JP2002141265A - ホトレジスト除去液 - Google Patents
ホトレジスト除去液Info
- Publication number
- JP2002141265A JP2002141265A JP2000332942A JP2000332942A JP2002141265A JP 2002141265 A JP2002141265 A JP 2002141265A JP 2000332942 A JP2000332942 A JP 2000332942A JP 2000332942 A JP2000332942 A JP 2000332942A JP 2002141265 A JP2002141265 A JP 2002141265A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- substrate
- edge
- methoxy
- propanol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で、洗浄除去能力に優れ、人体に対する
安全性が高く、また基板周縁部をエッジリンス処理した
後のホトレジスト端縁部の盛り上がり現象や裾引き現象
を抑制し得る、基板端縁部のホトレジストの除去に用い
られる除去液を提供する。 【解決手段】 基板端縁部に付着した不要なホトレジス
トを除去するための除去液であって、１−メトキシ−２
−プロパノールと３−メトキシ−１−プロパノールとか
らなり、かつ、３−メトキシ−１−プロパノールの配合
量が除去液全量に対し０．０３〜０．１５重量％である
除去液。
安全性が高く、また基板周縁部をエッジリンス処理した
後のホトレジスト端縁部の盛り上がり現象や裾引き現象
を抑制し得る、基板端縁部のホトレジストの除去に用い
られる除去液を提供する。 【解決手段】 基板端縁部に付着した不要なホトレジス
トを除去するための除去液であって、１−メトキシ−２
−プロパノールと３−メトキシ−１−プロパノールとか
らなり、かつ、３−メトキシ−１−プロパノールの配合
量が除去液全量に対し０．０３〜０．１５重量％である
除去液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の端縁部に付
着した不要なホトレジストを除去するための除去液（エ
ッジリンス液、バックリンス液）に関する。
着した不要なホトレジストを除去するための除去液（エ
ッジリンス液、バックリンス液）に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子等の製造にお
いてはホトリソグラフィー技術が用いられている。ホト
リソグラフィー技術は、シリコン（Ｓｉ）基板やガラス
基板等の基板上にホトレジスト組成物を塗布、乾燥して
ホトレジスト被膜を形成し、次いでこれを選択的に露
光、現像してホトレジストパターンを形成した後、この
ホトレジストパターンをマスクとして基板をエッチング
する技術である。
いてはホトリソグラフィー技術が用いられている。ホト
リソグラフィー技術は、シリコン（Ｓｉ）基板やガラス
基板等の基板上にホトレジスト組成物を塗布、乾燥して
ホトレジスト被膜を形成し、次いでこれを選択的に露
光、現像してホトレジストパターンを形成した後、この
ホトレジストパターンをマスクとして基板をエッチング
する技術である。
【０００３】ホトレジスト組成物を基板上に塗布する方
法としては、スピンナー等による回転塗布方法が多く用
いられている。
法としては、スピンナー等による回転塗布方法が多く用
いられている。
【０００４】この回転塗布法では、基板の中心部から縁
辺部に向けて基板表面全体にほぼ均一な膜厚で塗膜が形
成されるようになっているが、表面張力の作用で基板の
周辺部に塗布液が凝集して肉厚部分を生じたり、ホトレ
ジスト形成の必要がない基板縁辺部や裏面にまで塗布液
が付着して、しばしばその後の基板の加工に支障をきた
す。そのため、基板処理を後続工程に進行させるに先立
って、ホトレジスト塗布後、あるいはホトレジスト塗布
後の乾燥時に、通常、基板端縁部の洗浄工程（エッジリ
ンス工程、バックリンス工程）が設けられており、除去
液（エッジリンス液、バックリンス液）により不要なホ
トレジストを洗浄除去している。
辺部に向けて基板表面全体にほぼ均一な膜厚で塗膜が形
成されるようになっているが、表面張力の作用で基板の
周辺部に塗布液が凝集して肉厚部分を生じたり、ホトレ
ジスト形成の必要がない基板縁辺部や裏面にまで塗布液
が付着して、しばしばその後の基板の加工に支障をきた
す。そのため、基板処理を後続工程に進行させるに先立
って、ホトレジスト塗布後、あるいはホトレジスト塗布
後の乾燥時に、通常、基板端縁部の洗浄工程（エッジリ
ンス工程、バックリンス工程）が設けられており、除去
液（エッジリンス液、バックリンス液）により不要なホ
トレジストを洗浄除去している。
【０００５】従来、このような除去液として、例えば特
開平２−２５３２６５号公報では、低級アルコキシプロ
パノール、または低級アルコキシプロパノールと酢酸エ
ステルとの混合物からなるホトレジスト剥離剤が開示さ
れ、特に１−メトキシ−２−プロパノール（ＰＧＭＥ）
が洗浄除去能力に優れ、人体に対する安全性が高いこと
が示されている。
開平２−２５３２６５号公報では、低級アルコキシプロ
パノール、または低級アルコキシプロパノールと酢酸エ
ステルとの混合物からなるホトレジスト剥離剤が開示さ
れ、特に１−メトキシ−２−プロパノール（ＰＧＭＥ）
が洗浄除去能力に優れ、人体に対する安全性が高いこと
が示されている。
【０００６】しかし、上記剥離剤を用いた場合、基板端
縁部を洗浄除去処理した後のホトレジスト被膜の端部形
状は、図１に示すように、基板１の周縁部にホトレジス
ト組成物２の盛り上がり部分２ａを呈する傾向がある。
この盛り上がり部分２ａは、その後の製造工程において
ひび割れたり、欠けるなどして、製品欠陥の原因とな
り、歩留まりを低下させる等の問題がある。また、洗浄
除去時、断面垂直な形状が得られずに裾引き部２ｂを生
じる場合もある。
縁部を洗浄除去処理した後のホトレジスト被膜の端部形
状は、図１に示すように、基板１の周縁部にホトレジス
ト組成物２の盛り上がり部分２ａを呈する傾向がある。
この盛り上がり部分２ａは、その後の製造工程において
ひび割れたり、欠けるなどして、製品欠陥の原因とな
り、歩留まりを低下させる等の問題がある。また、洗浄
除去時、断面垂直な形状が得られずに裾引き部２ｂを生
じる場合もある。
【０００７】近年のホトリソグラフィー工程において
は、基板端縁部のごくわずかなホトレジストの盛り上が
りでさえも、その後に続くベーク、現像工程等でディフ
ェクト（パターン欠陥）の原因となり得るため、かかる
原因となり得るものはできるだけ排除しておく必要があ
る。
は、基板端縁部のごくわずかなホトレジストの盛り上が
りでさえも、その後に続くベーク、現像工程等でディフ
ェクト（パターン欠陥）の原因となり得るため、かかる
原因となり得るものはできるだけ排除しておく必要があ
る。
【０００８】特開昭６２−１０５１４５号公報では、プ
ロピレングリコールアルキルエーテルとプロピレングリ
コールアルキルエーテルアセテートとを重量比で１：１
０〜１０：１、好ましくは３：７〜７：３、最も好まし
くは１：１の割合で含有するホトレジスト処理組成物が
示されている。そして、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル（ＰＧＭＥ）とプロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）との混合液を好
ましい態様として例示している。
ロピレングリコールアルキルエーテルとプロピレングリ
コールアルキルエーテルアセテートとを重量比で１：１
０〜１０：１、好ましくは３：７〜７：３、最も好まし
くは１：１の割合で含有するホトレジスト処理組成物が
示されている。そして、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル（ＰＧＭＥ）とプロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）との混合液を好
ましい態様として例示している。
【０００９】ＰＧＭＥとＰＧＭＥＡからなるホトレジス
ト処理組成物は、洗浄除去能力に優れ、また、ＰＧＭＥ
Ａの配合比率を３０重量％程度とすることにより、エッ
ジリンス処理後のホトレジスト被膜端部の盛り上がり現
象を抑制する効果が奏される。しかしながら、安価なＰ
ＧＭＥに対してＰＧＭＥＡは高価な材料であり、上記の
特性を得るためには、ＰＧＭＥＡを３０重量％程度必要
とすることから、原料コストが高くなるといった欠点を
有する。
ト処理組成物は、洗浄除去能力に優れ、また、ＰＧＭＥ
Ａの配合比率を３０重量％程度とすることにより、エッ
ジリンス処理後のホトレジスト被膜端部の盛り上がり現
象を抑制する効果が奏される。しかしながら、安価なＰ
ＧＭＥに対してＰＧＭＥＡは高価な材料であり、上記の
特性を得るためには、ＰＧＭＥＡを３０重量％程度必要
とすることから、原料コストが高くなるといった欠点を
有する。
【００１０】特開平１１−４４９６０号公報では、特定
の有機溶剤とアルキル基の炭素数１〜４のアルコールと
の均質溶液からなるリソグラフィー用洗浄液が示されて
おり、ＰＧＭＥＡとエタノールとの混合液が好ましい態
様として例示されている。
の有機溶剤とアルキル基の炭素数１〜４のアルコールと
の均質溶液からなるリソグラフィー用洗浄液が示されて
おり、ＰＧＭＥＡとエタノールとの混合液が好ましい態
様として例示されている。
【００１１】上記洗浄液は、洗浄除去能力に優れ、人体
に対する安全性が高く好ましいものの、該洗浄液を用い
た場合、特開平２−２５３２６５号公報の剥離剤と同様
に、基板の周縁部にホトレジスト組成物の盛り上がり部
分を呈する傾向がみられ、上記と同様な問題点を有す
る。
に対する安全性が高く好ましいものの、該洗浄液を用い
た場合、特開平２−２５３２６５号公報の剥離剤と同様
に、基板の周縁部にホトレジスト組成物の盛り上がり部
分を呈する傾向がみられ、上記と同様な問題点を有す
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、安価で、洗浄除去能力に優れ、人
体に対する安全性が高く、また基板周縁部をエッジリン
ス処理した後のホトレジスト端縁部の盛り上がり現象や
裾引き現象を抑制し得る、基板端縁部のホトレジストの
除去に用いられる除去液を提供することを目的とする。
みてなされたもので、安価で、洗浄除去能力に優れ、人
体に対する安全性が高く、また基板周縁部をエッジリン
ス処理した後のホトレジスト端縁部の盛り上がり現象や
裾引き現象を抑制し得る、基板端縁部のホトレジストの
除去に用いられる除去液を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、基板端縁部に付着した不要なホトレジスト
を除去するための除去液であって、１−メトキシ−２−
プロパノールと３−メトキシ−１−プロパノールとから
なり、かつ、３−メトキシ−１−プロパノールの配合量
が除去液全量に対し０．０３〜０．１５重量％である除
去液を提供する。
に本発明は、基板端縁部に付着した不要なホトレジスト
を除去するための除去液であって、１−メトキシ−２−
プロパノールと３−メトキシ−１−プロパノールとから
なり、かつ、３−メトキシ−１−プロパノールの配合量
が除去液全量に対し０．０３〜０．１５重量％である除
去液を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳述する。
【００１５】本発明の除去液は、１−メトキシ−２−プ
ロパノール〔ＣＨ3ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ3；ＰＧＭ
Ｅ〕と３−メトキシ−１−プロパノール〔ＣＨ3Ｏ（Ｃ
Ｈ2） 3ＯＨ〕とからなり、かつ、３−メトキシ−１−プ
ロパノールを除去液全量に対し０．０３〜０．１５重量
％、好ましくは０．０５〜０．１重量％の割合で含有す
る。３−メトキシ−１−プロパノールの配合量が０．０
３重量％未満では基板端縁部をエッジリンス処理した後
のホトレジスト被膜端縁部の盛り上がり現象を抑制する
効果が十分に奏されず、一方、０．１５重量％超では、
上記盛り上がり現象を抑制する効果が低くなるのみなら
ず、人体に対する安全性、および原料コストが高くなり
好ましくない。本発明の除去液は、その大部分が安価な
ＰＧＭＥで占められることから、原料コストの低減化を
図ることができる。
ロパノール〔ＣＨ3ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ3；ＰＧＭ
Ｅ〕と３−メトキシ−１−プロパノール〔ＣＨ3Ｏ（Ｃ
Ｈ2） 3ＯＨ〕とからなり、かつ、３−メトキシ−１−プ
ロパノールを除去液全量に対し０．０３〜０．１５重量
％、好ましくは０．０５〜０．１重量％の割合で含有す
る。３−メトキシ−１−プロパノールの配合量が０．０
３重量％未満では基板端縁部をエッジリンス処理した後
のホトレジスト被膜端縁部の盛り上がり現象を抑制する
効果が十分に奏されず、一方、０．１５重量％超では、
上記盛り上がり現象を抑制する効果が低くなるのみなら
ず、人体に対する安全性、および原料コストが高くなり
好ましくない。本発明の除去液は、その大部分が安価な
ＰＧＭＥで占められることから、原料コストの低減化を
図ることができる。
【００１６】本発明除去液は、基板端縁部に付着した不
要なホトレジストを除去するために用いられる。本発明
において「基板端縁部」とは、基板の縁辺部、周縁部、
裏面など、半導体素子や液晶表示素子等の製造におい
て、これら素子の製造に通常必要とされない基板部分を
広く意味する。
要なホトレジストを除去するために用いられる。本発明
において「基板端縁部」とは、基板の縁辺部、周縁部、
裏面など、半導体素子や液晶表示素子等の製造におい
て、これら素子の製造に通常必要とされない基板部分を
広く意味する。
【００１７】本発明除去液は、例えば、ホトレジスト塗
布液を基板に塗布した後、乾燥工程前において、あるい
は、ホトレジスト塗布液を基板に塗布した後、乾燥工程
において、あるいは乾燥工程後、後続の選択的露光工程
の前において、好ましく用いられる。本発明除去液を用
いることにより、基板端縁部の不要なホトレジストを効
率的に、しかも従来不具合とされていた盛り上がり現象
や裾引き現象等を起こすことなく、除去することができ
る。
布液を基板に塗布した後、乾燥工程前において、あるい
は、ホトレジスト塗布液を基板に塗布した後、乾燥工程
において、あるいは乾燥工程後、後続の選択的露光工程
の前において、好ましく用いられる。本発明除去液を用
いることにより、基板端縁部の不要なホトレジストを効
率的に、しかも従来不具合とされていた盛り上がり現象
や裾引き現象等を起こすことなく、除去することができ
る。
【００１８】本発明除去液が適用されるホトレジストと
しては、ネガ型およびポジ型ホトレジストを含めてアル
カリ水溶液で現像可能なホトレジストに有利に使用でき
る。このようなホトレジストとしては、（i）アルカリ
可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド基含有化
合物を含有するポジ型ホトレジスト、（ii）露光により
酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に
対する溶解性が増大する化合物およびアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型ホトレジスト、（iii）露光により
酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に
対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂
を含有するポジ型ホトレジスト、および（iv）光により
酸を発生する化合物、架橋剤およびアルカリ可溶性樹脂
を含有するネガ型ホトレジスト等が挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。
しては、ネガ型およびポジ型ホトレジストを含めてアル
カリ水溶液で現像可能なホトレジストに有利に使用でき
る。このようなホトレジストとしては、（i）アルカリ
可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド基含有化
合物を含有するポジ型ホトレジスト、（ii）露光により
酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に
対する溶解性が増大する化合物およびアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型ホトレジスト、（iii）露光により
酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に
対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂
を含有するポジ型ホトレジスト、および（iv）光により
酸を発生する化合物、架橋剤およびアルカリ可溶性樹脂
を含有するネガ型ホトレジスト等が挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。
【００１９】本発明では特に、アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂と、キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ
型ホトレジスト組成物に対して良好な効果を奏すること
ができる。
ク樹脂と、キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ
型ホトレジスト組成物に対して良好な効果を奏すること
ができる。
【００２０】上記アルカリ可溶性ノボラック樹脂として
は、例えばフェノール、クレゾール、クレゾール、キシ
レノール等の芳香族ヒドロキシ化合物と、ホルムアルデ
ヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒の存在下に縮合させ
たもの等が好ましく用いられる。このアルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂としては、低分子領域をカットした重量平
均分子量が２０００〜２００００、好ましくは５０００
〜１５０００程度のものが好適に使用される。
は、例えばフェノール、クレゾール、クレゾール、キシ
レノール等の芳香族ヒドロキシ化合物と、ホルムアルデ
ヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒の存在下に縮合させ
たもの等が好ましく用いられる。このアルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂としては、低分子領域をカットした重量平
均分子量が２０００〜２００００、好ましくは５０００
〜１５０００程度のものが好適に使用される。
【００２１】上記キノンジアジド基含有化合物物として
は、例えばオルトベンゾキノンジアジド、オルトナフト
キノンジアジド、オルトアントラキノンジアジド等のキ
ノンジアジド類のスルホン酸またはその官能基（例えば
スルホン酸クロリドなど）と、フェノール性水酸基また
はアミノ基を有する化合物とを部分若しくは完全エステ
ル化、あるいは部分若しくは完全アミド化したものが挙
げられる。
は、例えばオルトベンゾキノンジアジド、オルトナフト
キノンジアジド、オルトアントラキノンジアジド等のキ
ノンジアジド類のスルホン酸またはその官能基（例えば
スルホン酸クロリドなど）と、フェノール性水酸基また
はアミノ基を有する化合物とを部分若しくは完全エステ
ル化、あるいは部分若しくは完全アミド化したものが挙
げられる。
【００２２】このフェノール性水酸基またはアミノ基を
有する化合物としては、例えば２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンソフェノ
ン類；１−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロ
ピル〕−４−〔１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エチル〕ベンゼン；トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル
フェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４
−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒド
ロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５
−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン等のトリス（ヒド
ロキシフェニル）メタン類またはそのメチル置換体；ビ
ス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−
３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキ
シル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェ
ニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフ
ェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−
シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニ
ル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シク
ロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−
４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキ
シル−２−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェ
ニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキ
シフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−２
−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシ
ル−２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−２−ヒド
ロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−２
−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−４−ヒドロキシ
フェニルメタン等のトリス（シクロヘキシルヒドロキシ
フェニル）メタン類またはそのメチル置換体；その他水
酸基またはアミノ基を有する化合物、例えばフェノー
ル、フェノール樹脂、ｐ−メトキシフェノール、ジメチ
ルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ポリ
ヒドロキシジフェニルアルカン、ポリヒドロキシジフェ
ニルアルケン、α，α’，α''−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼ
ン、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロ
ガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−１，３−
ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部残してエス
テル化またはエーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ
−アミノジフェニルアミン等が挙げられる。中でもポリ
ヒドロキシベンゾフェノン類やトリス（ヒドロキシフェ
ニル）メタン類またはそのメチル置換体と、ナフトキノ
ン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸またはナフトキ
ノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸との完全エス
テル化物や部分エステル化物等が好ましく、特に平均エ
ステル化度が７０％以上のものが好ましい。
有する化合物としては、例えば２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンソフェノ
ン類；１−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロ
ピル〕−４−〔１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エチル〕ベンゼン；トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル
フェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４
−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒド
ロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５
−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン等のトリス（ヒド
ロキシフェニル）メタン類またはそのメチル置換体；ビ
ス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−
３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキ
シル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェ
ニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフ
ェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−
シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニ
ル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シク
ロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−
４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキ
シル−２−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェ
ニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキ
シフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−２
−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシ
ル−２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−２−ヒド
ロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−２
−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−４−ヒドロキシ
フェニルメタン等のトリス（シクロヘキシルヒドロキシ
フェニル）メタン類またはそのメチル置換体；その他水
酸基またはアミノ基を有する化合物、例えばフェノー
ル、フェノール樹脂、ｐ−メトキシフェノール、ジメチ
ルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ポリ
ヒドロキシジフェニルアルカン、ポリヒドロキシジフェ
ニルアルケン、α，α’，α''−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼ
ン、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロ
ガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−１，３−
ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部残してエス
テル化またはエーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ
−アミノジフェニルアミン等が挙げられる。中でもポリ
ヒドロキシベンゾフェノン類やトリス（ヒドロキシフェ
ニル）メタン類またはそのメチル置換体と、ナフトキノ
ン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸またはナフトキ
ノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸との完全エス
テル化物や部分エステル化物等が好ましく、特に平均エ
ステル化度が７０％以上のものが好ましい。
【００２３】また、用いる基板についても特に限定され
るものでなく、半導体用ウェーハ、液晶表示素子用ガラ
ス基板、ホトマスク製造用基板等、任意に適用すること
ができる。
るものでなく、半導体用ウェーハ、液晶表示素子用ガラ
ス基板、ホトマスク製造用基板等、任意に適用すること
ができる。
【００２４】本発明除去液の使用方法の一例として、例
えば以下の例が挙げられる。
えば以下の例が挙げられる。
【００２５】まず、基板にホトレジスト組成物を、バー
コーター法、ロールコーター法、スピン法等の公知の手
段により塗布する。特にスピンナーを用いた回転塗布法
により、基板上にホトレジスト組成物を塗布した場合、
ホトレジスト組成物は、遠心力により放射方向に拡散塗
布される。このようにして基板上に塗布されたホトレジ
スト組成物は、基板端縁部の膜厚が基板中央部よりも厚
く、また基板の裏面にもホトレジスト組成物が回り込ん
で付着する。
コーター法、ロールコーター法、スピン法等の公知の手
段により塗布する。特にスピンナーを用いた回転塗布法
により、基板上にホトレジスト組成物を塗布した場合、
ホトレジスト組成物は、遠心力により放射方向に拡散塗
布される。このようにして基板上に塗布されたホトレジ
スト組成物は、基板端縁部の膜厚が基板中央部よりも厚
く、また基板の裏面にもホトレジスト組成物が回り込ん
で付着する。
【００２６】次いで基板の周辺部、縁辺部および裏面の
少なくとも一部に付着した不要したホトレジスト組成物
を、上記の本発明除去液であらかじめ除去した後、乾燥
処理することにより、電子部品製造用基材を製造する。
少なくとも一部に付着した不要したホトレジスト組成物
を、上記の本発明除去液であらかじめ除去した後、乾燥
処理することにより、電子部品製造用基材を製造する。
【００２７】あるいは、基板に上記と同様にしてホトレ
ジスト組成物を塗布した後、乾燥処理してホトレジスト
被膜を形成させる。次いで、基板の周辺部、縁辺部およ
び裏面の少なくとも一部に付着した不要のホトレジスト
被膜を、前記の方法と同様にして本発明除去液で除去す
ることにより電子部品製造用基材を製造する。
ジスト組成物を塗布した後、乾燥処理してホトレジスト
被膜を形成させる。次いで、基板の周辺部、縁辺部およ
び裏面の少なくとも一部に付着した不要のホトレジスト
被膜を、前記の方法と同様にして本発明除去液で除去す
ることにより電子部品製造用基材を製造する。
【００２８】ここで、不要のホトレジスト組成物を本発
明除去液で除去する方法としては特に限定されるもので
なく、種々の方法を用いることができる。
明除去液で除去する方法としては特に限定されるもので
なく、種々の方法を用いることができる。
【００２９】例えば、除去液供給ノズルにより、基板を
回転させながらその周縁部や裏面部に除去液を滴下、ま
たは吹き付ける方法が挙げられる。この場合、ノズルか
らの除去液の供給量は、使用するホトレジストの種類や
膜厚などにより適宜変わるが、通常は３０〜５０ｍｌ／
分の範囲で選ばれる。
回転させながらその周縁部や裏面部に除去液を滴下、ま
たは吹き付ける方法が挙げられる。この場合、ノズルか
らの除去液の供給量は、使用するホトレジストの種類や
膜厚などにより適宜変わるが、通常は３０〜５０ｍｌ／
分の範囲で選ばれる。
【００３０】あるいは、あらかじめ除去液を満たした貯
留部に基板の縁辺部を水平方向から挿入した後、貯留部
内の除去液に基板の縁辺部を所定時間浸漬する方法等が
挙げられる。
留部に基板の縁辺部を水平方向から挿入した後、貯留部
内の除去液に基板の縁辺部を所定時間浸漬する方法等が
挙げられる。
【００３１】なお、本発明除去液の利用態様として、半
導体素子や液晶素子用の基板上の不要なホトレジスト形
成用塗布液またはホトレジスト被膜の除去について説明
してきたが、本発明の除去液はきわめて洗浄除去能力に
優れるため、上述の基板端縁部の不要なホトレジストの
除去のみならず、スピンナーカップなど周辺機器に付着
して固着したホトレジスト組成物の洗浄除去にも有効に
利用することができる。
導体素子や液晶素子用の基板上の不要なホトレジスト形
成用塗布液またはホトレジスト被膜の除去について説明
してきたが、本発明の除去液はきわめて洗浄除去能力に
優れるため、上述の基板端縁部の不要なホトレジストの
除去のみならず、スピンナーカップなど周辺機器に付着
して固着したホトレジスト組成物の洗浄除去にも有効に
利用することができる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明はこれら実施例によってなんら限
定されるものではない。
に説明するが、本発明はこれら実施例によってなんら限
定されるものではない。
【００３３】（実施例１〜３、比較例１〜３）下記に示
すようにポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
すようにポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００３４】 （ポジ型ホトレジスト組成物） （１）アルカリ可溶性ノボラック樹脂 １００重量部 ［ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール：２，５−キシレノール＝５：１：４（ モル比）で構成される低分子量フラクションを除去したもの（重量平均分子量６ ８００、オルソ−オルソ結合の含有量４５％）］ （２）キノンジアジドエステル化物 ５７重量部 ［ビス〔２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル） −４−ヒドロキシフェニル〕メタンのジエステル化物／没食子酸メチルのトリエ ステル化物＝７／１（重量比）の混合物］ （３）感度向上剤 ３３重量部 ［２，６−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−メチ ルフェノール］ 上記（１）〜（３）の各成分を２−ヘプタノン４７０重
量部に溶解した後、これを孔径０．２μｍのメンブラン
フィルターを用いて濾過し、ポジ型ホトレジスト組成物
を調製した。
量部に溶解した後、これを孔径０．２μｍのメンブラン
フィルターを用いて濾過し、ポジ型ホトレジスト組成物
を調製した。
【００３５】直径６インチのシリコンウェーハ上に、上
記ポジ型ホトレジスト組成物を、回転塗布装置（「ＴＲ
−６１３２」、東京応化工業（株）製）を用いて、３０
００ｒｐｍ、２０秒間で回転塗布し、膜厚１．３μｍの
塗布膜を得た。
記ポジ型ホトレジスト組成物を、回転塗布装置（「ＴＲ
−６１３２」、東京応化工業（株）製）を用いて、３０
００ｒｐｍ、２０秒間で回転塗布し、膜厚１．３μｍの
塗布膜を得た。
【００３６】次いで、回転数を１０００ｒｐｍに下げ、
同装置のウェーハ裏面噴射用洗浄ノズルから、表１に示
す各除去液を４０ｍｌ／ｍｉｎで、２秒間、５秒間、お
よび１０秒間噴射し、それぞれの噴射時間に対するシリ
コンウェーハのエッジ部ホトレジストの除去状態につい
て光学顕微鏡を用いて評価した。結果を表１に示す。
同装置のウェーハ裏面噴射用洗浄ノズルから、表１に示
す各除去液を４０ｍｌ／ｍｉｎで、２秒間、５秒間、お
よび１０秒間噴射し、それぞれの噴射時間に対するシリ
コンウェーハのエッジ部ホトレジストの除去状態につい
て光学顕微鏡を用いて評価した。結果を表１に示す。
【００３７】なお、表１中、エッジ部ホトレジストは、
シリコンウェーハの周縁部、および裏面部に付着したホ
トレジストを意味する。またＰＧＭＥは１−メトキシ−
２−プロパノールを示す。
シリコンウェーハの周縁部、および裏面部に付着したホ
トレジストを意味する。またＰＧＭＥは１−メトキシ−
２−プロパノールを示す。
【００３８】［エッジ部ホトレジストの除去状態］ Ａ： 盛り上がりあるいは裾引きが全く観察されなかっ
た Ｂ： 盛り上がりあるいは裾引きのいずれかが微妙に生
じたのが観察された Ｃ： 盛り上がりあるいは裾引きのいずれかが観察され
た Ｄ： 盛り上がりあるいは裾引きの両方が観察された
た Ｂ： 盛り上がりあるいは裾引きのいずれかが微妙に生
じたのが観察された Ｃ： 盛り上がりあるいは裾引きのいずれかが観察され
た Ｄ： 盛り上がりあるいは裾引きの両方が観察された
【００３９】
【表１】
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の除去液
は、人体に対する安全性が高い上に、安価で、基板の周
辺部や縁辺部や裏面に付着した不要なホトレジスト形成
用塗布液またはホトレジスト被膜を短時間で効率的に除
去することができ、かつ界面付近のホトレジストの盛り
上がりのない垂直なホトレジスト断面を形成し得るとと
もに、ホトレジスト残渣を生じない等の良好な洗浄性を
有し、さらに乾燥性にも優れている。このような特性を
有する本発明の除去液を用いて得られた電子部品製造用
基材は品質の良好な素子を与えることができる。
は、人体に対する安全性が高い上に、安価で、基板の周
辺部や縁辺部や裏面に付着した不要なホトレジスト形成
用塗布液またはホトレジスト被膜を短時間で効率的に除
去することができ、かつ界面付近のホトレジストの盛り
上がりのない垂直なホトレジスト断面を形成し得るとと
もに、ホトレジスト残渣を生じない等の良好な洗浄性を
有し、さらに乾燥性にも優れている。このような特性を
有する本発明の除去液を用いて得られた電子部品製造用
基材は品質の良好な素子を与えることができる。
【図１】従来の除去液を用いた場合の基板端縁部のホト
レジスト断面を模式的に表す図である。
レジスト断面を模式的に表す図である。
１ 基板 ２ ホトレジスト ２ａ 盛り上がり部 ２ｂ 裾引き部
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 EA05 EA10 2H096 AA25 CA20 DA04 LA30 5F043 BB27 CC16 EE07 EE08 5F046 JA15 JA22
Claims (1)
- 【請求項１】 基板端縁部に付着した不要なホトレジス
トを除去するための除去液であって、１−メトキシ−２
−プロパノールと３−メトキシ−１−プロパノールとか
らなり、かつ、３−メトキシ−１−プロパノールの配合
量が除去液全量に対し０．０３〜０．１５重量％である
除去液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000332942A JP2002141265A (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | ホトレジスト除去液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000332942A JP2002141265A (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | ホトレジスト除去液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141265A true JP2002141265A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=18809085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000332942A Pending JP2002141265A (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | ホトレジスト除去液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002141265A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006018940A1 (ja) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 洗浄除去用溶剤 |
| CN103389622A (zh) * | 2012-05-11 | 2013-11-13 | 住友电木株式会社 | 光致抗蚀剂用树脂组合物、光致抗蚀剂以及液晶设备的制造方法 |
| WO2021193577A1 (ja) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
-
2000
- 2000-10-31 JP JP2000332942A patent/JP2002141265A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006018940A1 (ja) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 洗浄除去用溶剤 |
| CN100521100C (zh) * | 2004-08-20 | 2009-07-29 | 东京应化工业株式会社 | 清洗除去用溶剂 |
| US7932221B2 (en) | 2004-08-20 | 2011-04-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Solvent for cleaning |
| CN103389622A (zh) * | 2012-05-11 | 2013-11-13 | 住友电木株式会社 | 光致抗蚀剂用树脂组合物、光致抗蚀剂以及液晶设备的制造方法 |
| JP2013254193A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-12-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フォトレジスト用樹脂組成物、フォトレジストおよび液晶デバイスの製造方法 |
| WO2021193577A1 (ja) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| KR20220145375A (ko) * | 2020-03-27 | 2022-10-28 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 |
| KR102653114B1 (ko) | 2020-03-27 | 2024-04-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 |
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