JP2002160016A - Tool for bending lead frame - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a die and a punch, of which working surfaces coming into contact with a lead frame are coated with diamond, enabling easy polishing of the diamond coated surfaces, thereby causing no defect due to the polishing upon the production of the die and the punch for bending a lead frame. SOLUTION: The working surfaces of a die and a punch, which make contact with the lead frame, and bonded with a diamond chip synthesized in a vapor phase by means of soldering, adhesives etc. The parts to be bonded to the diamond chip are bonded to a base material separated from the bodies of the die and the punch. Thereby polishing of the diamond chip is more simplified and the bodies and the diamond chip are reusable.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、ＩＣ・ＬＳＩパッ
ケージのアウタ・リードフレームを成形するのに使用さ
れる折り曲げ用ダイ及びパンチに関する。The present invention relates to a bending die and a punch used for forming an outer lead frame of an IC / LSI package.

【０００２】[0002]

【従来の技術】コンピュータ、制御装置などの各種電子
機器に組み込まれる電子部品として使用されるＩＣ・Ｌ
ＳＩパッケージのアウタ・リードは、折り曲げ加工が施
され、所定の形状に成形されている。2. Description of the Related Art IC / L used as electronic components incorporated in various electronic devices such as computers and control devices.
The outer lead of the SI package is bent and formed into a predetermined shape.

【０００３】この成形用工具として、図７及び図９に示
すようなダイ及びパンチが使用され、工具の材料として
は一般にＳＫＤ鋼又は超硬合金が使用され、ダイ及びパ
ンチは一体構造となっていて、アウタ・リードが主に摺
動する部分はラップ仕上げされている。A die and a punch as shown in FIGS. 7 and 9 are used as the molding tool. SKD steel or cemented carbide is generally used as a material for the tool, and the die and the punch have an integral structure. The portion where the outer lead mainly slides is lapped.

【０００４】成形する方法としては、図１１や図１２に
示すようなものがある。図１１に示す方法は、ガルウィ
ング形状のリードを曲げ加工するための工具を使用した
ものであり、（ａ）に示す様にダイ上にセットされたリ
ードは、パンチを下降させることにより（ｂ）に示す様
に折り曲げられ、リード下面側がパンチの下降に従って
ダイに当たり、ダイにならった形状に成形される。As a molding method, there is a method as shown in FIGS. The method shown in FIG. 11 uses a tool for bending a gull wing-shaped lead, and the lead set on the die as shown in FIG. And the lower surface side of the lead hits the die as the punch descends, and is formed into a shape similar to the die.

【０００５】別の成形方法として、図１２に示すＤＩＰ
タイプのパッケージを曲げ加工する方法もあり、これは
プレッシャ・パッドとダイでリードを挟み、パンチが下
降してリードを曲げるものである。曲げ終了後、パンチ
が上昇すると、リードはスプリングバックしてはね上が
るため、このスプリングバック量を考慮した上で成形さ
れる。As another molding method, a DIP shown in FIG.
There is also a method of bending a type of package, in which a lead is sandwiched between a pressure pad and a die, and a punch descends to bend the lead. When the punch is lifted after bending, the lead springs back and springs up. Therefore, the lead is formed in consideration of the springback amount.

【０００６】ＩＣ・ＬＳＩパッケージのリードは、基板
にハンダを実装しやすくするため、またリードの耐食性
を向上させるために、一般にはハンダがメッキされてい
る。図１１に示すように、パンチを下降させてリードを
ダイに当てて折り曲げ成形する場合、ダイやパンチがリ
ードと接する面言い換えればダイとパンチがお互いに対
向し合う面（以下、加工面と記す）がリードのハンダメ
ッキを擦ることになり、ハンダメッキの一部がダイやパ
ンチの加工面に付着する。The leads of an IC / LSI package are generally plated with solder in order to make it easier to mount the solder on the substrate and to improve the corrosion resistance of the leads. As shown in FIG. 11, when the punch is lowered and the lead is applied to the die and bent and formed, the surface where the die and the punch are in contact with the lead, in other words, the surface where the die and the punch face each other (hereinafter, referred to as a processing surface) ) Rubs the solder plating of the lead, and a part of the solder plating adheres to the processing surface of the die or punch.

【０００７】この付着は成形を繰り返すうちに堆積し、
ダイやパンチの加工面に凹凸を生じることになり、リー
ドの折り曲げの平坦性（コープラナリティ）やリードの
並列方向への曲がり（スキュー）が悪化する。これは、
図１２に示す方法でも同様に起こりうる。[0007] This adhesion accumulates during repeated molding,
Unevenness occurs on the processing surface of the die or punch, and the flatness (coplanarity) of the lead bending and the bending (skew) of the leads in the parallel direction deteriorate. this is,
The same can occur in the method shown in FIG.

【０００８】ＩＣ・ＬＳＩにおいて、コープラナリテ
ィ、スキューとも１００μｍ以下が要求され、今後はよ
りリードピッチの微細化が進むため、更に厳しい精度が
要求されることになる。In IC / LSI, both coplanarity and skew are required to be 100 μm or less, and in the future, lead pitch will be further miniaturized, so that stricter accuracy will be required.

【０００９】これらの精度の悪化を防止するために、数
千〜５００００ショットごとにダイやパンチの加工面を
金ブラシや金属ヘラなどでクリーニングし、リード形状
が維持できるようにしている。ダイ及びパンチに付着し
たハンダはクリーニング作業がしにくく、場合によって
はダイやパンチを装置から取り外して行わなければなら
ない。なお、ＲａとはＪＩＳＢ０６０１で規定する算術
平均粗さＲａのことである。In order to prevent such deterioration in accuracy, the processing surface of the die or punch is cleaned with a gold brush or a metal spatula every several thousand to 50,000 shots so that the lead shape can be maintained. The solder attached to the die and the punch is difficult to clean, and in some cases, the die or the punch must be removed from the apparatus. In addition, Ra is arithmetic mean roughness Ra defined by JISB0601.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記のような問題を解
決するため、本発明者らは特開平７−２１１８４２号公
報に記載されるようなダイ及びパンチなどの工具を提案
した。この例を図８及び図１０に示す。この提案は、ダ
イやパンチの加工面に気相合成法によるダイヤモンド又
はダイヤモンド状炭素膜を形成し、加工面にハンダメッ
キが付着しにくくしたものである。また、この加工面の
表面粗さを０．０８μｍＲａ以下としてハンダメッキの
堆積物が生成しにくいようにしたものである。In order to solve the above problems, the present inventors have proposed a tool such as a die and a punch as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-212842. This example is shown in FIG. 8 and FIG. In this proposal, a diamond or diamond-like carbon film is formed on a processing surface of a die or a punch by a vapor phase synthesis method, so that solder plating does not easily adhere to the processing surface. Further, the surface roughness of the processed surface is set to 0.08 μm Ra or less so that a deposit of solder plating is hardly generated.

【００１１】上記のように、基材の上に気相合成法によ
り形成されたダイヤモンドの膜厚は、非常に薄いもので
ある。この膜を研磨して表面粗さを０．０８μｍ以下に
することはそれほど困難なことではないが、研磨した面
にはピンホールが発生することがあり、これを除去する
ためにはさらなる研磨が必要となる。しかしながら、こ
のピンホールは２０μｍ程度の大きさのものもあり、上
記のようにダイヤモンドの膜厚は非常に薄いため、研磨
を繰り返すと基材が露出することがあり、ピンホールの
大きさ以上の膜厚が必要とされることがある。As described above, the diamond film formed on the base material by the vapor phase synthesis method has a very small thickness. It is not so difficult to polish this film to have a surface roughness of 0.08 μm or less, but pinholes may be generated on the polished surface, and further polishing is required to remove this. Required. However, this pinhole has a size of about 20 μm, and the film thickness of diamond is very thin as described above. Film thickness may be required.

【００１２】また、ダイヤモンドの薄膜は基材となる超
硬合金やセラミックス材に気相合成法で形成されるが、
ＣＶＤ処理においては高温で処理されるため、基材の熱
膨張係数とダイヤモンドの熱膨張係数の差によって積層
膜厚が厚くなれば剥離する可能性がある。A diamond thin film is formed on a cemented carbide or ceramic material as a base material by a vapor phase synthesis method.
Since the CVD process is performed at a high temperature, there is a possibility that the film is peeled off when the laminated film thickness is increased due to the difference between the coefficient of thermal expansion of the base material and the coefficient of thermal expansion of diamond.

【００１３】本発明は上記のような問題点を解決するも
のであり、リードの折り曲げ加工をする際にハンダメッ
キが付着しにくいダイ及びパンチを得るとともに、ピン
ホールを除去できるまで研磨することが可能で、製造工
程での上記問題点を解決するダイ及びパンチを提案する
ものである。The present invention has been made to solve the above problems, and it is possible to obtain a die and a punch to which solder plating does not easily adhere when bending a lead and to grind the pin and the hole until the pinhole can be removed. It is possible to propose a die and a punch that can solve the above problems in the manufacturing process.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
折り曲げ用ダイの第１の特徴は、ハンダメッキしたリー
ドフレームの折り曲げ用ダイにおいて、前記ダイ上面に
は***部を有し、前記***部の外側であって、少なくと
もパンチと対向する部分には、加工面の表面粗さが０．
０８μｍＲａ以下に仕上げられた気相合成ダイヤモンド
チップが接合され、前記気相合成ダイヤモンドチップは
導電体によって形成されたダイ本体に一体に組み合わさ
れてなることである。A first feature of the lead frame bending die according to the present invention is that in a lead frame bending die of a solder plating, the die has a raised portion on an upper surface of the die, and the raised portion has a raised portion. On the outside and at least the portion facing the punch, the surface roughness of the machined surface is 0.1 mm.
A vapor-phase synthetic diamond chip finished to not more than 08 μmRa is joined, and the vapor-phase synthetic diamond chip is integrally combined with a die body formed of a conductor.

【００１５】第２の特徴として、前記気相合成ダイヤモ
ンドチップは前記ダイ本体とは分割された基材に接合さ
れ、前記基材は前記ダイ本体に一体に組み合わされてな
ることである。As a second feature, the vapor-phase synthetic diamond chip is joined to a substrate that is divided from the die body, and the substrate is integrally combined with the die body.

【００１６】また、本発明のリードフレーム折り曲げ用
パンチの第１の特徴は、ハンダメッキしたリードフレー
ムの折り曲げ用パンチにおいて、少なくともダイと対向
する部分には、加工面の表面粗さが０．０８μｍＲａ以
下に仕上げられた気相合成ダイヤモンドチップが接合さ
れ、前記気相合成ダイヤモンドチップはパンチ本体に一
体に組み合わされてなることである。A first feature of the lead frame bending punch of the present invention is that, in the solder plating lead frame bending punch, at least a portion facing the die has a surface roughness of 0.08 μm Ra. A vapor-phase synthetic diamond chip finished below is joined, and the vapor-phase synthetic diamond chip is integrally combined with a punch body.

【００１７】第２の特徴として、前記気相合成ダイヤモ
ンドチップは前記パンチ本体とは分割された基材に接合
され、前記基材は前記パンチ本体に一体に組み合わされ
てなることである。As a second feature, the vapor-phase synthetic diamond chip is joined to a base material that is separated from the punch body, and the base material is integrally combined with the punch body.

【００１８】さらなる特徴として、上記のようなダイと
パンチを組合せ、ハンダメッキしたリードフレームの折
り曲げ加工を行うための工具としたことである。A further feature is that the above-mentioned die and punch are combined to provide a tool for bending a solder-plated lead frame.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】本発明のリードフレーム折り曲げ
用ダイは、ＳＫＤ鋼や超硬合金などのダイ本体の上面に
***部が形成され、この***部の外側に気相合成ダイヤ
モンドチップが、ろう付けあるいは接着剤などで接合さ
れている。ろう付けで接合する場合、基材はダイヤモン
ドチップの熱膨張係数に近いＭｏ、Ｗ、超硬合金、Ｓｉ
_３Ｎ_４、ＳｉＣのようなセラミックスなどが適してい
る。接着剤で接合する場合、ダイヤモンドチップを研磨
する際に発生する研磨熱に耐えうる程度の耐熱性を有す
る接着剤であれば問題なく、基材は特に限定されない
が、耐食性を考慮しＳＵＳ４４０Ｃなどのステンレス鋼
を使用することもできる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The lead frame bending die according to the present invention has a raised portion formed on the upper surface of a die body made of SKD steel, cemented carbide, or the like. It is attached with an adhesive or an adhesive. When joining by brazing, the base material is Mo, W, cemented carbide, Si which is close to the thermal expansion coefficient of the diamond tip.
Such as ₃ N _4, ceramics such as SiC are suitable. When bonding with an adhesive, there is no problem as long as the adhesive has heat resistance enough to withstand the polishing heat generated when polishing the diamond chip, and the base material is not particularly limited, but in consideration of corrosion resistance, SUS440C or the like is used. Stainless steel can also be used.

【００２０】上記の気相合成ダイヤモンドチップは、少
なくともパンチと対向し、かつリードフレームの加工時
にリードが当たる部分に設けられている。気相合成ダイ
ヤモンドチップは厚みが３００〜５００μｍのものが設
けられているので、加工面を研磨した際にピンホールが
発生しても再研磨が可能であり、不良品とはならない。
ここで、加工面の表面粗さは、ハンダなどの堆積物が生
成しないよう、０．０８μｍＲａ以下、より望ましくは
０．０３μｍＲａ以下とする。The above-mentioned vapor-phase synthetic diamond chip is provided at least in a portion facing the punch and hitting the lead when the lead frame is processed. Since the vapor-phase synthetic diamond chip is provided with a thickness of 300 to 500 μm, even if a pinhole is generated when the processed surface is polished, it can be polished again and does not become a defective product.
Here, the surface roughness of the processed surface is set to 0.08 μmRa or less, more preferably 0.03 μmRa or less so that deposits such as solder are not generated.

【００２１】また、ダイヤモンドチップをダイ本体とは
分割された基材に接合し、この基材とダイ本体を一体に
組み合わせることは製造工程を簡略化する点でもより有
効である。上記のように、ピンホールの発生状況によっ
て、ダイヤモンドチップの加工面を研磨で除去する研磨
しろは異なってくる。このような場合に、ダイ全体のサ
イズを仕上げ寸法に納めるには、基材を大きめに作って
おき、研磨完了時にダイヤモンドの面を基準として調整
加工してやれば良いので、寸法切れなどの問題も発生し
ない。Further, it is more effective to join the diamond chip to a base material that is divided from the die body and to combine the base material and the die body integrally in terms of simplifying the manufacturing process. As described above, the polishing margin for removing the processed surface of the diamond chip by polishing differs depending on the occurrence state of the pinhole. In such a case, in order to fit the overall size of the die to the finished dimensions, it is only necessary to make the base material large and adjust it based on the diamond surface when polishing is completed, so problems such as dimension breakage also occur do not do.

【００２２】さらに、このような分割式の構造において
は、ダイのリード摺動部が摩耗した場合、再研磨によっ
て修復することが可能である。再研磨によって除去され
た寸法分については、基材側へのメッキなどの肉盛りや
ダイ本体の再製作により安価で対応できる。Further, in such a split type structure, when the lead sliding portion of the die is worn, it can be repaired by re-polishing. The dimension removed by the re-polishing can be inexpensively dealt with by rebuilding the die body or building up the plating on the base material side.

【００２３】ダイヤモンドチップは非導電性であり、リ
ードの加工時に摩擦により生じた静電気はダイヤモンド
チップを通じて逃がすことができない。そのため、ダイ
本体を導電性の材料で形成する必要がある。上記のよう
に、ダイヤモンドチップをダイ本体とは分割された基材
に取り付ける場合、ダイ本体とリードの接触部位におい
て静電気を逃がすことが可能であり、基材は導電性の材
料である必要はない。The diamond tip is non-conductive, and static electricity generated by friction during lead processing cannot be released through the diamond tip. Therefore, it is necessary to form the die body with a conductive material. As described above, when the diamond chip is attached to the substrate that is separated from the die body, it is possible to release static electricity at the contact portion between the die body and the lead, and the substrate does not need to be a conductive material. .

【００２４】本発明のリードフレーム折り曲げ用パンチ
は、パンチ本体に気相合成ダイヤモンドチップが、ろう
付けあるいは接着剤などで接合されている。ろう付けで
接合する場合、基材はダイヤモンドチップの熱膨張係数
に近いＭｏ、Ｗ、超硬合金、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣのよう
なセラミックスなどが適している。接着剤で接合する場
合、ダイヤモンドチップを研磨する際に発生する研磨熱
に耐えうる程度の耐熱性を有する接着剤であれば問題な
く、基材は特に限定されないが、耐食性を考慮しＳＵＳ
４４０Ｃなどのステンレス鋼を使用することもできる。In the lead frame bending punch of the present invention, a vapor-phase synthetic diamond chip is joined to the punch body by brazing or an adhesive. In the case of joining by brazing, as the base material, Mo, W, cemented carbide, ceramics such as Si ₃ N ₄ , SiC or the like having a coefficient of thermal expansion close to that of a diamond chip is suitable. When bonding with an adhesive, there is no problem as long as the adhesive has heat resistance enough to withstand the polishing heat generated when polishing the diamond chip, and the base material is not particularly limited.
Stainless steel such as 440C can also be used.

【００２５】上記の気相合成ダイヤモンドチップは、少
なくともダイと対向し、かつリードフレームの加工時に
リードが当たる部分に設けられている。気相合成ダイヤ
モンドチップは厚みが３００〜５００μｍのものが設け
られているので、加工面を研磨した際にピンホールが発
生しても再研磨が可能であり、不良品とはならない。こ
こで、加工面の表面粗さは、ハンダなどの堆積物が生成
しないよう、０．０８μｍＲａ以下、より望ましくは
０．０３μｍＲａ以下とする。The above-mentioned vapor-phase synthetic diamond chip is provided at least at a portion facing the die and at the time of contact with the lead during processing of the lead frame. Since the vapor-phase synthetic diamond chip is provided with a thickness of 300 to 500 μm, even if a pinhole is generated when the processed surface is polished, it can be polished again and does not become a defective product. Here, the surface roughness of the processed surface is set to 0.08 μmRa or less, more preferably 0.03 μmRa or less so that deposits such as solder are not generated.

【００２６】また、ダイと同様に、ダイヤモンドチップ
をパンチ本体とは分割された基材に接合し、この基材と
ポンチ本体を一体に組み合わせることは製造工程を簡略
化する点でもより有効である。上記のように、ピンホー
ルの発生状況によって、ダイヤモンドチップの加工面を
研磨で除去する研磨しろは異なってくる。このような場
合に、パンチ全体のサイズを仕上げ寸法に納めるには、
基材を大きめに作っておき、研磨完了時にダイヤモンド
の面を基準として調整加工してやれば良いので、寸法切
れなどの問題も発生しない。As in the case of the die, it is more effective to join the diamond chip to the base material separated from the punch body and to combine this base material with the punch body in terms of simplifying the manufacturing process. . As described above, the polishing margin for removing the processed surface of the diamond chip by polishing differs depending on the occurrence state of the pinhole. In such a case, in order to fit the size of the entire punch to the finishing dimensions,
Since the base material may be made larger and adjusted at the completion of polishing with reference to the surface of the diamond, there is no problem such as cutout of dimensions.

【００２７】さらに、このような分割式の構造において
は、パンチのリード摺動部が摩耗した場合、再研磨によ
って修復することが可能である点もダイと同様である。
再研磨によって除去された寸法分については、基材側の
メッキやダイ本体の再製作により安価で対応できる。Further, in such a split type structure, when the lead sliding portion of the punch is worn, it can be repaired by re-grinding similarly to the die.
The dimension removed by the re-polishing can be handled at low cost by plating the base material or remanufacturing the die body.

【００２８】リードの加工時に摩擦により生じた静電気
については、ダイ本体から逃がしてやるので、パンチに
は必ずしも導電性を必要とはせず、パンチ本体の材料は
適宜選択することができる。Since static electricity generated by friction during lead processing is released from the die body, the punch does not necessarily need to have conductivity, and the material of the punch body can be appropriately selected.

【００２９】本発明の気相合成ダイヤモンドチップの製
造方法としては多様な技術が提案されているが、シリコ
ンなどの基板上に気相合成法によりダイヤモンドの層を
形成し、基板を溶解などの方法で除去したもの、あるい
はデビアス社やノートン社から¢５０×１ｔ程度の大き
さのマザーディスクが市販されており、このマザーディ
スクから、レーザなどで所要のチップ取りを行うなどの
方法があり、汎用性が非常に高くなる。Various techniques have been proposed as a method for producing a vapor-phase synthetic diamond chip of the present invention. However, a method of forming a diamond layer on a substrate such as silicon by a vapor-phase synthetic method and dissolving the substrate is used. A mother disk with a size of about 50 x 1t is commercially available from De Beers or Norton. There is a method such as performing required chip removal with a laser or the like from this mother disk. Sex is very high.

【００３０】また、ダイヤモンドチップの研磨時に、コ
ーナー部やエッジ部に欠けが発生しても、欠けの大きさ
がダイヤモンドチップの厚みの範囲内であれば、追加研
磨することによって、欠けを除去することが可能とな
る。Further, even if a chip is generated at a corner or an edge during polishing of a diamond chip, if the size of the chip is within the range of the thickness of the diamond chip, the chip is removed by additional polishing. It becomes possible.

【００３１】[0031]

【実施例】（実施例１）本発明の第１の実施例として、
ダイを図１に、パンチを図４に示す。ダイ本体６及びパ
ンチ本体８は、超硬合金を材料として図１及び図４のよ
うな形状に加工し、これらに厚み３００μｍのダイヤモ
ンドチップ７をろう付けにより接合する。ダイ本体６の
上面には***部１５を形成し、この外側にダイヤモンド
チップ７を接合するために凹形状に加工するが、ダイヤ
モンドチップ７の大きさに応じて加工することで、精度
良く接合することができる。なお、ダイヤモンドチップ
７の加工面については、あらかじめ研磨をしておき、ピ
ンホールのない状態に仕上げておく。これは、図１のよ
うな形状のダイ本体の場合、ダイ本体６の上面にある隆
起部１５が砥石などに干渉するため、ダイ本体６にダイ
ヤモンドチップ７を接合してからでは、研磨するのが困
難なためである。(Embodiment 1) As a first embodiment of the present invention,
The die is shown in FIG. 1 and the punch is shown in FIG. The die body 6 and the punch body 8 are machined into a shape as shown in FIGS. 1 and 4 using a cemented carbide as a material, and a diamond chip 7 having a thickness of 300 μm is joined thereto by brazing. A raised portion 15 is formed on the upper surface of the die body 6, and is processed into a concave shape for bonding the diamond chip 7 to the outside thereof. By processing according to the size of the diamond chip 7, the bonding is performed accurately. be able to. The processing surface of the diamond chip 7 is polished in advance and finished without pinholes. This is because, in the case of a die body having a shape as shown in FIG. 1, the protrusion 15 on the upper surface of the die body 6 interferes with a grindstone or the like. Is difficult.

【００３２】以上のような方法によりダイ及びパンチを
製作した結果、ダイ及びパンチの加工面にはピンホール
がなく、精度の良いダイ及びパンチを容易に製作するこ
とができた。なお、ダイヤモンドチップ７の加工面の形
状は本実施例の様な平面のものに限定されず、図２及び
図５に示すような加工面にＲ形状のコーナー部を有する
形状のものも本発明の例としてあげることができる。As a result of manufacturing the die and the punch by the above-described method, there was no pinhole on the processing surface of the die and the punch, and it was possible to easily manufacture a high-precision die and a punch. The shape of the processing surface of the diamond chip 7 is not limited to a flat surface as in the present embodiment, and a shape having an R-shaped corner portion on the processing surface as shown in FIGS. Can be given as an example.

【００３３】（実施例２）本発明の第２の実施例とし
て、ダイを図３に、パンチを図６に示す。これらはダイ
本体６やパンチ本体８とダイヤモンドチップ７の接合さ
れた基材の部分が分割式になったものである。これらの
製作手順として、まず、ダイ基材９及びパンチ基材１０
を図のような形状に加工し、その上面にダイヤモンドチ
ップ７を接合するための凹部を加工する。この時に、ダ
イ基材９及びパンチ基材１０の高さ方向（図の上下方
向）の寸法は所定の寸法よりやや大きめに製作してお
く。次に、凹部に厚み３００μｍのダイヤモンドチップ
７を接合し、ダイヤモンドチップ７の研削及び研磨を行
って所定の形状に仕上げる。ダイヤモンドチップ７の加
工面の研磨は、ピンホールがなくなるまで行い仕上げ
る。最後に、ダイヤモンドチップ７の加工面を基準とし
てダイ基材９及びパンチ基材１０の底面を研削し、ダイ
ヤモンドチップ７が接合されたダイ基材９及びパンチ基
材１０の全体の大きさを所定の寸法に仕上げる。このよ
うにして製作したものを、ダイ本体６又はパンチ本体８
に取り付け、ビスなどにより固定する。(Embodiment 2) As a second embodiment of the present invention, a die is shown in FIG. 3 and a punch is shown in FIG. In these, a part of the base material where the die body 6 or the punch body 8 and the diamond chip 7 are joined is divided. First, the die substrate 9 and the punch substrate 10
Is processed into a shape as shown in the figure, and a concave portion for bonding the diamond chip 7 is formed on the upper surface thereof. At this time, the dimensions of the die substrate 9 and the punch substrate 10 in the height direction (vertical direction in the figure) are slightly larger than predetermined dimensions. Next, a diamond chip 7 having a thickness of 300 μm is bonded to the concave portion, and the diamond chip 7 is ground and polished to finish it into a predetermined shape. Polishing of the processed surface of the diamond chip 7 is performed until pinholes are eliminated. Finally, the bottom surfaces of the die substrate 9 and the punch substrate 10 are ground with reference to the processing surface of the diamond chip 7, and the overall size of the die substrate 9 and the punch substrate 10 to which the diamond chip 7 is bonded is determined. Finish to dimensions. The die body 6 or the punch body 8
And fixed with screws.

【００３４】以上のような分割構造とすることで、ダイ
基材９及びパンチ基材１０の製作が容易になるととも
に、ダイ本体６及びパンチ本体８は繰り返し使用するこ
とができ、経済的である。また、ダイヤモンドチップ７
が磨耗した場合、ダイ基材９及びパンチ基材１０から取
り外し、別のダイ基材９及びパンチ基材１０に接合して
所定の形状に加工すれば、ダイヤモンドチップ７も再利
用することができる。With the above divided structure, the die substrate 9 and the punch substrate 10 can be easily manufactured, and the die body 6 and the punch body 8 can be repeatedly used, which is economical. . In addition, diamond chip 7
Is worn out, the diamond chip 7 can be reused if it is removed from the die base material 9 and the punch base material 10 and joined to another die base material 9 and the punch base material 10 and processed into a predetermined shape. .

【００３５】（比較例）本発明に対する比較例として、
図８及び図１０に示すダイ及びパンチを製作した。ダイ
基材９及びパンチ基材１０を所定の寸法に加工し、これ
らの上面に気相合成法によりダイヤモンドの薄膜を形成
した。この薄膜の厚みは約２０μｍとした。このダイヤ
モンド薄膜の研磨を行った結果、ピンホールの発生した
ものは１００ヶ中１３ヶであり、この１３ヶを再研磨し
た。しかし、ピンホールの大きいものがあり、研磨を繰
り返しているうちに基材が露出したものが８ヶとなり、
これらは不良品となった。Comparative Example As a comparative example for the present invention,
The die and punch shown in FIGS. 8 and 10 were manufactured. The die substrate 9 and the punch substrate 10 were processed into predetermined dimensions, and a diamond thin film was formed on the upper surfaces of these by a vapor phase synthesis method. The thickness of this thin film was about 20 μm. As a result of polishing the diamond thin film, 13 out of 100 holes had pinholes, and the 13 holes were polished again. However, there are some with large pinholes, and eight substrates were exposed during repeated polishing,
These became defective products.

【００３６】[0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のダイ及び
パンチの加工面に、気相合成のダイヤモンドチップが設
けられているので、加工面を研磨した際にピンホールが
発生しても再研磨が可能であり、研磨時にコーナー部や
エッジ部に欠けが発生しても、追加研磨することで欠け
を除去することができるので、不良品が発生しない。ま
た、ダイヤモンドチップを加工してから接合することも
できるので、研磨が容易にでき、汎用性が非常に高い。
さらに、ダイヤモンドチップを接合する部分をダイやパ
ンチの本体とは分割された基材に接合することで、本体
は繰り返し使うことができ、ダイヤモンドチップも再研
磨により再利用することができる。As described above, since the diamond chip of the vapor phase synthesis is provided on the processing surface of the die and the punch of the present invention, even if a pinhole is generated when the processing surface is polished, it is re-used. Polishing is possible, and even if a chip is generated in a corner portion or an edge portion during polishing, the chip can be removed by additional polishing, so that a defective product does not occur. In addition, since the diamond chip can be processed and then joined, the polishing can be easily performed, and the versatility is very high.
Furthermore, by joining the part to which the diamond chip is joined to the base material separated from the die or punch body, the body can be used repeatedly, and the diamond chip can be reused by repolishing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明のダイの実施例を示した斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a die of the present invention.

【図２】本発明のダイの別の実施例を示した斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing another embodiment of the die of the present invention.

【図３】本発明のダイのさらに別の実施例を示した斜視
図。FIG. 3 is a perspective view showing still another embodiment of the die of the present invention.

【図４】本発明のパンチの実施例を示した斜視図。FIG. 4 is a perspective view showing an embodiment of the punch of the present invention.

【図５】本発明のパンチの別の実施例を示した斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing another embodiment of the punch of the present invention.

【図６】本発明のパンチのさらに別の実施例を示した斜
視図。FIG. 6 is a perspective view showing still another embodiment of the punch of the present invention.

【図７】従来のダイの例を示した斜視図。FIG. 7 is a perspective view showing an example of a conventional die.

【図８】従来のダイの改良例を示した斜視図。FIG. 8 is a perspective view showing an improved example of a conventional die.

【図９】従来のパンチの例を示した斜視図。FIG. 9 is a perspective view showing an example of a conventional punch.

【図１０】従来のパンチの改良例を示した斜視図。FIG. 10 is a perspective view showing an improved example of a conventional punch.

【図１１】ガルウィング型のリードの成形方法を説明す
る概念図。FIG. 11 is a conceptual diagram illustrating a method for forming a gull-wing type lead.

【図１２】ＤＩＰ型のリードの成形方法を説明する概念
図。FIG. 12 is a conceptual diagram illustrating a method of forming a DIP lead.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ダイ ２ パンチ ３ プレッシャパッド ４ リード ５ ＬＳＩモールドボディ ６ ダイ本体 ７ ダイヤモンドチップ ８ パンチ本体 ９ ダイ基材 １０ パンチ基材 １１ ダイの当たり面（加工面） １２ パンチの当たり面（加工面） １３ ビス １４ ダイヤモンド薄膜 １５ ***部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Die 2 Punch 3 Pressure pad 4 Lead 5 LSI mold body 6 Die body 7 Diamond chip 8 Punch body 9 Die base material 10 Punch base material 11 Die contact surface (work surface) 12 Punch contact surface (work surface) 13 Screw 14 diamond thin film 15 ridge

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 ハンダメッキしたリードフレームの折り
曲げ用ダイにおいて、 前記ダイ上面には***部を有し、前記***部の外側であ
って、少なくともパンチと対向する部分には、加工面の
表面粗さが０．０８μｍＲａ以下に仕上げられた気相合
成ダイヤモンドチップが接合され、前記気相合成ダイヤ
モンドチップは導電体によって形成されたダイ本体に一
体に組み合わされてなることを特徴とするリードフレー
ム折り曲げ用ダイ。1. A die for bending a solder-plated lead frame, wherein the die has a raised portion on its upper surface, and at least a portion facing the punch outside the raised portion has a rough surface of a processed surface. A vapor-phase synthetic diamond chip finished to 0.08 μm Ra or less is joined, and said vapor-phase synthetic diamond chip is integrally combined with a die body formed of a conductor. Die. 【請求項２】 前記気相合成ダイヤモンドチップは前記
ダイ本体とは分割された基材に接合され、前記基材は前
記ダイ本体に一体に組み合わされてなることを特徴とす
る請求項１記載のダイ。2. The method according to claim 1, wherein the vapor-phase synthetic diamond chip is joined to a base material that is separated from the die body, and the base material is integrally combined with the die body. Die. 【請求項３】 ハンダメッキしたリードフレームの折り
曲げ用パンチにおいて、 少なくともダイと対向する部分には、加工面の表面粗さ
が０．０８μｍＲａ以下に仕上げられた気相合成ダイヤ
モンドチップが接合され、前記気相合成ダイヤモンドチ
ップはパンチ本体に一体に組み合わされてなることを特
徴とするリードフレーム折り曲げ用パンチ。3. A solder-plated bending punch for a lead frame, wherein at least a portion facing the die is bonded with a vapor-phase synthetic diamond chip having a processed surface having a surface roughness of 0.08 μm Ra or less. A punch for bending a lead frame, wherein a vapor-phase synthetic diamond chip is integrally combined with a punch body. 【請求項４】 前記気相合成ダイヤモンドチップは前記
パンチ本体とは分割された基材に接合され、前記基材は
前記パンチ本体に一体に組み合わされてなることを特徴
とする請求項３記載のパンチ。4. The punch according to claim 3, wherein said vapor-phase synthetic diamond chip is joined to a base material divided from said punch body, and said base material is integrally combined with said punch body. punch. 【請求項５】 請求項１又は２記載のダイと請求項３又
は４記載のパンチを組み合わせて、ハンダメッキしたリ
ードフレームの折り曲げ加工を行うことを特徴とするリ
ードフレーム加工用工具。5. A lead frame processing tool, wherein a die according to claim 1 or 2 and a punch according to claim 3 or 4 are combined to bend a lead frame that has been plated with solder.