル)エチリデン]−4,6−ビス(トリブロモ
メチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(3−
メトキシフリル)エチリデン]−4,6−ビス(トリブ
ロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−
(4,5−ジメトキシフリル)エチリデン]−4,6−
ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、
2,4,6−トリス−(トリクロロメチル)−1,3,
5−トリアジン、2,4,6−トリス−(トリブロモメ
チル)−1,3,5−トリアジン、2−フェニル−4,
6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジ
ン、2−フェニル−4,6−ビス(トリブロモメチル)
−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシフェニ
ル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5
−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6
−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジ
ン、2−(1−ナフチル)−4,6−ビス(トリクロロ
メチル)−1,3,5−トリアジン、2−(1−ナフチ
ル)−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5
−トリアジン、2−(4−メトキシ−1−ナフチル)−
4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリ
アジン、2−(4−メトキシ−1−ナフチル)−4,6
−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジ
ン、2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリ
ブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2−スチリ
ル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−
トリアジン、2−スチリル−4,6−ビス(トリブロモ
メチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキ
シスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−
1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシスチリ
ル)−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5
−トリアジン、2−(3,4,5−トリメトキシスチリ
ル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5
−トリアジン、2−(3,4,5−トリメトキシスチリ
ル)−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5
−トリアジン、2−(3−クロロ−1−フェニル)−
4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリ
アジン及び2−(3−クロロフェニル)−4,6−ビス
(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジンが挙げ
られる。本発明に有用な他のトリアジン形のフォト酸発
生剤は、ここに参考として引用されている米国特許第
5、366、846号に開示されている。
【0079】s−トリアジン化合物は、ある種のメチル
−ハロメチル−s−トリアジン及びある種のアルデヒド
又はアルデヒド誘導体の縮合反応生成物である。そのよ
うなs−トリアジン化合物は、米国特許第3、954、
475号及びワカバヤシ等、日本化学会誌、1969
年、第42巻、2924〜30頁に記載の手法により調
製されることができる。
【0080】弱求核性アニオンとのオニウム塩は、本発
明のフォト酸発生剤としての使用に特に適している。斯
かるアニオンの例としては、2価から5価の金属又は非
金属、例えば、アンチモン、スズ、鉄、ビスマス、アル
ミニウム、ガリウム、インジウム、チタン、ジルコニウ
ム、スカンジウム、クロム、ハフニウム、銅、ホウ素、
燐及び砒素のハロゲン錯体アニオンである。好適なオニ
ウム塩の例としては、ジアリールジアゾニウム塩及び周
期律表第5族A及びB、第2族A及びB及び1族のオニ
ウム塩であり、例えば、ハロニウム塩、第4級アンモニ
ウム、ホスホニウム及びアルソニウム塩、芳香族スルホ
ニウム塩及びスルホキソニウム塩又はセレニウム塩が挙
げられるが、これらに限定されない。好適なオニウムの
例としては、すべてここに参考として挿入されている米
国特許第4、442、197;4、603、101号;
及び4、624、912号に開示されている。
【0081】本発明のフォト酸光発生剤として有用なス
ルホン化エステルには、スルホニルオキシケトンが含ま
れる。好適なスルホン化エステルには、ベンゾイントシ
レート、t−ブチルフェニルα−(p−トルエンスルホ
ニルオキシ)−アセテート、及びt−ブチルα−(p−
トルエンスルホニルオキシ)−アセテートが含まれる
が、これらに限定されない。斯かるスルホン化エステル
は、ここに参考として挿入されているジャーナルオブフ
ォトポリマーサイエンスアンドテクノロジー、1991
年、第4巻、ナンバー3、337〜340頁に開示され
ている。
【0082】本発明のフォト酸発生剤として有用な好適
なハロゲン化スルホニルオキシジカルボキシイミドに
は、1(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキ
シ)−1H−ピロール−2,5−ジオン;N−((パー
フルオロオクタンスルホニル)オキシ)−5−ノルボル
ネン−2,3−ジカルボキシイミド;1−(((トリフ
ルオロメチル)スルホニル)オキシ)−2,5−ピロリ
ジンジオン;3a,4,7,7a−テトラヒドロ−2−
(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)−
4,7−メタノ−1H−イソインドール−1,3(2
H)−ジオン;2−(((トリフルオロメチル)スルホ
ニル)オキシ)−1H−ベンゾ(f)イソインドール−
1,3(2H)−ジオン;3,4−ジメチル−1−
(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)−1
H−ピロール−2,5−ジオン;2−(((トリフルオ
ロメチル)スルホニル)オキシ)−1H−イソインドー
ル−1,3(2H)−ジオン;2−(((トリフルオロ
メチル)スルホニル)オキシ)−1H−ベンズ(de)
イソキノリン−1,3(2H)−ジオン;4,5,6,
7−テトラヒドロ−2−(((トリフルオロメチル)ス
ルホニル)オキシ)−1H−イソインドール−1,3
(2H)−ジオン;3a,4,7,7a−テトラヒドロ
−2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキ
シ)4,7−エポキシ−1H−イソインドール−1,3
(2H)−ジオン;2,6−ビス(((トリフルオロメ
チル)スルホニル)オキシ)−ベンゾ(1,2−c:
4,5−c’)ジピロール−1,3,5,7(2H,6
H)−テトロン;ヘキサヒドロ−2,6−ビス(((ト
リフルオロメチル)スルホニル)オキシ)−4,9−メ
タノ−1H−ピロール−(4,4−g)イソキノリン−
1,3,5,7(2H,3aH,6H)−テトロン;
1,8,8−トリメチル−3−(((トリフルオロメチ
ル)スルホニル)オキシ)−3−アザビシクロ(3.
2.1)オクタン−2,4−ジオン;4,7−ジヒドロ
−2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキ
シ)−4,7−エポキシ−1H−イソインドール−1,
3(2H)−ジオン;3−(1−ナフタレニル)−4−
フェニル−1−(((トリフルオロメチル)スルホニ
ル)オキシ)−1H−ピロール−2,5−ジオン;3,
4−ジフェニル−1−(((トリフルオロメチル)スル
ホニル)オキシ)−1H−ピロール−2,5−ジオン;
5,5’−(2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフ
ルオロメチル)エチリデン)ビス(2−(((トリフル
オロメチル)スルホニル)オキシ)−1H−イソインド
ール−1,3(2H)−ジオン;テトラヒドロ−4−
(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)−
2,6−メタノ−2H−オキシレノ(f)イソインドー
ル−3,5(1aH,4H)−ジオン;5,5’−オキ
シビス−2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)
オキシ)−1H−イソインドール−1,3(2H)−ジ
オン;4−メチル−2−(((トリフルオロメチル)ス
ルホニル)オキシ)−1H−イソインドール−1,3
(2H)−ジオン;3,3,4,4−テトラメチル−1
−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)−
2,5−ピロリジンジオン及びこれらの混合物が含まれ
るが、これらに限定されない。ハロゲン化スルホニルオ
キシジカルボキシイミドは一以上の1(((トリフルオ
ロメチル)スルホニル)オキシ)−1H−ピロール−
2,5−ジオン;N−((パーフルオロオクタンスルホ
ニル)オキシ)−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボ
キシイミド;及び1−(((トリフルオロメチル)スル
ホニル)オキシ)−2,5−ピロリジンジオンを含むこ
とが好ましく、更に好ましくは、N−((パーフルオロ
オクタンスルホニル)オキシ)−5−ノルボルネン−
2,3−ジカルボキシイミドを含む。
【0083】光活性成分は、典型的には活性放射線での
露光の後で、レジスト物質のコーティング層内に潜像を
生じさせるに十分な量で、フォトレジスト組成物に加え
られる。光活性成分がフォト酸発生剤であるとき、その
量は典型的にはレジン重量基準で0.1から10重量%
の範囲であり、好ましくは、1から8重量%である。当
業者であれば、二つ以上のフォト酸発生剤が本発明のフ
ォトレジスト組成物に有利に使用されてもよいことを認
識するであろう。
【0084】本発明のスピロサイクリックポリマーは、
本発明のフォトレジスト組成物中でレジンバインダーと
して有利に使用される。当業者は、2以上のスピロサイ
クリックレジンバインダーをはじめとして2以上のレジ
ンバインダーが本発明のフォトレジスト組成物において
使用されてもよいことを認識するであろう。従って、本
発明のスピロサイクリックレジンバインダーは、1以上
の他のレジンバインダーと有利に混合されてもよい。
【0085】本発明のフォトレジスト組成物に使用され
てもよい任意の添加剤には、抗光条剤(anti−st
riation)、可塑剤、スピードエンハンサー(s
peed enhancer),充填剤、染料等が含ま
れるが、これらに限定されない。そのような任意の添加
剤はフォトレジスト組成物中に比較的少ない濃度で存在
するが、例外的に充填剤及び染料は組成物の乾燥成分の
総重量基準で約5から30重量%の量の比較的大きな濃
度で用いられてもよい。
【0086】本発明のフォトレジスト組成物は、当業者
によりたやすく調製されることができる。例えば、本発
明のフォトレジスト組成物はフォトレジスト成分を適当
な溶媒に溶解させて調製されることができる。斯かる適
当な溶媒としては、エチルラクテート、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、3−エトキシエチルプロピオネート、2−
ヘプタノン、γ−ブチロラクトン及びこれらの混合物が
挙げられるが、これらに限定されない。レジンバインダ
ーが、スピロサイクリックラクトンポリマーであると
き、溶媒はγ−ブチロラクトンを含むことが好ましく、
更に好ましくは、溶媒は、γ−ブチロラクトン及び2−
ヘプタノンの混合物である。従って、重合単位として式
Iの、好ましくは式VII又はVIIIのスピロサイク
リックオレフィンモノマーを含有するスピロサイクリッ
クレジンバインダーを含むフォトレジスト組成物は、γ
−ブチロラクトンを含むことが好ましい。
【0087】典型的には、フォトレジスト組成物の固形
分は組成物の総重量基準で約5重量%から約35重量%
まで変化する。レジンバインダー及びフォト酸発生剤は
フィルムコーティング層及び良品質の潜像及びレリーフ
イメージの形成を提供するに充分な量で存在する。
【0088】斯かるフォトレジスト組成物は、スピニン
グ、浸漬及びローラーコーティング等の公知の手段で基
体に塗布される。その組成物がスピンコーティングによ
って塗布されるとき、コーティング溶液の固形分は、使
用される特定のスピニング装置、溶液の粘度、スピナー
の速度及びスピニングに許容される時間量に基づいて望
ましいフィルム厚さを提供するよう調整され得る。本発
明のスピロサイクリックポリマーを含むフォトレジスト
組成物は、フォトレジストが典型的に使用されていると
ころでのすべての用途に有用である。その組成物は、例
えば、マイクロプロセッサー及び他の集積回路部品の製
造用のシリコンウェーハ又は二酸化珪素で被覆されるシ
リコンウェーハ上に塗布されてもよい。アルミニウム−
酸化アルミニウム、ガリウム砒化物、セラミック、石
英、銅、ガラス等は、本発明のフォトレジスト組成物用
の基体として、また好適に採用される。
【0089】一旦、フォトレジスト組成物が基体表面に
塗布されると、溶媒を除去するため加熱により乾燥され
る。コーティングがタックフリーとなるまで乾燥される
のが好ましい。その後、従来法によりマスクを通して画
像形成される。露光は、レジストコーティング層におい
てパターン付けられた画像を造るためにフォトレジスト
のフォト酸成分を効果的に活性化するに充分なものであ
り、より具体的には露光エネルギーは、約1から100
mJ/cmの範囲であり、曝露ツール及びフォトレジ
スト組成物の成分に依存する。
【0090】本発明のフォトレジスト組成物は、好まし
くは短波長による露光で活性化され、特にUV等の30
0nm以下の波長及び200nm以下の波長による露光
が好ましい。特に好ましい波長には、248、193、
157nm及び11〜15nmが含まれる。しかしなが
ら、本発明のフォトレジスト組成物は、たとえばこれら
に限定されないが、可視光線、e−ビーム及びX線など
のより高い波長で使用されてもよい。
【0091】露光に引き続き、組成物のフィルム層は、
好ましくは約70℃から160℃の範囲の温度でベーク
される。その後、フィルムは現像される。露光されたレ
ジストフィルムは、極性現像液の使用によりポジ型に作
用する。極性現像液は、好ましくは水性塩基現像液であ
り、例えば、テトラ−アルキル水酸化アンモニウムな
ど、好ましくは0.26Nのテトラメチル水酸化アンモ
ニウムである第四級水酸化アンモニウム;エチルアミ
ン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、トリエチル
アミン又はメチルジエチルアミン等の種々のアミン溶
液;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のア
ルコールアミン;ピロール及びピリジン等の環状アミン
が挙げられる。当業者なら、与えられた系に対してどの
現像操作が使用さるべきか認識しているであろう。
【0092】フォトレジストコーティングの現像の後、
現像された基体は、レジストのない領域上で、例えば、
公知の操作に従いレジストのない基体領域を化学的にエ
ッチング又はメッキすることにより選択的に加工され
る。例えば、二酸化珪素ウェーハ等のマイクロエレクト
ロニクス基体の製造において、好ましいエッチング剤に
は、プラズマ流として適用されるCl又はCF/C
HFエッチング剤等の塩素又はフッ素ベースのエッ
チング剤等のガスエッチング剤が含まれるが、これらに
限定はされない。
【0093】次の実施例は、本発明の更なる種々の態様
を例示することを意図しているが、いかなる態様におい
ても本発明の範囲を限定するものではない。
【0094】実施例1 ノルボルネンブチロラクトン(又は4’,5’−ジヒド
ロ−(1a,2a,4a)−スピロ[ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−5−エン−2,3’(2’H)−フラ
ン]−2’−オン)は、次のように調製された。メチレ
ンブチロラクトンは、ジクロロメタンに溶解され、熱分
解して得られたばかりのシクロペンタジエンが添加され
た。反応混合物は、室温で3時間撹拌され、40℃に加
熱され、40℃で一晩放置された。反応混合物は、次に
ゆっくりと室温に冷却された。塩化メチレンは、減圧下
で除去され、油状物質を残した。粗油状物質は次に減圧
下で蒸留されて、精製物が得られた。
【0095】実施例2 ノルボルネンバレロラクトンは、次のように調製され
た。150mLの無水THFに溶解したバレロラクトン
(50.1g)の溶液は、−78℃(ドライアイス/ア
セトン浴)の三ツ口底フラスコに供給された。その中
に、250mLの無水THF中のリチウムジメチルアミ
ン(「LDA」)(250mL、2M)溶液が滴下によ
り添加された。反応混合物はこの温度で4時間撹拌され
た。次に、パラホルムアルデヒド(36.94g、過
剰)の熱分解物が、反応混合物の中にバブリングにより
導入された。パラホルムアルデヒドがすべて分解した後
で、反応混合物は、一晩撹拌され、徐々に室温に温めら
れた。それから、溶媒はロータリーポンプで除去され、
残存物に500mLのジクロロメタンが加えられ、Na
HCO(水性飽和液)及び水で数回(3×500m
L)洗浄された。有機溶媒はMgSO上で乾燥され、
次にロータリーポンプで除去された。望みの生成物、メ
チレン−バレロラクトンは、真空下で(135〜140
℃/8mmHg)で蒸留された。
【0096】メチレン−バレロラクトンは、ジクロロメ
タンに溶解され、熱分解して得られたばかりのシクロペ
ンタジエンが添加された。反応混合物は、室温で3時間
撹拌され、40℃に加熱され、40℃で一晩放置され
た。反応混合物は、次にゆっくりと室温に冷却された。
ジクロロメタンは、減圧下で除去され、油状物質を残し
た。粗油状物質は次に減圧下で蒸留されて、精製物が得
られた。
【0097】実施例3 テフロン(登録商標)コートされた撹拌バーを装備した
50mlガラスバイアルに2.64g(13.6ミリモ
ル)の5−ノルボルネンカルボン酸tert−ブチルエ
ステル、0.952g(5.34ミリモル)の次式で示
されるスピロ[ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エ
ン−2,3’(2’H)−フラン]−2’,5’(4’
H)−ジオンが50mlの新たに蒸留されたジクロロエ
タンと共に加えられる。
【0098】
【化19】
【0099】その溶液は、アルゴン雰囲気下でガス抜き
される。次にテフロンコートされた撹拌バーを装備した
10mlのガラスバイアルに0.0365g(0.1ミ
リモル)のη−アリルパラジウムクロライドダイマー
及び2mlのジクロロエタンが充填される。別の10m
lガラスバイアルは、0.0195g(0.1ミリモ
ル)のテトロフルオロ硼酸銀及び2mlのジクロロエタ
ンが充填される。それから、触媒溶液は、アリルパラジ
ウムクロライドダイマー溶液とテトラフルオロ硼酸銀溶
液をドライボックス内で混合して調製される。塩化銀が
直ちに沈殿し、それをろ過して、透明の黄色溶液を得
る。この活性な黄色触媒溶液は、シリンジを通してモノ
マー溶液に添加され、反応混合物は60℃で20時間撹
拌される。一般的に生じる固形分は溶液に沈殿する。そ
の溶液は冷却され、ロータリーエバポレーターで濃縮さ
れ、ヘキサン中で沈殿させてポリマーを得た。
【0100】実施例4 実施例3のポリマー(1.4g)は、0.0895gの
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート(TPS−Triflate)、0.00165g
の1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデク−7
−エン(DBU)、6.11gのメチルアミルケトン及
び3.05gのプロピレングリコールメチルエーテルア
セテートと共に瓶に供給される。それから、その溶液は
すべての固体が完全に溶解するまでローリングミルで撹
拌される。溶液は、それから0.05mmの多孔質フィ
ルターを通してろ過され、清浄な瓶の中に入れられた。
得られたレジストは、シリコンウェーハ上にスピンコー
トされ、135℃で60秒間、ホットプレート上でベー
クされ、ISI193nmステップアンドリピートプリ
ンター(step−and−repeat print
er)上で露光され、155℃で60秒間、露光後ベー
クされ、それから2.38%テトラメチル水酸化アンモ
ニウム水性溶液で現像される。典型的には、接着性は改
善され、レジスト像の膨潤は、少ししか又は全く認めら
れなかった。
【0101】実施例5 テフロンコートされた撹拌バーを装備した50mlガラ
スバイアルに1.943g(10.0ミリモル)のTB
N−CA、1.64g(10.0ミリモル)の下式で示
される4’,5’−ジヒドロ−(1a,2a,4a)−
スピロ[ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3’(2’H)−フラン]−2’−オンが、50m
lの新たに蒸留したジクロロエタンと共に加えられた。
【0102】
【化20】
【0103】その溶液は、アルゴン雰囲気下でガス抜き
される。テフロンコートの撹拌バーが10mlのガラス
バイアルに装備され0.0365g(0.1ミリモル)
のη −アリルパラジウムクロライドダイマー及び2m
lのジクロロエタンが充填される。別の10mlガラス
バイアルは、0.0195g(0.1ミリモル)のテト
ロフルオロ硼酸銀及び2mlのジクロロエタンが充填さ
れる。それから、触媒溶液がアリルパラジウムクロライ
ドダイマー溶液とテトラフルオロ硼酸銀溶液を、ドライ
ボックス内で混合して調製される。塩化銀が直ちに沈殿
し、それをろ過して、透明の黄色溶液を得る。この活性
な黄色触媒溶液はシリンジを通してモノマー溶液に添加
され、反応混合物は60℃で20時間撹拌される。一般
的に生じる固体は溶液に沈殿する。その溶液は冷却さ
れ、ロータリーエバポレーターで濃縮され、ヘキサン中
で沈殿させてポリマーを得た。
【0104】実施例6 実施例4の操作が、実施例5のポリマー1.4gが用い
られ、溶媒が4.58gのg−ブチロラクトン及び4.
58gの2−ヘプタノンからなる点を除いて繰り返され
た。典型的には、接着性が改善され、レジスト像の膨潤
は、少ししか又は全く認められなかった。
【0105】実施例7〜22 フォトレジストバインダーとして有用なポリマーは、次
表に示される。そのようなポリマーが、表の中で記され
ているように実施例3又は5に記載されている操作に従
って調製された。
【0106】
【表1】
【0107】
【表2】
【0108】実施例23 次のポリマーが調製される。
【0109】
【化21】
【0110】12.28gの酢酸エチル中のノルボルネ
ンエチルトリシクロデカンカルボキシレート(15.1
6g)、無水マレイン酸(6.60g)、ノルボルネン
−スピロ−ブチロラクトン(2.80g)及びジメチル
2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)
(0.31g、全モノマーの1モル%)の混合物が丸底
フラスコに供給された。5分間の撹拌の後(全ての固形
分が溶解するまで)、フラスコは予め加熱された70℃
の油浴に置かれた。反応混合物は、この温度で24時間
撹拌された。冷却後、25.0gのテトラヒドロフラン
が加えられた。ポリマーは1.5Lのヘキサン/イソプ
ロパノール(1/1,w/w)の中で沈殿により分離さ
れた。生じた懸濁液は120分間撹拌された。ポリマー
は、ろ過により分離し、追加の200mlのヘキサンで
洗浄した。ポリマーは真空オーブン内で40℃にて、一
晩乾燥された。全体の収量は25%であった。
【0111】実施例24 ノルボルネン/(スピロ−2−2−α−ブチロラクト
ン)−5−ノルボルネン/ノルボルネンエチルトリシク
ロデカンカルボキシレート/無水マレイン酸(7.5/
7.5/35/50モル%)のポリマーが調製された。
【0112】
【化22】
【0113】100mlの丸底フラスコに、ノルボルネ
ン1.22g(0.013モル)、(スピロ−2−2−
α−ブチロラクトン)−5−ノルボルネン、2.13g
(0.013モル)、無水マレイン酸8.86g(0.
086モル)、ノルボルネンエチルトリシクロデカンカ
ルボキシレート18.18グラム(0.060モル)、
ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネー
ト)0.4g(0.0017モル)及び酢酸エチル15
gが加えられた。磁気撹拌バーがフラスコに入れられ、
溶液は約15分間固形分を溶解させるために撹拌され
た。一旦、全固形分が溶解した後、フラスコは、80℃
に予め加熱された熱い油浴に置かれた。コンデンサー及
び窒素ラインが頂部に取り付けられ、反応系を24時間
撹拌した。24時間後、加熱を止め、フラスコは室温に
冷却された。冷却後、フラスコ内容物は、1.5Lのヘ
キサン/イソプロパノール(50/50w/w)の中で
沈殿させられた。沈殿物溶液は、1.5時間撹拌され、
それからポリマーは、ガラスフリット漏斗を通して分離
された。それから、ポリマーは、フードの中で4時間乾
燥され、室温で真空オーブンに一晩中置かれた。この反
応により15gのポリマ−の収量(50%)を得た。
【0114】実施例25 ポリマーがγ−ブチロラクトン中で処理されることを除
いて、実施例7〜22のポリマーを含むフォトレジスト
が、実施例4又は6に従って調製された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596156668 455 Forest Street,Ma rlborough,MA 01752 U. S.A (72)発明者 ジョージ・ジー・バークレー アメリカ合衆国マサチューセッツ州01522, ジェファーソン,メイン・ストリート・ 1566 (72)発明者 ピーター・トレフォナス,ザサード アメリカ合衆国マサチューセッツ州02053, メドウェイ,サマーヒル・ロード・40 (72)発明者 ワン・ユエ アメリカ合衆国マサチューセッツ州01545, シュルースベリー,ファーミントン・ドラ イブ・22 Fターム(参考) 2H025 AA00 AB16 AC01 AC05 AC06 AD03 BE00 BG00 CC03 FA03 FA12 FA17 4J015 BA02 BA04 DA23 4J100 AR09Q AR11Q AR11R AR15P BA03Q BA03R BA11P BA20R BC03Q BC55P BC65P BC66P BC83P BD11P CA03 CA05 JA38

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】重合単位として1以上のスピロサイクリッ
    クオレフィンモノマー及び任意に1以上のエチレン性又
    はアセチレン性不飽和モノマーを含むポリマーであっ
    て、該スピロサイクリックオレフィンモノマーがオレフ
    ィン性炭素を介してポリマー骨格に結合されているポリ
    マー。
  2. 【請求項2】該スピロサイクリックオレフィンモノマー
    が下記式(I)を有する請求項1記載のポリマー: 【化1】 [式中、A=O、S、CH及びNR;R=フェニ
    ル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、(C
    )アルキル及び置換(C−C)アルキル;G=
    C(Z’)、O,S及びNR;R=(C−C
    アルキル及び置換(C−C)アルキル;E及びW
    は、C(Z’)、O、NR及び化学結合より独立に選
    択される;Z’=O又はS;n=0〜3;m=0〜2;
    m’=0〜2;l=0〜5;及びp=0〜5;但し、l
    +p=3〜5;但し、A=O、S又はNRのとき、n
    =1;ここで、T及びLは一緒になって、二重結合又は
    5〜8員不飽和環から選択される。]
  3. 【請求項3】該スピロサイクリックオレフィンモノマー
    が少なくとも一つのスピロサイクリック環内に1以上の
    電子吸引基を含む請求項1記載のポリマー。
  4. 【請求項4】該電子吸引基が無水物、チオ無水物、ラク
    トン、チオラクトン、イミド、チオイミド、ラクタム及
    びチオラクタムから選択される請求項3記載のポリマ
    ー。
  5. 【請求項5】該電子吸引基は無水物、ラクトン、イミド
    又はラクタムから選択される請求項4記載のポリマー。
  6. 【請求項6】該スピロサイクリックモノマーが下記式
    (II)及び(III)のモノマーから選択される請求
    項3記載のポリマー: 【化2】 [式中、Z=CH、C(O)、C(S)、O又はS;
    X及びYは、CH、C(O)、C(S)、O又はNR
    から独立して選ばれる;R=(C−C )アル
    キル及び置換(C−C)アルキル;但し、少なくと
    も一つのX、Y及びZは、C(O)又はC(S)から選
    ばれる;及びここで、スピロサイクリックモノマーは、
    任意に置換される。]
  7. 【請求項7】ZがC(O)であり、Xが酸素である請求
    項6記載のポリマー
  8. 【請求項8】下記式VIa及びVIbを有する請求項1
    記載のポリマー: 【化3】 [式中、Z=CH、C(O)、C(S)、O又はS;
    X及びYはCH、C(O)、C(S)、O又はNR
    から独立して選ばれる;R=(C−C)アルキル
    及び置換(C−C)アルキル;R=C(O)O
    (CHOH,H及びC(O)OR;R=(C
    −C24)アルキル及びH;J=C(O)O−、Ar−
    O−及び(CHn’C(CF−O−;LG
    は、カルボキシル基に直接結合する少なくとも一つの第
    4級炭素原子を持つ4以上の炭素原子を有する脱離基で
    ある;qは0〜20の整数である;n’=0〜4;rは
    モノマーの総重量を基準にして、10〜60重量%のモ
    ノマー単位である;r’はモノマーの総重量を基準にし
    て、10〜80重量%のモノマー単位である;tはモノ
    マーの総重量を基準にして、10〜90重量%のモノマ
    ー単位である;t’はモノマーの総重量を基準にして、
    20〜90重量%のモノマー単位である;及びpはモノ
    マーの総重量を基準にして、0〜80重量%のモノマー
    単位である。]
  9. 【請求項9】LGはイソブチル、2,3−ジメチルブチ
    ル、2,3,4−トリメチルペンチル及び脂環式脱離基
    から選択される請求項8記載のポリマー。
  10. 【請求項10】該脂環式脱離基が下記式から選択される
    請求項9記載のポリマー: 【化4】
  11. 【請求項11】1以上のスピロサイクリックオレフィン
    モノマーをパラジウム(II)重合触媒、ニッケル(I
    I)重合触媒又はフリーラジカル重合触媒から選択され
    る1以上の触媒と接触させる工程を含む、1以上のスピ
    ロサイクリックオレフィンモノマーを重合させて、重合
    単位として1以上のスピロサイクリックオレフィンモノ
    マー含むポリマーを形成する方法。
  12. 【請求項12】該パラジウム(II)触媒が、パラジウ
    ムジハライド、非イオン性パラジウム(II)−ハライ
    ド錯体、(Pd(RCN))(BF[式中、R
    は(C−C)アルキル]、パラジウム(II)−ア
    ルキル錯体、または弱配位対イオンを有する(η−ア
    リル)パラジウム(II)化合物を含む請求項11記載
    の方法。
  13. 【請求項13】該パラジウム(II)触媒が(Pd(R
    CN))(BF,[式中、Rは(C−C
    アルキル]、弱配位対イオンを有する(η−アリル)
    パラジウム(II)化合物、またはこれらの混合物を含
    む請求項11記載の方法。
  14. 【請求項14】該フリーラジカル重合触媒が過酸化水
    素、tert−ブチルヒドロペルオキシド、過硫酸ナト
    リウム、過硫酸カリウム又は過硫酸リチウムから選択さ
    れる請求項11記載の方法。
  15. 【請求項15】該ニッケル(II)重合触媒が少なくと
    も一つのサリチルアルジミン又は置換サリチルアルジミ
    ン及び少なくとも一つのアセトニトリル又はホスフィン
    を配位子として有するニッケル(II)触媒から選択さ
    れる請求項11記載の方法。
  16. 【請求項16】重合単位として1以上のスピロサイクリ
    ックオレフィンモノマーおよび任意の1以上のエチレン
    性又はアセチレン性不飽和モノマーを含むレジンバイン
    ダー、及び光活性成分を含むフォトレジスト組成物であ
    って、そのスピロサイクリックオレフィンモノマーがオ
    レフィン性炭素を介してポリマー骨格に結合されている
    組成物。
  17. 【請求項17】該レジンバインダーが、重合単位として
    下記式の1以上のスピロサイクリックオレフィンモノマ
    ーを含有するスピロサイクリックポリマーを含む、請求
    項16記載のフォトレジスト組成物: 【化5】 [式中、A=O、S、CH及びNR;R=フェニ
    ル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、(C
    )アルキル及び置換(C−C)アルキル;G=
    C(Z’)、O,S及びNR;R=(C−C
    アルキル及び置換(C−C)アルキル;E及びW
    は、C(Z’)、O、NR及び化学結合より独立に選
    択される;Z’=O又はS;n=0〜3;m=0〜2、
    m’=0〜2;l=0〜5;及びp=0〜5;但し、l
    +p=3〜5;但し、A=O、S又はNRのとき、n
    =1;ここで、T及びLは一緒になって、二重結合又は
    5〜8員不飽和環から選択される。]
  18. 【請求項18】該スピロサイクリックオレフィンモノマ
    ーが、少なくとも一つのスピロサイクリック環内に1以
    上の電子吸引基を含む請求項16記載のフォトレジスト
    組成物。
  19. 【請求項19】該電子吸引基は、無水物、チオ無水物、
    ラクトン、チオラクトン、イミド、チオイミド、ラクタ
    ム又はチオラクタムから選択される請求項18記載のフ
    ォトレジスト組成物。
  20. 【請求項20】更に溶媒を含む請求項16のフォトレジ
    スト組成物。
  21. 【請求項21】該溶媒がエチルラクテート、エチレング
    リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
    メチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ
    メチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエー
    テルアセテート、3−エトキシエチルプロピオネート、
    2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン及びこれらの混合
    物を含む請求項20記載のフォトレジスト組成物。
  22. 【請求項22】該溶媒がγ−ブチロラクトン、及びγ−
    ブチロラクトンと2−ヘプタノンの混合物から選択され
    る請求項21記載のフォトレジスト組成物。
  23. 【請求項23】請求項16記載のフォトレジスト組成物
    のコーティング層を塗布し;パターン付けられた活性化
    放射線で該フォトレジストコーティング層を露光し;露
    光されたフォトレジストコーティング層を現像してフォ
    トレジストレリーフイメージを提供する工程を含むフォ
    トレジストレリーフイメージの形成法。
  24. 【請求項24】該フォトレジスト組成物が下記式VIa
    又はVIbのスピロサイクリックオレフィンポリマーを
    含有するレジンバインダーを含む請求項23記載の方
    法: 【化6】 [式中、Z=CH、C(O)、C(S)、O又はS;
    X及びYは、CH、C(O)、C(S)、O又はNR
    から独立して選択される;R=(C−C )アル
    キル及び置換(C−C)アルキル;R=C(O)
    O(CHOH,H及びC(O)OR;R
    (C−C24)アルキル及びH;J=C(O)O−、A
    r−O−及び(CHn’C(CF−O−;L
    Gは、カルボキシル基に直接結合する少なくとも一つの
    第4級炭素原子を持つ4以上の炭素原子を有する脱離基
    である;qは0〜20の整数である;n’=0〜4;r
    はモノマーの総重量を基準にして、10〜60重量%の
    モノマー単位である;tはモノマーの総重量を基準にし
    て、10〜90重量%のモノマー単位である;及びpは
    モノマーの総重量を基準にして、0〜80重量%のモノ
    マー単位である。
  25. 【請求項25】下記式の化合物: 【化7】 [式中、R及びRは独立して水素又は(C
    )アルキルから選択され、R=シクロヘキシル
    又はシクロペンチル、及びR及びRは一緒になっ
    て、5〜7員の縮合環を形成してもよい。]
  26. 【請求項26】Rが水素又はメチルである請求項24
    記載の化合物。
JP2001048803A 2000-02-24 2001-02-23 ポリマー及びフォトレジスト組成物 Pending JP2002161117A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/511,726 US6406828B1 (en) 2000-02-24 2000-02-24 Polymer and photoresist compositions
US09/511726 2000-02-24

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012040722A Division JP2012107257A (ja) 2000-02-24 2012-02-27 ポリマー及びフォトレジスト組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002161117A true JP2002161117A (ja) 2002-06-04

Family

ID=24036180

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001048803A Pending JP2002161117A (ja) 2000-02-24 2001-02-23 ポリマー及びフォトレジスト組成物
JP2012040722A Pending JP2012107257A (ja) 2000-02-24 2012-02-27 ポリマー及びフォトレジスト組成物

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012040722A Pending JP2012107257A (ja) 2000-02-24 2012-02-27 ポリマー及びフォトレジスト組成物

Country Status (6)

Country Link
US (5) US6406828B1 (ja)
EP (1) EP1127900B1 (ja)
JP (2) JP2002161117A (ja)
KR (1) KR100890725B1 (ja)
DE (1) DE60110292T2 (ja)
TW (1) TW539689B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001354756A (ja) * 2000-04-13 2001-12-25 Mitsui Chemicals Inc 開環メタセシス共重合体水素添加物およびその製造方法
JP2002006502A (ja) * 2000-04-20 2002-01-09 Mitsubishi Rayon Co Ltd レジスト用(共)重合体およびレジスト組成物
JP2002161116A (ja) * 2000-09-14 2002-06-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP2002202609A (ja) * 2000-04-13 2002-07-19 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法
JP2003002922A (ja) * 2001-06-18 2003-01-08 Jsr Corp 環状オレフィン系重合体およびその製造方法
JP2004264352A (ja) * 2003-02-10 2004-09-24 Fasl Japan 株式会社 感放射線性樹脂組成物、その製造法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2008293036A (ja) * 2008-07-03 2008-12-04 Spansion Japan株式会社 感放射線性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100382960B1 (ko) * 1998-07-03 2003-05-09 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 락톤 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트 유도체, 중합체,포토레지스트 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법
US6406828B1 (en) * 2000-02-24 2002-06-18 Shipley Company, L.L.C. Polymer and photoresist compositions
EP1130468A3 (en) * 2000-02-25 2003-07-30 Shipley Company LLC Polymer and photoresist compositions
KR100732284B1 (ko) * 2000-06-15 2007-06-25 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
JP3589160B2 (ja) * 2000-07-07 2004-11-17 日本電気株式会社 レジスト用材料、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法
US20030082477A1 (en) * 2001-03-22 2003-05-01 Shipley Company, L.L.C Photoresist composition
WO2002077709A2 (en) * 2001-03-22 2002-10-03 Shipley Company, L.L.C. Photoresist composition
JP2002357905A (ja) 2001-03-28 2002-12-13 Sumitomo Chem Co Ltd レジスト組成物
US6517994B2 (en) * 2001-04-10 2003-02-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Lactone ring-containing (meth)acrylate and polymer thereof for photoresist composition
US6858371B2 (en) * 2001-04-13 2005-02-22 Hynix Semiconductor Inc. Maleimide-photoresist monomers containing halogen, polymers thereof and photoresist compositions comprising the same
TW591329B (en) * 2001-04-21 2004-06-11 Samsung Electronics Co Ltd Acetal group containing norbornene copolymer for photoresist, method for producing the same and photoresist composition containing the same
JP2002338633A (ja) * 2001-05-21 2002-11-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP4178360B2 (ja) * 2001-06-14 2008-11-12 信越化学工業株式会社 脂環構造を有する新規エポキシ化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
CN100386357C (zh) * 2002-04-08 2008-05-07 日本瑞翁株式会社 基于降冰片烯的开环聚合物,降冰片烯开环聚合物的加氢产物及它们的制备方法
KR101015093B1 (ko) * 2002-05-30 2011-02-16 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 신규 수지 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
US7148265B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Functional polymer
US7323290B2 (en) * 2002-09-30 2008-01-29 Eternal Technology Corporation Dry film photoresist
AU2003287194A1 (en) * 2002-10-21 2004-05-13 Shipley Company L.L.C. Photoresists containing sulfonamide component
KR20040039731A (ko) * 2002-11-04 2004-05-12 주식회사 동진쎄미켐 디사이클로헥실이 결합된 펜던트 기를 가지는 화학적으로증폭된 고분자와 그 제조방법, 및 이를 포함하는 레지스트조성물
US6919160B2 (en) 2003-02-20 2005-07-19 Air Products And Chemicals, Inc. Acrylic compounds for sub-200 nm photoresist compositions and methods for making and using same
US20040229159A1 (en) * 2003-02-23 2004-11-18 Subbareddy Kanagasabapathy Fluorinated Si-polymers and photoresists comprising same
TWI317458B (en) * 2003-03-03 2009-11-21 Rohm & Haas Elect Mat Polymers and photoresists comprising same
US7138550B2 (en) * 2003-08-04 2006-11-21 Air Products And Chemicals, Inc. Bridged carbocyclic compounds and methods of making and using same
US7427463B2 (en) * 2003-10-14 2008-09-23 Intel Corporation Photoresists with reduced outgassing for extreme ultraviolet lithography
US7147986B2 (en) * 2004-03-31 2006-12-12 Intel Corporation Resist compounds including acid labile groups attached to polymeric chains at anhydride linkages
US6969570B1 (en) 2004-10-26 2005-11-29 Kodak Polychrome Graphics, Llc Solvent resistant imageable element
KR101158024B1 (ko) 2005-06-14 2012-06-26 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트조성물
KR100955570B1 (ko) 2006-09-18 2010-04-30 주식회사 엘지화학 저온 경화형 보호막 형성용 조성물, 이로부터 제조되는보호막, 및 이를 포함하는 기재
JP2008081655A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Fujifilm Corp ノルボルネン系重合体、フィルム、偏光板および液晶表示装置
KR101875983B1 (ko) * 2010-09-30 2018-07-06 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 중합체 및 화합물
JP5757851B2 (ja) * 2011-11-25 2015-08-05 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2013130654A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Fujifilm Corp 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2013137338A (ja) * 2011-12-27 2013-07-11 Fujifilm Corp 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
WO2016124493A1 (en) 2015-02-02 2016-08-11 Basf Se Latent acids and their use
US11760817B2 (en) * 2020-06-08 2023-09-19 Promerus, Llc Mass polymerizable polycycloolefin compositions containing soluble photoacid generators

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08305014A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JPH0990637A (ja) * 1995-07-14 1997-04-04 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JPH10319595A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JPH11269234A (ja) * 1997-12-02 1999-10-05 Samsung Electronics Co Ltd 感光性ポリマー及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物
JP2000508080A (ja) * 1996-03-07 2000-06-27 ザ ビー.エフ.グッドリッチ カンパニー 酸不安定ペンダント基を持つ多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物
JP2001125270A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法
JP2002515061A (ja) * 1997-03-24 2002-05-21 クライオバツク・インコーポレイテツド オレフィンポリマーおよびコポリマー用の触媒組成物および方法
JP2002519487A (ja) * 1998-07-01 2002-07-02 ザ ビー.エフ.グッドリッチ カンパニー 多環式共重合体組成物
JP2002538273A (ja) * 1999-03-12 2002-11-12 ザ ビー.エフ.グッドリッチ カンパニー ペンダント環式無水物基を含有するポリマーの製造法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI85588C (fi) * 1989-06-05 1992-05-11 Neste Oy Foerfarande foer reglering av molekylviktsfoerdelningen och molekylvikten av oligomerisations- eller polymerisationsprodukter av eten.
JP3185293B2 (ja) 1990-12-27 2001-07-09 日本ゼオン株式会社 アルキリデンノルボルネン系重合体およびその製造方法
US5677405A (en) * 1995-05-24 1997-10-14 The B.F. Goodrich Company Homopolymers and copolymers of cationically polymerizable monomers and method of their preparation
US5705503A (en) * 1995-05-25 1998-01-06 Goodall; Brian Leslie Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents
US5932389A (en) * 1998-02-20 1999-08-03 Shipley Company, L.L.C. Controlled alternating and block copolymer resins
JP2002504577A (ja) 1998-02-23 2002-02-12 ザ ビー.エフ.グッドリッチ カンパニー 改質多環式ポリマー
TW457277B (en) 1998-05-11 2001-10-01 Shinetsu Chemical Co Ester compounds, polymers, resist composition and patterning process
TW444027B (en) * 1998-06-30 2001-07-01 Ind Tech Res Inst Ring-opened polymer prepared from pericyclic olefin and photosensitive composition containing the polymer
US6406828B1 (en) * 2000-02-24 2002-06-18 Shipley Company, L.L.C. Polymer and photoresist compositions
US6251560B1 (en) * 2000-05-05 2001-06-26 International Business Machines Corporation Photoresist compositions with cyclic olefin polymers having lactone moiety
US6756180B2 (en) * 2002-10-22 2004-06-29 International Business Machines Corporation Cyclic olefin-based resist compositions having improved image stability

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08305014A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JPH0990637A (ja) * 1995-07-14 1997-04-04 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JP2000508080A (ja) * 1996-03-07 2000-06-27 ザ ビー.エフ.グッドリッチ カンパニー 酸不安定ペンダント基を持つ多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物
JP2002515061A (ja) * 1997-03-24 2002-05-21 クライオバツク・インコーポレイテツド オレフィンポリマーおよびコポリマー用の触媒組成物および方法
JPH10319595A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JPH11269234A (ja) * 1997-12-02 1999-10-05 Samsung Electronics Co Ltd 感光性ポリマー及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物
JP2002519487A (ja) * 1998-07-01 2002-07-02 ザ ビー.エフ.グッドリッチ カンパニー 多環式共重合体組成物
JP2002538273A (ja) * 1999-03-12 2002-11-12 ザ ビー.エフ.グッドリッチ カンパニー ペンダント環式無水物基を含有するポリマーの製造法
JP2001125270A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001354756A (ja) * 2000-04-13 2001-12-25 Mitsui Chemicals Inc 開環メタセシス共重合体水素添加物およびその製造方法
JP2002202609A (ja) * 2000-04-13 2002-07-19 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法
JP4497266B2 (ja) * 2000-04-13 2010-07-07 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4627918B2 (ja) * 2000-04-13 2011-02-09 三井化学株式会社 開環メタセシス共重合体水素添加物およびその製造方法
JP2002006502A (ja) * 2000-04-20 2002-01-09 Mitsubishi Rayon Co Ltd レジスト用(共)重合体およびレジスト組成物
JP2002161116A (ja) * 2000-09-14 2002-06-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP2003002922A (ja) * 2001-06-18 2003-01-08 Jsr Corp 環状オレフィン系重合体およびその製造方法
JP2004264352A (ja) * 2003-02-10 2004-09-24 Fasl Japan 株式会社 感放射線性樹脂組成物、その製造法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2008293036A (ja) * 2008-07-03 2008-12-04 Spansion Japan株式会社 感放射線性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1127900B1 (en) 2005-04-27
US20020173680A1 (en) 2002-11-21
EP1127900A1 (en) 2001-08-29
JP2012107257A (ja) 2012-06-07
US7118847B2 (en) 2006-10-10
US6406828B1 (en) 2002-06-18
US6599677B2 (en) 2003-07-29
US20020155380A1 (en) 2002-10-24
US20020160302A1 (en) 2002-10-31
TW539689B (en) 2003-07-01
DE60110292D1 (de) 2005-06-02
DE60110292T2 (de) 2006-03-09
KR20010085567A (ko) 2001-09-07
US20050170278A1 (en) 2005-08-04
KR100890725B1 (ko) 2009-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002161117A (ja) ポリマー及びフォトレジスト組成物
DE69733164T2 (de) Strahlungsempfindliche Kunststoffzusammensetzung
KR100520148B1 (ko) 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물
US6369181B1 (en) Copolymer resin, preparation thereof, and photoresist using the same
KR19980063345A (ko) ArF 감광막 수지 및 그 제조방법
JPH11171935A (ja) 共重合体樹脂とその製造方法、前記共重合体樹脂を含むフォトレジストとその製造方法、および半導体素子
JP2007308586A (ja) ポジ型リソグラフィー用共重合体、該共重合体の製造のための重合開始剤及び半導体リソグラフィー用組成物
KR20000015014A (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
JP4143227B2 (ja) ノルボルナンラクトン構造を有する重合性化合物及び重合体
JP3536015B2 (ja) フォトレジスト用単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
JP2001323031A (ja) ポリマーおよびフォトレジスト組成物
US6387589B1 (en) Photoresist polymers and photoresist compositions containing the same
US20030211734A1 (en) Resist resin, chemical amplification type resist, and method of forming of pattern with the same
US20020151666A1 (en) Novel photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it
JP2001348410A (ja) ポリマーおよびフォトレジスト組成物
KR100400292B1 (ko) 신규의포토레지스트용모노머,그의공중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR101207444B1 (ko) 포토레지스트용 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR20030002482A (ko) 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
KR100520167B1 (ko) 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유한포토레지스트 조성물
KR100557552B1 (ko) 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
KR100362935B1 (ko) 신규한포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR20020053900A (ko) 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061016

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080214

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110302

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110530

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110602

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110629

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110704

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110729

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110803

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110902

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120227

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120416

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20120525