JP2002071330A - パターン欠陥検査方法及び装置 - Google Patents

パターン欠陥検査方法及び装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハや露光用マスク等のパターン欠陥検
査の高速化を図ること。 【解決手段】 露光用マスクＭのパターンの欠陥を検査
するため、露光用マスクＭを電子ビーム走査装置２によ
って２次元走査して得られた２次電子２Ｂａに基づいて
パターン信号Ｓ３を得ると共に、露光用マスクＭのパタ
ーンのＣＡＤデータＤＴに基づきパターン信号Ｓ３の出
力に同期してＣＡＤ図形に対応するＣＡＤ信号Ｓ４を
得、マスク信号Ｓ３とＣＡＤ信号Ｓ４との比較結果に基
づいて露光用マスクＭのパターンの欠陥を検査するよう
にした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハパター
ン、マスクパターン等のパターンの欠陥をＣＡＤデータ
を用いて検査するようにしたパターン欠陥検査方法及び
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】各種半導体の製造工程において、パター
ニング工程で用いられるマスクのパターンや半導体ウェ
ーハ上に形成されたウェーハパターンが所要の状態に正
しく形成されているか否かを適宜にチェックする必要が
ある。このようなパターンの欠陥検査を行おうとする場
合、従来では、電子顕微鏡を用いるなどして検査対象と
なっているウェーハパターン又はマスクパターンの光学
像又はＳＥＭ画像を得、このようにして得られた検査対
象パターンの画像を所定の参照画像と比較して欠陥を検
査する方法、或いはウェーハパターンやマスクの製造に
用いるＣＡＤデータを用意し、上記検査対象のパターン
画像とＣＡＤデータによるＣＡＤパターン画像とを比較
して欠陥を検査する方法等が採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、例えば直径２
０ｃｍ程度の大型のウェーハ上にマスクパターンを形成
して微細なプロセスを実現しようとする場合、そのパタ
ーンの数は膨大なものとなる。このため、ウェーハやマ
スクのパターンの欠陥検査を上述した従来の方法を用い
て行おうとすると、検査対象となるパターン画像のデー
タ取得に多大の時間を有する上に、取得したパターン画
像のデータ転送及び画像データ比較にも多大の時間が必
要となる。したがって、全体としての検査時間が極めて
長いものとなり、特に短期量産の立ち上げが必要な生産
工程で採用するには現実的でないという問題点を有して
いる。
【０００４】本発明の目的は、従来技術における上述の
問題点を解決し、ウェーハ及びマスクのパターン欠陥検
査の高速化を図ることができるパターン欠陥検査方法及
び装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、検査対象物のパターンを電子ビームに
より２次元走査して得られる２次電子信号に基づいて前
記パターンの形状に対応するパターン信号を得、このパ
ターン信号と前記パターンの製造のためのＣＡＤ図形に
対応するＣＡＤ信号とを比較し、この比較結果に基づい
て前記パターンの欠陥状態を検査するようにしたもので
ある。
【０００６】本発明によれば、ウェーハパターン、マス
クパターン等のパターンの欠陥を検査するためのパター
ン欠陥検査装置において、検査対象物のパターンを所与
の走査信号に応答して電子ビームにより２次元走査する
ための電子ビーム走査装置と、前記電子ビームの走査に
より得られた２次電子に基づき前記パターンの形状に対
応したパターン信号を出力するためのパターン信号出力
手段と、前記パターンの形成のためのＣＡＤデータに基
づき前記パターン信号の出力に同期して所要のパターン
形状を示すＣＡＤ信号を出力するためのＣＡＤ信号出力
手段と、前記パターン信号と前記ＣＡＤ信号とを比較す
る比較手段とを備え、該比較手段からの出力に基づいて
前記パターンの欠陥を検査するようにしたことを特徴と
するパターン欠陥検査装置が提案される。
【０００７】ＣＡＤ信号出力手段は、走査信号に基づい
てマスク信号とＣＡＤ信号との同期をとるように構成す
ることもできる。
【０００８】また、ＣＡＤデータをメモリに格納してお
き、ＣＡＤ信号出力手段は、走査信号に基づいて得られ
る前記電子ビームの走査点座標を示す座標信号に従う座
標位置のＣＡＤデータを上記メモリから読み出すことに
より前記ＣＡＤ信号を出力するように構成することもで
きる。
【０００９】前記パターン信号出力手段は、前記２次電
子を検出する２次電子検出器と、該２次電子検出器から
の出力信号を所与の一定レベルの基準信号と比較して前
記パターン信号を得るための感度調整器とを含んで構成
するようにしてもよい。また、前記比較手段から前記パ
ターン信号と前記ＣＡＤ信号との不一致情報を欠陥信号
として取り出すように構成することもでき、このように
して取り出された欠陥信号をメモリに記録しておくこと
もできる。
【００１０】また、本発明によれば、ウェーハパター
ン、マスクパターン等のパターンの欠陥を検査するため
のパターン欠陥検査方法において、検査対象物のパター
ンを電子ビームにより２次元走査して得られた２次電子
に基づいて前記パターンの形状に対応するパターン信号
を得、該パターン信号と前記パターンの形成のためのＣ
ＡＤ図形に対応するＣＡＤ信号とを比較し、この比較結
果に基づいて前記パターンの欠陥を検査するようにした
ことを特徴とするパターン欠陥検査方法が提案される。
【００１１】この場合、電子ビームを２次元走査するた
めの走査信号に基づいて前記パターン信号と前記ＣＡＤ
信号との同期をとるようにすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態の一例につき詳細に説明する。
【００１３】図１は、本発明によるパターン欠陥検査装
置の実施の形態の一例を示す構成図である。パターン欠
陥検査装置１は、ウェーハパターン、露光用マスクのマ
スクパターン等の如き半導体の製造工程において用いら
れる各種の微細パターンの欠陥検査のための装置であ
り、被検査対象物のパターンを電子ビームによって２次
元走査するための電子ビーム走査装置２を備えている。
本実施の形態では、マスキング工程で用いる露光用マス
クのパターンの欠陥検査を行う場合を例にとって説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。電子ビ
ーム走査装置２は、電子銃２Ａと、電子銃２Ａからの電
子ビーム２Ｂを試料台２Ｃに載せられる露光用マスクＭ
上で集束させるための電子レンズ２Ｄと、電子ビーム２
Ｂによって被測定対象物である露光用マスクＭを２次元
走査するため電子ビーム２ＢをＸ、Ｙ方向に偏向させる
ための偏向器２Ｅとを備えて成る公知構成のものであ
り、走査信号発生器３からの走査信号Ｓ１が偏向器２Ｅ
に供給されている。
【００１４】図２に示されるように、走査信号Ｓ１は、
Ｘ方向走査信号Ｓ１ＸとＹ方向走査信号Ｓ１Ｙとから成
り、偏向器２ＥのＸ方向偏向コイル２ＥＸ及びＹ方向偏
向コイル２ＥＹにＸ方向走査信号Ｓ１Ｘ及びＹ方向走査
信号Ｓ１Ｙがそれぞれ印加され、これにより電子ビーム
２Ｂを偏向させ、露光用マスクＭをＸ、Ｙ方向に２次元
走査する構成となっている。
【００１５】露光用マスクＭは、図１に例示されている
ように、円形の透明ガラス基板上に所要のマスクパター
ンが形成されて成る公知のものであり、走査信号Ｓ１に
従って露光用マスクＭを電子ビーム２Ｂで２次元走査す
ることによって、発生する２次電子２Ｂａが２次電子検
出器４によって検出される構成となっている。２次電子
２Ｂａは露光用マスクＭのパターンの情報を有してお
り、２次電子検出器４からは露光用マスクＭのパターン
に相応した出力信号Ｓ２が出力され、出力信号Ｓ２は感
度調整器５において感度調整される。図１に示す実施の
形態では、感度調整器５は、出力信号Ｓ２のレベルを可
変型の抵抗分圧回路５Ａによって得られた基準電圧Ｖｒ
と電圧比較器５Ｂによって電圧比較し、その比較出力が
マスク信号Ｓ３として出力される構成となっている。
【００１６】図３を参照して感度調整器５の動作につい
て説明する。図３において（Ａ）は露光用マスクＭのパ
ターンの一部分を示すもので、このパターン部分を電子
ビーム２Ｂにより図中点線Ｐで示すようにＸ方向に走査
した場合に得られた出力信号Ｓ２が同図（Ｂ）に示され
ている。出力信号Ｓ２は同図（Ａ）のパターンの走査に
より得られた２次電子による信号であるから、そのレベ
ルは露光用マスクＭのパターン形状に相応して変化して
いる。出力信号Ｓ２は抵抗分圧回路５Ａによって適宜に
設定されたレベルの基準電圧Ｖｒと電圧比較器５Ｂにお
いてレベル比較される。これにより出力信号Ｓ２が波形
整形され、同図（Ｃ）に示すように、同図（Ａ）に示し
たパターン形状に対応してレベルが２値的に変化するパ
ターン信号Ｓ３が得られる。上記説明から判るように、
基準電圧Ｖｒのレベルを調整することによりパターン信
号Ｓ３とパターン形状との対応関係を適切なものとする
ことができる。
【００１７】図１に戻ると、上述の如くして得られた露
光用マスクＭの実際のパターンに対応した電気信号であ
るパターン信号Ｓ３は、信号比較器６の一方の入力に入
力されている。このパターン信号Ｓ３を用いて実際のパ
ターンが予定通りに形成されているか否か、すなわち実
際のパターンに欠陥があるか否かを検査するため、信号
比較器６の他方の入力には、メモリ７内に格納されてい
る露光用マスクＭの製造に用いられたパターン形成のた
めのＣＡＤデータＤＴに基づいて作られるＣＡＤ信号Ｓ
４がＣＡＤ信号発生器８から供給されている。
【００１８】メモリ７内に格納されているＣＡＤデータ
ＤＴからＣＡＤ信号Ｓ４をパターン信号Ｓ３に同期する
ようにして得るため、ＣＡＤ信号発生器８には走査信号
発生器３から座標信号Ｓ５が入力されている。座標信号
Ｓ５は走査信号Ｓ１に基づいて走査信号発生器３内で作
られる信号であり、走査信号Ｓ１によって走査される電
子ビーム２Ｂのその時の走査点の座標を示す信号であ
る。ＣＡＤ信号発生器８ではこの座標信号Ｓ５によって
示される座標位置のＣＡＤデータがメモリ７から読み出
され、ＣＡＤ信号Ｓ４として出力され、これによりパタ
ーン信号Ｓ３とＣＡＤ信号Ｓ４との同期がとられること
となる。
【００１９】図３を参照すると、同図（Ｄ）にはＣＡＤ
データＤＴに基づく予定されたパターン形状であるＣＡ
Ｄ図形が示されている。したがって、ＣＡＤ信号Ｓ４の
波形は同図（Ｅ）に示すようになる。信号比較器６には
パターン信号Ｓ３とＣＡＤ信号Ｓ４とが入力され、それ
らのレベルが比較される。両信号Ｓ３、Ｓ４のレベルが
一致していれば信号比較器６の出力は低レベルである
が、両信号Ｓ３、Ｓ４のレベルが不一致となると高レベ
ルとなる。したがって、図３に示した例では、同図
（Ａ）に示す、実際のパターン形状において欠落してい
る欠落部ＭＸに対応する両信号Ｓ３、Ｓ４の不一致部分
で信号比較器６の出力が高レベルとなる。
【００２０】信号比較器６からは、このようにして、露
光用マスクＭのパターン形状に欠陥がある部分において
のみ高レベルとなる欠陥信号Ｓ６が出力され、欠陥信号
Ｓ６に従う検査結果データが欠陥記録メモリ９に記録さ
れる。
【００２１】本実施の形態では、欠陥記録メモリ９には
座標信号Ｓ５が供給されており、座標信号Ｓ５によって
順次示される露光用マスクＭ上の座標位置について欠陥
の有無を欠陥信号Ｓ６からの情報によって決定し、検査
結果データは「０」、「１」のデータとして記録され
る。
【００２２】図４には、このようにして得られた検査結
果データの一例が示されている。検査結果データは露光
用マスクＭの全ての座標点について欠陥がなければ
「０」、欠陥があれば「１」の各データを割り当ててい
る。したがって、この検査結果データを例えば図示しな
い表示装置上に表示することにより、露光用マスクＭの
パターンのどの辺に欠陥が生じているかを直ちに把握す
ることができる。
【００２３】パターン欠陥検査装置１は、以上のように
構成されているので、露光用マスクＭのパターンの光学
像を取得する必要がなく、電子ビーム走査によって得ら
れた２次電子に基づくパターン信号とＣＡＤ信号とを用
いて露光用マスクＭにおけるパターンの欠陥の有無を迅
速且つ正確に検査することができる。したがって、極め
て微細な露光用マスクのパターンの検査において高スル
ープットを実現でき、パターン検査工程における検査コ
ストの負担の低減を実現することができる。以上、露光
用マスクのパターンの欠陥検査の場合について説明した
が、ウェーハパターンの欠陥検査も全く同様にして効率
よく行うことができ、同様の利点を得ることができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、上述の如く、被検査対
象物のパターンの光学像を取得する必要がなく、検査し
ようとするパターンを電子ビーム走査することによって
得られた２次電子に基づくパターン信号とＣＡＤ信号と
を用いて当該パターンにおける欠陥の有無を迅速且つ正
確に検査することができる。したがって、ウェーハやマ
スク等における極めて微細なパターン検査において高ス
ループットを実現でき、パターン検査工程における検査
コストの低減を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるパターン欠陥検査装置の実施の形
態の一例を示す構成図。
【図２】露光用マスクの２次元走査のため図１の走査信
号発生器から出力される走査信号の波形図。
【図３】図１に示したパターン欠陥検査装置の動作を説
明するための各部の波形をマスク形状及びＣＡＤ形状に
合わせて示した図。
【図４】検査結果データの一例を示す図。
【符号の説明】
１ パターン欠陥検査装置 ２ 電子ビーム走査装置 ２Ｂ 電子ビーム ２Ｂａ ２次電子 ２Ｅ 偏向器 ３ 走査信号発生器 ４ ２次電子検出器 ５ 感度調整器 ６ 信号比較器 ７ メモリ ８ ＣＡＤ信号発生器 ９ 欠陥記録メモリ ＤＴ ＣＡＤデータ Ｍ 露光用マスク ＭＸ 欠落部 Ｓ１ 走査信号 Ｓ２ 出力信号 Ｓ３ パターン信号 Ｓ４ ＣＡＤ信号 Ｓ５ 座標信号 Ｓ６ 欠陥信号 Ｖｒ 基準電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F067 AA54 BB01 BB04 CC16 CC17 EE10 GG08 HH06 JJ05 KK04 NN01 PP12 QQ02 QQ11 RR04 RR24 RR29 2G001 AA03 BA07 CA03 FA01 FA03 FA06 FA30 GA04 GA06 KA03 LA11 4M106 AA01 BA02 CA38 DB05 DH33 DJ17 DJ18 DJ21

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェーハパターン、マスクパターン等の
    パターンの欠陥を検査するためのパターン欠陥検査装置
    において、 検査対象物のパターンを所与の走査信号に応答して電子
    ビームにより２次元走査するための電子ビーム走査装置
    と、 前記電子ビームの走査により得られた２次電子に基づき
    前記パターンの形状に対応したパターン信号を出力する
    ためのパターン信号出力手段と、 前記パターンの形成のためのＣＡＤデータに基づき前記
    パターン信号の出力に同期して所要のパターン形状を示
    すＣＡＤ信号を出力するためのＣＡＤ信号出力手段と、 前記パターン信号と前記ＣＡＤ信号とを比較する比較手
    段とを備え、該比較手段からの出力に基づいて前記パタ
    ーンの欠陥を検査するようにしたことを特徴とするパタ
    ーン欠陥検査装置。
  2. 【請求項２】 前記ＣＡＤ信号出力手段が、前記走査信
    号に基づいて前記パターン信号と前記ＣＡＤ信号との同
    期をとるように構成されている請求項１記載のパターン
    欠陥検査装置。
  3. 【請求項３】 前記ＣＡＤデータをメモリに格納してお
    き、前記ＣＡＤ信号出力手段が、前記走査信号に基づい
    て得られる前記電子ビームの走査点座標を示す座標信号
    に従う座標位置のＣＡＤデータを前記メモリから読み出
    すことにより前記ＣＡＤ信号を出力するように構成され
    ている請求項１記載のパターン欠陥検査装置。
  4. 【請求項４】 前記パターン信号出力手段が、前記２次
    電子を検出する２次電子検出器と、該２次電子検出器か
    らの出力信号を所与の一定レベルの基準信号と比較して
    前記パターン信号を得るための感度調整器とを含んで成
    る請求項１記載のパターン欠陥検査装置。
  5. 【請求項５】 前記比較手段から前記パターン信号と前
    記ＣＡＤ信号との不一致情報を欠陥信号として取り出す
    ようにした請求項１記載のパターン欠陥検査装置。
  6. 【請求項６】 前記欠陥信号をメモリに記録しておくよ
    うにした請求項５記載のパターン欠陥検査装置。
  7. 【請求項７】 ウェーハパターン、マスクパターン等の
    パターンの欠陥を検査するためのパターン欠陥検査方法
    において、 検査対象物のパターンを電子ビームにより２次元走査し
    て得られた２次電子に基づいて前記パターンの形状に対
    応するパターン信号を得、該パターン信号と前記パター
    ンの形成のためのＣＡＤ図形に対応するＣＡＤ信号とを
    比較し、この比較結果に基づいて前記パターンの欠陥を
    検査するようにしたことを特徴とするパターン欠陥検査
    方法。
  8. 【請求項８】 前記電子ビームを２次元走査するための
    走査信号に基づいて前記パターン信号と前記ＣＡＤ信号
    と間の同期をとるようにした請求項７記載のパターン欠
    陥検査方法。
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JP2003270773A (ja) * 2002-03-14 2003-09-25 Fujitsu Ltd マスクパターン検査装置およびマスクパターン検査方法
JP4403777B2 (ja) * 2003-11-07 2010-01-27 ウシオ電機株式会社 配線パターン検査装置及び方法
JP4675697B2 (ja) * 2005-07-06 2011-04-27 株式会社東芝 マスクパターン検査方法、露光条件検証方法、および半導体装置の製造方法
JP4734148B2 (ja) * 2006-03-14 2011-07-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料観察方法，画像処理装置、及び荷電粒子線装置
JP5015721B2 (ja) * 2007-03-30 2012-08-29 大日本スクリーン製造株式会社 欠陥検査装置、欠陥検査プログラム、図形描画装置および図形描画システム
US8300918B2 (en) * 2007-03-30 2012-10-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Defect inspection apparatus, defect inspection program, recording medium storing defect inspection program, figure drawing apparatus and figure drawing system

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