JP2002076313A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体撮像素子チップに反りが生じないように
した固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 複数の固体撮像素子７を搭載した固体撮
像素子チップ１と、固体撮像素子チップ１に電気的に接
続され複数の固体撮像素子７の各々からの信号を伝達す
る配線基板２と、固体撮像素子チップ１の光入射側に設
けられ固体撮像素子チップ１を保護する保護キャップ３
とを備えた固体撮像装置において、固体撮像素子チップ
１を、保護キャップ３と同じ熱膨張係数の基板４上に設
け、基板４と保護キャップ３とを封止樹脂８によって封
止してなることを特徴とする。
した固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 複数の固体撮像素子７を搭載した固体撮
像素子チップ１と、固体撮像素子チップ１に電気的に接
続され複数の固体撮像素子７の各々からの信号を伝達す
る配線基板２と、固体撮像素子チップ１の光入射側に設
けられ固体撮像素子チップ１を保護する保護キャップ３
とを備えた固体撮像装置において、固体撮像素子チップ
１を、保護キャップ３と同じ熱膨張係数の基板４上に設
け、基板４と保護キャップ３とを封止樹脂８によって封
止してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デジタルカメラな
どに用いられるＣＣＤあるいはＣＭＯＳイメージセンサ
等の固体撮像装置に関する。
どに用いられるＣＣＤあるいはＣＭＯＳイメージセンサ
等の固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤあるいはＣＭＯＳイメージ
センサ等の固体撮像装置は、デジタルカメラなどに利用
され、利用範囲が広がっている。そして、製品の小型
化、薄型化に伴い、固体撮像装置の小型化、薄型化が強
く求められている。この要求に答える為に、たとえば特
開平７−９９２１４号公報に記載されているような、Ｔ
ＡＢ（tape-automated bonding）テープを用いた固体撮
像装置がある。
センサ等の固体撮像装置は、デジタルカメラなどに利用
され、利用範囲が広がっている。そして、製品の小型
化、薄型化に伴い、固体撮像装置の小型化、薄型化が強
く求められている。この要求に答える為に、たとえば特
開平７−９９２１４号公報に記載されているような、Ｔ
ＡＢ（tape-automated bonding）テープを用いた固体撮
像装置がある。
【０００３】図７は、上記公報に記載されている固体撮
像装置の断面図である。図７に示すように従来の固体撮
像装置は、保護キャップ３の一方の面に絶縁フィルム２
２及び銅リード２１を有するＴＡＢテープ２が接着剤１
０により接着されている。
像装置の断面図である。図７に示すように従来の固体撮
像装置は、保護キャップ３の一方の面に絶縁フィルム２
２及び銅リード２１を有するＴＡＢテープ２が接着剤１
０により接着されている。
【０００４】そして、ＴＡＢテープ２は、異方性導電膜
９を介して、固体撮像素子７を複数搭載した固体撮像素
子チップ１の電極パッド５上に設けられたバンプ６に接
続されている。なお、ＴＡＢテープ２は、超音波ボンデ
ィングで直接バンプ６に接続することも可能である。
９を介して、固体撮像素子７を複数搭載した固体撮像素
子チップ１の電極パッド５上に設けられたバンプ６に接
続されている。なお、ＴＡＢテープ２は、超音波ボンデ
ィングで直接バンプ６に接続することも可能である。
【０００５】それから、固体撮像素子チップ１と保護キ
ャップ３の周辺部を封止樹脂８により封止する。このよ
うなＴＡＢテープ２を用いた固体撮像装置は、たとえば
ワイヤボンディングしたセラミックパッケージに比べ小
型で、薄型にすることができる。
ャップ３の周辺部を封止樹脂８により封止する。このよ
うなＴＡＢテープ２を用いた固体撮像装置は、たとえば
ワイヤボンディングしたセラミックパッケージに比べ小
型で、薄型にすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術
は、固体撮像素子チップと保護キャップとの熱膨張係数
が異なる為に、製造工程での加熱あるいは使用時の温度
変化によって固体撮像素子チップに反りが発生してい
た。この対策の一つとして、固体撮像素子チップの主材
質であるシリコンに熱膨張係数が比較的近い保護キャッ
プを使用することが考えられる。
は、固体撮像素子チップと保護キャップとの熱膨張係数
が異なる為に、製造工程での加熱あるいは使用時の温度
変化によって固体撮像素子チップに反りが発生してい
た。この対策の一つとして、固体撮像素子チップの主材
質であるシリコンに熱膨張係数が比較的近い保護キャッ
プを使用することが考えられる。
【０００７】ところが、コスト面やその他の特性面によ
り、シリコンとの熱膨張係数差が大きい保護キャップを
使用しなくてはならない場合が多く、他の解決法が望ま
れていた。
り、シリコンとの熱膨張係数差が大きい保護キャップを
使用しなくてはならない場合が多く、他の解決法が望ま
れていた。
【０００８】また、保護キャップと固体撮像素子チップ
とを貼り合わせて加熱封止する際に、保護キャップと固
体撮像素子チップとの隙間に存在する空気が加熱により
膨張し、封止内部から抜けてしまい、その状態で封止が
完了すると、室温に戻った封止内部の空気が収縮し、固
体撮像素子チップに反りが生じてしまう現象も発生して
いた。この対策としては、貼り合わせ後に通気孔が形成
されるように、予め、封止樹脂の無い部分を設けてお
き、後からその部分を塞いで封止を完了させる方法があ
る。ところが、工程が余分に増えコストアップになると
いう問題があった。
とを貼り合わせて加熱封止する際に、保護キャップと固
体撮像素子チップとの隙間に存在する空気が加熱により
膨張し、封止内部から抜けてしまい、その状態で封止が
完了すると、室温に戻った封止内部の空気が収縮し、固
体撮像素子チップに反りが生じてしまう現象も発生して
いた。この対策としては、貼り合わせ後に通気孔が形成
されるように、予め、封止樹脂の無い部分を設けてお
き、後からその部分を塞いで封止を完了させる方法があ
る。ところが、工程が余分に増えコストアップになると
いう問題があった。
【０００９】さらに、封止樹脂自体の硬化収縮によって
も固体撮像素子チップに反りが発生するという問題もあ
った。上記の様に、固体撮像素子チップに反りが発生す
ると、固体撮像素子の各画素でピント位置が異なってし
まい、画質が劣化してしまうといった問題が生じてい
た。
も固体撮像素子チップに反りが発生するという問題もあ
った。上記の様に、固体撮像素子チップに反りが発生す
ると、固体撮像素子の各画素でピント位置が異なってし
まい、画質が劣化してしまうといった問題が生じてい
た。
【００１０】そこで、本発明は、固体撮像素子チップに
反りが生じないようにした固体撮像装置を提供すること
を課題とする。
反りが生じないようにした固体撮像装置を提供すること
を課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、複数の固体撮像素子を搭載した固体撮像
素子チップと、前記固体撮像素子チップに電気的に接続
され複数の前記固体撮像素子の各々からの信号を伝達す
る配線基板と、前記固体撮像素子チップの光入射側に設
けられ前記固体撮像素子チップを保護する保護キャップ
とを備えた固体撮像装置において、前記固体撮像素子チ
ップを、前記保護キャップと同じ熱膨張係数の基板上に
設け、前記基板と前記保護キャップとを封止樹脂によっ
て封止してなることを特徴とする。
に、本発明は、複数の固体撮像素子を搭載した固体撮像
素子チップと、前記固体撮像素子チップに電気的に接続
され複数の前記固体撮像素子の各々からの信号を伝達す
る配線基板と、前記固体撮像素子チップの光入射側に設
けられ前記固体撮像素子チップを保護する保護キャップ
とを備えた固体撮像装置において、前記固体撮像素子チ
ップを、前記保護キャップと同じ熱膨張係数の基板上に
設け、前記基板と前記保護キャップとを封止樹脂によっ
て封止してなることを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、複数の固体撮像素子を搭
載した固体撮像素子チップと、前記固体撮像素子チップ
に電気的に接続され複数の前記固体撮像素子の各々から
の信号を伝達する配線基板と、前記固体撮像素子チップ
の光入射側に設けられ前記固体撮像素子チップを保護す
る保護キャップとを備えた固体撮像装置において、前記
固体撮像素子チップを、光を遮光する遮光層を介して前
記保護キャップと同じ材質の基板上に設け、前記基板と
前記保護キャップとを封止樹脂によって封止してなるこ
とを特徴とする。
載した固体撮像素子チップと、前記固体撮像素子チップ
に電気的に接続され複数の前記固体撮像素子の各々から
の信号を伝達する配線基板と、前記固体撮像素子チップ
の光入射側に設けられ前記固体撮像素子チップを保護す
る保護キャップとを備えた固体撮像装置において、前記
固体撮像素子チップを、光を遮光する遮光層を介して前
記保護キャップと同じ材質の基板上に設け、前記基板と
前記保護キャップとを封止樹脂によって封止してなるこ
とを特徴とする。
【００１３】すなわち、本発明は、熱膨張係数の異なる
保護キャップと固体撮像素子チップとを直接接着しない
ようにして、周囲の温度変化によって固体撮像素子チッ
プに反りが発生しないようにしている。
保護キャップと固体撮像素子チップとを直接接着しない
ようにして、周囲の温度変化によって固体撮像素子チッ
プに反りが発生しないようにしている。
【００１４】また、本発明は、固体撮像素子チップが保
護キャップと基板との間に封入され、保護キャップに固
定しないことにより、封止内部の気圧が変化したり、封
止樹脂が硬化収縮しても、固体撮像素子に反りが生じな
いようにしている。
護キャップと基板との間に封入され、保護キャップに固
定しないことにより、封止内部の気圧が変化したり、封
止樹脂が硬化収縮しても、固体撮像素子に反りが生じな
いようにしている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１６】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１の固体撮像装置の断面図である。図２は、図１の平面
図である。図３は、図１の分解斜視図である。図１に
は、固体撮像素子１の電極パッド５上に設けられたバン
プ６に、ＴＡＢテープ２を接続した様子を示している。
ＴＡＢテープ２は、たとえば超音波ボンディングにより
接続したり、異方導電膜あるいは導電ペーストを介して
接続することができる。
１の固体撮像装置の断面図である。図２は、図１の平面
図である。図３は、図１の分解斜視図である。図１に
は、固体撮像素子１の電極パッド５上に設けられたバン
プ６に、ＴＡＢテープ２を接続した様子を示している。
ＴＡＢテープ２は、たとえば超音波ボンディングにより
接続したり、異方導電膜あるいは導電ペーストを介して
接続することができる。
【００１７】バンプ６の材質は通常、金が用いられる
が、銅、ニッケル等の他の金属または合金で形成し、表
面に金めっきを施しても良い。ＴＡＢテープ２は、絶縁
フィルム２２上に銅リード２１が複数本形成されてい
る。絶縁フィルム２２は、樹脂フィルム、例えば、ポリ
イミド等からなる。
が、銅、ニッケル等の他の金属または合金で形成し、表
面に金めっきを施しても良い。ＴＡＢテープ２は、絶縁
フィルム２２上に銅リード２１が複数本形成されてい
る。絶縁フィルム２２は、樹脂フィルム、例えば、ポリ
イミド等からなる。
【００１８】また、保護キャップ３が、固体撮像素子チ
ップ１の固体撮像素子７の搭載側に、基板４が固体撮像
素子チップ１の裏面側に、それぞれ配置され、固体撮像
素子チップ１を挟み込む構造をとっている。保護キャッ
プ３は、例えば、無アルカリガラス、石英等からなり、
光を透過する。また、透光性を有する樹脂、例えば、ア
クリルからなる保護キャップを用いることも可能であ
る。なお、保護キャップ３は、光学ローパスフィルター
や赤外カットフィルターを積層してもよい。
ップ１の固体撮像素子７の搭載側に、基板４が固体撮像
素子チップ１の裏面側に、それぞれ配置され、固体撮像
素子チップ１を挟み込む構造をとっている。保護キャッ
プ３は、例えば、無アルカリガラス、石英等からなり、
光を透過する。また、透光性を有する樹脂、例えば、ア
クリルからなる保護キャップを用いることも可能であ
る。なお、保護キャップ３は、光学ローパスフィルター
や赤外カットフィルターを積層してもよい。
【００１９】さらに、通常、保護キャップ３には、バン
プ６および銅リード２１で、入射光が乱反射し画像に悪
影響を及ぼさないようにバンプ６および銅リード２１を
覆うように周辺に遮光膜が設けられる。
プ６および銅リード２１で、入射光が乱反射し画像に悪
影響を及ぼさないようにバンプ６および銅リード２１を
覆うように周辺に遮光膜が設けられる。
【００２０】基板４は、保護キャップ３と熱膨張係数が
等しい又は保護キャップ３との熱膨張係数差が２ｐｐｍ
／℃以下であり、例えば、ガラス基板、セラミック基
板、金属基板、樹脂基板あるいは、これらを積層したも
のとしている。
等しい又は保護キャップ３との熱膨張係数差が２ｐｐｍ
／℃以下であり、例えば、ガラス基板、セラミック基
板、金属基板、樹脂基板あるいは、これらを積層したも
のとしている。
【００２１】さらに、保護キャップ３と基板４との周囲
を封止樹脂８により接着し、固体撮像素子チップ１が気
密封止されている。封止樹脂８は、例えばエポキシ系、
アクリル系、フェノール系等の樹脂からなり、熱硬化
型、紫外線硬化型又は紫外線・熱併用硬化型のいずれで
あっても良い。封止樹脂８は、信頼性向上の為にフィラ
ーを混入しても良い。フィラーは、無機材料、有機材料
いずれであってもよく、たとえばシリカ等からなる。
を封止樹脂８により接着し、固体撮像素子チップ１が気
密封止されている。封止樹脂８は、例えばエポキシ系、
アクリル系、フェノール系等の樹脂からなり、熱硬化
型、紫外線硬化型又は紫外線・熱併用硬化型のいずれで
あっても良い。封止樹脂８は、信頼性向上の為にフィラ
ーを混入しても良い。フィラーは、無機材料、有機材料
いずれであってもよく、たとえばシリカ等からなる。
【００２２】本実施形態では保護キャップ３を熱膨張係
数が等しい又は熱膨張係数差が小さい基板４に接着して
いる為、周囲の温度変化によって、固体撮像素子チップ
１を反らすような力がほとんど発生しない。また、固体
撮像素子チップ１は、封止内部の気圧変化または、封止
樹脂８の硬化収縮の影響を直接受けることが無い為、固
体撮像素子チップ１の反りを抑えることができる。
数が等しい又は熱膨張係数差が小さい基板４に接着して
いる為、周囲の温度変化によって、固体撮像素子チップ
１を反らすような力がほとんど発生しない。また、固体
撮像素子チップ１は、封止内部の気圧変化または、封止
樹脂８の硬化収縮の影響を直接受けることが無い為、固
体撮像素子チップ１の反りを抑えることができる。
【００２３】（実施形態２）図４は、本発明の実施形態
２の固体撮像装置の断面図である。なお、図４におい
て、図１と同様の部分には同一符号を付している。図４
には、固体撮像素子チップ１が基板４に柔軟性を有する
接着剤１１により固定された様子を示している。
２の固体撮像装置の断面図である。なお、図４におい
て、図１と同様の部分には同一符号を付している。図４
には、固体撮像素子チップ１が基板４に柔軟性を有する
接着剤１１により固定された様子を示している。
【００２４】接着剤１１は、例えば、ウレタン系、シリ
コーン系、スチレン系、エステル系、塩化ビニル系、エ
ポキシ系等の樹脂からなり、弾性率が１，０００Ｍｐａ
以下であることが望ましい。本実施形態では、基板４に
対し一定の位置に固体撮像素子チップ１を固定すること
により、固体撮像装置をカメラに取り付ける際の位置決
めが容易になる。さらに、固体撮像素子チップ１を固定
している接着剤１１は、柔軟性を有している為、固体撮
像素子チップ１に反りを生じさせない。
コーン系、スチレン系、エステル系、塩化ビニル系、エ
ポキシ系等の樹脂からなり、弾性率が１，０００Ｍｐａ
以下であることが望ましい。本実施形態では、基板４に
対し一定の位置に固体撮像素子チップ１を固定すること
により、固体撮像装置をカメラに取り付ける際の位置決
めが容易になる。さらに、固体撮像素子チップ１を固定
している接着剤１１は、柔軟性を有している為、固体撮
像素子チップ１に反りを生じさせない。
【００２５】（実施形態３）図５は、本発明の実施形態
３の固体撮像装置の断面図である。なお、図５におい
て、図１と同様の部分には同一符号を付している。図５
には保護キャップ３と同材質のガラス基板１２を用いて
いる。ガラス基板１２は、透光性を有するため、固体撮
像装置裏面から不要な光が入らないように、ガラス基板
１２の内面に遮光膜１３を形成している。
３の固体撮像装置の断面図である。なお、図５におい
て、図１と同様の部分には同一符号を付している。図５
には保護キャップ３と同材質のガラス基板１２を用いて
いる。ガラス基板１２は、透光性を有するため、固体撮
像装置裏面から不要な光が入らないように、ガラス基板
１２の内面に遮光膜１３を形成している。
【００２６】遮光膜１３は、ガラス基板１２の全面ある
いは、固体撮像素子チップ１を取り囲むように周囲のみ
に形成している。本実施形態では、保護キャップ３とガ
ラス基板１２とを同材質としているため、熱膨張係数の
違いによって、固体撮像素子チップ１に反りが発生しな
い。また、ガラス基板１２に遮光膜１３を形成している
ため、固体撮像装置の裏面からの光の入射を防ぐことが
できる。
いは、固体撮像素子チップ１を取り囲むように周囲のみ
に形成している。本実施形態では、保護キャップ３とガ
ラス基板１２とを同材質としているため、熱膨張係数の
違いによって、固体撮像素子チップ１に反りが発生しな
い。また、ガラス基板１２に遮光膜１３を形成している
ため、固体撮像装置の裏面からの光の入射を防ぐことが
できる。
【００２７】なお、遮光膜１３と基板４と固体撮像素子
チップ１とを接着剤１１によって接着するようにしても
よい。あるいは、遮光膜１３に、光を遮光する柔軟性の
ある接着剤を使用し、基板４と固体撮像素子チップ１と
を接着してもよい。また、図４に示した固体撮像装置に
遮光膜１３を設けてもよい。
チップ１とを接着剤１１によって接着するようにしても
よい。あるいは、遮光膜１３に、光を遮光する柔軟性の
ある接着剤を使用し、基板４と固体撮像素子チップ１と
を接着してもよい。また、図４に示した固体撮像装置に
遮光膜１３を設けてもよい。
【００２８】（実施形態４）図６は、本発明の実施形態
４の固体撮像装置の断面図である。なお図６において、
図１と同様の部分には同一符号を付している。図６に
は、固体撮像素子チップ１の周囲に柔軟性を有する樹脂
により接触防止材１４を形成している。
４の固体撮像装置の断面図である。なお図６において、
図１と同様の部分には同一符号を付している。図６に
は、固体撮像素子チップ１の周囲に柔軟性を有する樹脂
により接触防止材１４を形成している。
【００２９】接触防止材１４は、たとえば予め保護キャ
ップ３に塗布し、Ｂ−ステージ化された熱硬化性樹脂
を、固体撮像素子チップ１および基板４に熱圧着するこ
とで形成している。熱硬化性樹脂をＢ−ステージ化して
いるのは、熱圧着の際に、これが受光面７まで広がるの
を防ぐためである。また、熱硬化性樹脂の代わりに熱可
塑性樹脂を用いてもよい。
ップ３に塗布し、Ｂ−ステージ化された熱硬化性樹脂
を、固体撮像素子チップ１および基板４に熱圧着するこ
とで形成している。熱硬化性樹脂をＢ−ステージ化して
いるのは、熱圧着の際に、これが受光面７まで広がるの
を防ぐためである。また、熱硬化性樹脂の代わりに熱可
塑性樹脂を用いてもよい。
【００３０】また、接触防止材１４には、例えばウレタ
ン系、シリコーン系、スチレン系、エステル系、塩化ビ
ニル系、エポキシ系、フェノール系等の柔軟性を有する
樹脂からなり、弾性率が１，０００Ｍｐａ以下であるこ
とが望ましい。本実施形態では、接触防止材１４を固体
撮像素子チップ１の周辺部に接着しているが、固体撮像
素子チップ１より外側に形成し、保護キャップ３と基板
４のみに接着するようにしても良い。
ン系、シリコーン系、スチレン系、エステル系、塩化ビ
ニル系、エポキシ系、フェノール系等の柔軟性を有する
樹脂からなり、弾性率が１，０００Ｍｐａ以下であるこ
とが望ましい。本実施形態では、接触防止材１４を固体
撮像素子チップ１の周辺部に接着しているが、固体撮像
素子チップ１より外側に形成し、保護キャップ３と基板
４のみに接着するようにしても良い。
【００３１】本実施形態では、固体撮像素子７を囲うよ
うに接触防止材１４を形成しているため、封止樹脂８が
固体撮像素子７にまで浸入しないため、封止樹脂８の材
料選択の幅が広がる。また、接触防止材１４は、柔軟な
樹脂で形成しているので、固体撮像素子チップ１に反り
が発生しない。
うに接触防止材１４を形成しているため、封止樹脂８が
固体撮像素子７にまで浸入しないため、封止樹脂８の材
料選択の幅が広がる。また、接触防止材１４は、柔軟な
樹脂で形成しているので、固体撮像素子チップ１に反り
が発生しない。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、固体撮
像素子チップを、保護キャップと同じ熱膨張係数の基板
上に設け、基板と保護キャップとを封止樹脂によって封
止したり、固体撮像素子チップを、光を遮光する遮光層
を介して保護キャップと同じ材質の基板上に設け、基板
と保護キャップとを封止樹脂によって封止しているた
め、固体撮像素子チップに反りが生じないようにするこ
とができる。
像素子チップを、保護キャップと同じ熱膨張係数の基板
上に設け、基板と保護キャップとを封止樹脂によって封
止したり、固体撮像素子チップを、光を遮光する遮光層
を介して保護キャップと同じ材質の基板上に設け、基板
と保護キャップとを封止樹脂によって封止しているた
め、固体撮像素子チップに反りが生じないようにするこ
とができる。
【図１】本発明の固体撮像装置の実施形態１の断面図で
ある。
ある。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図１の分解斜視図である。
【図４】本発明の固体撮像装置の実施形態２の断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の固体撮像装置の実施形態３の断面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の固体撮像装置の実施形態４の断面図で
ある。
ある。
【図７】従来の固体撮像装置の断面図である。
１ 固体撮像素子チップ ２ ＴＡＢテープ ３ 保護キャップ ４ 基板 ５ 電極パッド ６ バンプ ７ 固体撮像素子 ８ 封止樹脂 ９ 異方性導電膜 １０ 接着剤 １１ 接着剤 １２ ガラス基板 １３ 遮光膜 １４ 接触防止材 ２１ 銅リード ２２ 絶縁フィルム
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA08 AA10 AB01 BA10 BA14 GB01 GC11 GC20 HA02 HA20 HA23 HA25 HA26 HA30 HA31 HA32 5C024 CY48 EX23 EX24 EX51 GY01 GY31 5F088 BA10 BB03 EA04 JA06 JA10
Claims (7)
- 【請求項１】 複数の固体撮像素子を搭載した固体撮像
素子チップと、前記固体撮像素子チップに電気的に接続
され複数の前記固体撮像素子の各々からの信号を伝達す
る配線基板と、前記固体撮像素子チップの光入射側に設
けられ前記固体撮像素子チップを保護する保護キャップ
とを備えた固体撮像装置において、 前記固体撮像素子チップを、前記保護キャップと同じ熱
膨張係数の基板上に設け、 前記基板と前記保護キャップとを封止樹脂によって封止
してなることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 複数の固体撮像素子を搭載した固体撮像
素子チップと、前記固体撮像素子チップに電気的に接続
され複数の前記固体撮像素子の各々からの信号を伝達す
る配線基板と、前記固体撮像素子チップの光入射側に設
けられ前記固体撮像素子チップを保護する保護キャップ
とを備えた固体撮像装置において、 前記固体撮像素子チップを、前記保護キャップと同じ材
質の基板上に設け、 前記基板と前記保護キャップとを封止樹脂によって封止
してなることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記固体撮像素子チップは、柔軟性を有
する接着剤によって前記基板上に接着することを特徴と
する請求項１又は２に記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 複数の前記固体撮像素子の各々と前記封
止樹脂との間に、該封止樹脂が複数の前記固体撮像素子
の各々に接触しないように接触防止材を設けることを特
徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の固体撮
像装置。 - 【請求項５】 前記基板は、ガラス基板、セラミック基
板、金属基板、樹脂基板あるいは、これらを積層してな
る基板であることを特徴とする請求項１から４のいずれ
か１項に記載の固体撮像装置。 - 【請求項６】 前記封止樹脂は、エポキシ系、アクリル
系、フェノール系等の樹脂であることを特徴とする請求
項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 【請求項７】 前記固体撮像素子チップは、光を遮光す
る遮光層を介して前記基板上に設けることを特徴とする
請求項１から６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000257545A JP2002076313A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 固体撮像装置 |
| US09/938,571 US6774481B2 (en) | 2000-08-28 | 2001-08-27 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000257545A JP2002076313A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076313A true JP2002076313A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18745987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000257545A Pending JP2002076313A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2002076313A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006090684A1 (ja) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | A. L. M. T. Corp. | 半導体素子搭載部材とそれを用いた半導体装置 |
| JP2007142058A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体撮像素子およびその製造方法並びに半導体撮像装置とその製造方法 |
| WO2007069750A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
| JP2008042186A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-02-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 受光装置および受光装置の製造方法 |
| JP2008528301A (ja) * | 2005-01-11 | 2008-07-31 | ローズマウント インコーポレイテッド | 温度変化に対して改良された反応を有するｍｅｍｓパッケージ |
| WO2009008106A1 (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 受光装置および受光装置の製造方法 |
| JP2015041689A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | キヤノン株式会社 | 光学装置及びその製造方法 |
| JP2015129770A (ja) * | 2015-03-13 | 2015-07-16 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ装置 |
| JP2019076358A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | オリンパス株式会社 | 撮像モジュール、内視鏡、撮像モジュールの製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231918A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US6759266B1 (en) * | 2001-09-04 | 2004-07-06 | Amkor Technology, Inc. | Quick sealing glass-lidded package fabrication method |
| FR2832136B1 (fr) * | 2001-11-09 | 2005-02-18 | 3D Plus Sa | Dispositif d'encapsulation hermetique de composant devant etre protege de toute contrainte |
| US20040150063A1 (en) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Katsumi Yamamoto | Package structure for an optical image sensor |
| US7365442B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of thin-film electronic devices |
| JP4148932B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2008-09-10 | シャープ株式会社 | 半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の製造方法 |
| TWM264648U (en) * | 2004-10-21 | 2005-05-11 | Chipmos Technologies Inc | Image sensor package |
| US7405456B2 (en) * | 2005-09-14 | 2008-07-29 | Sigurd Microelectronics Corp. | Optical sensor chip package |
| EP1795496A2 (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-13 | Yamaha Corporation | Semiconductor device for detecting pressure variations |
| JP2009092860A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | カメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法 |
| WO2009069807A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Kyocera Corporation | 光学装置、封止用基板および光学装置の製造方法 |
| JP2011060974A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Canon Inc | 固体撮像装置及びデジタルカメラ |
| JP5535570B2 (ja) * | 2009-10-13 | 2014-07-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| KR101963809B1 (ko) * | 2012-04-25 | 2019-03-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지 |
| WO2014013742A1 (ja) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | 株式会社ニコン | 撮像ユニット、撮像装置、および撮像ユニットの製造方法 |
| US9386203B2 (en) * | 2013-10-28 | 2016-07-05 | Omnivision Technologies, Inc. | Compact spacer in multi-lens array module |
| CN105977270A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-09-28 | 苏州科阳光电科技有限公司 | 影像芯片模组及其制作方法 |
| US11069729B2 (en) * | 2018-05-01 | 2021-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, and equipment |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3852563T2 (de) * | 1987-05-01 | 1995-05-11 | Canon Kk | Verfahren zum Anschliessen eines externen Schaltkreises und Verpackungsstruktur. |
| US5065006A (en) * | 1988-10-14 | 1991-11-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Inc. | Image sensors with simplified chip mounting |
| DE69408558T2 (de) * | 1993-05-28 | 1998-07-23 | Toshiba Kawasaki Kk | Verwendung einer anisotropischen leitfähigen Schicht für die Verbindung von Anschlussleitern einer Leiterplatte mit den elektrischen Anschlusskontakten einer photoelektrischen Umwandlungsvorrichtung und Verfahren zur Montage dieser Vorrichtung |
| JP3168859B2 (ja) * | 1995-03-06 | 2001-05-21 | 日本ケミコン株式会社 | Ｃｃｄモジュールの樹脂封止方法 |
| EP0840369A4 (en) * | 1995-06-30 | 2001-12-19 | Toshiba Kk | ELECTRONIC COMPONENT AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| US5867368A (en) * | 1997-09-09 | 1999-02-02 | Amkor Technology, Inc. | Mounting for a semiconductor integrated circuit device |
| US6204454B1 (en) * | 1997-12-27 | 2001-03-20 | Tdk Corporation | Wiring board and process for the production thereof |
| US6396116B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-05-28 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated circuit packaging for optical sensor devices |
-
2000
- 2000-08-28 JP JP2000257545A patent/JP2002076313A/ja active Pending
-
2001
- 2001-08-27 US US09/938,571 patent/US6774481B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008528301A (ja) * | 2005-01-11 | 2008-07-31 | ローズマウント インコーポレイテッド | 温度変化に対して改良された反応を有するｍｅｍｓパッケージ |
| JP4829877B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-12-07 | 株式会社アライドマテリアル | 半導体素子搭載部材とそれを用いた半導体装置 |
| WO2006090684A1 (ja) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | A. L. M. T. Corp. | 半導体素子搭載部材とそれを用いた半導体装置 |
| JP2007142058A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体撮像素子およびその製造方法並びに半導体撮像装置とその製造方法 |
| US7901973B2 (en) | 2005-12-14 | 2011-03-08 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
| EP1961045A1 (en) * | 2005-12-14 | 2008-08-27 | FUJIFILM Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
| EP1961045A4 (en) * | 2005-12-14 | 2011-05-04 | Fujifilm Corp | SEMICONDUCTOR IMAGING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| WO2007069750A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
| JP2008042186A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-02-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 受光装置および受光装置の製造方法 |
| WO2009008106A1 (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 受光装置および受光装置の製造方法 |
| JP2009021381A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 受光装置および受光装置の製造方法 |
| US8034651B2 (en) | 2007-07-12 | 2011-10-11 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Light receiving device and method of manufacturing light receiving device |
| JP2015041689A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | キヤノン株式会社 | 光学装置及びその製造方法 |
| US9887222B2 (en) | 2013-08-21 | 2018-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing optical apparatus |
| JP2015129770A (ja) * | 2015-03-13 | 2015-07-16 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ装置 |
| JP2019076358A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | オリンパス株式会社 | 撮像モジュール、内視鏡、撮像モジュールの製造方法 |
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