JP2002131719A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2002131719A JP2002131719A JP2000325524A JP2000325524A JP2002131719A JP 2002131719 A JP2002131719 A JP 2002131719A JP 2000325524 A JP2000325524 A JP 2000325524A JP 2000325524 A JP2000325524 A JP 2000325524A JP 2002131719 A JP2002131719 A JP 2002131719A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バックライト又はフロントライトを備えた液
晶表示装置の使用者が、使用場所の外光の明暗のレベル
に応じてバックライト又はフロントライトを点灯しある
いは消灯するという煩雑な操作を行わなくてもよいよう
にする。また、不要なライトの点灯による電池の消耗を
防止する。 【解決手段】 半透過型液晶パネル100又は反射型液
晶パネル、及びバックライト200又はフロントライト
を備えた液晶表示装置に、液晶表示装置の使用環境の外
光の明暗を検知し、検知結果に基づきバックライト20
0又はフロントライトのオン/オフを制御する光センサ
ーデバイス300を設ける。
晶表示装置の使用者が、使用場所の外光の明暗のレベル
に応じてバックライト又はフロントライトを点灯しある
いは消灯するという煩雑な操作を行わなくてもよいよう
にする。また、不要なライトの点灯による電池の消耗を
防止する。 【解決手段】 半透過型液晶パネル100又は反射型液
晶パネル、及びバックライト200又はフロントライト
を備えた液晶表示装置に、液晶表示装置の使用環境の外
光の明暗を検知し、検知結果に基づきバックライト20
0又はフロントライトのオン/オフを制御する光センサ
ーデバイス300を設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半透過型液晶表示
装置又は反射型液晶表示装置に関する。
装置又は反射型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置を表示形態から見
た場合、外光を利用して反射像を表示する機能(反射像
表示機能)を有する反射型液晶パネルを備えた反射型液
晶表示装置と、バックライトの光を利用して透過像を表
示する機能(透過像表示機能)を有する透過型液晶パネ
ルを備えた透過型液晶表示装置とに大別されるが、近年
では双方の特徴を兼ね備えた半透過型液晶表示装置が開
発されている。
た場合、外光を利用して反射像を表示する機能(反射像
表示機能)を有する反射型液晶パネルを備えた反射型液
晶表示装置と、バックライトの光を利用して透過像を表
示する機能(透過像表示機能)を有する透過型液晶パネ
ルを備えた透過型液晶表示装置とに大別されるが、近年
では双方の特徴を兼ね備えた半透過型液晶表示装置が開
発されている。
【0003】半透過型液晶表示装置には、透過型液晶パ
ネルの裏面(バックライト側)又は透過型液晶パネル内
にハーフミラー(半透過反射膜)を設けて半透過型とし
たもの(特開平7−333598号公報等)や、液晶パ
ネルの画素電極を反射電極(反射エリア)と透明電極
(透過エリア)とに分け、外光が十分に明るい所では外
光を利用して反射エリアで反射像表示を行い、暗い所で
はバックライトの光を利用して透過エリアで透過像表示
を行うようにして半透過型としたもの(特開平11−3
16382号公報等)が提案されている。
ネルの裏面(バックライト側)又は透過型液晶パネル内
にハーフミラー(半透過反射膜)を設けて半透過型とし
たもの(特開平7−333598号公報等)や、液晶パ
ネルの画素電極を反射電極(反射エリア)と透明電極
(透過エリア)とに分け、外光が十分に明るい所では外
光を利用して反射エリアで反射像表示を行い、暗い所で
はバックライトの光を利用して透過エリアで透過像表示
を行うようにして半透過型としたもの(特開平11−3
16382号公報等)が提案されている。
【0004】また、PDA等の携帯情報端末の進展に伴
い、反射型液晶表示パネルにフロントライトを組み合わ
せた反射型液晶表示装置も開発されている(特開平11
−185515号公報等)。
い、反射型液晶表示パネルにフロントライトを組み合わ
せた反射型液晶表示装置も開発されている(特開平11
−185515号公報等)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バックライトを備えた半透過型液晶表示装置やフロント
ライトを備えた反射型液晶表示装置の場合、使用者は、
使用場所の外光の明暗のレベルがバックライト又はフロ
ントライトを点灯すべきレベルであるか否かを自ら判断
し、その判断の結果に応じてバックライト又はフロント
ライトを点灯もしくは消灯するという煩雑な操作を行う
必要があった。更に、表示画面の輝度が十分である時に
も、不必要にバックライト又はフロントライトを点灯し
てしまう場合もあり、消費電力の増大を招ねくという問
題もあった。この問題は、PDA等の携帯情報端末で
は、電池の消耗を早めることになり、致命的な問題とな
りかねない。
バックライトを備えた半透過型液晶表示装置やフロント
ライトを備えた反射型液晶表示装置の場合、使用者は、
使用場所の外光の明暗のレベルがバックライト又はフロ
ントライトを点灯すべきレベルであるか否かを自ら判断
し、その判断の結果に応じてバックライト又はフロント
ライトを点灯もしくは消灯するという煩雑な操作を行う
必要があった。更に、表示画面の輝度が十分である時に
も、不必要にバックライト又はフロントライトを点灯し
てしまう場合もあり、消費電力の増大を招ねくという問
題もあった。この問題は、PDA等の携帯情報端末で
は、電池の消耗を早めることになり、致命的な問題とな
りかねない。
【0006】本発明は、以上の従来の技術の課題を解決
しようとするものであり、バックライト又はフロントラ
イトを備えた液晶表示装置の使用者が、使用場所の外光
の明暗のレベルに応じてバックライト又はフロントライ
トを点灯しあるいは消灯するという煩雑な操作を不要な
ものとし、また、電池の消耗を防止して電池の長寿命化
を図ることを目的とする。
しようとするものであり、バックライト又はフロントラ
イトを備えた液晶表示装置の使用者が、使用場所の外光
の明暗のレベルに応じてバックライト又はフロントライ
トを点灯しあるいは消灯するという煩雑な操作を不要な
ものとし、また、電池の消耗を防止して電池の長寿命化
を図ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、バックライ
ト又はフロントライトを備えた液晶表示装置に外光の明
暗を検知し、その検知結果に基づきバックライト又はフ
ロントライトのオン/オフを制御する光センサーデバイ
スを備えることにより上述の目的を達成可能となること
を見出し、本発明を完成させるに至った。
ト又はフロントライトを備えた液晶表示装置に外光の明
暗を検知し、その検知結果に基づきバックライト又はフ
ロントライトのオン/オフを制御する光センサーデバイ
スを備えることにより上述の目的を達成可能となること
を見出し、本発明を完成させるに至った。
【0008】即ち、本発明は、反射像表示機能と透過像
表示機能とを有する半透過型液晶パネル、及び透過像表
示の際に点灯させるバックライトを備えた半透過型液晶
表示装置において、半透過型液晶表示装置の使用環境の
外光の明暗を検知し、検知結果に基づきバックライトの
オン/オフを制御する光センサーデバイスが設けられて
いることを特徴とする半透過型液晶表示装置を提供す
る。
表示機能とを有する半透過型液晶パネル、及び透過像表
示の際に点灯させるバックライトを備えた半透過型液晶
表示装置において、半透過型液晶表示装置の使用環境の
外光の明暗を検知し、検知結果に基づきバックライトの
オン/オフを制御する光センサーデバイスが設けられて
いることを特徴とする半透過型液晶表示装置を提供す
る。
【0009】また、本発明は、反射型液晶パネル及び反
射像表示の際に点灯可能なフロントライトを備えた反射
型液晶表示装置において、反射型液晶表示装置の使用環
境の外光の明暗を検知し、検知結果に基づきフロントラ
イトのオン/オフを制御する光センサーデバイスが設け
られていることを特徴とする反射型液晶表示装置を提供
する。
射像表示の際に点灯可能なフロントライトを備えた反射
型液晶表示装置において、反射型液晶表示装置の使用環
境の外光の明暗を検知し、検知結果に基づきフロントラ
イトのオン/オフを制御する光センサーデバイスが設け
られていることを特徴とする反射型液晶表示装置を提供
する。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の半透過型液晶表
示装置のブロック図である。この半透過型液晶表示装置
は、表面側から外光を入射させてその光を反射させて表
示する反射像表示機能と、裏面側から光を入射させてそ
の光を透過させて表示する透過像表示機能とを有する半
透過型液晶パネル100、及び透過像表示の際に点灯さ
せるバックライト200を備え、更に半透過型液晶表示
装置の使用環境の外光の明暗を検知し、検知結果に基づ
きバックライト200のオン/オフを制御する光センサ
ーデバイス300を備えている。従って、図1の半透過
型液晶表示装置の使用者は、使用環境の外光の明暗のレ
ベルを判断する必要がなく、しかもバックライト200
のオン/オフ操作からも解放される。
示装置のブロック図である。この半透過型液晶表示装置
は、表面側から外光を入射させてその光を反射させて表
示する反射像表示機能と、裏面側から光を入射させてそ
の光を透過させて表示する透過像表示機能とを有する半
透過型液晶パネル100、及び透過像表示の際に点灯さ
せるバックライト200を備え、更に半透過型液晶表示
装置の使用環境の外光の明暗を検知し、検知結果に基づ
きバックライト200のオン/オフを制御する光センサ
ーデバイス300を備えている。従って、図1の半透過
型液晶表示装置の使用者は、使用環境の外光の明暗のレ
ベルを判断する必要がなく、しかもバックライト200
のオン/オフ操作からも解放される。
【0011】このような光センサーデバイス300は、
使用環境の外光の明暗を検知可能な公知の光検知素子
(特開2000−133469号公報(段落002
8)、特開平8−301162号公報(段落0023)
等参照)と、検知結果に基づきバックライト200のオ
ン/オフを制御可能な公知のスイッチング素子(特開2
000−133469号公報(段落0029)等参照)
とから構成すればよい。
使用環境の外光の明暗を検知可能な公知の光検知素子
(特開2000−133469号公報(段落002
8)、特開平8−301162号公報(段落0023)
等参照)と、検知結果に基づきバックライト200のオ
ン/オフを制御可能な公知のスイッチング素子(特開2
000−133469号公報(段落0029)等参照)
とから構成すればよい。
【0012】なお、光透過型液晶パネルがTFT基板を
有する場合、基板上にTFTでTrの光リークを検出で
きるような回路を作り込むこともできる。これにより、
光透過型液晶パネル外部に、わざわざ後付で光センサー
デバイスを装着する手間が省ける上、様々な商品へ搭載
する際に形状的な自由度を増すことができる。
有する場合、基板上にTFTでTrの光リークを検出で
きるような回路を作り込むこともできる。これにより、
光透過型液晶パネル外部に、わざわざ後付で光センサー
デバイスを装着する手間が省ける上、様々な商品へ搭載
する際に形状的な自由度を増すことができる。
【0013】半透過型液晶パネルとしては、半透過型液
晶パネルの一対の基板間に反射像表示機能と透過像表示
機能とを担うハーフミラー(半透過反射膜)を設けて半
透過型としたもの(特開平7−333598号公報等)
を使用することができるが、図2及び図3に示すよう
に、画素を反射エリアとなる反射電極と透過エリアとな
る透明電極とから構成し、反射電極が反射像表示を行
い、透明電極が透過像表示を行うものを好ましく使用す
ることができる。
晶パネルの一対の基板間に反射像表示機能と透過像表示
機能とを担うハーフミラー(半透過反射膜)を設けて半
透過型としたもの(特開平7−333598号公報等)
を使用することができるが、図2及び図3に示すよう
に、画素を反射エリアとなる反射電極と透過エリアとな
る透明電極とから構成し、反射電極が反射像表示を行
い、透明電極が透過像表示を行うものを好ましく使用す
ることができる。
【0014】図2は、このような半透過型液晶パネルで
あって、透過エリアTにおいて、電界ON時とOFF時
の位相差が約λ/2となり、反射エリアRにおいて電界
ON時とOFF時の位相差が約λ/4となるように液晶
層の厚さをギャップコントロールしたECB(Electrica
lly Controlled Birefringence)半透過型液晶表示装置
に使用するTFT基板1のゲート線、信号線及び反射電
極(画素電極)の位置関係を示す平面図であり、図3は
このTFT基板1のx−x断面図である。
あって、透過エリアTにおいて、電界ON時とOFF時
の位相差が約λ/2となり、反射エリアRにおいて電界
ON時とOFF時の位相差が約λ/4となるように液晶
層の厚さをギャップコントロールしたECB(Electrica
lly Controlled Birefringence)半透過型液晶表示装置
に使用するTFT基板1のゲート線、信号線及び反射電
極(画素電極)の位置関係を示す平面図であり、図3は
このTFT基板1のx−x断面図である。
【0015】TFT基板1はガラス基板2上にTFT素
子3と、TFT素子3でスイッチング駆動され、透過エ
リアTの画素電極となるITO膜4xからなる透明電極
4と、反射エリアRの画素電極となるAl膜17からな
る反射電極5を有しており、例えば、次のように製造さ
れる。
子3と、TFT素子3でスイッチング駆動され、透過エ
リアTの画素電極となるITO膜4xからなる透明電極
4と、反射エリアRの画素電極となるAl膜17からな
る反射電極5を有しており、例えば、次のように製造さ
れる。
【0016】まず、ガラス基板2へMo、Cr、Al、
Ta等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲート線6、ゲート電
極G及び補助容量電極Csを形成する。
Ta等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲート線6、ゲート電
極G及び補助容量電極Csを形成する。
【0017】次に、ゲート絶縁膜として、窒化シリコン
(SiNx)膜7、酸化シリコン(SiO2)膜8を順次
積層し、さらにアモルファスシリコンをCVDにより成
膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールによ
り結晶化してポリシリコン膜9にする。
(SiNx)膜7、酸化シリコン(SiO2)膜8を順次
積層し、さらにアモルファスシリコンをCVDにより成
膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールによ
り結晶化してポリシリコン膜9にする。
【0018】次に、酸化シリコンからなる保護絶縁膜を
成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Gをマ
スクとして裏面露光することにより、ゲート電極Gと自
己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパターニン
グし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜を
エッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保
護絶縁膜10を残す。そして、保護絶縁膜10をマスク
としてドーパントを注入し、LDD領域を形成する。
成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Gをマ
スクとして裏面露光することにより、ゲート電極Gと自
己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパターニン
グし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜を
エッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保
護絶縁膜10を残す。そして、保護絶縁膜10をマスク
としてドーパントを注入し、LDD領域を形成する。
【0019】次に、Nチャンネルソース・ドレイン注入
用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Nチャ
ンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパ
ントを注入する。C−MOS回路を形成する場合には、
さらにPチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマ
スクをフォトレジストから形成し、Pチャンネル形成領
域にドーパントを注入する。そして、RTA等の熱アニ
ールでドーパントを活性化する。
用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Nチャ
ンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパ
ントを注入する。C−MOS回路を形成する場合には、
さらにPチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマ
スクをフォトレジストから形成し、Pチャンネル形成領
域にドーパントを注入する。そして、RTA等の熱アニ
ールでドーパントを活性化する。
【0020】次に、TFT形成部分以外の不要部分の保
護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェ
ットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェ
ットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
【0021】次に、層間絶縁膜として、窒化シリコン膜
11及び酸化シリコン膜12を順次CVDにより成膜す
る。そしてTFT素子3の性能を向上させるため、水素
化アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散さ
せる。
11及び酸化シリコン膜12を順次CVDにより成膜す
る。そしてTFT素子3の性能を向上させるため、水素
化アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散さ
せる。
【0022】次に、コンタクトホールを開孔し、Tiを
スパッタリングで成膜し、さらにAlをスパッタリング
で成膜し、これらTi膜及びAl膜をフォトリソグラフ
法を用いてドライエッチングでパターニングすることに
より、ソース電極S、ドレイン電極Dに接続した信号線
13を形成する。
スパッタリングで成膜し、さらにAlをスパッタリング
で成膜し、これらTi膜及びAl膜をフォトリソグラフ
法を用いてドライエッチングでパターニングすることに
より、ソース電極S、ドレイン電極Dに接続した信号線
13を形成する。
【0023】次に、フォトレジストからなるスキャタリ
ング層(SCP)14を成膜し、フォトリソグラフ法で
パターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化
層(PLN)15を成膜し、フォトリソグラフ法でパタ
ーニングする。
ング層(SCP)14を成膜し、フォトリソグラフ法で
パターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化
層(PLN)15を成膜し、フォトリソグラフ法でパタ
ーニングする。
【0024】次に、透過エリアTの画素電極となる透明
電極(ITO電極)4を形成するために、ITO膜4x
をスパッタリングで成膜し、フォトリソグラフ法でウェ
ットエッチングする。
電極(ITO電極)4を形成するために、ITO膜4x
をスパッタリングで成膜し、フォトリソグラフ法でウェ
ットエッチングする。
【0025】次に、反射エリアRの画素電極となる反射
電極5を形成するために、まず、ITO膜4x上にTi
をスパッタリングにより成膜し、その上にAl膜17を
スパッタリングにより成膜し、これらTi膜16とAl
膜17とをフォトリソグラフ法を用いてをウェットエッ
チングすることにより、透過エリアTのTi膜16及び
Al膜17を除去し、透過窓部20を開口する。
電極5を形成するために、まず、ITO膜4x上にTi
をスパッタリングにより成膜し、その上にAl膜17を
スパッタリングにより成膜し、これらTi膜16とAl
膜17とをフォトリソグラフ法を用いてをウェットエッ
チングすることにより、透過エリアTのTi膜16及び
Al膜17を除去し、透過窓部20を開口する。
【0026】こうして製造されるTFT基板1と対向電
極基板(図示せず)との間に液晶を保持し、半透過型液
晶パネル100を構成する。
極基板(図示せず)との間に液晶を保持し、半透過型液
晶パネル100を構成する。
【0027】また、バックライト200としては、例え
ば、蛍光灯21、ランプリフレクタ22、導光板23、
拡散板24及び反射板25から構成されるサイドライト
式のものを好ましく使用することができる(図4)。こ
こで、ランプリフレクタ22は、蛍光灯21の光を導光
板23へ導くために蛍光灯21の周囲を囲むように配置
されている。導光板23に導かれた光は、導光板23の
中を全反射しながら伝播し、液晶パネル100の裏面に
対して出射し、更に拡散板24を透過することによりム
ラのない光となる。なお、導光板23の裏面に漏れた光
は、反射板25で再び導光板23の中に戻される。
ば、蛍光灯21、ランプリフレクタ22、導光板23、
拡散板24及び反射板25から構成されるサイドライト
式のものを好ましく使用することができる(図4)。こ
こで、ランプリフレクタ22は、蛍光灯21の光を導光
板23へ導くために蛍光灯21の周囲を囲むように配置
されている。導光板23に導かれた光は、導光板23の
中を全反射しながら伝播し、液晶パネル100の裏面に
対して出射し、更に拡散板24を透過することによりム
ラのない光となる。なお、導光板23の裏面に漏れた光
は、反射板25で再び導光板23の中に戻される。
【0028】次に、本発明の反射型液晶表示装置につい
て説明する。
て説明する。
【0029】図5は、本発明の反射型液晶表示装置のブ
ロック図である。この反射型液晶表示装置は、表面側か
ら外光を入射させてその光を反射させて表示する反射像
表示機能を有する反射型液晶パネル400、及び外光が
不十分である場合に点灯させるフロントライト500を
備え、更に反射型液晶表示装置の使用環境の外光の明暗
を検知し、検知結果に基づきフロントライト500のオ
ン/オフを制御する光センサーデバイス300を備えて
いる。従って、反射型液晶表示装置の使用者は、使用環
境の外光の明暗のレベルを判断する必要もない。しか
も、フロントライト500のオン/オフ操作からも解放
される。
ロック図である。この反射型液晶表示装置は、表面側か
ら外光を入射させてその光を反射させて表示する反射像
表示機能を有する反射型液晶パネル400、及び外光が
不十分である場合に点灯させるフロントライト500を
備え、更に反射型液晶表示装置の使用環境の外光の明暗
を検知し、検知結果に基づきフロントライト500のオ
ン/オフを制御する光センサーデバイス300を備えて
いる。従って、反射型液晶表示装置の使用者は、使用環
境の外光の明暗のレベルを判断する必要もない。しか
も、フロントライト500のオン/オフ操作からも解放
される。
【0030】このような光センサーデバイス300は、
図1〜図3で説明した半透過型液晶パネルにおいて使用
できる光センサーデバイスと同様なものを使用すること
ができ、特に、反射型液晶パネル400がTFT基板を
有する場合、基板上にTFTでTrの光リークを検出で
きるような回路を作り込むこともできる。これにより、
半透過型液晶パネル外部に、わざわざ後付で光センサー
デバイスを装着する手間が省ける上、様々な商品へ搭載
する際に形状的な自由度を増すことができる。
図1〜図3で説明した半透過型液晶パネルにおいて使用
できる光センサーデバイスと同様なものを使用すること
ができ、特に、反射型液晶パネル400がTFT基板を
有する場合、基板上にTFTでTrの光リークを検出で
きるような回路を作り込むこともできる。これにより、
半透過型液晶パネル外部に、わざわざ後付で光センサー
デバイスを装着する手間が省ける上、様々な商品へ搭載
する際に形状的な自由度を増すことができる。
【0031】反射型液晶パネル400としては、従来公
知の様々な構造の反射型液晶パネルを使用することがで
きる。例えば、図1〜図3で示した半透過型液晶パネル
の透過エリアTが形成されていない反射エリアRだけか
らなるものを使用することができる。図6は、このよう
な反射型液晶パネルであって、反射エリアRにおいて電
界ON時とOFF時の位相差が約λ/4となるように液
晶層の厚さをギャップコントロールした反射型液晶表示
装置に使用するTFT基板1のゲート線、信号線及び反
射電極(画素電極)の位置関係を示す平面図であり、図
7はこのTFT基板1のx−x断面図である。
知の様々な構造の反射型液晶パネルを使用することがで
きる。例えば、図1〜図3で示した半透過型液晶パネル
の透過エリアTが形成されていない反射エリアRだけか
らなるものを使用することができる。図6は、このよう
な反射型液晶パネルであって、反射エリアRにおいて電
界ON時とOFF時の位相差が約λ/4となるように液
晶層の厚さをギャップコントロールした反射型液晶表示
装置に使用するTFT基板1のゲート線、信号線及び反
射電極(画素電極)の位置関係を示す平面図であり、図
7はこのTFT基板1のx−x断面図である。
【0032】TFT基板1はガラス基板2上にTFT素
子3と、TFT素子3でスイッチング駆動され、反射エ
リアRの画素電極となるAl膜17からなる反射電極5
を有しており、例えば、次のように製造される。
子3と、TFT素子3でスイッチング駆動され、反射エ
リアRの画素電極となるAl膜17からなる反射電極5
を有しており、例えば、次のように製造される。
【0033】まず、ガラス基板2へMo、Cr、Al、
Ta等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲート線6、ゲート電
極G及び補助容量電極Csを形成する。
Ta等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲート線6、ゲート電
極G及び補助容量電極Csを形成する。
【0034】次に、ゲート絶縁膜として、窒化シリコン
(SiNx)膜7、酸化シリコン(SiO2)膜8を順次
積層し、さらにアモルファスシリコンをCVDにより成
膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールによ
り結晶化してポリシリコン膜9にする。
(SiNx)膜7、酸化シリコン(SiO2)膜8を順次
積層し、さらにアモルファスシリコンをCVDにより成
膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールによ
り結晶化してポリシリコン膜9にする。
【0035】次に、酸化シリコンからなる保護絶縁膜を
成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Gをマ
スクとして裏面露光することにより、ゲート電極Gと自
己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパターニン
グし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜を
エッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保
護絶縁膜10を残す。そして、保護絶縁膜10をマスク
としてドーパントを注入し、LDD領域を形成する。
成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Gをマ
スクとして裏面露光することにより、ゲート電極Gと自
己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパターニン
グし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜を
エッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保
護絶縁膜10を残す。そして、保護絶縁膜10をマスク
としてドーパントを注入し、LDD領域を形成する。
【0036】次に、Nチャンネルソース・ドレイン注入
用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Nチャ
ンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパ
ントを注入する。C−MOS回路を形成する場合には、
さらにPチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマ
スクをフォトレジストから形成し、Pチャンネル形成領
域にドーパントを注入する。そして、RTA等の熱アニ
ールでドーパントを活性化する。
用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Nチャ
ンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパ
ントを注入する。C−MOS回路を形成する場合には、
さらにPチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマ
スクをフォトレジストから形成し、Pチャンネル形成領
域にドーパントを注入する。そして、RTA等の熱アニ
ールでドーパントを活性化する。
【0037】次に、TFT形成部分以外の不要部分の保
護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェ
ットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェ
ットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
【0038】次に、層間絶縁膜として、窒化シリコン膜
11及び酸化シリコン膜12を順次CVDにより成膜す
る。そしてTFT素子3の性能を向上させるため、水素
化アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散さ
せる。
11及び酸化シリコン膜12を順次CVDにより成膜す
る。そしてTFT素子3の性能を向上させるため、水素
化アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散さ
せる。
【0039】次に、コンタクトホールを開孔し、Tiを
スパッタリングで成膜し、さらにAlをスパッタリング
で成膜し、これらTi膜及びAl膜をフォトリソグラフ
法を用いてドライエッチングでパターニングすることに
より、ソース電極S、ドレイン電極Dに接続した信号線
13を形成する。
スパッタリングで成膜し、さらにAlをスパッタリング
で成膜し、これらTi膜及びAl膜をフォトリソグラフ
法を用いてドライエッチングでパターニングすることに
より、ソース電極S、ドレイン電極Dに接続した信号線
13を形成する。
【0040】次に、フォトレジストからなるスキャタリ
ング層(SCP)14を成膜し、フォトリソグラフ法で
パターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化
層(PLN)15を成膜し、フォトリソグラフ法でパタ
ーニングする。
ング層(SCP)14を成膜し、フォトリソグラフ法で
パターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化
層(PLN)15を成膜し、フォトリソグラフ法でパタ
ーニングする。
【0041】次に、反射エリアRの画素電極となる反射
電極5を形成するために、まず、平坦化層(PLN)1
5上にTiをスパッタリングにより成膜し、その上にA
l膜17をスパッタリングにより成膜する。
電極5を形成するために、まず、平坦化層(PLN)1
5上にTiをスパッタリングにより成膜し、その上にA
l膜17をスパッタリングにより成膜する。
【0042】こうして製造されるTFT基板1と対向電
極基板(図示せず)との間に液晶を保持させ、反射型液
晶パネル400を構成する。
極基板(図示せず)との間に液晶を保持させ、反射型液
晶パネル400を構成する。
【0043】また、フロントライト500としては、従
来公知のフロントライトを使用することができる。例え
ば、蛍光灯21、ランプリフレクタ22及び導光板23
から構成されるサイドライト式のものを好ましく使用す
ることができる(図8)。ここで、ランプリフレクタ2
2は、蛍光灯21の光を導光板23へ導くために蛍光灯
21の周囲を囲むように配置されている。導光板23に
導かれた光は、導光板23の中を反射しながら伝播して
液晶パネル400に入射し、液晶パネルの反射電極で反
射し、更にフロントライトの表面から外部に出射する。
なお、導光板23の表面には、導光板23に導かれた光
が効率よく液晶層に入射するように凹凸が形成されてい
てもよい。
来公知のフロントライトを使用することができる。例え
ば、蛍光灯21、ランプリフレクタ22及び導光板23
から構成されるサイドライト式のものを好ましく使用す
ることができる(図8)。ここで、ランプリフレクタ2
2は、蛍光灯21の光を導光板23へ導くために蛍光灯
21の周囲を囲むように配置されている。導光板23に
導かれた光は、導光板23の中を反射しながら伝播して
液晶パネル400に入射し、液晶パネルの反射電極で反
射し、更にフロントライトの表面から外部に出射する。
なお、導光板23の表面には、導光板23に導かれた光
が効率よく液晶層に入射するように凹凸が形成されてい
てもよい。
【0044】以上の本発明の半透過型液晶表示装置及び
反射型液晶表示装置は、図9(a)に示す携帯電話機9
0の表示部91や図9(b)に示す携帯情報端末機92
の表示部93に組み込む液晶表示装置として特に有用な
ものとなる。
反射型液晶表示装置は、図9(a)に示す携帯電話機9
0の表示部91や図9(b)に示す携帯情報端末機92
の表示部93に組み込む液晶表示装置として特に有用な
ものとなる。
【0045】
【発明の効果】本発明によれば、バックライト又はフロ
ントライトを備えた液晶表示装置の使用者が、使用場所
の外光の明暗のレベルに応じてバックライト又はフロン
トライトを点灯しあるいは消灯するという煩雑な操作を
行うことが不要なものとなる。また、電池の消耗を防止
して電池の長寿化も図ることができる。
ントライトを備えた液晶表示装置の使用者が、使用場所
の外光の明暗のレベルに応じてバックライト又はフロン
トライトを点灯しあるいは消灯するという煩雑な操作を
行うことが不要なものとなる。また、電池の消耗を防止
して電池の長寿化も図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半透過型液晶表示装置のブロック図
である。
である。
【図2】 本発明の半透過型液晶表示装置に使用するT
FT基板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示
す平面図である。
FT基板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示
す平面図である。
【図3】 本発明の半透過型液晶表示装置に使用するT
FT基板(図2のTFT基板)のx−x断面図である。
FT基板(図2のTFT基板)のx−x断面図である。
【図4】 バックライトの概略図である。
【図5】 本発明の反射型液晶表示装置のブロック図で
ある。
ある。
【図6】 本発明の反射型液晶表示に使用するTFT基
板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示す平面
図である。
板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示す平面
図である。
【図7】 本発明の反射型液晶表示装置に使用するTF
T基板(図6のTFT基板)のx−x断面図である。
T基板(図6のTFT基板)のx−x断面図である。
【図8】 フロントライトの概略図である。
【図9】 携帯電話(同図(a))及び携帯情報端末
(同図(b))の外観斜視図である。
(同図(b))の外観斜視図である。
1…TFT基板、 2…ガラス基板、 3…TFT素
子、 4…透明電極(ITO電極)、 5…反射電極
(Al電極)、 6…ゲート線、 7…ゲート絶縁膜
(窒化シリコン膜)、 8…ゲート絶縁膜(酸化シリコ
ン膜)、9…ポリシリコン膜、 10…保護絶縁膜、
11…層間絶縁膜(窒化シリコン膜)、 12…層間絶
縁膜(酸化シリコン膜)、 13…信号線、 14…ス
キャタリング層(SCP)、 15…平坦化層(PL
N)、 16…Ti膜、 17…Al膜、20…透過窓
部、 100…半透過型液晶パネル、 200…バック
ライト、300…光センサーデバイス、 400…反射
型液晶パネル、 500…フロントライト
子、 4…透明電極(ITO電極)、 5…反射電極
(Al電極)、 6…ゲート線、 7…ゲート絶縁膜
(窒化シリコン膜)、 8…ゲート絶縁膜(酸化シリコ
ン膜)、9…ポリシリコン膜、 10…保護絶縁膜、
11…層間絶縁膜(窒化シリコン膜)、 12…層間絶
縁膜(酸化シリコン膜)、 13…信号線、 14…ス
キャタリング層(SCP)、 15…平坦化層(PL
N)、 16…Ti膜、 17…Al膜、20…透過窓
部、 100…半透過型液晶パネル、 200…バック
ライト、300…光センサーデバイス、 400…反射
型液晶パネル、 500…フロントライト
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/34 G02F 1/1335 530 3/36 1/136 500 Fターム(参考) 2H092 GA29 JA24 JA37 JA41 JA46 JB58 KA04 KA05 MA05 MA07 MA13 MA19 MA29 NA26 PA01 PA06 PA12 PA13 2H093 NC34 NC42 NC49 NC53 ND39 5C006 AB03 AF69 BF38 EA01 EC13 FA47 5C080 AA10 DD26 EE32 GG01 JJ06 KK07
Claims (6)
- 【請求項1】 反射像表示機能と透過像表示機能とを有
する半透過型液晶パネル、及び透過像表示の際に点灯さ
せるバックライトを備えた半透過型液晶表示装置におい
て、半透過型液晶表示装置の使用環境の外光の明暗を検
知し、検知結果に基づきバックライトのオン/オフを制
御する光センサーデバイスが設けられていることを特徴
とする半透過型液晶表示装置。 - 【請求項2】 半透過型液晶パネル内の画素が反射エリ
アとなる反射電極と透過エリアとなる透明電極とから構
成され、反射電極が反射像表示を行い、透明電極が透過
像表示を行う請求項1記載の半透過型液晶表示装置。 - 【請求項3】 半透過型液晶パネルがTFT基板を有
し、光センサーデバイスがTFTの光リーク電流を検出
する請求項1又は2記載の半透過型液晶表示装置。 - 【請求項4】 反射型液晶パネル及び反射像表示の際に
点灯可能なフロントライトを備えた反射型液晶表示装置
において、反射型液晶表示装置の使用環境の外光の明暗
を検知し、検知結果に基づきフロントライトのオン/オ
フを制御する光センサーデバイスが設けられていること
を特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項5】 反射型液晶パネルがTFT基板を有し、
光センサーデバイスがTFTの光リーク電流を検出する
請求項4記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の液晶表
示装置を備えた携帯情報端末。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000325524A JP2002131719A (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000325524A JP2002131719A (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002131719A true JP2002131719A (ja) | 2002-05-09 |
Family
ID=18802879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000325524A Pending JP2002131719A (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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