JP2002114537A - ガラス基板熱処理用セッター - Google Patents
ガラス基板熱処理用セッターInfo
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Abstract
に際して、セッターに実質的に反りが発生することな
く、セッターの表面形状がガラス基板に転写せず、ガラ
ス基板をセッターに安定して載置可能であり、かつ、ガ
ラス基板のセッターからの分離を容易に行うことができ
る大型ガラス基板の熱処理用セッターを提供する。 【解決手段】 大型のガラス基板Gを載置面に載置した
状態で加熱炉内に導入されるガラス基板熱処理用セッタ
ー1おいて、熱膨張係数が15×10-7/K以下の結晶
化ガラスからなり、載置面の平坦度が0.3%以下であ
り、かつ、載置面の表面粗さがRa値で0.1〜1μm
の範囲にあることを特徴とする。
Description
熱処理用セッターに関し、特に、プラズマディスプレイ
パネル(以下PDPと称す)等に使用される大型のガラ
ス基板を、その表面に直接載置して加熱炉に導入する平
板状のガラス基板熱処理用セッターに関する。
で、大画面の平面ディスプレイが注目されている。その
代表格であるPDPは、前面と背面とに2枚のガラス基
板を対向配置し、上下を両ガラス基板で、側方を隔壁で
挟まれた100〜150μmのセルにHe、Ne等の希
ガスを封じ込め電圧の印加によりガス放電させて文字や
画像を表示するもので、表示画面の大きさに比して薄型
であることを特徴とする。例えば、表示画面が42イン
チのPDPモジュールは、縦520mm、横920m
m、奥行50mm程度の矩形のパネルである。PDP用
のガラス基板には、一般に厚さ3mm程度の肉薄平板状
のソーダライム系板ガラスが用いられるが、この板ガラ
スの上には電極や絶縁層を形成するためにペーストが塗
布され、塗布されたペーストを板ガラスに定着させるた
めに加熱炉において450℃〜600℃の温度域で熱処
理が施される。
状特性として、特に、反りが小さいこと、および表面の
凹凸が小さいことが求められる。反りが大きい、すなわ
ちガラス基板の平坦度が低いと、前面と背面のガラス基
板間の平行性が損なわれて表示画面中のセル高さが不均
一になり表示性能を低下させる。また、表面の凹凸が大
きい、すなわちガラス基板の表面粗さが大きいとガラス
基板の上に精密な電極等を形成する際に支障を来すこと
になる。
られるソーダライム系の板ガラスは徐冷点が約600℃
で、加熱されると比較的軟化し易い特性を持っている。
このような特性を有する板ガラスを熱処理するに際して
は、高温に曝されて板ガラスが軟化して反りが発生し易
くなる材質は、PDP用のガラス基板として使用するに
は不適となる。
基板を熱処理する際には、熱膨張および熱収縮が少ない
耐熱材料からなり、平坦かつ平滑な載置面を備えたセッ
ターを用い、このセッターの載置面の上に熱処理される
ガラス基板が載置され加熱炉に導入するといった方法が
とられている。
板よりも若干大きめの板状のアルミナセラミックスの表
面をダイヤモンド砥石を用いて研削し所定の厚さに仕上
げたものが一般的である。このように作製されたセッタ
ーは、ガラス基板が載置される載置面の平坦度、即ち、
長さ500mm当たりの反りの大きさの割合が0.5%
程度で、載置面の表面粗さはRa値で10μm程度であ
る。
来のセッターの上に大型ガラス基板を載置して500〜
650℃の温度域で熱処理を行った場合、従来のセッタ
ーは、熱膨張係数が約71×10-7/Kのアルミナセラ
ミックスからなるため、加熱冷却に伴う膨張収縮が大き
く、その結果、セッター自体の平坦性が失われて反りが
発生する。特に、セッターが大型である場合、反りの程
度が大きくなり、その上に載置される大型のガラス基板
に変形を生じさせる原因になる。
ス基板は、加熱に伴って軟化現象を生じる結果、セッタ
ーの載置面に密着した状態となり、セッターの載置面に
平坦性が維持されていないと、ガラス基板の軟化した表
面がセッターの載置面に倣うために反りが生じる。特
に、大型のガラス基板の場合は、セッターの載置面の不
具合の影響が顕著になる。
跡、いわゆるツールマークが残っているような平滑さで
あると、ガラス基板の軟化した表面にセッターの載置面
のツールマーク形状がそのまま転写されることになる。
また、セッターの載置面に載置されたガラス基板が温度
変化に伴って伸長および収縮するため、この伸縮の際に
セッターの載置面が平滑でないとガラス基板との間に摩
擦を生じ、ガラス基板の表面に擦傷が入ることになる。
特に、大型のガラス基板の場合は、セッターの載置面と
の接触域が大きいためにツールマークがガラス基板の表
面に広く分布することになり、また、温度変化に伴う伸
縮の程度が大きいために擦傷が発生し易くなる。
得られる従来のセッターによれば、平坦度と表面粗さの
いずれの値も大きく、PDP用のガラス基板熱処理用と
して十分な平坦性および平滑性を有しているとは言え
ず、ガラス基板の反りの発生、ガラス基板表面のツール
マークや擦傷の発生が避けられない。
置面をポリッシングして鏡面に近い状態に仕上げ、平坦
度と表面粗さの値を小さくして、載置面の平坦性と平滑
性を向上させる試みがなされた。ところが、このような
セッターは、平坦度は満足できるが、表面粗さが小さく
なり過ぎるために、ガラス基板を載置する際に、ガラス
基板の表面とセッターの載置面との間に隙間がほとんど
なく、エアクッション作用が生じてガラス基板がセッタ
ー上を滑って所定位置に安定して載置することができな
い。さらに、熱処理完了後に、ガラス基板を取出す際
に、ガラス基板の軟化した表面とセッターの載置面とが
ほぼ密着状態にあるため、ガラス基板をセッターの載置
面から分離するのが困難になる。特に、大型のガラス基
板の場合は、セッターと密着する面積が大きいために、
セッターの載置面への安定載置およびセッターの載置面
からの分離が一層困難になる。
であり、その目的とするところは、大型のガラス基板を
直接載置して熱処理するに際して、セッターに実質的に
反りが発生じることなく、セッターの載置面の形状がガ
ラス基板に転写せず、ガラス基板をセッターに安定して
載置可能であり、かつセッターからの分離を容易に行う
ことができる大型のガラス基板熱処理用セッターを提供
することにある。
に、本発明に係るガラス基板熱処理用セッターは、大型
のガラス基板を載置面に載置した状態で加熱炉内に導入
されるガラス基板熱処理用セッターにおいて、熱膨張係
数が15×10-7/K以下の結晶化ガラスからなり、前
記載置面の平坦度が0.3%以下であり、かつ、前記載
置面の表面粗さがRa値で0.1〜1μmの範囲にある
ことを特徴とする。
2に規定された単位長さ当たりの反りの大きさの割合
を、表面粗さRaはJIS B 0601に規定された
算術平均粗さであって、測定カットオフ値が0.8m
m、測定長が4mmの条件で測定した場合の値をそれぞ
れ意味する。
熱膨張係数が15×10-7/K以下の結晶化ガラスから
なるので、室温〜約600℃に到る熱処理の温度域で使
用しても温度変化による膨張収縮が小さく、セッター自
体の高い平坦性が維持されるため、その上に直接載置さ
れて熱処理される大型のガラス基板に反りを生じさせる
ことがない。
ーは、大型のガラス基板を直接載置する載置面の平坦
度、即ち、長さ500mm当たりの反りの大きさの割合
が0.3%以下と高い平坦性を有するので、セッターの
表面に直接載置される大型のガラス基板に反りを生じさ
せず、高い平坦性を維持したまま大型のガラス基板を熱
処理することができる。
ターは、大型のガラス基板を直接載置する載置面の表面
粗さがRa値で0.1〜1μmの範囲にあるので、大型
のガラス基板の軟化した表面にセッターの表面のパター
ンが転写されることがなく、しかも大型のガラス基板を
セッターの載置面に載置する際に、大型のガラス基板が
セッターの載置面を上滑りせず、熱処理後に大型のガラ
ス基板をセッターの載置面から容易に分離することがで
きる。
ターは、結晶化ガラスからなり、熱処理される大型のガ
ラス基板を直接載置する載置面が所定の平坦度と表面粗
さとを有するように加工されてなるものである。
ターの載置面に被処理物である大型のガラス基板を載置
した状態を示す斜視図、とその断面図であり、1はガラ
ス基板熱処理用セッター(以下セッターと称す)を、G
は大型のガラス基板をそれぞれ示している。
l2O3、Li2O、P2O5、TiO2、ZrO2を主成分
とするガラス生地をロールアウト製板法により厚さ6.
2mmの板状に成形し、これを再加熱して結晶化するこ
とにより得られた結晶化ガラスからなるものであり、こ
の結晶化ガラスの熱膨張係数は15×10-7/K以下
の、例えば5×10-7/Kである。
ば、表示画面が42インチのPDP用の大型のガラス基
板Gを載置するためのものであれば、短辺900mm、
長辺1300mmの矩形に切断して、この表面をダイヤ
モンドジェネレータを用いて厚さ約5.5mmの板厚に
研削した後、#600の研磨砥粒を用いて片面ずつ研磨
機でラッピングして表面および裏面が平坦かつ平滑に加
工されている。このような加工により、セッター1の表
裏両表面は、0.3%以下の平坦度で、Ra値の範囲で
0.1〜1.0μm、例えば0.5μmの表面粗さとさ
れている。上記の平坦度および表面粗さは、少なくとも
ガラス基板Gが直接載置されるセッター1の載置面にお
いて実現されていれば足りる。
に、短辺554mm、長辺980mm、厚さ2.7mm
のガラス基板Gを載置し、加熱炉に導入し、580〜6
00℃の温度で30分間ガラス基板Gを保持した後、加
熱炉から取出したところ、次のような結果が得られた。
セッター1の載置面に載置するのに、ガラス基板Gとセ
ッター1との間にエアクッション作用がなく、ガラス基
板Gを容易に載置することができた。
セッター1には反りが見られず、高い平坦性を維持し
た。同様に、ガラス基板Gにも反りは認められなかっ
た。
板Gをセッター1の載置面から分離するに際しても、ガ
ラス基板Gがセッター1と融着するようなこともなく円
滑に分離することができた。また、熱処理後のガラス基
板Gの表面は、セッター1の載置面のパターンが転写さ
れることなく高い平滑性が維持されており、擦傷は認め
られなかった。
ーと同寸法で熱膨張率が約71×10-7/Kのアルミナ
セラミックス板を、その表面をダイヤモンド砥粒を用い
て研削して平坦度が0.5%、表面粗さがRa値で10
μmの載置面を有するセッターを作製した。
で前記のガラス基板Gを熱処理したところ、熱処理中お
よび熱処理後に、このセッターに反りが見られ、ガラス
基板Gにはセッターの反りに倣った反りが認められた。
また、熱処理後においてガラス基板Gの表面には、セッ
ター表面のパターンと同じパターンが形成されており、
また、セッターとの摩擦による擦傷の存在が認められ
た。
のセッターと同じ結晶化ガラス板の表面をポリッシング
して平坦度が0.2%、表面粗さがRa値で0.05μ
mの載置面を有するセッターを作製した。
で前記のガラス基板Gを熱処理したところ、熱処理中お
よび熱処理後に、このセッターには反りが見られず、ガ
ラス基板Gの平坦性を損なうような影響は認められなか
ったが、ガラス基板Gをセッターの載置面に載置するに
際して、ガラス基板Gとセッターとの間にエアクッショ
ン作用が働いてガラス基板Gが水平方向に滑り、ガラス
基板Gをセッターの所定位置に安定させるのに手間が掛
かった。また、熱処理後にガラス基板をセッターから分
離するに際して、ガラス基板とセッターとの間にほとん
ど空隙がなく、両者の表面同士が密着状態にあるため、
ガラス基板Gがセッターから容易に分離しなかった。
は、熱膨張係数が15×10-7/K以下の結晶化ガラス
からなるので、温度変化による膨張収縮が少なく、熱処
理用の治具として用いた場合に、反りが発生せず高い平
坦度を維持することができる。
ーは、被処理物である大型のガラス基板と直接接触する
載置面の平坦度が0.3%以下と、高い平坦性を有する
ので、その上面に直接載置されて熱処理されるガラス基
板に反りが生じない。
ターは、大型のガラス基板を載置する載置面の表面粗さ
がRa値で0.1〜1μmの範囲であり、所望する範囲
の平滑性を有するので、ガラス基板の表面にセッターに
載置面のパターンが転写されることなく、しかもガラス
基板をセッターから容易に分離することができる。
ーの載置面に大型のガラス基板を載置した状態を示す斜
視図、(B)は(A)の断面図。
Claims (1)
- 【請求項1】 大型のガラス基板を載置面に載置した状
態で加熱炉内に導入されるガラス基板熱処理用セッター
において、 熱膨張係数が15×10-7/K以下の結晶化ガラスから
なり、前記載置面の平坦度が0.3%以下であり、か
つ、前記載置面の表面粗さがRa値で0.1〜1μmの
範囲にあることを特徴とするガラス基板熱処理用セッタ
ー。
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JP2000305056A JP2002114537A (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | ガラス基板熱処理用セッター |
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