JP2002093541A - Ｉｃソケット - Google Patents
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- Japan
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- contact
- terminal
- back surface
- contact pin
- semiconductor package
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
- H05K7/1015—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having exterior leads
- H05K7/1023—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having exterior leads co-operating by abutting, e.g. flat pack
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
- G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Connecting Device With Holders (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半田等をわずかしか除去しないので周囲を汚染
するようなことがなく、製造された半導体パッケージの
最終製品検査、電気的特性試験等を適切に行うことがで
きるようにする。 【解決手段】本体１３と、接触部１７を備え、前記本体
１３の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前記本体１
３に植立されたコンタクトピン１４と、押下部材１５と
を有し、前記接触部１７は、前記コンタクトピン１４の
上端部分に形成され、半導体パッケージ１１の端子１２
の裏面曲部に接触する細長い矩（く）形平面を湾曲させ
た形状の接触面を備える。
するようなことがなく、製造された半導体パッケージの
最終製品検査、電気的特性試験等を適切に行うことがで
きるようにする。 【解決手段】本体１３と、接触部１７を備え、前記本体
１３の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前記本体１
３に植立されたコンタクトピン１４と、押下部材１５と
を有し、前記接触部１７は、前記コンタクトピン１４の
上端部分に形成され、半導体パッケージ１１の端子１２
の裏面曲部に接触する細長い矩（く）形平面を湾曲させ
た形状の接触面を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣソケットに関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、多数の端子を有する表面実装型の
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体パッケージの製造工程等におい
て、製造された半導体パッケージの最終製品検査、電気
的特性試験等を行うために、前記半導体パッケージの端
子のそれぞれに接触して電気的に接続する多数のコンタ
クトピンを有するＩＣソケットが提供されている。
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体パッケージの製造工程等におい
て、製造された半導体パッケージの最終製品検査、電気
的特性試験等を行うために、前記半導体パッケージの端
子のそれぞれに接触して電気的に接続する多数のコンタ
クトピンを有するＩＣソケットが提供されている。
【０００３】図２は従来のＩＣソケットにおける半導体
パッケージの端子とＩＣソケットのコンタクトピンの接
触する状態の第１の例を示す図、図３は従来のＩＣソケ
ットにおける半導体パッケージの端子とＩＣソケットの
コンタクトピンの接触する状態の第２の例を示す図であ
る。
パッケージの端子とＩＣソケットのコンタクトピンの接
触する状態の第１の例を示す図、図３は従来のＩＣソケ
ットにおける半導体パッケージの端子とＩＣソケットの
コンタクトピンの接触する状態の第２の例を示す図であ
る。
【０００４】図２に示される第１の例において、５１は
半導体パッケージであり、多数の端子５２を有する。５
３はＩＣソケットの本体であり、前記端子５２に対応す
る数の金属製のコンタクトピン５４を有する。該各コン
タクトピン５４は、前記各端子５２に対応する位置に配
設され、接触部５７が前記各端子５２に接触して、図示
されない測定装置に導通させるようになっている。ま
た、５５は押下部材であり、図示されない押下装置によ
って図において下方に押下げられて、前記端子５２の裏
面（図２において下側の面）を前記コンタクトピン５４
の接触部５７に上方から押しつける。
半導体パッケージであり、多数の端子５２を有する。５
３はＩＣソケットの本体であり、前記端子５２に対応す
る数の金属製のコンタクトピン５４を有する。該各コン
タクトピン５４は、前記各端子５２に対応する位置に配
設され、接触部５７が前記各端子５２に接触して、図示
されない測定装置に導通させるようになっている。ま
た、５５は押下部材であり、図示されない押下装置によ
って図において下方に押下げられて、前記端子５２の裏
面（図２において下側の面）を前記コンタクトピン５４
の接触部５７に上方から押しつける。
【０００５】なお、前記コンタクトピン５４は、略Ｕ字
状の形状であり弾性を有し、本体５３の溝５６内に配設
されているので、前記接触部５７は、図において下方へ
弾性的に移動可能である。
状の形状であり弾性を有し、本体５３の溝５６内に配設
されているので、前記接触部５７は、図において下方へ
弾性的に移動可能である。
【０００６】ここで、前記端子５２の裏面に多量の半田
や異物（以下「半田等」という）が付着している場合に
は、前記端子５２の裏面と前記コンタクトピン５４の接
触部５７との電気的な接触が不十分となり、接触不良が
発生してしまう。なお、前記異物は、通常、半導体パッ
ケージのモールド樹脂の屑、フィラーの屑等である。ま
た、前記端子５２に施される半田メッキの量が多すぎる
と、異物が付着している場合と同様に、接触不良が発生
する。
や異物（以下「半田等」という）が付着している場合に
は、前記端子５２の裏面と前記コンタクトピン５４の接
触部５７との電気的な接触が不十分となり、接触不良が
発生してしまう。なお、前記異物は、通常、半導体パッ
ケージのモールド樹脂の屑、フィラーの屑等である。ま
た、前記端子５２に施される半田メッキの量が多すぎる
と、異物が付着している場合と同様に、接触不良が発生
する。
【０００７】そして、前記端子５２の裏面と前記コンタ
クトピン５４の接触部５７との接触不良が発生すると、
製造された半導体パッケージの最終製品検査、電気的特
性試験等を適切に行うことが不可能となってしまう。
クトピン５４の接触部５７との接触不良が発生すると、
製造された半導体パッケージの最終製品検査、電気的特
性試験等を適切に行うことが不可能となってしまう。
【０００８】このため、前記接触部５７は、第１の接触
面５７ａと第２の接触面５７ｂとを有し、前記端子５２
の裏面が前記コンタクトピン５４の接触部５７に上方か
ら押しつけられた時に、まず、前記第１の接触面５７ａ
が前記端子５２の裏面をこすり、すなわちワイピングし
て、前記裏面に付着している半田等を除去し、次いで、
前記第２の接触面５７ｂがワイピングされて清浄化され
た裏面に接触するようになっている。
面５７ａと第２の接触面５７ｂとを有し、前記端子５２
の裏面が前記コンタクトピン５４の接触部５７に上方か
ら押しつけられた時に、まず、前記第１の接触面５７ａ
が前記端子５２の裏面をこすり、すなわちワイピングし
て、前記裏面に付着している半田等を除去し、次いで、
前記第２の接触面５７ｂがワイピングされて清浄化され
た裏面に接触するようになっている。
【０００９】これにより、前記端子５２の裏面と前記コ
ンタクトピン５４の接触部５７との電気的な接触を良好
にすることができる。
ンタクトピン５４の接触部５７との電気的な接触を良好
にすることができる。
【００１０】また、図３に示される第２の例において
は、前記コンタクトピン５４の接触部５７は、多数の山
形の凸部が形成され、鋸歯状となっている。
は、前記コンタクトピン５４の接触部５７は、多数の山
形の凸部が形成され、鋸歯状となっている。
【００１１】この場合も、前記第１の例の場合と同様
に、端子５２の裏面がコンタクトピン５４の接触部５７
に上方から押しつけられた時に、前記接触部５７の凸部
が前記端子５２の裏面をワイピングして、該裏面に付着
している半田等を除去し、前記凸部の先端がワイピング
されて清浄化された裏面に接触するようになっている。
に、端子５２の裏面がコンタクトピン５４の接触部５７
に上方から押しつけられた時に、前記接触部５７の凸部
が前記端子５２の裏面をワイピングして、該裏面に付着
している半田等を除去し、前記凸部の先端がワイピング
されて清浄化された裏面に接触するようになっている。
【００１２】これにより、前記端子５２裏面と前記コン
タクトピン５４の接触部５７との電気的な接触を良好に
することができる。また、除去された半田等は残滓５９
として、凸部の間隙に維持される。
タクトピン５４の接触部５７との電気的な接触を良好に
することができる。また、除去された半田等は残滓５９
として、凸部の間隙に維持される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のＩＣソケットにおいては、端子５２の裏面全体をワ
イピングするために、半田等が多量に除去されて飛散す
るので、周囲が汚染されてしまう。なお、前記第２の例
においては、除去された半田等が残滓５９として、凸部
の間隙に維持されるので、前記残滓５９が少量であれ
ば、周囲は汚染されることはないが、半田等が多量に除
去されて前記残滓５９が多量になると、前記凸部の間隙
からはみ出して飛散するので、周囲が汚染されてしま
う。
来のＩＣソケットにおいては、端子５２の裏面全体をワ
イピングするために、半田等が多量に除去されて飛散す
るので、周囲が汚染されてしまう。なお、前記第２の例
においては、除去された半田等が残滓５９として、凸部
の間隙に維持されるので、前記残滓５９が少量であれ
ば、周囲は汚染されることはないが、半田等が多量に除
去されて前記残滓５９が多量になると、前記凸部の間隙
からはみ出して飛散するので、周囲が汚染されてしま
う。
【００１４】ここで、周囲が汚染されると、予期せぬ短
絡事故等が発生し、製造された半導体パッケージの最終
製品検査、電気的特性試験等を行うことが不可能とな
る。また、ＩＣソケットの周辺に存在する半導体パッケ
ージや製造設備等が汚染された場合は、製造された半導
体パッケージが不良品となるので、半導体パッケージの
製造工程全体のスループットや歩留まりが低下してしま
う。
絡事故等が発生し、製造された半導体パッケージの最終
製品検査、電気的特性試験等を行うことが不可能とな
る。また、ＩＣソケットの周辺に存在する半導体パッケ
ージや製造設備等が汚染された場合は、製造された半導
体パッケージが不良品となるので、半導体パッケージの
製造工程全体のスループットや歩留まりが低下してしま
う。
【００１５】さらに、前記除去された半田等が前記コン
タクトピン５４の接触部５７上に多量に堆（たい）積さ
れると、前記端子５２の裏面と前記コンタクトピン５４
の接触部５７との電気的な接触が阻害されてしまう。
タクトピン５４の接触部５７上に多量に堆（たい）積さ
れると、前記端子５２の裏面と前記コンタクトピン５４
の接触部５７との電気的な接触が阻害されてしまう。
【００１６】また、ワイピングによって除去される半田
等の量を抑制しようとして、前記端子５２の裏面を前記
コンタクトピン５４の接触部５７に上方から押しつける
力を弱くすると、前記端子５２の裏面と前記コンタクト
ピン５４の接触部５７との接触圧力が不十分となり、接
触不良が発生してしまう。
等の量を抑制しようとして、前記端子５２の裏面を前記
コンタクトピン５４の接触部５７に上方から押しつける
力を弱くすると、前記端子５２の裏面と前記コンタクト
ピン５４の接触部５７との接触圧力が不十分となり、接
触不良が発生してしまう。
【００１７】なお、前記端子５２の裏面に付着する半田
等が、モールド樹脂の屑やフィラーの屑などである場合
は、付着力が強いために、前記モールド樹脂の屑やフィ
ラーの屑はワイピングによって除去されない。このた
め、前記端子５２の裏面と前記コンタクトピン５４の接
触部５７との電気的な接触が阻害されてしまう。
等が、モールド樹脂の屑やフィラーの屑などである場合
は、付着力が強いために、前記モールド樹脂の屑やフィ
ラーの屑はワイピングによって除去されない。このた
め、前記端子５２の裏面と前記コンタクトピン５４の接
触部５７との電気的な接触が阻害されてしまう。
【００１８】本発明は、前記従来のＩＣソケットの問題
点を解決して、半田等をわずかしか除去しないので周囲
を汚染するようなことがなく、また、端子５２の裏面と
コンタクトピン５４の接触部５７との接触圧力が十分で
なかったり、端子５２の裏面に付着する半田等が除去さ
れなかったりするために接触不良が発生するようなこと
がなく、製造された半導体パッケージの最終製品検査、
電気的特性試験等を適切に行うことができるＩＣソケッ
トを提供することを目的とする。
点を解決して、半田等をわずかしか除去しないので周囲
を汚染するようなことがなく、また、端子５２の裏面と
コンタクトピン５４の接触部５７との接触圧力が十分で
なかったり、端子５２の裏面に付着する半田等が除去さ
れなかったりするために接触不良が発生するようなこと
がなく、製造された半導体パッケージの最終製品検査、
電気的特性試験等を適切に行うことができるＩＣソケッ
トを提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】そのために、本発明のＩ
Ｃソケットにおいては、本体と、接触部を備え、前記本
体の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前記本体に植
立されたコンタクトピンと、押下部材とを有する。
Ｃソケットにおいては、本体と、接触部を備え、前記本
体の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前記本体に植
立されたコンタクトピンと、押下部材とを有する。
【００２０】そして、前記接触部は、前記コンタクトピ
ンの上端部分に形成され、半導体パッケージの端子の裏
面曲部に接触する細長い矩（く）形平面を湾曲させた形
状の接触面を備える。
ンの上端部分に形成され、半導体パッケージの端子の裏
面曲部に接触する細長い矩（く）形平面を湾曲させた形
状の接触面を備える。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２２】図１は本発明の第１の実施の形態における
ＩＣソケットのコンタクトピンと半導体パッケージの端
子の関係を示す断面図、図４は本発明の第１の実施の形
態におけるＩＣソケットのコンタクトピンの接触部の斜
視図、図５は図４に示されるコンタクトピンの接触部の
側面図、図６は図５に示されるコンタクトピンの接触部
のＢ−Ｂ断面図、図７は半導体パッケージの端子の拡大
図である。
ＩＣソケットのコンタクトピンと半導体パッケージの端
子の関係を示す断面図、図４は本発明の第１の実施の形
態におけるＩＣソケットのコンタクトピンの接触部の斜
視図、図５は図４に示されるコンタクトピンの接触部の
側面図、図６は図５に示されるコンタクトピンの接触部
のＢ−Ｂ断面図、図７は半導体パッケージの端子の拡大
図である。
【００２３】図において、１１は半導体パッケージであ
り、アルミニウム、銅、黄銅、Ｆｅ／Ｎｉ系合金等の金
属から成る多数の端子１２を有する。ここで、前記半導
体パッケージ１１は、多数の端子を有する表面実装型の
パッケージであって、ＩＣ、ＬＳＩ等のチップ（ダイ）
を多数の端子１２を備えるリードフレームに半田、ボン
ディングワイヤ等により電気的に接続した後、樹脂等で
モールド（封止）することによって製造されたものであ
る。
り、アルミニウム、銅、黄銅、Ｆｅ／Ｎｉ系合金等の金
属から成る多数の端子１２を有する。ここで、前記半導
体パッケージ１１は、多数の端子を有する表面実装型の
パッケージであって、ＩＣ、ＬＳＩ等のチップ（ダイ）
を多数の端子１２を備えるリードフレームに半田、ボン
ディングワイヤ等により電気的に接続した後、樹脂等で
モールド（封止）することによって製造されたものであ
る。
【００２４】そして、前記端子１２の配列はいかなる形
態であってもよいが、ＳＯＰ（ｓｍａｌｌ ｏｕｔ−ｌ
ｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＩＰ（ｓｉｎｇｌｅ ｉ
ｎ−ｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）、ＤＩＰ（ｄｕａｌ
ｉｎ−ｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（ｑｕａｄ
ｆｌａｔ ｐａｃｋａｇｅ）等の形態が一般的であ
る。
態であってもよいが、ＳＯＰ（ｓｍａｌｌ ｏｕｔ−ｌ
ｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＩＰ（ｓｉｎｇｌｅ ｉ
ｎ−ｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）、ＤＩＰ（ｄｕａｌ
ｉｎ−ｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（ｑｕａｄ
ｆｌａｔ ｐａｃｋａｇｅ）等の形態が一般的であ
る。
【００２５】また、１３は樹脂、セラミクス等の誘電体
から成るＩＣソケットの本体であり、前記端子１２に対
応する数のコンタクトピン１４を有する。該各コンタク
トピン１４は、鋼、アルミニウム、銅、黄銅、Ｆｅ／Ｎ
ｉ系合金等の金属から成り、前記各端子１２に対応する
位置に配設されて、各コンタクトピン１４の接触部１７
が前記各端子５２に電気的に接触するようになってい
る。また、１５は樹脂、セラミクス等の誘電体から成る
押下部材であり、図示されない押下装置により図におい
て下方に押下げられて、前記端子１２の裏面（図１にお
いて下側の面）を前記コンタクトピン１４の接触部１７
に上方から押しつける。
から成るＩＣソケットの本体であり、前記端子１２に対
応する数のコンタクトピン１４を有する。該各コンタク
トピン１４は、鋼、アルミニウム、銅、黄銅、Ｆｅ／Ｎ
ｉ系合金等の金属から成り、前記各端子１２に対応する
位置に配設されて、各コンタクトピン１４の接触部１７
が前記各端子５２に電気的に接触するようになってい
る。また、１５は樹脂、セラミクス等の誘電体から成る
押下部材であり、図示されない押下装置により図におい
て下方に押下げられて、前記端子１２の裏面（図１にお
いて下側の面）を前記コンタクトピン１４の接触部１７
に上方から押しつける。
【００２６】そして、前記本体１３の前記各コンタクト
ピン１４は図示されない配線によって図示されない測定
装置に導通されていて、前記接触部１７が前記半導体パ
ッケージ１１の端子１２のそれぞれに接触して、該端子
１２のそれぞれを前記測定装置に電気的に接続させる。
これにより、該測定装置は、前記半導体パッケージ１１
の電気的特性を測定することができる。このような電気
的特性の測定は、前記半導体パッケージ１１の製造工程
等において、製造された半導体パッケージ１１の最終製
品検査として、または、製造工程途中の半導体パッケー
ジ１１の電気的特性の試験として実施される。
ピン１４は図示されない配線によって図示されない測定
装置に導通されていて、前記接触部１７が前記半導体パ
ッケージ１１の端子１２のそれぞれに接触して、該端子
１２のそれぞれを前記測定装置に電気的に接続させる。
これにより、該測定装置は、前記半導体パッケージ１１
の電気的特性を測定することができる。このような電気
的特性の測定は、前記半導体パッケージ１１の製造工程
等において、製造された半導体パッケージ１１の最終製
品検査として、または、製造工程途中の半導体パッケー
ジ１１の電気的特性の試験として実施される。
【００２７】前記各コンタクトピン１４の接触部１７
は、前記コンタクトピン１４の上端部分に、図４〜６に
示されるような形状で形成され、細長い矩形平面を湾曲
させた形状の接触面１７ａと、該接触面１７ａの両側に
位置する側平面１７ｂとを備える。そして、前記各コン
タクトピン１４は、図１に示されるように、前記本体１
３に植立されていて、主として根本近傍部分が撓（た
わ）むことによって、前記本体１３の内部方向に向けて
弾性的に傾倒可能になっている。
は、前記コンタクトピン１４の上端部分に、図４〜６に
示されるような形状で形成され、細長い矩形平面を湾曲
させた形状の接触面１７ａと、該接触面１７ａの両側に
位置する側平面１７ｂとを備える。そして、前記各コン
タクトピン１４は、図１に示されるように、前記本体１
３に植立されていて、主として根本近傍部分が撓（た
わ）むことによって、前記本体１３の内部方向に向けて
弾性的に傾倒可能になっている。
【００２８】一方、前記半導体パッケージ１１の端子１
２は、図７に示されるような形状であって、プリント配
線板等への実装を容易にするために、通常、表面に半田
メッキが施されている。ここで、前記端子１２の表面部
１２ａ及び裏面水平部１２ｂは、モールド用の樹脂の
屑、フィラーの屑、埃等の異物が付着し易い部分であ
る。これに対して、裏面曲部１２ｃ及び裏面垂直部１２
ｄは前記異物が比較的付着しにくい部分である。さら
に、半田メッキは端子１２の先端部分ほど厚く施される
のが通常であるから、前記裏面曲部１２ｃ及び裏面垂直
部１２ｄに付着する半田の量は、前記表面部１２ａ及び
裏面水平部１２ｂに付着する半田の量よりも少なくなっ
ている。
２は、図７に示されるような形状であって、プリント配
線板等への実装を容易にするために、通常、表面に半田
メッキが施されている。ここで、前記端子１２の表面部
１２ａ及び裏面水平部１２ｂは、モールド用の樹脂の
屑、フィラーの屑、埃等の異物が付着し易い部分であ
る。これに対して、裏面曲部１２ｃ及び裏面垂直部１２
ｄは前記異物が比較的付着しにくい部分である。さら
に、半田メッキは端子１２の先端部分ほど厚く施される
のが通常であるから、前記裏面曲部１２ｃ及び裏面垂直
部１２ｄに付着する半田の量は、前記表面部１２ａ及び
裏面水平部１２ｂに付着する半田の量よりも少なくなっ
ている。
【００２９】次に、本実施の形態の動作について説明す
る。
る。
【００３０】図８は図１のＡ部拡大図であってＩＣソケ
ットの動作を示す図、図９はＩＣソケットのコンタクト
ピンの接触部と半導体パッケージの端子の接触関係を示
す図である。
ットの動作を示す図、図９はＩＣソケットのコンタクト
ピンの接触部と半導体パッケージの端子の接触関係を示
す図である。
【００３１】まず、半導体パッケージ１１がＩＣソケッ
トにセットされると、図８（ａ）に示されるように、各
端子１２の裏面曲部１２ｃが、各コンタクトピン１４の
接触部１７の接触面１７ａ上方に位置する。
トにセットされると、図８（ａ）に示されるように、各
端子１２の裏面曲部１２ｃが、各コンタクトピン１４の
接触部１７の接触面１７ａ上方に位置する。
【００３２】続いて、図示されない押下装置によって押
下部材１５が図において下方に押下げられると、図８
（ｂ）に示されるように、前記端子１２が下方に押下げ
られて、前記端子１２の裏面曲部１２ｃが、前記接触部
１７の接触面１７ａに押しつけられる。
下部材１５が図において下方に押下げられると、図８
（ｂ）に示されるように、前記端子１２が下方に押下げ
られて、前記端子１２の裏面曲部１２ｃが、前記接触部
１７の接触面１７ａに押しつけられる。
【００３３】ここで、前記接触面１７ａは図示されるよ
うな曲面であるから、前記接触面１７ａに作用する力の
ベクトルは水平方向成分を有する。従って、前記接触部
１７は図において左方へ押されるので、ＩＣソケットの
本体１３に植立されているコンタクトピン１４は、主と
して根本近傍部分が撓むことにより、図において左方に
向けて弾性的に傾倒可能になっている。
うな曲面であるから、前記接触面１７ａに作用する力の
ベクトルは水平方向成分を有する。従って、前記接触部
１７は図において左方へ押されるので、ＩＣソケットの
本体１３に植立されているコンタクトピン１４は、主と
して根本近傍部分が撓むことにより、図において左方に
向けて弾性的に傾倒可能になっている。
【００３４】この時、図９（ａ）〜（ｃ）に示されるよ
うに、前記端子１２が下方に押下げられて、その位置が
徐々に下方に移動していき、それに伴って、前記コンタ
クトピン１４が徐々に左方に向けて傾倒していっても、
前記端子１２が前記コンタクトピン１４の接触部１７の
接触面１７ａと接触する部分は、常に裏面曲部１２ｃの
範囲内である。
うに、前記端子１２が下方に押下げられて、その位置が
徐々に下方に移動していき、それに伴って、前記コンタ
クトピン１４が徐々に左方に向けて傾倒していっても、
前記端子１２が前記コンタクトピン１４の接触部１７の
接触面１７ａと接触する部分は、常に裏面曲部１２ｃの
範囲内である。
【００３５】この場合、前記接触面１７ａと前記裏面曲
部１２ｃとが互いに接触する部分は相対的に移動してい
るのであるから、前記裏面曲部１２ｃは前記接触面１７
ａによりワイピングされ、前記裏面曲部１２ｃに付着す
る半田や異物（以下「半田等」という）は除去される。
なお、前記接触面１７ａがワイピングする前記端子１２
の裏面の箇所は、前記裏面曲部１２ｃの一部分にすぎ
ず、極めて狭い面積であるといえる。
部１２ｃとが互いに接触する部分は相対的に移動してい
るのであるから、前記裏面曲部１２ｃは前記接触面１７
ａによりワイピングされ、前記裏面曲部１２ｃに付着す
る半田や異物（以下「半田等」という）は除去される。
なお、前記接触面１７ａがワイピングする前記端子１２
の裏面の箇所は、前記裏面曲部１２ｃの一部分にすぎ
ず、極めて狭い面積であるといえる。
【００３６】しかも、前記裏面曲部１２ｃと前記接触面
１７ａとが接触する部分の面積は、図９（ａ）〜（ｃ）
においては点接触であるといえるほどに狭い。もっと
も、前記接触面１７ａは、図面の垂直方向に幅を有し、
かつ、図６に示されるように、該幅方向にフラットであ
り、該幅方向の全域で接触しているのであるから、前記
面積は、実際には、線接触に相当する程度に狭いといえ
る。
１７ａとが接触する部分の面積は、図９（ａ）〜（ｃ）
においては点接触であるといえるほどに狭い。もっと
も、前記接触面１７ａは、図面の垂直方向に幅を有し、
かつ、図６に示されるように、該幅方向にフラットであ
り、該幅方向の全域で接触しているのであるから、前記
面積は、実際には、線接触に相当する程度に狭いといえ
る。
【００３７】なお、前記裏面曲部１２ｃと前記接触面１
７ａとは、前記コンタクトピン１４の弾性力によって、
常に接触が保持される。
７ａとは、前記コンタクトピン１４の弾性力によって、
常に接触が保持される。
【００３８】このように、本実施の形態においては、前
記コンタクトピン１４の接触部１７の接触面１７ａがワ
イピングする前記端子１２の裏面の箇所は、前記裏面曲
部１２ｃの一部分にすぎず、極めて狭い面積である。さ
らに、前記裏面曲部１２ｃは、付着する半田の量が少な
く、かつ、モールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、埃等
の異物が付着しにくい部分である。
記コンタクトピン１４の接触部１７の接触面１７ａがワ
イピングする前記端子１２の裏面の箇所は、前記裏面曲
部１２ｃの一部分にすぎず、極めて狭い面積である。さ
らに、前記裏面曲部１２ｃは、付着する半田の量が少な
く、かつ、モールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、埃等
の異物が付着しにくい部分である。
【００３９】従って、ワイピングによって除去される半
田等の量は非常に少ないので、除去された半田等が飛散
して周囲を汚染したり、除去された半田等が前記接触面
１７ａ上に堆積されて前記接触面１７ａと前記裏面曲部
１２ｃとの電気的接触を阻害することがない。
田等の量は非常に少ないので、除去された半田等が飛散
して周囲を汚染したり、除去された半田等が前記接触面
１７ａ上に堆積されて前記接触面１７ａと前記裏面曲部
１２ｃとの電気的接触を阻害することがない。
【００４０】また、ワイピングされる面積が極めて狭
く、除去される半田等の量は非常に少ないのであるか
ら、コンタクトピン１４の弾性力を強くして、前記裏面
曲部１２ｃと前記接触面１７ａとの接触圧力を十分に大
きくすることができる。
く、除去される半田等の量は非常に少ないのであるか
ら、コンタクトピン１４の弾性力を強くして、前記裏面
曲部１２ｃと前記接触面１７ａとの接触圧力を十分に大
きくすることができる。
【００４１】さらに、前記裏面曲部１２ｃは、付着力の
強いモールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、埃等の異物
が付着しにくい部分であるから、ワイピングによって除
去されない異物により前記接触面１７ａと前記裏面曲部
１２ｃとの電気的接触を阻害することがない。
強いモールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、埃等の異物
が付着しにくい部分であるから、ワイピングによって除
去されない異物により前記接触面１７ａと前記裏面曲部
１２ｃとの電気的接触を阻害することがない。
【００４２】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。なお、第１の実施の形態と同じ構成を有する
ものについては、同じ符号を付与することによってその
説明を省略する。
説明する。なお、第１の実施の形態と同じ構成を有する
ものについては、同じ符号を付与することによってその
説明を省略する。
【００４３】図１０は本発明の第２の実施の形態におけ
るＩＣソケットのコンタクトピンの接触部を示す図であ
る。
るＩＣソケットのコンタクトピンの接触部を示す図であ
る。
【００４４】本実施の形態における各コンタクトピン１
４の接触部１７は、一体的に形成されたストッパ部１７
−１を備える。
４の接触部１７は、一体的に形成されたストッパ部１７
−１を備える。
【００４５】そして、半導体パッケージ１１がＩＣソケ
ットにセットされ、図１０に示されるように、各端子１
２の裏面曲部１２ｃが、各コンタクトピン１４の接触部
１７の接触面１７ａ上方に位置する状態のとき、前記ス
トッパ部１７−１の上面は、前記端子１２を挟んで、押
下部材１５の下面に対面するように位置する。また、前
記ストッパ部１７−１の上面の高さ方向（図において上
下方向）の位置は、前記接触部１７の上端面の位置より
も低い。
ットにセットされ、図１０に示されるように、各端子１
２の裏面曲部１２ｃが、各コンタクトピン１４の接触部
１７の接触面１７ａ上方に位置する状態のとき、前記ス
トッパ部１７−１の上面は、前記端子１２を挟んで、押
下部材１５の下面に対面するように位置する。また、前
記ストッパ部１７−１の上面の高さ方向（図において上
下方向）の位置は、前記接触部１７の上端面の位置より
も低い。
【００４６】ここで、前記押下部材１５が図において下
方に押下げられると、前記端子１２が下方に押下げられ
て、前記端子１２の裏面曲部１２ｃが、前記接触部１７
の接触面１７ａに押しつけられる。
方に押下げられると、前記端子１２が下方に押下げられ
て、前記端子１２の裏面曲部１２ｃが、前記接触部１７
の接触面１７ａに押しつけられる。
【００４７】そして、前記端子１２がさらに下方に押下
げられて、その位置が徐々に下方に移動してゆくと、そ
れに伴って、前記コンタクトピン１４が左方に向けて弾
性的に傾倒する。
げられて、その位置が徐々に下方に移動してゆくと、そ
れに伴って、前記コンタクトピン１４が左方に向けて弾
性的に傾倒する。
【００４８】この時、前記端子１２の裏面曲部１２ｃが
前記コンタクトピン１４の接触部１７の接触面１７ａと
接触して下方からの力を受け、一方、前記端子１２の表
面部１２ａの先端近傍が前記押下部材１５によって上方
からの力を受けるのであるから、前記端子１２には曲げ
モーメントが作用する。従って、前記端子１２は、前記
接触面１７ａと接触する点を支点として、図において時
計回り方向に曲げられ、前記端子１２の先端部分は下方
に移動させられる。
前記コンタクトピン１４の接触部１７の接触面１７ａと
接触して下方からの力を受け、一方、前記端子１２の表
面部１２ａの先端近傍が前記押下部材１５によって上方
からの力を受けるのであるから、前記端子１２には曲げ
モーメントが作用する。従って、前記端子１２は、前記
接触面１７ａと接触する点を支点として、図において時
計回り方向に曲げられ、前記端子１２の先端部分は下方
に移動させられる。
【００４９】ここで、前記端子１２がさらに下方に押下
げられると、前記端子１２の裏面水平部１２ｂは、前記
ストッパ部１７−１の上面に接触するので、前記端子１
２はそれ以上曲げられることはない。
げられると、前記端子１２の裏面水平部１２ｂは、前記
ストッパ部１７−１の上面に接触するので、前記端子１
２はそれ以上曲げられることはない。
【００５０】この場合、前記ストッパ部１７−１の上面
の高さ方向の位置を調節することによって、前記端子１
２の曲げられる範囲を調節することができる。そして、
前記端子１２の曲げられる範囲を、前記端子１２の弾性
変形の範囲内に止めておけば、前記端子１２の曲がり、
すなわち塑性変形を防止することができる。
の高さ方向の位置を調節することによって、前記端子１
２の曲げられる範囲を調節することができる。そして、
前記端子１２の曲げられる範囲を、前記端子１２の弾性
変形の範囲内に止めておけば、前記端子１２の曲がり、
すなわち塑性変形を防止することができる。
【００５１】このように、本実施の形態においては、各
コンタクトピン１４の接触部１７は、一体的に形成され
たストッパ部１７−１を備え、しかも、該ストッパ部１
７−１の上面は、押下部材１５の下面に対面するように
位置し、前記ストッパ部１７−１の上面の高さ方向の位
置が、前記接触部１７の上端面の位置よりも低くなって
いる。
コンタクトピン１４の接触部１７は、一体的に形成され
たストッパ部１７−１を備え、しかも、該ストッパ部１
７−１の上面は、押下部材１５の下面に対面するように
位置し、前記ストッパ部１７−１の上面の高さ方向の位
置が、前記接触部１７の上端面の位置よりも低くなって
いる。
【００５２】従って、下方に押下げられた前記端子１２
の裏面水平部１２ｂは、前記ストッパ部１７−１の上面
に接触して、前記端子１２はそれ以上曲げられることが
ないので、前記ストッパ部１７−１の上面の高さ方向の
位置を調節することによって、前記端子１２の曲げられ
る範囲を調節することができる。
の裏面水平部１２ｂは、前記ストッパ部１７−１の上面
に接触して、前記端子１２はそれ以上曲げられることが
ないので、前記ストッパ部１７−１の上面の高さ方向の
位置を調節することによって、前記端子１２の曲げられ
る範囲を調節することができる。
【００５３】そして、前記端子１２の曲げられる範囲
を、前記端子１２の弾性変形の範囲内に止めておけば、
前記端子１２の塑性変形を防止することができる。
を、前記端子１２の弾性変形の範囲内に止めておけば、
前記端子１２の塑性変形を防止することができる。
【００５４】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。なお、第１及び第２の実施の形態と同じ構成
を有するものについては、同じ符号を付与することによ
ってその説明を省略する。
説明する。なお、第１及び第２の実施の形態と同じ構成
を有するものについては、同じ符号を付与することによ
ってその説明を省略する。
【００５５】図１１は本発明の第３の実施の形態におけ
るＩＣソケットのコンタクトピンの接触部の側面図、図
１２は図１１に示されるコンタクトピンの接触部のＣ−
Ｃ断面図である。
るＩＣソケットのコンタクトピンの接触部の側面図、図
１２は図１１に示されるコンタクトピンの接触部のＣ−
Ｃ断面図である。
【００５６】本実施の形態における各コンタクトピン１
４の接触部１７は、図１１及び１２に示されるような形
状であって、細長い矩形平面を短軸方向に湾曲させ、さ
らに、長軸方向に湾曲させた形状の接触面１７ａと、該
接触面１７ａの両側に位置する側平面１７ｂとを備え
る。
４の接触部１７は、図１１及び１２に示されるような形
状であって、細長い矩形平面を短軸方向に湾曲させ、さ
らに、長軸方向に湾曲させた形状の接触面１７ａと、該
接触面１７ａの両側に位置する側平面１７ｂとを備え
る。
【００５７】この場合、前記接触面１７ａは短軸方向に
も湾曲しているのであるから、前記接触面１７ａと端子
１２の裏面曲部１２ｃとが接触する部分は、図１２に示
される前記接触面１７ａの幅方向において、前記接触面
１７ａの頂部だけであるから、前記接触面１７ａと裏面
曲部１２ｃとが接触する部分の面積は極めて狭く、点接
触であるといえるほどに狭い。
も湾曲しているのであるから、前記接触面１７ａと端子
１２の裏面曲部１２ｃとが接触する部分は、図１２に示
される前記接触面１７ａの幅方向において、前記接触面
１７ａの頂部だけであるから、前記接触面１７ａと裏面
曲部１２ｃとが接触する部分の面積は極めて狭く、点接
触であるといえるほどに狭い。
【００５８】このように、本実施の形態においては、前
記コンタクトピン１４の接触部１７の接触面１７ａが短
軸方向にも湾曲しているので、前記接触面１７ａと端子
１２の裏面曲部１２ｃとが接触する部分は点接触である
といえるほどに狭い。このため、ワイピングする前記端
子１２の裏面の箇所は、第１及び第２の実施の形態の場
合よりも、さらに狭い面積である。
記コンタクトピン１４の接触部１７の接触面１７ａが短
軸方向にも湾曲しているので、前記接触面１７ａと端子
１２の裏面曲部１２ｃとが接触する部分は点接触である
といえるほどに狭い。このため、ワイピングする前記端
子１２の裏面の箇所は、第１及び第２の実施の形態の場
合よりも、さらに狭い面積である。
【００５９】従って、ワイピングによって除去される半
田等の量は、第１及び第２の実施の形態の場合よりも少
ないので、除去された半田等が飛散して周囲を汚染した
り、除去された半田等が前記接触面１７ａ上に堆積され
て前記接触面１７ａと前記裏面曲部１２ｃとの電気的接
触を阻害することがない。
田等の量は、第１及び第２の実施の形態の場合よりも少
ないので、除去された半田等が飛散して周囲を汚染した
り、除去された半田等が前記接触面１７ａ上に堆積され
て前記接触面１７ａと前記裏面曲部１２ｃとの電気的接
触を阻害することがない。
【００６０】また、前記接触面１７ａと前記裏面曲部１
２ｃとが接触する面積が極めて狭いので、コンタクトピ
ン１４の弾性力をあまり強くしなくても、前記裏面曲部
１２ｃと前記接触面１７ａとの単位面積当たりの接触圧
力を十分に大きくすることができる。
２ｃとが接触する面積が極めて狭いので、コンタクトピ
ン１４の弾性力をあまり強くしなくても、前記裏面曲部
１２ｃと前記接触面１７ａとの単位面積当たりの接触圧
力を十分に大きくすることができる。
【００６１】次に、本発明の第４の実施の形態について
説明する。なお、第１〜３の実施の形態と同じ構成を有
するものについては、同じ符号を付与することによって
その説明を省略する。
説明する。なお、第１〜３の実施の形態と同じ構成を有
するものについては、同じ符号を付与することによって
その説明を省略する。
【００６２】図１３は本発明の第４の実施の形態におけ
るＩＣソケットのコンタクトピンの接触部の側面図、図
１４は図１３に示されるコンタクトピンの接触部のＤ−
Ｄ断面図である。
るＩＣソケットのコンタクトピンの接触部の側面図、図
１４は図１３に示されるコンタクトピンの接触部のＤ−
Ｄ断面図である。
【００６３】本実施の形態における各コンタクトピン１
４の接触部１７は、図１１及び１２に示されるような形
状であって、細長い矩形平面を短軸方向に屈曲させ、さ
らに、長軸方向に湾曲させた形状の接触面１７ａと、該
接触面１７ａの両側に位置する側平面１７ｂとを備え
る。
４の接触部１７は、図１１及び１２に示されるような形
状であって、細長い矩形平面を短軸方向に屈曲させ、さ
らに、長軸方向に湾曲させた形状の接触面１７ａと、該
接触面１７ａの両側に位置する側平面１７ｂとを備え
る。
【００６４】この場合、前記接触面１７ａは短軸方向に
屈曲しているのであるから、前記接触面１７ａと端子１
２の裏面曲部１２ｃとが接触する部分は、図１４に示さ
れる前記接触面１７ａの幅方向において、前記接触面１
７ａの頂部だけであるから、前記接触面１７ａと裏面曲
部１２ｃとが接触する部分の面積は極めて狭く、点接触
であるといえるほどに狭い。
屈曲しているのであるから、前記接触面１７ａと端子１
２の裏面曲部１２ｃとが接触する部分は、図１４に示さ
れる前記接触面１７ａの幅方向において、前記接触面１
７ａの頂部だけであるから、前記接触面１７ａと裏面曲
部１２ｃとが接触する部分の面積は極めて狭く、点接触
であるといえるほどに狭い。
【００６５】このように、本実施の形態においては、前
記コンタクトピン１４の接触部１７の接触面１７ａが短
軸方向に屈曲しているので、前記接触面１７ａと端子１
２の裏面曲部１２ｃとが接触する部分は点接触であると
いえるほどに狭い。このため、ワイピングする前記端子
１２の裏面の箇所は、第１〜３の実施の形態の場合より
も、さらに狭い面積である。
記コンタクトピン１４の接触部１７の接触面１７ａが短
軸方向に屈曲しているので、前記接触面１７ａと端子１
２の裏面曲部１２ｃとが接触する部分は点接触であると
いえるほどに狭い。このため、ワイピングする前記端子
１２の裏面の箇所は、第１〜３の実施の形態の場合より
も、さらに狭い面積である。
【００６６】従って、ワイピングにより除去される半田
等の量は、第１〜３の実施の形態の場合よりも少ないの
で、除去された半田等が飛散して周囲を汚染したり、除
去された半田等が前記接触面１７ａ上に堆積されて前記
接触面１７ａと前記裏面曲部１２ｃとの電気的接触を阻
害することがない。
等の量は、第１〜３の実施の形態の場合よりも少ないの
で、除去された半田等が飛散して周囲を汚染したり、除
去された半田等が前記接触面１７ａ上に堆積されて前記
接触面１７ａと前記裏面曲部１２ｃとの電気的接触を阻
害することがない。
【００６７】また、前記接触面１７ａと前記裏面曲部１
２ｃとが接触する面積が極めて狭いので、コンタクトピ
ン１４の弾性力をあまり強くしなくても、前記裏面曲部
１２ｃと前記接触面１７ａとの単位面積当たりの接触圧
力を十分に大きくすることができる。
２ｃとが接触する面積が極めて狭いので、コンタクトピ
ン１４の弾性力をあまり強くしなくても、前記裏面曲部
１２ｃと前記接触面１７ａとの単位面積当たりの接触圧
力を十分に大きくすることができる。
【００６８】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
【００６９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ＩＣソケットにおいては、本体と、接触部を備
え、前記本体の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前
記本体に植立されたコンタクトピンと、押下部材とを有
する。
れば、ＩＣソケットにおいては、本体と、接触部を備
え、前記本体の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前
記本体に植立されたコンタクトピンと、押下部材とを有
する。
【００７０】そして、前記接触部は、前記コンタクトピ
ンの上端部分に形成され、半導体パッケージの端子の裏
面曲部に接触する細長い矩形平面を湾曲させた形状の接
触面を備える。
ンの上端部分に形成され、半導体パッケージの端子の裏
面曲部に接触する細長い矩形平面を湾曲させた形状の接
触面を備える。
【００７１】この場合、接触面がワイピングする端子の
裏面の箇所は、曲部の一部分にすぎず、極めて狭い面積
である。さらに、前記裏面曲部は、付着する半田の量が
少なく、かつ、モールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、
埃等の異物が付着しにくい部分である。
裏面の箇所は、曲部の一部分にすぎず、極めて狭い面積
である。さらに、前記裏面曲部は、付着する半田の量が
少なく、かつ、モールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、
埃等の異物が付着しにくい部分である。
【００７２】従って、ワイピングによって除去される半
田等の量は非常に少ないので、除去された半田等が飛散
して周囲を汚染したり、除去された半田等が前記接触面
上に堆積されて前記接触面と前記裏面曲部との電気的接
触を阻害することがない。
田等の量は非常に少ないので、除去された半田等が飛散
して周囲を汚染したり、除去された半田等が前記接触面
上に堆積されて前記接触面と前記裏面曲部との電気的接
触を阻害することがない。
【００７３】また、ワイピングされる面積が極めて狭
く、除去される半田等の量は非常に少ないのであるか
ら、コンタクトピンの弾性力を強くして、前記裏面曲部
と前記接触面との接触圧力を十分に大きくすることがで
きる。
く、除去される半田等の量は非常に少ないのであるか
ら、コンタクトピンの弾性力を強くして、前記裏面曲部
と前記接触面との接触圧力を十分に大きくすることがで
きる。
【００７４】さらに、前記裏面曲部は、付着力の強いモ
ールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、埃等の異物が付着
しにくい部分であるから、ワイピングによって除去され
ない異物により前記接触面と前記裏面曲部との電気的接
触を阻害することがない。
ールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、埃等の異物が付着
しにくい部分であるから、ワイピングによって除去され
ない異物により前記接触面と前記裏面曲部との電気的接
触を阻害することがない。
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるＩＣソケッ
トのコンタクトピンと半導体パッケージの端子の関係を
示す断面図である。
トのコンタクトピンと半導体パッケージの端子の関係を
示す断面図である。
【図２】従来のＩＣソケットにおける半導体パッケージ
の端子とＩＣソケットのコンタクトピンの接触する状態
の第１の例を示す図である。
の端子とＩＣソケットのコンタクトピンの接触する状態
の第１の例を示す図である。
【図３】従来のＩＣソケットにおける半導体パッケージ
の端子とＩＣソケットのコンタクトピンの接触する状態
の第２の例を示す図である。
の端子とＩＣソケットのコンタクトピンの接触する状態
の第２の例を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態におけるＩＣソケッ
トのコンタクトピンの接触部の斜視図である。
トのコンタクトピンの接触部の斜視図である。
【図５】図４に示されるコンタクトピンの接触部の側面
図である。
図である。
【図６】図５に示されるコンタクトピンの接触部のＢ−
Ｂ断面図である。
Ｂ断面図である。
【図７】半導体パッケージの端子の拡大図である。
【図８】図１のＡ部拡大図であってＩＣソケットの動作
を示す図である。
を示す図である。
【図９】ＩＣソケットのコンタクトピンの接触部と半導
体パッケージの端子の接触関係を示す図である。
体パッケージの端子の接触関係を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態におけるＩＣソケ
ットのコンタクトピンの接触部を示す図である。
ットのコンタクトピンの接触部を示す図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態におけるＩＣソケ
ットのコンタクトピンの接触部の側面図である。
ットのコンタクトピンの接触部の側面図である。
【図１２】図１１に示されるコンタクトピンの接触部の
Ｃ−Ｃ断面図である。
Ｃ−Ｃ断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態におけるＩＣソケ
ットのコンタクトピンの接触部の側面図である。
ットのコンタクトピンの接触部の側面図である。
【図１４】図１３に示されるコンタクトピンの接触部の
Ｄ−Ｄ断面図である。
Ｄ−Ｄ断面図である。
１１ 半導体パッケージ １２ 端子 １２Ｃ 裏面曲部 １３ 本体 １４ コンタクトピン １５ 押下部材 １７ 接触部 １７ａ 接触面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AG01 AG12 AH05 AH07 2G011 AA01 AA15 AB01 AB06 AB07 AB08 AC14 AF02 5E024 CA07 CB04
Claims (1)
- 【請求項１】 （ａ）本体と、（ｂ）接触部を備え、前
記本体の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前記本体
に植立されたコンタクトピンと、（ｃ）押下部材とを有
し、（ｄ）前記接触部は、前記コンタクトピンの上端部
分に形成され、半導体パッケージの端子の裏面曲部に接
触する細長い矩形平面を湾曲させた形状の接触面を備え
ることを特徴とするＩＣソケット。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000283857A JP2002093541A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | Ｉｃソケット |
| US09/791,788 US6547837B2 (en) | 2000-09-19 | 2001-02-26 | IC socket |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000283857A JP2002093541A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | Ｉｃソケット |
Publications (1)
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| JP (1) | JP2002093541A (ja) |
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