JP2002160930A - 多孔質石英ガラスとその製造方法 - Google Patents
多孔質石英ガラスとその製造方法Info
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Abstract
性を一層高め得る多孔質石英ガラスを提供する。 【解決手段】 窒素濃度が2000ppm 以上、金属及び
アルカリ不純物濃度が各0.01ppm 以下で、気孔径が
0.01〜10μmの閉気孔のみを有し、かつ、嵩密度
が1.5〜2.1g/cm3 である。
Description
スの熱処理工程において使用される均熱管や熱遮蔽体、
ダミーウェーハ等を形成する多孔質石英ガラスとその製
造方法に関する。
孔質石英ガラスには、高純度であること、断熱性や耐熱
性(高温強度)に優れていること等が求められる。従
来、上記多孔質石英ガラスとしては、金属及びアルカリ
不純物濃度が各0.01ppm 以下、嵩密度が1.9〜
2.1g/cm3 で、かつ、気孔径が0.01〜10μmで
あるもの、又、上記構成に加えて、表面が更に厚みが8
0〜300μmの非多孔質の透明層で被覆されているも
のが知られている(特開平11−92167号公報参
照)。上記多孔質石英ガラスは、VAD(Vapor-phase
Axial Deposition:気相軸付)法により作製された合成
石英ガラス多孔体(スート)を成形し、成形した合成石
英ガラス多孔体を酸水素火炎を熱源として1250〜1
300℃の温度で透明に至らない時間焼成して製造さ
れ、あるいは成形した合成石英ガラス多孔体を酸水素火
炎を熱源として1250〜1300℃の温度で透明に至
らない時間焼成した後、焼成した成形体表面を酸水素火
炎若しくは電気ヒーターで加熱処理し、成形体表面に透
明層を形成して製造されている。
石英ガラスは、高純度であり、かつ、断熱性に優れてい
るものの、加水分解反応により製造されるので、多量の
OH(水酸)基を含み、粘性が低くなって耐熱性が低下
する不具合がある。一方、従来の多孔質石英ガラスの製
造方法は、VAD法により作製される合成石英ガラス多
孔体の気孔が開気孔であるので、その成形加工中に不純
物を吸着してしまい、製品にした後に純化処理工程を必
要とする不具合がある。又、半導体製造プロセスでの使
用時のダストの発生を抑えるため、表面に透明層を形成
する際に、酸水素火炎又は電気ヒーターで加熱している
ので、汚染を生じるおそれがある。
を保持し、かつ、耐熱性を一層高め得る多孔質石英ガラ
スとその製造方法を提供することを目的とする。
め、本発明の第1の多孔質石英ガラスは、窒素濃度が2
000ppm 以上、金属及びアルカリ不純物濃度が各0.
01ppm 以下で、気孔径が0.01〜10μmの閉気孔
のみを有し、かつ、嵩密度が1.5〜2.1g/cm 3 であ
ることを特徴とする。又、第2の多孔質石英ガラスは、
第1のものにおいて、厚み1mmにおける波長150〜5
000nmの光の透過率が1%以下であることを特徴と
する。
AD法により嵩密度が0.3〜1.0g/cm3 の合成石英
ガラス多孔体を作製し、この合成石英ガラス多孔体をア
ンモニアガス又はアンモニア含有の不活性ガス雰囲気に
おいて800〜1200℃の温度で加熱して窒化処理し
た後、窒化処理した合成石英ガラス多孔体を不活性ガス
又は酸化性ガス雰囲気において1400〜1600℃の
温度で熱処理することを特徴とする。
粘性化の効果が見られない。又、1400〜1600℃
の温度での熱処理の際、そのほとんどが透明なガラスと
なってしまう。好ましい窒素濃度は、10000ppm 以
上である。
れぞれ0.01ppm を超えると、熱処理工程において半
導体ウェーハの汚染を招来する。
の製造上、気孔の数も減少してしまい、結果として透明
性が上がって断熱性が不十分となる。一方、10μmを
超えると、連結気孔となる可能性が高くなり、結果とし
て開気孔の部分ができる可能性がある。気孔中に開気孔
が存在すると、汚染された場合、中まで汚染が入ってし
まい、洗浄しても完全に浄化することができない。
と、機械的強度が低下し、ハンドリングの際に破損を招
来する。一方、2.1g/cm3 を超えると、気孔が殆んど
消滅して所望の断熱性が得られない。
体の嵩密度が、0.3g/cm3 未満であると、ハンドリン
グ中の破損のおそれがある。一方、1.0g/cm3 を超え
ると、アンモニア雰囲気での熱処理の際、中までアンモ
ニアガスガ行きわたらず、中心まで窒素を添加すること
ができない。好ましい嵩密度は、0.3〜0.7g/cm3
である。
は、窒素ガス、アルゴンガス又はヘリウムガス等が用い
られる。不活性ガスに対するアンモニアの混合比は、1
0〜100Vol.%が好ましい。窒化処理温度が、800
℃未満であると、アンモニアの分解反応がほとんど起こ
らず、窒素の導入が困難となる。一方、1200℃を超
えると、窒素が含有される多孔体表面の閉気孔化が起こ
り、多孔体内部への窒素の導入が困難となる。好ましい
窒化処理温度は、900〜1100℃である。
囲気としては、アルゴンガス又はヘリウムガス、窒素ガ
ス等が用いられ、又、酸化性ガス雰囲気としては、空気
が用いられる。窒化処理後の熱処理温度が、1400℃
未満であると、収縮が不十分となり、製品としての使用
の際に収縮、変形の可能性がある。一方、1600℃を
超えると、石英ガラスの軟化点以上となってしまい、発
泡してしまう可能性が高くとなる。好ましい熱処理温度
は、1500〜1600℃である。
て具体的な実施例、比較例を参照して説明する。 実施例 先ず、VAD法により嵩密度が0.4g/cm3 の合成石英
ガラス多孔体(直径200mm、長さ200mm)を作製
し、この合成石英ガラス多孔体をアンモニア10Vol.%
含有の窒素ガス雰囲気において1000℃の温度で5時
間保持して窒化処理した。次に、窒化処理した合成石英
ガラス多孔体をヘリウムガス雰囲気において1500℃
の温度で2時間保持して熱処理し、閉気孔のみを有する
多孔質石英ガラス(直径100mm、長さ100mm)を得
た。得られた多孔質石英ガラスの窒素濃度、金属不純物
濃度、アルカリ不純物濃度、気孔径、嵩密度、厚み1mm
における波長150〜5000nmの光の透過率、曲げ
強度、熱伝導率、及び1200℃の温度での粘性は、表
1に示すようになった。
径200mm、長さ200mm)を、窒素ガス雰囲気におい
て1250℃の温度で5時間保持して熱処理し、開気孔
を有する多孔質石英ガラス(直径100mm、長さ100
mm)を得た。得られた多孔質石英ガラスの窒素濃度、金
属不純物濃度等は、表1に示すようになった。
径200mm、長さ200mm)を、実施例と同様の条件で
窒化処理した後、窒化処理した合成石英ガラス多孔体を
水素ガス雰囲気において1500℃の温度で2時間保持
して熱処理したところ、透明な石英ガラス(直径100
mm×長さ100mm)を得た。得られた石英ガラスの窒素
濃度、金属不純物濃度等は、表1に示すようになった。
径200mm、長さ200mm)を、アンモニア10Vol.%
含有の窒素ガス雰囲気において700℃の温度で5時間
保持して窒化処理した。次に、窒化処理した合成石英ガ
ラス多孔体をヘリウムガス雰囲気において1500℃の
温度で2時間保持した熱処理し、閉気孔のみを有する多
孔質石英ガラス(直径100mm、長さ100mm)を得
た。得られた多孔質石英ガラスの窒素濃度、金属不純物
濃度等は、表1に示すようになった。したがって、窒素
濃度が2000ppm 未満であると、耐熱性(粘性)が低
く、窒素を添加したことによる効果が観察されない。
石英ガラスは、純度と断熱性を従来と同様としつつ、耐
熱性が一層高められている。
英ガラスによれば、純度と断熱性を従来と同様としつ
つ、従来に比べて耐熱性を一層高めることができる。
又、多孔質石英ガラスの製造方法によれば、加工中に不
純物による汚染が生じるおそれがない。
Claims (3)
- 【請求項1】 窒素濃度が2000ppm 以上、金属及び
アルカリ不純物濃度が各0.01ppm 以下で、気孔径が
0.01〜10μmの閉気孔のみを有し、かつ、嵩密度
が1.5〜2.1g/cm3 であることを特徴とする多孔質
石英ガラス。 - 【請求項2】 厚み1mmにおける波長150〜5000
nmの光の透過率が1%以下であることを特徴とする請
求項1記載の多孔質石英ガラス。 - 【請求項3】 VAD法により嵩密度が0.3〜1.0
g/cm3 の合成石英ガラス多孔体を作製し、この合成石英
ガラス多孔体をアンモニアガス又はアンモニア含有の不
活性ガス雰囲気において800〜1200℃の温度で加
熱して窒化処理した後、窒化処理した合成石英ガラス多
孔体を不活性ガス又は酸化性ガス雰囲気において140
0〜1600℃の温度で熱処理することを特徴とする多
孔質石英ガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000357870A JP2002160930A (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | 多孔質石英ガラスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000357870A JP2002160930A (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | 多孔質石英ガラスとその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=18829869
Family Applications (1)
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JP2000357870A Withdrawn JP2002160930A (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | 多孔質石英ガラスとその製造方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2002160930A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108911487A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-11-30 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种多孔石英材料及其制备方法 |
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JP2020054246A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | 三菱製紙株式会社 | 細胞又は組織の凍結保存用治具 |
WO2021049256A1 (ja) * | 2019-09-13 | 2021-03-18 | 信越石英株式会社 | 反射部材及びガラス積層部材の製造方法 |
-
2000
- 2000-11-24 JP JP2000357870A patent/JP2002160930A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180129049A (ko) * | 2017-05-25 | 2018-12-05 | 이장희 | 보온성 섬유코팅제와 그 제조방법 및 그 섬유 |
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CN108911487A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-11-30 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种多孔石英材料及其制备方法 |
JP2020054246A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | 三菱製紙株式会社 | 細胞又は組織の凍結保存用治具 |
JP7093280B2 (ja) | 2018-09-28 | 2022-06-29 | 三菱製紙株式会社 | 細胞又は組織の凍結保存用治具 |
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