JP2002135064A - 歪補償回路 - Google Patents

歪補償回路

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JP2002135064A
JP2002135064A JP2000327130A JP2000327130A JP2002135064A JP 2002135064 A JP2002135064 A JP 2002135064A JP 2000327130 A JP2000327130 A JP 2000327130A JP 2000327130 A JP2000327130 A JP 2000327130A JP 2002135064 A JP2002135064 A JP 2002135064A
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Masashi Tezuka
正志 手塚
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Abstract

(57)【要約】 【課題】大きな利得圧縮特性および位相変化特性をもつ
高出力増幅器に対して歪補償が可能な歪補償回路を提供
することにある。 【解決手段】位相可変器5および増幅器6で構成される
第1のルートと、可変減衰器10、増幅器7、結合器1
1および可変減衰器8で構成される第2のルートと、前
記第1のルートと前記第2のルートの入出力端子にそれ
ぞれ接続された電力分配回路3および電力合成回路4か
らなる歪補償回路において、電力分配回路3への入力電
力の変化に対して、前記第2のルートの出力が一定にな
るようにALCをかけることにより、前記第2のルート
の利得圧縮を大きくすることができるため、歪補償回路
の出力において、大きな利得増加および位相変化を得る
ことができ、大きな利得圧縮特性および位相変化特性を
もつ高出力増幅器の歪み補償が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は歪補償回路に関
し、特にマイクロ波帯高出力増幅器から発生する歪みを
補償する歪補償回路の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の歪補償回路は、例えば特
開平10−247826号公報に示されるように、マイ
クロ波帯高出力増幅器から出力する非線形歪を補償する
ために用いられている。特に電力効率の点から、歪補償
を必要とする増幅器の前段に設置し、歪補償回路の出力
信号をこの増幅器の入力信号とするプレディストーショ
ン型が良く用いられている。
【0003】図9は、従来の歪補償回路の一例を示すブ
ロック図である。RF入力端子1から入力された信号
は、電力分配回路3によって2つに分配され、一方の信
号は、位相可変器5および固定減衰器9を通過した後、
増幅器6によって線形増幅される。電力分配回路3によ
って分配された他方の信号は、増幅器7により増幅され
た後、可変減衰器8によって減衰をうける。増幅器6の
出力と可変減衰器8の出力は、電力合成回路4により合
成され、RF出力端子2から出力される。
【0004】次に動作について説明する。ここで説明の
ために、図9において、位相可変器5、固定減衰器9お
よび増幅器6によって構成される経路をAルート、増幅
器7および可変減衰器8によって構成される経路をBル
ート、電力合成回路4により合成された電力を合成出力
Cとそれぞれ呼ぶこととする。
【0005】図10は、Aルート、Bルートの入出力特
性を表した図である。いま、RF入力端子1への入力電
力(RF入力電力)が低い領域では、増幅器6、増幅器
7ともに線形領域で動作するため、Aルート、Bルート
の利得は図10に示すように、入力電力の変化に対して
一定である。一方、RF入力端子1への入力電力が高い
領域では、増幅器7が先に飽和し始めるため、Aルート
の利得は一定のままで、Bルートの利得のみ減少する。
【0006】図11は、位相可変器5および可変減衰器
8をある値に設定したときの、Aルート、Bルートおよ
び合成出力Cの利得をベクトル関係で表した図である。
入力電力が低い領域では、図11(a)に示すように、
AルートおよびBルートの利得が変化しないため、合成
出力Cの利得、位相とも変化しない。
【0007】一方、入力電力が高くなると、図11
(b)に示すように、Bルートの利得のみが減少するた
め、合成出力Cの利得は大きくなるとともに、位相も変
化する。
【0008】図12は、合成出力Cの入出力特性を表し
た図である。図12に示すように、入力電力が高くなる
につれて利得および位相が変化し、この変化と逆の特性
を持つ高出力増幅器と接続することにより、変化が相殺
され非線形歪みが改善される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
RF入力電力変化に対して、合成出力Cの利得および位
相の変化量を大きくとるためには、Bルートに使用する
増幅器7の利得をいかに大きく圧縮させるかが重要なポ
イントとなる。
【0010】ところが、従来の技術では、増幅器7の利
得圧縮レベルが十分に得られないという問題がある。そ
の理由は、利得圧縮レベルは増幅器に使用する半導体素
子の特性によりほぼ決まってしまうため、たとえ半導体
素子のバイアス電圧条件を変えたとしても、大きな変化
量を得られないからである。このため、後段に接続され
る高出力増幅器が大きな利得圧縮、または位相変化を持
つ場合、十分な歪補償が行えないという問題がある。
【0011】また、従来の技術では、Bルートの増幅器
を利得圧縮させるために大きなRF入力電力を必要とす
るため、歪補償回路の前段に大きな出力電力が得られる
増幅器を必要とし、装置の形状および消費電力が大きく
なってしまうという問題もある。
【0012】さらに、Bルートの増幅器の利得が圧縮し
始めるRF入力電力は、増幅器に使用する半導体素子の
特性で決まってしまうため、圧縮し始める入力電力点を
変えるためには、歪補償回路の前段に可変減衰器および
増幅器を接続する必要があり、装置の形状および消費電
力が大きくなってしまうという問題がある。
【0013】この発明の目的は、大きな利得圧縮、また
は位相変化を持つ高出力増幅器に対して十分に歪補償が
行える歪補償回路を提供することにある。
【0014】この発明の他の目的は、歪補償回路を使用
する装置の、形状の小型化、消費電力の低減化を図るこ
とにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
わる発明は、入力電力を分配する電力分配回路と、前記
分配によって形成された複数の経路と、前記複数の経路
の出力を合成する電力合成回路とを備える歪補償回路で
あって、前記複数の経路の一つにALC(Automa
tic Level Control)回路を形成する
ことを特徴とする。
【0016】また、この発明の請求項2に係わる発明
は、位相可変器と第1の増幅器とから構成される第1の
経路と、第1の可変減衰器と第2の増幅器と結合器と第
2の可変減衰器とから構成される第2の経路と、前記結
合器の結合ポートに接続された検波器と、前記検波器か
らの出力信号に応じて前記第1の可変減衰器に制御電圧
を送出する比較回路と、前記第1の経路の入力端と前記
第2の経路の入力端とが接続する電力分配回路と、前記
第1の経路の出力端と前記第2の経路の出力端とが接続
する電力合成回路と、を備えることを特徴とする。
【0017】さらに、この発明の請求項3に係わる発明
は、前記請求項2記載の前記比較回路が、前記検波器か
らの出力信号に応じて前記第1の可変減衰器を制御する
ことによって、前記電力分配回路への入力電力の変化に
対して、前記第2の経路の出力を一定に保つことを特徴
とする。
【0018】さらに、この発明の請求項4に係わる発明
は、前記請求項2記載の前記第1の可変減衰器と、前記
結合器と、前記検波器と、前記比較回路とを含んで構成
される帰還回路がALC回路であることを特徴とする。
【0019】さらに、この発明の請求項5に係わる発明
は、前記請求項2記載の前記比較回路が、基準電圧を内
蔵し、前記基準電圧と前記検波器からの出力信号とを比
較することを特徴とする。
【0020】さらに、この発明の請求項6に係わる発明
は、前記請求項2記載の前記比較回路が、基準電圧を内
蔵し、前記電力分配回路への入力電力を変えることなく
前記電力合成回路からの合成出力の利得が増加し始め位
相が回り始める入力電力点を可変するように、前記基準
電圧を変えることを特徴とする。
【0021】さらに、この発明の請求項7に係わる発明
は、前記請求項2記載の前記位相可変器が、位相の設定
を変えることにより、前記電力合成回路からの合成出力
を、前記電力分配回路への入力電力の増加に対して時計
回りまたは反時計回りに位相を回すことを特徴とする。
【0022】さらに、この発明の請求項8に係わる発明
は、前記請求項2記載の前記位相可変器と、前記第1の
増幅器と、前記第1の可変減衰器と、前記第2の増幅器
と、前記第2の可変減衰器とが、それぞれ複数であるこ
とを特徴とする。
【0023】さらに、この発明の請求項9に係わる発明
は、前記請求項2記載の前記位相可変器と前記第1の増
幅器とから構成される前記第1の経路が、伝送回路で構
成されることを特徴とする。
【0024】さらに、この発明の請求項10に係わる発
明は、前記請求項9記載の前記伝送回路が、位相可変機
能を備えることを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】この発明による歪補償回路は、電
力分配回路で分配された2つの経路のうち、増幅器およ
び可変減衰器で構成される経路(図1のBルート)に、
ALC(Automatic Level Contr
ol)回路(図1の可変減衰器10、結合器11、検波
器12および比較回路13)を設けたことを特徴として
いる。
【0026】この発明の上記および他の目的、特徴およ
び利点を明確にすべく、以下添付した図面を参照しなが
ら、この発明の実施の形態につき詳細に説明する。
【0027】(第1の実施の形態)図1は、この発明の
第1の実施の形態の構成を示すブロック図である。図1
において、1はRF入力端子、2はRF出力端子、3は
電力分配回路、4は電力合成回路、5は位相可変器、6
は増幅器、7は増幅器、8は可変減衰器、10は可変減
衰器、11は結合器、12は検波器、13は比較回路で
ある。RF入力端子1から入力した信号は、電力分配回
路3によって2つに分配され、分配された一方の信号は
位相可変器5により設定された位相分だけ位相がまわっ
た後、増幅器6により増幅される。電力分配回路3によ
って分配された他方の信号は、可変減衰器10により減
衰された後、増幅器7により増幅され、結合器11の入
力ポートに入力される。
【0028】結合器11の通過ポートから出力された信
号は、可変減衰器8により設定された減衰量だけ減衰さ
れる。また結合器11の結合ポートからの出力は、検波
器12へ入力し、検波器12により包絡線検波された
後、出力信号となって比較回路13へ入力する。比較回
路13は、この入力と基準電圧とを比較し、可変減衰器
10へ制御電圧を送出する。
【0029】可変減衰器10、増幅器7、結合器11、
検波器12、比較回路13から構成される帰還回路は、
可変減衰器10への入力電力が変化しても結合器11の
通過ポートにおける出力電力が常に一定になるように、
比較回路13により可変減衰器10を制御するALC回
路である。増幅器6から出力された信号と、可変減衰器
8から出力された信号は、電力合成回路4により合成さ
れ、RF出力端子2に出力される。
【0030】位相可変器5、可変減衰器8の設定および
比較回路13の基準電圧は、歪みが補償される高出力増
幅器(この歪補償回路の後段に接続される歪みを補償す
る必要のある高出力増幅器)の特性により決定される。
【0031】次に、図1の動作について、図を参照して
説明する。ここで説明のために、図1において、位相可
変器5および増幅器6によって構成される経路をAルー
ト、可変減衰器10、増幅器7、結合器11および可変
減衰器8によって構成される経路をBルート、電力合成
回路4により合成された出力電力を合成出力Cとそれぞ
れ呼ぶこととする。また、位相可変器5と電力分配回路
3との接続点をAルートの入力端、増幅器6と電力合成
回路4との接続点をAルートの出力端と呼ぶこととす
る。さらに、可変減衰器10と電力分配回路3との接続
点をBルートの入力端、可変減衰器8と電力合成回路4
との接続点をBルートの出力端と呼ぶこととする。
【0032】図2は、AルートおよびBルートの入出力
特性を表した図である。Aルートは、増幅器6を十分に
低い入力電力で線形動作させているため、利得圧縮はな
く、入出力特性は直線になる。
【0033】一方、Bルートは、ALCがかかり始める
しきい値より、入力電力が低い領域では、可変減衰器1
0の減衰量が抜けきるためALCが動作せず、入力電力
の増加に対して出力電力は線形に増加する。入力電力が
ALCのしきい値より高い領域になると、ALCが動作
し、入力電力の増加に対して、出力電力は一定に保たれ
るため、Bルートの利得は大きく圧縮される。
【0034】図3は、位相可変器5および可変減衰器8
をある値に設定したときの、Aルート、Bルートおよび
合成出力Cの利得のベクトル関係を表した図である。入
力電力がALCのしきい値より低い領域では、Aルー
ト、Bルートとも利得圧縮がないため、図3(a)に示
すように合成出力Cの利得および位相は一定のままであ
る。
【0035】一方、入力電力がALCのしきい値より高
くなると、Aルートの利得は一定のままで、Bルートの
利得だけが大きく圧縮されるため、図3(b)に示すよ
うに、合成出力Cの利得は大きく増加するとともに、位
相が反時計回りに大きくまわるようになる。
【0036】図4は、合成出力Cの入出力特性を表した
図である。図4に示すように、合成出力Cの利得および
位相は、入力電力の低い領域では一定だが、入力電力が
高くなるにつれて、利得が大きく増加し、位相が大きく
まわる。ALCが動作し始めるしきい値の設定は、比較
回路13にある基準電圧の設定を変えることで行う。
【0037】図5は、ALCのしきい値を変えたときの
AルートおよびBルートの入出力特性を表した図であ
る。つまり、図5は比較回路13に内蔵した基準電圧を
変えたときのBルートの出力電力の変化等を示した図で
ある。入力電力がALCのしきい値よりも大きくなると
Bルートの利得が圧縮し始めるため、この基準電圧を変
えることで、歪補償回路の入力電力を変えることなく、
合成出力Cの利得が増加し始め、位相が回り始める入力
電力点を可変する事ができる。入力電力点などを図6に
示す。
【0038】図6は、ALCのしきい値を変えたときの
合成出力Cの入出力特性を表した図である。図6に示す
ように、合成出力Cの利得が増加し始め、位相が回り始
める入力電力点(つまり、位相変化開始点)を可変する
事ができる。
【0039】(第2の実施の形態)次に、この発明の第
2の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0040】図7は、この発明の第2の実施の形態につ
いて示したブロック図である。第2の実施の形態におい
ては、図1の第1の実施の形態でAルートに備えていた
位相可変器5と増幅器6とに替えて、Aルートに伝送回
路14が用いられている。伝送回路14には、位相可変
機能を設けることもできる。この構成を用いることによ
り、Aルートの増幅器がなくなるため、形状の小型化お
よび消費電力の低減を図ることができる。
【0041】また、第1の実施の形態において、図1の
位相可変器5の位相の設定を変えることにより、Aルー
ト、Bルートの利得のベクトル関係を、図8に示すよう
にすることで、入力電力の増加に対して時計回りに位相
を回すことができる。後段に接続される高出力増幅器の
中には、入力電力の変化に対する位相変化が反時計回り
になるものがあるため、これを補償できるという効果が
ある。つまり、位相可変器5の位相の設定を変えること
により、図3(反時計回りに位相を回す)や図8(時計
回りに位相を回す)に示すように位相を回すことができ
る。従って、この発明の歪補償回路の後段に、時計回り
位相や反時計回り位相の高出力増幅器が接続されても補
償することが可能である。
【0042】さらに、第1の実施の形態において、増幅
器6、増幅器7、位相可変器5、可変減衰器8および可
変減衰器10がそれぞれ1段の場合について述べたが、
複数段使用しても同様の効果が得られる。
【0043】なお、この発明は上記し、且つ、図面に示
す実施の形態に限定することなく、その要旨を変更しな
い範囲内で適宜変形して実施し得るものである。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、歪補償回路の一方の経路にALC回路を設けること
により、このALC回路は、入力電力の増加に対して、
増幅器および可変減衰器で構成される経路(図1のBル
ート)の出力電力を一定に保つ動作をするため、本経路
(図1のBルート)の利得を大きく圧縮することができ
る。従って、入力電力(RF入力電力)の増加に対し
て、歪補償回路の利得および位相を大きく変化させるこ
とができ、大きな利得圧縮特性、位相変化特性を持つ高
出力増幅器の歪補償を十分に行えるという効果が得られ
る。
【0045】また、増幅器および可変減衰器で構成され
る経路(図1のBルート)の増幅器を利得圧縮させるた
めの高い入力電力が必要でなくなるため、歪補償回路を
駆動するための高い出力電力が得られる増幅器が必要で
なくなり、装置の形状の小型化、消費電力の低減化が図
れる効果がある。つまり、ALC回路により利得圧縮を
行うため、増幅器自身が持つ利得圧縮レベルまで入力電
力をあげる必要がなく、前段に高い出力電力が得られる
増幅器を設ける必要がなくなり、装置の形状の小型化、
消費電力の低減化を図れる効果がある。
【0046】さらに、ALCのしきい値を調整すること
により、歪補償回路の入力電力を変えることなく出力の
利得増加開始点および位相変化開始点を変えることがで
き、歪補償回路の前段に、入力電力を可変する可変減衰
器および増幅器を設ける必要がなくなるため、装置の形
状の小型化、消費電力の低減化を図れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明による歪補償回路の第1の実施の形態
を示すブロック図である。
【図2】図1のAルートおよびBルートの入出力特性を
表した図である。
【図3】図1のAルート、Bルートおよび合成出力Cの
利得のベクトル関係を表した図である。図3(a)は、
入力電力の低い領域、図3(b)は入力電力の高い領域
でのベクトル関係を示す。
【図4】図1の合成出力Cの入出力特性を表した図であ
る。
【図5】図1のALCのしきい値を変えたときのAルー
トおよびBルートの入出力特性を表した図である。
【図6】図1のALCのしきい値を変えたときの合成出
力Cの入出力特性を表した図である。
【図7】この発明による歪補償回路の第2の実施の形態
を示すブロック図である。
【図8】この発明による歪補償回路の第2の実施の形態
のAルート、Bルートおよび合成出力Cの利得のベクト
ル関係を表した図である。
【図9】従来の歪補償回路を示すブロック図である。
【図10】図9のAルートおよびBルートの入出力特性
を表した図である。
【図11】図9のAルート、Bルートおよび合成出力C
の利得のベクトル関係を表した図である。図9(a)
は、入力電力の低い領域、図9(b)は入力電力の高い
領域でのベクトル関係を示す。
【図12】図9の合成出力Cの入出力特性を表した図で
ある。
【符号の説明】
1 RF入力端子 2 RF出力端子 3 電力分配回路 4 電力合成回路 5 位相可変器 6 増幅器 7 増幅器 8 可変減衰器 9 固定減衰器 10 可変減衰器 11 結合器 12 検波器 13 比較回路 14 伝送回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J090 AA01 AA41 CA21 CA36 CA92 DN02 FA01 FA17 FA19 GN01 GN06 GN08 KA00 KA16 KA17 KA23 KA55 MA11 NN07 TA01 TA02 5J091 AA01 AA41 CA21 CA36 CA92 FA01 FA17 FA19 KA00 KA16 KA17 KA23 KA55 MA11 TA01 TA02 5J092 AA01 AA41 CA21 CA36 CA92 FA01 FA17 FA19 KA00 KA16 KA17 KA23 KA55 MA11 TA01 TA02

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力電力を分配する電力分配回路と、前
    記分配によって形成された複数の経路と、前記複数の経
    路の出力を合成する電力合成回路とを備える歪補償回路
    であって、前記複数の経路の一つにALC(Autom
    atic Level Control)回路を形成す
    ることを特徴とする歪補償回路。
  2. 【請求項2】 位相可変器と第1の増幅器とから構成さ
    れる第1の経路と、第1の可変減衰器と第2の増幅器と
    結合器と第2の可変減衰器とから構成される第2の経路
    と、前記結合器の結合ポートに接続された検波器と、前
    記検波器からの出力信号に応じて前記第1の可変減衰器
    に制御電圧を送出する比較回路と、前記第1の経路の入
    力端と前記第2の経路の入力端とが接続する電力分配回
    路と、前記第1の経路の出力端と前記第2の経路の出力
    端とが接続する電力合成回路と、を備えることを特徴と
    する歪補償回路。
  3. 【請求項3】 前記比較回路が、前記検波器からの出力
    信号に応じて前記第1の可変減衰器を制御することによ
    って、前記電力分配回路への入力電力の変化に対して、
    前記第2の経路の出力を一定に保つことを特徴とする請
    求項2記載の歪補償回路。
  4. 【請求項4】 前記第1の可変減衰器と、前記結合器
    と、前記検波器と、前記比較回路とを含んで構成される
    帰還回路がALC回路であることを特徴とする請求項2
    記載の歪補償回路。
  5. 【請求項5】 前記比較回路が、基準電圧を内蔵し、前
    記基準電圧と前記検波器からの出力信号とを比較するこ
    とを特徴とする請求項2記載の歪補償回路。
  6. 【請求項6】 前記比較回路が、基準電圧を内蔵し、前
    記電力分配回路への入力電力を変えることなく前記電力
    合成回路からの合成出力の利得が増加し始め位相が回り
    始める入力電力点を可変するように、前記基準電圧を変
    えることを特徴とする請求項2記載の歪補償回路。
  7. 【請求項7】 前記位相可変器が、位相の設定を変える
    ことにより、前記電力合成回路からの合成出力を、前記
    電力分配回路への入力電力の増加に対して時計回りまた
    は反時計回りに位相を回すことを特徴とする請求項2記
    載の歪補償回路。
  8. 【請求項8】 前記位相可変器と、前記第1の増幅器
    と、前記第1の可変減衰器と、前記第2の増幅器と、前
    記第2の可変減衰器とが、それぞれ複数であることを特
    徴とする請求項2記載の歪補償回路。
  9. 【請求項9】 前記位相可変器と前記第1の増幅器とか
    ら構成される前記第1の経路が、伝送回路で構成される
    ことを特徴とする請求項2記載の歪補償回路。
  10. 【請求項10】 前記伝送回路が、位相可変機能を備え
    ることを特徴とする請求項9記載の歪補償回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8581276B2 (en) 2009-12-02 2013-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same

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