JP2002033054A - 電子放出性薄膜およびこれを用いたプラズマディスプレイパネルならびにこれらの製造方法 - Google Patents
電子放出性薄膜およびこれを用いたプラズマディスプレイパネルならびにこれらの製造方法Info
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Abstract
れる電子放出性薄膜の製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 真空蒸着装置50を用いて、前面ガラス
基板53に形成された誘電体層54上にMgOの薄膜か
ら構成される保護層を形成する。この蒸着時において、
保護層の組成となるターゲット52の中心点P0と、前
面ガラス基板53の中心点P1および両端点P2,P3
とを結ぶ各直線と前面ガラス基板53とのなす角度のそ
れぞれが30〜80°の範囲のみとなるように蒸着す
る。
Description
レイパネルの保護層などに用いられる電子放出性薄膜に
関し、特に、その電子放出特性を改善する技術に関す
る。
表示に用いられているカラー表示デバイスにおいて、フ
ィールドエミッションディスプレイパネルやプラズマデ
ィスプレイパネル(Plasma Display Panel 、以下、
「PDP」という。)などのディスプレイパネルは、薄
型のパネルを実現することのできる表示デバイスとして
注目されており、特にPDPにおいては高速応答性や高
視野角などの優れた特徴を備えるため、各企業や研究機
関においてその普及に向けた開発が活発に行われてい
る。
ン状の電極が列設される前面ガラス基板および背面ガラ
ス基板とがギャップ材を介して各基板の電極が直交する
ように対向配置され、各基板間の空間に放電ガスが封入
されている。前面ガラス基板には、その背面ガラス基板
と対向する側の面に各電極を覆う誘電体層が被膜されて
おり、さらにこの誘電体層の上に電子放出性薄膜からな
る保護層が被覆されている。
面ガラス基板の電極間で順にアドレス放電を行うことに
より点灯したいセルの保護層表面に電荷を形成し、その
電荷の形成されたセルにおける前面ガラス基板の隣接す
る電極間で維持放電を行っている。アドレス放電によっ
て電荷が形成される保護層は、アドレス放電時に生じる
イオン衝撃(スパッタリング)から誘電体層および電極
を保護する役割と、その放電時に2次電子を放出し電荷
を保持するいわゆるメモリ機能の役割を果たす。そのた
め保護層は、耐スパッタ性と2次電子放出性に優れる酸
化マグネシウム(MgO)が一般的に用いられている。
デバイスの分野においては、画面の高精細化への要求が
高まってきており、この要求に対応するため、各基板に
おける単位面積あたりの電極本数を増やすことによって
セル数を増加させて高精細化を実現している。しかしな
がら、セル数の増加によって電極本数が多くなるほど1
つのセルに費やすことができるアドレス時間も短縮され
るので、アドレス放電時における保護層からの2次電子
放出量が低下し、メモリ機能が不十分となる結果、PD
Pはアドレス放電ミスの発生に伴なう点灯不良を起こし
やすくなる。このような背景のもとで、MgO薄膜にお
いても2次電子放出特性を向上させる技術が望まれてい
る。
保護層の2次電子放出量が優れ、点灯不良を起こしにく
いプラズマディスレイパネルおよびその製造方法、なら
びにそのようなプラズマディスプレイパネルに好適した
電子放出性薄膜およびその製造方法を提供することを目
的とする。
め、本発明に係る電子放出性薄膜は、電子放出性物質を
組成成分とする複数の柱状結晶が基板から伸張されてな
る電子放出性薄膜であって、 前記柱状結晶の少なくと
も一部において、その薄膜表面側における露出端面は、
薄膜表面に対して傾いた平坦面を有することを特徴とす
る。
に比べて2次電子放出量に優れる。その理由は、薄膜を
構成する柱状結晶の単結晶性が従来の柱状結晶よりも高
いためと考えられる。特に、前記柱状結晶の平坦面が、
薄膜表面に対して5〜70°傾斜していれば、柱状結晶
の2次電子放出性が従来に比べて高まり、薄膜の2次電
子放出性が向上するので好ましい。
0)面と等価な結晶方位面であれば、(110)面など
他の結晶方位面である場合に比べて2次電子放出量が高
い。また、前記柱状結晶の伸張方向は、結晶の〈21
1〉方向と等価な方向に相当する。前記柱状結晶の幅
が、100〜500nmであれば、柱状結晶の単結晶性
が高くなり、2次電子放出性が向上すると考えられる。
ウムから構成されるものを用いれば、2次電子放出性に
優れるとともに耐スパッタ性にも優れる薄膜となる。上
記のような2次電子放出性の優れた薄膜は、蒸着時にお
いて、薄膜を形成する物質が基板に対して入射する角度
が30〜80°のみの範囲となるように蒸着させること
によって作製できる。この方法によれば、単結晶性に優
れた柱状結晶からなる電子放出性薄膜を形成できるの
で、電子放出性薄膜の2次電子放出量が向上する。
て酸化マグネシウムを用いることができる。前記電子放
出性薄膜を形成する方法は、真空蒸着法であれば、2次
電子放出量に優れる薄膜を短時間に形成することができ
る。また、本発明に係るプラズマディスプレイパネル
は、第1の電極および当該電極を被覆する誘電体ガラス
層が配設された第1パネルと、第2の電極が配設された
第2パネルとが、ギャップ材を介して前記誘電体ガラス
層および第2の電極を対向させた状態で配され、第1の
電極および第2の電極の間でアドレス放電を行うことに
よりアドレッシングが行われるプラズマディスプレイパ
ネルであって、前記誘電体ガラスは、アドレス放電時の
スパッタリングに対するための保護層により被膜されて
おり、当該保護層は、電子放出性物質を組成とする複数
の柱状結晶であり、その保護層表面側に露出する端面
は、保護層表面に対して傾いた平坦面を有することを特
徴とする。
よれば、保護層が2次電子放出性に優れるので、高精細
化にともなってアドレス時間が短縮されたとしてもアド
レス放電ミスに伴なう点灯ミスの発生を抑制することが
できる。特に、前記柱状結晶の平坦面が、保護層表面に
対して5〜70°傾斜していれば、柱状結晶の2次電子
放出性が高まり、保護層の2次電子放出性が向上するの
で好ましい。
0)面と等価な結晶方位面であれば、(110)面など
他の結晶方位面に比べて2次電子放出性が高まる。具体
的には、前記柱状結晶の伸張方向が、結晶の〈211〉
方向と等価な方向に相当するようになっている。また、
前記柱状結晶の幅が、100〜500nmであれば、柱
状結晶の単結晶性がさらに優れると考えられるので、保
護層における2次電子放出性が向上する。
ウムを用いれば、2次電子放出性に優れるとともにアド
レス放電時の耐スパッタ性にも優れる。また、本発明に
係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上
に形成された誘電体ガラス層上に保護層を形成する保護
層形成ステップを有するプラズマディスプレイパネルの
製造方法であって、前記保護層形成ステップは、減圧雰
囲気下において、保護層の組成となる物質が基板に入射
する角度を30〜80°のみの範囲となるように蒸着さ
せることにより基板上に保護層を形成することを特徴と
する。
放出性が優れるので、アドレス放電ミスに伴なう点灯ミ
スの発生が抑制されるプラズマディスプレイパネルを製
造することができる。また、前記保護層形成ステップに
おいて保護層を形成する物質を、酸化マグネシウムとす
れば、2次電子放出性に優れるとともに、アドレス放電
時の耐スパッタ性に優れるプラズマディスプレイパネル
を製造することができる。
護層を形成する方法に、真空蒸着法を用いるようにすれ
ば、2次電子放出性に優れる保護層を短時間に形成する
ことができる。
について図面を参照しながら説明する。 <PDPの全体構成>図1は、本発明の一適用例として
の交流面放電型PDPの要部概略断面斜視図である。図
2は、図1におけるPDPをy軸方向から見た断面図で
ある。図3は、図2のb−b´線におけるPDPの断面
図である。各図において、z軸方向がPDPの厚み方向
に相当し、x−y平面がPDPのパネル面と平行な平面
に相当する。
ネル10とバックパネル20とが対向した状態に配され
て構成されている。フロントパネル10は、前面ガラス
基板11、表示電極12,13、誘電体層14、保護層
15とを備え、図3に示すように前面ガラス基板11の
対向面上に複数対の表示電極12,13が交互に列設さ
れるとともに、誘電体層14および保護層15が各電極
12,13表面上を覆うように順に被膜されて構成され
ている。
系ガラス材料からなる平板状の基板であり、表示方向側
に配されている。表示電極12,13は、ともにクロム
層−銅層−クロム層と積層された3層構造を有する厚み
約2μmの表示電極である。この表示電極には、銀、
金、ニッケル、白金などの金属を用いることもできる。
さらに、セル内の放電面積を広く確保するために、IT
O(Indium Tin Oxide)、SnO2、ZnOなどの導電
性金属酸化物からなる幅広の透明電極の上に幅細の銀電
極を積層させた組み合わせ電極を用いることもできる。
覆するように形成され(厚み約20μm)、例えば、酸
化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、および酸化アルミニウ
ムの混合物からなる酸化鉛系ガラスや、酸化ビスマス、
酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、および酸化カルシ
ウムの混合物からなる酸化ビスマス系ガラスなどの低融
点ガラス成分から構成され、表示電極12,13を絶縁
する働きを有する。
うに形成されており、微視的には酸化マグネシウム(M
gO)からなる柱状結晶が密集した層である。この保護
層15の構成については後述する。図1に戻り、バック
パネル20は、背面ガラス基板21、アドレス電極2
2、誘電体層23、隔壁24、蛍光体層25R,G,B
を備えている。
1と同様、硼硅素ナトリウム系ガラス材料からなる平板
状の基板である。この背面ガラス基板21の対向面上に
は、図2に示すようにアドレス電極22がストライプ状
に列設されている。アドレス電極22は、上記表示電極
12,13と同様、クロム層−銅層−クロム層が積層さ
れた電極であり、この電極を覆うように誘電体層23が
被膜されている。
における誘電体層14を構成するガラス成分と同じもの
を含む誘電体ガラス層であり、アドレス電極22を絶縁
する。隔壁24は、誘電体層23の表面上において、ア
ドレス電極22と平行に列設されている。隔壁24どう
しの間には、赤色、緑色、青色を発光する各蛍光体層2
5R,G,Bが順に配されている。
(R)、緑色(G)、青色(B)を発光する蛍光体粒子
が結着した層である。PDPは、上記フロントパネル1
0とバックパネル20とが対向するように貼り合わされ
るとともにその各パネル周囲が図示しないフリットガラ
スからなる封着シール層により封着され、その間に形成
される放電空間26内に放電ガス(例えば、ネオン95
vol%とキセノン5vol%の混合ガス)が所定の圧
力(例えば、66.5kPa〜106kPa程度)で封
入された構成となっている。
層15をフロントパネル10の側面から見た走査型電子
顕微鏡写真であり、図4(b)は、図4(a)の保護層
15の上から見た走査型電子顕微鏡写真である。なお、
便宜上、各写真にX,Y,Z軸方向を示しており、Y軸
の負方向に誘電体層14が形成されており、各軸交点の
黒点で示す軸は紙面奥から手前方向を示す。
複数のMgO柱状結晶が一方向に伸張して密集した層で
あり、柱状結晶の一端が露出されている。この柱状結晶
は、図4(b)に示すように平面視略三角形のように見
える。図5(a)は、図4(a)の保護層における柱状
結晶を模式化した図であり、図5(b)は、図4(b)
の柱状結晶の平面視形状を模式化した図であり、図5
(c)は、従来の保護層の柱状結晶を模式化した図であ
る。
は、フロントパネル10の誘電体層14から複数本伸張
し、各柱状結晶の露出端面を含む平面によって保護層1
5の表面33を構成している。柱状結晶31の露出側に
は、表面33に対して角度αを有する一つの平坦面32
を有している。この平坦面32は、X線回折法による結
晶方位の解析を行った結果、(100)面の結晶方位面
と等価な面を有していることが判明し、柱状結晶31は
単結晶性が高いと考えられる。
てMgOが基板へ入射する角度が90°を主体とするよ
うに作製されており、このように成膜されたものは、図
5(c)に示すように柱状結晶41の露出側の端面42
において平坦な形状が明瞭に観察されない。これは、柱
状結晶41が単結晶ではなく多結晶から構成され、配向
面が種々の方向に向いているためであると考えられる。
41が2次電子放出性に劣る理由は、柱状結晶41は単
結晶性が低く欠陥も多いので、1次電子が入射するとき
にはじき出される柱状結晶41内の価電子は、結晶格子
によるブラッグ反射を受けにくいためと考えられる。し
かし、本実施の形態における柱状結晶31は、単結晶か
ら構成されているために(100)面と等価な平坦面3
2が形成されていると考えられる。単結晶から構成され
る柱状結晶31は、その結晶性も高く結晶格子が整って
いると考えられ、1次電子が入射するときにはじき出さ
れる柱状結晶31内の価電子は、結晶格子によるブラッ
グ反射を受け易く、ブラッグ反射を受けて柱状結晶31
から飛び出す2次電子の放出量は従来に比べて増加する
と考えられる。
に基板温度や蒸着圧力を変更することによって(11
0)面、(100)面を形成することができ、特に(1
00)面が最も2次電子放出性が高いことを実験的に確
認している。なお、(111)面を形成することもでき
るが、平坦面32の部分が平坦ではなく、2次電子放出
性も(110)面より劣る。
5〜70°の角度を有するようにすれば2次電子放出量
が従来に比べ増加するので好ましく、より好ましくは5
〜55°、さらに好ましくは10〜40°の範囲の角度
を有することが望ましい。角度αが5〜70°の範囲の
角度であれば、原因はわからないが実施例の実験結果か
ら従来に比べて2次電子放出量が増加し、5〜55°さ
らには10〜40°の範囲の角度であれば、2次電子放
出量が著しく増加するためである。
く、柱状結晶31の一番広い部分における幅w(図5
(b)参照)は、100〜500nmの範囲であること
が好ましい。その幅wが100nm未満であると単結晶
性が乏しく2次電子放出量が低下する一方、500nm
を越えるような柱状結晶はその製造が困難であるからで
ある。
5は、2次電子放出性に優れた薄膜となる。そのため、
PDPにおいてはアドレス時間が短くてもアドレス放電
が良好に行われ、点灯ミスの発生も抑制される。 <PDPの作製方法>次にPDPを作製する方法につい
て説明する。PDPは、フロントパネル10とバックパ
ネル20を形成した後、これらを張り合わせることによ
り作製する。
極12,13を形成し、その上を誘電体層14で被膜
し、更に誘電体層14の表面に保護層15を形成するこ
とによって作製される。表示電極12,13は、クロム
層−銅層−クロム層の3層構造を有する電極であって、
クロム−銅−クロムと順にスパッタすることにより連続
成膜する。
化鉛(PbO),14重量%の酸化硼素(B2O3),1
0重量%の酸化硅素(SiO2)及び5重量%の酸化ア
ルミニウムと有機バインダー(α−ターピネオールに1
0%のエチルセルローズを溶解したもの)とが混合され
た組成物のペーストを、スクリーン印刷法で塗布した
後、520℃で20分間焼成することによって膜厚約2
0μmに形成される。
O)からなるものであって、スパッタリング法によって
形成することもできるが、ここではターゲットにMgO
を用いた真空蒸着法により形成する。この保護層15の
形成方法については後で詳述する。 バックパネル20の作製 背面ガラス基板21上に、表示電極12,13と同様に
クロム、銅、クロムを連続成膜して、アドレス電極22
を形成する。
材料を含むペーストをスクリーン印刷法を用いて塗布し
た後、焼成することによって誘電体層23を形成する。
ここで、蛍光体層25R,G,Bにおいて発光する可視
光を反射させるために、鉛系のガラス材料のペーストに
TiO2粒子を混合して塗布してもよい。隔壁24は、
スクリーン印刷法を用いてガラス材料を含む隔壁用ペー
ストを繰返し塗布した後、焼成することによって形成さ
れる。
ンクを例えばインクジェット法を用いて塗布することに
より蛍光体層25R,G,Bを形成する。 パネル貼り合わせによるPDPの作製:次に、このよ
うに作製したフロントパネル10とバックパネル20と
の周囲を封着シール層用ガラスを用いて貼り合せると共
に、隔壁24で仕切られた放電空間26内を高真空(例
えば8×10-7Torr)に排気した後、放電ガス(例
えばHe−Xe系,Ne−Xe系の不活性ガス)を所定
の圧力(例えば66.5kPa〜106kPa)で封入
することによってPDPを作製する。
駆動回路を各電極12,13,21に実装して、点灯し
たいセルにおける表示電極12(13)とアドレス電極
21間でアドレス放電を行い壁電荷を形成した後、表示
電極12,13間にパルス電圧を印加することにより維
持放電を行い表示駆動を行う。 保護層15形成方法:保護層15は、膜形成速度が早
く、大きな基板に対しても比較的容易に蒸着することが
できる真空蒸着法を用いてMgOを蒸着することにより
形成される。
す図である。同図に示すように、真空蒸着装置50は、
密閉容器であるチャンバー51と、チャンバー51内を
減圧する真空ポンプ、MgOからなるターゲット52を
加熱するヒータ、および前面ガラス基板53を加熱する
ためのヒータ(いずれも不図示)などから構成される。
成された前面ガラス基板53と、MgOからなるターゲ
ットが図示しない支持台により固定されており、前面ガ
ラス基板53の誘電体層14側がターゲット52に対し
て所定の角度を有するよう静置されている。この角度を
以下に示す所定の範囲にすることによって、上述したよ
うな単結晶の柱状結晶からなる保護層を形成することが
できる。
ラス基板53の誘電体層54上における中心点を点P
1,両端の点を点P2,P3とする。点P0と各点P
1,P2,P3を結ぶ直線と、誘電体層54の表面とが
なす角度をそれぞれβ1,β2,β3とすると、各角度
β1〜β3全てが30〜80°の範囲のみに入るように
静置し、この範囲外の角度では一度もターゲット物質が
入射しないすることが好ましい。このようにすれば、温
度条件にもよるが通常上記のように平坦面32と表面3
3とのなす角度を5〜70°の範囲に入れることができ
る。各角度β1〜β3の角度がより好ましくは45〜8
0°、さらに好ましくは50〜70°の範囲の角度とす
れば、原因は不明であるが単結晶性が向上すると考えら
れ、保護層の2次電子放出性が著しく向上する。このよ
うな角度で蒸着を行うことによって、2次電子放出性に
優れる保護層15を得ることができる。
は、1×10-2Pa程度まで真空ポンプにより減圧され
ており、ターゲット52をヒータによって2000℃以
上に加熱することにより、前面ガラス基板53の誘電体
層54上にMgOが蒸着して保護層は形成される。ま
た、前面ガラス基板53の温度は、150〜300℃程
度、好ましくは200℃程度の温度に加熱することが好
ましい。これ以外の温度範囲では、形成される柱状結晶
において単結晶性が低くなることが実験的に確認されて
いるからである。また、前面ガラス基板53が小さい場
合やターゲット52と前面ガラス基板53の距離が大き
い場合には角度β1〜β3は略同一値とみなすことがで
きる。
に対して所定の角度を有して蒸着される物質が入射する
ように真空蒸着することによって、比較的短時間(5分
程度)のうちに2次電子放出性に優れた保護層を得るこ
とができる。すなわち、このような方法で得られた保護
層は、単結晶性に優れた柱状結晶が密集した保護層であ
り、各柱状結晶の単結晶性が高いこと、および柱状結晶
の露出端面が(100)面と等価な面に相当する平坦面
が保護層表面に対して所定の角度を有するように形成さ
れていることから、従来の保護層に比べて2次電子放出
性が著しく高まる。
DPにおいては、アドレス時間が短くてもアドレス放電
が良好に行われ、点灯ミスの発生が従来に比べて抑制さ
れる。 <実施例> (1)実施例サンプル 〔実施例サンプルS1〜S6〕ガラス基板上に上記実施
の形態で説明した真空蒸着法を用いてMgOからなる保
護層を形成した。このとき、真空蒸着時のターゲット
(MgO)の中心とガラス基板の中心とを結ぶ直線とガ
ラス基板とがなす角度β1をそれぞれ80°,70°,
60°,50°,40°,30°となるように設定し
た。
板上に上記実施の形態で説明した真空蒸着法を用いてM
gOからなる保護層を形成した。このとき、真空蒸着時
におけるガラス基板のターゲット(MgO)に対する角
度を種々変更することにより、柱状結晶における平坦面
と保護層表面との角度αがそれぞれ5°,10°,20
°,30°,40°,50°,60°,70°となる保
護層を備えるガラス基板を作製した。
様の方法を用いてガラス基板上に保護層を形成した。た
だし、真空蒸着時の角度β1を90°となるように設定
した点が異なる。
7〜S14と同様の方法を用いてガラス基板上に保護層
を形成した。ただし、保護層蒸着時のガラス基板のター
ゲットに対する角度を調整することにより、角度αが0
°を有する保護層を形成した点が異なる。なお、上記各
実施例サンプルおよび比較例サンプルの保護層蒸着時に
おいては、真空蒸着装置内の圧力を1×10-2Paと
し、ガラス基板を200℃に加熱して蒸着を行った。
2次電子放出量を測定し、ターゲット物質がガラス基板
に入射する角度β1および柱状結晶における平坦面と保
護層表面とがなす角度αに対する2次電子放出量を比較
検討した。
速して保護層に照射し、保護層から放出された2次電子
の放出量をコレクタによって検出した。
図8に示す。図7は、実施例サンプルS1〜S6および
比較例サンプルR1の結果を示したものあり、ターゲッ
ト物質がガラス基板に入射する角度β1に対する2次電
子放出量比を示す。なお、2次電子放出量比とは、比較
例サンプルR1の2次電子放出量に対する各サンプルの
2次電子放出量の比を示す。
β1を30°〜80°傾けることにより、保護層の2次
電子放出量が従来技術に相当する比較例サンプルR1
(90°)に比べて向上していることが分かる。特に、
入射角度β1が45°〜80°の範囲においては、2次
電子放出量が従来に比べ2倍以上に向上していることが
分かる。さらに、その角度が50〜70°の範囲におい
ては、2次電子放出量が約2.2倍以上向上しており、
2次電子放出量を増加させる意味で最も好ましい。
び比較例サンプルR2の結果を示したものであり、柱状
結晶における平坦面と保護層表面とがなす角度αに対す
る2次電子放出量比を示す。なお、2次電子放出量比と
は、比較例サンプルR2の2次電子放出量に対する各サ
ンプルの2次電子放出量の比を示す。同図に示すよう
に、柱状結晶の平坦面が保護層表面に対して5〜70°
傾くことにより、2次電子放出量が比較例サンプルR2
に比べて向上していることが分かる。特に、その傾斜角
度が5〜55°の範囲においては、2次電子放出量が比
較例サンプルR2に比べて2倍以上に向上していること
が分かる。さらに、傾斜角度が10〜40°の範囲は、
2次電子放出量が2.3倍以上に向上する最も好ましい
範囲となる。
プルにおける耐スパッタ性にはあまり違いは見られなか
った。 <本実施の形態に係る変形例> 上記実施の形態においては、保護層にMgOを製膜し
たものを用いていたが、酸化ベリリウム、酸化カルシウ
ム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムなどの面心立方
格子の結晶構造を有する物質を製膜しても本発明と同様
の効果が得られると考えられる。
を用いて保護層を形成していたが、この真空蒸着法とし
ては、EB蒸着法を適用することができる。さらに、真
空蒸着法の代わりにスパッタリング法を適用しても上記
実施の形態と同様の効果が得られる。 上記実施の形態においては、2次電子放出性に優れる
薄膜をPDPの保護層に適用したが、これに限定される
ものではなく、フィールドエミッションディスプレイパ
ネルにおけるカソードなどの電子放出性が求められる薄
膜においても本発明を適用することができる。
電子放出性薄膜は、電子放出性物質を組成成分とする複
数の柱状結晶が基板から伸張されてなる電子放出性薄膜
であって、前記柱状結晶の少なくとも一部において、そ
の薄膜表面側における露出端面は、薄膜表面に対して傾
いた平坦面を有するようにしているので、柱状結晶の単
結晶性が従来の柱状結晶よりも向上すると考えられ、薄
膜の2次電子放出量が従来よりも高まる。
方法は、減圧雰囲気下において基板に薄膜となる組成の
物質を蒸着させることにより基板上に電子放出性薄膜を
形成する方法であって、前記蒸着時において、薄膜とな
る組成の物質が基板に対して入射する角度が30〜80
°のみの範囲となるように蒸着させるようにしているの
で、原因は不明であるが単結晶性に優れた柱状結晶から
なる薄膜が形成され、従来の製造方法に比べて2次電子
放出量が向上する電子放出性薄膜を製造することができ
る。
層に適用すれば、アドレス放電時の2次電子放出量が向
上するので、アドレス時間が短縮されたとしてもアドレ
ス放電ミスに伴なうPDPの点灯ミス発生を抑制するこ
とができる。
面斜視図である。
一部を拡大した断面図である。
子顕微鏡写真である。 (b) PDPにおける保護層平面の走査型電子顕微鏡
写真である。
した図である。 (b) 図4(b)における柱状結晶を模式化した図で
ある。 (c) 従来の製造方法を用いて作製した柱状結晶を模
式化した図である。
層上に保護層を形成する様子を示す図である。
て、形成された保護層の2次電子放出量比をプロットし
たグラフである。
となす角度に対して、保護層の2次電子放出量比をプロ
ットしたグラフである。
Claims (18)
- 【請求項1】 電子放出性物質を組成成分とする複数
の柱状結晶が基板から伸張されてなる電子放出性薄膜で
あって、 前記柱状結晶の少なくとも一部において、その薄膜表面
側における露出端面は、薄膜表面に対して傾いた平坦面
を有することを特徴とする電子放出性薄膜。 - 【請求項2】 前記柱状結晶の平坦面は、薄膜表面に
対して5〜70°傾斜していることを特徴とする請求項
1に記載の電子放出性薄膜。 - 【請求項3】 前記柱状結晶の平担面は、(100)
面と等価な結晶方位面であることを特徴とする請求項1
に記載の電子放出性薄膜。 - 【請求項4】 前記柱状結晶の伸張方向は、結晶の
〈211〉方向と等価な方向に相当することを特徴とす
る請求項1に記載の電子放出性薄膜。 - 【請求項5】 前記柱状結晶の幅は、100〜500
nmであることを特徴とする請求項1に記載の電子放出
性薄膜。 - 【請求項6】 前記柱状結晶は、酸化マグネシウムか
ら構成されることを特徴とする請求項1に記載の電子放
出性薄膜。 - 【請求項7】 減圧雰囲気下において基板に薄膜とな
る組成の物質を蒸着させることにより基板上に電子放出
性薄膜を形成する方法であって、 前記蒸着時において、薄膜となる組成の物質が基板に対
して入射する角度が30〜80°のみの範囲となるよう
に蒸着させることを特徴とする電子放出性薄膜の形成方
法。 - 【請求項8】 前記薄膜を形成する物質は、酸化マグ
ネシウムであることを特徴とする請求項7記載の電子放
出性薄膜の形成方法。 - 【請求項9】 前記電子放出性薄膜を形成する方法
は、真空蒸着法であることを特徴とする請求項7記載の
電子放出性薄膜の形成方法。 - 【請求項10】 第1の電極および当該電極を被覆す
る誘電体ガラス層が配設された第1パネルと、第2の電
極が配設された第2パネルとが、ギャップ材を介して前
記誘電体ガラス層および第2の電極を対向させた状態で
配され、第1の電極および第2の電極の間でアドレス放
電を行うことによりアドレッシングが行われるプラズマ
ディスプレイパネルであって、 前記誘電体ガラスは、アドレス放電時のスパッタリング
に対するための保護層により被膜されており、当該保護
層は、電子放出性物質を組成とする複数の柱状結晶であ
り、その保護層表面側に露出する端面は、保護層表面に
対して傾いた平坦面を有することを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル。 - 【請求項11】 前記柱状結晶の平坦面は、保護層表
面に対して5〜70°傾斜していることを特徴とする請
求項10に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項12】 前記柱状結晶の平担面は、(10
0)面と等価な結晶方位面であることを特徴とする請求
項10に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項13】 前記柱状結晶の伸張方向は、結晶の
〈211〉方向と等価な方向に相当することを特徴とす
る請求項10に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項14】 前記柱状結晶の幅は、100〜50
0nmであることを特徴とする請求項10に記載のプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項15】 前記保護層を形成する物質は、酸化
マグネシウムであることを特徴とする請求項10に記載
のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項16】 基板上に形成された誘電体ガラス層
上に保護層を形成する保護層形成ステップを有するプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法であって、 前記保護層形成ステップは、減圧雰囲気下において、保
護層の組成となる物質が基板に入射する角度を30〜8
0°のみの範囲となるように蒸着させて基板上に保護層
を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項17】 前記保護層の組成となる物質は、酸
化マグネシウムであることを特徴とする請求項16に記
載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項18】 前記保護層形成ステップにおいて保
護層を形成する方法は、真空蒸着法を用いることを特徴
とする請求項16に記載のプラズマディスプレイパネル
の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083546A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置とその製造方法 |
US7405518B2 (en) | 2003-10-21 | 2008-07-29 | Samsung Sdi Co., Ltd. | MgO pellet for protective layer of plasma display panel, and plasma display panel using the same |
US10013660B2 (en) | 2009-12-31 | 2018-07-03 | Abb Research Ltd | Method and control system for scheduling load of a power plant |
CN114395747A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-26 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种高发射系数耐轰击二次电子发射薄膜结构与制备方法 |
-
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- 2001-05-11 JP JP2001142328A patent/JP3442059B2/ja not_active Expired - Fee Related
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