JP2002151168A - 色素増感型太陽電池 - Google Patents

色素増感型太陽電池

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JP2002151168A
JP2002151168A JP2000344631A JP2000344631A JP2002151168A JP 2002151168 A JP2002151168 A JP 2002151168A JP 2000344631 A JP2000344631 A JP 2000344631A JP 2000344631 A JP2000344631 A JP 2000344631A JP 2002151168 A JP2002151168 A JP 2002151168A
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dye
film
solar cell
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sensitized solar
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Toshiko Imai
寿子 今井
Reigen Kan
礼元 韓
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 高い変換効率を有する色素増感型太陽電池を
製造することを目的とする。 【解決手段】 半導体層が光電変換層と逆電子注入防止
層により構成され、光電変換層は金属酸化物半導体によ
り成り、表面の粗さ係数が100以上3000以下で、
膜厚が1μmから50μmである。逆電子注入防止層は
光電変換層と同じ金属酸化物半導体で、膜厚が1μmか
ら50μmである色素増感型太陽電池。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、色素増感型太陽電
池に関する。
【0002】
【従来の技術】光電変換材料とは、光が照射されると、
その材料内の原子に束縛されていた電子が光エネルギー
により自由に動けるようになり、これにより自由電子と
自由電子の抜け孔(正孔)が発生し、これら自由電子と
正孔とが効率よく分離するために、連続的に電気エネル
ギーが取り出すことができる材料、すなわち、光エネル
ギーを電気エネルギーに変換することができる材料であ
る。このような光電変換材料は、例えば太陽電池などに
利用されている。
【0003】太陽電池のうち、色素増感型太陽電池は高
変換効率を示すため、広く注目されている。色素増感型
太陽電池は、例えば、半導体電極及び対極と、これら電
極間に挟持された電解液層とから主に構成されており、
半導体電極に光が照射されると、この電極側で電子が発
生し、この電子が外部電気回路を通って対極に移動し、
対極に移動した電子が電解質中をイオンとして移動して
半導体電極に戻り、これが繰り返されて電気エネルギー
を取り出すことができるものである。
【0004】この色素増感型太陽電池で用いられている
光電変換材料である半導体電極は、半導体表面に可視光
領域に吸収を持つ分光増感色素を吸着させたものが用い
られている。例えば、登録特許公報2664194号に
は、金属酸化物半導体を、遷移金属錯体などの分光増感
色素を含有する水溶液に、室温下で浸漬することによ
り、表面に分光増感色素を吸着させた層が形成された半
導体を用いた太陽電池が記載されている。
【0005】また、特表平5−504023号公報に
は、金属イオンでドープした酸化チタン半導体の表面に
遷移金属錯体などの分光増感色層を有する太陽電池が記
載されている。さらに、特開平7−249790号公報
には、半導体表面に分光増感色のエタノール溶液を加熱
還流して得られた光電変換材料用半導体を用いた太陽電
池が記載されている。
【0006】上記従来の色素増感型太陽電池技術による
と、図6に示す太陽電池構造となる。その作製工程の要
点は以下のとおりである。透明支持体61の片面に透明
導電体62が形成され、その表面に、酸化チタン等に色
素を吸着した多孔質半導体電極63が形成される。対極
(導電性基板)65の表面には、白金66等の触媒がコ
ーティングされている。多孔質半導体電極63面と白金
66面が略平行となるように透明支持体61と対極65
とを近接させた状態で、その間に酸化還元性電解液64
を注入する。最後に、透明支持体61と対極65の周辺
部分をエポキシ樹脂67等で封止して固定することで色
素増感型太陽電池を構成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法で
は、多孔質半導体電極中にイオン性キャリア輸送材とし
ての電解液中の酸化還元種が透明導電膜と部分的に接触
するため、透明導電膜から酸化還元性電解液への電子の
逆注入が引き起こされ開放電圧が低下する。開放電圧の
低下は太陽電池の変換効率を低下させる要因となり、高
い変換効率を有する太陽電池を作製することは困難であ
る。
【0008】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、透明導電膜上に、透明導電膜から酸化還元性電解
液への電子の逆注入を防止する、逆電子注入防止膜を形
成し、その上に光電変換層を形成することにより、透明
導電膜と酸化還元性電解液との接触による開放電圧低下
の少ない、高い変換効率の太陽電池および太陽電池の作
製方法を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の問題
点を解決するために、第1の発明として、透明基板の表
面に形成された透明導電膜と導電性基板との間に色素が
吸着された半導体層と酸化還元性電解液を有する色素増
感型太陽電池において、前記半導体層が、光電変換層と
逆電子注入防止層から形成されていることを特徴とする
色素増感型太陽電池を提案することにある。
【0010】本発明の色素増感型太陽電池の製造方法に
おいては、半導体上に、光増感剤として機能する色素
(以下、単に「色素」と記す)を吸着させる。ここで用
いられる半導体としては、一般に光電変換材料用に使用
されるものであれば特に限定されるものではなく、例え
ば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、チタン
酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウム
などの公知の半導体の1種または2種以上を用いること
ができる。なかでも、安定性、安全性の点から酸化チタ
ンが好ましい。なお、本発明で使用される酸化チタン
は、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、無
定形酸化チタン、メタチタン酸、オルソチタン酸などの
種々の酸化チタン、あるいは水酸化チタン、含酸化チタ
ン等のすべてが包含される。
【0011】上述の逆電子注入防止膜を形成する基板と
しては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等を使
用することができ、なかでも透明の基板が好ましい。上
記半導体膜を基板上に形成する方法としては、公知の種
々の方法を使用することができる。具体的には、基板上
に調整した塗付液をディップコーティング法やスピンコ
ーティング法、塗布法、スプレー法などによって基板に
コーティングした後、加熱焼成することによって得られ
る。この際、室温から徐々に加熱昇温して焼成すること
が望ましい。
【0012】逆電子注入防止膜を形成する塗付液として
は、例えばチタンテトラブトキシドに無水エタノールと
トリエタノールアミンと水を添加することにより、調整
することができる。また高い透明性のためにこの膜厚は
薄いことが好ましい。これはディップコーティングによ
りコーティングする際の基板の引き上げ速度をより遅い
速度とし、1回のコーティングで製膜することにより実
現できる。具体的には膜厚は0.2μm以下、透過率は
80%以上であることが好ましい。後述の酸化還元性電
解液の膜内への浸透を防止するために、密度は単結晶の
90%以上、例えばアナターゼ型酸化チタンでは単結晶
の密度3.9g/cm3に対し3.5g/cm3以上が好
ましい。
【0013】上述の光電変換層は、粒子状、膜状等種々
の形態の半導体を用いることができるが、基板上に形成
された膜状の半導体がとくに好ましい。また後述の色素
を効果的に吸着するためには、表面粗さ係数が100以
上3000以下であることが好ましい。表面粗さ係数と
は、物体表面の投影面積に対する実際の表面積の比とし
て定義され、凹凸がある表面ほど数値は大きくなる。そ
の測定はBET法で行う。膜自体の密度については、後
述の酸化還元性電解液を膜内に効果的に浸透させるた
め、例えば光電変換層として、アナターゼ型酸化チタン
の単結晶密度3.9g/cm3に対し、膜としての密度
は2.5g/cm3以下であることが好ましい。
【0014】光電変換層を逆電子注入防止層上に形成す
る方法としては、半導体粒子を含有する懸濁液を逆電子
注入防止膜上に塗布し、乾燥/焼成する方法等が挙げら
れる。なお、この際の光電変換層の膜厚は、特に限定さ
れるものではないが、0.1〜50μmが好ましい。
0.1μmに満たない膜厚では、十分な量の色素を吸着
することができず短絡電流値が向上しない。また50μ
mを超える膜厚では、光電変換層内の直列抵抗値が増大
し、光電変換特性の曲線因子F.F.(フィルファクタ
ー)が低下させることになる。
【0015】上述の半導体粒子としては、市販されてい
るもののうち適当な平均粒径、例えば3nm〜3000
nmの平均粒径を有する単一又は化合物半導体の粒子等
が挙げられる。また、この半導体粒子を懸濁するために
使用される溶媒は、エチレングリコールモノメチルエー
テル等のグライム系溶媒、イソプロピルアルコール等の
アルコール系溶媒、イソプロピルアルコール/トルエン
等のアルコール系混合溶媒、水等が挙げられる。
【0016】また、同一基板上に複数の半導体膜を作製
し、モジュールを作製する場合の半導体層の幅は5mm
から20mmが好ましい。半導体膜が酸化チタンの場
合、幅が20mmを越えると色素増感型太陽電池の直列
抵抗が約40Ω以上となり、性能に大きな影響を与える
ものである。半導体膜の幅と直列抵抗は比例的に変化す
るため、各半導体層の種類によって適切な幅を選択しな
ければならない。
【0017】上述の半導体の乾燥/焼成は、使用する基
板や半導体粒子の種類により、温度、時間、雰囲気等を
適宜調整することができる。例えば、大気下または不活
性ガス雰囲気下、50〜800℃の範囲内で、10秒〜
12時間行うことができる。この乾燥/焼成は、単一の
温度で1回又は温度を変化させて2回以上行うことがで
きる。
【0018】電極として使用することができる透明導電
膜は、特に限定されるものではないが、例えばITO、
SnO2等の透明導電膜が好ましい。これら電極の製造
方法及び膜厚等は、適宜選択することができる。
【0019】また、上記の透明導電膜付の基板を逆電子
注入防止層と光電変換層から構成される半導体膜を挟み
込む形で色素増感型有機太陽電池を作製する際に、間隔
を等しくし、両方の基板を固定するために熱融着フィル
ム等を使用することができる。透明電導膜付の基板上の
透明電導膜側に作製された半導体上にスペーサーとなる
熱融着フィルムを設置し、その上に対極となる電導膜付
の基板を重ね合わせ固定し、熱融着により両方の基板を
相互に固定する。熱融着フィルムの融点は100℃以下
が好ましい。スペーサーは酸化チタンからなる逆電子注
入防止膜の外もしくは膜上に設置できる。
【0020】半導体上に色素を吸着させる方法として
は、例えば基板上に形成された半導体膜を、色素を溶解
した1種又は2種以上の非プロトン性溶液、疎水性溶液
又は非プロトン性かつ疎水性溶液に浸漬する方法が挙げ
られる。
【0021】ここで使用することができる色素は、光増
感剤として機能する色素であり、特に可視光領域及び/
又は赤外光領域に吸収を持つものであれば問題はない。
具体的には、ローズベンガル、ローダミンB等のキサン
テン系色素;マラカイトグリーン、クリスタルバイオレ
ット等のトリフェニルメタン色素;銅フタロシアニン及
びチタニルフタロシアニン等の金属フタロシアニン、ク
ロロフィル、ヘミン、又はルテニウム、オスミウム、
鉄、亜鉛を1以上含有する錯体等の金属錯塩等が挙げら
れる。
【0022】色素を溶解するために用いる溶媒は、エタ
ノール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、ジエ
チルエーテル等のエーテル類、アセトニトリル等の窒素
化合物類等の公知なものを単独又は2種以上の混合物が
挙げられる。
【0023】溶液中の色素濃度は、使用する色素及び溶
媒の種類は適宜調整することができるが、1×10-5
ル/リットル以上、好ましくは5×10-5〜1×10-2
モル/リットルの間が好ましい。
【0024】色素を溶解した溶液を半導体に浸漬する
際、溶液及び雰囲気の温度及び圧力は特に限定されるも
のではなく、例えば室温程度、かつ大気圧下が挙げら
れ、浸漬時間は、使用する色素、溶媒の種類、溶液の濃
度等により適宜調整することができるが、例えば5分〜
96時間が好ましい。これにより、半導体上に色素を吸
着させることができる。
【0025】本発明の太陽電池に用いるキャリア輸送層
としてはキャリア輸送材料から構成される。電子、ホー
ル、イオンを輸送できるものが用いることができる。例
えば、トリフェニルアミン系等の有機系ホール輸送材
料、CuI、Cu2O、CuSCN、NiO、CuAl
2等無機系ホール輸送材料、テトラニトロフロオルレ
ノン、オキサジアゾール等の電子輸送材料、ポリピロー
ル等の導電性ポリマー、液体電解質、高分子固体電解質
等のイオン導電体を用いることができる。液体電解質と
しては、ヨウ化物、臭化物、ヒドロキノンなどのイオン
キャリアを含むアセトニトリルやエチレンカーボネート
もしくはその混合液が好ましい。高分子固体電解質とし
ては、上記液体電解質に対し、ポリエチレンオキサイド
もしくはポリアクリロニトリル、ポリフッ化ビニリデ
ン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアク
リルアミドなどのホストポリマーを混入して重合させた
ゲル電解質や、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレン
オキサイドもしくはポリエチレンなどの高分子側鎖にス
ルホンイミド塩やアルキルイミダゾリウム塩、テトラシ
アノキノジメタン塩、ジシアノキノジイミン塩などの塩
をもつ固体溶融塩電解質が好ましい。
【0026】
【発明の実施の形態】課題を解決するための手段に記載
されたような各工程で作製された光電変換材料用半導体
は、太陽電池、光スイッチング装置、センサ等の光電変
換装置に好適に使用することができる。本発明による太
陽電池の基本構成は、図1に示すように、ガラス基板等
の透明基板12上に透明導電膜13がコートされ、その
表面に逆電子注入防止膜10および光電変換膜11を形
成される。光電変換膜11には色素が吸着されている。
対向電極としては、別の導電性基板14上に白金膜15
を形成し、これら電極間に酸化還元性電解液16を注入
したものである。スペーサー17は、各基板間の位置関
係を保持し、同時に酸化還元性電解液16を封じ込めて
いる。
【0027】このように、逆電子注入防止膜および光電
変換膜に吸着した色素に太陽光を照射すると、色素は可
視領域の光を吸収して励起する。この励起によって発生
した電子は光電変換膜および逆電子注入防止膜から導電
膜へ移動する。導電膜へ移動した電子は逆電子注入防止
層によって、キャリア輸送層への移動はほとんど起こら
ないため、導電膜へ移動した電子のほとんどは外部回路
を通して対電極に移動する。対電極に到着した電子はキ
ャリア輸送層中の酸化還元種(電解液の場合)により運
ばれて色素に戻る。このようにして電子が流れ、本発明
の逆電子注入防止層を用いた太陽電池を構成することが
できる。
【0028】以下に本発明による色素増感型太陽電池の
実施例をそれぞれ説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。
【0029】(実施例1)酸化チタンからなる逆電子注
入防止膜を含む色素増感型太陽電池の製造方法について
図1を用いて以下に説明する。図1において、10は酸
化チタンからなる逆電子注入防止膜、11は酸化チタン
からなる光電変換膜、12は透明基板、13は透明導電
膜、14は導電性基板、15は白金膜、16は酸化還元
性電解液、17はスペーサーを示している。
【0030】酸化チタンからなる逆電子注入防止膜10
を作製する塗液は、チタンテトライソプロポキシド60
gを500mlの無水エタノールで希釈し、攪拌しなが
ら、ジエタノールアミン20gと水5gを添加し調整し
た。寸法10mm×30mmのガラスからなる透明基板
12で、SnO2の透明導電性膜13が形成された面に
対して、上記塗液をディップコーティング法によりほぼ
全面に塗布した。これを室温で乾燥したのち、室温から
500℃の温度にまで加熱昇温して焼成する。このと
き、逆電子注入防止膜10に亀裂や孔などの欠陥が生じ
ることを抑制するため昇温速度は50℃/分以下とす
る。得られた酸化チタンからなる逆電子注入防止膜10
は膜厚0.2μmで、後述の酸化チタンからなる光電変
換膜11と同じ結晶系のアナターゼである。また、密度
は3.8g/cm3でありわずかに亀裂や孔が存在して
いても逆電子注入防止膜としての機能を妨げることはな
い程度である。
【0031】酸化チタンからなる光電変換膜11を作製
する塗液は、市販の酸化チタン粒子(テイカ株式会社社
製、商品名AMT−600、アナターゼ型結晶、平均粒
径30nm)4.0gとジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル20mlとをガラスビーズを使用し、ペイン
トシェイカーで6時間分散させ、酸化チタン懸濁液を調
製した。この酸化チタン懸濁液を、ドクターブレード治
具を用いて酸化チタンからなる逆電子注入防止膜10上
に塗付し、100℃で30分間予備乾燥した後、酸素雰
囲気中460℃で40分間焼成し、膜厚8μm、表面粗
さ係数806、密度2.1g/cm3の酸化チタンから
なる光電変換膜11を作製した。この酸化チタンからな
る光電変換膜11は、上記酸化チタンからなる逆電子注
入防止膜10が形成された面内にあって、この酸化チタ
ンからなる光電変換膜11が直接、SnO2の透明導電
性膜13に接触しないように形成した。また上記作製手
順と条件で構成した各部分、すなわち、酸化チタンから
なる光電変換膜11を形成する粒子間、酸化チタンから
なる光電変換膜11と酸化チタンからなる逆電子注入防
止膜10との界面、および酸化チタンからなる逆電子注
入防止膜10と透明導電膜13との界面、のいずれにお
いても電気的及び機械的にも良好な接触状態を保つこと
ができた。
【0032】次にSolaronix社製ルテニウム色
素(ルテニウム535)を無水エタノールに濃度4×1
-4モル/リットルで溶解させ吸着用色素溶液を作製し
た。上述で得られた酸化チタンからなる逆電子注入防止
膜10、酸化チタンからなる光電変換膜11と透明導電
膜13を具備した透明基板12をこの吸着用色素溶液に
10時間浸漬させ、色素を吸着させた。その後、無水エ
タノールで数回洗浄し約60℃で約20分間乾燥させ
た。
【0033】次に、スペーサー17を図1に示すように
酸化チタンからなる逆電子注入防止膜10上に設置す
る。このときのスペーサーは、酸化チタンからなる光電
変換膜11より厚くなければならない。具体的には、ポ
リエチレン熱融着フィルム(三井デュポン社製、厚さ5
0μm)を30mm×2mmに成形したものを用いる。
その後、導電性基板14の導電面に白金膜15を約1μ
mの膜厚で蒸着し、白金膜15と酸化チタンからなる光
電変換膜11が対向する形で重ね合わす。そのままクリ
ップで固定し90℃下に10分間保持することで、白金
膜15と酸化チタンからなる光電変換膜11をスペーサ
ー17により融着し固定した。
【0034】注入する酸化還元性電解液16は、アセト
ニトリルを溶媒として濃度0.3モル/リットルのヨウ
化リチウムと濃度0.03モル/リットルのヨウ素を溶
解させて作製した。この酸化還元性電解液16を白金膜
15と酸化チタンからなる光電変換膜11の間隙に注入
する。以上の手順で太陽電池が得られる。
【0035】上記色素増感型太陽電池の各電極にリード
線を付け、AM1.5の疑似太陽光下で太陽電池の動作
特性を測定すると、短絡電流値14.2mA/cm2
開放電圧0.76V、F.F.0.68、変換効率7.
34%の特性が得られた。従来の方法により作製した酸
化チタンによる多孔質半導体電極を用いた色素増感型太
陽電池の特性(短絡電流値14.0mA/cm2、開放
電圧0.67V、F.F.0.63、変換効率5.90
%)と比較し、特に開放電圧の値に向上が見られる。電
流−電圧特性から推定される直列抵抗は8オーム程度で
あり、逆電子注入防止膜10は、酸化チタンからなる光
電変換膜11から酸化還元性電解液16への逆電子注入
を防止するとともに、酸化チタンからなる光電変換膜1
1と透明導電膜13との接触を向上させ酸化チタンから
なる光電変換膜11から透明導電膜13への電子の移動
を促進している。
【0036】(実施例2)逆電子注入防止膜を構成する
材料系を、上述のチタンテトライソプロポキシドから酸
化チタンペーストに代えて、色素増感型太陽電池を構成
する方法について図2を用いて説明する。ただし、第一
の実施例と同様な工程部分の説明は省略する。図2にお
いて、20は酸化チタンからなる逆電子注入防止膜、2
1は酸化チタンからなる光電変換膜、22は透明基板、
23は透明導電膜、24は導電性基板、25は白金膜、
26は酸化還元性電解液、27はスペーサーを示してい
る。
【0037】酸化チタンからなる逆電子注入防止膜20
を作製する塗液は、酸化チタンペースト(テイカ社製、
TK294)を用いた。実施例1と同様に、これをディ
ップコーティング法により、寸法10mm×30mmの
ガラス基板22のSnO2透明導電性膜23面上に塗布
し、室温で乾燥した。酸化チタンからなる光電変換膜2
1を作製する塗液は、実施例1と同様に調整した。この
酸化チタン懸濁液を、ドクターブレード治具を用いて焼
成前の酸化チタンからなる逆電子注入防止膜20上に塗
付し、100℃で30分間予備乾燥した後、酸素雰囲気
中460℃で40分間焼成し、膜厚8μm、表面粗さ係
数806の酸化チタンからなる光電変換膜21を作製し
た。
【0038】以上の方法で作製された半導体電極部分、
つまり、酸化チタンからなる光電変換膜21表面、酸化
チタンからなる光電変換膜21と酸化チタンからなる逆
電子注入防止膜20との界面、および酸化チタンからな
る逆電子注入防止膜20と透明導電膜23との界面のい
ずれもが、電気的、機械的に良好な接触状態が得られ
た。
【0039】このあとの操作は実施例1に準じて行い同
様の色素増感型太陽電池を作製することができる。ただ
しスペーサー27を図2に示すように酸化チタンからな
る逆電子注入防止膜の外に設置した。
【0040】上述の方法により、短絡電流値13.8m
A/cm2、開放電圧0.75V、F.F.0.69、
変換効率7.14%の性能を有する色素増感型太陽電池
が得られた。従来の方法により作製した酸化チタンによ
る多孔質半導体電極を用いた色素増感型太陽電池の特性
(短絡電流値14.0mA/cm2、開放電圧0.67
V、F.F.0.63、変換効率5.90%)と比較し
開放電圧の値に向上が見られる。
【0041】(実施例3)光電変換膜を、酸化チタンに
代えて酸化すず・酸化亜鉛系の材料から構成した色素増
感型太陽電池の製造方法について図3を用いて説明す
る。ただし、第一の実施例と同様な工程部分の説明は省
略する。図3において、30は酸化チタンからなる逆電
子注入防止膜、31は酸化すず・酸化亜鉛からなる光電
変換膜、32は透明基板、33は透明導電膜、34は導
電性基板、35は白金膜、36は酸化還元性電解液、3
7はスペーサーを示している。
【0042】酸化チタンからなる逆電子注入防止膜30
の作製方法は実施例1と同様である。
【0043】酸化すず・酸化亜鉛光電変換膜31を作製
する塗液は、AlfaAesarの酸化すずコロイド水
溶液(15w%)1.5mlに氷酢酸をスポイトで4滴
加え、さらに酸化亜鉛の粉体(Aldrich、99.
9%)0.3g、トリトンX(スポイトで4滴)、メタ
ノール20mlを加えよく攪拌し調整した。
【0044】この酸化すず・酸化亜鉛懸濁液を、スプレ
ー法を用いて酸化チタンからなる逆電子注入防止膜30
上に塗付し、100℃で30分間予備乾燥した後、酸素
雰囲気中460℃で40分間焼成し、10mm×30m
mの面積で、膜厚15μmの酸化すず・酸化亜鉛光電変
換膜31を作製した。以上の方法で作製された半導体電
極部分は電気的機械的に、表面および各膜間の界面とも
良好な状態を保っている。
【0045】この後は酸化チタンからなる光電変換膜を
酸化すず・酸化亜鉛光電変換膜とよみかえたうえで実施
例1と同様の作製手順により色素増感型太陽電池を作製
することができる。
【0046】上述の方法により、短絡電流値13.4m
A/cm2、開放電圧0.70V、F.F.0.64、
変換効率6.00%の性能を有する色素増感型太陽電池
が得られた。従来の方法により作製した酸化すず・酸化
亜鉛による多孔質半導体電極を用いた色素増感型太陽電
池の特性(短絡電流値13.5mA/cm2、開放電圧
0.63V、F.F.0.62、変換効率5.27%)
と比較し開放電圧の値に向上が見られる。
【0047】(実施例4)酸化チタンからなる逆電子注
入防止膜を含み、キャリア輸送材部が固体である色素増
感型太陽電池の製造方法について図4を用いて以下に説
明する。図4において、40は酸化チタンからなる逆電
子注入防止膜、41は酸化チタンからなる光電変換膜、
42は透明基板、43は透明導電膜、44は導電性基
板、45は白金膜、46はキャリア輸送層を示してい
る。
【0048】酸化チタンからなる逆電子注入防止膜40
および酸化チタンからなる光電変換膜41の作製方法、
色素を酸化チタンからなる逆電子注入防止膜40および
酸化チタンからなる光電変換膜41に吸着させる方法は
実施例1と同様である。
【0049】色素を吸着させ透明基板42上の酸化チタ
ンからなる逆電子注入防止膜40上に作製された酸化チ
タンからなる光電変換膜41に注入するキャリア輸送材
注入液は、アセトニトリルを溶媒として濃度0.3モル
/リットルのヨウ化銅を溶解させて注入液を作製した。
酸化チタンからなる光電変換膜41にこの注入液をしみ
こませ、150℃に保ったホットプレート上において乾
燥させる。この工程を、ヨウ化銅が酸化チタンからなる
光電変換膜41中の空隙をうめ、酸化チタンからなる光
電変換膜41上を厚さ5ミクロン程度で覆うまで繰り返
す。それから窒素雰囲気中で150℃で30分アニール
する。
【0050】こうして作られたヨウ化銅のキャリア輸送
層46上に、白金膜45を蒸着した導電性基板44を、
ヨウ化銅のキャリア輸送層46と白金膜45が密着する
ように押し付けてエポキシ樹脂で固定する。
【0051】上述の方法により、短絡電流値10.2m
A/cm2、開放電圧0.64V、F.F.0.53、
変換効率3.46%の性能を有する色素増感型太陽電池
が得られた。従来の方法により作製した酸化チタンによ
る多孔質半導体電極を用いキャリア輸送材部が固体化さ
れた色素増感型太陽電池の特性(短絡電流値6.25m
A/cm2、開放電圧0.50V、F.F.0.42、
変換効率1.31%)と比較し、開放電圧、F.F.の
値に向上が見られる。
【0052】(実施例5)酸化チタンからなる逆電子注
入防止膜を含み、キャリア輸送材部が固体である色素増
感型太陽電池の別の製造方法について図5を用いて以下
に説明する。図5において、50は酸化チタンからなる
逆電子注入防止膜、51は酸化チタンからなる光電変換
膜、52は透明基板、53は透明導電膜、54は導電性
基板、55は白金膜、56はキャリア輸送層を示してい
る。
【0053】キャリア輸送材としては、式(1)で表さ
れるホール輸送材を用いる。
【0054】
【化1】
【0055】酸化チタンからなる逆電子注入防止膜50
および酸化チタンからなる光電変換膜51の作製方法、
色素を酸化チタンからなる逆電子注入防止膜50および
酸化チタンからなる光電変換膜51に吸着させる方法は
実施例1と同様である。
【0056】色素を吸着させ透明基板52上の酸化チタ
ンからなる逆電子注入防止膜50上に作製された酸化チ
タンからなる光電変換膜51に注入するキャリア輸送材
注入液は、テトラヒドロフランを溶媒として濃度5w%
molの式(1)であらわされるホール輸送材を溶解さ
せて注入液を作製した。酸化チタンからなる光電変換膜
51にこの注入液をしみこませ、100℃に保ったホッ
トプレート上において乾燥させる。この工程を、式
(1)であらわされるホール輸送材が酸化チタンからな
る光電変換膜51中の空隙をうめ、酸化チタンからなる
光電変換膜51上を厚さ5μm程度で覆うまで繰り返
す。それから窒素雰囲気中で120℃30分間のアニー
ルを行った。
【0057】こうして作られたキャリア輸送層56上
に、白金膜55を蒸着した導電性基板54を、キャリア
輸送層56と白金膜55が密着するように押し付けてエ
ポキシ樹脂で固定する。
【0058】上述の方法により、短絡電流値3.43m
A/cm2、開放電圧0.62V、F.F.0.48、
変換効率1.02%の性能を有する色素増感型太陽電池
が得られた。従来の方法により作製した酸化チタンによ
る多孔質半導体電極を用いて作製された色素増感型太陽
電池の特性(短絡電流値2.68mA/cm2、開放電
圧0.50V、F.F.0.38、変換効率0.51
%)と比較し、開放電圧、F.F.の値に向上が見られ
る。
【0059】
【発明の効果】本発明によれば、透明導電膜と多孔質半
導体層の間に形成された逆電子注入防止膜により、透明
導電膜と酸化還元性電解液との接触による開放電圧低下
の少ない、高い変換効率を有する色素増感型太陽電池を
作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における色素増感型太陽電池の層構成を
示す要部の概略図である。
【図2】本発明の第二の実施例における色素増感型太陽
電池の層構成を示す要部の概略図である。
【図3】本発明の第三の実施例における色素増感型太陽
電池の層構成を示す要部の概略図である。
【図4】本発明の第四の実施例における色素増感型太陽
電池の層構成を示す要部の概略図である。
【図5】本発明の第五の実施例における色素増感型太陽
電池の層構成を示す要部の概略図である。
【図6】従来の色素増感型太陽電池の層構成を示す要部
の断面概略図である。
【符号の説明】
10、20、30、40、50…逆電子注入防止膜 11、21、41、51…光電変換膜 31… 酸化すず・酸化亜鉛光電変換膜 12、22、32、42、52… 透明基板 13、23、33、43、53… 透明導電膜 14、24、34、44、54… 導電性基板 15、25、35、45、55… 白金膜 16、26、36… 酸化還元性電解液 46、56… キャリア輸送層 17、27、37… スペーサー 61… 透明支持体 62… 透明導電体 63… 多孔質半導体電極 64… 酸化還元性電解液 65… 対極 66… 白金 67… エポキシ樹脂

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面に透明導電膜が形成された透明基板
    と導電性基板との間に、色素が吸着された半導体層とキ
    ャリア輸送層を有する色素増感型太陽電池において、前
    記半導体層が、逆電子注入防止層と光電変換層により構
    成されていることを特徴とする色素増感型太陽電池。
  2. 【請求項2】 請求項1の色素増感型太陽電池におい
    て、前記光電変換層が金属酸化物半導体により構成され
    ることを特徴とした色素増感型太陽電池。
  3. 【請求項3】 請求項2の色素増感型太陽電池におい
    て、前記光電変換層の表面粗さ係数が100以上300
    0以下であることを特徴とした色素増感型太陽電池。
  4. 【請求項4】 請求項3の色素増感型太陽電池におい
    て、前記光電変換層の膜厚が1μmから50μmである
    ことを特徴とした色素増感型太陽電池。
  5. 【請求項5】 請求項2の色素増感型太陽電池におい
    て、前記逆電子注入防止層が金属酸化物半導体により構
    成されることを特徴とした色素増感型太陽電池。
  6. 【請求項6】 請求項5の色素増感型太陽電池におい
    て、前記逆電子注入防止層の膜厚が1nmから1μmで
    あることを特徴とした色素増感型太陽電池。
  7. 【請求項7】 請求項5の色素増感型太陽電池におい
    て、前記光電変換層が逆電子注入防止層でおおわれてい
    ることを特徴とした色素増感型太陽電池。
  8. 【請求項8】 請求項1乃至7のいずれかの色素増感型
    太陽電池において、前記光電変換層の密度が前記逆電子
    注入防止層より小さく、同一の化学組成からなることを
    特徴とした色素増感型太陽電池。
  9. 【請求項9】 請求項8の色素増感型太陽電池におい
    て、光電変換層と逆電子注入防止層とが酸化チタンから
    なることを特徴とした色素増感型太陽電池。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273984A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Aisin Seiki Co Ltd 光電池デバイス
KR100822304B1 (ko) 2006-10-31 2008-04-16 한국과학기술연구원 높은 결정성을 갖는 차단층을 구비한 염료감응 태양전지의제조 방법
WO2009139310A1 (ja) 2008-05-12 2009-11-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 色素増感型太陽電池およびその製造方法
JP2010020939A (ja) * 2008-07-08 2010-01-28 Toyo Seikan Kaisha Ltd 逆電子防止層形成用コーティング液
WO2010050575A1 (ja) 2008-10-29 2010-05-06 富士フイルム株式会社 色素、これを用いた光電変換素子、光電気化学電池、および色素の製造方法
EP2302650A2 (en) 2009-09-28 2011-03-30 Fujifilm Corporation Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell
EP2306479A2 (en) 2009-09-28 2011-04-06 Fujifilm Corporation Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell
WO2011040102A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 大日本印刷株式会社 色素増感型太陽電池
JP2012038606A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Konica Minolta Business Technologies Inc 光電変換素子及び太陽電池
JP2012059613A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Peccell Technologies Inc 光電変換素子の作製方法、光電変換素子及び光電池
WO2015068317A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 パナソニック株式会社 電気化学デバイス

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273984A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Aisin Seiki Co Ltd 光電池デバイス
KR100822304B1 (ko) 2006-10-31 2008-04-16 한국과학기술연구원 높은 결정성을 갖는 차단층을 구비한 염료감응 태양전지의제조 방법
WO2009139310A1 (ja) 2008-05-12 2009-11-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 色素増感型太陽電池およびその製造方法
JP2010020939A (ja) * 2008-07-08 2010-01-28 Toyo Seikan Kaisha Ltd 逆電子防止層形成用コーティング液
WO2010050575A1 (ja) 2008-10-29 2010-05-06 富士フイルム株式会社 色素、これを用いた光電変換素子、光電気化学電池、および色素の製造方法
EP2845882A2 (en) 2008-10-29 2015-03-11 Fujifilm Corporation Dye, Photoelectric Conversion Element and Photoelectrochemical Cell
EP2306479A2 (en) 2009-09-28 2011-04-06 Fujifilm Corporation Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell
EP2302650A2 (en) 2009-09-28 2011-03-30 Fujifilm Corporation Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell
WO2011040102A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 大日本印刷株式会社 色素増感型太陽電池
JP2011076893A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Dainippon Printing Co Ltd 色素増感型太陽電池
JP2012038606A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Konica Minolta Business Technologies Inc 光電変換素子及び太陽電池
JP2012059613A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Peccell Technologies Inc 光電変換素子の作製方法、光電変換素子及び光電池
WO2015068317A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 パナソニック株式会社 電気化学デバイス
JP5815157B2 (ja) * 2013-11-08 2015-11-17 パナソニック株式会社 電気化学デバイス

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