JP2002131712A - 光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
光デバイスおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 周波数特性が良く光軸安定性の優れた光デバ
イスを提供する。 【解決手段】 台座１２上に、光変調器１４と伝送線路
１６とを隣接してその背面で接着し、光変調器１４の表
面に設けられた電極パッド並びに伝送線路１６に導電性
のバンプ１８を設け、接続伝送線路２０をバンプの上に
接着し、光変調器１４の電極パッドと伝送線路１６とを
接続伝送線路２０を介して接続したものである。
イスを提供する。 【解決手段】 台座１２上に、光変調器１４と伝送線路
１６とを隣接してその背面で接着し、光変調器１４の表
面に設けられた電極パッド並びに伝送線路１６に導電性
のバンプ１８を設け、接続伝送線路２０をバンプの上に
接着し、光変調器１４の電極パッドと伝送線路１６とを
接続伝送線路２０を介して接続したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光デバイスおよ
びその製造方法に係り、特に光通信用として用いられる
光変調装置とその製造方法に関するものである。
びその製造方法に係り、特に光通信用として用いられる
光変調装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバーを用いた公衆通信網の普及
には、半導体レーザの高性能化とこの半導体レーザを安
価に製造するために歩留りをよくすることが重要であ
る。特に半導体レーザの高性能化には、情報量の増大に
対応するためのレーザ光の高速変調が必須の要件であ
る。このレーザ光の高速変調には、変調時の波長の変動
を小さくして長距離の伝送を可能にするために、通常半
導体レーザを一定強度で発振させておいて、光の透過量
をオン・オフできる光変調器を通すことによって変調を
行う外部変調方式が採用される。
には、半導体レーザの高性能化とこの半導体レーザを安
価に製造するために歩留りをよくすることが重要であ
る。特に半導体レーザの高性能化には、情報量の増大に
対応するためのレーザ光の高速変調が必須の要件であ
る。このレーザ光の高速変調には、変調時の波長の変動
を小さくして長距離の伝送を可能にするために、通常半
導体レーザを一定強度で発振させておいて、光の透過量
をオン・オフできる光変調器を通すことによって変調を
行う外部変調方式が採用される。
【０００３】この外部変調方式に用いられる光変調器に
は、電界吸収型光変調器(以下ＥＡＭ（Electroabsorpti
on Modulator）という)が使用され、単層の厚い光吸収
層を用いるものではフランツ・ケルディッシュ効果によ
る、また多重量子井戸構造を用いるものではシュタルク
シフト効果による吸収スペクトル変化を用いて消光を行
う。すなわち、光変調器では印加される電圧に応じてレ
ーザ光の吸収が変化するため、光変調器に接続された高
周波電気回路に変調信号電圧を印加すると、光変調器の
出射端面から出射されるレーザ光には信号電圧に対応し
た強度変調が施されることになる。
は、電界吸収型光変調器(以下ＥＡＭ（Electroabsorpti
on Modulator）という)が使用され、単層の厚い光吸収
層を用いるものではフランツ・ケルディッシュ効果によ
る、また多重量子井戸構造を用いるものではシュタルク
シフト効果による吸収スペクトル変化を用いて消光を行
う。すなわち、光変調器では印加される電圧に応じてレ
ーザ光の吸収が変化するため、光変調器に接続された高
周波電気回路に変調信号電圧を印加すると、光変調器の
出射端面から出射されるレーザ光には信号電圧に対応し
た強度変調が施されることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１１は従来の光デバ
イスの斜視図である。図１１において、２００は光デバ
イス、２０２は光変調器、２０４は伝送線路であるコプ
レーナ線路、２０６は終端抵抗、２０８はバンプ、２１
０は光導波路層、２１２は光導波路層２１０に入射され
るレーザ光で、矢印で示されている。図１２は従来の光
変調器の斜視図である。図１２において、２１４はｐ側
電極パッド、２１６はｎ側電極パッド、ｐ−ＩｎＰの第
３ｐ型クラッド層、２１８はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層、２２０はｐ側電極、２２２はｎ側電極である。
イスの斜視図である。図１１において、２００は光デバ
イス、２０２は光変調器、２０４は伝送線路であるコプ
レーナ線路、２０６は終端抵抗、２０８はバンプ、２１
０は光導波路層、２１２は光導波路層２１０に入射され
るレーザ光で、矢印で示されている。図１２は従来の光
変調器の斜視図である。図１２において、２１４はｐ側
電極パッド、２１６はｎ側電極パッド、ｐ−ＩｎＰの第
３ｐ型クラッド層、２１８はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層、２２０はｐ側電極、２２２はｎ側電極である。
【０００５】図１３は従来の伝送線路の斜視図である。
図１３において、２０４ａはコプレーナ線路の信号線
路、２０４ｂはコプレーナ線路の接地線路、２２４は終
端抵抗、２２６は伝送線路を構成する基板材である。ま
た、２２８は伝送線路２０４の信号線路２０４ａ、接地
線路２０４ｂ上に置かれた導電性のバンプである。次に
従来の光デバイス２００の組み立て手順を説明する。コ
プレーナ線路２０４の線路面を上にして、信号線路２０
４ａ、２本の接地線路２０４ｂ上に２個ずつバンプ２２
８を形成する。バンプ２２８を形成する位置は光変調器
２０２のｐ側電極パッド２１４、ｎ側電極パッド２１６
の位置に合わせておく。
図１３において、２０４ａはコプレーナ線路の信号線
路、２０４ｂはコプレーナ線路の接地線路、２２４は終
端抵抗、２２６は伝送線路を構成する基板材である。ま
た、２２８は伝送線路２０４の信号線路２０４ａ、接地
線路２０４ｂ上に置かれた導電性のバンプである。次に
従来の光デバイス２００の組み立て手順を説明する。コ
プレーナ線路２０４の線路面を上にして、信号線路２０
４ａ、２本の接地線路２０４ｂ上に２個ずつバンプ２２
８を形成する。バンプ２２８を形成する位置は光変調器
２０２のｐ側電極パッド２１４、ｎ側電極パッド２１６
の位置に合わせておく。
【０００６】次に光変調器２０２の表面をコプレーナ線
路２０４に対向させ、ｐ側電極パッド２１４、ｎ側電極
パッド２１６が対応するバンプ２２８に重なるように、
光変調器２０２を置き、加温加圧することでバンプ２２
８を介して光変調器２０２とコプレーナ線路２０４を接
着する。このようにして組み立てられた従来の光デバイ
ス２００では、バンプ２２８がコプレーナ線路２０４と
光変調器２０２との電気的接続導体としての役割と、光
変調器２０２をコプレーナ線路２０４上に固定し、支持
する役割とを兼ねそなえている。
路２０４に対向させ、ｐ側電極パッド２１４、ｎ側電極
パッド２１６が対応するバンプ２２８に重なるように、
光変調器２０２を置き、加温加圧することでバンプ２２
８を介して光変調器２０２とコプレーナ線路２０４を接
着する。このようにして組み立てられた従来の光デバイ
ス２００では、バンプ２２８がコプレーナ線路２０４と
光変調器２０２との電気的接続導体としての役割と、光
変調器２０２をコプレーナ線路２０４上に固定し、支持
する役割とを兼ねそなえている。
【０００７】バンプ２２８は、従来のボンディングワイ
ヤに比べて、電気抵抗やインダクタンスが小さいので、
周波数特性に優れた光デバイス２００を提供出来る利点
がある。しかしながら、光デバイス２００の周辺装置の
発熱や使用環境の温度条件による周辺温度の変化によっ
て、光変調器２０２の使用に際してバンプ２２８の熱膨
張や熱収縮などの熱変形が発生する。従来の光デバイス
２００では、光変調器２０２の固定および支持の役割が
バンプ２２８のみに負わされているので、バンプ２２８
の熱変形はこの上に支持されている光変調器２０２の位
置変動となって表れ、光変調器２０２とは独立に固定さ
れている光学系との位置ずれが生じ、光軸ずれなどの特
性劣化を引き起こす。
ヤに比べて、電気抵抗やインダクタンスが小さいので、
周波数特性に優れた光デバイス２００を提供出来る利点
がある。しかしながら、光デバイス２００の周辺装置の
発熱や使用環境の温度条件による周辺温度の変化によっ
て、光変調器２０２の使用に際してバンプ２２８の熱膨
張や熱収縮などの熱変形が発生する。従来の光デバイス
２００では、光変調器２０２の固定および支持の役割が
バンプ２２８のみに負わされているので、バンプ２２８
の熱変形はこの上に支持されている光変調器２０２の位
置変動となって表れ、光変調器２０２とは独立に固定さ
れている光学系との位置ずれが生じ、光軸ずれなどの特
性劣化を引き起こす。
【０００８】先にも述べたように、一般にバンプは、電
気抵抗やインダクタンスが小さいので、ボンディングワ
イヤを使用した光デバイスに比べて、高周波特性に優れ
た光デバイスを提供できる利点がある。特に光変調器の
ように変調信号が高周波になる場合には、周波数特性の
優れた光デバイスが構成できる。しかし従来の光デバイ
ス２００では、この良好な周波数特性と光軸ずれなどの
特性劣化の少ない光軸安定性とが両立できないという問
題点があった。この発明は上記の問題点を解消するため
になされたもので、第１の目的は、周波数特性が良く光
軸安定性の優れた光デバイスを提供することであり、第
２の目的は、周波数特性が良く光軸安定性の優れた光デ
バイスを簡単な工程により製造する製造方法を提供する
ことである。
気抵抗やインダクタンスが小さいので、ボンディングワ
イヤを使用した光デバイスに比べて、高周波特性に優れ
た光デバイスを提供できる利点がある。特に光変調器の
ように変調信号が高周波になる場合には、周波数特性の
優れた光デバイスが構成できる。しかし従来の光デバイ
ス２００では、この良好な周波数特性と光軸ずれなどの
特性劣化の少ない光軸安定性とが両立できないという問
題点があった。この発明は上記の問題点を解消するため
になされたもので、第１の目的は、周波数特性が良く光
軸安定性の優れた光デバイスを提供することであり、第
２の目的は、周波数特性が良く光軸安定性の優れた光デ
バイスを簡単な工程により製造する製造方法を提供する
ことである。
【０００９】なお公知文献としては、特開平１０−５６
１６３号公報がある。これは、ワイヤボンディングでは
安定な超高速動作が得られないので、ベアチップＩＣに
バンプを介して実装された受光素子や、受光素子をモノ
リシック集積したベアチップＩＣを開示しているが、前
者では受光素子がバンプを介してベアチップＩＣに接続
され、さらにベアチップＩＣがバンプを介して固定側に
接続され、後者ではこれもベアチップＩＣがバンプを介
して固定側に接続されたものであり、いずれも受光素子
側はバンプを介して、光学系を固定した系と接続されて
いて、本願の課題を解決するものではない。
１６３号公報がある。これは、ワイヤボンディングでは
安定な超高速動作が得られないので、ベアチップＩＣに
バンプを介して実装された受光素子や、受光素子をモノ
リシック集積したベアチップＩＣを開示しているが、前
者では受光素子がバンプを介してベアチップＩＣに接続
され、さらにベアチップＩＣがバンプを介して固定側に
接続され、後者ではこれもベアチップＩＣがバンプを介
して固定側に接続されたものであり、いずれも受光素子
側はバンプを介して、光学系を固定した系と接続されて
いて、本願の課題を解決するものではない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光デバイ
スは、光デバイス用の台座と、この台座に背面を接合し
て配設され、表面に信号電極パッドと接地電極パッドと
が配設された光変調器と、この光変調器の両側の台座上
に配設され、第１の誘電体基板の表面に配設された信号
線路と接地線路とを有する一対の伝送線路と、この伝送
線路の信号線路および接地線路の表面上、並びに光変調
器の信号電極パッドおよび接地電極パッドの表面上、そ
れぞれに配設された導電性のバンプと、第２の誘電体基
板の表面に配設された接地用接続線路および信号用接続
線路を有し、この接地用接続線路と信号用接続線路とを
バンプに対向して配設され、光変調器の電極パッド上の
バンプと伝送線路上のバンプとを接地用接続線路と信号
用接続線路とによりそれぞれ接続した接続伝送線路と、
を備えたもので、光変調器を台座上に直接固定すること
ができて、バンプの熱変形による光変調器の位置変位に
よる光学系との位置ずれを防止することができ、バンプ
を使用しているので周波数特性を良好に維持しながら光
軸ずれなどの光学特性の劣化を防止することが出来る。
スは、光デバイス用の台座と、この台座に背面を接合し
て配設され、表面に信号電極パッドと接地電極パッドと
が配設された光変調器と、この光変調器の両側の台座上
に配設され、第１の誘電体基板の表面に配設された信号
線路と接地線路とを有する一対の伝送線路と、この伝送
線路の信号線路および接地線路の表面上、並びに光変調
器の信号電極パッドおよび接地電極パッドの表面上、そ
れぞれに配設された導電性のバンプと、第２の誘電体基
板の表面に配設された接地用接続線路および信号用接続
線路を有し、この接地用接続線路と信号用接続線路とを
バンプに対向して配設され、光変調器の電極パッド上の
バンプと伝送線路上のバンプとを接地用接続線路と信号
用接続線路とによりそれぞれ接続した接続伝送線路と、
を備えたもので、光変調器を台座上に直接固定すること
ができて、バンプの熱変形による光変調器の位置変位に
よる光学系との位置ずれを防止することができ、バンプ
を使用しているので周波数特性を良好に維持しながら光
軸ずれなどの光学特性の劣化を防止することが出来る。
【００１１】さらに、伝送線路及び接続伝送線路をコプ
レーナ線路とするとともに光変調器の接地電極パッドを
伝送線路の接地線路に対応して複数配設したもので、伝
送線路及び接続伝送線路の構成が簡単になる。
レーナ線路とするとともに光変調器の接地電極パッドを
伝送線路の接地線路に対応して複数配設したもので、伝
送線路及び接続伝送線路の構成が簡単になる。
【００１２】さらに、光変調器に配設された光吸収層を
有する光導波路層を介して光変調器表面の両側にそれぞ
れ信号電極パッドおよび接地電極パッドを有するととも
に、接続伝送線路の接地用接続線路及び信号用接続線路
それぞれが両側の信号電極パッドおよび接地電極パッド
に対応して分離されたもので、素子側を通らない信号電
力を少なくし、変調効率の低下を防ぐことが出来る。
有する光導波路層を介して光変調器表面の両側にそれぞ
れ信号電極パッドおよび接地電極パッドを有するととも
に、接続伝送線路の接地用接続線路及び信号用接続線路
それぞれが両側の信号電極パッドおよび接地電極パッド
に対応して分離されたもので、素子側を通らない信号電
力を少なくし、変調効率の低下を防ぐことが出来る。
【００１３】さらに、接続伝送線路が、それぞれ分離さ
れた接地用接続線路及び信号用接続線路に対応して２分
割されたもので、上方からの視認により容易に光変調器
の光導波路の位置が判別できるので、外部光学系との光
結合が容易になる。
れた接地用接続線路及び信号用接続線路に対応して２分
割されたもので、上方からの視認により容易に光変調器
の光導波路の位置が判別できるので、外部光学系との光
結合が容易になる。
【００１４】さらに、一対の伝送線路の、一方の信号線
路が終端抵抗を介して接地線路と接続したもので、イン
ピーダンス整合を良くし、変調効率を高くすることが出
来る。
路が終端抵抗を介して接地線路と接続したもので、イン
ピーダンス整合を良くし、変調効率を高くすることが出
来る。
【００１５】また、この発明に係る光デバイスの製造方
法は、光変調器の接合部位を有する光デバイス用の台座
を準備する工程と、表面に信号電極パッドと接地電極パ
ッドとが配設された光変調器を、その背面を介して台座
の接合部位に接合する工程と、台座上の光変調器接合部
位の両側に、第１の誘電体基板の表面に信号線路と接地
線路とを有する一対の伝送線路を配設する工程と、光変
調器の信号電極パッドと接地電極パッドとの表面上、及
び伝送線路の信号線路と接地線路との表面上に導電性の
バンプを形成する工程と、第２の誘電体基板の表面に配
設された接地用接続線路および信号用接続線路を有する
接続伝送線路を、接地用接続線路と信号用接続線路とを
バンプに対向させて配設し、接地用接続線路と信号用接
続線路とにより光変調器の電極パッド上のバンプと伝送
線路上のバンプとをそれぞれ接続する工程と、を含むも
ので、バンプを使用して周波数特性を良好に維持しなが
ら光軸ずれなどの光学特性の劣化を防止することが出来
る光デバイスを簡単な工程で製造することが出来る。
法は、光変調器の接合部位を有する光デバイス用の台座
を準備する工程と、表面に信号電極パッドと接地電極パ
ッドとが配設された光変調器を、その背面を介して台座
の接合部位に接合する工程と、台座上の光変調器接合部
位の両側に、第１の誘電体基板の表面に信号線路と接地
線路とを有する一対の伝送線路を配設する工程と、光変
調器の信号電極パッドと接地電極パッドとの表面上、及
び伝送線路の信号線路と接地線路との表面上に導電性の
バンプを形成する工程と、第２の誘電体基板の表面に配
設された接地用接続線路および信号用接続線路を有する
接続伝送線路を、接地用接続線路と信号用接続線路とを
バンプに対向させて配設し、接地用接続線路と信号用接
続線路とにより光変調器の電極パッド上のバンプと伝送
線路上のバンプとをそれぞれ接続する工程と、を含むも
ので、バンプを使用して周波数特性を良好に維持しなが
ら光軸ずれなどの光学特性の劣化を防止することが出来
る光デバイスを簡単な工程で製造することが出来る。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．この実施の形態
は、光デバイス用の台座上に光変調器をその背面で接着
し、さらにこの光変調器の両側に同じく表面を上向きに
して伝送線路を設け、光変調器の表面に設けられたｐ側
及びｎ側の電極パッドと伝送線路の表面に設けられた接
地線路および信号線路とのそれぞれの表面に導電性のバ
ンプを設け、表面を下向きにした接続伝送線路をその表
面に設けられた信号用接続線路及び接地用接続線路を介
してバンプの上に接着し、光変調器のｐ側及びｎ側の電
極パッドと伝送線路の信号線路および接地線路とを接続
伝送線路の信号用接続線路及び接地用接続線路を介して
それぞれ接続したものである。
は、光デバイス用の台座上に光変調器をその背面で接着
し、さらにこの光変調器の両側に同じく表面を上向きに
して伝送線路を設け、光変調器の表面に設けられたｐ側
及びｎ側の電極パッドと伝送線路の表面に設けられた接
地線路および信号線路とのそれぞれの表面に導電性のバ
ンプを設け、表面を下向きにした接続伝送線路をその表
面に設けられた信号用接続線路及び接地用接続線路を介
してバンプの上に接着し、光変調器のｐ側及びｎ側の電
極パッドと伝送線路の信号線路および接地線路とを接続
伝送線路の信号用接続線路及び接地用接続線路を介して
それぞれ接続したものである。
【００１７】図１はこの発明の実施の形態１に係る光デ
バイスの斜視図である。図１において、１０は光デバイ
ス、１２は光デバイス用の台座としてのチップキャリ
ア、１４は光変調器で、電界吸収型光変調器(ＥＡＭ)で
ある。１６は伝送線路で、この場合はコプレーナ線路で
ある。１８は導電性のバンプ、２０は接続伝送線路であ
る。光変調器１４は、長さ、幅とも３００μｍ程度、厚
さは１００μｍ程度である。また伝送線路１６の幅は３
００μｍ程度、厚さが２００μｍ程度である。バンプ１
８は直径が３０μｍ〜５０μｍ程度である。接続伝送線
路２０の幅及び厚さは伝送線路１６と同程度である。
バイスの斜視図である。図１において、１０は光デバイ
ス、１２は光デバイス用の台座としてのチップキャリ
ア、１４は光変調器で、電界吸収型光変調器(ＥＡＭ)で
ある。１６は伝送線路で、この場合はコプレーナ線路で
ある。１８は導電性のバンプ、２０は接続伝送線路であ
る。光変調器１４は、長さ、幅とも３００μｍ程度、厚
さは１００μｍ程度である。また伝送線路１６の幅は３
００μｍ程度、厚さが２００μｍ程度である。バンプ１
８は直径が３０μｍ〜５０μｍ程度である。接続伝送線
路２０の幅及び厚さは伝送線路１６と同程度である。
【００１８】１５は光変調器１４に入射されるレーザ光
で、矢印で示されている。図２はこの実施の形態１に係
る光変調器の斜視図である。図２において、２６は半導
体絶縁性のＩｎＰ基板、２８はＩｎＰ基板の上に積層さ
れたｎ型導電性ＩｎＰ層（以下、ｎ型導電性を“ｎ
−”、ｐ型導電性を“ｐ−”で表す。）である。３０は
ｎ−ＩｎＰ層２８の上の中央部に形成され、レーザ光が
導波される光導波路リッジで、この光導波路リッジ３０
はｎ−ＩｎＰ層２８側からｎ−ＩｎＰからなるｎクラッ
ド層３２とこの上に形成されたＩｎＰからなる光導波路
層３４とこの光導波路層３４の上に形成されたｐ−Ｉｎ
Ｐからなるｐクラッド層３６とから構成される。３８は
ＩｎＰの電極パッド基台で、ｎ−ＩｎＰ層２８の上に分
離溝４０を介して光導波路リッジ３０と並行して配設さ
れている。光導波路リッジ３０、分離溝４０、および電
極パッド基台３８の表面は、電極の接続点に開口が設け
られている以外は、概ね絶縁膜（図２では図示せず）に
覆われている。
で、矢印で示されている。図２はこの実施の形態１に係
る光変調器の斜視図である。図２において、２６は半導
体絶縁性のＩｎＰ基板、２８はＩｎＰ基板の上に積層さ
れたｎ型導電性ＩｎＰ層（以下、ｎ型導電性を“ｎ
−”、ｐ型導電性を“ｐ−”で表す。）である。３０は
ｎ−ＩｎＰ層２８の上の中央部に形成され、レーザ光が
導波される光導波路リッジで、この光導波路リッジ３０
はｎ−ＩｎＰ層２８側からｎ−ＩｎＰからなるｎクラッ
ド層３２とこの上に形成されたＩｎＰからなる光導波路
層３４とこの光導波路層３４の上に形成されたｐ−Ｉｎ
Ｐからなるｐクラッド層３６とから構成される。３８は
ＩｎＰの電極パッド基台で、ｎ−ＩｎＰ層２８の上に分
離溝４０を介して光導波路リッジ３０と並行して配設さ
れている。光導波路リッジ３０、分離溝４０、および電
極パッド基台３８の表面は、電極の接続点に開口が設け
られている以外は、概ね絶縁膜（図２では図示せず）に
覆われている。
【００１９】４２はｎ−ＩｎＰ層２８を介して導波路リ
ッジ３０のｎクラッド層３２に接続された接地電極パッ
ドとしてのｎ側電極パッドで、電極パッド基台３８表面
とｎ−ＩｎＰ層２８表面を接続する金属膜で構成されて
いる。４４は信号電極パッドとしてのｐ側電極パッド
で、電極パッド基台３８から分離溝４０、および光導波
路リッジ３０の上面に設けられた金属膜で構成され、光
導波路リッジ３０の上面の絶縁膜（図２では図示せず）
に設けられた開口（図２では図示せず）を介してｐクラ
ッド層３６に接続されている。図３は図２の光変調器の
III−III断面での断面図である。図３において、４６は
絶縁膜、４８はｐクラッド層３６の表面に設けられた絶
縁膜４６の開口で、この開口４８を介してｐ側電極パッ
ド４４とｐクラッド層３６とが接続されている。
ッジ３０のｎクラッド層３２に接続された接地電極パッ
ドとしてのｎ側電極パッドで、電極パッド基台３８表面
とｎ−ＩｎＰ層２８表面を接続する金属膜で構成されて
いる。４４は信号電極パッドとしてのｐ側電極パッド
で、電極パッド基台３８から分離溝４０、および光導波
路リッジ３０の上面に設けられた金属膜で構成され、光
導波路リッジ３０の上面の絶縁膜（図２では図示せず）
に設けられた開口（図２では図示せず）を介してｐクラ
ッド層３６に接続されている。図３は図２の光変調器の
III−III断面での断面図である。図３において、４６は
絶縁膜、４８はｐクラッド層３６の表面に設けられた絶
縁膜４６の開口で、この開口４８を介してｐ側電極パッ
ド４４とｐクラッド層３６とが接続されている。
【００２０】図４は図２の光変調器のIV−IV断面での断
面図である。図４において、５０は分離溝４０の底部に
おいて絶縁膜４６に設けられた開口で、この開口５０を
介して、ｎ側電極パッド４２はｎ−ＩｎＰ層２８に接続
しており、さらにこのｎ−ＩｎＰ層２８を経由してｎク
ラッド層３２に接続されている。図５は図２の光変調器
のV−V断面での断面図である。図５において、光導波路
層３４は、光変調を行う光吸収層３４ａとこの光吸収層
３４ａの両側に設けられ光を低損失で透過する光透過層
３４ｂとで形成され、ｐ側電極パッド４４は絶縁膜４６
の開口４８とｐクラッド層３６とを介して光吸収層３４
ａの直上に設けられている。
面図である。図４において、５０は分離溝４０の底部に
おいて絶縁膜４６に設けられた開口で、この開口５０を
介して、ｎ側電極パッド４２はｎ−ＩｎＰ層２８に接続
しており、さらにこのｎ−ＩｎＰ層２８を経由してｎク
ラッド層３２に接続されている。図５は図２の光変調器
のV−V断面での断面図である。図５において、光導波路
層３４は、光変調を行う光吸収層３４ａとこの光吸収層
３４ａの両側に設けられ光を低損失で透過する光透過層
３４ｂとで形成され、ｐ側電極パッド４４は絶縁膜４６
の開口４８とｐクラッド層３６とを介して光吸収層３４
ａの直上に設けられている。
【００２１】図６はこの実施の形態１に係る接続伝送線
路の斜視図である。図６において、５６は第２の誘電体
基板としての接続線路基板でセラミクス、たとえばアル
ミナなどで形成される。５８は信号用接続線路、６０は
２本の接地用接続線路で共に金メッキにより、接続線路
基板５６の表面上に形成されて、コプレーナ線路を構成
している。信号用接続線路５８、接地用接続線路６０は
ともに１００μｍ弱程度の幅寸法である。この接続伝送
線路２０は中央を境にして、信号用接続線路５８及び２
本の接地用接続線路６０が２分割されている。
路の斜視図である。図６において、５６は第２の誘電体
基板としての接続線路基板でセラミクス、たとえばアル
ミナなどで形成される。５８は信号用接続線路、６０は
２本の接地用接続線路で共に金メッキにより、接続線路
基板５６の表面上に形成されて、コプレーナ線路を構成
している。信号用接続線路５８、接地用接続線路６０は
ともに１００μｍ弱程度の幅寸法である。この接続伝送
線路２０は中央を境にして、信号用接続線路５８及び２
本の接地用接続線路６０が２分割されている。
【００２２】図７はこの実施の形態１に係る光デバイス
本体の斜視図である。図７において、チップキャリア１
２は、金属やセラミクスで形成され、中央に凸部１２ａ
を有し、この凸部１２ａに光変調器１４の背面が接着さ
れる。凸部１２ａの両側のチップキャリア１２上に一対
の伝送線路１６が接着される。ここで「一対」というの
は、後に説明する外部配線に接続される側の伝送線路１
６と終端側の伝送線路１６とを意味している。この伝送
線路の表面と凸部１２ａに接着された光変調器１４の表
面とが同じ高さになるように、凸部１２ａの高さが調節
される。
本体の斜視図である。図７において、チップキャリア１
２は、金属やセラミクスで形成され、中央に凸部１２ａ
を有し、この凸部１２ａに光変調器１４の背面が接着さ
れる。凸部１２ａの両側のチップキャリア１２上に一対
の伝送線路１６が接着される。ここで「一対」というの
は、後に説明する外部配線に接続される側の伝送線路１
６と終端側の伝送線路１６とを意味している。この伝送
線路の表面と凸部１２ａに接着された光変調器１４の表
面とが同じ高さになるように、凸部１２ａの高さが調節
される。
【００２３】伝送線路１６はコプレーナ線路として構成
されている。１６ａは第１の誘電体基板としての伝送線
路基板で、セラミクス、たとえばアルミナなどで形成さ
れる。１６ｂは信号線路、１６ｃは２本の接地線路で、
一方の伝送線路１６は、外部信号線と接地線とを有する
外部配線（図示せず）に接続され、この外部配線から変
調信号が入力される。他の一方の伝送線路１６は終端側
となっており、信号線路１６ｂは終端抵抗６６を介して
接地線路１６ｃに接続されている。終端抵抗６６は通常
５０Ωである。信号線路１６ｂと接地線路１６ｃは１０
０μｍ程度弱の幅寸法を有し、金メッキにより形成され
る。
されている。１６ａは第１の誘電体基板としての伝送線
路基板で、セラミクス、たとえばアルミナなどで形成さ
れる。１６ｂは信号線路、１６ｃは２本の接地線路で、
一方の伝送線路１６は、外部信号線と接地線とを有する
外部配線（図示せず）に接続され、この外部配線から変
調信号が入力される。他の一方の伝送線路１６は終端側
となっており、信号線路１６ｂは終端抵抗６６を介して
接地線路１６ｃに接続されている。終端抵抗６６は通常
５０Ωである。信号線路１６ｂと接地線路１６ｃは１０
０μｍ程度弱の幅寸法を有し、金メッキにより形成され
る。
【００２４】光デバイス本体は、チップキャリア１２、
光変調器１４、および伝送線路１６で構成される。１８
は導電性のバンプで、たとえば金などで形成される。バ
ンプ１８は、光変調器１４の両側にある電極パッド基台
３８上それぞれのｐ側電極パッド４４および一対のｎ側
電極パッド４２、一対の伝送線路１６それぞれの表面に
設けられた信号線路１６ｂおよび接地線路１６ｃにそれ
ぞれ形成される。
光変調器１４、および伝送線路１６で構成される。１８
は導電性のバンプで、たとえば金などで形成される。バ
ンプ１８は、光変調器１４の両側にある電極パッド基台
３８上それぞれのｐ側電極パッド４４および一対のｎ側
電極パッド４２、一対の伝送線路１６それぞれの表面に
設けられた信号線路１６ｂおよび接地線路１６ｃにそれ
ぞれ形成される。
【００２５】次にこの実施の形態１に係る光デバイス１
０の組み立て方法について説明する。図７を参照して、
光変調器１４のｎ側電極パッド４２およびｐ側電極パッ
ド４４が配設された表面を上に向け、光変調器１４の背
面をチップキャリア１２の凸部１２ａに、ＡｕＳｎ半田
などで接着する。次にチップキャリア１２の凸部１２ａ
の両側に光変調器１４に隣接して一対の伝送線路１６が
ＡｕＳｎ半田などで接着される。この伝送線路１６も信
号線路１６ｂと２本の接地線路１６ｃが配設された表面
を上に向けて接着される。このとき光変調器１４の表面
と一対の伝送線路１６の表面とが同じ高さになるよう
に、前もってチップキャリア１２の凸部１２ａの高さを
所定の高さに形成しておく。
０の組み立て方法について説明する。図７を参照して、
光変調器１４のｎ側電極パッド４２およびｐ側電極パッ
ド４４が配設された表面を上に向け、光変調器１４の背
面をチップキャリア１２の凸部１２ａに、ＡｕＳｎ半田
などで接着する。次にチップキャリア１２の凸部１２ａ
の両側に光変調器１４に隣接して一対の伝送線路１６が
ＡｕＳｎ半田などで接着される。この伝送線路１６も信
号線路１６ｂと２本の接地線路１６ｃが配設された表面
を上に向けて接着される。このとき光変調器１４の表面
と一対の伝送線路１６の表面とが同じ高さになるよう
に、前もってチップキャリア１２の凸部１２ａの高さを
所定の高さに形成しておく。
【００２６】次に、光変調器１４の導波路リッジ３０を
介して両側にある電極パッド基台３８それぞれの上のｐ
側電極パッド４４およびｎ側電極パッド４２、一対の伝
送線路１６それぞれの表面に配設された信号線路１６ｂ
および２本の接地線路１６ｃにバンプ１８を形成する。
次に図６で示した接続伝送線路２０を、その信号用接続
線路５８と接地用接続線路６０とが配設された表面を下
に向けて、信号用接続線路５８がｐ側電極パッド４４と
信号線路１６ｂとの表面に形成されたバンプに、また接
地用接続線路６０がｎ側電極パッド４２と接地線路１６
ｃとの表面に形成されたバンプに、それぞれ接触するよ
うに、接続伝送線路２０をバンプ１８上に載置する。
介して両側にある電極パッド基台３８それぞれの上のｐ
側電極パッド４４およびｎ側電極パッド４２、一対の伝
送線路１６それぞれの表面に配設された信号線路１６ｂ
および２本の接地線路１６ｃにバンプ１８を形成する。
次に図６で示した接続伝送線路２０を、その信号用接続
線路５８と接地用接続線路６０とが配設された表面を下
に向けて、信号用接続線路５８がｐ側電極パッド４４と
信号線路１６ｂとの表面に形成されたバンプに、また接
地用接続線路６０がｎ側電極パッド４２と接地線路１６
ｃとの表面に形成されたバンプに、それぞれ接触するよ
うに、接続伝送線路２０をバンプ１８上に載置する。
【００２７】ついで接続伝送線路２０を加温加圧するこ
とにより、各バンプ１８と接続伝送線路２０の信号用接
続線路５８および接地用接続線路６０とを接着する。こ
れにより、バンプ１８上の接続伝送線路２０の信号用接
続線路５８を介して光変調器１４のｐ側電極パッド４４
と伝送線路１６の信号線路１６ｂとを、またバンプ１８
上の接続伝送線路２０の接地用接続線路６０を介して光
変調器１４のｎ側電極パッド４２と伝送線路１６の接地
線路１６ｃとが接続される。このように組み立てられた
のが、図１に示した光デバイス１０である。
とにより、各バンプ１８と接続伝送線路２０の信号用接
続線路５８および接地用接続線路６０とを接着する。こ
れにより、バンプ１８上の接続伝送線路２０の信号用接
続線路５８を介して光変調器１４のｐ側電極パッド４４
と伝送線路１６の信号線路１６ｂとを、またバンプ１８
上の接続伝送線路２０の接地用接続線路６０を介して光
変調器１４のｎ側電極パッド４２と伝送線路１６の接地
線路１６ｃとが接続される。このように組み立てられた
のが、図１に示した光デバイス１０である。
【００２８】図８はこの実施の形態１に係る光デバイス
の一部透過斜視図である。図８は図１に示した光デバイ
ス１０と同じものであるが、接続伝送線路２０の接続伝
送線路２０の接続状態がよく分かるように、接続線路基
板５６が透過図で示されている。また接続伝送線路２０
の信号用接続線路５８および接地用接続線路６０にハッ
チングが施されているが、これは断面を示すものではな
く、信号用接続線路５８および接地用接続線路６０の接
続を見やすくするために、施したものである。
の一部透過斜視図である。図８は図１に示した光デバイ
ス１０と同じものであるが、接続伝送線路２０の接続伝
送線路２０の接続状態がよく分かるように、接続線路基
板５６が透過図で示されている。また接続伝送線路２０
の信号用接続線路５８および接地用接続線路６０にハッ
チングが施されているが、これは断面を示すものではな
く、信号用接続線路５８および接地用接続線路６０の接
続を見やすくするために、施したものである。
【００２９】すなわち、接続伝送線路２０の信号用接続
線路５８および接地用接続線路６０がバンプを介して、
一対の伝送線路１６の信号線路１６ｂおよび接地線路１
６ｃと光変調器１４表面の両側にある電極パッド基台３
８上のｐ側電極パッド４４およびｎ側電極パッド４２と
をそれぞれ接続していることを示している。次に動作に
ついて説明する。光デバイス１０には外部光学系（図示
せず）の光ファイバからレンズ系を介してレーザ光が入
射される。このレーザ光は光変調器１４に設けられた光
導波路層３４の一方の端面に入射される。
線路５８および接地用接続線路６０がバンプを介して、
一対の伝送線路１６の信号線路１６ｂおよび接地線路１
６ｃと光変調器１４表面の両側にある電極パッド基台３
８上のｐ側電極パッド４４およびｎ側電極パッド４２と
をそれぞれ接続していることを示している。次に動作に
ついて説明する。光デバイス１０には外部光学系（図示
せず）の光ファイバからレンズ系を介してレーザ光が入
射される。このレーザ光は光変調器１４に設けられた光
導波路層３４の一方の端面に入射される。
【００３０】一方、光デバイス１０の終端側でない方の
伝送線路１６に、信号線と接地線を有する外部配線（図
示せず）が接続され、この外部配線から伝送線路１６の
信号線路１６ｂに変調信号が入力される。この変調信号
はバンプ１８を介して接続伝送線路２０の信号用接続線
路５８に伝達され、さらにバンプ１８を介して光変調器
１４のｐ側電極パッド４４に伝達される。ｐ側電極パッ
ド４４に伝達された電気信号は、光変調器１４のｐクラ
ッド層３６と接地側のｎクラッド層３２との間で変調信
号電圧として印加される。そしてこの変調信号電圧がｐ
側電極パッド４４直下の光吸収層３４ａに印加される。
伝送線路１６に、信号線と接地線を有する外部配線（図
示せず）が接続され、この外部配線から伝送線路１６の
信号線路１６ｂに変調信号が入力される。この変調信号
はバンプ１８を介して接続伝送線路２０の信号用接続線
路５８に伝達され、さらにバンプ１８を介して光変調器
１４のｐ側電極パッド４４に伝達される。ｐ側電極パッ
ド４４に伝達された電気信号は、光変調器１４のｐクラ
ッド層３６と接地側のｎクラッド層３２との間で変調信
号電圧として印加される。そしてこの変調信号電圧がｐ
側電極パッド４４直下の光吸収層３４ａに印加される。
【００３１】この変調信号電圧に対応して光吸収層３４
ａにより光導波路層３４に入射されたレーザ光がオン・
オフされ、変調される。変調されたレーザ光は光導波路
層３４の他の一方の端面からが出射される。この変調さ
れたレーザ光がレンズ系を介して光ファイバに導波さ
れ、外部光学系に伝送される。この電気信号の伝達は、
ボンディングワイヤを介して行わないでバンプ１８を介
して行われるので、電気抵抗やインダクタンスが小さ
く、周波数特性に優れた信号伝達を行うことが出来る。
ａにより光導波路層３４に入射されたレーザ光がオン・
オフされ、変調される。変調されたレーザ光は光導波路
層３４の他の一方の端面からが出射される。この変調さ
れたレーザ光がレンズ系を介して光ファイバに導波さ
れ、外部光学系に伝送される。この電気信号の伝達は、
ボンディングワイヤを介して行わないでバンプ１８を介
して行われるので、電気抵抗やインダクタンスが小さ
く、周波数特性に優れた信号伝達を行うことが出来る。
【００３２】この光変調を行う際に、周りの装置の発熱
や使用環境の温度条件による周辺温度が変化する。この
周辺温度の変化に伴ってバンプ１８が熱膨張や熱収縮な
どの熱変形を行い、バンプ１８に支持された接続伝送線
路２０はこのバンプ１８の熱変形によりその位置を変動
する。しかしながらこの実施の形態に係る光デバイス１
０においては、光変調器１４はチップキャリア１２にＡ
ｕＳｎ半田で固着され、チップキャリア１２はまた外部
光学系と固定される。このため周辺温度が変化し、バン
プ１８の熱変形が生じたとしても接続伝送線路２０の位
置変動は生じるが、バンプ１８の熱変形による光変調器
１４の位置変動は無い。
や使用環境の温度条件による周辺温度が変化する。この
周辺温度の変化に伴ってバンプ１８が熱膨張や熱収縮な
どの熱変形を行い、バンプ１８に支持された接続伝送線
路２０はこのバンプ１８の熱変形によりその位置を変動
する。しかしながらこの実施の形態に係る光デバイス１
０においては、光変調器１４はチップキャリア１２にＡ
ｕＳｎ半田で固着され、チップキャリア１２はまた外部
光学系と固定される。このため周辺温度が変化し、バン
プ１８の熱変形が生じたとしても接続伝送線路２０の位
置変動は生じるが、バンプ１８の熱変形による光変調器
１４の位置変動は無い。
【００３３】それ故に周辺温度の変化が原因となる外部
光学系との相対的な位置ずれを少なくすることができ
る。従って光軸ずれなどの特性劣化を防止することがで
き、光軸安定性に優れた光デバイスを構成することが出
来る。すなわちこの光デバイス１０では電気信号の伝達
系でバンプ１８を使用することにより優れた周波数特性
を維持しながら、光軸安定性に優れた光デバイスを構成
することが出来る。
光学系との相対的な位置ずれを少なくすることができ
る。従って光軸ずれなどの特性劣化を防止することがで
き、光軸安定性に優れた光デバイスを構成することが出
来る。すなわちこの光デバイス１０では電気信号の伝達
系でバンプ１８を使用することにより優れた周波数特性
を維持しながら、光軸安定性に優れた光デバイスを構成
することが出来る。
【００３４】また、接続伝送線路２０は中央を境にし
て、信号用接続線路５８、接地用接続線路６０が２分割
されている。このために信号用接続線路５８および接地
用接続線路６０が外部信号線に接続している側と終端側
で分離され、従来の構成に比べて光変調器１４と並列す
る短絡線路が無くなり、光変調器１４のｐ側電極パッド
４４に伝達される信号電力の減少が防止され、変調効率
の低下を防止することが出来る。
て、信号用接続線路５８、接地用接続線路６０が２分割
されている。このために信号用接続線路５８および接地
用接続線路６０が外部信号線に接続している側と終端側
で分離され、従来の構成に比べて光変調器１４と並列す
る短絡線路が無くなり、光変調器１４のｐ側電極パッド
４４に伝達される信号電力の減少が防止され、変調効率
の低下を防止することが出来る。
【００３５】また、終端側の伝送線路１６の信号線路１
６ｂは終端抵抗６６を介して接地線路１６ｃに接続され
ているので、信号電力の損失を少なくでき、変調効率の
低下を防止することが出来る。
６ｂは終端抵抗６６を介して接地線路１６ｃに接続され
ているので、信号電力の損失を少なくでき、変調効率の
低下を防止することが出来る。
【００３６】図９は実施の形態１に係る光デバイスの変
形例の一部透過斜視図である。図９において、７０は光
デバイスで、この光デバイス７０においては、接続伝送
線路２０ｂの信号用接続線路５８および接地用接続線路
６０が中央を境にして２分割されているのに対応して、
接続伝送線路２０の接続線路基板５６が、外部配線（図
示せず）が接続された伝送線路１６側の接続伝送線路２
０ａと終端側の伝送線路１６側に配設された接続伝送線
路２０ｂの二つに分割されている。
形例の一部透過斜視図である。図９において、７０は光
デバイスで、この光デバイス７０においては、接続伝送
線路２０ｂの信号用接続線路５８および接地用接続線路
６０が中央を境にして２分割されているのに対応して、
接続伝送線路２０の接続線路基板５６が、外部配線（図
示せず）が接続された伝送線路１６側の接続伝送線路２
０ａと終端側の伝送線路１６側に配設された接続伝送線
路２０ｂの二つに分割されている。
【００３７】この接続伝送線路２０ａと終端側の接続伝
送線路２０ｂにはそれぞれ信号用接続線路５８および接
地用接続線路６０が設けられている。この光デバイス７
０は先に述べた光デバイス２０と同様の効果を奏すると
ともに、接続伝送線路２０が接続伝送線路２０ａと接続
伝送線路２０ｂの二つに分割されているので、上方から
の視認により光変調器１４の光導波リッジ３０が確認で
きる。このため容易に光導波路層３４の位置を判別する
ことができ、外部光学系（光ファイバなど）との光結合
が容易に行うことが出来るという効果を有する。
送線路２０ｂにはそれぞれ信号用接続線路５８および接
地用接続線路６０が設けられている。この光デバイス７
０は先に述べた光デバイス２０と同様の効果を奏すると
ともに、接続伝送線路２０が接続伝送線路２０ａと接続
伝送線路２０ｂの二つに分割されているので、上方から
の視認により光変調器１４の光導波リッジ３０が確認で
きる。このため容易に光導波路層３４の位置を判別する
ことができ、外部光学系（光ファイバなど）との光結合
が容易に行うことが出来るという効果を有する。
【００３８】図１０は実施の形態１に係る光デバイスの
もう一つの変形例の一部透過斜視図である。図１０にお
いて、７５は光デバイス、２０ｃは接続伝送線路であ
る。この光デバイス７５の接続伝送線路２０ｃでは、信
号用接続線路５８および接地用接続線路６０が中央を境
にして分離されておらず、連続したものになっている。
このため、光変調器１４と並列する短絡線路を有するこ
ととなり、先に述べた光デバイス１０に比べて光変調器
１４のｐ側電極パッド４４に伝達される信号電力が若干
減少するものの、それ以外は光デバイス１０と同様の効
果を奏する。
もう一つの変形例の一部透過斜視図である。図１０にお
いて、７５は光デバイス、２０ｃは接続伝送線路であ
る。この光デバイス７５の接続伝送線路２０ｃでは、信
号用接続線路５８および接地用接続線路６０が中央を境
にして分離されておらず、連続したものになっている。
このため、光変調器１４と並列する短絡線路を有するこ
ととなり、先に述べた光デバイス１０に比べて光変調器
１４のｐ側電極パッド４４に伝達される信号電力が若干
減少するものの、それ以外は光デバイス１０と同様の効
果を奏する。
【００３９】
【発明の効果】この発明に係る光デバイスにおいては、
光デバイス用の台座と、この台座に背面を接合して配設
され、表面に信号電極パッドと接地電極パッドとが配設
された光変調器と、この光変調器の両側の台座上に配設
され、第１の誘電体基板の表面に配設された信号線路と
接地線路とを有する一対の伝送線路と、この伝送線路の
信号線路および接地線路の表面上、並びに光変調器の信
号電極パッドおよび接地電極パッドの表面上、それぞれ
に配設された導電性のバンプと、第２の誘電体基板の表
面に配設された接地用接続線路および信号用接続線路を
有し、この接地用接続線路と信号用接続線路とをバンプ
に対向して配設され、光変調器の電極パッド上の上記バ
ンプと伝送線路上のバンプとを接地用接続線路と信号用
接続線路とによりそれぞれ接続した接続伝送線路と、を
備えたもので、光変調器を台座上に直接固定することが
出来て、バンプの熱変形による光変調器の位置変位によ
る光学系との位置ずれを防止することができ、バンプを
使用しているので周波数特性を良好に維持しながら光軸
ずれなどの光学特性の劣化を防止することが出来る。こ
のため優れた周波数特性を維持しながら、光軸安定性に
優れた光デバイスを構成することが出来る。
光デバイス用の台座と、この台座に背面を接合して配設
され、表面に信号電極パッドと接地電極パッドとが配設
された光変調器と、この光変調器の両側の台座上に配設
され、第１の誘電体基板の表面に配設された信号線路と
接地線路とを有する一対の伝送線路と、この伝送線路の
信号線路および接地線路の表面上、並びに光変調器の信
号電極パッドおよび接地電極パッドの表面上、それぞれ
に配設された導電性のバンプと、第２の誘電体基板の表
面に配設された接地用接続線路および信号用接続線路を
有し、この接地用接続線路と信号用接続線路とをバンプ
に対向して配設され、光変調器の電極パッド上の上記バ
ンプと伝送線路上のバンプとを接地用接続線路と信号用
接続線路とによりそれぞれ接続した接続伝送線路と、を
備えたもので、光変調器を台座上に直接固定することが
出来て、バンプの熱変形による光変調器の位置変位によ
る光学系との位置ずれを防止することができ、バンプを
使用しているので周波数特性を良好に維持しながら光軸
ずれなどの光学特性の劣化を防止することが出来る。こ
のため優れた周波数特性を維持しながら、光軸安定性に
優れた光デバイスを構成することが出来る。
【００４０】さらに、伝送線路及び接続伝送線路をコプ
レーナ線路とするとともに光変調器の接地電極パッドを
伝送線路の接地線路に対応して複数配設したもので、伝
送線路及び接続伝送線路の構成が簡単になる。このため
安価な光デバイスを構成することが出来る。
レーナ線路とするとともに光変調器の接地電極パッドを
伝送線路の接地線路に対応して複数配設したもので、伝
送線路及び接続伝送線路の構成が簡単になる。このため
安価な光デバイスを構成することが出来る。
【００４１】さらに、光変調器に配設された光吸収層を
有する光導波路層を介して光変調器表面の両側にそれぞ
れ信号電極パッドおよび接地電極パッドを有するととも
に、接続伝送線路の接地用接続線路及び信号用接続線路
それぞれが両側の信号電極パッドおよび接地電極パッド
に対応して分離されたもので、素子側を通らない信号電
力を少なくし、変調効率の低下を防ぐことが出来る。こ
のため変調効率の高い光デバイスを構成することができ
る。
有する光導波路層を介して光変調器表面の両側にそれぞ
れ信号電極パッドおよび接地電極パッドを有するととも
に、接続伝送線路の接地用接続線路及び信号用接続線路
それぞれが両側の信号電極パッドおよび接地電極パッド
に対応して分離されたもので、素子側を通らない信号電
力を少なくし、変調効率の低下を防ぐことが出来る。こ
のため変調効率の高い光デバイスを構成することができ
る。
【００４２】さらに、接続伝送線路が、それぞれ分離さ
れた接地用接続線路及び信号用接続線路に対応して２分
割されたもので、上方からの視認により容易に光変調器
の光導波路の位置が判別できるので、外部光学系との光
結合が容易になる。このため実装が簡単な光デバイスを
構成することができる。
れた接地用接続線路及び信号用接続線路に対応して２分
割されたもので、上方からの視認により容易に光変調器
の光導波路の位置が判別できるので、外部光学系との光
結合が容易になる。このため実装が簡単な光デバイスを
構成することができる。
【００４３】さらに、一対の伝送線路の、一方の信号線
路が終端抵抗を介して接地線路と接続したもので、イン
ピーダンス整合を良くし、変調効率を高くすることが出
来る。このため変調効率の高い光デバイスを構成するこ
とができる。
路が終端抵抗を介して接地線路と接続したもので、イン
ピーダンス整合を良くし、変調効率を高くすることが出
来る。このため変調効率の高い光デバイスを構成するこ
とができる。
【００４４】また、この発明に係る光デバイスの製造方
法においては、光変調器の接合部位を有する光デバイス
用の台座を準備する工程と、表面に信号電極パッドと接
地電極パッドとが配設された光変調器を、その背面を介
して台座の接合部位に接合する工程と、台座上の光変調
器接合部位の両側に、第１の誘電体基板の表面に信号線
路と接地線路とを有する一対の伝送線路を配設する工程
と、光変調器の信号電極パッドと接地電極パッドとの表
面上、及び伝送線路の信号線路と接地線路との表面上に
導電性のバンプを形成する工程と、第２の誘電体基板の
表面に配設された接地用接続線路および信号用接続線路
を有する接続伝送線路を、接地用接続線路と信号用接続
線路とをバンプに対向させて配設し、接地用接続線路と
信号用接続線路とにより光変調器の電極パッド上のバン
プと伝送線路上のバンプとをそれぞれ接続する工程と、
を含むもので、優れた周波数特性を維持しながら、光軸
安定性に優れた光デバイスを簡単な工程で製造すること
が出来る。従って周波数特性がよく光軸安定性に優れた
光デバイスを安価に提供することができる。
法においては、光変調器の接合部位を有する光デバイス
用の台座を準備する工程と、表面に信号電極パッドと接
地電極パッドとが配設された光変調器を、その背面を介
して台座の接合部位に接合する工程と、台座上の光変調
器接合部位の両側に、第１の誘電体基板の表面に信号線
路と接地線路とを有する一対の伝送線路を配設する工程
と、光変調器の信号電極パッドと接地電極パッドとの表
面上、及び伝送線路の信号線路と接地線路との表面上に
導電性のバンプを形成する工程と、第２の誘電体基板の
表面に配設された接地用接続線路および信号用接続線路
を有する接続伝送線路を、接地用接続線路と信号用接続
線路とをバンプに対向させて配設し、接地用接続線路と
信号用接続線路とにより光変調器の電極パッド上のバン
プと伝送線路上のバンプとをそれぞれ接続する工程と、
を含むもので、優れた周波数特性を維持しながら、光軸
安定性に優れた光デバイスを簡単な工程で製造すること
が出来る。従って周波数特性がよく光軸安定性に優れた
光デバイスを安価に提供することができる。
【図１】 この発明に係る光デバイスの斜視図である。
【図２】 この発明に係る光変調器の斜視図である。
【図３】 図２の光変調器のIII−III断面での断面図で
ある。
ある。
【図４】 図２の光変調器のIV−IV断面での断面図であ
る。
る。
【図５】 図２の光変調器のV−V断面での断面図であ
る。
る。
【図６】 この発明に係る接続伝送線路の斜視図であ
る。
る。
【図７】 この発明に係る光デバイス本体の斜視図であ
る。
る。
【図８】 この発明に係る光デバイスの一部透過斜視図
である。
である。
【図９】 この発明に係る光デバイスの一部透過斜視図
である。
である。
【図１０】 この発明に係る光デバイスの一部透過斜視
図である。
図である。
【図１１】 従来の光デバイスの斜視図である。
【図１２】 従来の光変調器の斜視図である。
【図１３】 従来の伝送線路の斜視図である。
１２ チップキャリア、 ４２ ｎ側電極パッド、
４４ ｐ側電極パッド、 １４ 光変調器、 １
６ａ 伝送線路基板、 １６ｂ 信号線路、１６ｃ
接地線路、 １６ 伝送線路、 １８ バンプ、
５６接続線路基板、 ５８ 信号用接続線路、
６０ 接地用接続線路、 ２０接続伝送線路、 ３
４ａ光吸収層、 ３４ 光導波路層、 ６６ 終端
抵抗。
４４ ｐ側電極パッド、 １４ 光変調器、 １
６ａ 伝送線路基板、 １６ｂ 信号線路、１６ｃ
接地線路、 １６ 伝送線路、 １８ バンプ、
５６接続線路基板、 ５８ 信号用接続線路、
６０ 接地用接続線路、 ２０接続伝送線路、 ３
４ａ光吸収層、 ３４ 光導波路層、 ６６ 終端
抵抗。
Claims (6)
- 【請求項１】 光デバイス用の台座と、 この台座に背面を接合して配設され、表面に信号電極パ
ッドと接地電極パッドとが配設された光変調器と、 この光変調器の両側の上記台座上に配設され、第１の誘
電体基板の表面に配設された信号線路と接地線路とを有
する一対の伝送線路と、 この伝送線路の上記信号線路および接地線路の表面上、
並びに上記光変調器の信号電極パッドおよび接地電極パ
ッドの表面上、それぞれに配設された導電性のバンプ
と、 第２の誘電体基板の表面に配設された接地用接続線路お
よび信号用接続線路を有し、この接地用接続線路と信号
用接続線路とを上記バンプに対向して配設され、上記光
変調器の電極パッド上の上記バンプと上記伝送線路上の
上記バンプとを上記接地用接続線路と信号用接続線路と
によりそれぞれ接続した接続伝送線路と、を備えた光デ
バイス。 - 【請求項２】 伝送線路及び接続伝送線路をコプレーナ
線路とするとともに光変調器の接地電極パッドを伝送線
路の接地線路に対応して複数配設したことを特徴とする
請求項１記載の光デバイス。 - 【請求項３】 光変調器に配設された光吸収層を有する
光導波路層を介して光変調器表面の両側にそれぞれ信号
電極パッドおよび接地電極パッドを有するとともに、接
続伝送線路の接地用接続線路及び信号用接続線路それぞ
れが両側の上記信号電極パッドおよび接地電極パッドに
対応して分離されたことを特徴とする請求項１または２
記載の光デバイス。 - 【請求項４】 接続伝送線路が、それぞれ分離された接
地用接続線路及び信号用接続線路に対応して２分割され
たことを特徴とする請求項３記載の光デバイス。 - 【請求項５】 一対の伝送線路の、一方の信号線路が終
端抵抗を介して接地線路と接続したことを特徴とする請
求項１ないし４のいずれか１項に記載の光デバイス。 - 【請求項６】 光変調器の接合部位を有する光デバイス
用の台座を準備する工程と、 表面に信号電極パッドと接地電極パッドとが配設された
光変調器を、その背面を介して台座の接合部位に接合す
る工程と、 台座上の光変調器接合部位の両側に、第１の誘電体基板
の表面に信号線路と接地線路とを有する一対の伝送線路
を配設する工程と、 光変調器の信号電極パッドと接地電極パッドとの表面
上、及び伝送線路の信号線路と接地線路との表面上に導
電性のバンプを形成する工程と、 第２の誘電体基板の表面に配設された接地用接続線路お
よび信号用接続線路を有する接続伝送線路を、接地用接
続線路と信号用接続線路とをバンプに対向させて配設
し、接地用接続線路と信号用接続線路とにより光変調器
の電極パッド上のバンプと伝送線路上のバンプとをそれ
ぞれ接続する工程と、を含む光デバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000319707A JP2002131712A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 光デバイスおよびその製造方法 |
| US09/779,840 US6574379B2 (en) | 2000-10-19 | 2001-02-09 | Optical device and its manufacturing method |
| DE10128578A DE10128578A1 (de) | 2000-10-19 | 2001-06-13 | Optische Vorrichtung und ihr Herstellungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000319707A JP2002131712A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 光デバイスおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002131712A true JP2002131712A (ja) | 2002-05-09 |
Family
ID=18798119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000319707A Pending JP2002131712A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 光デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6574379B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002131712A (ja) |
| DE (1) | DE10128578A1 (ja) |
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| US5621837A (en) | 1993-08-09 | 1997-04-15 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Opto-electronic hybrid integration platform, optical sub-module, opto-electronic hybrid integration circuit and process for fabricating platform |
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| JP2924953B2 (ja) * | 1996-11-05 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 光素子の実装構造 |
| DE19653094A1 (de) * | 1996-12-20 | 1998-06-25 | Alsthom Cge Alcatel | Photonisches Bauelement mit elektrischen Leiterbahnen |
| JP3662402B2 (ja) | 1997-11-07 | 2005-06-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体モジュール |
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-
2000
- 2000-10-19 JP JP2000319707A patent/JP2002131712A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-09 US US09/779,840 patent/US6574379B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-13 DE DE10128578A patent/DE10128578A1/de not_active Ceased
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