JP2002144056A - レーザトリミングステージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生産性を低下させず、セラミック基板を傷つ
けることなく、容易に短時間でセラミック基板を載置、
固定することができるレーザトリミングステージを提供
する。 【解決手段】 レーザトリミングにより、セラミック基
板上に抵抗発熱体を形成するか、または、前記セラミッ
ク基板上に形成された抵抗発熱体の抵抗値を調整する
際、前記セラミック基板を載置、固定するレーザトリミ
ングステージであって、前記セラミック基板に設けられ
た貫通孔に嵌合する突起、および、前記セラミック基板
の側面に当接する突起が設けられていることを特徴とす
るレーザトリミングステージ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザトリミング
によりセラミック基板上に抵抗発熱体を形成等する際、
セラミック基板を載置、固定するレーザトリミングステ
ージに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、エッチング装置や化学的気相成長
装置等を含む半導体製造・検査装置等として、ステンレ
ス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用いたヒー
タやウエハプローバ等が用いられてきた。

【０００３】しかし、金属製のヒータは、ヒータ板が厚
いため、ヒータの重量が重く、嵩張る等の問題があり、
さらに、これらに起因して温度追従性にも問題があっ
た。

【０００４】そこで、特開平１１−４０３３０号公報等
には、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい窒化
物セラミックや炭化物セラミックを使用し、これらのセ
ラミックからなる板状体（セラミック基板）の表面に、
金属粒子を焼結して形成した抵抗発熱体を設けてなるセ
ラミックヒータが開示されている。

【０００５】このようなセラミックヒータを製造する際
に、抵抗発熱体を形成する方法としては、以下のような
方法が挙げられる。まず初めに、所定形状のセラミック
基板を製造するが、この後、塗布法で抵抗発熱体を形成
する場合には、続いて、このセラミック基板の表面に、
スクリーン印刷等の方法を用いて発熱体パターンの導体
ペースト層を形成し、加熱、焼成を行うことにより抵抗
発熱体を形成する。

【０００６】また、スパッタリング等の物理的蒸着法や
めっき法を用いて抵抗発熱体を形成する場合には、セラ
ミック基板の所定領域に、これらの方法により金属層を
形成しておき、その後、発熱体パターンの部分を覆うよ
うにエッチングレジストを形成した後、エッチング処理
を施すことにより、所定パターンの抵抗発熱体を形成す
る。

【０００７】初めに、発熱体パターン以外の部分を樹脂
等を被覆しておき、この後、上記処理を施すことによ
り、一度の処理でセラミック基板の表面に所定パターン
の抵抗発熱体を形成することもできる。

【０００８】このようなスクリーン印刷等方法を用いて
抵抗発熱体を形成するが、印刷等により形成された抵抗
発熱体には厚さや幅のばらつきが生じやすく、このため
抵抗値にもばらつきが発生してしまうことが多い。

【０００９】このような抵抗発熱体の抵抗値のばらつき
を解消するため、レーザトリミングにより抵抗発熱体に
溝または切欠を形成して抵抗値の調整を図る方法が行わ
れている。また、セラミック基板上に幅の広い帯状の導
体層を形成した後、この導体層の一部をレーザトリミン
グで削除することにより、所定パターンの抵抗発熱体を
形成する方法も行われている。

【００１０】このようなレーザトリミングを行う際に
は、セラミック基板をレーザトリミングステージに載
置、固定した状態でレーザ光を照射する。

【００１１】従来、セラミック基板をレーザトリミング
ステージに載置、固定する方法としては、例えば、レー
ザトリミングステージ上にセラミック基板の外周に当接
するよう円筒状の固定用枠を設け、セラミック基板をこ
の固定用枠の内側に載置して固定する方法、セラミック
基板をレーザトリミングステージに載置し、数カ所をク
ランプ等で挟むことにより固定する方法等が用いられて
いた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固定用
枠を用いる方法では、セラミック基板を固定用枠に入れ
ることにより容易にセラミック基板を固定することがで
きるものの、セラミック基板の外周と固定用枠の内側と
の間に、隙間が生じてしまう場合が多く、これによりセ
ラミック基板が完全に固定されず、レーザトリミングを
行う際にずれが生じるという問題があった。

【００１３】また、固定用枠が円筒状であるため、セラ
ミック基板の直径を変更する度に、新たに固定用枠およ
び／またはレーザトリミングステージを製造しなければ
ならないため、製造コストが高くつくという問題があっ
た。

【００１４】一方、クランプ等を用いる方法では、セラ
ミック基板とレーザトリミングステージとを強固に固定
することができるものの、セラミック基板に比較的強い
力が加わってしまうため、セラミック基板に傷が付いた
り、破損が発生するという問題があった。

【００１５】また、クランプ等を用いる方法では、セラ
ミック基板を所定の位置に正確に載置してようとすると
時間がかかってしまい、生産性が低下するという問題も
あった。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
問題点に鑑み、生産性を低下させず、セラミック基板を
傷つけることなく、容易に短時間で、セラミック基板を
一定位置に載置、固定することができるレーザトリミン
グステージを得ることを目的に鋭意研究を行った結果、
セラミック基板に設けられた貫通孔を利用し、さらに側
面の一部に当接する簡単な形状の固定用部材を設けるこ
とにより、上記目的に合致するレーザトリミングステー
ジを作製することができることを見出し、本発明を完成
するに至った。

【００１７】すなわち、本発明は、レーザトリミングに
より、セラミック基板上に抵抗発熱体を形成するか、ま
たは、上記セラミック基板上に形成された抵抗発熱体の
抵抗値を調整する際、上記セラミック基板を載置、固定
するレーザトリミングステージであって、上記セラミッ
ク基板に設けられた貫通孔に嵌合する突起、および、上
記セラミック基板の側面に当接する突起が設けられてい
ることを特徴とするレーザトリミングステージである。

【００１８】本発明では、レーザトリミングステージに
設けられた、セラミック基板の貫通孔に嵌合する突起
（以下、嵌合用突起という）、および、上記セラミック
基板の側面に当接する突起（以下、固定用突起という）
により、セラミック基板を載置、固定するので、セラミ
ック基板は嵌合用突起で貫通孔を軸に固定されるととも
に、固定用突起で側面も固定され、これによりセラミッ
ク基板は所定の位置に完全に固定され、ずれ等が生ずる
ことはない。従って、レーザトリミングを行う際、トリ
ミングの位置ずれが生じることがない。

【００１９】また、セラミック基板を固定する際には、
セラミック基板の側面と固定用突起とが当接するよう
に、嵌合用突起をセラミック基板の貫通孔にはめ込むだ
けで固定操作が完了するので、クランプ等により固定す
る方法と比較して、極めて容易に、かつ、短時間で固定
を行うことができる。

【００２０】セラミック基板は嵌合用突起と固定用突起
とにより固定されており、クランプ等を用いる手段と異
なり、セラミック基板に強い力が加わることがないの
で、セラミック基板に傷が付いたり、破損が発生するこ
とがない。

【００２１】また、リフターピンを挿通する目的で形成
された貫通孔を利用して固定しているため、セラミック
基板に、新たにセラミック基板を載置、固定する手段等
を設ける必要が無く、コスト的に有利である。

【００２２】さらに、レーザトリミングステージに固定
用突起を嵌合させるための複数の窪みを設けたり、一部
にネジが形成された嵌合用突起をネジ込むためのネジ孔
を複数形成することにより、上記固定用突起や嵌合用突
起の位置を変更することが可能となり、これにより、直
径の異なるセラミック基板をそれぞれ固定することが可
能となる。

【００２３】その結果、セラミック基板の直径を変更す
る度に、新たに固定用枠および／またはレーザトリミン
グステージを製造する必要がなく、製造コストを抑える
ことができる。

【００２４】なお、本発明のレーザトリミングステージ
には、セラミック基板の中心を軸として上記レーザトリ
ミングステージを回転させるための回転手段が設けられ
ていることが望ましい。円板状のセラミック基板に、円
弧または同心円を基本パターンとする抵抗発熱体を設け
た場合、この円弧または同心円は、中心からの距離ｒと
回転角度θにより表されるため、セラミック基板を回転
軸を中心として回転させることにより、容易にトリミン
グを行うことができるからである。

【００２５】さらに、本発明のレーザトリミングステー
ジには、上記レーザトリミングステージをｘ−ｙ方向に
移動させるための移動手段が設けられていることが望ま
しい。トリミングを行う際、セラミック基板をｘ−ｙ方
向に移動させることにより、より容易にトリミングを行
うことができる場合もあるからである。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態に則して
本発明を説明するが、本発明は、この実施形態に限定さ
れることなく、本発明の効果を損なわない範囲で改変で
きることはいうまでもない。

【００２７】本発明のレーザトリミングステージは、レ
ーザトリミングにより、セラミック基板上に抵抗発熱体
を形成するか、または、上記セラミック基板上に形成さ
れた抵抗発熱体の抵抗値を調整する際、上記セラミック
基板を載置、固定するレーザトリミングステージであっ
て、上記セラミック基板に設けられた貫通孔に嵌合する
突起、および、上記セラミック基板の側面に当接する突
起が設けられていることを特徴とするレーザトリミング
ステージである。

【００２８】図１は、本発明のレーザトリミングステー
ジ１０の一部を模式的に示す斜視図である。このレーザ
トリミングステージ１０では、ステージ上面１０ｃの中
央寄りの部分にセラミック基板１１の貫通孔１４に嵌合
する円柱状の嵌合用突起１０ａが設けられており、外周
部付近には、セラミック基板１１の側面に当接する固定
用突起１０ｂが設けられている。

【００２９】この嵌合用突起１０ａの下部にはネジ溝
（図示せず）が形成されており、ステージ１０ｃ上に形
成されたネジ穴１００ａに固定することができる。嵌合
用突起１０ａの直径は、セラミック基板１１の貫通孔１
４に嵌合することができるよう、セラミック基板１１の
貫通孔１４とほぼ同じ直径となっている。嵌合用突起１
０ａの高さは特に限定されないが、確実に固定するため
２ｍｍ以上あることが望ましい。

【００３０】また、嵌合用突起１０ａを設置するネジ穴
１００ａは、ステージ１０ｃ上に複数個形成されている
ことが望ましい。嵌合用突起１０ａを設置する位置を変
更することができるため、セラミック基板の直径の変更
する場合、容易に対処することができるからである。な
お、嵌合用突起１０ａは、１つとは限らず、セラミック
基板１１に設けられた貫通孔１４の個数以下であれば、
複数個設置することも可能である。

【００３１】嵌合用突起１０ａを構成する材料としては
特に限定されず、例えば、ＳＵＳ等の金属、ポリアミ
ド、ポリスルホン等のエンジニアリングプラスチック、
ポリアセタール、フッ素樹脂、窒化アルミニウム、炭化
珪素、アルミナ等のセラミック等が挙げられる。その中
では、比較的耐熱性に優れ、セラミック基板が傷つきに
くい点から、エンジニアリングプラスチックが好まし
い。

【００３２】また、嵌合用突起１０ａを固定する手段
は、ネジに限らず、セラミック基板１１に窪みを設けて
嵌合用突起１０ａを嵌め込み固定してもよい。

【００３３】固定用突起１０ｂは、図１に示すように、
セラミック基板１１の側面に当接するように、肉厚円筒
の一部をなす形状により構成されており、ステージ１０
ｃに形成された窪み１００ｂに嵌め込むことにより、固
定する。また、突起１０ｂは、単に平板でもよい。セラ
ミック基板１１の半径が大きい場合には、平板であって
も充分に固定が可能である。

【００３４】固定用突起１０ｂを構成する材料としては
特に限定されず、例えば、ＳＵＳ等の金属、ポリアミ
ド、ポリスルホン等のエンジニアリングプラスチック、
ポリアセタール、フッ素樹脂、窒化アルミニウム、炭化
珪素、アルミナ等のセラミック等が挙げられる。その中
では、比較的耐熱性に優れ、セラミック基板が傷つきに
くい点から、エンジニアリングプラスチックが好まし
い。

【００３５】固定用突起１０ｂの長さをＬとすると、Ｌ
は、１〜１０ｃｍが望ましい。Ｌが１ｃｍ未満である
と、レーザトリミングステージ１０にセラミック基板１
１を確実に固定することができず、セラミック基板１１
が固定用突起１０ｂから外れてしまう可能性があり、Ｌ
が１０ｃｍを超えても、固定の効果は変わらず、嵩張っ
てしまうため、コスト的に不利になる。

【００３６】固定用突起１０ｂの厚さは特に限定されな
いが、１〜１０ｍｍが望ましい。１ｍｍ未満であれば、
セラミック基板１１を載置、固定した際、レーザトリミ
ング等の作業中の振動等により、固定用突起１０ｂが変
形や破損が発生する可能性があり、１０ｍｍを超える
と、嵩張ってしまい、レーザトリミングステージ１０の
重量が重くなるからである。

【００３７】固定用突起１０ｂのステージ１０ｃ上から
突出する高さは特に限定されないが、２ｍｍ以上が望ま
しい。２ｍｍ未満であると、レーザトリミング等の作業
中の振動により等により、セラミック基板１１から固定
用突起１０ｂが外れてしまう可能性があるからである。

【００３８】窪み１００ｂの深さは、２ｍｍ以上が望ま
しく、１０ｍｍ以上がより望ましい。２ｍｍ未満である
と、セラミック基板１１を載置、固定した際、レーザト
リミング等の作業中の振動等により、固定用突起１０ｂ
が窪み１００ｂから外れてしまう可能性がある。

【００３９】固定用突起１０ｂは、１つとは限らず、複
数個設けることも可能である。また、図１では、固定用
突起は、肉厚円筒の一部をなす形状により構成されてい
るが、上記固定用突起は、セラミック基板の側面に当接
する部分が該側面と同じ形状であれば、特にその形状は
特定されない。

【００４０】ステージ１０ｃの大きさは、嵌合用突起１
０ａおよび固定用突起１０ｂを設け、セラミック基板を
載置、固定することができる大きさであればよい。

【００４１】ステージ１０ｃを構成する材料としては特
に限定されず、例えば、ＳＵＳ等の金属、ポリアミド、
ポリスルホン等のエンジニアリングプラスチック、ポリ
アセタール、フッ素樹脂、窒化アルミニウム、炭化珪
素、アルミナ等のセラミック等が挙げられる。その中で
は、耐熱性および機械的特性に優れる点から、金属また
はセラミックが好ましい。

【００４２】ステージ１０ｃの厚さは、セラミック基板
を載置した際に、破損等が発生しない程度の厚さであれ
ばよく、特に限定されない。

【００４３】ステージ１０ｃの形状は、例えば、図１に
示す円板状、図３に示す直方体形状（板状体形状）等が
挙げられる。ただし、ステージ１０ｃの形状は、これら
に限定されず、嵌合用突起１０ａおよび固定用突起１０
ｂを設け、セラミック基板を載置、固定することができ
る形状であればよい。なお、このステージ１０ｃ、３０
ｃには、吸引用貫通孔１１０、３１０が複数個形成され
ていることが望ましい。セラミック基板１１がステージ
１０ｃ、３０ｃに載置された際、この吸引用貫通孔１１
０、３１０から空気を吸引することにより、セラミック
基板１１をより確実に固定するためである。

【００４４】上記レーザトリミングステージには、セラ
ミック基板の中心を軸として上記レーザトリミングステ
ージを回転させるための回転手段が設けられていること
が望ましい。円板状のセラミック基板に、円弧または同
心円を基本パターンとする抵抗発熱体を設けた場合、こ
の円弧または同心円は、中心からの距離ｒと回転角度θ
により表されるため、セラミック基板を回転軸を中心と
して回転させることにより、容易にトリミングを行うこ
とができるからである。

【００４５】また、上記レーザトリミングステージに
は、上記レーザトリミングステージをｘ−ｙ方向に移動
させるための移動手段が設けられていることが望まし
い。トリミングを行う際、セラミック基板をｘ−ｙ方向
に移動させることにより、より容易にトリミングを行う
ことができる場合もあるからである。これらの回転手段
や移動手段は、モータ等を構成部材とすることにより、
作製することができる。例えば、ベルトとモータを組み
合わせることにより、セラミック基板を回転させたり、
ｘ−ｙ方向に移動させることができる。

【００４６】本発明のレーザトリミングステージでは、
セラミック基板を該レーザトリミングステージ上に固定
する際、嵌合用突起をセラミック基板の貫通孔に嵌め込
むことことにより、セラミック基板を貫通孔を軸に固定
し、さらに、固定用突起でセラミック基板の側面を固定
することにより、セラミック基板を所定の位置に完全に
固定することができる。従って、レーザトリミングの際
に、セラミック基板にずれ等が生ずることはない。

【００４７】また、セラミック基板を固定する際、セラ
ミック基板の側面と固定用突起とが当接するように、嵌
合用突起をセラミック基板の貫通孔にはめ込むだけで固
定操作が完了するので、極めて容易に、かつ、短時間で
固定を行うことができる。

【００４８】また、固定の際、セラミック基板に強い力
が加わることがないので、セラミック基板に傷が付いた
り、破損が発生することがない。また、リフターピン挿
通用の貫通孔を利用しているため、セラミック基板に、
新たにセラミック基板を載置、固定する手段等を設ける
必要が無く、コスト的に有利である。

【００４９】さらに、レーザトリミングステージに固定
用突起を嵌合させるための複数の窪みを設けたり、一部
にネジが形成された嵌合用突起をネジ込むためのネジ孔
を複数形成することにより、上記固定用突起や嵌合用突
起の位置を変更することが可能となり、これにより、直
径の異なるセラミック基板をそれぞれ固定することが可
能となる。

【００５０】次に、上記レーザトリミングステージを含
むレーザトリミング装置について説明する。図２は、図
１に示したレーザトリミングステージ１０を含むレーザ
トリミング装置の概要を示すブロック図である。

【００５１】図２に示すように、レーザトリミング装置
は、レーザトリミングステージ１０、レーザ光２２を照
射するレーザ照射装置２５、導体層１２ｍを撮影するカ
メラ２１、抵抗発熱体パターンおよび／またはトリミン
グのデータを記憶する記憶部１８、レーザ光２２を偏向
するガルバノミラー１５、上記データを入力する入力部
２０、上記データを演算する演算部１９およびガルバノ
ミラー１５を制御する制御部１７から構成されており、
このレーザトリミング装置を用いてレーザトリミングを
行うことにより、セラミック基板１１上に抵抗発熱体１
２を形成するか、または、セラミック基板１１上に形成
された抵抗発熱体１２の抵抗値を調整することができ
る。

【００５２】このステージ１０ｃの上方には、ガルバノ
ミラー１５が設けられているが、このガルバノミラー１
５は、モータ１６によりｘ方向を軸としてｙ方向に角度
を変更することができるようになっており、同じくステ
ージ１０ｃの上方に配置されたレーザ照射装置２５から
照射されたレーザ光２２が、このガルバノミラー１５に
当たって、反射し、セラミック基板１１を照射するよう
に構成されている。

【００５３】また、モータ１６およびレーザ照射装置２
５は、制御部１７に接続されており、制御部１７からの
信号でモータ１６、レーザ照射装置２５を駆動させるこ
とで、ガルバノミラー１５をｘ方向を軸として所定の角
度回転させることができる。また、制御部１７からの信
号でステージ１０ｃに設けられた回転手段（図示せず）
を駆動させることにより、ステージ１０ｃをθ方向へ回
転させることができる。

【００５４】このようなガルバノミラー１５のｘ方向を
軸とした回転、および、ステージ１０ｃのθ方向につい
ての回転により、セラミック基板１１上のレーザ照射位
置を自由に設定することができるようになっている。な
お、ステージ１０ｃは、θ方向についての回転だけでは
なく、ｘ−ｙ方向への移動も可能である。

【００５５】このように、セラミック基板１１を載置し
たステージ１０ｃおよび／またはガルバノミラー１５を
動かすことにより、セラミック基板１１上の任意の位置
にレーザ光２２を照射することができる。

【００５６】一方、ステージ１０ｃの上方には、カメラ
２１も設置されており、これにより、セラミック基板１
１の位置（ｘ、ｙまたはｒ、θ）を認識することができ
るようになっている。このカメラ２１は、記憶部１８に
接続され、これによりセラミック基板１１の導体層１２
ｍの位置（ｘ、ｙまたはｒ、θ）等を認識し、その位置
にレーザ光２２を照射する。

【００５７】また、入力部２０は、記憶部１８に接続さ
れるとともに、端末としてキーボード等（図示せず）を
有しており、記憶部１８やキーボード等を介して、所定
の指示等が入力されるようになっている。

【００５８】さらに、このレーザトリミング装置は、演
算部１９を備えており、カメラ２１により認識されたセ
ラミック基板１１の位置や厚さ等のデータに基づいて、
レーザ光２２の照射位置、照射速度、レーザ光の強度等
を制御するための演算を行い、この演算結果に基づいて
制御部１７からモータ１６、レーザ照射装置２５等に指
示を出し、ガルバノミラー１５を回転させるか、また
は、ステージ１０ｃを移動または回転させながらレーザ
光２２を照射し、導体層１２ｍの不要部分のトリミング
を行い、抵抗発熱体を形成する。

【００５９】また、このレーザトリミング装置は、必要
に応じて抵抗測定部２３を有していても良い。抵抗測定
部２３は、複数のテスターピン２４を備えており、抵抗
発熱体１２を複数の区画に区分し、各区画毎にテスター
ピン２４を接触させて、形成された抵抗発熱体パターン
の抵抗値を測定し、レーザ光２２を該当する区画に照射
して溝や切欠を形成することにより、抵抗発熱体１２の
厚みと幅の調整などを行い、所望の抵抗値を有する抵抗
発熱体１２を得ることができる。

【００６０】次に、このようなレーザトリミング装置を
用いたトリミング方法について具体的に説明する。本発
明では、このレーザトリミング装置を用いてレーザトリ
ミングを行うことにより、セラミック基板１１上に抵抗
発熱体１２を形成するか、または、セラミック基板１１
上に形成された抵抗発熱体１２の抵抗値を調整する。

【００６１】従って、最初にレーザトリミングの対象と
なる幅広い帯状の導体層を有するセラミック基板、また
は、抵抗値のばらつきのある抵抗発熱体を有するセラミ
ック基板を製造する。以下では、幅広い帯状の導体層の
不要部分を削除して、抵抗発熱体を形成する方法につい
て、主に説明する。

【００６２】まず、セラミック粉末と樹脂とからなる生
成形体を作製する。この生成形体の作製方法としては、
セラミック粉末と樹脂とを含む顆粒を製造した後、これ
を金型等に投入してプレス圧をかけることにより作製す
る方法と、グリーンシートを積層圧着することにより作
製する方法とがあり、内部に静電電極等の他の導体層を
形成するか否か等により、より適切な方法を選択する。
この後、生成形体の脱脂、焼成を行うことにより、セラ
ミック基板１１を製造する。この後、必要により、セラ
ミック基板にリフターピンを挿通するための貫通孔１４
の形成、測温素子を埋設するための有底孔１３の形成等
を行う。なお、上記方法により製造されるセラミック基
板１１の材料やその特性等については、後で詳しく説明
する。

【００６３】次に、このセラミック基板１１上に、抵抗
発熱体１２となる部分を含む広い領域に、スクリーン印
刷等により図２に示した円環状（帯状）の導体ペースト
層を形成し、焼成することにより導体層１２ｍとする。
めっき法やスパッタリング等の物理蒸着法を用いて導体
層１２ｍを形成してもよい。めっきの場合には、めっき
レジストを形成することにより、スパッタリング等の場
合には、選択的なエッチングを行うことにより、所定領
域に導体層１２ｍを形成することができる。また、導体
層１２ｍは、その一部が抵抗発熱体パターンとして形成
されていてもよい。

【００６４】図１に示すように、ステージ１０ｃには、
リフターピンを挿入する貫通孔１４に嵌合する嵌合用突
起１０ａとセラミック基板１１の側面と当接する固定用
突起１０ｂとがあり、これらの突起を用いて、セラミッ
ク基板１１をステージ１０ｃ上に固定する。

【００６５】あらかじめ、抵抗発熱体パターンのデータ
を入力部２０から入力し、記憶部１９に格納する。すな
わち、トリミングにより形成しようとする抵抗発熱体パ
ターンのデータを記憶しておくのである。抵抗発熱体パ
ターンデータとは、面状（いわゆるベタ状または円環
状）に印刷された導体層１２ｍをトリミングして抵抗発
熱体パターンを形成するために使用されるデータであ
る。

【００６６】次に、固定されたセラミック基板１１をカ
メラ２１で撮影することにより、導体層１２ｍの形成位
置が記憶部１８に記憶される。この導体層１２ｍの位置
のデータに基づいて、演算部１９で演算が行われ、その
結果が制御データとして記憶部１８に記憶される。

【００６７】そして、この演算結果に基づいて、制御部
１７から制御信号を発生させ、ガルバノミラー１５のモ
ータ１６、および／または、ステージ１０ｃの回転手段
および／または移動手段を駆動させながら、レーザ光２
２を照射することにより、導体層１２ｍの不必要な部分
をトリミングし、抵抗発熱体１２を形成する。

【００６８】このようにして導体層等の不要部分を除去
する際に、レーザ光照射により導体層等のトリミングす
べき部分はトリミングするものの、その下に存在するセ
ラミック基板には、レーザ光照射により大きな影響を与
えないことが重要になる。

【００６９】従って、レーザ光は、導体層等を構成する
金属粒子等には良好に吸収され、一方、セラミック基板
に吸収されにくいものを選定する必要がある。このよう
なレーザの種類としては、例えば、ＹＡＧレーザ、炭酸
ガスレーザ、エキシマ（ＫｒＦ）レーザ、ＵＶ（紫外
線）レーザ等が挙げられる。これらのなかでは、ＹＡＧ
レーザ、エキシマ（ＫｒＦ）レーザが最適である。

【００７０】ＹＡＧレーザとしては、日本電気社製のＳ
Ｌ４３２Ｈ、ＳＬ４３６Ｇ、ＳＬ４３２ＧＴ、ＳＬ４１
１Ｂなどを採用することができる。レーザはパルス光で
あることが望ましい。極めて短い時間に大きなエネルギ
ーを抵抗発熱体に照射することができ、セラミック基板
に対するダメージを小さくすることができるからであ
る。パルスは、１ｋＨｚ以下が望ましい。１ｋＨｚを超
えると、レーザのファーストパルスのエネルギーが高く
なり、過剰にトリミングされてしまうからである。

【００７１】また、加工スピードは、１００ｍｍ／秒以
下が望ましい。１００ｍｍ／秒を超えると、周波数を高
くしないかぎり、溝を形成することができないからであ
る。前述のように、周波数は１ｋＨｚ以下を上限とする
ため、１００ｍｍ／秒以下が望ましい。

【００７２】なお、レーザの出力は０．３Ｗ以上が望ま
しい。０．３Ｗ未満であれば、抵抗発熱体のパターンを
形成するために除去すべき導体層を完全にトリミングで
きない可能性があるからである。

【００７３】トリミングは、上述したように、抵抗発熱
体ペーストを印刷した後焼成して導体層を形成し、その
後に実施することが望ましい。焼成により抵抗値が変動
したり、ペーストがレーザ光の照射に起因して剥離する
ことがあるからである。また、導体ペーストを円環状
（いわゆるベタ状）に印刷し、トリミングによりパター
ン化する方法をとることで、均一な厚さの発熱体パター
ンを得ることができる。最初から発熱体パターン状に印
刷しようとすると、印刷方向により厚さのばらつきが発
生するため、均一な厚さの抵抗発熱体を形成することが
困難になる。

【００７４】上記説明では、レーザ光の照射により抵抗
発熱体を形成する方法について説明したが、セラミック
基板上に所定パターンの抵抗発熱体を形成した後、トリ
ミングにより抵抗発熱体の抵抗値を調整するために本装
置を使用してもよい。この場合には、抵抗発熱体の電流
が流れる方向に概ね平行に溝を形成し、その抵抗値を調
整する。抵抗発熱体の電流が流れる方向に、ほぼ垂直に
切欠を形成して抵抗を調整してもよい。この場合には、
上述したテスターピンを用い、抵抗発熱体の多数の領域
に分割してその抵抗値を測定し、抵抗値が平均より低い
ものについて、トリミングによりその抵抗値を調整す
る。

【００７５】次に、上記レーザトリミング装置によるト
リミングの対象となるセラミック基板１１について説明
する。図４は、レーザトリミングにより抵抗発熱体１２
が形成されたセラミック基板１１を模式的に示す底面図
である。円板状に形成されたセラミック基板１１の加熱
面の反対側である底面に、円弧を基本にしたパターンお
よび同心円を基本にしたパターンからなる抵抗発熱体１
２が形成されている。

【００７６】また、抵抗発熱体１２の非形成領域となる
位置に貫通孔１４が設けられている。この貫通孔１４
は、セラミック基板１１をセラミックヒータとして用い
ている際、リフターピン（図示せず）を挿通し、リフタ
ーピンでシリコンウエハ等の被加熱物を保持することに
より、セラミック基板１１より一定の距離離間させた状
態で被加熱物を加熱することに利用することができる。
また、この貫通孔１４に挿通したリフターピンを上下さ
せることにより、搬送機からシリコンウエハ等の被加熱
物を受け取ったり、被加熱物をセラミック基板１１上に
載置したり、被加熱物を支持したまま加熱したりするこ
とができる。

【００７７】また、レーザトリミングにより抵抗発熱体
１２を形成したり、抵抗値を調整する際には、嵌合用突
起１０ａをセラミック基板１１の貫通孔１４に嵌め込
み、セラミック基板１１をステージ１０ｃに載置、固定
させることができる。

【００７８】セラミック基板１１の底面の発熱体が形成
されない領域には、有底孔１３が形成されており、この
有底孔１３には、熱電対等の測温素子（図示せず）が挿
入され、セラミック基板１１の加熱面に近い部分の温度
を測定することができるようになっている。

【００７９】このセラミック基板に抵抗発熱体のみが形
成されている場合には、このセラミック基板は、セラミ
ックヒータとして機能する。また、セラミック基板内部
の半導体ウエハを載置等する面に近い場所に静電電極が
形成されている場合には、このセラミック基板は静電チ
ャックとして機能する。さらに、半導体ウエハを載置等
する面にチャックトップ導体層が形成され、セラミック
基板の内部にガード電極およびグランド電極が形成され
た場合には、このセラミック基板は、ウエハプローバ用
のチャックトップ板として機能する。このように、上記
セラミック基板は、セラミックヒータ、静電チャック、
ウエハプローバ等、半導体製造・検査装置用のセラミッ
ク基板として用いることができる。

【００８０】セラミック基板１１は、円板状であること
が望ましい。セラミックヒータ等として使用する際、加
熱面の温度が均一になりやすい形状であるからである。
また、セラミック基板１１の直径は、２００ｍｍ以上が
望ましい。半導体ウエハの大型化に対処することができ
るからである。なお、セラミック基板１１の直径は、３
００ｍｍ以上であることが、さらに望ましい。次世代の
半導体ウエハに対処するためである。

【００８１】セラミック基板１１の厚さは、２５ｍｍ以
下であることが望ましい。セラミック基板１１の厚さが
２５ｍｍを超えると、セラミックヒータ等として使用す
る際、温度追従性が低下するからである。また、その厚
さは、１．５ｍｍを超え５ｍｍ以下であることがより望
ましい。５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくな
り、加熱の効率が低下する傾向が生じ、一方、１．５ｍ
ｍ以下であると、セラミック基板１１中を伝搬する熱が
充分に拡散しないため加熱面に温度ばらつきが発生する
ことがあり、また、セラミック基板１１の強度が低下し
て破損する場合があるからである。

【００８２】セラミック基板１１の材料として、例え
ば、窒化物セラミック、炭化物セラミックおよび酸化物
セラミック等を挙げることができる。これらのなかで
は、窒化物セラミックや炭化物セラミックが好ましい。
熱伝導特性に優れるからである。

【００８３】上記窒化物セラミックとしては、例えば、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタ
ン等が挙げられる。また、上記炭化物セラミックとして
は、炭化珪素、炭化チタン、炭化硼素等が挙げられる。
さらに、上記酸化物セラミックとしては、アルミナ、コ
ージェライト、ムライト、シリカ、ベリリア等が挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用
してもよい。これらのなかでは、窒化アルミニウムが最
も好ましい。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いか
らである。

【００８４】ただし、セラミック基板１１は、レーザ光
が吸収されにくい材質のものが好ましく、例えば、窒化
アルミニウム基板の場合には、炭素含有量が５０００ｐ
ｐｍ以下の炭素含有量が少ないものが好ましい。また、
表面を研磨して表面の面粗度をＪＩＳ Ｂ ０６０１
Ｒａで２０μｍ以下にすることが望ましい。面粗度が大
きい場合は、レーザ光を吸収してしまうからである。ま
た必要に応じて、抵抗発熱体とセラミック基板の間に絶
縁層を設けてもよい。例えば、非酸化物系セラミックの
場合は、表面に酸化物セラミックからなる絶縁層を形成
しておいてもよい。

【００８５】このようなセラミック基板上に形成される
抵抗発熱体１２のパターンは、図４に示すように、円弧
および／または同心円を基本としたパターンから構成さ
れていることが望ましい。

【００８６】このようなパターンの大部分はセラミック
基板１１の中心からの距離ｒと回転角θとで表すことが
でき、レーザによりトリミングを行う際には、回転手段
であるサーボモータ（図示せず）等を用い、セラミック
基板１１をセラミック基板１１の中心Ａを軸として回転
させることにより行うことができる。その結果、レーザ
の照射位置と照射距離を、中心からの距離ｒと回転距離
（回転角θ）とで、容易に設定することが可能となる。

【００８７】従って、位置設定のためのシステムおよび
プログラムを単純化することが可能となり、容易にかつ
正確に求められる抵抗発熱体のパターンを形成すること
ができるとともに、抵抗発熱体の抵抗値の調整を行うこ
とができる。

【００８８】ただし、全ての抵抗発熱体が、このような
パターンから構成されている必要はない。屈曲線の繰り
返しにより形成されるパターン、または、渦巻き状のパ
ターンであってもよく、それらのパターンを併用しても
よい。

【００８９】抵抗発熱体１２の厚さは、１〜３０μｍが
好ましく、１〜１０μｍがより好ましい。また、抵抗発
熱体１２の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１
〜５ｍｍがより好ましい。抵抗発熱体１２は、その幅や
厚さにより抵抗値に変化を持たせることができるが、上
記した範囲が最も実用的である。

【００９０】抵抗発熱体１２は、断面形状が矩形であっ
ても楕円であってもよいが、偏平であることが望まし
い。偏平の方が加熱面に向かって放熱しやすいため、加
熱面の温度分布ができにくいからである。断面のアスペ
クト比（抵抗発熱体の幅／抵抗発熱体の厚さ）は、１０
〜５０００であることが望ましい。この範囲に調整する
ことにより、抵抗発熱体１２の抵抗値を大きくすること
ができるとともに、加熱面の温度の均一性を確保するこ
とができるからである。

【００９１】抵抗発熱体１２の厚さを一定とした場合、
アスペクト比が上記範囲より小さいと、セラミック基板
１１の加熱面方向への熱の伝搬量が小さくなり、抵抗発
熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生し
てしまい、逆にアスペクト比が大きすぎると抵抗発熱体
１２の中央の直上部分が高温となってしまい、結局、抵
抗発熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に発
生してしまう。従って、温度分布を考慮すると、断面の
アスペクト比は、１０〜５０００であることが好ましい
のである。

【００９２】抵抗発熱体１２の抵抗値のばらつきに関
し、平均抵抗値に対する抵抗値のばらつきは５％以下が
望ましく、１％がより望ましい。抵抗発熱体の分割数を
減らすことができ温度を制御しやすくすることができる
からである。さらに、昇温の過渡時の加熱面の温度を均
一にすることが可能となる。

【００９３】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するための金属粒子または導電性セ
ラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤な
どを含むものが好ましい。

【００９４】上記金属粒子としては、例えば、貴金属
（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モ
リブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金
属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を
有するからである。上記導電性セラミックとしては、例
えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用
してもよい。

【００９５】これら金属粒子または導電性セラミック粒
子の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μ
ｍ未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００
μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくな
るからである。

【００９６】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン
片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を
保持しやすくなり、抵抗発熱体と窒化物セラミック等と
の密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることが
できるため有利である。

【００９７】導体ペーストに使用される樹脂としては、
例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ
る。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコ
ールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースな
どが挙げられる。

【００９８】導体ペーストには、金属粒子に金属酸化物
を添加し、抵抗発熱体と金属粒子および金属酸化物とを
焼結させたものとすることが望ましい。このように、金
属酸化物を金属粒子とともに焼結させることにより、セ
ラミック基板である窒化物セラミック等と金属粒子とを
より密着させることができる。

【００９９】金属酸化物を混合することにより、窒化物
セラミック等との密着性が改善される理由は明確ではな
いが、金属粒子表面や窒化物セラミック等の表面は、わ
ずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜
同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子
と窒化物セラミック等とが密着するのではないかと考え
られる。また、セラミック基板を構成するセラミックが
酸化物セラミックの場合は、当然に表面が酸化物からな
るので、密着性に優れた導体層が形成される。

【０１００】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、抵抗
発熱体１２の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と
窒化物セラミック等との密着性を改善することができる
からである。

【０１０１】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホ
ウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１
〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０で
あって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されていることが望ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミッ
ク等との密着性を改善することができる。

【０１０２】上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量
は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。ま
た、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱
体１２を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□
が好ましい。

【０１０３】面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印
加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、セラミッ
ク基板の表面に抵抗発熱体１２を設けたセラミック基板
１１では、その発熱量を制御しにくいからである。な
お、金属酸化物の添加量が１０重量％以上であると、面
積抵抗率が５０ｍΩ／□を超えてしまい、発熱量が大き
くなりすぎて温度制御が難しくなり、温度分布の均一性
が低下する。また、必要に応じて面積抵抗率を５０ｍΩ
／□〜１０Ω／□にすることができる。面積抵抗率を大
きくすると、パターンを幅を広くすることができるた
め、断線の問題がない。

【０１０４】また、抵抗発熱体１１の表面部分には、金
属被覆層（図示せず）が形成されていることが望まし
い。内部の金属焼結体が酸化されて抵抗値が変化するの
を防止するためである。形成する金属被覆層の厚さは、
０．１〜１０μｍが好ましい。

【０１０５】金属被覆層を形成する際に使用される金属
は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体
的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが
好ましい。

【０１０６】抵抗発熱体１２には、電源と接続するため
の端子が必要であり、この端子は、半田を介して抵抗発
熱体に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を防止
するからである。接続端子としては、例えば、コバール
製のものが挙げられる。

【０１０７】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるもの
ではない。

【０１０８】（実施例１）本実施例では、図４に示す抵
抗発熱体パターンを有するセラミックヒータを製造し
た。 (1) まず、窒化アルミニウム粉末（平均粒径：１．１μ
ｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μ
ｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量部およびアル
コールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状
の粉末を作製した。

【０１０９】(2) 次に、この顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。 (3) 次に、この生成形体を１８００℃、圧力：２０ＭＰ
ａでホットプレスし、厚さがほぼ３ｍｍの窒化アルミニ
ウム板状体を得た。次に、この板状体から直径２１０ｍ
ｍの円板体を切り出し、セラミック製の板状体（セラミ
ック基板１１）とした。このセラミック基板にドリル加
工を施し、半導体ウエハのリフターピン（図示せず）を
挿入する貫通孔１４、熱電対を埋め込むための有底孔１
３（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。

【０１１０】(4) 上記(3) で得たセラミック基板１１
に、スクリーン印刷にて導体ペースト層を形成した。印
刷パターンは、図４の抵抗発熱体１２の各回路を含むよ
うに面状に塗布された所定幅を有する同心円形状（円環
形状）のパターンであった。上記導体ペーストとして
は、プリント配線板のスルーホール形成に使用されてい
る徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用し
た。この導体ペーストは、銀−鉛ペーストであり、銀１
００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛
（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素
（２５重量％）およびアルミナ（５重量％）からなる金
属酸化物を７．５重量部含むものであった。また、銀粒
子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片状のものであっ
た。 (5) さらに、発熱体パターンの導体ペースト層を形成し
た後、セラミック基板１１を７８０℃で加熱、焼成し
て、導体ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにセラ
ミック基板１１に焼き付けた。

【０１１１】(6) 次に、セラミック基板１１をレーザト
リミングステージ１０に載置、固定し、波長が１０６０
ｎｍのＹＡＧレーザ（日本電気社製 Ｓ１４３ＡＬ 出
力５Ｗ、パルス周波数 ０．１〜４０ｋＨｚ）を用いて
トリミングを行った。この装置は、レーザトリミングス
テージ１０、ガルバノミラー、ＣＣＤカメラ、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザを備え、また、レーザトリミングステージ１
０とガルバノミラーを制御するコントローラを内蔵して
いる。このコントローラは、コンピュータ（日本電気社
製 ＦＣ−９８２１）に接続されている。また、上記コ
ンピュータは、演算部と記憶部を兼ねるＣＰＵを有して
いるとともに、記憶部と入力部を兼ねるハードディスク
と３．５インチＦＤドライブを有している。

【０１１２】そして、レーザトリミングステージ１０
は、固定されたセラミック基板１１の中心軸Ａを中心と
して任意の角度θだけ回転する回転手段、および、ｘ−
ｙ方向に移動する移動手段を設け、嵌合用突起１０ａを
１個、および、固定用突起１０ｂを１個を円板状のステ
ージ１０ｃに設けて構成した。

【０１１３】嵌合用突起１０ａ、固定用突起１０ｂ、ス
テージ１０ｃは、ポリアセタールを下記の形状に加工す
ることにより作製した。嵌合用突起１０ａは、直径５ｍ
ｍ、高さ８ｍｍの円柱状とし下部にネジ溝を形成した。
固定用突起１０ｂは、厚さ８ｍｍ、ステージ上に突出す
る高さ３ｍｍ、固定用突起１０ｂの長さＬが３０ｍｍで
ある肉厚円筒の一部となるよう形成した。また、ステー
ジ１０ｃは、直径３００ｍｍの円板状とした。なお、ス
テージ１０ｃには、ネジ穴１００ａを設けて嵌合用突起
１０ａを固定し、また、深さ１０ｍｍの窪み１００ｂを
設けて固定用突起１０ｂを嵌め込み固定した。

【０１１４】次に、上記コンピュータにＦＤドライブか
ら発熱体パターンデータを入力し、さらに、導体層の位
置を読み取って（読み取りは、導体層の特定箇所または
セラミック基板に形成されたマーカを基準にする）、必
要な制御データを演算し、セラミック基板１１を回転さ
せながら、導体ペースト層の発熱体パターン形成予定領
域以外の部分にレーザ光を照射し、その部分の導体ペー
スト層を除去し、図４に示す抵抗発熱体１２を形成し
た。銀−鉛の抵抗発熱体は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍ
ｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。

【０１１５】(7) 硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸
ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほ
う酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶
液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記(6) で作製し
たセラミック基板１１を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体１
２の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）を析
出させた。

【０１１６】(8) 電源との接続を確保するための外部端
子（図示せず）を取り付ける部分に、スクリーン印刷に
より、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属社製）を印刷し
て半田層（図示せず）を形成した。次いで、半田層の上
にコバール製の外部端子を載置して、４２０℃で加熱リ
フローし、外部端子を抵抗発熱体１２の表面に取り付け
た。

【０１１７】(9) 温度制御のための熱電対をポリイミド
で封止し、セラミックヒータの製造を終了した。

【０１１８】(1) 〜(9) の製造工程において、レーザト
リミングにより抵抗発熱体を形成する際、容易に短時間
でセラミック基板をレーザトリミングステージに載置、
固定することができた。また、(1) 〜(9) の製造工程を
経て得られたセラミックヒータには、傷や欠けがなく、
通電を行っても短絡は発生しなかった。

【０１１９】短絡が発生しなかったのは、レーザトリミ
ングにより抵抗発熱体を形成する際、レーザトリミング
ステージに載置、固定したセラミック基板に、ずれが生
じなかったためであると考えられる。

【０１２０】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明のレーザ
トリミングステージは、嵌合用突起および固定用突起の
みでセラミック基板を固定するため、セラミック基板の
位置合わせを容易に、短時間で行うことができる。ま
た、本発明のレーザトリミングステージにより、セラミ
ック基板を載置、固定すると、ずれが生じることがない
ので、レーザトリミングにより、正確なパターンの抵抗
発熱体を形成することができ、また、抵抗発熱体を断線
等させることなく、抵抗値の調整を行うことができる。
さらに、セラミック基板の固定や取り外しの際、強い力
が加わることがないので、セラミック基板を傷つけるこ
となく、トリミング処理を行うことができる。また、本
発明のレーザトリミングステージは、嵌合用突起および
／または固定用突起の位置を変更することにより、異な
る大きさのセラミック基板も容易に固定することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のレーザトリミングステージの一例を模
式的に示す斜視図である。

【図２】本発明のセラミックヒータの製造に用いるレー
ザトリミング装置の概要を示すブロック図である。

【図３】本発明のレーザトリミングステージの一例を模
式的に示す斜視図である。

【図４】本発明のレーザトリミングステージに、セラミ
ック基板を載置、固定し、レーザトリミングを行い製造
した、セラミックヒータを底面側から見た平面図であ
る。

【符号の説明】

１０、３０ レーザトリミングステージ １０ａ、３０ａ 嵌合用突起 １００ａ、３００ａ ネジ穴 １０ｂ、３０ｂ 固定用突起 １００ｂ、３００ｂ 窪み １０ｃ、３０ｃ ステージ １１ セラミック基板 １２ 抵抗発熱体 １２ｍ 導体層 １３ 有底孔 １４ 貫通孔 １５ ガルバノミラー １６ モータ １７ 制御部 １８ 記憶部 １９ 演算部 ２０ 入力部 ２１ カメラ ２２ レーザ光 ２３ 抵抗測定部 ２４ テスターピン ２５ レーザ照射装置

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザトリミングにより、セラミック基
   板上に抵抗発熱体を形成するか、または、前記セラミッ
   ク基板上に形成された抵抗発熱体の抵抗値を調整する
   際、前記セラミック基板を載置、固定するレーザトリミ
   ングステージであって、前記セラミック基板に設けられ
   た貫通孔に嵌合する突起、および、前記セラミック基板
   の側面に当接する突起が設けられていることを特徴とす
   るレーザトリミングステージ。
2. 【請求項２】 前記レーザトリミングステージには、前
   記セラミック基板の中心を軸として回転させるための回
   転手段が設けられてなる請求項１に記載のレーザトリミ
   ングステージ。
3. 【請求項３】 前記レーザトリミングステージには、ｘ
   −ｙ方向に移動させるための移動手段が設けられてなる
   請求項１または２に記載のレーザトリミングステージ。