JP2002076780A - パワーアンプ回路の出力電力調整方法及びパワーアンプ回路 - Google Patents
パワーアンプ回路の出力電力調整方法及びパワーアンプ回路Info
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- JP2002076780A JP2002076780A JP2000258624A JP2000258624A JP2002076780A JP 2002076780 A JP2002076780 A JP 2002076780A JP 2000258624 A JP2000258624 A JP 2000258624A JP 2000258624 A JP2000258624 A JP 2000258624A JP 2002076780 A JP2002076780 A JP 2002076780A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高効率化を図る。
【解決手段】 バイアス回路４は、トランジスタ１に供
給するバイアスの調整が可能である。入力側整合回路２
及び出力側整合回路３は、インピーダンスの調整が可能
である。バイアス回路４は、パワーアンプ回路で所望の
出力電力が得られるようにバイアスが調整される。入力
側整合回路２及び出力側整合回路３は、電力効率が最大
となるようにインピーダンスが調整される。
給するバイアスの調整が可能である。入力側整合回路２
及び出力側整合回路３は、インピーダンスの調整が可能
である。バイアス回路４は、パワーアンプ回路で所望の
出力電力が得られるようにバイアスが調整される。入力
側整合回路２及び出力側整合回路３は、電力効率が最大
となるようにインピーダンスが調整される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーアンプ回路
に係り、特に高効率の実現が可能なパワーアンプ回路の
出力電力調整方法及びパワーアンプ回路に関するもので
ある。
に係り、特に高効率の実現が可能なパワーアンプ回路の
出力電力調整方法及びパワーアンプ回路に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワーアンプ回路において所望の
出力電力を得ようとする場合には、パワーアンプ回路の
入力電力を調整していた。
出力電力を得ようとする場合には、パワーアンプ回路の
入力電力を調整していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、携帯電話等の移
動通信端末が広く一般に普及しているが、このような移
動通信端末では、所要の出力電力を得るために送信回路
の終段にパワーアンプ回路が用いられている。移動通信
端末用のパワーアンプ回路では、動作時の歪み特性は必
要最低限の性能を満たしていれば十分であり、その分、
歪み特性と相反する関係にある高効率を求められる。し
かしながら、従来のように、入力電力によってパワーア
ンプ回路の出力電力を変化させると、低出力時において
パワーアンプ回路の歪み特性が必要十分以上に良くな
り、その代わりに電力効率が低下するという問題点があ
った。本発明は、上記課題を解決するためになされたも
ので、低出力時であっても高い効率が得られるパワーア
ンプ回路の出力電力調整方法及びパワーアンプ回路を提
供することを目的とする。
動通信端末が広く一般に普及しているが、このような移
動通信端末では、所要の出力電力を得るために送信回路
の終段にパワーアンプ回路が用いられている。移動通信
端末用のパワーアンプ回路では、動作時の歪み特性は必
要最低限の性能を満たしていれば十分であり、その分、
歪み特性と相反する関係にある高効率を求められる。し
かしながら、従来のように、入力電力によってパワーア
ンプ回路の出力電力を変化させると、低出力時において
パワーアンプ回路の歪み特性が必要十分以上に良くな
り、その代わりに電力効率が低下するという問題点があ
った。本発明は、上記課題を解決するためになされたも
ので、低出力時であっても高い効率が得られるパワーア
ンプ回路の出力電力調整方法及びパワーアンプ回路を提
供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のパワーアンプ回
路の出力電力調整方法は、電力増幅用のトランジスタ
（１）に供給するバイアスをパワーアンプ回路で所望の
出力電力が得られるように調整すると共に、前記トラン
ジスタの入力側に設けられた入力側整合回路（２）及び
前記トランジスタの出力側に設けられた出力側整合回路
（３）のインピーダンスを電力効率が最大となるように
調整するものである。また、本発明のパワーアンプ回路
は、電力増幅用のトランジスタ（１）と、このトランジ
スタに供給するバイアスの調整が可能なバイアス回路
（４）と、前記トランジスタの入力側に設けられた、イ
ンピーダンスの調整が可能な入力側整合回路（２）と、
前記トランジスタの出力側に設けられた、インピーダン
スの調整が可能な出力側整合回路（３）とを備え、前記
バイアス回路は、パワーアンプ回路で所望の出力電力が
得られるように前記バイアスが調整され、前記入力側整
合回路及び出力側整合回路は、電力効率が最大となるよ
うに前記インピーダンスが調整されるものである。
路の出力電力調整方法は、電力増幅用のトランジスタ
（１）に供給するバイアスをパワーアンプ回路で所望の
出力電力が得られるように調整すると共に、前記トラン
ジスタの入力側に設けられた入力側整合回路（２）及び
前記トランジスタの出力側に設けられた出力側整合回路
（３）のインピーダンスを電力効率が最大となるように
調整するものである。また、本発明のパワーアンプ回路
は、電力増幅用のトランジスタ（１）と、このトランジ
スタに供給するバイアスの調整が可能なバイアス回路
（４）と、前記トランジスタの入力側に設けられた、イ
ンピーダンスの調整が可能な入力側整合回路（２）と、
前記トランジスタの出力側に設けられた、インピーダン
スの調整が可能な出力側整合回路（３）とを備え、前記
バイアス回路は、パワーアンプ回路で所望の出力電力が
得られるように前記バイアスが調整され、前記入力側整
合回路及び出力側整合回路は、電力効率が最大となるよ
うに前記インピーダンスが調整されるものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施
の形態となるパワーアンプ回路の構成を示すブロック図
である。図１のパワーアンプ回路は、電力増幅用のトラ
ンジスタ１と、信号源インピーダンス（図示しない前段
の回路のインピーダンス）とトランジスタ１の入力イン
ピーダンスとの整合をとる入力側整合回路２と、トラン
ジスタ１の出力インピーダンスと負荷インピーダンス
（図示しない後段の回路のインピーダンス）との整合を
とる出力側整合回路３と、トランジスタ１に供給する直
流バイアス電圧の調整が可能なバイアス回路４と、入力
側整合回路２及び出力側整合回路３のインピーダンスを
制御するインピーダンス制御回路５とを有している。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施
の形態となるパワーアンプ回路の構成を示すブロック図
である。図１のパワーアンプ回路は、電力増幅用のトラ
ンジスタ１と、信号源インピーダンス（図示しない前段
の回路のインピーダンス）とトランジスタ１の入力イン
ピーダンスとの整合をとる入力側整合回路２と、トラン
ジスタ１の出力インピーダンスと負荷インピーダンス
（図示しない後段の回路のインピーダンス）との整合を
とる出力側整合回路３と、トランジスタ１に供給する直
流バイアス電圧の調整が可能なバイアス回路４と、入力
側整合回路２及び出力側整合回路３のインピーダンスを
制御するインピーダンス制御回路５とを有している。
【０００６】バイアス回路４は、例えば抵抗等の受動素
子、あるいは受動素子とトランジスタ等の能動素子とか
らなり、トランジスタ１に供給する直流バイアス電圧を
変えることができる。入力側整合回路２及び出力側整合
回路３は、例えば容量素子と電子スイッチとを直列に接
続した容量切替回路（不図示）を複数有している。イン
ピーダンス制御回路５は、前記電子スイッチのオン／オ
フ状態を切り替える制御信号を出力する。
子、あるいは受動素子とトランジスタ等の能動素子とか
らなり、トランジスタ１に供給する直流バイアス電圧を
変えることができる。入力側整合回路２及び出力側整合
回路３は、例えば容量素子と電子スイッチとを直列に接
続した容量切替回路（不図示）を複数有している。イン
ピーダンス制御回路５は、前記電子スイッチのオン／オ
フ状態を切り替える制御信号を出力する。
【０００７】この制御信号により、入力側整合回路２内
の各電子スイッチのオン／オフ状態を変化させると、入
力側整合回路２の少なくとも一部を構成する容量素子の
値が変わるので、結果としてトランジスタ１から見た入
力側整合回路２のインピーダンスが変化する。こうし
て、インピーダンス制御回路５により、入力側整合回路
２のインピーダンスを制御することができる。同様に、
出力側整合回路３のインピーダンスをインピーダンス制
御回路５によって制御することができる。
の各電子スイッチのオン／オフ状態を変化させると、入
力側整合回路２の少なくとも一部を構成する容量素子の
値が変わるので、結果としてトランジスタ１から見た入
力側整合回路２のインピーダンスが変化する。こうし
て、インピーダンス制御回路５により、入力側整合回路
２のインピーダンスを制御することができる。同様に、
出力側整合回路３のインピーダンスをインピーダンス制
御回路５によって制御することができる。
【０００８】本実施の形態では、トランジスタ１の直流
バイアス電圧に対する出力電力や電力効率等の諸特性
と、入力側整合回路２及び出力側整合回路３のインピー
ダンスに対する出力電力や電力効率等の諸特性を既知量
とし、これら諸特性のデータを基に、バイアス回路４か
らトランジスタ１に供給する直流バイアス電圧をパワー
アンプ回路で所望の出力電力が得られるように調整する
と共に、各バイアス電圧で要求される歪みを満足しつ
つ、最大効率が得られるように入力側整合回路２及び出
力側整合回路３のインピーダンスをインピーダンス制御
回路５によって制御する。これにより、高効率化を図る
ことができる。
バイアス電圧に対する出力電力や電力効率等の諸特性
と、入力側整合回路２及び出力側整合回路３のインピー
ダンスに対する出力電力や電力効率等の諸特性を既知量
とし、これら諸特性のデータを基に、バイアス回路４か
らトランジスタ１に供給する直流バイアス電圧をパワー
アンプ回路で所望の出力電力が得られるように調整する
と共に、各バイアス電圧で要求される歪みを満足しつ
つ、最大効率が得られるように入力側整合回路２及び出
力側整合回路３のインピーダンスをインピーダンス制御
回路５によって制御する。これにより、高効率化を図る
ことができる。
【０００９】なお、上述の電力効率とは、出力電力を消
費電力で割った比である。図１のパワーアンプ回路をＩ
Ｃ化できることは言うまでもない。また、本発明は、バ
イポーラトランジスタだけでなく、ユニポーラトランジ
スタにも適用することができる。
費電力で割った比である。図１のパワーアンプ回路をＩ
Ｃ化できることは言うまでもない。また、本発明は、バ
イポーラトランジスタだけでなく、ユニポーラトランジ
スタにも適用することができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、電力増幅用のトランジ
スタに供給するバイアスをパワーアンプ回路で所望の出
力電力が得られるように調整すると共に、トランジスタ
の入力側に設けられた入力側整合回路及びトランジスタ
の出力側に設けられた出力側整合回路のインピーダンス
を電力効率が最大となるように調整することにより、入
力電力によって出力電力を調整する従来のパワーアンプ
回路と比べて、低出力時における電力効率を向上させる
ことができる。
スタに供給するバイアスをパワーアンプ回路で所望の出
力電力が得られるように調整すると共に、トランジスタ
の入力側に設けられた入力側整合回路及びトランジスタ
の出力側に設けられた出力側整合回路のインピーダンス
を電力効率が最大となるように調整することにより、入
力電力によって出力電力を調整する従来のパワーアンプ
回路と比べて、低出力時における電力効率を向上させる
ことができる。
【図１】 本発明の実施の形態となるパワーアンプ回路
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
１…トランジスタ、２…入力側整合回路、３…出力側整
合回路、４…バイアス回路、５…インピーダンス制御回
路。
合回路、４…バイアス回路、５…インピーダンス制御回
路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J091 AA01 AA41 CA36 CA71 CA73 CA98 FA00 FA10 HA02 HA09 HA25 HA29 HA39 KA12 KA29 SA14 TA01 5J092 AA01 AA41 CA36 CA71 CA73 CA98 FA00 FA10 HA02 HA09 HA25 HA29 HA39 KA12 KA29 SA14 TA01
Claims (2)
- 【請求項１】 電力増幅用のトランジスタに供給するバ
イアスをパワーアンプ回路で所望の出力電力が得られる
ように調整すると共に、前記トランジスタの入力側に設
けられた入力側整合回路及び前記トランジスタの出力側
に設けられた出力側整合回路のインピーダンスを電力効
率が最大となるように調整することを特徴とするパワー
アンプ回路の出力電力調整方法。 - 【請求項２】 電力増幅用のトランジスタと、 このトランジスタに供給するバイアスの調整が可能なバ
イアス回路と、 前記トランジスタの入力側に設けられた、インピーダン
スの調整が可能な入力側整合回路と、 前記トランジスタの出力側に設けられた、インピーダン
スの調整が可能な出力側整合回路とを備え、 前記バイアス回路は、パワーアンプ回路で所望の出力電
力が得られるように前記バイアスが調整され、 前記入力側整合回路及び出力側整合回路は、電力効率が
最大となるように前記インピーダンスが調整されること
を特徴とするパワーアンプ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000258624A JP2002076780A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | パワーアンプ回路の出力電力調整方法及びパワーアンプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000258624A JP2002076780A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | パワーアンプ回路の出力電力調整方法及びパワーアンプ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076780A true JP2002076780A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18746912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000258624A Pending JP2002076780A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | パワーアンプ回路の出力電力調整方法及びパワーアンプ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002076780A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030096861A (ko) * | 2002-06-18 | 2003-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 전압제어를 통한 주파수 변경 가능한 고주파 증폭기 |
| KR100654644B1 (ko) | 2004-06-18 | 2006-12-08 | 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 | 최적화된 전력 효율을 갖는 전력 증폭기 |
| KR100749932B1 (ko) | 2004-03-05 | 2007-08-16 | 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 | 바이패스 스위치를 사용하지 않는 다중 전력 모드 전력증폭 장치 |
| WO2008147932A2 (en) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Bitwave Semiconductor, Incorporated | Reconfigurable tunable rf power amplifier |
| CN106507379A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-03-15 | 公安部第三研究所 | 实现移动信号深度覆盖智能终端的优化控制的***及方法 |
-
2000
- 2000-08-29 JP JP2000258624A patent/JP2002076780A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030096861A (ko) * | 2002-06-18 | 2003-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 전압제어를 통한 주파수 변경 가능한 고주파 증폭기 |
| KR100749932B1 (ko) | 2004-03-05 | 2007-08-16 | 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 | 바이패스 스위치를 사용하지 않는 다중 전력 모드 전력증폭 장치 |
| KR100654644B1 (ko) | 2004-06-18 | 2006-12-08 | 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 | 최적화된 전력 효율을 갖는 전력 증폭기 |
| WO2008147932A2 (en) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Bitwave Semiconductor, Incorporated | Reconfigurable tunable rf power amplifier |
| WO2008147932A3 (en) * | 2007-05-24 | 2009-02-12 | Bitwave Semiconductor Inc | Reconfigurable tunable rf power amplifier |
| US7764125B2 (en) | 2007-05-24 | 2010-07-27 | Bitwave Semiconductor, Inc. | Reconfigurable tunable RF power amplifier |
| USRE45418E1 (en) | 2007-05-24 | 2015-03-17 | Tridev Research Llc | Reconfigurable tunable RF power amplifier |
| CN106507379A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-03-15 | 公安部第三研究所 | 实现移动信号深度覆盖智能终端的优化控制的***及方法 |
| CN106507379B (zh) * | 2016-11-29 | 2019-12-03 | 公安部第三研究所 | 实现移动信号深度覆盖智能终端的优化控制的***及方法 |
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