JP2002075957A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理体の処理液の循環経路に設けられてい
るフィルタに捕獲されている異物を十分に除去する。 【解決手段】 開示される半導体製造装置は、半導体ウ
ェハをウエット処理する製品処理時と、ウエット処理後
の処理液を排液する処理液排液時とで、フィルタ６内を
通過する処理液の流れを逆方向にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
に係り、詳しくは、半導体ウェハ等の被処理体の処理液
の循環経路にフィルタを備える半導体製造装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩで代表される半導体装置の製造工
程においては、被処理体としての半導体ウェハをエッチ
ングするウエットエッチング装置、洗浄装置、フォトリ
ソグラフィ処理後のレジスト膜を半導体ウェハから剥離
する剥離装置等の、半導体ウェハをウエット処理する各
種の半導体製造装置が使用される。これらの半導体製造
装置では、半導体ウェハをウエット処理する内容に応じ
てエッチング液、洗浄液、剥離液等の各種の処理液が用
いられる。そして、いずれの半導体製造装置において
も、所定の処理が終了した後に処理液は装置の外部に排
出されて、新たな処理液が装置内に導入されるようにな
っている。

【０００３】図９は、従来の半導体製造装置の構成を示
す系統図である。同半導体製造装置は、同図に示すよう
に、半導体ウェハをウエット処理するための処理槽３０
を備え、この処理槽３０は、半導体ウェハの処理液を溜
める内槽３１とこの内槽３１からオーバーフローした処
理液を収容する外槽３２とから成り、外槽３２内には必
要に応じて処理液供給槽３３から新たな処理液が供給さ
れるように構成されている。また、内槽３１と外槽３２
とを連結して内槽３１から外槽３２へ薬液を循環させる
循環配管３４が設けられ、この循環配管３４の途中位置
には循環ポンプ３５及びフィルタ３６が設けられるとと
もに、循環ポンプ３５の上流側には制御弁３７Ａが設け
られている。また、フィルタ３６の下流側には制御弁３
７Ｂを介して排液槽３８が設けられている。さらに、内
槽３１と循環ポンプ３５との間には制御弁３７Ｃを介し
て排液配管３９が設けられている。なお、図９におい
て、実線矢印は製品処理時の洗浄液の流れを、破線矢印
は排液時の洗浄液（排液）の流れを示している。

【０００４】次に、同半導体製造装置の動作について説
明する。 製品処理時 制御弁３７Ａが開いて、制御弁３７Ｂ、３７Ｃが閉じた
状態にある。処理槽３０の内槽３１から外槽３２へオー
バーフローして溜った洗浄液は、循環ポンプ３５の作動
により、図９で実線矢印で示したように、制御弁３７
Ａ、循環ポンプ３５及びフィルタ３６中を通過して、循
環配管３４によって内槽３１に再び戻される。このと
き、内槽３１内で半導体ウェハの処理により処理液内に
流出した異物（パーティクル）は、図１０に示すよう
に、フィルタ３６の上流側３６Ａで捕獲（トラップ）さ
れて下流側３６Ｂ側には流出しないので、洗浄液はクリ
ーンな状態となって内槽３１側に戻される。半導体ウェ
ハの処理数が増加するに従い、異物はフィルタ３６の上
流側に蓄積されていく。

【０００５】処理液排液シーケンス 半導体ウェハの処理数の増加により劣化した処理液を定
期的に交換する。制御弁３７Ａ〜３７Ｃが開いた状態に
ある。循環ポンプ３５の作動により、破線矢印で示した
ように、内槽３１内の処理液は制御弁３７Ｃを介して排
液配管３９を通過するとともに、外槽３２内の処理液は
制御弁３７Ａを通過し、さらに各処理液は共通の循環配
管３４の循環ポンプ３５及びフィルタ３６を通過して、
制御弁３７Ｂを介して排液槽３８に排出される。

【０００６】処理槽洗浄シーケンス（共洗い） 劣化した処理液を全て排出しても、処理液３０の内槽３
１及び外槽３２の側壁や、循環配管３４及び排出配管３
９の内壁には劣化した処理液の成分が付着し残留してゴ
ミの原因となる場合が多いので、これらの残留成分を除
去する。制御弁３７Ａが開いて、制御弁３７Ｂ、３７Ｃ
が閉じた状態にある。処理液供給槽３３から外槽３２内
に新たな処理液を一時的に導入して、この処理液を処理
槽洗浄液として用いて上記 製品処理時の場合と同じ循
環経路で循環させることにより、循環経路内を共洗いす
る。したがって、再び製品処理を開始したときに、処理
液をクリーン度のより高い状態で使用することができる
ようになる。

【０００７】槽洗浄液排液シーケンス 上記 処理液排液シーケンスと略同じ内容で、上記槽洗
浄液を排液する。 処理液導入シーケンス 製品処理のために新たな処理液を導入する。制御弁３７
Ａが開いて、制御弁３７Ｂ及び制御弁３７Ｃが閉じた状
態にある。処理液供給槽３３から外槽３２内に新たな処
理液を導入して、上記 製品処理時の場合と同じ循環経
路で循環させる。以上により、処理液の交換が完了し、
以後上記 の製品処理を再開する。

【０００８】ところで、図９に示した従来の半導体製造
装置では、フィルタ３６で捕獲された異物を除去、排出
するリフレッシュする手段がないので、内槽３１内で半
導体ウェハの処理により処理液内に流出した異物は、フ
ィルタ３６の上流側３６Ａに一方的に蓄積されるように
なる。したがって、フィルタ３６の目詰まりが避けられ
なくなり、また、目詰まりした異物の内一部の微小径の
ものがフィルタ３６を通過して処理槽３０に侵入するお
それがあるため、目詰まりする度にフィルタ交換を行う
必要があるので、半導体製造装置の保守管理が煩雑にな
っている。

【０００９】上述したようなフィルタに蓄積された異物
が処理槽側に進入するのを防止するようにした構成の半
導体製造装置が、例えば特開平６−３２６０７１号公報
に開示されている。同半導体製造装置は、図１１に示す
ように、半導体ウェハを薬液洗浄するための薬液槽５０
と、洗浄中の半導体ウェハから薬液内に流出した異物を
除去するフィルトレーション装置６０とを備えている。
薬液槽５０は、薬液を溜める内槽５１とこの内槽５１か
らオーバーフローした薬液を収容する外槽５２とから成
り、必要に応じて内槽５１及び外槽５２の薬液はそれぞ
れ排出管５３、５４を介してアスピレータ５５、５６に
より外部に排出されるように構成されている。また、内
槽５１内には薬液供給弁５７の制御により供給管５８か
ら新たな薬液が供給されるようになっている。

【００１０】一方、フィルトレーション装置６０は、図
１１に示すように、内槽５１と外槽５２とを連結して内
槽５１から外槽５２へ薬液を循環させる循環配管６１
と、この循環配管６１の途中位置に設けられた循環ポン
プ６２及びフィルタ６３と、循環ポンプ６２とフィルタ
６３との間の途中位置に設けられた純水供給手段６４と
から構成されている。また、純水供給手段６４は、純水
供給用の純水管６５、純水供給弁６６、第１弁部６７
Ａ、第２弁部６７Ｂ及び第３弁部６７Ｃを有する三方弁
の純水切替弁６７とから構成されている。さらに、フィ
ルタ６３には排水弁６８が設けられている。

【００１１】上述の構成において、半導体製造装置が半
導体ウェハの洗浄工程に切り替えられると、純水供給弁
６６及び排水弁６８が閉じて、純水切替弁６７が薬液通
水状態に切り替わるとともに、フィルトレーション装置
６０の循環ポンプ６２が作動する。したがって、薬液槽
５０の内槽５１から外槽５２へオーバーフローした薬液
は、外槽５２を通ってフィルトレーション装置６０側に
供給されるので、循環ポンプ６２とフィルタ６３中を通
過しつつ、循環配管６１によって内槽５１側に再び戻さ
れる。このとき、内槽５１内で半導体ウェハの薬液洗浄
により薬液内に流出した異物は、フィルタ６３により除
去されるので、薬液はクリーンな状態となって内槽５１
側に戻される。洗浄処理の進行により、あるいは蒸発に
より内槽５１内の薬液レベルが低下したときは、薬液供
給弁５７が開いて供給管５８を介して薬液が自動的に補
給される。

【００１２】次に、半導体製造装置が薬液の交換工程に
切り替えられると、アスピレータ５５、５６が作動し
て、内槽５１及び外槽５２内の薬液が外部に排出される
とともに、フィルトレーション装置６０の循環ポンプ６
２が停止する。そして、この動作と同時に排水弁６８が
開くとともに、純水切替弁６７が純水通水状態に切り替
わるので、その後、純水供給弁６６が開いて、純水管６
５を介してフィルタ６３の薬液流入面側に純水が供給さ
れる。これにより、フィルタ６３の薬液流入面側は純水
により洗浄され、フィルタ６３の薬液流入面側に付着し
た異物は排水弁６８を介して外部に排出される。そし
て、この洗浄が終了した後に、排水弁６８が閉じて、純
水管６５からの純水がフィルタ６３を通過して内槽５１
内に流出されるので、フィルタ６３の下流側の循環配管
６１内の薬液は純水により内槽５１内に押し出されて、
フィルタ６３の下流側の循環配管６１内の洗浄が行われ
る。このような構成により、フィルトレーション装置６
０から薬液槽側への異物の侵入を防止できる。

【００１３】また、工業用水、水道水、地下水等の原水
を基に濾過処理等を施して得られた超純水を洗浄水とし
て使用した後の排液に含まれた不純物を除去して、再度
超純水として再使用できるようにした構成の菌体分離装
置が、例えば特開平８−２６７０６０号公報に開示され
ている。同菌体分離装置は、図１２に示すように、塔７
０内にアニオン交換樹脂層７１を形成し、塔７０の上部
に設けた被処理液導入路７２から菌体含有液を導入して
アニオン交換樹脂層７１を通過させて、塔７０の下部に
設けた処理液路７３から取り出すように構成されている
一方、塔７０の下部に設けた逆洗水路７４から逆洗水を
導入して、アニオン交換樹脂層７１を通過させて、塔７
０の上部に設けた排水路７５から排出させるように構成
されている。この場合、散気管７６から散気して空気逆
洗を行ってもよい。

【００１４】逆洗終了後、薬注管７７から再生剤を注入
して再生を行って、再生排液を逆洗水路７４から排出さ
せる。薬注後同量の水を注入して押出しを行い、その後
大量の水を被処理液導入路７２から導入して洗浄を行
う。洗浄終了後、上記と同様に菌体分離液を導入して菌
体の分離を繰り返す。このような構成により、超純水を
洗浄水として使用した後の排液に含まれた不純物を効率
良く除去することができるので、再度超純水として再使
用できるようになる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
６−３２６０７１号公報及び特開平８−２６７０６０号
公報に開示された従来の半導体製造装置では、それぞれ
次のような問題がある。まず、前者においては、薬液の
交換工程に切り替えられたときに、純水供給手段６４の
作用により、純水管６５を介してフィルタ６３の薬液流
入面側に純水が供給されてフィルタの洗浄が行われる
が、異物は通常フィルタ６３の繊維内に捕獲されている
ので、純水洗浄によっても異物を十分に除去するのは困
難となる。

【００１６】次に、後者においては、アニオン交換樹脂
層７１を用いた逆洗により超純水を洗浄水として使用し
た後の排液の再生処理を行っているが、この場合逆洗に
は、上記排液とは異なる洗浄液を用いているので、アニ
オン交換樹脂層７１に代えて半導体ウェハの洗浄経路に
フィルタを用いた場合には、フィルタの目詰まりが避け
られないため、前者と同様に、異物を十分に除去するの
は困難となる。すなわち、半導体ウェハのウエット処理
においては、処理液に微小化された異物が多く含まれて
いるので、処理液にわずかな気泡の変化が生じたり、フ
ィルタの繊維の処理液に対する親和度がわずかでも変化
すると、フィルタの濾過能力は低下するようになるが、
上述のように半導体ウェハを処理した洗浄液と異なる洗
浄液を用いた場合には、そのような変化が避けられな
い。したがって、フィルタの濾過能力の低下に伴って、
異物を十分に除去するのは困難となる。

【００１７】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、被処理体の処理液の循環経路に設けられている
フィルタに捕獲されている異物を十分に除去することが
できるようにした半導体製造装置を提供することを目的
としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、被処理体をウエット処理す
る処理液を溜める処理槽と、該処理槽内の上記処理液を
上記処理槽の外部に排出させて再度処理槽に戻す循環経
路とを備え、該循環経路の途中位置にフィルタが設けら
れている半導体製造装置に係り、上記被処理体をウエッ
ト処理する製品処理時と、上記ウエット処理後の上記処
理液を排液する処理液排液時とで、上記フィルタ内を通
過する上記処理液の流れが逆方向になるように構成した
ことを特徴としている。

【００１９】また、請求項２記載の発明は、被処理体を
ウエット処理する処理液を溜める内槽と、該内槽からオ
ーバーフローした上記処理液を収容する外槽と、該外槽
と上記内槽とを連結して上記外槽から上記内槽へ洗浄液
を循環させる循環経路とを備え、該循環経路の途中位置
に循環ポンプ及びフィルタが設けられている半導体製造
装置に係り、上記被処理体をウエット処理する製品処理
時と、上記ウエット処理後の上記処理液を排液する処理
液排液時とで、上記循環ポンプを作動させて上記フィル
タ内を通過する上記処理液の流れが逆方向になるように
構成したことを特徴としている。している。

【００２０】また、請求項３記載の発明は、被処理体を
ウエット処理する処理液を溜める内槽と、該内槽からオ
ーバーフローした上記処理液を収容する外槽と、該外槽
と上記内槽とを連結して上記外槽から上記内槽へ洗浄液
を循環させる循環経路とを備え、該循環経路の途中位置
に循環ポンプ及びフィルタが設けられている半導体製造
装置に係り、上記循環ポンプの上流側及び下流側にそれ
ぞれ制御弁を含む複数のバイパス配管を設け、上記被処
理体をウエット処理する製品処理時と、上記ウエット処
理後の上記処理液を排液する処理液排液時とで、上記複
数の制御弁を制御して上記循環ポンプの回転方向を一定
に維持したままで、上記フィルタ内を通過する上記処理
液の流れが逆方向になるように構成したことを特徴とし
ている。

【００２１】また、請求項４記載の発明は、請求項２又
は３記載の半導体製造装置に係り、上記内槽と上記循環
ポンプとの間に排液経路を備えることを特徴としてい
る。

【００２２】また、請求項５記載の発明は、請求項２又
は４記載の半導体製造装置に係り、上記製品処理時と上
記処理液排液時とで、上記循環ポンプの回転方向を異な
らせることを特徴としている。

【００２３】また、請求項６記載の発明は、請求項２又
は４記載の半導体製造装置に係り、上記循環ポンプが、
上記製品処理時に作動する第１の循環ポンプと、上記処
理液排液時に作動する第２の循環ポンプとから成ること
を特徴としている。

【００２４】また、請求項７記載の発明は、請求項３又
は４記載の半導体製造装置に係り、上記複数のバイパス
配管が、上記循環ポンプの上流側及び下流側にそれぞれ
設けられた第１の制御弁及び第２の制御弁と、上記第２
の制御弁及び循環ポンプに並列に設けられた第３の制御
弁と、上記第１の制御弁及び循環ポンプに並列に設けら
れた第４の制御弁とをそれぞれ含んでいることを特徴と
している。

【００２５】また、請求項８記載の発明は、請求項７記
載の半導体製造装置に係り、上記製品処理時に上記第１
及び第２の制御弁のみが開く一方、上記処理液排液時に
上記第３及び第４の制御弁のみが開くように構成される
ことを特徴としている。

【００２６】また、請求項９記載の発明は、１乃至８の
いずれか１に記載の半導体製造装置請求項７記載の半導
体製造装置に係り、上記循環ポンプの上流側に排液槽が
設けられることを特徴としている。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である半導体製造装置の
構成を示す系統図、図２及び図３は同半導体製造装置の
フィルタの動作を概略的に示す図、図４は同半導体製造
装置の処理シーケンスを示す図、図５は同半導体製造装
置の動作時の各制御弁の開閉状態を示す図である。この
例の半導体製造装置は、図１に示すように、半導体ウェ
ハをウエット処理するための処理槽１０を備え、この処
理槽１０は、半導体ウェハの処理液を溜める内槽１とこ
の内槽１からオーバーフローした処理液を収容する外槽
２とから成り、外槽２内には必要に応じて処理液供給槽
３から新たな処理液が供給されるように構成されてい
る。また、内槽１と外槽２とを連結して内槽１から外槽
２へ薬液を循環させる循環配管４が設けられ、この循環
配管４の途中位置には循環ポンプ５及びフィルタ６が設
けられるとともに、循環ポンプ５の上流側には制御弁７
Ａが設けられている。

【００２８】循環ポンプ４の上流側には制御弁７Ｂを介
して排液槽８が設けられている。また、内槽１と制御弁
７Ａとの間には制御弁７Ｃを介して排液配管９が設けら
れている。さらに、内槽１とフィルタ６の下流側との間
には、制御弁７Ｄを介して排液配管１２が設けられてい
る。なお、図１において、実線矢印は製品処理時の洗浄
液の流れを、破線矢印は排液時の洗浄液（排液）の流れ
を示している。

【００２９】半導体ウェハをウエット処理する製品処理
時には、図２に示すように、処理液はフィルタ６の上流
側６Ａから下流側６Ｂに向かう方向に流れる。一方、ウ
エット処理後の処理液を排液する処理液排液時には、図
３に示すように、処理液（排液）はフィルタ６の下流側
６Ｂから上流側６Ａに向かう方向に流れる。したがっ
て、この場合の処理液は、フィルタ６から循環ポンプ５
を通過して、開かれている制御弁７Ｂを介して排液槽８
に排液される。

【００３０】図４は、この例による半導体製造装置の処
理シーケンスを示している。まず、製品処理が実施され
た後、液交換工程１３に移って、後述するように、 処
理液排液シーケンス、 処理槽洗浄シーケンス、 槽洗
浄液排液シーケンス、 処理液導入シーケンスが順次に
実施される。液交換工程が終了した後には、再び製品処
理が繰り返される。

【００３１】次に、図５の各制御弁の開閉状態を参照し
て、この例の半導体製造装置の動作について説明する。 製品処理時 制御弁７Ａ〜７Ｄは、図５に示すように、制御弁７Ａが
開いて、制御弁７Ｂ〜７Ｄが閉じた状態にある。処理槽
１０の内槽１から外槽２へオーバーフローして溜った洗
浄液は、循環ポンプ５の作動（正回転）により、実線矢
印で示したように、制御弁７Ａ、循環ポンプ５及びフィ
ルタ６中を通過して、循環配管４によって内槽１に再び
戻される。このとき、内槽１内で半導体ウェハの処理に
より処理液内に流出した異物は、図２に示すように、フ
ィルタ６の上流側６Ａで捕獲されて下流側６Ｂ側には流
出しないので、洗浄液はクリーンな状態となって内槽１
側に戻される。半導体ウェハの処理数が増加するに従
い、異物はフィルタ６の上流側に蓄積されていく。

【００３２】処理液排液シーケンス 半導体ウェハの処理数の増加により劣化した処理液を定
期的に交換する。制御弁７Ａ〜７Ｄは、図５に示すよう
に、制御弁７Ａが閉じて、制御弁７Ｂ〜７Ｄが開いた状
態にある。この場合は、循環ポンプ５を上記 製品処理
時の場合と逆回転するように作動させる。これにより、
図５で破線矢印で示したように、内槽１内の処理液は制
御弁７Ｄを介して排液配管１２を通過するとともに、外
槽２内の処理液は制御弁７Ｃを介して排液排液９を通過
し、さらに各処理液は共通の循環配管４のフィルタ６及
び循環ポンプ５を通過して、制御弁３７Ｂを介して排液
槽８に排出される。この結果、フィルタ６の上流側６Ａ
に捕獲されて蓄積されていた異物は処理液洗浄液に押し
出されて排液槽８に排出されるようになる。一方、この
ときの処理液に含まれている異物はフィルタ６の下流側
６Ｂに捕獲されるようになる。

【００３３】処理槽洗浄シーケンス（共洗い） 劣化した処理液を全て排出しても、処理液１０の内槽１
及び外槽２の側壁や、循環配管４及び排出配管９、１２
の内壁には劣化した処理液の成分が付着し残留してゴミ
の原因となる場合が多いので、これらの残留成分を除去
する。制御弁７Ａ〜７Ｄは、図５に示すように、制御弁
７Ａが開いて、制御弁７Ｂ〜７Ｄが閉じた状態にある。
この場合は、循環ポンプ５を上記 製品処理時の場合と
同様に正回転するように作動させる。処理液供給槽３か
ら外槽２内に新たな処理液を一時的に導入して、この処
理液を処理槽洗浄液として用いて上記 製品処理時の場
合と同じ循環経路で循環させて、循環経路内を共洗いす
る。これにより、フィルタ６の下流側６Ｂに捕獲されて
いた異物は新たな処理液により押し出されて内槽１内に
溜められた後、外槽２にオーバーフローすることで、再
度フィルタ６の上流側６Ａに捕獲される。このとき、内
槽１内も新たな処理液に置き換えられるので、残留成分
もフィルタ６の上流側６Ａに捕獲される。したがって、
再び製品処理を開始したときに、処理液をクリーン度の
より高い状態で使用することができるようになる。

【００３４】槽洗浄液排液シーケンス 上記 処理液排液シーケンスと略同じ内容で、上記槽洗
浄液を排液する。制御弁７Ａ〜７Ｄは、図５に示すよう
に、制御弁７Ａが閉じて、制御弁７Ｂ〜７Ｄが開いた状
態にある。この場合は、循環ポンプ５を上記 処理液排
液シーケンスの場合と同様に逆回転するように作動させ
る。これにより、フィルタ６の上流側６Ａに捕獲されて
いた異物は、処理液とともに排液槽８に排液される。こ
の結果、フィルタ６からは異物が除去、排出されるの
で、フィルタ６はリフレッシュされることになる。

【００３５】処理液導入シーケンス 製品処理のために新たな処理液を導入する。制御弁７Ａ
〜７Ｄは、図５に示すように、制御弁７Ａが開いて、制
御弁７Ｂ〜７Ｄが閉じた状態にある。この場合は、循環
ポンプ５を上記 処理槽洗浄シーケンスの場合と同様に
正回転するように作動させる。処理液供給槽３から外槽
２内に新たな処理液を導入して、上記製品処理時の場合
と同じ循環経路で循環させる。以上により、処理液の交
換が完了し、以後上記 の製品処理を再開する。

【００３６】このように、この例の半導体製造装置によ
れば、半導体ウェハをウエット処理する製品処理時と、
ウエット処理後の処理液を排液する処理液排液時とで、
フィルタ６内を通過する処理液の流れを逆方向になるよ
うに構成したので、フィルタ６の上流側６Ａあるいは下
流側６Ｂに捕獲されていた異物は処理液とともに押し出
されるので、フィルタ６をリフレッシュすることができ
る。したがって、被処理体の処理液の循環経路に設けら
れているフィルタに捕獲されている異物を十分に除去す
ることができる。

【００３７】◇第２実施例 図６は、この発明の第２実施例である半導体製造装置の
主要部の構成を概略的に示す図である。この発明の第２
実施例である半導体製造装置の構成が、上述した第１実
施例の構成と大きく異なるところは、循環ポンプを正回
転用と逆回転用との２個を設けるようにした点である。
すなわち、この例の液晶表示装置は、図６に示すよう
に、循環配管４の途中位置に第１の循環ポンプ（正回転
用）１４と、第２の循環ポンプ（逆回転用）１５とを並
列に設けて、第１又は第２の循環ポンプ１４、１５を切
替回路１６により切り替えるように構成されている。こ
こで、第１の循環ポンプ１４は、 製品処理時、 処理
槽洗浄シーケンス及び 処理液導入シーケンス時に作動
させる。一方、第２の循環ポンプ（逆回転用）１５は、
処理液排液シーケンス及び 槽洗浄液排液シーケンス
時に作動させる。これ以外は、上述した第１実施例と略
同様に構成する。

【００３８】この例の半導体製造装置によれば、上述の
ように第１の循環ポンプ（正回転用）１４と、第２の循
環ポンプ（逆回転用）１５とを並列に設けるようにした
ので、各循環ポンプ１４、１５は常に一定方向のみに回
転させればよいので、循環ポンプの制御を簡単に行うこ
とができるようになる。

【００３９】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、動作に応じて
いずれか一方の循環ポンプを作動させればよいので、循
環ポンプの制御が簡単になる。

【００４０】◇第３実施例 図７は、この発明の第３実施例である半導体製造装置の
主要部の構成を概略的に示す図、図８は同半導体製造装
置の処理シーケンスを示す図である。この発明の第３実
施例である半導体製造装置の構成が、上述した第１実施
例の構成と大きく異なるところは、循環ポンプを常に一
定方向に回転させるようにした点である。すなわち、こ
の例の半導体製造装置は、図７に示すように、循環ポン
プ５の上流側及び下流側にそれぞれ第１の制御弁１７Ａ
及び第２の制御弁１７を設けるとともに、第２の制御弁
１７及び循環ポンプ５に並列に第３の制御弁１７Ｃを設
け、さらに第１の制御弁１７Ａ及び循環ポンプ５に並列
に第４の制御弁１７Ｄを設けて、これら第１〜第４の制
御弁１７Ａ〜１７Ｄを含むバイパス配管１８Ａ〜１８Ｄ
を設け、第１〜第４の制御弁１７Ａ〜１７Ｄを制御する
ことにより、循環ポンプ５の回転方向を一定に維持した
ままで、フィルタ６内を通過する処理液の流れが逆方向
になるように構成されている。

【００４１】以下、図８を参照してこの例の半導体製造
装置の動作について説明する。まず、 製品処理時、
処理槽洗浄シーケンス及び 処理液導入シーケンス時に
は、図８に示すように、第１及び第２の制御弁１７Ａ、
１７Ｂが開いて、第３及び第４の制御弁１７Ｃ、１７Ｄ
が閉じた状態になる。したがって、図７で実線矢印で示
したような洗浄液の流れが形成される。次に、 処理液
排液シーケンス及び 槽洗浄液排液シーケンス時には、
図８に示すように、第３及び第４の制御弁１７Ｃ、１７
Ｄが開いて、第１及び第２の制御弁１７Ａ、１７Ｂが閉
じた状態になる。したがって、図７で破線矢印で示した
ような洗浄液の流れが形成される。

【００４２】この例の半導体製造装置によれば、上述の
ように循環ポンプ５の上流側及び下流側に、それぞれ第
１〜第４の制御弁１７Ａ〜１７Ｄを含む第１〜第４のバ
イパス配管１８Ａ〜１８Ｄを設けるようにしたので、１
個の循環ポンプ５を常に一定方向のみに回転させるだけ
て、処理液の流れを逆循環させることができるので、循
環ポンプの制御が簡単になる。

【００４３】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、１個の循環ポ
ンプだけで処理液の逆循環の流れをつくることができ、
循環ポンプの制御が簡単になる。

【００４４】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、被処理
体としては半導体ウェハに例をあげて説明したが、半導
体ウェハに限らず半導体装置を構成するものであれば、
パッケージ等の他の製品にも適用することができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
製造装置によれば、被処理体をウエット処理する製品処
理時と、ウエット処理後の処理液を排液する処理液排液
時とで、フィルタ内を通過する処理液の流れを逆方向に
なるように構成したので、フィルタの上流側あるいは下
流側に捕獲されていた異物は処理液とともに押し出され
るので、フィルタをリフレッシュすることができる。し
たがって、被処理体の処理液の循環経路に設けられてい
るフィルタに捕獲されている異物を十分に除去すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例である半導体製造装置の
構成を示す系統図である。

【図２】同半導体製造装置のフィルタの動作を概略的に
示す図である。

【図３】同半導体製造装置のフィルタの動作を概略的に
示す図である。

【図４】同半導体製造装置の処理シーケンスを示す図で
ある。

【図５】同半導体製造装置の動作時の各制御弁の開閉状
態を示す図である。

【図６】この発明の第２実施例である半導体製造装置の
主要部の構成を概略的に示す図である。

【図７】この発明の第３実施例である半導体製造装置の
主要部の構成を概略的に示す図である。

【図８】同半導体製造装置の処理シーケンスを示す図で
ある。

【図９】従来の半導体製造装置の構成を示す系統図であ
る。

【図１０】同半導体製造装置のフィルタの動作を概略的
に示す図である。

【図１１】従来の半導体製造装置の構成を示す系統図で
ある。

【図１２】従来の半導体製造装置の構成を示す系統図で
ある。

【符号の説明】

１ 内槽 ２ 外槽 ３ 処理液供給槽 ４ 循環配管 ５ 循環ポンプ ６ フィルタ ７Ａ〜７Ｄ、１７Ａ〜１７Ｄ 制御弁 ８ 排液槽 ９、１２ 排液配管 １０ 処理槽 １３ 液交換工程 １４ 第１の循環ポンプ（正回転用） １５ 第２の循環ポンプ（逆回転用） １６ 切替回路 １８Ａ〜１８Ｄ バイパス配管

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体をウエット処理する処理液を溜
   める処理槽と、該処理槽内の前記処理液を前記処理槽の
   外部に排出させて再度処理槽に戻す循環経路とを備え、
   該循環経路の途中位置にフィルタが設けられている半導
   体製造装置であって、 前記被処理体をウエット処理する製品処理時と、前記ウ
   エット処理後の前記処理液を排液する処理液排液時と
   で、前記フィルタ内を通過する前記処理液の流れが逆方
   向になるように構成したことを特徴とする半導体製造装
   置。
2. 【請求項２】 被処理体をウエット処理する処理液を溜
   める内槽と、該内槽からオーバーフローした前記処理液
   を収容する外槽と、該外槽と前記内槽とを連結して前記
   外槽から前記内槽へ洗浄液を循環させる循環経路とを備
   え、該循環経路の途中位置に循環ポンプ及びフィルタが
   設けられている半導体製造装置であって、 前記被処理体をウエット処理する製品処理時と、前記ウ
   エット処理後の前記処理液を排液する処理液排液時と
   で、前記循環ポンプを作動させて前記フィルタ内を通過
   する前記処理液の流れが逆方向になるように構成したこ
   とを特徴とする半導体製造装置。
3. 【請求項３】 被処理体をウエット処理する処理液を溜
   める内槽と、該内槽からオーバーフローした前記処理液
   を収容する外槽と、該外槽と前記内槽とを連結して前記
   外槽から前記内槽へ洗浄液を循環させる循環経路とを備
   え、該循環経路の途中位置に循環ポンプ及びフィルタが
   設けられている半導体製造装置であって、 前記循環ポンプの上流側及び下流側にそれぞれ制御弁を
   含む複数のバイパス配管を設け、前記被処理体をウエッ
   ト処理する製品処理時と、前記ウエット処理後の前記処
   理液を排液する処理液排液時とで、前記複数の制御弁を
   制御して前記循環ポンプの回転方向を一定に維持したま
   まで、前記フィルタ内を通過する前記処理液の流れが逆
   方向になるように構成したことを特徴とする半導体製造
   装置。
4. 【請求項４】 前記内槽と前記循環ポンプとの間に排液
   経路を備えることを特徴とする請求項２又は３記載の半
   導体製造装置。
5. 【請求項５】 前記製品処理時と前記処理液排液時と
   で、前記循環ポンプの回転方向を異ならせることを特徴
   とする請求項２又は４記載の半導体製造装置。
6. 【請求項６】 前記循環ポンプが、前記製品処理時に作
   動する第１の循環ポンプと、前記処理液排液時に作動す
   る第２の循環ポンプとから成ることを特徴とする請求項
   ２又は４記載の半導体製造装置。
7. 【請求項７】 前記複数のバイパス配管が、前記循環ポ
   ンプの上流側及び下流側にそれぞれ設けられた第１の制
   御弁及び第２の制御弁と、前記第２の制御弁及び循環ポ
   ンプに並列に設けられた第３の制御弁と、前記第１の制
   御弁及び循環ポンプに並列に設けられた第４の制御弁と
   をそれぞれ含んでいることを特徴とする請求項３又は４
   記載の半導体製造装置。
8. 【請求項８】 前記製品処理時に前記第１及び第２の制
   御弁のみが開く一方、前記処理液排液時に前記第３及び
   第４の制御弁のみが開くように構成されることを特徴と
   する請求項７記載の半導体製造装置。
9. 【請求項９】 前記循環ポンプの上流側に排液槽が設け
   られることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１に
   記載の半導体製造装置。