JP2002084742A - 降圧dcdcコンバータの過電流保護動作制御方法、降圧dcdcコンバータの過電流保護動作判定集積回路、降圧dcdcコンバータの過電流保護動作判定回路モジュールおよび降圧dcdcコンバータの制御集積回路並びにコンピュータ用の基板 - Google Patents

降圧dcdcコンバータの過電流保護動作制御方法、降圧dcdcコンバータの過電流保護動作判定集積回路、降圧dcdcコンバータの過電流保護動作判定回路モジュールおよび降圧dcdcコンバータの制御集積回路並びにコンピュータ用の基板

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JP2002084742A
JP2002084742A JP2000267828A JP2000267828A JP2002084742A JP 2002084742 A JP2002084742 A JP 2002084742A JP 2000267828 A JP2000267828 A JP 2000267828A JP 2000267828 A JP2000267828 A JP 2000267828A JP 2002084742 A JP2002084742 A JP 2002084742A
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英樹 矢原
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低電圧大電流を出力する降圧DCDCコンバ
ータにおいて、変換効率の低下を防ぎ、過電流保護機能
が作動する閾値の精度を向上させる。 【解決手段】 入力部Vin側にセンス抵抗Rsを挿入
し、入力電流検出部1と入力電圧検出部2で検出した電
流値と電圧値を用いて正常動作域か否かを判断する。正
常動作域外と判断した場合、過電流保護動作判定部3か
らスイッチング制御部4に停止信号を出力する。入力部
側にセンス抵抗を挿入するため、センス抵抗によるロス
が低減される。精度が高いセンス抵抗を用いて電流と電
圧を検出するため、検出精度が確保される。電流と電圧
の両面で正常動作域か否かを判定するため、入力電圧の
変動に対応できる。センス抵抗を入力側に配置するた
め、大電流が流れる出力側で部品を1点少なくして、設
計自由度や放熱性を向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、入力電圧が常時変
動する携帯型PC(パーソナルコンピュータ)等、電池
で動作する機器に好適に用いられる降圧DCDCコンバ
ータの過電流保護動作制御方法、降圧DCDCコンバー
タの過電流保護動作判定集積回路、降圧DCDCコンバ
ータの過電流保護動作判定回路モジュールおよび降圧D
CDCコンバータの制御集積回路並びにコンピュータ用
の基板に関する。
【0002】
【従来の技術】電池等の電圧が変動する直流(DC)電
源から入力された電圧を変換して降圧する降圧DCDC
コンバータにおいて、過電流保護機能(2次側電流が定
められた電流値を超えるとその出力を停止する機能)が
必要不可欠である。この機能を実現するためには、何ら
かの方法で負荷が過電流状態であることを検出する必要
がある。既知の従来技術としては、以下のような3種類
のものが一般的に知られている。
【0003】(従来技術1)出力部側に出力電流値検知
用の抵抗器(センス抵抗Rs)を挿入する方法 この方法では、図7に示すように、入力部Vin、出力
部Vout、入力コンデンサCin、出力コンデンサ
(平滑用コンデンサ)Cout、チョークコイルL、M
OSFET Q1、Q2、およびDCDCコンバータ制
御ICを備えたDCDCコンバータの出力部Vout側
にセンス抵抗Rsを挿入し、検出された出力電流値が正
常動作域であるか否かをDCDCコンバータ制御ICに
設けられた過電流保護動作判定部で判断する。そして、
出力電流値が正常動作域外であると判断された場合に
は、DCDCコンバータ制御ICに設けられた降圧DC
DCコンバータをスイッチング制御するスイッチング制
御部に対して、保護機能部から出力停止を指定する停止
信号を出力する。この方法は、広く一般的に用いられて
いる方法であり、その検知精度は主としてセンス抵抗に
依存するため、過電流の検知精度が高い。
【0004】しかし、この方法には以下のような問題が
ある。低電圧で大電流が出力される降圧DCDCコンバ
ータにおいては、出力電圧に対するセンス抵抗による損
失割合が大きくなるため効率が低下する。また、この方
法では、基板上に部品を配置する際に、センス抵抗Rs
をチョークコイルLと平滑コンデンサ(出力コンデン
サ)Coutとの間に挿入する。ノイズの少ない良質な
出力を実現するためには、入力コンデンサCin、セン
ス抵抗Rs、チョークコイルL、MOSFETQ1、Q
2および出力コンデンサCoutが最短で接続されるよ
うに配置する必要がある。しかし、入力コンデンサCi
n、チョークコイルL、MOSFETQ1、Q2および
出力コンデンサCoutはいずれも、それ自身が発熱す
る性質を有するため、元々高温になり易い。それに加え
てセンス抵抗Rsでの損失が大きければ、各構成部品の
温度はさらに上昇して性能低下をもたらすことになる。
【0005】(従来技術2)MOSFET Q2のON
抵抗値をセンス抵抗の代わりに用いる方法 この方法では、図8に示すように、MOSFET Q2
がON状態のときにON抵抗により生じるMOSFET
Q2のドレイン−ソース間の電位差を測定し、電位差
が一定値を超えたときに過電流状態であると判断して、
降圧DCDCコンバータの動作を停止させる。この方法
によれば、センス抵抗が不要となるので、その分だけロ
スが少なくなる。
【0006】しかし、この方法には以下のような問題が
ある。一般的に、量産されているMOSFETのON抵
抗は、最大値は管理されているが最小値は管理されてお
らず、製造ばらつきが存在する。また、MOSFETの
ON抵抗値は正の温度係数を有しており、温度によって
ON抵抗は上昇し、かつ、その変動幅は大きい。よっ
て、高温時に合わせて過電流保護動作の電流値を設定す
ると、低温時には設定された電流値で動作しなくなる。
逆に、低温時に合わせて過電流保護動作の電流値を設定
すると、高温時には誤動作してしまう。
【0007】(従来技術3)チョークコイルLの直流抵
抗成分による電圧降下を用いて検知する方法 この方法では、図9に示すように、チョークコイルLが
持っている抵抗成分による電圧降下を抽出するための受
動回路網(DC抵抗成分分離回路網)を付加して電流を
検知する。この方法によれば、上記(1)の方法で用い
ていた制御IC(図7の保護機能部およびスイッチング
制御部)をそのまま用いてセンス抵抗を省くことができ
る場合がある。
【0008】しかし、この方法には以下のような問題が
ある。チョークコイルLの特性は、DC重畳電流や温度
によってインダクタンスの値が非常に大きく変化するた
め、固定常数の付加回路(DC抵抗成分分離回路網)に
よってインダクタンス成分を相殺することは困難であ
り、精度に問題が生じる。また、本来はチョークコイル
LによってMOSFET Q1、Q2の急激なON/O
FFによるスイッチングノイズが2次側(出力側)に伝
わらないようになっているが、付加回路はチョークコイ
ルLの両端にノイズを伝えるバイパスとなるように接続
されるため、出力側にノイズが増え易い。
【0009】ところで、特開平5−199740号公報
には、電流を検知するセンス抵抗を電源側(電源電圧入
力側)に設置したDCDCコンバータの過電流保護回路
が開示されている。しかし、この従来技術は直流昇圧回
路のためのものであり、直流降圧回路のための本発明と
は課題および解決手段が異なる。
【0010】後述するように、本発明は、CPU用の電
源回路のように、低電圧で大電流を出力する降圧DCD
Cコンバータに固有の問題点である、出力側にセンス抵
抗を入れた場合にセンス抵抗による効率低下が発生する
こと、およびセンス抵抗を省略した回路では過電流保護
機能が作動する電流値が不定となる領域が拡大すること
という2つの課題を解決するためのものである。これに
対して、特開平5−199740号公報には、その課題
として「従来技術(タイマーラッチ方式や入力電流制限
方式)で問題となっていた、負荷破壊または電源回路の
焼損を解消する」と記載されている。
【0011】このように解決しようとする課題が異なる
ことから、本発明と特開平5−199740号公報の技
術の課題解決手段は当然異なっている。後述するよう
に、本発明は携帯型PC用の電源回路(DCDCコンバ
ータ)等のように入力電圧が常時変動するものを想定し
ており、保護動作の精度を上げるために入力電圧および
入力電流の両方を検出して判定している。これに対し
て、特開平5−199740号公報の技術では、入力電
圧を監視する機能は無く、入力電流値のみで判定してい
る。従って、この従来技術では、入力電圧の変動により
正常動作の入力電流が変動しても対応することができな
い。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】近年のコンピュータに
使用されるCPUは、製造プロセスの微細化によって低
駆動電圧化が進み、高クロック化の進行と共に消費電流
が著しく増大している。例えば現時点で主力のパーソナ
ルコンピュータ用CPUでは、DC1.3V〜2.0
V、10A〜20Aの電源回路が必要となっている。
【0013】これに伴って、上述した従来技術1の方法
では、電流検知のために設けたセンス抵抗での損失が増
大し、変換効率の低下を招いている。例えば、同じ消費
電力で入力電圧の異なるCPUを想定した2種類の電源
回路A(5V、3A)および電源回路B(1.5V、1
0A)を比較した場合、制御ICの過電流検知電圧を1
00mVとすると、電源回路Aの場合には、センス抵抗
での損失が3A×100mV=300mWとなり、電源
回路Bの場合には、センス抵抗での損失が10A×10
0mV=1000mWとなる。従って、より低電圧大電
流を出力する電源回路であるBの方が効率が悪くなる。
なお、過電流検知電圧を低下させるとノイズによりIC
の誤動作を招き易くなるために、容易には下げることが
できない。
【0014】また、実際に上記図7に示した回路を基板
上に構成する場合、一般的には電源回路からの出力品質
(リップル(FETのON、OFFに同期したノイズ)
やスパイクノイズ(半導体等素子がON、OFFする瞬
間に発生する髭状のノイズ))や効率の面から、MOS
FET Q1、Q2、チョークコイルL、出力コンデン
サCoutおよび入力コンデンサCinを各々最短距離
で配線する。この場合、センス抵抗Rsをチョークコイ
ルLと出力コンデンサCoutとの間に挿入するために
は、他の構成部品の近傍に配置しなければならず、これ
が基板レイアウトの際に大きな制約となることが多い。
【0015】さらに、電源回路構成部品(重負荷時に発
熱の大きい順に並べると、チョークコイルL>MOSF
ET Q2、MOSFET Q1、センス抵抗Rs、>
入力コンデンサCin≫出力コンデンサCout)は動
作中に発熱し、温度の上昇と共に電源回路としての効率
が低下する。上記従来技術1の回路構成では、発熱が一
箇所(チョークコイルL、MOSFET Q1、Q2お
よびセンス抵抗Rs)に集中するため、放熱能力に限界
のある小型機器等に用いると、ターゲット回路の負荷が
大きい重負荷時に、激しい温度上昇による構成部品の信
頼性低下と、温度上昇を原因とした効率低下が発生す
る。
【0016】このような効率低下を防ぐために、上述し
た従来技術2および従来技術3の方法が考案されてすで
に実用化されており、これによって効率面および発熱問
題については改善されている。
【0017】しかし、これらの従来技術2および従来技
術3の方法では、過電流保護の作動電流値の精度につい
て、以下のような根本的な問題がある。上記従来技術2
の方法ではMOSFETのON抵抗は、製造ばらつきお
よび動作温度によって2倍以上も変化するおそれがあ
る。また、上記従来技術3の方法でも、チョークコイル
Lを構成するコアの材質、巻き方、使用環境(温度、直
流重畳電流)等によってインダクタンスの値が非線形に
変動し、これも2倍以上に変化するおそれがある。
【0018】従って、上記従来技術2および従来技術3
の方法では、過電流保護機能が作動するか否かが不安定
になる電流値の領域(不定領域)が大きく、正常動作時
の電流値が不定領域に絶対に入らないようにするために
は、過電流保護機能が動作する電流値に不定領域分をマ
ージンとして折り込む必要がある。しかし、このことは
逆に、異常時に過電流保護機能が動作しない領域を広げ
ることになり、特に、CPU用の電源回路のように低電
圧で大電流が出力される電源回路では、過電流保護回路
として動作しにくくなって、実使用上では短絡保護回路
としてしか動作しないおそれがある。
【0019】例えば、1.5V、10Aの電源回路を考
えた場合、上記従来技術2および従来技術3の方法で
は、正常領域の2倍程度の不定領域を見込む必要がある
ため、荷電流保護機能が動作する電流値を20Aに設定
して10Aでは動作しないようにする。一方、異常時に
過電流保護機能が確実に動作するためには、20A以上
の電流値が必要になる。ここで、1.5V、20A時の
負荷のインピーダンスは僅か75mΩであり、異常状態
のインピーダンスがこれ以下の値でないと電源回路の出
力は停止されない。従って、レアショート(低いながら
もある程度の抵抗値を持った短絡状態)等が発生した場
合には、過電流保護機能が働かずにターゲット回路の焼
損に至り易くなる。
【0020】LSIの製造プロセスのさらなる微細化に
よってさらなる電源電圧の低下が起こり、マルチタスク
OS等の発展と共に複数デバイスの並列動作化も進んで
いる。このため、CPUを含むデジタル機器用の電源回
路は、現在も益々の低電圧化および大電流化が進行して
いる。よって、過電流保護回路の動作閾値の精度と変換
効率の維持の双方を両立させることが電源回路に要求さ
れている。
【0021】本発明は、上記従来技術の課題を解決する
ためになされたものであり、CPU用の電源回路等のよ
うに低電圧で大電流を出力する降圧DCDCコンバータ
においてセンス抵抗による変換効率の低下を防ぐと共
に、過電流保護機能が作動する閾値の精度を向上させる
ことができる降圧DCDCコンバータの過電流保護動作
制御方法、降圧DCDCコンバータの過電流保護動作判
定集積回路、降圧DCDCコンバータの過電流保護動作
判定回路モジュールおよび降圧DCDCコンバータの制
御集積回路並びにコンピュータ用の基板を提供すること
を目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明の降圧DCDCコ
ンバータの過電流保護動作制御方法は、入力電源電圧の
変動を許容し、入力された電源電圧を変換して降圧した
電圧を出力する降圧DCDCコンバータに対して過電流
保護動作を制御するための方法であって、降圧DCDC
コンバータの電源電圧入力部側にセンス抵抗を挿入して
入力部側の電圧値および電流値を検出し、検出した両値
および両値から計算した電力値が正常動作域であるか否
かを判断し、いずれかの値が正常動作域外であると判断
された場合に、スイッチングを制御する制御回路を出力
停止状態にするように制御しており、そのことにより上
記目的が達成される。
【0023】本発明の降圧DCDCコンバータの過電流
保護動作判定集積回路は、入力電源電圧の変動を許容
し、入力された電源電圧を変換して降圧した電圧を出力
する降圧DCDCコンバータに対して過電流保護動作を
行わせるか否かを判定するための集積回路であって、降
圧DCDCコンバータの電源電圧入力部から入力される
電圧値および電流値を検出する手段と、検出された両値
および両値から計算した電力値が正常動作域であるか否
かを判断する手段と、いずれかの値が正常動作域外であ
ると判断された場合に、降圧DCDCコンバータのスイ
ッチングを制御する制御用回路に対して、出力停止状態
にすることを指示する停止信号を出力する手段とを備え
ており、そのことにより上記目的が達成される。
【0024】本発明の降圧DCDCコンバータの過電流
保護動作判定回路モジュールは、入力電源電圧の変動を
許容し、入力された電源電圧を変換して降圧した電圧を
出力する降圧DCDCコンバータに対して過電流保護動
作を行わせるか否かを判定するための回路モジュールで
あって、降圧DCDCコンバータに対して電源電圧入力
部から入力される電圧値および電流値を検出する手段
と、検出された両値および両値から計算した電力値が正
常動作域であるか否かを判断する手段と、いずれかの値
が正常動作域外であると判断された場合に、降圧DCD
Cコンバータのスイッチングを制御する制御用回路に対
して、出力停止状態にすることを指示する停止信号を出
力する手段とがプリント基板上に配置されており、その
ことにより上記目的が達成される。
【0025】本発明の降圧DCDCコンバータの制御集
積回路は、入力電源電圧の変動を許容し、入力された電
源電圧を変換して降圧した電圧を出力する降圧DCDC
コンバータを制御するための集積回路であって、降圧D
CDCコンバータに対して電源電圧入力部から入力され
る電圧値および電流値を検出する手段と、検出された両
値および両値から計算した電力値が正常動作域であるか
否かを判断する手段と、降圧DCDCコンバータのスイ
ッチングを制御する手段と、いずれかの値が正常動作域
外であると判断された場合に、降圧DCDCコンバータ
のスイッチングを制御する手段に対して、出力停止状態
にすることを指示する停止信号を出力する手段とを同一
チップ内に備えており、そのことにより上記目的が達成
される。
【0026】本発明のコンピュータ用の基板は、降圧D
CDCコンバータに対して電源電圧入力部から入力され
る電流を検知するためのセンス抵抗と、本発明の請求項
2に記載の降圧DCDCコンバータの過電流保護動作判
定集積回路または本発明の請求項3に記載の降圧DCD
Cコンバータの過電流保護動作判定回路モジュールと、
DCDCコンバータ制御ICとを用いて過電流保護動作
を制御した降圧DCDCコンバータによって、ターゲッ
ト回路に電源電圧を供給しており、そのことにより上記
目的が達成される。
【0027】本発明のコンピュータ用の基板は、降圧D
CDCコンバータに対して電源電圧入力部から入力され
る電流を検知するためのセンス抵抗と、本発明の請求項
4に記載の降圧DCDCコンバータの制御集積回路とを
用いて過電流保護動作を制御した降圧DCDCコンバー
タによって、ターゲット回路に対して電源電圧を供給し
ており、そのことにより上記目的が達成される。
【0028】以下、本発明の作用について説明する。
【0029】本発明にあっては、降圧DCDCコンバー
タの電源電圧入力部側にセンス抵抗を挿入しているの
で、上述した従来技術1で問題となっていたようなセン
ス抵抗によるロスを低減して変換効率を向上することが
可能となる。また、精度の高いセンス抵抗を用いて電流
および電圧を検出することができるので、上述した従来
技術2および従来技術3のように温度によって抵抗値や
インダクタンスの値が大きく変動したり、製造ばらつき
の大きい部品を電流検知に用いる必要がなく、検出精度
を確保することが可能となる。また、電流だけではなく
電圧も監視して、電流および電圧の両面から正常動作域
であるか否かを判定しているので、入力電圧の変動にも
対応可能である。さらに、センス抵抗を出力側ではな
く、入力側に配置しているので、出力側に配置した場合
に比べて、大電流が流れる部分で部品を1点少なくする
ことができる。大電流が流れる出力側の部分では、各部
品間を最短距離とし、かつ、流れる電流値に応じた最小
配線幅を確保する必要があるため、部品が少数であって
も配線設計が困難である。その部分で部品を1点でも減
らせるので、設計の自由度が格段に大きくなる。また、
入力側の部分では流れる電流が小さいため、センス抵抗
を配置しても設計上の制約を小さくすることが可能であ
る。
【0030】後述する実施形態において図5に示すよう
に、降圧DCDCコンバータに対して電源電圧入力部か
ら入力される電圧値および電流値を検出する手段と、検
出された両値および両値から計算した電力値が正常動作
域であるか否かを判断する手段と、いずれかの値が正常
動作域外であると判断された場合に、降圧DCDCコン
バータのスイッチングを制御する制御用回路に対して、
降圧DCDCコンバータの出力停止を指定する信号を出
力する手段とを集積回路(IC/LSI)化し、また
は、これらの各手段をディスクリート部品としてプリン
ト基板上に配置してモジュール化することにより、後述
する実施形態において図5に示すように、既存のDCD
Cコンバータ制御ICの外部に付加して、降圧DCDC
コンバータの過電流保護動作を制御することが可能とな
る。
【0031】または、後述する実施形態において図4に
示すように、上記各手段と、降圧DCDCコンバータの
スイッチングを制御する制御回路(スイッチング制御
部)とを同一チップ内に設けて、DCDCコンバータ制
御ICとすることにより、降圧DCDCコンバータの過
電流保護動作を制御することが可能となる。
【0032】さらに、降圧DCDCコンバータに対して
電源電圧入力部から入力される電流を検知するためのセ
ンス抵抗と、上記各手段を備えた集積回路や回路モジュ
ールとDCDCコンバータ制御ICとを用いて過電流保
護動作を制御した降圧DCDCコンバータによって、C
PU等のターゲット回路に電源電圧供給を行うことによ
り、ターゲット回路に効率良く電源電圧を供給すると共
に、過電流保護動作を確実に行って安全性を確保するこ
とが可能である。
【0033】または、降圧DCDCコンバータに対して
電源電圧入力部から入力される電流を検知するためのセ
ンス抵抗と、上記各手段および降圧DCDCコンバータ
のスイッチングを制御する制御回路を同一チップ内に設
けたDCDCコンバータ制御ICとを用いて過電流保護
動作を制御した降圧DCDCコンバータによって、CP
U等のターゲット回路に電源電圧供給を行うことによ
り、ターゲット回路に効率良く電源電圧を供給すると共
に、過電流保護動作を確実に行って安全性を確保するこ
とが可能である。
【0034】
【発明の実施の形態】通常、同期整流型の降圧DCDC
コンバータを基板上に実現する場合には、コンバータ用
制御IC(スイッチング制御と各種保護機能の両方が作
り込まれている)と、そのICが指定する部品(FE
T、入出力コンデンサ等)を基板に実装する。本発明
は、このICの保護機能の1つである過電流保護機能の
改善を図ったものである。
【0035】一般に、温度や入力電圧がDCDCコンバ
ータの変換効率に与える影響については、その変化量を
多く見積もっても、周囲温度の影響が5%程度、入力電
圧の影響が10%程度であり、これらの負荷条件が一定
であれば、上述した従来技術2や従来技術3による誤差
に比べると充分に少ないものである。これを利用して、
本発明では、出力ではなく入力の状態で過電流保護動作
を行うか否かを判定する。
【0036】本発明の実施の形態としては、(1)制御
IC自身に改善機能を内蔵したもの、および(2)既存
の制御ICに本発明の機能を実現するための外付け回路
を設けたものの2通りが考えられる。
【0037】以下に、本発明の実施の形態について、図
面を参照しながら説明する。
【0038】図1は本発明の一実施形態である過電流保
護動作制御方法を説明するための図である。これは、同
期整流型降圧DCDCコンバータの基本回路であって、
入力部Vin、出力部Vout、入力コンデンサCi
n、出力コンデンサCout、フリーホイールダイオー
ドD、チョークコイルL、MOSFET Q1、Q2お
よびDCDCコンバータ制御IC14から構成されてい
る。
【0039】本実施形態は、この基本回路の入力部Vi
nにセンス抵抗Rsを追加し、DCDCコンバータ制御
IC14の中に本発明を実現するための過電流保護動作
判定部3を内蔵させたものである。以下に、各部分につ
いて説明する。
【0040】センス抵抗Rsは、電流の値を電圧に変換
するために挿入する抵抗であり、過電流状態をDCDC
コンバータ制御IC14によって検出するために挿入す
る。
【0041】DCDCコンバータ制御IC14は、スイ
ッチング制御部4および保護機能部を併せ持つICであ
る。そのスイッチング制御部は、MOSFET Q1、
Q2のON、OFFを制御するための回路であり、出力
電圧を一定に保つために出力電圧を常時監視している。
出力電圧が定格値よりも低くなると、MOSFETQ1
のON時間の比率を多くしてエネルギーの供給を増やし
て電圧を上げ、電圧が定格値よりも高くなると、MOS
FET Q1のON時間の比率を少なくしてエネルギー
の供給を減らして電圧を下げる。保護機能部は、過電流
保護、過電圧保護および過熱保護等、DCDCコンバー
タ(ユニット)自身と負荷回路(CPU等)の双方を異
常状態から保護するために、動作状態を常時監視し、異
常状態を発見するとスイッチング制御部に停止指令を出
す。スイッチング制御部は、保護機能部からの指示で出
力を停止する場合には、MOSFET Q1をOFFさ
せてエネルギーの供給を停止する。
【0042】入力部Vinにおいて、例えばノートブッ
ク型PCでは電源(ACアダプタや電池)等の状態によ
り電圧が異なり、電池の場合には電池の状態(残量や温
度等)によりさらに電圧が常時変動する。例えば、AC
アダプタの場合には19Vであり、電池の場合には1
6.8V〜12Vである。
【0043】入力コンデンサCinは、MOSFET
Q1=OFFの期間に入力部Vinからエネルギーを蓄
積し、MOSFET Q1=ONの期間に蓄えたエネル
ギーを放出する。MOSFET Q1=ON時の放電電
流値はチョークコイルLを流れる電流値に匹敵する。よ
って、入力コンデンサCinには、放電時のみ大電流が
流れる。
【0044】MOSFET Q1はハイサイドトランジ
スタであり、入力コンデンサCinとチョークコイルL
との間のON−OFFを制御する。MOSFET Q1
がONになると、OFFの期間に蓄積された入力コンデ
ンサCinのエネルギーがチョークコイルL、出力コン
デンサCoutおよび出力部Voutに供給される。そ
して、MOSFET Q1のON−OFFを高速に繰り
返す(数100kHz)ことにより、降圧DCDCコン
バータが動作し、ON時間とOFF時間の比率で出力さ
れるエネルギーの量が調節されて出力電圧および出力電
流が制御される。このMOSFET Q1は、大電流が
流れ、発熱が激しくなる部品である。
【0045】チョークコイルLは、MOSFET Q1
=ONの期間に磁気の形でエネルギーを蓄え、MOSF
ET Q1=OFFの期間に電流の形で出力コンデンサ
Coutおよび出力部Voutに放出する。よって、チ
ョークコイルLを流れる電流の最大値は、出力電流以上
になる。なお、MOSFET Q1=OFFのときにチ
ョークコイルLのエネルギーを放出するための閉回路を
構成するためには、帰還ダイオードが必要となる。この
チョークコイルL1は、大電流が流れ、発熱が激しくな
る部品である。
【0046】フリーホイールダイオードDとしては、通
常、順方向電圧降下が低いことを特徴とするショットキ
ーダイオードを使用する。MOSFET Q1=ONの
期間にチョークコイルLに蓄積されたエネルギーが、M
OSFET Q1のOFF期間に出力コンデンサCou
tに移動する。このとき、このフリーホイールダイオー
ドDを通ってチョークコイルLに電流が流れる。よっ
て、最短距離で配線しないと、ノイズが発生して出力に
激しいスパイクノイズが発生する他、ノイズによるMO
SFET Q2の誤動作を引き起こすこともある。
【0047】MOSFET Q2はローサイドトランジ
スタであり、フリーホイールダイオードDの両端のON
−OFFを制御する。フリーホイールダイオードDに順
方向電流が流れる期間と同期してMOSFET Q2が
ONにすることにより、フリーホイールダイオードでの
電圧降下を0にして、効率を大きく改善する。MOSF
ET Q1、Q2が同時にON状態になると、入力部V
inとGNDが短絡してしまうため、そうならないよう
にどちらか一方がONになった後に必ず両方がOFFの
状態を経てから、他方がONになるようにする。なお、
MOSFETQ1、Q2が同時にOFFになる期間があ
るため、フリーホイールダイオードDを省略することは
できない。このMOSFET Q2は、大電流が流れ、
発熱が激しくなる部品である。
【0048】出力コンデンサCoutは、出力電圧を平
滑化するためのものであり、チョークコイルLを流れる
電流が出力電流よりも大きいときにはエネルギーを蓄
え、少なくなったときにエネルギーを放出する。CPU
用電源では、その激しい負荷変動に対応するために、大
容量(数千μF程度)が必要とされ、数百μFクラスの
コンデンサを並列接続して容量を得る。よって、この出
力コンデンサCoutには大電流が流れる、最短距離で
配線しないとリップルやノイズが大きくなる。
【0049】出力部Voutにおいて、本発明が最も好
適に用いられる用途であるCPU用電源を例に挙げる
と、現状では1.4V−20A程度が主流であるが、今
後は更なる低電圧大電流化が進むと考えられる。
【0050】次に、上記同期整流型降圧DCDCコンバ
ータにおける降圧原理について説明する。MOSFET
Q1をONすると、入力部Vinおよび入力コンデン
サCinからチョークコイルL、出力コンデンサCou
tおよび出力部Voutにエネルギーが供給され、MO
SFET Q1をOFFすると、エネルギーの供給が止
まる。通常、MOSFET Q1は、ON−OFFの繰
り返しを高速(数100kHz)に行っており、単位時
間当たりのON期間とOFF期間の比率でエネルギーの
供給量を制御することができる。
【0051】DCDCコンバータ制御ICのスイッチン
グ制御部は、出力電圧を常時監視しており、出力電圧が
定格値よりも低くなるとMOSFET Q1のON時間
の比率を多くしてエネルギーの供給を増やして電圧を上
げ、電圧が定格値よりも高くなるとMOSFET Q1
のON時間の比率を少なくしてエネルギーの供給を減ら
して電圧を下げる。このような制御により、降圧DCD
Cコンバータを定電圧電源として機能させることができ
る。
【0052】MOSFET Q1がOFF期間中にも出
力電圧および出力電流を維持する役割はチョークコイル
Lと出力コンデンサCoutが担っている。MOSFE
TQ1のON期間中にチョークコイルLと出力コンデン
サCoutにエネルギーを蓄積し、MOSFET Q1
のOFF期間中に蓄積したエネルギーを放出する。チョ
ークコイルLが出力部Voutにエネルギーを放出する
ためには、チョークコイルLが挿入されている回路が閉
回路である必要があるため、フリーホイールダイオード
Dを設けている。
【0053】MOSFET Q2はフリーホイールダイ
オードDでの順方向電圧降下による損失を低減するため
に設けられ、フリーホイールダイオードに順方向電流が
流れる期間だけONするようにスイッチング制御部が制
御する。
【0054】このように構成された降圧DCDCコンバ
ータの入力部Vin側にセンス抵抗Rsを挿入する。そ
して、入力された電流および電圧を検出する入力電流検
出部1および入力電圧検出部2を設けた過電流保護動作
判定部3により、これらの検出部1、2から得られる電
圧値および電流値を用いて過電流保護動作を行わせるか
否かを判定する。この過電流保護動作判定部3は、予め
規定しておいた正常動作域から外れたと判断した場合
に、降圧DCDCコンバータのMOSFET Q1、Q
1をスイッチング制御する電源制御部(スイッチング制
御部4)に対して出力停止を指示する停止信号を出力す
る。これによって、降圧DCDCコンバータからの出力
が停止される。
【0055】正常動作域は、図2に示すように、電圧値
および電流値によって2次元で定義され、最小入力電
圧、最大入力電圧、最大入力電流および最大入力電力に
よって規定される。なお、最大入力電力は、入力電力に
よる変換効率の変化が小さい場合には1つの最大電力値
で判定する。また、入力電圧範囲が非常に大きく、入力
電圧による変換効率への影響も考慮したい場合には入力
電圧に応じた効率変換分を加算する。
【0056】これにより、過電流状態の検出誤差を、変
換効率の変動幅(約10%)とセンス抵抗Rsの精度
(1%以下)に抑えることができる。また、高電圧で低
電流である入力側にセンス抵抗Rsを挿入することによ
り、センス抵抗Rsでのロスを大幅に削減することがで
きる。
【0057】例えば、入力電圧範囲が10V〜20V、
出力電圧が1.5V、出力電流が10A、センス抵抗R
s以外(MOSFET Q1、Q2、チョークコイル
L、フリーホイールダイオードD、入力コンデンサCo
ut、出力コンデンサCin)での損失の合計を2W
(入力電圧による損失の変動はこの試算では無いものと
する)、過電流保護動作判定部3にあるセンス抵抗Rs
端子間電圧測定部(入力電圧検出部2に設けられてい
る)の入力下限値(これ以下の電圧を検出できない)を
100mVとした場合について考える。
【0058】上述した従来技術1のように負荷(ターゲ
ット回路)側にセンス抵抗を設けた場合、出力電流10
Aで100mVを検知するためには、10mΩの抵抗を
挿入する。この場合の損失は、 10A×10A×10mΩ=1W となる。
【0059】これに対して、本発明のように入力側にセ
ンス抵抗を設けた場合、DCDCコンバータによる損失
を含む入力電力値で判定するため、入力電圧によって保
護機能が動作する電流値が変動する。この場合、過電流
保護機能を動作させるための入力電力(保護動作入力電
力)は、 [保護動作入力電力]=[保護動作出力電力]+[セン
ス抵抗Rs以外での全損失電力]=1.5V×10A+
2W=17W となる。センス抵抗Rsの値は、過電流保護機能を動作
させる最小入力電流値のときにも検知下限電圧(入力下
限値)に達している必要があるので、 [保護動作最小入力電流]=[保護動作入力電力]/
[最大入力電圧]=17W/20V=0.85A [設定すべきセンス抵抗Rsの抵抗値]=[検知電圧下
限]/[最小入力電流]=100mV/0.85A=1
17mΩ となる。保護機能が動作する入力電流値は入力電圧に依
存し、 [保護動作入力電流]=[保護動作入力電力]/[入力
電圧] で決まるので、センス抵抗Rsでの損失は、 [センス抵抗Rsでの損失]=[保護動作入力電流]×
[保護動作入力電流]×[センス抵抗Rsの抵抗値] となる。以上の計算式に試算条件を代入すると、入力電
圧が最大(20V)のときにセンス抵抗Rsでの損失が
最小になり、 [保護動作入力電流]=0.85A [センス抵抗Rsでの損失]=0.085W となり、入力電圧が最小(10V)のときにセンス抵抗
Rsでの損失が最大になり、 [保護動作入力電流]=1.7A [センス抵抗Rsでの損失]=0.338W となる。よって、従来方式においてセンス抵抗Rsでの
損失が1Wであるのに比べると、本発明によればセンス
抵抗での損失を大幅に削減できることが分かる。
【0060】なお、本実施形態では、部品温度による補
正は行わなくてもよい。その理由は、上述したように周
囲温度の変化で効率が5%以上も変化することは無いか
らである。本発明が対象としている降圧DCDCコンバ
ータにおいて、一般的な変換効率は90%前後であり、
効率の変動量=電流値の変動量であるので、本発明の精
度面には5%程度しか影響が生じない。さらに、部品温
度を検知する部品(センサーと温度を読み取るための部
品)が必要となる上、どの部品温度を測定するのかによ
っても測定結果が変わって精度が期待できず、効果とコ
ストとが折り合わないためである。これに対して、電池
で駆動されるPC等では、入力電圧が20V前後〜8V
前後まで変動するため、効率の変化が10%程度起こる
ことがある。本発明では、入力電圧を検出する機能を有
しているため、この補正を補正係数の設定と演算処理を
追加するだけで実現することができる。よって、コスト
が殆どかからずに、かつ、効果を確実に見込むことがで
きる。
【0061】さらに、本発明において、基板上に降圧D
CDCコンバータを構成する際には、入力コンデンサC
in、MOSFET Q1、Q2、チョークコイルL、
出力コンデンサCoutおよび制御IC(スイッチング
制御部4)には大電流が流れるか、または大電流を高速
制御するために最短距離で配線配置する必要がある。し
かし、センス抵抗Rsには、その必要がない。その理由
は、入力側は出力側に比べて電流値が小さいからであ
る。例えば、上記試算例の条件では、入力側に挿入する
場合には2A程度で済むが、出力側に挿入する場合には
10Aが流れる。よって、センス回路Rsを降圧DCD
Cコンバータを構成する他の部品から離して配置するこ
とができ、配置の自由度および放熱の容易さの点からも
好ましい。なお、本発明が好適に用いられる用途(例え
ばCPU用電源)では、MOSFET Q1のOFF時
間がON時間よりも圧倒的に長いため、MOSFET
Q1のOFF中に充電される入力コンデンサCinと入
力部Vinとの接続には多少距離が存在しても問題な
い。しかし、MOSFET Q1がONすると、チョー
クコイルLに流れる電流のうちの大半を入力コンデンサ
Cinが供給するため、入力コンデンサCinの放電電
流が非常に大きくなる。よって、入力コンデンサCin
は、MOSFET Q1の近傍に最短距離で配線しない
と、配線の抵抗が原因となった効率の低下や、配線のイ
ンダクタンスによるMOSFET Q1の動作不良を招
く場合がある。
【0062】以下に、上記過電流保護動作判定部3につ
いて、図3を用いてさらに詳しく説明する。ここでは、
入力電流検出部1、入力電圧検出部2、電力計算部5、
電力上限補正部6、最大電流判定部7、最大電力判定部
8、最小電圧判定部9、最大電圧判定部10、停止信号
出力回路11、各種限界値設定部および電力補正係数設
定部12、各種限界値と補正係数の保持回路16が設け
られている。
【0063】入力電流検出部1には、センス抵抗Rsの
両端の電位差が入力され、その電位差を入力電流値を示
す内部処理用の信号に変換して出力する。
【0064】入力電圧検出部2には、入力コンデンサC
inの両端の電位差が入力され、その電位差を入力電圧
値を示す内部処理用の信号に変換して出力する。
【0065】電力計算部5には、入力電流値を示す信号
と入力電圧値を示す信号とが入力され、両者を乗算して
得られる入力電力値を示す信号を出力する。
【0066】各種限界値と補正係数の保持回路16は、
DCDCコンバータ制御ICの保護動作電圧値や電流
値、補正係数等の設定情報をアナログ信号(電圧値)ま
たはROM等のデジタル値の形で保持し、DCDCコン
バータ制御ICに各々の保持方法に適した方法で出力す
る。この保持回路16からは、最大入力電流値を示す信
号、最小入力電圧値を示す信号、最大入力電圧値を示す
信号および電力補正係数を示す信号が出力される。
【0067】各種限界値設定部および電力補正係数設定
部12には、最大入力電流値を示す信号、最小入力電圧
値を示す信号、最大入力電圧値を示す信号および電力補
正係数を示す信号が入力される。そして、入力を電力上
限補正部、最大電流判定部、最小電流判定部および最大
電圧判定部での処理に好都合な信号に変換し、内部処理
用の最大入力電流値を示す信号、最小入力電圧値を示す
信号、最大入力電圧値を示す信号および電力補正係数を
示す信号を出力する。
【0068】電力上限補正部6には、入力電圧を示す信
号、最大入力電力値を示す信号、電力補正係数を示す内
部処理用の信号が入力される。そして、入力電圧と補正
係数から計算した補正値により最大入力電力値を補正し
て、補正済み最大入力電力値を示す信号を出力する。
【0069】最大電流判定部7には、入力電流値を示す
信号および内部処理用の最大入力電流値を示す信号が入
力される。そして、2値を比較して限界値以内であるか
どうかを判定し、最大電流判定結果を示す信号を出力す
る。
【0070】最小電圧判定部9には、入力電圧値を示す
信号および内部処理用の最小入力電圧値を示す信号が入
力される。そして、2値を比較して限界値以内であるか
どうかを判定し、最小電圧判定結果を示す信号を出力す
る。
【0071】最大電圧判定部10には、入力電圧値を示
す信号および内部処理用の最大入力電圧値を示す信号が
入力される。そして、2値を比較して限界値以内である
かどうかを判定し、最大電圧判定結果を示す信号を出力
する。
【0072】最大電力判定部8には、入力電力値を示す
信号および補正済み最大入力電力値を示す信号が入力さ
れる。そして、2値を比較して限界値以内であるかどう
かを判定し、最大電力判定結果を示す信号を出力する。
【0073】停止信号出力回路11には、最大電流判定
結果を示す信号、最小電圧判定結果を示す信号、最大電
圧判定結果を示す信号および最大電力判定結果を示す信
号が入力される。そして、いずれか1つの入力でも異常
を示す判定結果がある場合には、停止信号を生成してス
イッチング制御部4に出力する。一度停止信号を発生す
ると、電源がOFFされるまで(Vinへの電源供給が
止まるまで)保持する。
【0074】スイッチング制御部4は、この停止信号出
力回路11からの停止信号または他の保護機能部13
(例えば過電圧保護機能や過熱保護機能)からの停止信
号を受けて出力を停止し、これによって降圧DCDCコ
ンバータからターゲット回路への電圧出力が停止され
る。
【0075】例えばアナログ回路の場合には、各検出部
をアナログ増幅器、電力計算部をアナログ乗算器、各判
定部をコンパレータ、停止信号出力回路をロジック回路
で構成することができる。また、デジタルロジック回路
で構成する場合には、各検出部や設定値入力部をA/D
変換器、電力計算部をデジタル乗算器、各判定部や停止
信号出力回路をロジック回路で構成することができる。
さらに、マイクロコンピュータで構成する場合には、各
検出部をA/D変換器、電力計算部、各判定部や停止信
号出力回路をマイクロコンピュータで構成することがで
きる。
【0076】このような過電流保護動作判定部3は、例
えば図4に示すように、電源制御回路(スイッチング制
御部)と同一パッケージ内に設けてDCDCコンバータ
制御IC14を構成してもよい。また、図5に示すよう
に、過電流保護動作判定部を単独でモジュール化もしく
はIC化して過電流保護動作判定ICもしくは過電流保
護動作判定回路モジュール3aを作製するか、または基
板上に個別部品を作製し、これと既存のDCDCコンバ
ータ制御IC15とを組み合わせてもよい。
【0077】図6は、本発明の一実施形態であるコンピ
ュータ用の基板の構成例を説明するためのブロック図で
ある。このコンピュータ用の基板には、上述したような
本発明を用いた降圧DCDCコンバータと、ターゲット
回路であるCPU(例えばPentiumIII(商品
名))とが搭載されている。ACアダプタ(AC−ad
apter)が繋がっているときにはアダプタからDC
20Vの電源が、ACアダプタが無いときには電池パッ
ク(Li−ION battery pack)からD
C12.6V〜10Vの電源が自動的に選択される。そ
して、CPU用電源回路によって降圧されたDC1.6
V/15Aの電源電圧がCPUに対して供給されるよう
になっている。
【0078】このコンピュータ用の基板では、本発明を
用いた降圧DCDCコンバータによりCPUに電源電圧
を供給しているので、変換効率を向上して低消費電力化
を図ることができる。また、過電流状態の検出精度を高
くすると共に入力電圧の変動にも対応することができる
ので、安全性を向上させることができる。さらに、部品
配置の自由度が大きく、放熱が容易であるので発熱によ
る効率低下を防ぐこともできる。
【0079】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
降圧DCDCコンバータの電源電圧入力部側にセンス抵
抗を挿入することができるので、センス抵抗によるロス
を低減して降圧DCDCコンバータの変換効率を向上す
ることができる。また、温度係数や製造ばらつきの大き
い部品を電流検知に使用せず、精度の高いセンス抵抗を
使用することにより、検出精度を確保することができ
る。よって、過電流状態で保護動作が動作しなかった
り、誤動作するのを防いで安全性を向上することができ
る。また、電流だけではなく電圧も監視して、電流およ
び電圧の両面から正常動作域であるか否かを判定するの
で、入力電圧の変動にも対応することができる。さら
に、センス抵抗を出力側ではなく、入力側に配置するこ
とにより、出力側の大電流が流れる部分で部品を1点少
なくすることができる。よって、部品配置の自由度を大
きくすることができ、放熱も容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である過電流保護動作制御
方法を説明するためのブロック図である。
【図2】本発明の一実施形態である過電流保護動作判定
部により判定される降圧DCDCコンバータの正常動作
域について説明するための図である。
【図3】本発明の一実施形態である過電流保護動作判定
部の構成を説明するためのブロック図である。
【図4】本発明の一実施形態である過電流保護動作判定
部を含むDCDCコンバータ制御ICの構成を説明する
ためのブロック図である。
【図5】本発明の一実施形態である過電流保護動作判定
部を単独でモジュール化もしくはIC化し、または基板
上に個別部品で作製し、既存のDCDCコンバータ制御
ICと組み合わせた構成例を説明するためのブロック図
である。
【図6】本発明の一実施形態であるコンピュータ用の基
板の構成例を説明するためのブロック図である。
【図7】従来技術1の過電流保護動作制御方法を説明す
るためのブロック図である。
【図8】従来技術2の過電流保護動作制御方法を説明す
るためのブロック図である。
【図9】従来技術3の過電流保護動作制御方法を説明す
るためのブロック図である。
【符号の説明】
1 入力電流検出部 2 入力電圧検出部 3 過電流保護動作判定部 3a 過電流保護動作判定ICまたは過電流保護動作判
定モジュール 4 スイッチング制御部 5 電力計算部 6 電力上限値補正部 7 最大電流判定部 8 最大電力判定部 9 最小電圧判定部 10 最大電圧判定部 11 停止信号出力回路 12 各種限界値設定部および電力補正係数設定部 13 他の保護機能部 14 DCDCコンバータ制御IC 15 既存のDCDCコンバータ制御IC 16 各種限界値と補正係数の保持回路
フロントページの続き Fターム(参考) 5F038 BB04 BB08 BH15 BH16 BH19 BH20 DF01 DF03 DF04 DF07 DF16 DT12 DT18 EZ20 5H730 AA14 AA20 AS01 AS05 AS19 BB13 DD04 EE13 FD01 FD11 FD41 FF09 FG15 XX03 XX15 XX22 XX32 XX35 XX43 (54)【発明の名称】 降圧DCDCコンバータの過電流保護動作制御方法、降圧DCDCコンバータの過電流保護動作 判定集積回路、降圧DCDCコンバータの過電流保護動作判定回路モジュールおよび降圧DCD Cコンバータの制御集積回路並びにコンピュータ用の基板

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力電源電圧の変動を許容し、入力され
    た電源電圧を変換して降圧した電圧を出力する降圧DC
    DCコンバータに対して過電流保護動作を制御するため
    の方法であって、 降圧DCDCコンバータの電源電圧入力部側にセンス抵
    抗を挿入して入力部側の電圧値および電流値を検出し、 検出した両値および両値から計算した電力値が正常動作
    域であるか否かを判断し、 いずれかの値が正常動作域外であると判断された場合
    に、スイッチングを制御する制御用回路を出力停止状態
    にするように制御する降圧DCDCコンバータの過電流
    保護動作制御方法。
  2. 【請求項2】 入力電源電圧の変動を許容し、入力され
    た電源電圧を変換して降圧した電圧を出力する降圧DC
    DCコンバータに対して過電流保護動作を行わせるか否
    かを判定するための集積回路であって、 降圧DCDCコンバータの電源電圧入力部から入力され
    る電圧値および電流値を検出する手段と、 検出された両値および両値から計算した電力値が正常動
    作域であるか否かを判断する手段と、 いずれかの値が正常動作域外であると判断された場合
    に、降圧DCDCコンバータのスイッチングを制御する
    制御用回路に対して、出力停止状態にすることを指示す
    る停止信号を出力する手段とを備えた降圧DCDCコン
    バータの過電流保護動作判定集積回路。
  3. 【請求項3】 入力電源電圧の変動を許容し、入力され
    た電源電圧を変換して降圧した電圧を出力する降圧DC
    DCコンバータに対して過電流保護動作を行わせるか否
    かを判定するための回路モジュールであって、 降圧DCDCコンバータに対して電源電圧入力部から入
    力される電圧値および電流値を検出する手段と、 検出された両値および両値から計算した電力値が正常動
    作域であるか否かを判断する手段と、 いずれかの値が正常動作域外であると判断された場合
    に、降圧DCDCコンバータのスイッチングを制御する
    制御用回路に対して、出力停止状態にすることを指示す
    る停止信号を出力する手段とがプリント基板上に配置さ
    れた降圧DCDCコンバータの過電流保護動作判定回路
    モジュール。
  4. 【請求項4】 入力電源電圧の変動を許容し、入力され
    た電源電圧を変換して降圧した電圧を出力する降圧DC
    DCコンバータを制御するための集積回路であって、 降圧DCDCコンバータに対して電源電圧入力部から入
    力される電圧値および電流値を検出する手段と、 検出された両値および両値から計算した電力値が正常動
    作域であるか否かを判断する手段と、 降圧DCDCコンバータのスイッチングを制御する手段
    と、 いずれかの値が正常動作域外であると判断された場合
    に、降圧DCDCコンバータのスイッチングを制御する
    手段に対して、出力停止状態にすることを指示する停止
    信号を出力する手段とを同一チップ内に備えた降圧DC
    DCコンバータの制御集積回路。
  5. 【請求項5】 降圧DCDCコンバータに対して電源電
    圧入力部から入力される電流を検知するためのセンス抵
    抗と、 請求項2に記載の降圧DCDCコンバータの過電流保護
    動作判定集積回路または請求項3に記載の降圧DCDC
    コンバータの過電流保護動作判定回路モジュールと、 DCDCコンバータ制御ICとを用いて過電流保護動作
    を制御した降圧DCDCコンバータによって、ターゲッ
    ト回路に電源電圧を供給するコンピュータ用の基板。
  6. 【請求項6】 降圧DCDCコンバータに対して電源電
    圧入力部から入力される電流を検知するためのセンス抵
    抗と、 請求項4に記載の降圧DCDCコンバータの制御集積回
    路とを用いて過電流保護動作を制御した降圧DCDCコ
    ンバータによって、ターゲット回路に対して電源電圧を
    供給するコンピュータ用の基板。
JP2000267828A 2000-09-04 2000-09-04 降圧dcdcコンバータの過電流保護動作制御方法、降圧dcdcコンバータの過電流保護動作判定集積回路、降圧dcdcコンバータの過電流保護動作判定回路モジュールおよび降圧dcdcコンバータの制御集積回路並びにコンピュータ用の基板 Withdrawn JP2002084742A (ja)

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JP (1) JP2002084742A (ja)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005091482A1 (ja) * 2004-03-24 2005-09-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dc−dcコンバータ
JP2007067095A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Toshiba Corp 静電保護回路
JP2007324322A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 New Japan Radio Co Ltd 半導体集積回路
US7319311B2 (en) 2004-07-20 2008-01-15 Ricoh Company, Ltd. Step down switching regulator with the substrate of the switching transistor selectively connected to either its drain or source
JP2008072837A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電源装置
US7358711B2 (en) 2002-07-10 2008-04-15 Marvell World Trade Ltd. Adaptive control loop
JP2008092746A (ja) * 2006-10-05 2008-04-17 Meidensha Corp コンデンサ充電装置
JP2009005432A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Kayaba Ind Co Ltd 電源装置
JP2010011560A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Seiko Npc Corp スイッチング電源装置
JP2010011566A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Omron Corp 電圧変換装置
JP2010027709A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Toshiba Corp 半導体装置
JP2010073754A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 半導体回路及び電源装置
JP2011138809A (ja) * 2009-12-25 2011-07-14 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
JP2012085530A (ja) * 2012-01-16 2012-04-26 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
JP2012109597A (ja) * 2012-01-16 2012-06-07 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
JP2012109596A (ja) * 2012-01-16 2012-06-07 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
US8258763B2 (en) 2009-03-25 2012-09-04 Sanken Electric Co., Ltd. Switching power supply unit and control circuit for same
JP2013084992A (ja) * 2013-01-21 2013-05-09 Toshiba Corp 半導体装置
JP2014060456A (ja) * 2013-12-19 2014-04-03 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
JP2015119555A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 株式会社オートネットワーク技術研究所 過電流保護回路及び回路装置
JP2016048995A (ja) * 2014-08-28 2016-04-07 オンキヨー&パイオニアテクノロジー株式会社 保護回路
JP2017204921A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 富士電機株式会社 スイッチング電源装置
JP2021078249A (ja) * 2019-11-11 2021-05-20 三菱電機エンジニアリング株式会社 電力変換装置、及び電力変換制御装置
WO2022045106A1 (ja) * 2020-08-28 2022-03-03 三菱電機株式会社 コンパレータ、発振器、及び、電力変換器
CN117277823A (zh) * 2023-11-20 2023-12-22 宁德时代新能源科技股份有限公司 直流-直流变换器及其状态控制方法、装置及存储介质

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7609043B2 (en) 2002-07-10 2009-10-27 Marvell World Trade Ltd. Power array system and method
US7622904B2 (en) 2002-07-10 2009-11-24 Marvell World Trade Ltd. Power array system and method
US7358711B2 (en) 2002-07-10 2008-04-15 Marvell World Trade Ltd. Adaptive control loop
US7368898B2 (en) 2002-07-10 2008-05-06 Marvell World Trade, Ltd. Power array system and method
US7411377B2 (en) 2002-07-10 2008-08-12 Marvell World Trade Ltd. Adaptive control loop
WO2005091482A1 (ja) * 2004-03-24 2005-09-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dc−dcコンバータ
JPWO2005091482A1 (ja) * 2004-03-24 2008-02-07 松下電器産業株式会社 Dc−dcコンバータ
JP4685009B2 (ja) * 2004-03-24 2011-05-18 パナソニック株式会社 Dc−dcコンバータ
US7482796B2 (en) 2004-07-20 2009-01-27 Ricoh Company, Ltd Switching regulator, power supply circuit and secondary cell charging circuit including the same
US7319311B2 (en) 2004-07-20 2008-01-15 Ricoh Company, Ltd. Step down switching regulator with the substrate of the switching transistor selectively connected to either its drain or source
JP2007067095A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Toshiba Corp 静電保護回路
JP2007324322A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 New Japan Radio Co Ltd 半導体集積回路
JP2008072837A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電源装置
JP2008092746A (ja) * 2006-10-05 2008-04-17 Meidensha Corp コンデンサ充電装置
JP2009005432A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Kayaba Ind Co Ltd 電源装置
JP2010011560A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Seiko Npc Corp スイッチング電源装置
JP2010011566A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Omron Corp 電圧変換装置
JP2010027709A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Toshiba Corp 半導体装置
US8253398B2 (en) 2008-07-16 2012-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JP2010073754A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 半導体回路及び電源装置
US8258763B2 (en) 2009-03-25 2012-09-04 Sanken Electric Co., Ltd. Switching power supply unit and control circuit for same
JP2011138809A (ja) * 2009-12-25 2011-07-14 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
US20130249512A1 (en) * 2009-12-25 2013-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and dc-to-dc converter
US9780659B2 (en) 2009-12-25 2017-10-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and DC-to-DC converter
US9189001B2 (en) 2009-12-25 2015-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and DC-to-DC converter
JP2012085530A (ja) * 2012-01-16 2012-04-26 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
JP2012109596A (ja) * 2012-01-16 2012-06-07 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
JP2012109597A (ja) * 2012-01-16 2012-06-07 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
JP2013084992A (ja) * 2013-01-21 2013-05-09 Toshiba Corp 半導体装置
JP2015119555A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 株式会社オートネットワーク技術研究所 過電流保護回路及び回路装置
JP2014060456A (ja) * 2013-12-19 2014-04-03 Toshiba Corp 半導体装置及びdc−dcコンバータ
JP2016048995A (ja) * 2014-08-28 2016-04-07 オンキヨー&パイオニアテクノロジー株式会社 保護回路
US9866009B2 (en) 2014-08-28 2018-01-09 Onkyo & Pioneer Technology Corporation Protection circuit
JP2017204921A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 富士電機株式会社 スイッチング電源装置
JP2021078249A (ja) * 2019-11-11 2021-05-20 三菱電機エンジニアリング株式会社 電力変換装置、及び電力変換制御装置
JP7312088B2 (ja) 2019-11-11 2023-07-20 三菱電機エンジニアリング株式会社 電力変換装置、及び電力変換制御装置
WO2022045106A1 (ja) * 2020-08-28 2022-03-03 三菱電機株式会社 コンパレータ、発振器、及び、電力変換器
JPWO2022045106A1 (ja) * 2020-08-28 2022-03-03
JP7325649B2 (ja) 2020-08-28 2023-08-14 三菱電機株式会社 コンパレータ、発振器、及び、電力変換器
US11791787B2 (en) 2020-08-28 2023-10-17 Mitsubishi Electric Corporation Comparator, oscillator, and power converter
CN117277823A (zh) * 2023-11-20 2023-12-22 宁德时代新能源科技股份有限公司 直流-直流变换器及其状态控制方法、装置及存储介质
CN117277823B (zh) * 2023-11-20 2024-04-12 宁德时代新能源科技股份有限公司 直流-直流变换器及其状态控制方法、装置及存储介质

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