JP2002117735A - Method for manufacturing transparent laminate - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture at high productivity a transparent laminate with high quality such as high transparency or high conductivity by forming at high speed a metal oxide thin layer with a sputtering method without oxidizing a silver base transparent conductor thin layer which is a substrate when the metal oxide thin layer is laminated as a transparent thin layer on the silver base transparent conductor thin film. SOLUTION: This transparent laminate is manufactured by repeatedly laminating a combination of the silver base transparent conductor thin layer having a thickness of 1-30 nm and the transparent thin layer having a thickness of 10-300 nm, and using the metal oxide thin layer in at least one of the transparent thin layers laminated on the silver base transparent conductor thin layer. When the metal oxide thin layer is formed with the sputtering method, the sputtering using a metal oxide target is conducted, and then reactive sputtering using a metal target is conducted.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、透明電極、透明熱
線反射膜、ディスプレイ用透明電磁波シールド材などに
好適に用いられる透明積層体、とくに高可視光線透過
率、低表面抵抗、高近赤外線カット率が要求されるプラ
ズマディスプレイパネル用フィルタに好適に用いられる
透明積層体の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent laminate which is suitably used for a transparent electrode, a transparent heat ray reflective film, a transparent electromagnetic wave shielding material for a display, etc., in particular, a high visible light transmittance, a low surface resistance and a high near infrared cut. The present invention relates to a method for producing a transparent laminate preferably used for a filter for a plasma display panel requiring a high efficiency.

【０００２】[0002]

【従来の技術】透明金属酸化物薄膜は、反射防止膜、各
種光学フィルタ、表面保護層、コンデンサ用誘電体膜、
絶縁層などに用いられており、とくにＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ
などを主成分とした金属酸化物薄膜は、透明導電膜材料
として、ディスプレイ用透明電極、タッチパネル用透明
導電フィルムなどに応用されている。これらの透明金属
酸化物薄膜は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法などの真空プロセスで成膜されてお
り、とくにスパッタリング法は膜厚の制御性にすぐれ、
大面積にも均一な薄膜を形成できるので、広く用いられ
ている。2. Description of the Related Art Transparent metal oxide thin films include antireflection films, various optical filters, surface protective layers, dielectric films for capacitors,
It is used for an insulating layer and the like, and particularly, In, Zn, Sn
Metal oxide thin films mainly composed of such materials have been applied as transparent conductive film materials to transparent electrodes for displays, transparent conductive films for touch panels, and the like. These transparent metal oxide thin films are formed by vacuum evaporation, ion plating,
The film is formed by a vacuum process such as a sputtering method. In particular, the sputtering method has excellent controllability of the film thickness,
Since it can form a uniform thin film even in a large area, it is widely used.

【０００３】しかし、スパッタリング法は、真空蒸着法
などに比べ、成膜速度が遅く、とくに金属酸化物の焼結
体であるセラミックターゲットを使用する場合、成膜は
容易であるが、成膜速度が遅く、生産性が問題となる。
このため、真空成膜室に複数のターゲットを設置した
り、マグネトロンスパッタリング法では磁場設計を最適
化するなどして生産性の向上をはかっている。また、金
属ターゲットを用い、不活性ガスに酸素ガスを混合した
雰囲気中でスパッタした金属原子を酸化しながら成膜す
る、いわゆる反応性スパッタリングでは、金属のスパッ
タ率が金属酸化物のそれよりも大きいため、比較的高い
成膜速度が得られるが、酸素ガスの導入量により成膜速
度や膜質が変化し、精密な生産条件管理が必要である。[0003] However, the sputtering method has a lower film formation rate than a vacuum evaporation method and the like. In particular, when a ceramic target which is a sintered body of a metal oxide is used, the film formation is easy. Is slow, and productivity becomes a problem.
For this reason, productivity is improved by installing a plurality of targets in a vacuum film forming chamber or optimizing a magnetic field design in a magnetron sputtering method. In a so-called reactive sputtering method, in which a metal target is used to form a film while oxidizing metal atoms sputtered in an atmosphere in which an oxygen gas is mixed with an inert gas, so-called reactive sputtering, a metal sputtering rate is larger than that of a metal oxide. Therefore, a relatively high film formation rate can be obtained, but the film formation rate and film quality change depending on the amount of oxygen gas introduced, and precise management of production conditions is required.

【０００４】透明薄膜材料としては、上記したような金
属酸化物のほかに、ＭｇＦ₂ やＺｎＳなどに代表される
金属弗化物や金属硫化物なども用いられており、これら
の材料を使用した透明薄膜についても、上記と同様のス
パッタリング法や、その他、真空蒸着法、イオンプレー
ティング法などの真空プロセスで成膜され、金属酸化物
薄膜の場合と同様の各種用途に応用されている。As a transparent thin film material, in addition to the above-mentioned metal oxides, metal fluorides and metal sulfides represented by MgF ₂ and ZnS are also used. The thin film is also formed by the same sputtering method as described above or by a vacuum process such as a vacuum evaporation method and an ion plating method, and is applied to various uses similar to those of the metal oxide thin film.

【０００５】近年、銀に代表される金属薄膜層（銀系透
明導電体薄膜層）を上記のような透明薄膜層で挟んだ構
成、それらをさらに繰り返し積層した構成の透明積層体
が、種々検討されている。上記の銀は、金属材料の中で
最も導電率が高いばかりか、可視光に対する光吸収が小
さく、光学的透明性にすぐれ、２０ｎｍ程度の厚さまで
であれば、比較的高い透過率が得られることが知られて
いる。In recent years, various studies have been made on a structure in which a metal thin film layer represented by silver (silver-based transparent conductor thin film layer) is sandwiched between the above-described transparent thin film layers, and a transparent laminate having a structure in which they are further repeatedly laminated. Have been. The above silver has the highest conductivity among metal materials, has a small light absorption for visible light, is excellent in optical transparency, and a relatively high transmittance can be obtained up to a thickness of about 20 nm. It is known.

【０００６】このような透明積層体は、ＩＴＯ（酸化イ
ンジウム錫）などの透明導電薄膜に比べて、高い導電性
を示し、透明電磁波シールド材、液晶ディスプレイ用電
極、電場発光体用電極などへの応用が検討されている。
また、銀系透明導電体薄膜層の有する赤外線反射特性を
利用し、かつ透明薄膜層により金属表面での可視光の反
射を防止する機能を付与できることから、可視光線は透
過するが熱線は反射する太陽電池用の透明断熱材、農業
用のグリーンハウス、建築用の窓材、食品用のショーケ
ースなどに、ローエミッション膜として利用されてい
る。これらの透明積層体の構成については、たとえば、
特開昭５５−１１８０４号公報、持開平９−１７６８３
７号公報などに記載されている。[0006] Such a transparent laminate has higher conductivity than a transparent conductive thin film such as ITO (indium tin oxide), and is suitable for a transparent electromagnetic wave shielding material, an electrode for a liquid crystal display, an electrode for an electroluminescent material, and the like. Applications are being considered.
In addition, since the function of preventing reflection of visible light on the metal surface can be imparted by utilizing the infrared reflection characteristic of the silver-based transparent conductor thin film layer and the transparent thin film layer, visible light is transmitted but heat rays are reflected. It is used as a low-emission film for transparent insulation materials for solar cells, greenhouses for agriculture, window materials for construction, showcases for food, and the like. Regarding the configuration of these transparent laminates, for example,
JP-A-55-11804, Heikai 9-17683
No. 7, for example.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の透明積層体をスパッタリング法で製造する、とくに
銀系透明導電体薄膜層上に透明薄膜として代表的な金属
酸化物薄膜層をスパッタリング法で成膜する場合、その
成膜速度が非常に遅くなるか、あるいは下地である銀系
透明導電体薄膜層を酸化して透過率や電気伝導性が低下
する問題があり、品質良好な透明積層体を生産性良好に
製造できなかった。However, the transparent laminate having the above structure is manufactured by a sputtering method. In particular, a typical metal oxide thin film layer as a transparent thin film is formed on a silver-based transparent conductor thin film layer by a sputtering method. When forming a film, there is a problem that the film forming speed becomes very slow, or there is a problem that a silver-based transparent conductive thin film layer as an underlayer is oxidized and a transmittance or an electric conductivity is lowered. It could not be manufactured with good productivity.

【０００８】金属酸化物ターゲットを用い、Ａｒなどの
不活性ガス雰囲気中でスパッタリングを行うと、金属酸
化物ターゲットは僅かに酸素不足の組成となっており、
Ａｒガスだけの雰囲気では金属酸化物薄膜層の化学両論
的組成が僅かに酸素不足となり、光吸収のある褐色がか
った透過率の低い膜となるため、通常は、酸素ガスを混
合した雰囲気としてストイキオメトリックな透明性の高
い薄膜を得ている。When sputtering is performed in an atmosphere of an inert gas such as Ar using a metal oxide target, the metal oxide target has a slightly oxygen-deficient composition.
In an atmosphere containing only Ar gas, the stoichiometric composition of the metal oxide thin film layer becomes slightly oxygen-deficient, resulting in a brownish film with light absorption and low transmittance. Ichiometric highly transparent thin films are obtained.

【０００９】このような金属酸化物ターゲットを用いた
スパッタリングでは、上記混合する酸素ガスの量は微量
であり、下地の銀系透明導電体薄膜層を酸化する割合が
少なく、透過率や電気伝導性を低下させる問題は起こら
ない。しかし、成膜速度が遅く、透明積層体を生産性よ
く製造できない。これに対し、金属ターゲットを用いた
反応性スパッタリングで金属酸化物薄膜層を成膜する
と、成膜速度は速くなるが、金属酸化物ターゲットを用
いた場合に比べて、反応性ガスとして多量の酸素ガスを
混合する必要があるため、下地である銀系透明導電体薄
膜層の酸化を防止できず、透過率や電気伝導性の低い透
明積層体しか得られない。In the sputtering using such a metal oxide target, the amount of the oxygen gas to be mixed is very small, the rate of oxidizing the underlying silver-based transparent conductive thin film layer is small, and the transmittance and the electrical conductivity are low. The problem of deteriorating does not occur. However, the film formation rate is low, and a transparent laminate cannot be manufactured with high productivity. On the other hand, when a metal oxide thin film layer is formed by reactive sputtering using a metal target, the film formation speed is increased, but a larger amount of oxygen is used as a reactive gas than when a metal oxide target is used. Since the gas needs to be mixed, oxidation of the silver-based transparent conductive thin film layer serving as the base cannot be prevented, and only a transparent laminate having low transmittance and low electric conductivity can be obtained.

【００１０】これらの問題に対し、銀系透明導電体薄膜
層上にあらかじめＳｎ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｚｎなどの
バリア層を１〜１０ｎｍ程度の厚さで、ごく薄く成膜し
ておき、これを金属酸化物薄膜層の成膜時に同時に酸化
させることで、銀系透明導電体薄膜層の酸化を防ぐ試み
がなされている。しかるに、バリア層が薄すぎると銀系
透明導電体薄膜層までが酸化され、逆に厚すぎるとバリ
ア層が十分酸化されずに金属として残り、透過率の著し
く低い膜となる。また、金属酸化物薄膜層の成膜条件な
どによりバリア層の最適な厚さも変化するため、バリア
層の材料や厚さを決定するのには多大な労力が必要であ
る。さらに、バリア層が薄すぎると島状構造の膜となる
ため、銀系透明導電体薄膜層を十分に被覆できず、部分
的に酸化されてしまったり、成膜室内の酸素ガスの分布
状態に差があると、膜厚は均一であっても色むらなどが
発生するなどの不都合が起こりやすい。To solve these problems, a very thin barrier layer of Sn, Ti, In, Cr, Zn, etc. is formed in a thickness of about 1 to 10 nm on the silver-based transparent conductor thin film layer in advance. Attempts have been made to oxidize this simultaneously with the formation of the metal oxide thin film layer to prevent oxidation of the silver-based transparent conductor thin film layer. However, if the barrier layer is too thin, even the silver-based transparent conductor thin film layer is oxidized. Conversely, if the barrier layer is too thick, the barrier layer is not sufficiently oxidized and remains as a metal, resulting in a film having extremely low transmittance. Further, since the optimum thickness of the barrier layer also changes depending on the film forming conditions of the metal oxide thin film layer and the like, a great effort is required to determine the material and thickness of the barrier layer. Furthermore, if the barrier layer is too thin, it becomes an island-shaped film, so that the silver-based transparent conductor thin film layer cannot be covered sufficiently, and is partially oxidized or the distribution state of oxygen gas in the film formation chamber becomes poor. If there is a difference, even if the film thickness is uniform, inconveniences such as uneven color are likely to occur.

【００１１】本発明は、このような事情に照らし、銀系
透明導電体薄膜層と透明薄膜層とを組み合わせて繰り返
し積層し、銀系透明導電体薄膜層上に積層する透明薄膜
層の少なくともひとつを金属酸化物薄膜層とした透明積
層体の製造にあたり、上記の金属酸化物薄膜層をスパツ
タリング法を用いて下地である銀系透明導電体薄膜層を
酸化させることなく速い速度で成膜し、これにより透明
性や電気伝導性の高い品質良好な透明積層体を生産性良
好に製造することを目的とする。In view of such circumstances, the present invention provides at least one of a transparent thin film layer laminated on a silver-based transparent conductor thin film layer by repeatedly combining a silver-based transparent conductor thin film layer and a transparent thin film layer. In the production of a transparent laminate with a metal oxide thin film layer, the metal oxide thin film layer is formed at a high speed without oxidizing the underlying silver-based transparent conductor thin film layer using a sputtering method, Accordingly, an object is to produce a transparent laminate having high transparency and electric conductivity and good quality with good productivity.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、鋭意検討した結果、銀系透明導電体
薄膜層上に透明薄膜層として金属酸化物薄膜層をスパツ
タリング法で成膜する際、金属酸化物ターゲットを用い
て途中まで成膜したのち、金属ターゲットを用いた反応
性スパッタリングにより残りの所望の厚さまで成膜する
と、前段の成膜時には導入する酸素ガス量が微量である
ため、下地の銀系透明導電体薄膜層が酸化される心配は
なく、一方、後段の反応性スパッタリングによる成膜時
には多量の酸素ガスを導入するが、この段階では下地の
銀系透明導電体薄膜層は前段で成膜した金属酸化物薄膜
層で覆われているため、上記下地の酸化がやはり防が
れ、前後段の成膜を通じて銀系透明導電体薄膜層の酸化
が防がれる結果、透明性や電気伝導性の高い品質良好な
透明積層体が得られることがわかつた。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies in order to achieve the above object, and as a result, a metal oxide thin film layer is formed on a silver-based transparent conductor thin film layer as a transparent thin film layer by a sputtering method. At the time of film formation, after forming a film halfway using a metal oxide target, and then forming the film to the remaining desired thickness by reactive sputtering using a metal target, the amount of oxygen gas introduced during the previous film formation is very small. Therefore, there is no fear that the underlying silver-based transparent conductive thin film layer is oxidized.On the other hand, a large amount of oxygen gas is introduced at the time of film formation by reactive sputtering at the subsequent stage. Since the body thin film layer is covered with the metal oxide thin film layer formed in the previous stage, the oxidation of the base is also prevented, and the oxidation of the silver-based transparent conductor thin film layer is prevented through the formation of the front and rear stages. As a result, It was divide the resistance and electrical conductivity of high-quality good transparent laminate is obtained.

【００１３】また、銀系透明導電体薄膜層は透明薄膜層
に比べて一般に成膜速度が速くかつ厚さも薄いため、両
者を組み合わせて繰り返し積層した透明積層体の生産速
度は透明薄膜層の成膜速度に左右される。上記の成膜方
法では、金属酸化物ターゲットを用いた前段の成膜に続
いて、これより数倍（通常約３倍）の成膜速度となる金
属ターゲットを用いた反応性スパッタリングにより後段
の成膜を行うため、この後段で成膜する金属酸化物薄膜
層の厚さを前段のそれよりも厚めに設定することで、透
明積層体の生産速度を向上でき、また、ターゲット数を
増やすと成膜速度が上がるため、金属酸化物ターゲット
と金属ターゲットを合計３個以上使用して、金属ターゲ
ットの使用個数を金属酸化物ターゲットの使用個数より
も多くすることで、生産速度をさらに向上できることが
わかつた。たとえば、金属酸化物ターゲットを１個、金
属ターゲットを２個とすると、生産速度は、単純に計算
して金属酸化物ターゲット１個の場合に比べ、７倍程度
となる。The silver-based transparent conductive thin film layer generally has a higher film forming rate and a smaller thickness than the transparent thin film layer. Depends on film speed. In the above-described film formation method, the subsequent film formation using a metal oxide target is performed by a reactive sputtering using a metal target having a film formation rate several times (generally about three times) subsequent to the film formation in the former stage. Since the film is formed, the production speed of the transparent laminate can be improved by setting the thickness of the metal oxide thin film layer to be formed in the subsequent stage to be thicker than that in the preceding stage, and the number of targets can be increased. Since the film speed is increased, the production speed can be further improved by using a total of three or more metal oxide targets and the metal target, and increasing the number of the metal targets used than the number of the metal oxide targets. Was. For example, when one metal oxide target is used and two metal targets are used, the production rate is calculated by a simple calculation, and is about seven times that in the case of one metal oxide target.

【００１４】さらに、このように金属ターゲットの数を
増やすと、透明積層体の製造コストの低減にも好結果を
得ることができる。金属ターゲットは、金属酸化物ター
ゲットに比べて、安価であるためである。このように、
上記の成膜方法によると、金属ターゲット数を増やすこ
とで、透明積層体の生産速度を大きく向上できるととも
に、製造コストの低減にも好結果が得られることがわか
つた。しかし、全体のターゲット数をあまりに多くしす
ぎると、スパツタリング装置が複雑化し、また大型化す
るという問題があるため、一般には、合計のターゲット
数を５個程度、最大でも７個程度にとどめるのが望まし
いことがわかつた。Further, when the number of metal targets is increased as described above, good results can be obtained in reducing the production cost of the transparent laminate. This is because the metal target is less expensive than the metal oxide target. in this way,
According to the above-described film forming method, it was found that by increasing the number of metal targets, the production speed of the transparent laminate can be greatly improved, and good results can be obtained in reducing the production cost. However, if the total number of targets is too large, there is a problem that the spattering device becomes complicated and large, so that in general, the total number of targets is limited to about five, and at most about seven. I realized what was desirable.

【００１５】また、金属ターゲットを使用した反応性ス
パッタリングでは、その酸化反応はターゲット表面また
は成膜される透明基体表面で起こる。ターゲット表面で
の酸化反応が支配的となると、ターゲットの表面が酸化
膜で覆われ、その成膜速度は金属酸化物ターゲットを用
いた場合と同等か、それ以下となり、また酸素ガス量の
微妙な変化で成膜速度が大きく変動することになる。こ
のため、ターゲット表面はＡｒなどの不活性ガス雰囲気
に保ち、透明基体表面が酸素ガスリッチな雰囲気になる
ように、ガスの導入量、配管、プラズマシールドの形
状、高真空ポンプの排気口の位置などを工夫し、透明基
体表面で大部分の酸化反応が起こるようにすることが必
要である。このようにすると、金属特有の速い成膜速度
でもって、しかも安定して均一な膜厚でスパッタリング
を行うことができる。In reactive sputtering using a metal target, the oxidation reaction occurs on the surface of the target or on the surface of the transparent substrate to be formed. When the oxidation reaction on the target surface becomes dominant, the surface of the target is covered with an oxide film, and the film formation rate is equal to or lower than that when a metal oxide target is used. The change causes the film forming speed to fluctuate greatly. For this reason, the target surface is kept in an atmosphere of an inert gas such as Ar, and the amount of introduced gas, the shape of the piping and the plasma shield, the position of the exhaust port of the high vacuum pump, and the like are set so that the surface of the transparent substrate becomes an oxygen gas-rich atmosphere. It is necessary to make the most of the oxidation reaction on the surface of the transparent substrate. By doing so, it is possible to perform sputtering with a uniform film thickness stably at a high film-forming speed peculiar to a metal.

【００１６】しかしながら、このような手法を採用した
うえで、さらにその成膜速度を上げるため、ターゲット
ヘの投入電力量を大きくすると、上記酸化反応が追いつ
かなくなり、透明な金属酸化物薄膜が得られなくなるこ
とがあつた。本発明者らは、この問題について検討した
結果、上記手法において、透明基体の温度を上げると、
透明基体表面での酸化反応が促進されて、より高速で成
膜できること、その温度は透明基体の材質に応じて決め
られるが、通常は、３５０〜６００Ｋの範囲内で適宜設
定するのが望ましいことがわかった。However, if the amount of power applied to the target is increased in order to further increase the film formation rate after employing such a method, the above oxidation reaction cannot catch up, and a transparent metal oxide thin film can be obtained. It disappeared. The present inventors have studied this problem, and as a result, in the above method, when the temperature of the transparent substrate is increased,
The oxidation reaction on the surface of the transparent substrate is promoted, and the film can be formed at a higher speed. The temperature is determined according to the material of the transparent substrate, but it is usually desirable to appropriately set the temperature within the range of 350 to 600K. I understood.

【００１７】本発明は、以上の知見をもとにして、完成
されたものである。すなわち、本発明は、透明基体上に
厚さが１〜３０ｎｍの銀系透明導電体薄膜層と厚さが１
０〜３００ｎｍの透明薄膜層とを組み合わせて繰り返し
積層し、銀系透明導電体薄膜層上に積層する透明薄膜層
の少なくともひとつを金属酸化物薄膜層とした透明積層
体において、上記の金属酸化物薄膜層をスパツタリング
法で成膜するにあたり、金属酸化物ターゲットを用いて
成膜したのち、金属ターゲットを用いた反応性スパツタ
リングで成膜することを特徴とする透明積層体の製造方
法に係るものである。とくに、本発明は、上記構成の製
造方法として、金属酸化物ターゲットと金属ターゲット
を合計３個以上使用するとともに、金属ターゲットの使
用個数を金属酸化物ターゲットの使用個数よりも多くし
た上記構成の製造方法と、さらに透明基体の温度を３５
０〜６００Ｋの範囲に保つようにした上記構成の製造方
法を提供することができる。The present invention has been completed based on the above findings. That is, the present invention provides a silver-based transparent conductor thin film layer having a thickness of 1 to 30 nm on a transparent substrate and a thickness of 1 to 30 nm.
A transparent laminated body in which at least one of the transparent thin film layers laminated on the silver-based transparent conductor thin film layer is a metal oxide thin film layer is repeatedly laminated in combination with a transparent thin film layer of 0 to 300 nm. In forming a thin film layer by sputtering, the method relates to a method of manufacturing a transparent laminated body, which comprises forming a film using a metal oxide target, and then forming the film by reactive sputtering using a metal target. is there. In particular, the present invention provides a method of manufacturing the above-described configuration, in which a total of three or more metal oxide targets and metal targets are used, and the number of metal targets used is larger than the number of metal oxide targets used. Method and the temperature of the transparent substrate to 35
It is possible to provide a manufacturing method having the above-described configuration that is maintained in a range of 0 to 600K.

【００１８】また、本発明は、上記製造方法により得ら
れる透明積層体として、透明基体上に厚さが１〜３０ｎ
ｍの銀系透明導電体薄膜層と厚さが１０〜３００ｎｍの
透明薄膜層とを組み合わせて繰り返し積層し、銀系透明
導電体薄膜層上に積層する透明薄膜層の少なくともひと
つを金属酸化物薄膜層とした透明積層体において、上記
の金属酸化物薄膜層を、金属酸化物ターゲットを用いて
成膜した透明基体側に位置する内側層と、金属ターゲッ
トを用いて成膜した外側層とで構成したことを特徴とす
る透明積層体を提供することができる。とくに、本発明
は、金属酸化物ターゲットを用いて成膜した透明基体側
に位置する内側層の厚さが、金属ターゲットを用いて成
膜した外側層の厚さよりも薄くされている上記構成の透
明積層体を提供できる。さらに、本発明は、このような
構成とされた透明積層体、とくに光学設計によつて高可
視光線透過率および低表面抵抗に加えて、高い近赤外線
カット率を有するものとされた上記構成の透明積層体を
使用したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル
用フィルタを提供できるものである。Further, the present invention provides a transparent laminate obtained by the above-mentioned production method, having a thickness of 1 to 30 n on a transparent substrate.
m and a transparent thin film layer having a thickness of 10 to 300 nm are repeatedly combined and laminated, and at least one of the transparent thin film layers laminated on the silver-based transparent conductive thin film layer is a metal oxide thin film. In the transparent layered body, the metal oxide thin film layer is composed of an inner layer located on the side of the transparent substrate formed using a metal oxide target, and an outer layer formed using a metal target. It is possible to provide a transparent laminate characterized by doing the above. In particular, the present invention has the above-described structure in which the thickness of the inner layer located on the side of the transparent substrate formed using the metal oxide target is smaller than the thickness of the outer layer formed using the metal target. A transparent laminate can be provided. Further, the present invention provides a transparent laminate having such a structure, in particular, having a high near-infrared cut ratio in addition to a high visible light transmittance and a low surface resistance by an optical design. An object of the present invention is to provide a plasma display panel filter characterized by using a transparent laminate.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】本発明における透明基体として
は、可視光領域における透明性を有し、表面がある程度
平滑なものであればよい。たとえば、ポリエチレンテレ
フタレート、トリアセチルセルロース、ポリエチレンナ
フタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネー
ト、ポリアクリレート、ポリエ−テルエーテルケトン、
ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミドなどの高分
子フィルムが好ましく用いられる。この透明基体の厚さ
は、ドライプロセスで熱ジワなどの問題が発生しなけれ
ば、制限されないが、通常は１０〜２５０μｍ程度であ
るのがよい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The transparent substrate in the present invention may be any one which has transparency in the visible light region and has a somewhat smooth surface. For example, polyethylene terephthalate, triacetyl cellulose, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyacrylate, polyether ether ketone,
Polymer films such as polypropylene, polystyrene, and polyimide are preferably used. The thickness of the transparent substrate is not limited as long as problems such as wrinkles do not occur in the dry process, but it is usually preferably about 10 to 250 μm.

【００２０】また、透明基体の片面または両面にハード
コート層を設けてもよい。ハードコート材は紫外線硬化
タイプでも熱硬化タイプでもよい。紫外線硬化タイプに
は、エステル系、アクリル系、ウレタン系、アミド系、
シリコーン系、エポキシ系、アクリル・ウレタン系、ア
クリル・エポキシ系などのモノマーやオリゴマーに光重
合開始剤を配合したものなどがある。熱硬化タイプに
は、フエノール系、尿素系、メラミン系、不飽和ポリエ
ステル系、ポリウレタン系、エポキシ系などの樹脂に、
必要に応じて架橋剤、重合開始剤、重合促進剤、溶剤、
粘度調整剤などを配合したものなどが挙げられる。ハー
ドコート層の厚さは、１〜１０μｍが適当であり、２〜
７μｍであるのがより好ましい。Further, a hard coat layer may be provided on one or both sides of the transparent substrate. The hard coat material may be an ultraviolet curing type or a thermosetting type. UV-curable types include ester, acrylic, urethane, amide,
Examples include monomers obtained by mixing a photopolymerization initiator with monomers or oligomers of silicone type, epoxy type, acrylic / urethane type, acrylic / epoxy type, and the like. Thermosetting types include phenolic, urea, melamine, unsaturated polyester, polyurethane, and epoxy resins,
If necessary, a crosslinking agent, a polymerization initiator, a polymerization accelerator, a solvent,
Those containing a viscosity modifier and the like can be mentioned. The thickness of the hard coat layer is suitably from 1 to 10 μm,
More preferably, it is 7 μm.

【００２１】これらの透明基体は、その表面をあらかじ
めスパッタリング処理、コロナ処理などのエッチング処
理を行ったり、銀系透明導電体薄膜層や透明薄膜層など
の薄膜層と透明基体との密着性を向上させるような易接
着層を形成したものであってもよい。なお、透明基体と
しては、上記したような高分子フィルムをベースとした
のものに限定されず、ガラス板、ＰＭＭＡ（ポリメチル
メタクリレート）板、ポリカーボネート板などのフィル
ム以外のものであってもよい。The surface of these transparent substrates is subjected to an etching process such as a sputtering process or a corona process in advance, or the adhesion between a thin film layer such as a silver-based transparent conductor thin film layer and a transparent thin film layer and the transparent substrate is improved. It may be one in which an easily adhesive layer is formed. The transparent substrate is not limited to the above-described polymer film-based one, and may be other than a film such as a glass plate, a PMMA (polymethyl methacrylate) plate, or a polycarbonate plate.

【００２２】本発明における銀系透明導電体薄膜層の材
料には、８０重量％以上の銀と、金、銅、パラジウム、
白金、マンガン、カドニウムから選択された１つまたは
２つ以上の元素とにより構成されたものが用いられる。
銀は、金属材料の中で最も電気導電率が高いばかりか、
光吸収が小さく光学的な透明性にもすぐれているが、空
気中の湿気、硫黄、塩素などにより劣化しやすい。この
ため、電気伝導性、光学的透明性、耐劣化性の点より、
９０〜９９重量％の銀と上記他の元素１〜１０重量％と
を固溶させた材料が好ましい。とくに銀中に１〜１０重
量％の金を固溶させたものは、銀の劣化防止の点より、
好ましい。金を過剰に混入しすぎると、着色のために透
明性が損なわれやすく、電気伝導率の低下も大きくな
り、また金の混入量が少なすぎると、銀の劣化が起こり
やすい。The material of the silver-based transparent conductor thin film layer in the present invention includes silver of 80% by weight or more, gold, copper, palladium,
One composed of one or more elements selected from platinum, manganese, and cadmium is used.
Silver has the highest electrical conductivity among metallic materials,
Although it has low optical absorption and excellent optical transparency, it is easily deteriorated by moisture, sulfur, chlorine and the like in the air. Therefore, from the viewpoint of electrical conductivity, optical transparency, and deterioration resistance,
A material in which 90 to 99% by weight of silver and 1 to 10% by weight of the above-mentioned other elements are dissolved is preferable. In particular, silver in which 1 to 10% by weight of gold is dissolved in silver is preferred from the viewpoint of preventing silver deterioration.
preferable. If too much gold is mixed in, the transparency tends to be impaired due to coloring, and the electrical conductivity is greatly reduced. If too little gold is mixed in, silver is likely to deteriorate.

【００２３】本発明における透明薄膜層の材料として
は、光学的透明性があるものであればよく、各層の材料
や成膜方法、屈折率がそれぞれ異なっていてもよい。ま
た、単一の材料でも、複数材料を焼結または合金化した
材料を用いてもよい。さらに、銀系透明導電体薄膜層の
マイグレーション防止効果や水、酸素のバリア効果があ
る材料ならさらによい。好適な材料としては、酸化イン
ジウム、酸化錫、二酸化チタン、酸化セリウム、酸化ジ
ルコニウム、酸化亜鉛、酸化タンタル、五酸化ニオブ、
二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなど
の金属酸化物が挙げられる。これらの中でも、酸化イン
ジウムを主成分としこれに二酸化チタン、酸化錫、酸化
セリウムを少量含ませたものは、銀系透明導電体薄膜層
の劣化防止効果があるばかりか、電気導電性を有するた
め、銀系透明導電体薄膜層との間の電気的導通が取りや
すいという点で、好ましい。The material of the transparent thin film layer in the present invention may be any material as long as it has optical transparency, and the material of each layer, the film forming method, and the refractive index may be different. Further, a single material or a material obtained by sintering or alloying a plurality of materials may be used. Further, a material having an effect of preventing migration of the silver-based transparent conductor thin film layer and a barrier effect of water and oxygen is more preferable. Suitable materials include indium oxide, tin oxide, titanium dioxide, cerium oxide, zirconium oxide, zinc oxide, tantalum oxide, niobium pentoxide,
Examples include metal oxides such as silicon dioxide, aluminum oxide, and magnesium oxide. Among them, those containing indium oxide as a main component and containing a small amount of titanium dioxide, tin oxide, and cerium oxide not only have an effect of preventing deterioration of the silver-based transparent conductive thin film layer but also have electrical conductivity. This is preferable in that electrical conduction between the silver-based transparent conductive thin film layer and the silver-based transparent conductive thin film layer can be easily obtained.

【００２４】また、本発明における透明薄膜層の材料に
は、金属ターゲットとして、上記の各金属酸化物に対応
する金属または合金が用いられる。金属材料の融点に違
いにより、合金ターゲットを作製できない場合は、添加
する元素を円柱状に埋め込んだターゲットを用いたり、
デュアルマグネトロンスパッタリング法であれば、異な
る材料を１対として用いてもよい。その他、本発明で
は、金属酸化物以外の材料として、窒化珪素、フッ化マ
グネシウム、硫化亜鉛などの金属窒化物、金属弗化物ま
たは金属硫化物も使用することができる。Further, as a material of the transparent thin film layer in the present invention, a metal or an alloy corresponding to each of the above metal oxides is used as a metal target. If an alloy target cannot be produced due to the difference in melting point of the metal material, use a target in which the element to be added is embedded in a columnar shape,
In the case of a dual magnetron sputtering method, different materials may be used as a pair. In addition, in the present invention, as a material other than the metal oxide, a metal nitride such as silicon nitride, magnesium fluoride, and zinc sulfide, a metal fluoride, or a metal sulfide can be used.

【００２５】本発明においては、このような薄膜層形成
材料を使用して、前記した透明基体上に銀系透明導電体
薄膜層と透明薄膜層とを組み合わせて繰り返し積層する
が、上記の組み合わせ構成には、銀系透明導電体薄膜層
／透明薄膜層の組み合わせ、透明薄膜層／銀系透明導電
体薄膜層／透明薄膜層の組み合わせ、または銀系透明導
電体薄膜層／透明薄膜層／銀系透明導電体薄膜層の組み
合わせ、あるいはこれらをさらに繰り返した構成などが
ある。２以上の銀系透明導電体薄膜層および透明薄膜層
は、それぞれ、すべて同じ材料または組成であっても、
異なる材料または組成であってもよく、１つの層を２種
以上の材料で構成してもよい。In the present invention, using such a thin film layer forming material, a silver-based transparent conductor thin film layer and a transparent thin film layer are repeatedly laminated on the above-mentioned transparent substrate. Include silver-based transparent conductor thin film layer / transparent thin film layer combination, transparent thin film layer / silver-based transparent conductor thin film layer / transparent thin film layer combination, or silver-based transparent conductor thin film layer / transparent thin film layer / silver-based There are a combination of transparent conductive thin film layers or a configuration in which these are further repeated. The two or more silver-based transparent conductor thin film layers and the transparent thin film layers each have the same material or composition,
Different materials or compositions may be used, and one layer may be composed of two or more materials.

【００２６】また、上記の銀系透明導電体薄膜層は、厚
さが１〜３０ｎｍ、好ましくは５〜２０ｎｍとするのが
よい。さらに、上記の透明薄膜層は、厚さが１０〜３０
０ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍとするのがよい。
このような厚さの範囲内において、各層の厚さを、その
光学設計に基づいて、適宜設定することにより、可視光
線透過率、表面抵抗、近赤外線カット率および電磁波シ
―ルド性などの特性を満足する透明積層体を製造するこ
とが可能となる。The silver-based transparent conductive thin film layer has a thickness of 1 to 30 nm, preferably 5 to 20 nm. Further, the transparent thin film layer has a thickness of 10 to 30.
0 nm, preferably 30 to 100 nm.
Within such a range of thickness, by appropriately setting the thickness of each layer based on its optical design, characteristics such as visible light transmittance, surface resistance, near-infrared cut rate, and electromagnetic wave shielding property are obtained. Can be manufactured.

【００２７】本発明においては、上記種々の組み合わせ
構成とした透明積層体を製造するにあたり、上記の特性
面より、銀系透明導電体薄膜層上に積層する透明薄膜層
の少なくともひとつを金属酸化物薄膜層とするととも
に、この金属酸化物薄膜層を、膜厚の制御性や均一性の
点より、スパツタリング法により成膜するにあたり、金
属酸化物ターゲットを用いて成膜したのち、金属ターゲ
ットを用いた反応性スパツタリングにより成膜すること
を大きな特徴としたものである。In the present invention, at the time of producing the transparent laminate having the above various combinations, at least one of the transparent thin film layers laminated on the silver-based transparent conductive thin film layer is made of a metal oxide in view of the above-mentioned characteristics. In addition to forming a thin film layer, this metal oxide thin film layer is formed using a metal oxide target when forming a film by the sputtering method from the viewpoint of controllability and uniformity of the film thickness. It is characterized by forming a film by reactive sputtering.

【００２８】一般に、透明導電膜として用いられるＩ
ｎ、Ｚｎ、Ｓｎなどを主成分とした金属酸化物は、金属
ターゲットを用いた反応性スパッタリングよりも、金属
酸化物ターゲットを用いるのが主流である。これは、こ
れらの金属酸化物ターゲットには導電性があり、ＤＣマ
グネトロンスパッタリングが可能なため、他の金属酸化
物に比べて、比較的速い成膜速度が得られること、また
金属ターゲットを用いた反応性スパッタリングは、成膜
速度は速いが、酸素導入量や背圧、基体温度をはじめと
した成膜条件の微妙な変化により、その電気伝導率が変
化するため、低抵抗な透明導電膜が安定して得られにく
いことに起因する。Generally, I used as a transparent conductive film
For a metal oxide containing n, Zn, Sn or the like as a main component, a metal oxide target is mainly used rather than reactive sputtering using a metal target. This is because these metal oxide targets have conductivity and can be subjected to DC magnetron sputtering, so that a relatively high film formation rate can be obtained as compared with other metal oxides. Reactive sputtering has a high deposition rate, but its electrical conductivity changes due to subtle changes in the deposition conditions such as the amount of oxygen introduced, back pressure, and substrate temperature. This is because it is difficult to obtain a stable image.

【００２９】これに対し、本発明の透明積層体では、導
通は電気伝導率が約２桁高い銀系透明導電体薄膜層が担
うため、透明薄膜層は各銀系透明導電体薄膜層との間の
膜厚方向の導通さえ確保できればよい。したがって、透
明薄膜層の電気伝導率が２〜３桁低下しても、透明積層
体の表面抵抗値にはなんら影響はなく、金属ターゲット
を用いた反応性スパッタリングを支障なく適用できる。On the other hand, in the transparent laminate of the present invention, conduction is carried out by the silver-based transparent conductor thin film layer having an electric conductivity approximately two orders of magnitude higher. It suffices if only conduction in the film thickness direction can be ensured. Therefore, even if the electrical conductivity of the transparent thin film layer is reduced by two to three digits, there is no effect on the surface resistance value of the transparent laminate, and reactive sputtering using a metal target can be applied without any trouble.

【００３０】しかし、銀系透明導電体薄膜層上に透明薄
膜層として金属酸化物薄膜層を形成するにあたり、酸素
ガスを多量に導入した反応性スパッタリングを行うと、
酸素プラズマにより銀系透明導電体薄膜層が酸化の影響
を受け、透明性や電気伝導性が低下する。本発明者ら
は、これに対し、銀系透明導電体薄膜層上に金属酸化物
ターゲットを用いて数ｎｍ程度の厚さの金属酸化物薄膜
層を成膜すると、その膜上に多量に酸素ガスを導入した
雰囲気にて反応性スパッタリングを行っても、銀系透明
導電体薄膜層はもはや酸化の影響を受けないことがわか
った。However, when a metal oxide thin film layer is formed as a transparent thin film layer on a silver-based transparent conductor thin film layer, reactive sputtering in which a large amount of oxygen gas is introduced is performed.
Oxygen plasma causes the silver-based transparent conductor thin film layer to be affected by oxidation, resulting in reduced transparency and electrical conductivity. In contrast, the present inventors have found that when a metal oxide thin film layer having a thickness of about several nm is formed on a silver-based transparent conductive thin film layer using a metal oxide target, a large amount of oxygen is formed on the film. It was found that even when reactive sputtering was performed in an atmosphere where a gas was introduced, the silver-based transparent conductor thin film layer was no longer affected by oxidation.

【００３１】この方法によれば、前記した銀系透明導電
体薄膜層上に数ｎｍの金属バリア層を設け、これを反応
性スパッタリング時に酸化させる方法に比べて、成膜条
件が簡潔であり、高透過率、低抵抗な透明積層体が容易
に得られることがわかつた。また、ターゲット数、配
置、反応性スパッタリング条件を工夫することにより、
同じターゲット数を配置した装置において、金属酸化物
ターゲットのみを用いた場合の２倍以上の速度で容易に
成膜できることもわかつた。According to this method, a film forming condition is simpler than a method of providing a metal barrier layer of several nm on the silver-based transparent conductor thin film layer and oxidizing it at the time of reactive sputtering. It has been found that a transparent laminate having high transmittance and low resistance can be easily obtained. In addition, by devising the number of targets, arrangement, and reactive sputtering conditions,
It has also been found that in an apparatus having the same number of targets, it is possible to easily form a film at twice or more the speed of using only a metal oxide target.

【００３２】このように、本発明では、銀系透明導電体
薄膜層上に積層する透明薄膜層としての金属酸化物薄膜
層をスパツタリング法により成膜するにあたり、金属酸
化物ターゲットを用いて成膜したのち、金属ターゲット
を用いた反応性スパツタリングにより成膜することで、
銀系透明導電体薄膜層を酸化させることなく速い速度で
成膜し、これにより透明性や電気伝導性の高い品質良好
な透明積層体を生産性良好に製造できることを見い出し
たものである。As described above, in the present invention, when a metal oxide thin film layer as a transparent thin film layer to be laminated on a silver-based transparent conductor thin film layer is formed by sputtering, a metal oxide target is used. After that, by forming a film by reactive sputtering using a metal target,
It has been found that a silver-based transparent conductor thin film layer is formed at a high speed without being oxidized, whereby a transparent laminate having high transparency and electric conductivity and good quality can be manufactured with good productivity.

【００３３】このような成膜方法において、金属酸化物
ターゲットから成膜される金属酸化物薄膜層と、金属タ
ーゲットとから成膜される金属酸化物薄膜層とは、両タ
ーゲットの材料および組成を適宜選択することにより、
通常は、成膜される両薄膜層の材料・組成が同一となる
ようにするのが望ましいが、場合により上記両薄膜層の
材料および組成が異なるように構成することもできる。
なお、必要なら、上記成膜後にさらに金属酸化物ターゲ
ットを用いて成膜することもできる。In such a film forming method, the metal oxide thin film layer formed from the metal oxide target and the metal oxide thin film layer formed from the metal target differ in the material and composition of both targets. By selecting as appropriate,
Normally, it is desirable that the materials and compositions of the two thin film layers to be formed are the same, but in some cases, the materials and compositions of the two thin film layers may be different.
If necessary, a film can be further formed using a metal oxide target after the above-described film formation.

【００３４】本発明の透明積層体においては、銀系透明
導電体薄膜層と透明薄膜層との前記した種々の組み合わ
せ構成において、透明薄膜層としての金属酸化物薄膜層
を、銀系透明導電体薄膜層上に積層するのではなく、透
明基体上に積層するなどの態様をとることもある。この
ような場合は、上記したような成膜方法をとる必要はと
くになく、最初から、成膜速度の速い金属ターゲットを
用いた反応性スパツタリングにより成膜することがで
き、もちろん、金属酸化物ターゲットと組み合わせて成
膜してもよく、その順番も、とくに限定されない。In the transparent laminate of the present invention, in the various combinations of the silver-based transparent conductor thin film layer and the transparent thin film layer described above, the metal oxide thin film layer as the transparent thin film layer is replaced with a silver-based transparent conductor film. In some cases, instead of laminating on a thin film layer, laminating on a transparent substrate may be adopted. In such a case, it is not particularly necessary to adopt the film forming method as described above. From the beginning, the film can be formed by reactive sputtering using a metal target having a high film forming speed. May be formed in combination, and the order is not particularly limited.

【００３５】また、本発明の透明積層体においては、透
明薄膜層を、金属酸化物以外の薄膜層、たとえば金属窒
化物、金属弗化物または金属硫化物からなる薄膜層で構
成することもある。この場合、当然のことながら、積層
する下地に関係なく、つまり下地が銀系透明導電体薄膜
層であつても透明基体であつても、上記したような成膜
方法は採用されず、通常のスパツタリング法を用いて成
膜することができる。さらに、これらの透明薄膜層や銀
系透明導電体薄膜層を、スパツタリング法以外の真空プ
ロセスにより成膜することも、場合により可能である。In the transparent laminate of the present invention, the transparent thin film layer may be constituted by a thin film layer other than a metal oxide, for example, a thin film layer made of metal nitride, metal fluoride or metal sulfide. In this case, naturally, regardless of the underlying layer to be laminated, that is, regardless of whether the underlying layer is a silver-based transparent conductive thin film layer or a transparent substrate, the above-described film forming method is not adopted, and a normal The film can be formed using a sputtering method. Further, it is possible in some cases to form these transparent thin film layers and silver-based transparent conductor thin film layers by a vacuum process other than the sputtering method.

【００３６】しかしながら、膜厚の制御性や均一性の点
より、また装置構成の簡素化の点より、銀系透明導電体
薄膜層および透明薄膜層は、各層の材料・組成に関係な
く、スパツタリング法により成膜するのが望ましい。こ
れにより、可視光線透過率、表面抵抗、近赤外線カット
率および電磁波シ―ルド性などの特性を満足する透明積
層体を容易に製造できる。よつて、以下、全薄膜層をス
パツタリング法で成膜することを前提として、さらに詳
しく説明することにする。However, from the viewpoints of controllability and uniformity of the film thickness and simplification of the device configuration, the silver-based transparent conductor thin film layer and the transparent thin film layer are formed by sputtering regardless of the material and composition of each layer. It is desirable to form a film by a method. This makes it possible to easily produce a transparent laminate that satisfies properties such as visible light transmittance, surface resistance, near-infrared cut ratio, and electromagnetic shielding properties. Therefore, a more detailed description will be given below on the assumption that all the thin film layers are formed by the sputtering method.

【００３７】本発明に用いるスパッタリング法には、Ｒ
Ｆ（高周波）マグネトロンスパッタリング法、ＤＣ（直
流）マグネトロンスパッタリング法、パルスＤＣマグネ
トロンスパッタリング法、デュアルマグネトロンスパッ
タリング法などがある。銀系透明導電体薄膜層の成膜
は、単に不活性ガス雰囲気で通常のスパッタリングを行
えばよいので、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が好
ましい。The sputtering method used in the present invention includes R
There are an F (high frequency) magnetron sputtering method, a DC (direct current) magnetron sputtering method, a pulse DC magnetron sputtering method, a dual magnetron sputtering method, and the like. For the formation of the silver-based transparent conductor thin film layer, a DC magnetron sputtering method is preferable because ordinary sputtering may be performed simply in an inert gas atmosphere.

【００３８】このＤＣマグネトロンスパッタリング法に
よれば、ＲＦマグネトロンスパッタリング法に比べて、
電源も安価でかつ簡潔な設備でもって、大面積に均一に
制御性よく、銀系透明導電体薄膜層を成膜することがで
きる。透明薄膜層の成膜は、透明薄膜層の材料・組成に
応じて適宜の方式を使用でき、とくに金属酸化物薄膜層
の成膜にあたり、金属酸化物ターゲットを用いる場合と
金属ターゲットを用いる場合とで、違う方式を採用して
も同じ方式を採用してもよい。According to the DC magnetron sputtering method, compared to the RF magnetron sputtering method,
The silver-based transparent conductor thin film layer can be uniformly formed on a large area with good controllability using a simple and inexpensive power source. The transparent thin film layer can be formed by an appropriate method according to the material and composition of the transparent thin film layer.In particular, when forming the metal oxide thin film layer, there are cases where a metal oxide target is used and when a metal target is used. Thus, a different method or the same method may be used.

【００３９】スパッタリング装置は、ロール・トゥ・ロ
ールの巻き取り式装置であっても、枚葉式装置であつて
もよい。ターゲットの個数、配置は、製造する透明積層
体の構成に応じて、適宜選択できる。当然、ターゲット
個数が多いほど、また成膜速度の速い金属ターゲットを
多くするほど、生産速度の向上の点より、好ましい。と
くに、銀系透明導電体薄膜層上に金属酸化物薄膜層を積
層する場合に、既述のとおり、金属酸化物ターゲットと
金属ターゲットを合計３個以上使用して、金属ターゲッ
トの使用個数を金属酸化物ターゲットの使用個数よりも
多くすると、生産速度を著しく向上できる。しかし、全
体のターゲット数をあまりに多くしすぎると、スパツタ
リング装置が複雑化し、また大型化するという問題があ
るため、一般には、合計のターゲット数を５個程度、最
大でも７個程度にとどめるのが望ましい。また、各薄膜
層は、透明積層体の構成に応じて、1 パスですべての層
を成膜してもよいし、数パスに分けて成膜するようにし
てもよい。The sputtering device may be a roll-to-roll winding type device or a single-wafer type device. The number and arrangement of the targets can be appropriately selected according to the configuration of the transparent laminate to be manufactured. Naturally, it is preferable to increase the number of targets and to increase the number of metal targets having a high film forming speed, from the viewpoint of improving the production speed. In particular, when a metal oxide thin film layer is laminated on a silver-based transparent conductor thin film layer, as described above, a total of three or more metal oxide targets and metal targets are used, and When the number of oxide targets is larger than the number of used oxide targets, the production speed can be significantly improved. However, if the total number of targets is too large, there is a problem that the spattering device becomes complicated and large, so that in general, the total number of targets is limited to about five, and at most about seven. desirable. Further, all the thin film layers may be formed in one pass or may be formed in several passes depending on the configuration of the transparent laminate.

【００４０】スパッタリングガスは、成膜する薄膜層の
種類に応じて、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの
不活性ガス、あるいはこれらのガスに酸素ガスを混合し
たものが用いられる。スパッタリング圧力としては、と
くに限定されないが、通常は０．１〜１．５Ｐａ程度と
するのが好ましい。また、銀系透明導電体薄膜層上に前
記した方法により金属酸化物薄膜層を成膜する場合、酸
素ガス分圧としては、金属酸化物ターゲットを用いる場
合と金属ターゲットを用いる場合とで、それぞれ最適な
量を選択することができる。Depending on the type of the thin film layer to be formed, an inert gas such as argon, krypton, or xenon, or a mixture of these gases with an oxygen gas is used as the sputtering gas. The sputtering pressure is not particularly limited, but is usually preferably about 0.1 to 1.5 Pa. Further, when forming a metal oxide thin film layer on the silver-based transparent conductor thin film layer by the method described above, the oxygen gas partial pressure, when using a metal oxide target and when using a metal target, respectively The optimal amount can be selected.

【００４１】このようなスパッタリング法において、成
膜時の透明基体は、加熱、冷却、非加熱（非冷却）のい
ずれでもよく、成膜条件や透明基体の耐熱性などを考慮
して適宜決定する。とくに、銀系透明導電体薄膜層上に
前記方法により金属酸化物薄膜層を成膜する場合、金属
ターゲットを用いた反応性スパッタリング時の透明基体
表面での酸化反応を促進するため、透明基体を３５０〜
６００Ｋに加熱するのが望ましい。これにより成膜速度
を速くでき、透明積層体の生産性により好結果が得ら
れ、また表面抵抗の低減にも好ましい結果が得られる。In such a sputtering method, the transparent substrate at the time of film formation may be heated, cooled, or not heated (non-cooled), and is appropriately determined in consideration of the film forming conditions, heat resistance of the transparent substrate, and the like. . In particular, when forming a metal oxide thin film layer on the silver-based transparent conductor thin film layer by the above method, in order to promote an oxidation reaction on the transparent substrate surface at the time of reactive sputtering using a metal target, the transparent substrate 350 ~
It is desirable to heat to 600K. As a result, the film-forming speed can be increased, a favorable result can be obtained due to the productivity of the transparent laminate, and a favorable result can be obtained in reducing the surface resistance.

【００４２】本発明の透明積層体は、以上の方法により
製造することができ、透明基体上に厚さが１〜３０ｎｍ
の銀系透明導電体薄膜層と厚さが１０〜３００ｎｍの透
明薄膜層とを組み合わせて繰り返し積層し、銀系透明導
電体薄膜層上に積層する透明薄膜層の少なくともひとつ
を金属酸化物薄膜層とした透明積層体において、上記の
金属酸化物薄膜層を、金属酸化物ターゲットを用いて成
膜した透明基体側に位置する内側層と、金属ターゲット
を用いて成膜した外側層とで構成したことを特徴とする
ものである。とくに、金属酸化物ターゲットを用いて成
膜した透明基体側に位置する内側層の厚さが、金属ター
ゲットを用いて成膜した外側層の厚さよりも薄くされて
いることを好ましい態様としたものである。The transparent laminate of the present invention can be produced by the above method, and has a thickness of 1 to 30 nm on a transparent substrate.
A silver-based transparent conductor thin film layer and a transparent thin film layer having a thickness of 10 to 300 nm are repeatedly combined and laminated, and at least one of the transparent thin film layers laminated on the silver-based transparent conductor thin film layer is a metal oxide thin film layer. In the transparent laminate described above, the metal oxide thin film layer was composed of an inner layer located on the transparent substrate side formed using a metal oxide target and an outer layer formed using a metal target. It is characterized by the following. In particular, it is preferable that the thickness of the inner layer positioned on the side of the transparent substrate formed using the metal oxide target is smaller than the thickness of the outer layer formed using the metal target. It is.

【００４３】このように構成された透明積層体は、必要
により、その最外層の薄膜層上にさらに保護層として他
の金属酸化物薄膜層などを形成してもよく、またハード
コート樹脂層を塗工法により形成してもよい。さらに、
この透明積層体の表面または裏面に、透明な接着剤層
（粘着剤層）を介して、公知の各種の保護フィルムまた
は反射防止フィルムなどを貼り合わせるようにしてもよ
い。In the transparent laminate thus constructed, if necessary, another metal oxide thin film layer or the like may be further formed as a protective layer on the outermost thin film layer. It may be formed by a coating method. further,
Various known protective films or antireflection films may be attached to the front or back surface of the transparent laminate via a transparent adhesive layer (adhesive layer).

【００４４】このような透明積層体は、透明電極、透明
熱線反射膜、ディスプレイ用透明電磁波シールド材など
の種々の用途に利用することができる。とくに各薄膜層
の光学設計により高可視光線透過率および低表面抵抗に
加えて、高い近赤外線カット率を有し、また電磁波シ―
ルド特性にすぐれるものとして、プラズマディスプレイ
パネル用フィルタとして好適に利用することができる。Such a transparent laminate can be used for various applications such as a transparent electrode, a transparent heat ray reflective film, and a transparent electromagnetic wave shielding material for a display. In particular, due to the optical design of each thin film layer, in addition to high visible light transmittance and low surface resistance, it has a high near-infrared cut ratio,
It can be suitably used as a filter for a plasma display panel because of its excellent filter characteristics.

【００４５】[0045]

【実施例】つぎに、本発明を実施例により、さらに具体
的に説明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定され
るものではない。Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

【００４６】以下、膜厚は、同じ成膜条件にて長時間厚
膜に成膜したサンプルを表面粗さ計（ＤＥＫＴＡＫ３）
により測定し、その検量線から所定の厚さになるように
制御した値（質量膜厚）である。また、ガス流量に用い
た単位（ＳＣＣＭ）は、標準状態に換算した気体流量
（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅ
ｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ）を示したものである。Hereinafter, the film thickness was measured by using a surface roughness meter (DEKTAK3)
And a value (mass film thickness) controlled from the calibration curve to a predetermined thickness. The unit (SCCM) used for the gas flow rate is the gas flow rate (Standard Cubic Centimete) converted to the standard state.
r per Minute).

【００４７】さらに、透明積層体の特性評価は、以下の
ようにして行った。すなわち、透明積層体の可視光線透
過率については、大塚電子製の瞬間マルチ測光器「ＭＣ
ＰＤ−３０００」により、０°入射の透過スペクトルを
測定し、得られた透過スペクトルから、ＪＩＳ Ｒ−３
０１６に準じて、可視光線透過率を算出した。また、透
明積層体の表面抵抗値は、三菱油化製の「Ｌｏｒｅｓｔ
ｅｒ ＳＰ」を用い、四端針法（ＪＩＳ Ｋ−７１９
４）により、測定した。Further, the evaluation of the characteristics of the transparent laminate was performed as follows. That is, regarding the visible light transmittance of the transparent laminate, the instantaneous multi-photometer “MC
PD-3000 ”, a transmission spectrum at an incidence angle of 0 ° was measured, and the obtained transmission spectrum was used in accordance with JIS R-3.
The visible light transmittance was calculated according to 016. The surface resistance of the transparent laminate was determined by Mitsubishi Oil Chemical's “Lorest”.
er SP "and a four-point needle method (JIS K-719).
Measured according to 4).

【００４８】実施例１ 幅３００mm、厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレ
ート（以下、ＰＥＴという）フィルムのロール原反を、
ターゲットが３つ配置できるロール・トゥ・ロール式の
スパッタリング装置に取り付け、これを透明基体とし
て、透明薄膜層としての金属酸化物薄膜層と、銀系透明
導電体薄膜層とを、合計３層繰り返し積層してなる透明
積層体を製造した。Example 1 A roll of a polyethylene terephthalate (hereinafter referred to as PET) film having a width of 300 mm and a thickness of 125 μm was prepared as follows.
Attached to a roll-to-roll type sputtering apparatus capable of disposing three targets, using this as a transparent base, repeating a metal oxide thin film layer as a transparent thin film layer and a silver-based transparent conductor thin film layer in total of three layers A transparent laminate formed by lamination was manufactured.

【００４９】金属酸化物薄膜層を形成する金属酸化物タ
ーゲット材料には、Ｉｎ₂ Ｏ₃ ：ＳｎＯ₂ ＝９０重量
％：１０重量％（以下、ＩＴＯ_x という）を用い、金属
ターゲット材料には、Ｉｎ：Ｓｎ＝９０重量％：１０重
量％（以下、ＩＴＭｅという）を用いた。これらから、
金属酸化物薄膜層として酸化インジウム錫（以下、ＩＴ
Ｏという）薄膜層をそれぞれ成膜した。また、銀系透明
導電体薄膜層を形成するターゲット材料には、Ａｇ：Ａ
ｕ＝９７重量％：３重量％（以下、Ａｇという）を用い
た。なお、使用したこれらのターゲットサイズは、いず
れも、６００mm×１５０mm×５mm（厚さ）である。As the metal oxide target material for forming the metal oxide thin film layer, In ₂ O ₃ : SnO ₂ = 90% by weight: 10% by weight (hereinafter referred to as ITO _x ) was used. In: Sn = 90% by weight: 10% by weight (hereinafter referred to as ITMe) was used. From these,
Indium tin oxide (hereinafter referred to as IT)
O). The target material for forming the silver-based transparent conductor thin film layer includes Ag: A
u = 97% by weight: 3% by weight (hereinafter referred to as Ag) was used. Each of these target sizes used was 600 mm × 150 mm × 5 mm (thickness).

【００５０】装置手前からロールが反時計周りに回転す
る方向を順方向、その反対を逆方向とした。ターゲット
は、順方向にてＰＥＴフィルムが通過する順に、ＩＴＭ
ｅ、ＩＴＯ_x 、Ａｇの順で配置した。各ターゲットの成
膜速度は、以下のとおり設定した条件により、ロール速
度０．１ｍ／ｍｉｎにて成膜した薄膜層の厚さを測定
し、算出した。ただし、ロール温度は室温とした。ま
た、各ターゲットは、プラズマシールドで覆われてお
り、ロールとの間隔は２mmとした。さらに、ＩＴＭｅお
よぴＩＴＯターゲットは、Ａｒガスをターゲット表面付
近から導入し、酸素ガスはロール付近から導入するよう
に配管を配置した。また、Ａｇターゲットには酸素ガス
導入管を設置しなかった。The direction in which the roll rotates counterclockwise from the front of the apparatus is defined as the forward direction, and the opposite direction is defined as the reverse direction. The targets were placed in the forward direction of the
e, ITO _x , Ag. The film formation rate of each target was calculated by measuring the thickness of the thin film layer formed at a roll speed of 0.1 m / min under the conditions set as follows. However, the roll temperature was room temperature. Each target was covered with a plasma shield, and the distance between the target and the roll was 2 mm. Further, for the ITMe and ITO targets, the piping was arranged such that Ar gas was introduced from near the target surface, and oxygen gas was introduced from near the roll. Further, no oxygen gas introduction pipe was provided on the Ag target.

【００５１】＜ＩＴＭｅターゲット＞ ＤＣスパッタリング方式、投入電力２．７ｋＷ、ガス圧
０．４Ｐａ、ガス流量比Ｏ₂ ／Ａｒ＝３０ＳＣＣＭ／１
５０ＳＣＣＭ成膜速度２０．３ｎｍ・ｍ／ｋＷ・ｍｉｎ ＜ＩＴＯ_x ターゲット＞ ＤＣスパッタリング方式、投入電力２．７ｋＷ、ガス圧
０．４Ｐａ、ガス流量比Ｏ₂ ／Ａｒ＝１ＳＣＣＭ／１５
０ＳＣＣＭ成膜速度８．８ｎｍ・ｍ／ｋＷ・ｍｉｎ ＜Ａｇターゲット＞ ＤＣスパッタリング方式、投入電力０．５ｋＷ、ガス圧
０．４Ｐａ、ガス流量比Ｏ₂ ／Ａｒ＝０ＳＣＣＭ／１５
０ＳＣＣＭ成膜速度３０．５ｎｍ・ｍ／ｋＷ・ｍｉｎ <ITMe target> DC sputtering system, input power 2.7 kW, gas pressure 0.4 Pa, gas flow ratio O ₂ / Ar = 30 SCCM / 1
50 SCCM deposition rate 20.3 nm · m / kW · min <ITO _x target> DC sputtering method, input power 2.7 kW, gas pressure 0.4 Pa, gas flow ratio O ₂ / Ar = 1 SCCM / 15
0SCCM film formation rate 8.8 nm · m / kW · min <Ag target> DC sputtering method, input power 0.5 kW, gas pressure 0.4 Pa, gas flow ratio O ₂ / Ar = 0 SCCM / 15
0SCCM film formation rate 30.5nm ・ m / kW ・ min

【００５２】ＩＴＭｅおよびＩＴＯ_x ターゲットとも
に、透明なＩＴＯ薄膜層が得られた。以上、求めた成膜
速度を元に２パスでもって、透明積層体を作製した。Ｉ
ＴＭｅおよびＩＴＯ_x の成膜条件は、上記の成膜速度測
定時と同じとし、１パスで各ターゲットからＩＴＯ薄膜
層が４０ｎｍ成膜されるようにロール速度を決定した。
また、Ａｇの成膜速度は、投入電力に比例するものと
し、決定されたロール速度にてＡｇ薄膜層が１２ｎｍ成
膜されるように投入電力を決定した。括弧内の数字は、
各ターゲットから成膜された薄膜層の厚さを示してい
る。A transparent ITO thin film layer was obtained for both the ITMe and ITO _x targets. As described above, a transparent laminated body was manufactured in two passes based on the obtained film forming speed. I
The film forming conditions for TMe and ITO _x were the same as those for the above-described film forming rate measurement, and the roll speed was determined so that the ITO thin film layer was formed to 40 nm from each target in one pass.
The Ag deposition rate was proportional to the input power, and the input power was determined so that the Ag thin film layer was deposited to a thickness of 12 nm at the determined roll speed. The number in parentheses is
The thickness of the thin film layer formed from each target is shown.

【００５３】＜１パス目＞ 順方向：ロール速度１．９６ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（２８．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（１２．０ｎｍ） ＜２パス目＞ 逆方向：ロール速度１．９６ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０．７７ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（２８．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（１２．０ｎｍ）／Ａｇ（１２．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （１２．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ（２８．０ｎｍ） <First pass> Forward direction: Roll speed 1.96 m / min, Ag input power 0 kW PET film / ITMe (28.0 nm) / ITO _x
(12.0 nm) <Second pass> Reverse direction: Roll speed 1.96 m / min, Ag input power 0.77 kW PET film / ITMe (28.0 nm) / ITO _x
(12.0 nm) / Ag (12.0 nm) / ITO
_x (12.0 nm) / ITMe (28.0 nm)

【００５４】このようにして製造した透明積層体は、透
明基体（ＰＥＴフィルム）側から、ＰＥＴフィルム／Ｉ
ＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（４０ｎ
ｍ）の構成からなるものであった。なお、上記の括弧内
の数字は、各薄膜層の厚さを示したものである。The transparent laminate produced in this manner is made of PET film / I from the transparent substrate (PET film) side.
TO (40 nm) / Ag (12 nm) / ITO (40 n
m). The numbers in parentheses above indicate the thickness of each thin film layer.

【００５５】比較例１ ターゲットの配置を順方向にてＰＥＴフィルムが通過す
る順に、ＩＴＯ_x 、ＩＴＯ_x 、Ａｇの順で配置し、実施
例１と同じ成膜条件にて下記の２パスで、ＰＥＴフィル
ム側から、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構成の透明積層
体を製造した。括弧内の数字は、各ターゲットから成膜
された薄膜層の厚さを示している。COMPARATIVE EXAMPLE 1 In the order of passing the PET film in the forward direction of the target, ITO _x , ITO _x , and Ag were arranged in this order under the same two film formation conditions as in Example 1. From the PET film side, a transparent laminate having a three-layer structure of ITO / Ag / ITO was manufactured. The number in parentheses indicates the thickness of the thin film layer formed from each target.

【００５６】＜１パス目＞ 順方向：ロール速度１．１９ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ_x （２０．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（２０．０ｎｍ） ＜2 パス目＞ 逆方向：ロール速度１．１９ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０．４７ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ_x （２０．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（２０．０ｎｍ）／Ａｇ（１２．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （２０．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （２０．０ｎｍ） <First pass> Forward direction: Roll speed 1.19 m / min, Ag input power 0 kW PET film / ITO _x (20.0 nm) / ITO _x
(20.0 nm) <2nd pass> Reverse direction: Roll speed 1.19 m / min, Ag input power 0.47 kW PET film / ITO _x (20.0 nm) / ITO _x
(20.0 nm) / Ag (12.0 nm) / ITO
_x (20.0 nm) / ITO _x (20.0 nm)

【００５７】比較例２ ターゲットの配置を順方向にてＰＥＴフィルムが通過す
る順に、ＩＴＭｅ、ＩＴＭｅ、Ａｇの順で配置し、実施
例１と同じ成膜条件で下記の２パスで、ＰＥＴフィルム
側から、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構成の透明積層体
を製造した。括弧内の数字は、各ターゲットから成膜さ
れた薄膜層の厚さを示している。COMPARATIVE EXAMPLE 2 In the order in which the PET film passes through the target in the forward direction, it is arranged in the order of ITMe, ITMe, and Ag. Manufactured a transparent laminate having a three-layer structure of ITO / Ag / ITO. The number in parentheses indicates the thickness of the thin film layer formed from each target.

【００５８】＜１パス目＞ 順方向：ロール速度２．７４ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（２０．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（２０．０ｎｍ） ＜2 パス目＞ 逆方向：ロール速度２．７４ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
１．０８ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（２０．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（２０．０ｎｍ）／Ａｇ（１２．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（２０．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ（２０．０ｎｍ） <First pass> Forward direction: Roll speed 2.74 m / min, Ag input power 0 kW PET film / ITMe (20.0 nm) / ITMe
(20.0 nm) <2nd pass> Reverse direction: Roll speed 2.74 m / min, Ag input power 1.08 kW PET film / ITMe (20.0 nm) / ITMe
(20.0 nm) / Ag (12.0 nm) / ITMe
(20.0 nm) / ITMe (20.0 nm)

【００５９】上記の実施例１および比較例１，２の各透
明積層体について、可視光線透過率および表面抵抗値を
測定し、また、透明積層体〔ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ
（４０ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（４０ｎ
ｍ）〕の生産速度を調べた。これらの結果は、下記の表
１に示されるとおりであった。For each of the transparent laminates of Example 1 and Comparative Examples 1 and 2, the visible light transmittance and the surface resistance were measured, and the transparent laminate [PET film / ITO
(40 nm) / Ag (12 nm) / ITO (40 n
m)] was examined. These results were as shown in Table 1 below.

【００６０】 [0060]

【００６１】上記の表１に示すように、実施例１の透明
積層体は、高可視光線透過率と低表面抵抗値が得られて
おり、たとえばローエミッション膜などに用いるのに好
適なものであり、しかもこの高特性を有するものを生産
性よく製造できた。これに対し、比較例１の透明積層体
は、高可視光線透過率と低表面抵抗値を示すものの、生
産性に劣っていた。比較例２の透明積層体は、生産性は
満足できるが、Ａｇ薄膜層上にＩＴＭｅからＩＴＯ薄膜
を成膜する際、Ａｇ薄膜層が酸化されるため、可視光線
透過率の低下と著しい表面抵抗値の上昇が起こった。As shown in Table 1 above, the transparent laminate of Example 1 has a high visible light transmittance and a low surface resistance, and is suitable for use as, for example, a low emission film. A product having such high characteristics was produced with high productivity. In contrast, the transparent laminate of Comparative Example 1 exhibited high visible light transmittance and low surface resistance, but was inferior in productivity. Although the productivity of the transparent laminate of Comparative Example 2 is satisfactory, when the ITO thin film is formed from ITMe on the Ag thin film layer, the Ag thin film layer is oxidized. A rise in value has occurred.

【００６２】また、別の測定評価から、比較例２の透明
積層体は、４０％以下の赤外線反射率しか示さなかった
が、実施例１の透明積層体は、比較例１の透明積層体と
同様に、９５％を超える高い赤外線反射率を示すことが
わかった。さらに、実施例１の方法において、ＰＥＴフ
ィルム上にＩＴＯ薄膜層（５０ｎｍ）をそれぞれＩＴＭ
ｅターゲット、ＩＴＯ_x ターゲットから成膜したサンプ
ルを別途作製して、幅方向の表面抵抗値分布を調べた結
果、ＩＴＯ_x ターゲットから成膜した場合は上記分布が
±2 ．1 ％、ＩＴＭｅターゲットから成膜した場合は±
7 ．2 ％であった。これに対し、実施例１のようにＩＴ
Ｏ_x ターゲットとＩＴＭｅターゲットとを用いて順次成
膜したサンプルでは、上記分布が±２．４％と低かっ
た。From another measurement evaluation, the transparent laminate of Comparative Example 2 showed only an infrared reflectance of 40% or less, but the transparent laminate of Example 1 was different from the transparent laminate of Comparative Example 1. Similarly, it was found to exhibit a high infrared reflectance of over 95%. Further, in the method of Example 1, an ITO thin film layer (50 nm) was formed on a PET film by ITM.
e, a sample formed from an ITO _x target was separately prepared, and the surface resistance distribution in the width direction was examined. As a result, when the film was formed from an ITO _x target, the distribution was ± 2. 1%, ± 1% when formed from ITMe target
7． 2%. On the other hand, as in the first embodiment, the IT
In the sample formed sequentially using the O _x target and the ITMe target, the above distribution was as low as ± 2.4%.

【００６３】実施例２ 幅３００mm、厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルムのロール
原反を、ターゲットが５つ配置できるロール・トウ・ロ
ール式のスパッタリング装置に取り付け、これを透明基
体として、透明薄膜層としての金属酸化物薄膜層と、銀
系透明導電体薄膜層とを、合計７層繰り返し積層してな
る透明積層体を製造した。Example 2 A roll of a PET film having a width of 300 mm and a thickness of 125 μm was attached to a roll-to-roll type sputtering apparatus in which five targets could be arranged, and this was used as a transparent substrate and as a transparent thin film layer. A transparent laminate was manufactured by repeatedly laminating a total of seven layers of a metal oxide thin film layer and a silver-based transparent conductor thin film layer.

【００６４】ここで、金属酸化物薄膜層を形成する金属
酸化物ターゲットおよび金属ターゲットには、実施例１
と同様の材料を用い、ＩＴＯ薄膜層を成膜した。また、
銀系透明導電体薄膜層を形成するターゲットには、実施
例１と同様の材料を用いて、Ａｇ薄膜層を成膜した。タ
ーゲットサイズは、いずれも、６００mm×１５０mm×５
mm（厚さ）である。Here, the metal oxide target for forming the metal oxide thin film layer and the metal target are the same as those of the first embodiment.
Using the same material as above, an ITO thin film layer was formed. Also,
An Ag thin film layer was formed using the same material as in Example 1 as a target for forming a silver-based transparent conductor thin film layer. Target size is 600mm x 150mm x 5
mm (thickness).

【００６５】また、ターゲットは、順方向にてＰＥＴフ
ィルムが通過する順に、ＩＴＭｅ、ＩＴＯ_x 、Ａｇ、Ｉ
ＴＯ_x 、ＩＴＭｅの順で配置した。実施例１で求めた成
膜速度を元に、下記に示す３パスでもって、透明積層体
を製造した。ＩＴＭｅおよびＩＴＯ_x の成膜条件は、実
施例１と同じとし、Ａｇの成膜速度は、投入電力に比例
するものとして、決定されたロール速度にてＡｇ薄膜層
が１３ｎｍ形成されるように投入電力を決定した。括弧
内の数字は、各ターゲットから成膜された薄膜層の厚さ
を示したものである。In addition, the targets were placed in the order of the passing of the PET film in the forward direction, ie, ITMe, ITO _x , Ag, I
TO _x, it was placed in the order of ITMe. On the basis of the film-forming speed obtained in Example 1, a transparent laminate was manufactured in the following three passes. The film forming conditions for ITMe and ITO _x were the same as in Example 1, and the film forming rate for Ag was set so as to be proportional to the input power so that the Ag thin film layer was formed to a thickness of 13 nm at the determined roll speed. The power was determined. The number in parentheses indicates the thickness of the thin film layer formed from each target.

【００６６】＜１パス目＞ 順方向：ロール速度２．２４ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０．９５ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（２４．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（１０．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（２４．５ｎｍ） ＜２パス目＞ 逆方向：ロール速度２．２４ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０．９５ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（２４．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（１０．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（２４．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（２４．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１０．５ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（２４．５ｎｍ） ＜３パス目＞ 順方向：ロール速度２．２４ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０．９５ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（２４．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（１０．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（２４．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（２４．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１０．５ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（２４．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（２４．５ｎｍ）／Ｉ
ＴＯ_x （１０．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴ
Ｏ_x （１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（２４．５ｎｍ） <First pass> Forward direction: Roll speed 2.24 m / min, Ag input power 0.95 kW PET film / ITMe (24.5 nm) / ITO _x
(10.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (10.5 nm) / ITMe (24.5 nm) <Second pass> Reverse direction: Roll speed 2.24 m / min, Ag input power 0.95 kW PET film / ITMe (24.5 nm) / ITO _x
(10.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (10.5 nm) / ITMe (24.5 nm) / IT
Me (24.5 nm) / ITO _x (10.5 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (10.5 nm) / IT
Me (24.5 nm) <3rd pass> Forward direction: Roll speed 2.24 m / min, Ag input power 0.95 kW PET film / ITMe (24.5 nm) / ITO _x
(10.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (10.5 nm) / ITMe (24.5 nm) / IT
Me (24.5 nm) / ITO _x (10.5 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (10.5 nm) / IT
Me (24.5 nm) / ITMe (24.5 nm) / I
TO _x (10.5 nm) / Ag (13.0 nm) / IT
O _x (10.5 nm) / ITMe (24.5 nm)

【００６７】このようにして製造された透明積層体は、
透明基体（ＰＥＴフィルム）側から、ＰＥＴフィルム／
ＩＴＯ（３５ｎｍ）／Ａｇ（１３ｎｍ）／ＩＴＯ（７０
ｎｍ）／Ａｇ（１３ｎｍ）／ＩＴＯ（７０ｎｍ）／Ａｇ
（１３ｎｍ）／ＩＴＯ（３５ｎｍ）の構成からなるもの
であった。なお、上記の括弧内の数字は、各薄膜層の厚
さを示したものである。The transparent laminate thus manufactured is
From the transparent substrate (PET film) side, PET film /
ITO (35 nm) / Ag (13 nm) / ITO (70
nm) / Ag (13 nm) / ITO (70 nm) / Ag
(13 nm) / ITO (35 nm). The numbers in parentheses above indicate the thickness of each thin film layer.

【００６８】比較例３ ターゲットの配置を順方向にてＰＥＴフィルムが通過す
る順に、ＩＴＯ_x 、ＩＴＯ_x 、Ａｇ、ＩＴＯ_x 、ＩＴＯ
_x の順で配置し、下記に示す３パスでもって、実施例２
と同様にして、ＰＥＴフィルム側から、ＰＥＴフィルム
／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ
の７層構成の透明積層体を製造した。括弧内の数字は、
各ターゲットから成膜された薄膜層の厚さを示してい
る。Comparative Example 3 In the order in which the PET film passes through the arrangement of the targets in the forward direction, ITO _x , ITO _x , Ag, ITO _x , ITO
Example 2 by arranging in the order of _x and using three passes shown below
Similarly, from the PET film side, PET film / ITO / Ag / ITO / Ag / ITO / Ag / ITO
Was produced. The number in parentheses is
The thickness of the thin film layer formed from each target is shown.

【００６９】＜１パス目＞ 順方向：ロール速度１．３６m ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０．５８ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（１７．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ） ＜２パス目＞ 逆方向：ロール速度１．３６m ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０．５８ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（１７．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｏ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｏ_x （１７．５ｎｍ） ＜３パス目＞ 順方向：ロール速度１．３６m ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０．５８ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x
（１７．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｏ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｏ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／Ｉ
ＴＯ_x （１７．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴ
Ｏ_x （１７．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （１７．５ｎｍ） <First pass> Forward direction: Roll speed 1.36 m / min, Ag input power 0.58 kW PET film / ITO _x (17.5 nm) / ITO _x
(17.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (17.5 nm) / ITO _x (17.5 nm) <Second pass> Reverse direction: Roll speed 1.36 m / min, Ag input power 0.58 kW PET film / ITO _x (17.5 nm) / ITO _x
(17.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (17.5 nm) / ITO _x (17.5 nm) / IT
O _x (17.5 nm) / ITO _x (17.5 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (17.5 nm) / IT
O _x (17.5nm) <3 pass> Forward: roll speed 1.36 m / min, Ag input power 0.58KW PET film _{/ ITO x (17.5nm) / ITO} x
(17.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (17.5 nm) / ITO _x (17.5 nm) / IT
O _x (17.5 nm) / ITO _x (17.5 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (17.5 nm) / IT
O _x (17.5 nm) / ITO _x (17.5 nm) / I
TO _x (17.5 nm) / Ag (13.0 nm) / IT
O _x (17.5 nm) / ITO _x (17.5 nm)

【００７０】比較例４ ターゲットの配置を順方向にてＰＥＴフィルムが通過す
る順に、ＩＴＭｅ、ＩＴＭｅ、Ａｇ、ＩＴＭｅ、ＩＴＭ
ｅの順で配置し、下記に示す３パスでもって、実施例２
と同様にして、ＰＥＴフィルム側から、ＰＥＴフィルム
／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ
の７層構成の透明積層体を製造した。括弧内の数字は、
各ターゲットから成膜された薄膜層の厚さを示してい
る。Comparative Example 4 In the order in which the PET film passes through the arrangement of the targets in the forward direction, ITMe, ITMe, Ag, ITMe, ITM
e in the order of e, with the three passes shown below,
Similarly, from the PET film side, PET film / ITO / Ag / ITO / Ag / ITO / Ag / ITO
Was produced. The number in parentheses is
The thickness of the thin film layer formed from each target is shown.

【００７１】＜１パス目＞ 順方向：ロール速度３．１３ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
１．３３ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１７．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ） ＜２パス目＞ 逆方向：ロール速度３．１３ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
１．３３ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１７．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／Ａｇ
（１３．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１７．５ｎｍ） ＜３パス目＞ 順方向：ロール速度３．１３ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
１．３３ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１７．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／Ａｇ
（１３．０ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１７．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１７．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１７．５ｎｍ） <First pass> Forward direction: Roll speed 3.13 m / min, Ag input power 1.33 kW PET film / ITMe (17.5 nm) / ITMe
(17.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITMe
(17.5 nm) / ITMe (17.5 nm) <Second pass> Reverse direction: Roll speed 3.13 m / min, Ag input power 1.33 kW PET film / ITMe (17.5 nm) / ITMe
(17.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITMe
(17.5 nm) / ITMe (17.5 nm) / ITM
e (17.5 nm) / ITMe (17.5 nm) / Ag
(13.0 nm) / ITMe (17.5 nm) / ITM
e (17.5 nm) <Third pass> Forward direction: Roll speed 3.13 m / min, Ag input power 1.33 kW PET film / ITMe (17.5 nm) / ITMe
(17.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITMe
(17.5 nm) / ITMe (17.5 nm) / ITM
e (17.5 nm) / ITMe (17.5 nm) / Ag
(13.0 nm) / ITMe (17.5 nm) / ITM
e (17.5 nm) / ITMe (17.5 nm) / IT
Me (17.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITM
e (17.5 nm) / ITMe (17.5 nm)

【００７２】実施例３ ターゲットの配置を順方向にてＰＥＴフィルムが通過す
る順に、ＩＴＭｅ、ＩＴＭｅ、ＩＴＭｅ、ＩＴＯ_x 、Ａ
ｇの順で配置し、下記に示す６パスでもって、実施例２
と同様にして、ＰＥＴフィルム側から、ＰＥＴフィルム
／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ
の７層構成の透明積層体を製造した。括弧内の数字は、
各ターゲットから成膜された薄膜層の厚さを示してい
る。Example 3 In the order in which the PET film passes through the arrangement of the targets in the forward direction, it is assumed that ITMe, ITMe, ITMe, ITO _x , A
g in the order of g, with the following six passes
Similarly, from the PET film side, PET film / ITO / Ag / ITO / Ag / ITO / Ag / ITO
Was produced. The number in parentheses is
The thickness of the thin film layer formed from each target is shown.

【００７３】＜１パス目＞ 順方向：ロール速度５．３８ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （４．４ｎｍ） ＜２パス目＞ 逆方向：ロール速度５．３８ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
２．２９ｋＷＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．２ｎ
ｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２
ｎｍ）／ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎ
ｍ）／ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎ
ｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２
ｎｍ） ＜３パス目＞ 順方向：ロール速度５．３８ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （４．４ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （４．４ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ） ＜４パス目＞ 逆方向：ロール速度５．３８ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
２．２９ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （４．４ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （４．４ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．２ｎｍ） ＜５パス目＞ 順方向：ロール速度５．３８ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （４．４ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （４．４ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／
ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ） ＜６パス目＞ 逆方向：ロール速度５．３８ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
２．２９ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （４．４ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （４．４ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／
ＩＴＯ_x （４．４ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴ
Ｏ_x （４．４ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．２ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．２ｎｍ） <First pass> Forward direction: Roll speed 5.38 m / min, Ag input power 0 kW PET film / ITMe (10.2 nm) / ITMe
(10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / ITO
_x (4.4 nm) <Second pass> Reverse direction: Roll speed 5.38 m / min, Ag input power 2.29 kW PET film / ITMe (10.2 n
m) / ITMe (10.2 nm) / ITMe (10.2
nm) / ITO _x (4.4 nm) / Ag (13.0 n)
m) / ITO _x (4.4 nm) / ITMe (10.2 n
m) / ITMe (10.2 nm) / ITMe (10.2
<3rd pass> Forward direction: Roll speed 5.38 m / min, Ag input power 0 kW PET film / ITMe (10.2 nm) / ITMe
(10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / ITO
_x (4.4 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (4.4 nm) / ITMe (10.2 nm) / ITM
e (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / IT
Me (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / I
TMe (10.2 nm) / ITO _x (4.4 nm) <Fourth pass> Reverse direction: Roll speed 5.38 m / min, Ag input power 2.29 kW PET film / ITMe (10.2 nm) / ITMe
(10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / ITO
_x (4.4 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (4.4 nm) / ITMe (10.2 nm) / ITM
e (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / IT
Me (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / I
TMe (10.2 nm) / ITO _x (4.4 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (4.4 nm) / ITM
e (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / IT
Me (10.2 nm) <Fifth pass> Forward direction: Roll speed 5.38 m / min, Ag input power 0 kW PET film / ITMe (10.2 nm) / ITMe
(10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / ITO
_x (4.4 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (4.4 nm) / ITMe (10.2 nm) / ITM
e (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / IT
Me (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / I
TMe (10.2 nm) / ITO _x (4.4 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (4.4 nm) / ITM
e (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / IT
Me (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / I
TMe (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) /
ITO _x (4.4 nm) <6th pass> Reverse direction: Roll speed 5.38 m / min, Ag input power 2.29 kW PET film / ITMe (10.2 nm) / ITMe
(10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / ITO
_x (4.4 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (4.4 nm) / ITMe (10.2 nm) / ITM
e (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / IT
Me (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / I
TMe (10.2 nm) / ITO _x (4.4 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (4.4 nm) / ITM
e (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / IT
Me (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) / I
TMe (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm) /
ITO _x (4.4 nm) / Ag (13.0 nm) / IT
O _x (4.4 nm) / ITMe (10.2 nm) / IT
Me (10.2 nm) / ITMe (10.2 nm)

【００７４】実施例４ 成膜時のロール温度を３８０Ｋに加熱し、実施例３と同
様の透明積層体を製造した。実施例１において、ＩＴＭ
ｅの成膜速度を求めた条件（ＤＣスパッタリング方式、
投入電力２．７ｋＷ、ガス圧０．４Ｐａ、ガス流量比Ｏ
₂ ／Ａｒ＝３０ＳＣＣＭ／１５０ＳＣＣＭ、成膜速度２
０．３ｎｍ・ｍ／ｋＷ・ｍｉｎ）では、ロール温度が室
温である場合、投入電力を約３．０ｋＷ以上にすると、
成膜されるＩＴＯ薄膜層は酸化不足のやや褐色がかった
膜となった。酸素導入量を増加すると、透明な膜は得ら
れたが、成膜速度が逆に低下した。Example 4 A transparent laminate similar to that of Example 3 was manufactured by heating the roll temperature during film formation to 380 K. In Example 1, the ITM
e conditions for determining the film formation rate (DC sputtering method,
Input power 2.7kW, gas pressure 0.4Pa, gas flow ratio O
₂ / Ar = 30 SCCM / 150 SCCM, deposition rate 2
0.3 nm · m / kW · min), when the roll temperature is room temperature and the input power is about 3.0 kW or more,
The formed ITO thin film layer was a slightly brownish film with insufficient oxidation. When the oxygen introduction amount was increased, a transparent film was obtained, but the film formation rate was conversely reduced.

【００７５】ロール温度を３８０Ｋに加熱すると、投入
電力３．５ｋＷでも同じ成膜速度で透明な膜が得られ
た。そこで、ＩＴＭｅターゲットヘの投入電力３．５ｋ
Ｗとし、下記の６パスでもって、ＰＥＴフィルム側か
ら、ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／Ａｇ／Ｉ
ＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの７層構成の透明積層体を製造し
た。括弧内の数字は、各ターゲットから成膜された薄膜
層の厚さを示している。When the roll temperature was heated to 380 K, a transparent film was obtained at the same film forming speed even at an input power of 3.5 kW. Therefore, the input power to the ITMe target is 3.5k.
W and PET film / ITO / Ag / ITO / Ag / I from the PET film side in the following 6 passes
A transparent laminate having a seven-layer structure of TO / Ag / ITO was produced. The number in parentheses indicates the thickness of the thin film layer formed from each target.

【００７６】＜１パス目＞ 順方向：ロール速度６．７７ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （３．５ｎｍ） ＜２パス目＞ 逆方向：ロール速度６．７７ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
２．８９ｋＷＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．５ｎ
ｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５
ｎｍ）／ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎ
ｍ）／ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎ
ｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５
ｎｍ） ＜３パス目＞ 順方向：ロール速度６．７７ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （３．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （３．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ） ＜４パス目＞ 逆方向：ロール速度６．７７ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
２．８９ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （３．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （３．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．５ｎｍ） ＜５パス目＞ 順方向：ロール速度６．７７ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
０ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （３．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （３．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／
ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ） ＜６パス目＞ 逆方向：ロール速度６．７７ｍ／ｍｉｎ、Ａｇ投入電力
２．８９ｋＷ ＰＥＴフィルム／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ
（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （３．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ
_x （３．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ）／Ａ
ｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ）／ＩＴＭ
ｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／Ｉ
ＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／
ＩＴＯ_x （３．５ｎｍ）／Ａｇ（１３．０ｎｍ）／ＩＴ
Ｏ_x （３．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴ
Ｍｅ（１０．５ｎｍ）／ＩＴＭｅ（１０．５ｎｍ） <First pass> Forward direction: Roll speed 6.77 m / min, Ag input power 0 kW PET film / ITMe (10.5 nm) / ITMe
(10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / ITO
_x (3.5 nm) <Second pass> Reverse direction: Roll speed 6.77 m / min, Ag input power 2.89 kW PET film / ITMe (10.5 n
m) / ITMe (10.5 nm) / ITMe (10.5
nm) / ITO _x (3.5 nm) / Ag (13.0 n )
m) / ITO _x (3.5 nm) / ITMe (10.5 n
m) / ITMe (10.5 nm) / ITMe (10.5
<3rd pass> Forward direction: Roll speed 6.77 m / min, Ag input power 0 kW PET film / ITMe (10.5 nm) / ITMe
(10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / ITO
_x (3.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (3.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / ITM
e (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / IT
Me (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / I
TMe (10.5 nm) / ITO _x (3.5 nm) <Fourth pass> Reverse direction: Roll speed: 6.77 m / min, Ag input power: 2.89 kW PET film / ITMe (10.5 nm) / ITMe
(10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / ITO
_x (3.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (3.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / ITM
e (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / IT
Me (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / I
TMe (10.5 nm) / ITO _x (3.5 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (3.5 nm) / ITM
e (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / IT
Me (10.5 nm) <Fifth pass> Forward direction: Roll speed: 6.77 m / min, Ag input power: 0 kW PET film / ITMe (10.5 nm) / ITMe
(10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / ITO
_x (3.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (3.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / ITM
e (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / IT
Me (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / I
TMe (10.5 nm) / ITO _x (3.5 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (3.5 nm) / ITM
e (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / IT
Me (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / I
TMe (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) /
ITO _x (3.5 nm) <6th pass> Reverse direction: Roll speed 6.77 m / min, Ag input power 2.89 kW PET film / ITMe (10.5 nm) / ITMe
(10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / ITO
_x (3.5 nm) / Ag (13.0 nm) / ITO
_x (3.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / ITM
e (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / IT
Me (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / I
TMe (10.5 nm) / ITO _x (3.5 nm) / A
g (13.0 nm) / ITO _x (3.5 nm) / ITM
e (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / IT
Me (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / I
TMe (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm) /
ITO _x (3.5 nm) / Ag (13.0 nm ) / IT
O _x (3.5 nm) / ITMe (10.5 nm) / IT
Me (10.5 nm) / ITMe (10.5 nm)

【００７７】上記の実施例２〜４および比較例３，４の
各透明積層体について、可視光線透過率および表面抵抗
値を測定し、また透明積層体〔ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ
（３５ｎｍ）／Ａｇ（１３ｎｍ）／ＩＴＯ（７０ｎｍ）
／Ａｇ（１３ｎｍ）／ＩＴＯ（７０ｎｍ）／Ａｇ（１３
ｎｍ）／ＩＴＯ（３５ｎｍ）〕の生産速度を調べた。こ
れらの結果は、下記の表２に示されるとおりであった。For each of the transparent laminates of Examples 2 to 4 and Comparative Examples 3 and 4, the visible light transmittance and surface resistance were measured, and the transparent laminate [PET film / ITO
(35 nm) / Ag (13 nm) / ITO (70 nm)
/ Ag (13 nm) / ITO (70 nm) / Ag (13
nm) / ITO (35 nm)]. These results were as shown in Table 2 below.

【００７８】 [0078]

【００７９】上記の表２に示すように、実施例２の透明
積層体は、６０％を超える可視光線透過率と２Ω／□レ
ベルの表面抵抗値が得られており、たとえばプラズマデ
ィスプレイパネルの透明電磁波シールドフィルムなどの
用途に好適なものであり、しかもこの高特性を有するも
のを生産性よく製造できた。これに対し、比較例３の透
明積層体は、上記実施例２と同様の高可視光線透過率と
低表面抵抗値を示すものの、生産性に劣っていた。比較
例４の透明積層体は、生産性は満足できるが、Ａｇ薄膜
層上にＩＴＭｅからＩＴＯ薄膜層を成膜する際、Ａｇ薄
膜層が酸化されるため、可視光線透過率の低下と著しい
表面抵抗値の上昇が起こり、透明電磁波シールドフィル
ムなどには不適なものしか得られなかった。As shown in Table 2 above, the transparent laminate of Example 2 has a visible light transmittance of more than 60% and a surface resistance of 2Ω / □ level. A film suitable for use as an electromagnetic wave shielding film or the like and having such high characteristics could be manufactured with high productivity. On the other hand, the transparent laminate of Comparative Example 3 exhibited the same high visible light transmittance and low surface resistance as in Example 2, but was inferior in productivity. Although the productivity of the transparent laminate of Comparative Example 4 was satisfactory, when the ITO thin film layer was formed from ITMe on the Ag thin film layer, the Ag thin film layer was oxidized. The resistance value increased, and only an unsuitable transparent electromagnetic wave shielding film was obtained.

【００８０】また、金属ターゲットであるＩＴＭｅを金
属酸化物ターゲットであるＩＴＯ_xよりも多数個配置し
た実施例３では、実施例２と同等の特性を有する透明積
層体を生産性よく製造できた。さらに、ロール温度を３
８０Ｋに加熱した実施例４では、ロール加熱によつてＩ
ＴＭｅスパッタリング時の酸化効率が増し、より大きな
電力を投入できたことにより、生産性がさらに向上し
た。加えて、ロール加熱によりＡｇ薄膜層の結晶性が向
上したことにより、表面抵抗値を１．６Ω／□にまで低
減することができ、このように低抵抗な透明積層体を１
ｍ／ｍｉｎを超える生産速度でもつて製造することがで
きた。Further, in Example 3, in which a larger number of ITMe as the metal target were arranged than ITO _x as the metal oxide target, a transparent laminate having the same characteristics as in Example 2 could be manufactured with high productivity. Further, if the roll temperature is 3
In Example 4 heated to 80K, I was heated by a roll.
Oxidation efficiency at the time of TMe sputtering increased, and a larger electric power could be supplied, so that productivity was further improved. In addition, since the crystallinity of the Ag thin film layer is improved by the roll heating, the surface resistance value can be reduced to 1.6 Ω / □.
It was possible to manufacture even at a production rate exceeding m / min.

【００８１】[0081]

【発明の効果】以上のように、本発明は、銀系透明導電
体薄膜層と透明薄膜層とを組み合わせて繰り返し積層
し、銀系透明導電体薄膜層上に積層する透明薄膜層の少
なくともひとつを金属酸化物薄膜層とした透明積層体に
おいて、上記の金属酸化物薄膜層をスパツタリング法に
より成膜するにあたり、金属酸化物ターゲットを用いて
成膜したのち、金属ターゲットを用いた反応性スパツタ
リングにより成膜するようにしたことにより、下地であ
る銀系透明導電体薄膜層を酸化させることなく速い速度
で成膜でき、これにより透明性や電気伝導性の高い品質
良好な透明積層体を生産性良好に製造することができ
る。As described above, the present invention relates to at least one of the transparent thin film layers laminated on the silver-based transparent conductor thin film layer by repeatedly combining and laminating the silver-based transparent conductor thin film layer and the transparent thin film layer. In a transparent laminate having a metal oxide thin film layer, the above-mentioned metal oxide thin film layer is formed by sputtering using a metal oxide target, and then formed by reactive sputtering using a metal target. By forming the film, it is possible to form the film at a high speed without oxidizing the underlying silver-based transparent conductor thin film layer, thereby producing a high quality transparent laminate with high transparency and electric conductivity. It can be manufactured well.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稗田 嘉弘 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 宮内 和彦 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 安積 由起子 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA04 BA05 BA10 BA15 BA45 BA47 BA50 BC09 CA05 CA06 DC04 DC05 5G307 FA02 FB02 FC03 FC09 FC10 5G323 BA01 BA02 BB05  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Yoshihiro Hieda 1-1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation (72) Inventor Kazuhiko Miyauchi 1-1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Within Nitto Denko Corporation (72) Inventor Yukiko Azumi 1-1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation F-term (reference) 4K029 AA11 AA25 BA04 BA05 BA10 BA15 BA45 BA47 BA50 BC09 CA05 CA06 DC04 DC05 5G307 FA02 FB02 FC03 FC09 FC10 5G323 BA01 BA02 BB05

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 透明基体上に厚さが１〜３０ｎｍの銀系
透明導電体薄膜層と厚さが１０〜３００ｎｍの透明薄膜
層とを組み合わせて繰り返し積層し、銀系透明導電体薄
膜層上に積層する透明薄膜層の少なくともひとつを金属
酸化物薄膜層とした透明積層体において、上記の金属酸
化物薄膜層をスパツタリング法により成膜するにあた
り、金属酸化物ターゲットを用いて成膜したのち、金属
ターゲットを用いた反応性スパツタリングにより成膜す
ることを特徴とする透明積層体の製造方法。1. A silver-based transparent conductor thin film layer having a thickness of 1 to 30 nm and a transparent thin film layer having a thickness of 10 to 300 nm are repeatedly laminated in combination on a transparent substrate. In a transparent laminate in which at least one of the transparent thin film layers to be laminated is a metal oxide thin film layer, upon forming the above metal oxide thin film layer by a sputtering method, after forming a film using a metal oxide target, A method for producing a transparent laminate, wherein a film is formed by reactive sputtering using a metal target. 【請求項２】 金属酸化物ターゲットと金属ターゲット
を合計３個以上使用するとともに、金属ターゲットの使
用個数を金属酸化物ターゲットの使用個数よりも多くし
た請求項１に記載の透明積層体の製造方法。2. The method for producing a transparent laminate according to claim 1, wherein a total of three or more metal oxide targets and three or more metal targets are used, and the number of metal targets used is larger than the number of metal oxide targets used. . 【請求項３】 透明基体の温度を３５０〜６００Ｋの範
囲に保つ請求項１または２に記載の透明積層体の製造方
法。3. The method for producing a transparent laminate according to claim 1, wherein the temperature of the transparent substrate is kept in a range of 350 to 600K. 【請求項４】 透明基体上に厚さが１〜３０ｎｍの銀系
透明導電体薄膜層と厚さが１０〜３００ｎｍの透明薄膜
層とを組み合わせて繰り返し積層し、銀系透明導電体薄
膜層上に積層する透明薄膜層の少なくともひとつを金属
酸化物薄膜層とした透明積層体において、上記の金属酸
化物薄膜層を、金属酸化物ターゲットを用いて成膜した
透明基体側に位置する内側層と、金属ターゲットを用い
て成膜した外側層とで構成したことを特徴とする透明積
層体。4. A silver-based transparent conductor thin film layer having a thickness of 1 to 30 nm and a transparent thin film layer having a thickness of 10 to 300 nm are repeatedly laminated on a transparent substrate, and the silver-based transparent conductor thin film layer is formed on the transparent substrate. In a transparent laminate in which at least one of the transparent thin film layers to be laminated is a metal oxide thin film layer, the metal oxide thin film layer is an inner layer located on the side of the transparent substrate formed using a metal oxide target. , And an outer layer formed using a metal target. 【請求項５】 金属酸化物ターゲットを用いて成膜した
透明基体側に位置する内側層の厚さが、金属ターゲット
を用いて成膜した外側層の厚さよりも薄くされている請
求項４に記載の透明積層体。5. The method according to claim 4, wherein the thickness of the inner layer formed on the side of the transparent substrate formed using the metal oxide target is smaller than the thickness of the outer layer formed using the metal target. The transparent laminate according to the above. 【請求項６】 請求項４または５に記載の透明積層体を
使用したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル
用フィルタ。6. A filter for a plasma display panel, wherein the transparent laminate according to claim 4 is used.