JP2002057357A - 薄膜太陽電池とその製造方法 - Google Patents

薄膜太陽電池とその製造方法

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JP2002057357A
JP2002057357A JP2000244106A JP2000244106A JP2002057357A JP 2002057357 A JP2002057357 A JP 2002057357A JP 2000244106 A JP2000244106 A JP 2000244106A JP 2000244106 A JP2000244106 A JP 2000244106A JP 2002057357 A JP2002057357 A JP 2002057357A
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layer
thin
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solar cell
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清雄 ▲斎▼藤
Kiyoo Saito
Koki Sato
広喜 佐藤
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ユニットセル内の局所的短絡に伴う薄膜太陽
電池の性能低下の防止を図った薄膜太陽電池とその製造
方法を提供する。 【解決手段】 基板１の表面に第１電極層Ｌ，光電変換
層ａ，透明電極層ｕを順次積層してなる光電変換部と、
基板裏面に形成した接続電極層としての第３電極層ｂ及
び第４電極層ｅと、第３電極層と第４電極層との間に形
成した電気絶縁層Ｉとを備え、光電変換部及び接続電極
層を互いに位置をずらして単位部分にパターニングして
なり、透明電極層形成領域内に形成した電気的直列接続
用の接続孔Ｈを介して、表面上の互いにパターニングさ
れて隣合う単位光電変換部分（ユニットセル）を電気的
に直列に接続してなる薄膜太陽電池において、第３電極
層ｂおよび第４電極層ｅを、単一金属または合金材料の
層と透明電極材料の層とからなる複層構造となし、かつ
透明電極材料の層を前記電気絶縁層側に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ユニットセルを
複数個直列接続した薄膜太陽電池とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、環境保護の立場から、クリーンな
エネルギーの研究開発が進められている。中でも、太陽
電池はその資源（太陽光）が無限であること、無公害で
あることから注目を集めている。
【０００３】同一基板上に形成された複数の太陽電池素
子が、直列接続されてなる太陽電池（光電変換装置）の
代表例は、薄膜太陽電池である。
【０００４】薄膜太陽電池は、薄型で軽量、製造コスト
の安さ、大面積化が容易であることなどから、今後の太
陽電池の主流となると考えられ、電力供給用以外に、建
物の屋根や窓などにとりつけて利用される業務用，一般
住宅用にも需要が広がってきている。
【０００５】従来の薄膜太陽電池はガラス基板を用いて
いるものが一般的であった。近年、軽量化、施工性、量
産性においてプラスチックフィルムを用いたフレキシブ
ルタイプの太陽電池の研究開発が進められ実用化されて
いる。さらに、フレキシブルな金属材料に絶縁被覆した
フィルム基板を用いたものも開発されている。このフレ
キシブル性を生かし、ロールツーロール方式やステッピ
ングロール方式の製造方法により大量生産が可能となっ
た。
【０００６】上記の薄膜太陽電池は、電気絶縁性フィル
ム基板上に第１電極（以下、下電極ともいう）、薄膜半
導体層からなる光電変換層および第２電極（以下、透明
電極ともいう）が積層されてなる光電変換素子（または
セル）が複数形成されている。ある光電変換素子の第１
電極と隣接する光電変換素子の第２電極を電気的に接続
することを繰り返すことにより、最初の光電変換素子の
第１電極と最後の光電変換素子の第２電極とに必要な電
圧を出力させることができる。例えば、インバータによ
り交流化し商用電力源として交流１００Ｖを得るために
は、薄膜太陽電池の出力電圧は１００Ｖ以上が望まし
く、実際には数１０個以上の素子が直列接続される。
【０００７】このような光電変換素子とその直列接続
は、電極層と光電変換層の成膜と各層のパターニングお
よびそれらの組み合わせ手順により形成される。上記太
陽電池の構成および製造方法の一例は、例えば特開平１
０−２３３５１７号公報や特願平１１−１９３０６号に
記載されている。
【０００８】図９は、上記特開平１０−２３３５１７号
公報に記載された薄膜太陽電池の一例を示し、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）における線ＡＢＣＤおよびＢＱ
Ｃに沿っての断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＥ
Ｅ断面図を示す。
【０００９】電気絶縁性でフレキシブルな樹脂からなる
長尺のフィルム基板上に、順次、第１電極層、光電変換
層、第２電極層が積層され、フィルム基板の反対側（裏
面）には第３電極層、第４電極層が積層され、裏面電極
が形成されている。光電変換層は例えばアモルファスシ
リコンのpin接合である。フィルム基板用材料として
は、ポリイミドのフィルム、例えば厚さ５０μｍのフィ
ルムが用いられている。
【００１０】フィルムの材質としては、他に、ポリエチ
レンナフタレート（PEN）、ポリエーテルサルフォン（P
ES）、ポリエチレンテレフタレート（PET）、またはア
ラミド系のフィルムなどを用いることができる。
【００１１】次に、製造工程の概要につき以下に説明す
る。
【００１２】先ず、フィルム基板にパンチを用いて、接
続孔ｈ１を開け、基板の片側（表側とする）に第１電極
層として、スパッタにより銀を、例えば１００ｎｍの厚
さに成膜し、これと反対の面（裏側とする）には、第３
電極層として、同じく銀電極を成膜する。接続孔ｈ１の
内壁で第１電極層と第３電極層とは重なり、導通する。
【００１３】電極層としては、銀（Ag）以外に、Al，C
u，Ti等の金属をスパッタまたは電子ビーム蒸着等によ
り成膜しても良く、金属酸化膜と金属の多層膜を電極層
としても良い。成膜後、表側では、第１電極層を所定の
形状にレーザ加工して、下電極ｌ１〜ｌ６をパターニン
グする。下電極ｌ１〜ｌ６の隣接部は一本の分離線ｇ２
を、二列の直列接続の光電変換素子間および周縁導電部
ｆとの分離のためには二本の分離線ｇ２を形成し、下電
極ｌ１〜ｌ６は分離線により囲まれるようにする。再度
パンチを用いて、集電孔ｈ２を開けた後、表側に、光電
変換層ｐとしてa-Si層をプラズマＣＶＤにより成膜す
る。マスクを用いて幅Ｗ２の成膜とし、レーザ加工によ
り二列素子の間だけに第１電極層と同じ分離線を形成す
る。なお、前記幅Ｗ２は、接続孔ｈ１にまたがってもよ
い。
【００１４】さらに第２電極層として表側に透明電極層
（ＩＴＯ層）を成膜する。但し、二つの素子列の間とこ
れに平行な基板の両側端部にはマスクを掛け接続孔ｈ１
には成膜しないようにし、素子部のみに成膜する。透明
電極層としては、ITO（インシ゛ウムスス゛オキサイト゛）以外に、Sn
O2、ZnOなどの酸化物導電層を用いることができる。
【００１５】次いで裏面全面に第４電極層として金属膜
などの低抵抗導電膜からなる層を成膜する。第４電極の
成膜により、集電孔ｈ２の内壁で第２電極と第４電極と
が重なり、導通する。表側では、レーザ加工により下電
極と同じパターンの分離線を入れ、個別の第２電極ｕ１
〜ｕ６を形成し、裏側では第３電極と第４電極とを同時
にレーザ加工し、接続電極ｅ１２〜ｅ５６、および電力
取り出し電極ｏ１，ｏ２を個別化し、基板の周縁部では
表側の分離線ｇ３と重なるように分離線ｇ２を形成し、
隣接電極間には一本の分離線を形成する。
【００１６】全ての薄膜太陽電池素子を一括して囲う周
縁、および二列の直列接続太陽電池素子の隣接する境界
には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ３がある。分離線
ｇ３の中にはどの層も無い。裏側では、全ての電極を一
括して囲う周縁、および二列の直列接続電極の隣接する
境界には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ２がある。分
離線ｇ２の中にはどの層も無い。
【００１７】こうして、電力取り出し電極ｏ１−集電孔
ｈ２−上電極ｕ１、光電変換層、下電極ｌ１−接続孔ｈ
１−接続電極ｅ１２−上電極ｕ２、光電変換層、下電極
ｌ２−接続電極ｅ２３−・・・−上電極ｕ６、光電変換
層、下電極ｌ６−接続孔ｈ１−電力取出し電極ｏ２の順
の光電変換素子の直列接続が完成する。
【００１８】なお、第３電極層と第４電極層は電気的に
は同一の電位であるので、以下の説明においては説明の
便宜上、併せて一層の接続電極層として扱うこともあ
る。
【００１９】図１０は、構造の理解の容易化のために、
薄膜太陽電池の構成を簡略化して斜視図で示したもので
ある。図１０において、基板６１の表面に形成した単位
光電変換素子６２および基板６１の裏面に形成した接続
電極層６３は、それぞれ複数の単位ユニットに完全に分
離され、それぞれの分離位置をずらして形成されてい
る。このため、素子６２のアモルファス半導体部分であ
る光電変換層６５で発生した電流は、まず透明電極層６
６に集められ、次に該透明電極層領域に形成された集電
孔６７（ｈ２）を介して背面の接続電極層６３に通じ、
さらに該接続電極層領域で素子の透明電極層領域の外側
に形成された直列接続用の接続孔６８（ｈ１）を介して
上記素子と隣り合う素子の透明電極層領域の外側に延び
ている下電極層６４に達し、両素子の直列接続が行われ
ている。
【００２０】上記薄膜太陽電池の簡略化した製造工程を
図１１（a）から（g）に示す。プラスチックフィルム７
１を基板として（工程（a））、これに接続孔７８を形
成し（工程（b））、基板の両面に第１電極層（下電
極）７４および第３電極層（接続電極の一部）７３を形
成（工程（c））した後、接続孔７８と所定の距離離れ
た位置に集電孔７７を形成する（工程（d））。工程
（c）と工程（d）との間に、第１電極層（下電極）７４
を所定の形状にレーザ加工して、下電極をパターニング
する工程があるが、ここではこの工程の図を省略してい
る。
【００２１】次に、第１電極層７４の上に、光電変換層
となる半導体層７５および第２電極層である透明電極層
７６を順次形成するとともに（工程（e）および工程
（f））、第３電極層７３の上に第４電極層（接続電極
層）７９を形成する（工程（g））。この後、レーザビ
ームを用いて、基板７１の両側の薄膜を分離加工して図
１０に示すような直列接続構造を形成する。
【００２２】なお、図１１においては、集電孔ｈ２内に
おける透明電極層７６と第４電極層７９との接続をそれ
ぞれの層を重ねて２層で図示しているが、前記図９にお
いては、電気的に一層として扱い、１層で図示してい
る。
【００２３】ところで、上記図９〜１１に示したいわゆ
るＳＣＡＦ（Series Connection through Apertures on
Film ）型の薄膜太陽電池の構成においては、接続孔ｈ
１および集電孔ｈ２の２種類の孔を有し、接続孔ｈ１を
発電領域の外側に配置する必要があるため、有効な面積
が減少する問題があった。この問題を解消するために、
基板を貫通する１種類の共通の接続孔内で、第１電極層
と第３電極層との接続および第２電極層と第４電極層と
の接続を電気絶縁層を介して行う構成が、本願発明と同
一出願人により提案されている（特開２０００−７７６
９０公開特許公報参照）。
【００２４】図８は、前記特開２０００−７７６９０に
記載された薄膜太陽電池の構成を、模式的に示す平面図
で、図８（ａ）は光電変換部が形成された表面の平面
図、図８（ｂ）は接続電極層が形成された裏側の平面図
を示す。
【００２５】図８（ａ）において、１は基板、ｕは透明
電極層、Ｈは共通の接続孔、ｓはパターニングされた分
離部を示す。また、図８（ｂ）において、ｅは接続電極
層としての第４電極層、ｓはパターニングされた分離
部、ｔ１およびｔ２は接続電極層の端部の取出し電極を
示す。接続電極層は、第１接続電極層（第３電極層）お
よび第２接続電極層（第４電極層）からなり、この二つ
の電極層間に、図８には図示されていない電気絶縁層が
形成されている。
【００２６】この薄膜太陽電池の製造方法の詳細は、上
記公開特許公報に記載されているが、その概要は下記の
とおりである。先ず、接続孔Ｈが開けられた基板１の表
面に第１電極層を、裏面に第３電極層を製膜する。接続
孔Ｈの内壁で第１電極層と第３電極層とが重なり導通す
る。次に、第１電極層を所定の形状にレーザ加工して第
１電極層をパターニングした後、第３電極層も同様にレ
ーザ加工して第３電極層をパターニングする。
【００２７】次に、第３電極層上に電気絶縁層を形成す
る。このとき、接続孔Ｈの内壁にも電気絶縁層を形成す
る。第１電極層上には、ａ―Ｓｉからなる光電変換層、
透明電極層を製膜し、裏側の電気絶縁層上には、第４電
極層の製膜を行なう。接続孔Ｈの内壁で透明電極層ｕと
第４電極層ｅとが重なり、導通する。次いで透明電極層
と第４電極層の積層をレーザ加工し、それぞれ透明電極
層ｕ、電力取り出し電極ｔ１、ｔ２および第４電極層ｅ
をパターニングする。
【００２８】最後に、第３電極層と第４電極層のパター
ニングライン間の一部をレーザ加工して電気絶縁層を一
部除去し、この絶縁層除去部で第３電極層と第４電極層
とを電気的に接続することにより、薄膜太陽電池の直列
接続を完成する。
【００２９】上記によれば、基板貫通孔として、接続孔
Ｈのみを設けるにより直列接続が可能となり、発電領域
の外側に配置する必要があった従来の接続孔ｈ１が不要
となって、薄膜太陽電池の有効面積の増大が図れる。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記接続孔
Ｈのみにより直列接続が可能な改良型ＳＣＡＦの薄膜太
陽電池においても、下記のような問題があった。
【００３１】電気絶縁層の形成過程において、基板上に
付着しているゴミ等によりピンホールが発生し、本来電
気絶縁性が維持されなければならないはずの電極層間が
電気的に短絡する問題が発生する。その理由は、各電極
層の形成時点でピンホール内にも電極層が延長して形成
されたり、またピンホールに導電性物質の微小粉末や脱
落片が入り込んで、短絡を起こすためと推定される。ピ
ンホール径が小さい場合には、このピンホールによる局
所短絡部は、通常、ユニットセルへの数ボルトの逆バイ
アスの電圧印加処理により、電気的に分離することがで
きる。その理由は、逆バイアスの電圧印加処理によるジ
ュール熱の発生により、ピンホール内の導電性物質が焼
却除去されるものと推定される。上記電圧印加処理によ
り、ユニットセル特性は改善するが、あまりピンホ−ル
の数が多い場合や大きなピンホールが存在すると、電圧
印加処理を行っても回復できないことがある。特に大電
流型の薄膜太陽電池の場合には、ユニットセル面積が大
きくなるため（発電電流はユニットセル面積に比例する
ので）、面積に比例してピンホールの数が増大し、ユニ
ットセル内にこのような回復できないピンホ−ルが残存
する確率が高くなる。また、大きなピンホールがユニッ
トセル内に存在すると、電圧印加処理時に流れる電流が
大きなピンホール部に集中するために、その他の小さな
ピンホ−ルも電圧印加処理で回復できなくなる。従っ
て、ユニットセル面積が大きくなると、上記理由によ
り、薄膜太陽電池の性能が低下する問題が発生してい
た。
【００３２】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、この発明の課題は、ユニット
セル内の局所的短絡に伴う薄膜太陽電池の性能低下の防
止を図った薄膜太陽電池とその製造方法を提供すること
にある。
【００３３】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、請求項１の発明は、電気絶縁性を有する基板の表面
に下電極層としての第１電極層，光電変換層，透明電極
層（第２電極層）を順次積層してなる光電変換部と、前
記基板の裏面に形成した接続電極層としての第３電極層
および第４電極層と、前記第３電極層と第４電極層との
間に形成した電気絶縁層とを備え、前記光電変換部およ
び接続電極層を互いに位置をずらして単位部分にパター
ニングしてなり、前記透明電極層形成領域内に形成した
電気的直列接続用の接続孔を介して、前記表面上の互い
にパターニングされて隣合う単位光電変換部分（ユニッ
トセル）を電気的に直列に接続してなる薄膜太陽電池に
おいて、前記第３電極層および第４電極層を、単一金属
または合金材料の層と透明電極材料の層とからなる複層
構造となし、かつ前記透明電極材料の層を前記電気絶縁
層側に形成してなるものとする。
【００３４】また、上記構成の薄膜太陽電池を製造する
方法としては、請求項２の発明が好適である。即ち、請
求項１記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、以下の
１）ないし１０）の工程を含むこととする。 １）基板に接続孔を開け、スパッタ法により、基板表面
に第１電極層を形成し、裏面に単一金属または合金材料
の層と透明電極材料の層との複層構造からなる第３電極
層を形成する工程。 ２）第１電極層および第３電極層を、レーザ加工法によ
りパターニングする工程 ３）第３電極層の透明電極材料の層およびパターニング
部の上に、スパッタ法により電気絶縁層を形成する工程 ４）電気絶縁層を、サンドブラスト加工法によりパター
ニングする工程 ５）第１電極層および第１電極層のパターニング部の上
に、プラズマＣＶＤ法により光電変換層を形成する工程 ６）光電変換層の上に、スパッタ法により透明電極層を
形成する工程 ７）電気絶縁層および電気絶縁層のパターニング部の上
に、スパッタ法により、透明電極材料の層と単一金属ま
たは合金材料の層との複層構造からなる第４電極層を形
成する工程 ８）透明電極層および光電変換層を、レーザ加工法によ
りパターニングする工程９）第４電極層を、サンドブラ
スト法によりパターニングする工程 １０）薄膜太陽電池のユニットセル内の局所的短絡を回
復するために、各ユニットセルに電圧印加処理を行う工
程。
【００３５】前述のように、第３電極層および第４電極
層を、銀，アルミニウム，クロムまたはニッケル等の単
一金属または合金材料の層と、酸化インジウム、酸化亜
鉛、酸化錫等の透明電極材料の層とからなる複層構造と
なし、かつ前記透明電極材料の層を前記電気絶縁層側に
形成することにより、電気絶縁層のピンホールを介して
の電極間のコンタクト抵抗が高抵抗化され、後工程の電
圧印加処理によって、短絡不良個所が容易に回復できる
ようになり、これにより、セル性能低下の問題が解消で
きる。その理由は、下記による。
【００３６】電圧印加処理で不良箇所が回復するのは、
電圧印加により不良箇所（ピンホ−ル等のリ−ク箇所）
に電流が流れ、ジュ−ル熱により、不良箇所が溶融・絶
縁することによる。ジュ−ル熱は、Ｗ＝Ｖ2/Ｒ＝Ｒ・Ｉ
2により計算できるが、抵抗が小さいと電流が高くなり
すぎて、電圧印加装置の保護回路が働き、所定の電圧を
印加できないようになっており、不良箇所については、
実質定電流印加状態となる。
【００３７】定電流印加状態では、抵抗が高い（ピンホ
−ル径が小さい）程ジュ−ル熱の発生量が大きいので、
電圧印加処理で特性回復が容易となる。前記透明電極材
料は、抵抗率およびコンタクト抵抗が金属膜（Ag、Al）
に比べて高いので、電極/絶縁層/電極構造において、電
気絶縁層のピンホ−ルにより両側電極が電気的に接続さ
れた場合には、透明電極材料を使用した場合の方が、電
圧印加処理による回復が容易となる。
【００３８】上記理由により、前記請求項１または２の
発明によれば、後工程の電圧印加処理によって、短絡不
良個所が容易に回復できる。
【００３９】また、上記観点から、請求項３または４の
発明が好適である。即ち、前記請求項１記載の薄膜太陽
電池において、前記第３電極層および第４電極層は、複
層構造からなる電極層に代えて、透明電極材料の単一層
としたものとする（請求項３の発明）。また、請求項２
記載の薄膜太陽電池の製造方法において、前記第３電極
層および第４電極層は、複層構造からなる電極層に代え
て、透明電極材料の単一層とする（請求項４の発明）。
【００４０】さらに、同様に上記観点から、電気絶縁層
のピンホ−ル以外に、光電変換層のピンホ−ル等が原因
で発生する第１電極層と第２電極層の短絡事故をも低減
するためには、請求項５または６の発明が好ましい。即
ち、前記請求項１または３記載の薄膜太陽電池におい
て、さらに前記第１電極層を透明電極材料から形成して
なるものとする（請求項５の発明）。
【００４１】また、前記請求項５記載の薄膜太陽電池の
製造方法であって、以下の１）ないし８）の工程を含む
こととする（請求項６の発明）。 １）基板に接続孔を開け、スパッタ法により、基板表面
に第１電極層を形成する工程。 ２）基板裏面に、スパッタ法により、リフトオフマスク
によりパターニングして第３電極層を形成する工程 ３）第３電極層および第３電極層のパターニング部の上
に、スパッタ法により、リフトオフマスクによりパター
ニングして電気絶縁層を形成する工程 ４）第１電極層上に、プラズマＣＶＤ法により光電変換
層および透明電極層を順次形成する工程 ５）電気絶縁層および電気絶縁層のパターニング部の上
に、スパッタ法により、第４電極層を形成する工程 ６）第１電極層，透明電極層および光電変換層を、サン
ドブラスト法によりパターニングする工程 ７）第４電極層を、サンドブラスト法によりパターニン
グする工程 ８）薄膜太陽電池のユニットセル内の局所的短絡を回復
するために、各ユニットセルに電圧印加処理を行う工
程。
【００４２】上記請求項６の発明の製造方法によれば、
従来困難であった第１電極層、光電変換層、第２電極層
のサンドブラスト法による同時分割が可能となり、引き
続き第４電極層もサンドブラスト法によりパターニング
するので、製膜プロセスが簡略化する利点がある。
【００４３】さらに、前記請求項５の発明の薄膜太陽電
池において、透明電極材料から形成した第１電極層を透
過した光を、基板において有効に反射させて、太陽電池
の効率の向上を図るために、請求項７または８の発明が
好適である。即ち、請求項５記載の薄膜太陽電池におい
て、前記電気絶縁性を有する基板は、高反射率を有する
金属材料表面を透光性絶縁材料により被覆してなるもの
とする（請求項７の発明）。また、請求項６記載の薄膜
太陽電池の製造方法において、前記電気絶縁性を有する
基板は、高反射率を有する金属材料表面を透光性絶縁材
料により被覆してなるものとする（請求項８の発明）。
【００４４】さらにまた、第１電極層を透過した光を、
透光性基板を透過させて、第３電極層において有効に反
射させるために、請求項９または１０の発明が好適であ
る。即ち、請求項１記載の薄膜太陽電池において、前記
電気絶縁性を有する基板は透光性材料からなり、また前
記第１電極層は透明電極材料からなり、さらに前記第３
電極層は、高反射率を有する単一金属または合金材料の
層と透明電極材料の層との複層構造からなるるものと
し、かつ第４電極層は、透明電極材料の層と単一金属ま
たは合金材料の層との複層構造からなるか，もしくは透
明電極材料の単一層としたものとする（請求項９の発
明）。
【００４５】また、請求項９記載の薄膜太陽電池の製造
方法であって、以下の１）ないし７）の工程を含むこと
とする（請求項１０の発明）。 １）基板に接続孔を開け、スパッタ法により、基板表面
に第１電極層を形成する工程。 ２）基板裏面に、スパッタ法により、リフトオフマスク
によりパターニングして第３電極層を形成する工程 ３）第３電極層および第３電極層のパターニング部の上
に、スパッタ法により、リフトオフマスクによりパター
ニングして電気絶縁層を形成する工程 ４）第１電極層上に、プラズマＣＶＤ法により光電変換
層および透明電極層を順次形成する工程 ５）電気絶縁層および電気絶縁層のパターニング部の上
に、スパッタ法により、リフトオフマスクによりパター
ニングして第４電極層を形成する工程 ６）第１電極層，透明電極層および光電変換層を、レー
ザ加工法によりパターニングする工程 ７）薄膜太陽電池のユニットセル内の局所的短絡を回復
するために、各ユニットセルに電圧印加処理を行う工
程。
【００４６】また、前記薄膜太陽電池に関する発明の実
施態様として下記請求項１１の発明が好ましい。即ち、
請求項１，３，５，７および９のいずれかに記載の薄膜
太陽電池において、前記透明電極材料は、ＩＴＯ（イン
ジウムスズオキサイド）、酸化インジウム、酸化亜鉛、
酸化錫などの酸化物導電材とする。
【００４７】前述の発明とは異なる観点から、請求項１
２または１３の発明によっても、前記課題を達成するこ
とができる。即ち、電気絶縁性を有する基板の表面に下
電極層としての第１電極層，光電変換層，透明電極層
（第２電極層）を順次積層してなる光電変換部と、前記
基板の裏面に形成した接続電極層としての第３電極層お
よび第４電極層と、前記第３電極層と第４電極層との間
に形成した電気絶縁層とを備え、前記光電変換部および
接続電極層を互いに位置をずらして単位部分にパターニ
ングしてなり、前記透明電極層形成領域内に形成した電
気的直列接続用の接続孔を介して、前記表面上の互いに
パターニングされて隣合う単位光電変換部分（ユニット
セル）を電気的に直列に接続してなる薄膜太陽電池にお
いて、前記第４電極層は、導電性ペーストを印刷してな
るものとする（請求項１２の発明）。
【００４８】また、請求項１２記載の薄膜太陽電池の製
造方法であって、以下の１）ないし９）の工程を含むこ
ととする（請求項１３の発明）。 １）基板に接続孔を開け、スパッタ法により、基板表面
に第１電極層を形成する工程。 ２）基板裏面に、スパッタ法により、リフトオフマスク
によりパターニングして第３電極層を形成する工程 ３）第１電極層を、レーザ加工法によりパターニングす
る工程 ４）第３電極層および第３電極層のパターニング部の上
に、スパッタ法により、リフトオフマスクによりパター
ニングして電気絶縁層を形成する工程 ５）第１電極層および第１電極層のパターニング部の上
に、プラズマＣＶＤ法により光電変換層を形成する工程 ６）光電変換層の上に、スパッタ法により透明電極層を
形成する工程 ７）第１電極層のパターニング部上の透明電極層および
光電変換層を、レーザ加工法によりパターニングする工
程 ８）電気絶縁層および電気絶縁層のパターニング部の上
に、導電ペーストを用いたスクリーン印刷法により、第
４電極層を形成する工程 ９）薄膜太陽電池のユニットセル内の局所的短絡を回復
するために、各ユニットセルに電圧印加処理を行う工
程。
【００４９】前記請求項１２または１３の発明において
は、第４電極層を印刷電極とすることにより、電気絶縁
層のピンホールが原因で発生する短絡事故を低減するこ
とができる。その理由は以下のとおりである。印刷電極
に用いる導電ペーストは、接着剤（バインダー）に、約
数十μｍの大きさの導電性金属片（フィラー）が混合さ
れたものであり、この金属片が電極層または光電変換層
と接触することにより、電気的な接続が行われる。この
金属片は、スパッタで形成される金属電極層のように、
電気絶縁層の微小なピンホールに入りにくく、そのため
短絡事故を起こす可能性が低減される。この場合、第３
電極層は、電気絶縁層形成前に形成されるので、金属電
極層とすることができる。
【００５０】さらに、前記薄膜太陽電池に関わる全ての
発明の実施態様として下記請求項１４の発明が好まし
い。即ち、前記請求項１，３，５，７，９，１１および
１２のいずれかに記載の薄膜太陽電池において、前記電
気絶縁層の材料は、窒化シリコンまたは酸化シリコンと
する。
【００５１】
【発明の実施の形態】図面に基づき、本発明の実施の形
態について以下に述べる。
【００５２】（実施例１）図１および２は、請求項１ま
たは２の発明に関わる実施例を示す。図１（ａ）は薄膜
太陽電池の透視平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけ
るｘＸに沿っての断面図である。また、図２（ａ）〜
（ｄ）は薄膜太陽電池の製造工程を示し、製造工程最終
段に係る図２（ｄ）は、図１（ｂ）と同一である。
【００５３】以下に、図２の製造工程に従って本実施例
に係る薄膜太陽電池を説明する。
【００５４】絶縁表面を有する厚さ0.05mmのポリイミド
樹脂からなる長尺の基板１に、パンチを用いて直径1mm
の貫通孔（接続孔Ｈ）を開けた。その後、銀および酸化
亜鉛の積層をスパッタ法により基板長手方向に連続的に
製膜し、基板の一面に下電極層（第１電極層）を形成
し、次いで反対面に銀、酸化亜鉛の順番で第３電極層を
形成した。続いて、YAG：Ndレ−ザの第２高調波を用い
て、第１電極層および第３電極層をパターニングし、個
別の第１電極層Ｌおよび第３電極層ｂに分割した。接続
孔Ｈの内壁では、第１電極層と第３電極層は重なり導通
した（図２（ａ））。
【００５５】そして、スパッタ法により、第３電極層お
よび第３電極層のレ−ザ加工によるパターニング部上に
酸化シリコンからなる電気絶縁層Ｉを形成した。このと
き、接続孔Ｈの内壁も電気絶縁層Ｉにより被覆される。
次に、サンドブラスト加工法を用いて、第３電極層のレ
−ザ加工ラインと平行に電気絶縁層Ｉを線状に除去した
（図２（ｂ））。
【００５６】その後、プラズマＣＶＤ法を用いて、第１
電極層および第１電極層のレ−ザ加工部上に、ａ−Ｓｉ
からなる光電変換層ａをマスク形成した。ここでマスク
形成とは、薄膜の形成不要部分をマスク材で被覆した上
で、薄膜形成することを意味する。この光電変換層のマ
スク形成を行うために、ロールツーロールで間欠的に基
板を送るステップ搬送を採用した。そして、引き続き、
光電変換層上に透明電極層ｕ（第２電極層）を、電気絶
縁層Ｉおよび電気絶縁層加工ライン上には酸化亜鉛、銀
の順番で第４電極層をそれぞれスパッタ法を用いてマス
ク形成した（図２（ｃ））。
【００５７】最後に第１電極層の加工ライン上の透明電
極層ｕおよび光電変換層ａを、YAG：Ndレ−ザの第２高
調波を用いて加工除去するとともに、第４電極層をサン
ドブラスト法を用いて加工除去した（図２（ｄ））。
【００５８】こうして、電気絶縁層Ｉの両側に透明電極
層を形成した薄膜太陽電池を製作した。本実施例では、
電気絶縁層Ｉと金属電極層との間に透明電極材料の層を
挟むことにより、電気絶縁層Ｉのピンホ−ルが原因で発
生する第３電極層と第４電極層の短絡を低減することが
できた。
【００５９】（実施例２）図３は、請求項３または４の
発明に関わる実施例の薄膜太陽電池の製造工程を示す。
以下に、図３（ａ）〜（ｄ）の製造工程に従って本実施
例に係る薄膜太陽電池を説明する。
【００６０】絶縁表面を有する厚さ0.05mmのアラミド樹
脂からなる長尺の基板１に、パンチを用いて直径1mmの
貫通孔（接続孔Ｈ）を開けた。その後、銀および酸化亜
鉛の積層をスパッタ法により基板長手方向に連続的に製
膜し、基板の一面に下電極層（第１電極層）を形成し、
次いで反対面に酸化インジウム層からなる第３電極層を
形成した。そして、YAG：Ndレ−ザの第２高調波を用い
て、第１電極層および第３電極層をパターニングし個別
の第１電極層Ｌおよび第３電極層ｂに分割した。接続孔
Ｈの内壁では、第１電極層と第３電極層は重なり導通し
た（図３（ａ））。
【００６１】続いて、スパッタ法により、第３電極層お
よび第３電極層のレ−ザ加工部上に窒化シリコンからな
る電気絶縁層Ｉを形成した。このとき、接続孔Ｈの内壁
も電気絶縁層Ｉにより被覆される。次に、サンドブラス
ト加工法を用いて、第３電極層のレーザ加工ラインと平
行に電気絶縁層Ｉを線状に除去した（図３（ｂ））。
【００６２】その後、プラズマＣＶＤ法を用いて、第１
電極層および第１電極層のレーザ加工部上に、ａ−Ｓｉ
からなる光電変換層ａをマスク形成した。この光電変換
層のマスク形成を行うために、ロールツーロールで間欠
的に基板を送るステップ搬送を採用した。そして、引き
続き、光電変換層上に透明電極層ｕ（第２電極層）を、
電気絶縁層Ｉおよび電気絶縁層加工ライン上には酸化イ
ンジウムからなる第４電極層をそれぞれスパッタ法を用
いてマスク形成した（図３（ｃ））。
【００６３】最後に第１電極層の加工ライン上の透明電
極層および光電変換層を、YAG：Ndレ−ザの第２高調波
を用いて加工除去するとともに、第４電極層をサンドブ
ラスト法を用いて分割した（図３（ｄ））。
【００６４】こうして、第３電極層および第４電極層を
透明電極層とした薄膜太陽電池を製作した。本実施例で
は、第３電極層および第４電極層を透明電極材料の層と
することにより、電気絶縁層Ｉのピンホ−ルが原因で発
生する第３電極層と第４電極層の短絡を低減することが
できた。
【００６５】（実施例３）図４は、請求項５または６の
発明に関わる実施例の薄膜太陽電池の製造工程を示す。
以下に、図４（ａ）〜（ｄ）の製造工程に従って本実施
例に係る薄膜太陽電池を説明する。
【００６６】絶縁表面を有する厚さ0.02mmのポリイミド
樹脂からなる長尺の基板１に、パンチを用いて直径1mm
の貫通孔（接続孔Ｈ）を開けた。その後、酸化インジウ
ム、酸化亜鉛層をスパッタ法により基板長手方向に間欠
的ステップ製膜し、基板の一面に下電極層（第１電極
層）を形成し、次いで反対面に酸化インジウム層からな
る第３電極層をリフトオフマスクを用いてパターン形成
した。このパターン形成により、第３電極層は個別の第
３電極層ｂに分割されている。また、接続孔Ｈの内壁で
は、第１電極層と第３電極層は重なり導通した（図４
（ａ））。
【００６７】そして、連続してスパッタ法により、第３
電極層および第３電極層の形成されていない基板上に酸
化シリコンからなる電気絶縁層Ｉをリフトオフマスクを
用いてパターン形成した。このパターン形成により、電
気絶縁層Ｉは個別に分割されている。またこのとき、接
続孔Ｈの内壁も電気絶縁層Ｉにより被覆される（図４
（ｂ））。
【００６８】その後、連続してプラズマＣＶＤ法を用い
て、第１電極層上に、ａ−Ｓｉからなる光電変換層ａ、
透明電極層ｕ（第２電極層）を、電気絶縁層Ｉおよび電
気絶縁層の形成されていない第３電極層上には酸化イン
ジウムからなる第４電極層をそれぞれスパッタ法を用い
てマスク形成した（図４（ｃ））。
【００６９】最後に第１電極層、光電変換層、透明電極
層（第２電極層）を一括してサンドブラスト法を用いて
加工した。これにより、光電変換部を個別に分割した。
同様に、第４電極層をサンドブラスト法を用いて分割し
た（図４（ｄ））。
【００７０】こうして、第１電極層を透明電極材料の層
とした薄膜太陽電池を製作した。本実施例では、第１電
極層を透明電極材料の層とすることにより、光電変換層
のピンホ−ルが原因で発生する第１電極層と第２電極層
の短絡を低減することができた。
【００７１】また、本実施例の製造方法を採用すること
により、従来困難であった第１電極層、光電変換層、第
２電極層のサンドブラスト法による同時分割が可能とな
り、引き続き第４電極層もサンドブラスト法によりパタ
ーニングすることにより、製膜プロセスを連続して行え
るようになり、プロセスが簡略化できた。
【００７２】（実施例４）図５は、請求項７または８の
発明に関わる実施例の薄膜太陽電池の製造工程を示す。
図５（ａ）〜（ｄ）の製造工程は、基板１が異なる以外
は、図４（ａ）〜（ｄ）と同一であるので、製造工程の
説明は省略する。
【００７３】図５における基板は、高反射率のアルミニ
ウム基板の表面を、透光性絶縁材料、例えばアラミド樹
脂により被覆したものを用いる。
【００７４】本実施例によれば、透明電極材料から形成
した第１電極層を透過した光を、アルミニウム基板１に
おいて反射し、第１電極層で反射できなかった分の反射
ロスを低減して、太陽電池の効率の向上を図ることがで
きた。
【００７５】（実施例５）図６は、請求項９または１０
の発明に関わる実施例の薄膜太陽電池の製造工程を示
す。以下に、図６（ａ）〜（ｄ）の製造工程に従って本
実施例に係る薄膜太陽電池を説明する。
【００７６】透光性を有する厚さ0.02mmのアラミド樹脂
からなる長尺の基板１に、パンチを用いて直径1mmの貫
通孔（接続孔Ｈ）を開けた。その後、酸化インジウムお
よび酸化亜鉛の積層をスパッタ法により基板長手方向に
間欠的にマスク製膜し、基板の一面に下電極層（第１電
極層）を形成し、次いで反対面に銀および酸化亜鉛の積
層からなる第３電極層を同様にリフトオフマスクにより
パターン形成した。このパターン形成により、第３電極
層を個別の第３電極層ｂに分割した。接続孔Ｈの内壁で
は、第１電極層と第３電極層は重なり導通した（図６
（ａ））。
【００７７】そして、連続してスパッタ法により、第３
電極層および第３電極層の形成されていない基板上に窒
化シリコンからなる電気絶縁層Ｉをリフトオフマスクに
よりパターン形成した。このパターン形成により、電気
絶縁層Ｉは個別に分割される。またこのとき、接続孔Ｈ
の内壁も電気絶縁層Ｉにより被覆される（図６
（ｂ））。
【００７８】続いて、プラズマＣＶＤ法を用いて、第１
電極層上に、ａ−Ｓｉからなる光電変換層ａ、透明電極
層ｕ（第２電極層）を形成し、電気絶縁層Ｉおよび電気
絶縁層の形成されていない第３電極層上には酸化インジ
ウムからなる第４電極層をそれぞれスパッタ法を用いて
リフトオフマスクによりパターン形成した。このパター
ン形成により、第４電極層は、個別に分割される（図６
（ｃ））。
【００７９】最後に第１電極層、光電変換層、透明電極
層（第２電極層）からなる光電変換部をパターニング
し、YAG：Ndレ−ザの第２高調波を用いて一括して個別
に分割した（図６（ｄ））。
【００８０】こうして、透光性の基板を用いた薄膜太陽
電池を製作した。本実施例では、第１電極層および基板
を透光性にし、第３電極層を高反射率金属電極とするこ
とにより、第１電極層および基板を透過した光を第３電
極層で反射させ、第１電極層で反射できなかった分の反
射ロスを低減して太陽電池の効率が向上できた。
【００８１】（実施例６）図７は、請求項１２または１
３の発明に関わる実施例の薄膜太陽電池の製造工程を示
す。以下に、図７（ａ）〜（ｄ）の製造工程に従って本
実施例に係る薄膜太陽電池を説明する。
【００８２】絶縁表面を有する厚さ0.02mmのアラミド樹
脂からなる長尺の基板１に、パンチを用いて直径1mmの
貫通孔（接続孔Ｈ）を開けた。その後、アルミおよび酸
化亜鉛をスパッタ法により基板長手方向に間欠的ステッ
プ製膜し、基板の一面に下電極層（第１電極層）を形成
し、次いで反対面にアルミからなる第３電極層をリフト
オフマスクによりパターン形成した。このパターン形成
により、第３電極層は個別の第３電極層ｂに分割され
る。また、YAG：Ndレ−ザの第２高調波を用いて、第１
電極層を個別の第１電極層ｌに分割した。接続孔Ｈの内
壁では、第１電極層と第３電極層は重なり導通した（図
７（ａ））。
【００８３】そして、連続してスパッタ法により、第３
電極層および第３電極層の形成されていない基板上に酸
化シリコンからなる電気絶縁層Ｉをリフトオフマスクに
よりパターン形成した。このパターン形成により、電気
絶縁層Ｉは個別に分割されている。またこのとき、接続
孔Ｈの内壁も電気絶縁層Ｉにより被覆される。続いて、
連続してプラズマＣＶＤ法を用いて、第１電極層および
第１電極層レ−ザ加工部上に、ａ−Ｓｉからなる光電変
換層ａ、透明電極層ｕ（第２電極層）をスパッタ法を用
いてマスク形成した（図７（ｂ））。
【００８４】次に、第１電極層レ−ザ加工ライン上の光
電変換層、透明電極層（第２電極層）をレ−ザ加工法を
用いて分割した（図７（ｃ））。
【００８５】最後に、電気絶縁層Ｉの上および電気絶縁
層の形成されていない第３電極層上に、第４電極層を、
銀を添加した導電性ペ−ストによりスクリ−ン印刷法を
用いて形成した。このとき、導電性ペ−ストは接続孔Ｈ
に入り、第２電極層と電気的に接続した（図７
（ｄ））。
【００８６】こうして、第４電極層を印刷電極とした薄
膜太陽電池を製作した。本実施例では、第４電極層を印
刷電極とすることにより、電気絶縁層のピンホ−ルが原
因で発生する第３電極層と第４電極層の短絡事故を低減
することができた。
【００８７】
【発明の効果】この発明によれば前述のように、電気絶
縁性を有する基板の表面に下電極層としての第１電極
層，光電変換層，透明電極層（第２電極層）を順次積層
してなる光電変換部と、前記基板の裏面に形成した接続
電極層としての第３電極層および第４電極層と、前記第
３電極層と第４電極層との間に形成した電気絶縁層とを
備え、前記光電変換部および接続電極層を互いに位置を
ずらして単位部分にパターニングしてなり、前記透明電
極層形成領域内に形成した電気的直列接続用の接続孔を
介して、前記表面上の互いにパターニングされて隣合う
単位光電変換部分（ユニットセル）を電気的に直列に接
続してなる薄膜太陽電池において、第３電極層と第４電
極層に透明電極材料を適用することによって、第３電極
層と第４電極層とのコンタクト抵抗を高抵抗化し、電気
絶縁層のピンホ−ルが原因で発生する短絡事故を低減す
ることができる。
【００８８】さらに、第１電極層を透明電極材料の層と
することにより、第１電極層と第２電極層（透明電極
層）のコンタクト抵抗を高抵抗化し、光電変換層のピン
ホール等が原因で発生する第１電極層と第２電極層の短
絡事故をも低減することができる。
【００８９】さらにまた、第４電極層を印刷電極とする
ことにより、電気絶縁層のピンホ−ルが原因で発生する
第３電極層と第４電極層の短絡事故を低減することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例に関わる薄膜太陽電池の透視
平面図および部分断面図
【図２】図１の薄膜太陽電池の製造工程を示す図
【図３】この発明の異なる実施例に関わる薄膜太陽電池
の製造工程を示す図
【図４】この発明のさらに異なる実施例に関わる薄膜太
陽電池の製造工程を示す図
【図５】この発明のさらに異なる実施例に関わる薄膜太
陽電池の製造工程を示す図
【図６】この発明のさらに異なる実施例に関わる薄膜太
陽電池の製造工程を示す図
【図７】この発明のさらに異なる実施例に関わる薄膜太
陽電池の製造工程を示す図
【図８】従来の改良ＳＣＡＦ型薄膜太陽電池の概念的上
平面図および下平面図
【図９】従来のＳＣＡＦ型薄膜太陽電池の構成図
【図１０】従来のＳＣＡＦ型薄膜太陽電池の概略構成を
示す斜視図
【図１１】従来のＳＣＡＦ型薄膜太陽電池の製造工程の
概略を示す図
【符号の説明】 １：基板、ａ：光電変換層、ｂ：第３電極層、ｅ：第４
電極層、ｕ：第２電極層（透明電極層）、Ｈ：接続孔、
Ｉ：電気絶縁層、Ｌ：第１電極層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F051 AA05 BA11 BA14 CA15 CA22 DA04 EA09 EA10 EA11 EA16 FA06 FA10 FA15 FA16 FA17 FA23 GA03 GA05

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気絶縁性を有する基板の表面に下電極
    層としての第１電極層，光電変換層，透明電極層（第２
    電極層）を順次積層してなる光電変換部と、前記基板の
    裏面に形成した接続電極層としての第３電極層および第
    ４電極層と、前記第３電極層と第４電極層との間に形成
    した電気絶縁層とを備え、前記光電変換部および接続電
    極層を互いに位置をずらして単位部分にパターニングし
    てなり、前記透明電極層形成領域内に形成した電気的直
    列接続用の接続孔を介して、前記表面上の互いにパター
    ニングされて隣合う単位光電変換部分（ユニットセル）
    を電気的に直列に接続してなる薄膜太陽電池において、 前記第３電極層および第４電極層を、単一金属または合
    金材料の層と透明電極材料の層とからなる複層構造とな
    し、かつ前記透明電極材料の層を前記電気絶縁層側に形
    成してなることを特徴とする薄膜太陽電池。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の薄膜太陽電池の製造方法
    であって、以下の１）ないし１０）の工程を含むことを
    特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 １）基板に接続孔を開け、スパッタ法により、基板表面
    に第１電極層を形成し、裏面に単一金属または合金材料
    の層と透明電極材料の層との複層構造からなる第３電極
    層を形成する工程。 ２）第１電極層および第３電極層を、レーザ加工法によ
    りパターニングする工程 ３）第３電極層の透明電極材料の層およびパターニング
    部の上に、スパッタ法により電気絶縁層を形成する工程 ４）電気絶縁層を、サンドブラスト加工法によりパター
    ニングする工程 ５）第１電極層および第１電極層のパターニング部の上
    に、プラズマＣＶＤ法により光電変換層を形成する工程 ６）光電変換層の上に、スパッタ法により透明電極層を
    形成する工程 ７）電気絶縁層および電気絶縁層のパターニング部の上
    に、スパッタ法により、透明電極材料の層と単一金属ま
    たは合金材料の層との複層構造からなる第４電極層を形
    成する工程 ８）透明電極層および光電変換層を、レーザ加工法によ
    りパターニングする工程 ９）第４電極層を、サンドブラスト法によりパターニン
    グする工程 １０）薄膜太陽電池のユニットセル内の局所的短絡を回
    復するために、各ユニットセルに電圧印加処理を行う工
    程。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の薄膜太陽電池において、
    前記第３電極層および第４電極層は、複層構造からなる
    電極層に代えて、透明電極材料の単一層としたことを特
    徴とする薄膜太陽電池。
  4. 【請求項４】 請求項２記載の薄膜太陽電池の製造方法
    において、前記第３電極層および第４電極層は、複層構
    造からなる電極層に代えて、透明電極材料の単一層とし
    たことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１または３記載の薄膜太陽電池に
    おいて、さらに前記第１電極層を透明電極材料から形成
    してなることを特徴とする薄膜太陽電池。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の薄膜太陽電池の製造方法
    であって、以下の１）ないし８）の工程を含むことを特
    徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 １）基板に接続孔を開け、スパッタ法により、基板表面
    に第１電極層を形成する工程。 ２）基板裏面に、スパッタ法により、リフトオフマスク
    によりパターニングして第３電極層を形成する工程 ３）第３電極層および第３電極層のパターニング部の上
    に、スパッタ法により、リフトオフマスクによりパター
    ニングして電気絶縁層を形成する工程 ４）第１電極層上に、プラズマＣＶＤ法により光電変換
    層および透明電極層を順次形成する工程 ５）電気絶縁層および電気絶縁層のパターニング部の上
    に、スパッタ法により、第４電極層を形成する工程 ６）第１電極層，透明電極層および光電変換層を、サン
    ドブラスト法によりパターニングする工程 ７）第４電極層を、サンドブラスト法によりパターニン
    グする工程 ８）薄膜太陽電池のユニットセル内の局所的短絡を回復
    するために、各ユニットセルに電圧印加処理を行う工
    程。
  7. 【請求項７】 請求項５記載の薄膜太陽電池において、
    前記電気絶縁性を有する基板は、高反射率を有する金属
    材料表面を透光性絶縁材料により被覆してなるものとし
    たことを特徴とする薄膜太陽電池。
  8. 【請求項８】 請求項６記載の薄膜太陽電池の製造方法
    において、前記電気絶縁性を有する基板は、高反射率を
    有する金属材料表面を透光性絶縁材料により被覆してな
    るものとしたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 請求項１記載の薄膜太陽電池において、
    前記電気絶縁性を有する基板は透光性材料からなり、ま
    た前記第１電極層は透明電極材料からなり、さらに前記
    第３電極層は、高反射率を有する単一金属または合金材
    料の層と透明電極材料の層との複層構造からなるるもの
    とし、かつ第４電極層は、透明電極材料の層と単一金属
    または合金材料の層との複層構造からなるか，もしくは
    透明電極材料の単一層としたことを特徴とする薄膜太陽
    電池。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の薄膜太陽電池の製造方
    法であって、以下の１）ないし７）の工程を含むことを
    特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 １）基板に接続孔を開け、スパッタ法により、基板表面
    に第１電極層を形成する工程。 ２）基板裏面に、スパッタ法により、リフトオフマスク
    によりパターニングして第３電極層を形成する工程 ３）第３電極層および第３電極層のパターニング部の上
    に、スパッタ法により、リフトオフマスクによりパター
    ニングして電気絶縁層を形成する工程 ４）第１電極層上に、プラズマＣＶＤ法により光電変換
    層および透明電極層を順次形成する工程 ５）電気絶縁層および電気絶縁層のパターニング部の上
    に、スパッタ法により、リフトオフマスクによりパター
    ニングして第４電極層を形成する工程 ６）第１電極層，透明電極層および光電変換層を、レー
    ザ加工法によりパターニングする工程 ７）薄膜太陽電池のユニットセル内の局所的短絡を回復
    するために、各ユニットセルに電圧印加処理を行う工
    程。
  11. 【請求項１１】 請求項１，３，５，７および９のいず
    れかに記載の薄膜太陽電池において、前記透明電極材料
    は、ＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）、酸化インジ
    ウム、酸化亜鉛、酸化錫などの酸化物導電材としたこと
    を特徴とする薄膜太陽電池。
  12. 【請求項１２】 電気絶縁性を有する基板の表面に下電
    極層としての第１電極層，光電変換層，透明電極層（第
    ２電極層）を順次積層してなる光電変換部と、前記基板
    の裏面に形成した接続電極層としての第３電極層および
    第４電極層と、前記第３電極層と第４電極層との間に形
    成した電気絶縁層とを備え、前記光電変換部および接続
    電極層を互いに位置をずらして単位部分にパターニング
    してなり、前記透明電極層形成領域内に形成した電気的
    直列接続用の接続孔を介して、前記表面上の互いにパタ
    ーニングされて隣合う単位光電変換部分（ユニットセ
    ル）を電気的に直列に接続してなる薄膜太陽電池におい
    て、 前記第４電極層は、導電性ペーストを印刷してなるもの
    としたことを特徴とする薄膜太陽電池。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の薄膜太陽電池の製造
    方法であって、以下の１）ないし９）の工程を含むこと
    を特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 １）基板に接続孔を開け、スパッタ法により、基板表面
    に第１電極層を形成する工程。 ２）基板裏面に、スパッタ法により、リフトオフマスク
    によりパターニングして第３電極層を形成する工程 ３）第１電極層を、レーザ加工法によりパターニングす
    る工程 ４）第３電極層および第３電極層のパターニング部の上
    に、スパッタ法により、リフトオフマスクによりパター
    ニングして電気絶縁層を形成する工程 ５）第１電極層および第１電極層のパターニング部の上
    に、プラズマＣＶＤ法により光電変換層を形成する工程 ６）光電変換層の上に、スパッタ法により透明電極層を
    形成する工程 ７）第１電極層のパターニング部上の透明電極層および
    光電変換層を、レーザ加工法によりパターニングする工
    程 ８）電気絶縁層および電気絶縁層のパターニング部の上
    に、導電ペーストを用いたスクリーン印刷法により、第
    ４電極層を形成する工程 ９）薄膜太陽電池のユニットセル内の局所的短絡を回復
    するために、各ユニットセルに電圧印加処理を行う工
    程。
  14. 【請求項１４】 請求項１，３，５，７，９，１１およ
    び１２のいずれかに記載の薄膜太陽電池において、前記
    電気絶縁層の材料は、窒化シリコンまたは酸化シリコン
    としたことを特徴とする薄膜太陽電池。
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