JPH0521415A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPH0521415A JPH0521415A JP17259791A JP17259791A JPH0521415A JP H0521415 A JPH0521415 A JP H0521415A JP 17259791 A JP17259791 A JP 17259791A JP 17259791 A JP17259791 A JP 17259791A JP H0521415 A JPH0521415 A JP H0521415A
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- processing
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- processing liquid
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 槽内の処理液の切り替え時にもポンプの運転
を継続させて処理液のクリーン度を確保する。 【構成】 半導体ウェハーを収納する処理槽と、ポンプ
と、濾過フィルタと、の間で前記ウェハーを処理する第
1の処理液を循環させる第1の循環系と、前記第1の処
理液を前記ポンプと前記濾過フィルタとの間で、前記処
理槽をバイパスして、循環させる第2の循環系と、前記
第1の循環系での前記第1の処理液の循環を停止させ、
前記第2の循環系での循環のみを継続させ、この状態で
前記処理槽中の前記第1の処理液を外部に排出し、この
処理槽中に第2の処理液を流入させる、第1の処理液置
換手段と、前記処理槽中の前記第2の処理液を外部に排
出し、前記第2の循環系中の前記第1の処理液を前記処
理槽中に流入させて、前記第1の循環系に再び前記第1
の処理液を循環させる、第2の処理液置換手段と、を備
える。
を継続させて処理液のクリーン度を確保する。 【構成】 半導体ウェハーを収納する処理槽と、ポンプ
と、濾過フィルタと、の間で前記ウェハーを処理する第
1の処理液を循環させる第1の循環系と、前記第1の処
理液を前記ポンプと前記濾過フィルタとの間で、前記処
理槽をバイパスして、循環させる第2の循環系と、前記
第1の循環系での前記第1の処理液の循環を停止させ、
前記第2の循環系での循環のみを継続させ、この状態で
前記処理槽中の前記第1の処理液を外部に排出し、この
処理槽中に第2の処理液を流入させる、第1の処理液置
換手段と、前記処理槽中の前記第2の処理液を外部に排
出し、前記第2の循環系中の前記第1の処理液を前記処
理槽中に流入させて、前記第1の循環系に再び前記第1
の処理液を循環させる、第2の処理液置換手段と、を備
える。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体処理装置に関
し、特に、複数の処理液により半導体ウェハーを処理す
る半導体処理装置に関する。
し、特に、複数の処理液により半導体ウェハーを処理す
る半導体処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の半導体処理装置の概略図で
ある。図3に示すように、処理槽101に半導体ウェハ
ーを処理するための処理液107が収納されている。処
理槽101からあふれた処理液は、回収部102で回収
され、循環ポンプ103によってフィルタ104を介し
てダスト等を除去された後、処理液供給口105から再
び処理槽101に戻される。一方、処理槽101内の処
理液107は、排水口106から排出される。そして、
半導体ウェハーを水洗するための純水113は水洗槽1
10に収容されている。水洗槽110には純水供給口1
12から純水が供給され、あふれた純水113は排水口
111から排出される。
ある。図3に示すように、処理槽101に半導体ウェハ
ーを処理するための処理液107が収納されている。処
理槽101からあふれた処理液は、回収部102で回収
され、循環ポンプ103によってフィルタ104を介し
てダスト等を除去された後、処理液供給口105から再
び処理槽101に戻される。一方、処理槽101内の処
理液107は、排水口106から排出される。そして、
半導体ウェハーを水洗するための純水113は水洗槽1
10に収容されている。水洗槽110には純水供給口1
12から純水が供給され、あふれた純水113は排水口
111から排出される。
【0003】以上述べたような構成において、次にその
動作を説明する。
動作を説明する。
【0004】薬液処理対象としての図示しない半導体ウ
ェハーは、処理槽101内の処理液107に所定時間浸
漬され、あらかじめ定められた半導体プロセス上の薬液
処理を受ける。処理槽101内の処理液107は、回収
部102から循環ポンプ103、フィルタ104、処理
液供給口105を経て処理槽101に循環する。この循
環によって処理液はダスト除去され、常にクリーンな状
態に保たれる。処理槽101での処理を終了した半導体
ウェハーは、処理槽101から引き上げられ、水洗槽1
01に移される。
ェハーは、処理槽101内の処理液107に所定時間浸
漬され、あらかじめ定められた半導体プロセス上の薬液
処理を受ける。処理槽101内の処理液107は、回収
部102から循環ポンプ103、フィルタ104、処理
液供給口105を経て処理槽101に循環する。この循
環によって処理液はダスト除去され、常にクリーンな状
態に保たれる。処理槽101での処理を終了した半導体
ウェハーは、処理槽101から引き上げられ、水洗槽1
01に移される。
【0005】ウェハーはこの水洗槽110内で純水11
3によりオーバーフロー洗浄処理される。
3によりオーバーフロー洗浄処理される。
【0006】処理槽101内の処理液107を別の処理
液に取り替えるには、循環ポンプ103を一旦停止し、
処理液107を排水し、新たな処理液を槽101内に注
入する。この後に再び循環ポンプ103を作動させ、処
理液を循環させる。
液に取り替えるには、循環ポンプ103を一旦停止し、
処理液107を排水し、新たな処理液を槽101内に注
入する。この後に再び循環ポンプ103を作動させ、処
理液を循環させる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の半導体処理装置は、処理槽101と水洗槽110の
2つの槽の間を半導体ウェハーを移動させて処理と水洗
を行なうように構成されていた。このため、処理槽10
1から水洗槽110に半導体ウェハーを移動する間に、
ウェハーが大気中でのダストに汚染されたり、移動中に
処理液が垂れて処理液むらができたりする。例えば、そ
の処理液がエッチング液であるときには、ウェハー面に
エッチングむらができる。
来の半導体処理装置は、処理槽101と水洗槽110の
2つの槽の間を半導体ウェハーを移動させて処理と水洗
を行なうように構成されていた。このため、処理槽10
1から水洗槽110に半導体ウェハーを移動する間に、
ウェハーが大気中でのダストに汚染されたり、移動中に
処理液が垂れて処理液むらができたりする。例えば、そ
の処理液がエッチング液であるときには、ウェハー面に
エッチングむらができる。
【0008】更に、処理槽101内の処理液を替える時
に、循環ポンプ103を停止させたり再起動させたりす
ることの繰り返しは、フィルタ104に加わる圧力の変
動させる。これに伴ない、捕獲したダストが再び処理槽
101に供給される結果をひきおこし、パーティクルの
捕獲機能を大幅に低下させる原因となっていた。
に、循環ポンプ103を停止させたり再起動させたりす
ることの繰り返しは、フィルタ104に加わる圧力の変
動させる。これに伴ない、捕獲したダストが再び処理槽
101に供給される結果をひきおこし、パーティクルの
捕獲機能を大幅に低下させる原因となっていた。
【0009】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的は、連続的にポンプの運転を継続させるととも
に処理の途中で半導体ウェハーを空気中にさらさないよ
うにした半導体処理装置を提供することにある。
その目的は、連続的にポンプの運転を継続させるととも
に処理の途中で半導体ウェハーを空気中にさらさないよ
うにした半導体処理装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の装置は、
半導体ウェハーを収納する処理槽と、ポンプと、ろ過フ
ィルタと、の間で前記ウェハーを処理する第1の処理液
を循環させる第1の循環系と、前記第1の処理液を前記
ポンプと前記ろ過フィルタとの間で、前記処理槽をバイ
パスして、循環させる第2の循環系と、前記第1の循環
系での前記第1の処理液の循環を停止させ、前記第2の
循環系での循環のみを継続させ、この状態で前記処理槽
中の前記第1の処理液を外部に排出し、この処理槽中に
第2の処理液を流入させる、第1の処理液置換手段と、
前記処理槽中の前記第2の処理液を外部に排出し、前記
第2の循環系中の前記第1の処理液を前記処理槽中に流
入させて、前記第1の循環系に再び前記第1の処理液を
循環させる、第2の処理液置換手段と、を備えるものと
して構成される。
半導体ウェハーを収納する処理槽と、ポンプと、ろ過フ
ィルタと、の間で前記ウェハーを処理する第1の処理液
を循環させる第1の循環系と、前記第1の処理液を前記
ポンプと前記ろ過フィルタとの間で、前記処理槽をバイ
パスして、循環させる第2の循環系と、前記第1の循環
系での前記第1の処理液の循環を停止させ、前記第2の
循環系での循環のみを継続させ、この状態で前記処理槽
中の前記第1の処理液を外部に排出し、この処理槽中に
第2の処理液を流入させる、第1の処理液置換手段と、
前記処理槽中の前記第2の処理液を外部に排出し、前記
第2の循環系中の前記第1の処理液を前記処理槽中に流
入させて、前記第1の循環系に再び前記第1の処理液を
循環させる、第2の処理液置換手段と、を備えるものと
して構成される。
【0011】本発明の第2の装置は、前記第1の装置に
おいて、前記第1の処理液の、前記第1の循環系を流れ
る量と前記第2の循環系を流れる量の比を任意に調節可
能な、流量比較調節手段をさらに備える。
おいて、前記第1の処理液の、前記第1の循環系を流れ
る量と前記第2の循環系を流れる量の比を任意に調節可
能な、流量比較調節手段をさらに備える。
【0012】本発明の第3の装置は、前記第1又は第2
の装置において、前記第1又は第2の前記第2の循環系
は、前記第1の処理液を収納する予備の槽を備えるもの
として構成される。
の装置において、前記第1又は第2の前記第2の循環系
は、前記第1の処理液を収納する予備の槽を備えるもの
として構成される。
【0013】
【作用】第1の循環系中を第1の処理液が循環している
間に、処理槽中で半導体ウェハーを処理する。第1の処
理液による処理が終ったら、第1の処理液を第2の循環
系中を循環させ、第2の循環系中には流れないようにす
る。この状態で処理槽中の第1の処理液を第2の処理液
と置換する。第2の処理液によるウェハーの処理が終っ
たら、処理槽中から第2の処理液を排出する。この後、
第2の循環系中を循環していた第1の処理液を再び第1
の循環系中にも注入、循環させる。
間に、処理槽中で半導体ウェハーを処理する。第1の処
理液による処理が終ったら、第1の処理液を第2の循環
系中を循環させ、第2の循環系中には流れないようにす
る。この状態で処理槽中の第1の処理液を第2の処理液
と置換する。第2の処理液によるウェハーの処理が終っ
たら、処理槽中から第2の処理液を排出する。この後、
第2の循環系中を循環していた第1の処理液を再び第1
の循環系中にも注入、循環させる。
【0014】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【0015】図1は本発明の一実施例に係る半導体処理
装置の概略図である。図1において示すように、半導体
ウェハーを処理するための処理槽101には、処理液1
07が収容されている。処理槽101には、回収部10
2の排水口203と、処理槽101底面の排水口106
を有する。いずれの排水口203、106も、予備槽2
06に連通すると共に排水ライン204に接続されてい
る。予備槽206中の処理液は、循環ポンプ103から
ろ過フィルタ104を通じて、流量コントロールバルブ
209に達する。この流量コントロールバルブ209の
作用により、処理液の一部は処理槽供給ライン213を
通じて処理槽101に戻され、残りは予備槽供給ライン
212を通じて予備槽206に循環する。流量コントロ
ールバルブ209はフィルタ104からの液を処理槽供
給ライン213と、予備槽供給ライン212と、任意の
割合で流量の割り振りする。もちろん、どちらか一方に
のみ流れを切り替えることも可能である。そして、通常
の場合は、約半分づつに分けて循環させられている。ま
た、処理槽101には、処理槽供給ライン213ほか
に、純水供給ライン210と新液供給ライン215が設
けられており、洗浄処理用の純水や別の処理用の新液を
自由に供給することが可能である。
装置の概略図である。図1において示すように、半導体
ウェハーを処理するための処理槽101には、処理液1
07が収容されている。処理槽101には、回収部10
2の排水口203と、処理槽101底面の排水口106
を有する。いずれの排水口203、106も、予備槽2
06に連通すると共に排水ライン204に接続されてい
る。予備槽206中の処理液は、循環ポンプ103から
ろ過フィルタ104を通じて、流量コントロールバルブ
209に達する。この流量コントロールバルブ209の
作用により、処理液の一部は処理槽供給ライン213を
通じて処理槽101に戻され、残りは予備槽供給ライン
212を通じて予備槽206に循環する。流量コントロ
ールバルブ209はフィルタ104からの液を処理槽供
給ライン213と、予備槽供給ライン212と、任意の
割合で流量の割り振りする。もちろん、どちらか一方に
のみ流れを切り替えることも可能である。そして、通常
の場合は、約半分づつに分けて循環させられている。ま
た、処理槽101には、処理槽供給ライン213ほか
に、純水供給ライン210と新液供給ライン215が設
けられており、洗浄処理用の純水や別の処理用の新液を
自由に供給することが可能である。
【0016】以上述べたような構成において、半導体ウ
ェハーをふっ酸水溶液(HF)で薬液処理し、次に純水
により洗浄処理する場合を例にとってその動作を説明す
る。
ェハーをふっ酸水溶液(HF)で薬液処理し、次に純水
により洗浄処理する場合を例にとってその動作を説明す
る。
【0017】処理槽101には処理液107としてHF
が満たされている。この液107の中に図示しないキャ
リアにセットされた半導体ウェハーが所定時間浸漬さ
れ、あらかじめ定められた薬液処理を受けている。この
場合において、処理槽101からオーバーフローした処
理液(HF)は、回収部102から排水口203、予備
槽供給ライン205を通じて予備槽206に落ちる。予
備槽206の処理液(HF)は、循環ポンプ103から
フィルタ104を経てパーティクル除去などのフィルタ
処理を受け、流量コントロールバルブ209を介してそ
の一部が処理槽供給ライン213を通じて処理液107
に循環する。そして、流量コントロールバルブ209で
分けられた処理液の残りは予備槽供給ライン212を通
じて予備槽206に循環する。
が満たされている。この液107の中に図示しないキャ
リアにセットされた半導体ウェハーが所定時間浸漬さ
れ、あらかじめ定められた薬液処理を受けている。この
場合において、処理槽101からオーバーフローした処
理液(HF)は、回収部102から排水口203、予備
槽供給ライン205を通じて予備槽206に落ちる。予
備槽206の処理液(HF)は、循環ポンプ103から
フィルタ104を経てパーティクル除去などのフィルタ
処理を受け、流量コントロールバルブ209を介してそ
の一部が処理槽供給ライン213を通じて処理液107
に循環する。そして、流量コントロールバルブ209で
分けられた処理液の残りは予備槽供給ライン212を通
じて予備槽206に循環する。
【0018】処理液(HF)による処理を終了すると、
流量コントロールバルブ209により処理槽101への
処理液の供給は停止させられ、全ての処理液が予備槽供
給ライン212から予備槽206に循環する。その結
果、予備槽206内の処理液は、循環ポンプ103、フ
ィルタ104、流量コントロールバルブ209、予備槽
供給ライン212及び予備槽206へと循環することに
なる。
流量コントロールバルブ209により処理槽101への
処理液の供給は停止させられ、全ての処理液が予備槽供
給ライン212から予備槽206に循環する。その結
果、予備槽206内の処理液は、循環ポンプ103、フ
ィルタ104、流量コントロールバルブ209、予備槽
供給ライン212及び予備槽206へと循環することに
なる。
【0019】次に、処理槽101の排水口106を開け
て処理液107を全て予備槽206に落とす。ちなみ
に、処理液107を以後使用しない場合は、排液を排水
ライン204から排出する。処理槽101からの処理液
107の排液後は、純水供給口210から純水を供給し
て半導体ウェハーを洗浄し、処理を終了する。
て処理液107を全て予備槽206に落とす。ちなみ
に、処理液107を以後使用しない場合は、排液を排水
ライン204から排出する。処理槽101からの処理液
107の排液後は、純水供給口210から純水を供給し
て半導体ウェハーを洗浄し、処理を終了する。
【0020】しかる後、半導体ウェハーを引上げ、排水
ライン204を通じて処理槽101内の処理液(純水)
107を排水する。さらに、流量コントロールバルブ2
09を通じてそれまで予備槽206を介して循環してい
たHFを処理槽供給ライン213に導出することによ
り、処理槽101内の処理液107を再びHFとし、新
たな処理に備える。
ライン204を通じて処理槽101内の処理液(純水)
107を排水する。さらに、流量コントロールバルブ2
09を通じてそれまで予備槽206を介して循環してい
たHFを処理槽供給ライン213に導出することによ
り、処理槽101内の処理液107を再びHFとし、新
たな処理に備える。
【0021】以上のような動作の結果、従来半導体ウェ
ハーを薬液処理と洗浄処理の間で槽間移動させることに
伴い発生していた、ウェハーに加わる振動という問題
や、ウェハー表面の疎水性のためにウェハー表面が活性
となりダストの付着が生じやすいという問題が解消す
る。さらに半導体ウェハーを槽間移動させないため、ク
リーンなウェハー表面をキープすることができるように
なる。また、処理液の交換に伴うポンプの停止や再起動
が不要となるため、処理液中のパーティクルを除去する
ためのフィルタへの圧力変動がなくなり、処理液のクリ
ーン度を向上することができる。
ハーを薬液処理と洗浄処理の間で槽間移動させることに
伴い発生していた、ウェハーに加わる振動という問題
や、ウェハー表面の疎水性のためにウェハー表面が活性
となりダストの付着が生じやすいという問題が解消す
る。さらに半導体ウェハーを槽間移動させないため、ク
リーンなウェハー表面をキープすることができるように
なる。また、処理液の交換に伴うポンプの停止や再起動
が不要となるため、処理液中のパーティクルを除去する
ためのフィルタへの圧力変動がなくなり、処理液のクリ
ーン度を向上することができる。
【0022】図2は、図1の処理槽101の変形例を示
す。即ち、図2は枚葉式処理装置の一部を示す。図2に
おいて示すように、処理槽101内の処理液107にウ
ェハー304が浸漬されており、ここに供給口303か
ら処理液が供給され排水口106から排液される。供給
系、排液系は図1と同様である。
す。即ち、図2は枚葉式処理装置の一部を示す。図2に
おいて示すように、処理槽101内の処理液107にウ
ェハー304が浸漬されており、ここに供給口303か
ら処理液が供給され排水口106から排液される。供給
系、排液系は図1と同様である。
【0023】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体処理
装置によれば、ポンプを停止させることなく処理槽内の
処理液の切り替えを可能としたため、ダストの除去能力
を維持することが可能となり、また半導体ウェハーを薬
液処理と洗浄処理の間で移動する必要がないので、移動
に伴う半導体ウェハーへのダストの付着や液垂れを防止
できるので品質やプロセス信頼性の向上を計ることがで
き、更に1つの処理槽で薬液処理と洗浄処理ができるた
め装置を小型化できる。
装置によれば、ポンプを停止させることなく処理槽内の
処理液の切り替えを可能としたため、ダストの除去能力
を維持することが可能となり、また半導体ウェハーを薬
液処理と洗浄処理の間で移動する必要がないので、移動
に伴う半導体ウェハーへのダストの付着や液垂れを防止
できるので品質やプロセス信頼性の向上を計ることがで
き、更に1つの処理槽で薬液処理と洗浄処理ができるた
め装置を小型化できる。
【図1】本発明の一実施例に係る半導体処理装置の概略
構成図。
構成図。
【図2】図1の構成の処理槽の他の例を示す部分概略構
成図。
成図。
【図3】従来の半導体処理装置の概略構成図。
101 処理槽
102 回収部
103 循環ポンプ
104 フィルタ
105 処理液供給口
106 排水口
107 処理液
110 水洗槽
111 排水口
112 純水供給口
113 純水
203 排水口
204 排水ライン
205 予備槽供給ライン
206 予備槽
209 流量コントロールバルブ
210 純水供給口
212 予備槽供給ライン
213 処理槽供給ライン
215 新液供給ライン
303 供給口
304 ウェハー
Claims (3)
- 【請求項1】半導体ウェハーを収納する処理槽と、ポン
プと、ろ過フィルタと、の間で前記ウェハーを処理する
第1の処理液を循環させる第1の循環系と、 前記第1の処理液を前記ポンプと前記ろ過フィルタとの
間で、前記処理槽をバイパスして、循環させる第2の循
環系と、 前記第1の循環系での前記第1の処理液の循環を停止さ
せ、前記第2の循環系での循環のみを継続させ、この状
態で前記処理槽中の前記第1の処理液を外部に排出し、
この処理槽中に第2の処理液を流入させる、第1の処理
液置換手段と、 前記処理槽中の前記第2の処理液を外部に排出し、前記
第2の循環系中の前記第1の処理液を前記処理槽中に流
入させて、前記第1の循環系に再び前記第1の処理液を
循環させる、第2の処理液置換手段と、 を備えることを特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項2】前記第1の処理液の、前記第1の循環系を
流れる量と前記第2の循環系を流れる量の比を任意に調
節可能な、流量比較調節手段をさらに備える、請求項1
記載の装置。 - 【請求項3】前記第2の循環系は、前記第1の処理液を
収納する予備の槽を備える、請求項1又は2記載の装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03172597A JP3099907B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03172597A JP3099907B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521415A true JPH0521415A (ja) | 1993-01-29 |
JP3099907B2 JP3099907B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=15944805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03172597A Expired - Fee Related JP3099907B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3099907B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100605A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-04-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR100489652B1 (ko) * | 1998-07-18 | 2005-08-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치 |
JP2008030022A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-02-14 | Yuken Industry Co Ltd | 洗浄装置、および該洗浄装置を含む洗浄ユニット |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP03172597A patent/JP3099907B2/ja not_active Expired - Fee Related
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