JP2002055350A - 液晶ディスプレイの構造と、それを形成する方法 - Google Patents

液晶ディスプレイの構造と、それを形成する方法

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Togen Ko
志榮 ▲呉▼
Shiei Go
Doichi Chin
道一 陳
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TENMO KODEN KOFUN YUGENKOSHI
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）構造と、それを
形成する方法。 【解決手段】 ＬＣＤのブラック・マトリックス層とカ
ラー・フィルタ層（１３０）をカラー・フィルタ基板か
らＴＦＴ基板に移してＴＦＴ（ＣＯＴ）構造上にカラー
・フィルタを形成する。その上、ホトレジスト又はカラ
ー・ホトレジストで構成するスペーサはブラック・マト
リックス層（１１０）によって被覆したエリヤの各部上
に配して開口比を最大にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）構造と、それを形成する方法に関する。特
に、本発明はブラック・マトリックスとカラー・フィル
タを統合して上面に制御回路を備えた基板を完成させる
ＬＣＤ構造と、それを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）には高画
質、小容積占有、軽量、低電圧駆動、低消費電力など
の、他の従来型ディスプレイに優る多くの利点がある。
それ故、ＬＣＤは小型携帯テレビジョン、移動電話機、
録画ユニット、ノート型コンピュータ、デスクトップ・
モニタ、投影機型テレビジョン等に広く用いられてい
る。ＬＣＤは徐々に主流のディスプレイ・ユニットとし
て従来の陰極線管（ＣＲＴ）に取って代わっている。
【０００３】ＬＣＤの主要部分は二枚の平行、透明な基
板と、その間に密封した液晶で構成す液晶（ＬＣ）ユニ
ット（統合体）である。ＬＣＤの主流は薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）ＬＣＤである。ＴＦＴ−ＬＣＤの製造工程
は四つの部分、即ちＴＦＴアレー工程と、カラー・フィ
ルタ（ＣＦ）工程と、ＬＣセル・アッセンブリ工程と、
液晶モジュール（ＬＣＭ）工程に分割できる。
【０００４】ＴＦＴアレー工程はＴＦＴ基板の製造に適
用する。それぞれのＴＦＴは一つのピクセル電極に整列
する。ＣＦ工程はカラー・フィルタ基板の製造に用い
る。異なるカラー・フィルタ・シートで構成するカラー
・フィルタ層はカラー・フィルタ基板上にあり、ブラッ
ク・マトリックス層は各カラー・フィルタ・シートを取
り囲む。
【０００５】ＬＣセル・アッセンブリ工程はＴＦＴ基板
とＣＦ基板を平行に組み付けるのに使用され、ビード・
スペーサが相互間に拡散してＴＦＴ基板とＣＦ基板との
間に固定距離を、即ちセル・ギャップを維持する。 Ｌ
Ｃはセル・ギャップの内部に注入し、次いで、注入開口
部は密封される。基本的に、各ピクセル電極はそれぞれ
一枚のカラー・フィルタ・シートに対応し、ブラック・
マトリックス層は各ＴＦＴと、異なるＴＦＴ部を接続す
る金属線路を被覆する。
【０００６】ＬＣＭ工程はポラライザ（偏光子）をパネ
ルに取り付け、ドライバＩＣとパネル回路を電気的に接
続するために適用する。次いで、リフレクタ（反射器）
と背面発光体（バック・ライト）をパネル上に組み立て
る。バーンイン・ステップの後、ＬＣＭ工程は終了す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一般的に、ＴＦＴによ
って制御される各液晶分子軸の方向は各ピクセルが光を
透過するか、しないかを決定する。各ピクセルのカラー
はカラー・フィルタ・シートのカラーによって決まる。
例えば、光が赤のカラー・フィルタ・シートを透過する
と、赤い点がパネルに提示される。赤色、緑色、青色を
ミキシングすることにより全色画像を提示できる。
【０００８】ピクセル電極とカラー・フィルタ・シート
との間にある液晶分子の分子軸は正確に制御せねば成ら
ぬため、カラー・フィルタ層とＴＦＴ基板は正確に整列
をしなければ成らない。整列の許容誤差は僅かに数ミク
ロンの範囲内である。
【０００９】カラー・フィルタ基板とＴＦＴ基板の熱係
数は異なるため、ピクセル電極とカラー・フィルタ・シ
ートとの正確な整列は達成が難しい。この問題によって
製品歩留まりの低下と製造コストの上昇が生じる。基板
のサイズが大きくなるにつれて、この問題は深刻に成
る。従って、パネル上に光漏れとコイン・ムーラが発生
する。しかし、整列精度を強化するためブラック・マト
リックス層のサイズを拡大すると、ＬＣＤのカラー・コ
ントラストと輝度が減少する。
【００１０】他の問題はビード・スペーサのランダム分
布である。ビード・スペーサはピクセル・エリヤの若干
部分を遮断することがある。従って、ＬＣＤの開口比が
減少する。ピクセル・エリヤがより小さいとき、あるい
は高解像度パネルの場合、その問題は一層深刻に成る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的はブラック
・マトリックス層とカラー・フィルタ層の双方を制御回
路基板上に配し、各ピクセル電極をカラー・フィルタ層
上に配してカラー・フィルタ層と各ピクセル電極との整
列精度を強化する構成の液晶ディスプレイ構造を提供す
ることである。その上、液晶ディスプレイの輝度とカラ
ー・コントラストを増強するため、ホトレジスト・スペ
ーサが従来のビード・スペーサの代わりに使用される。
【００１２】液晶ディスプレイ構造は制御回路を上面に
備える第一基板から成り、その上部にはブラック・マト
リックス層と、カラー・フィルタ層と、ピクセル電極層
と、複数のホトレジスト・スペーサと、液晶層と、共通
電極と、第二基板が順々に配される。
【００１３】複数の開口部をブラック・マトリックス層
に設け第一基板を露出させる。カラー・フィルタ層は各
開口部に整列した複数のカラー・フィルタ・シートで構
成する。各ピクセル電極は各カラー・フィルタ・シート
に整列する。ホトレジスト・スペーサはブラック・マト
リックスによって被覆した各エリヤの部分上に配され、
その硬度は約２Ｈ〜４Ｈの範囲にあることが好ましく、
その高さは約１〜１０μｍの範囲にあることが好まし
い。ホトレジスト・スペーサは同様に多層のカラー・ホ
トレジストでも構成できる。
【００１４】本発明の他の目的はカラー・フィルタ・シ
ートとピクセル電極との間の整列精度を強化するための
液晶ディスプレイを形成する方法を提供することであ
り、従来のビード・スペーサの代わりにホトレジスト・
スペーサが使用される。
【００１５】それに対応して、一実施例にあってはブラ
ック・マトリックス層が制御回路を上面に備えた第一基
板上に形成される。第一基板を露出するため、複数の開
口部がブラック・マトリックス層には形成されている。
カラー・フィルタ層はブラック・マトリックス層上に形
成される。複数のピクセル電極はカラー・フィルタ層上
に形成され、各々の開口部に整列される。複数のホトレ
ジスト・スペーサがブラック・マトリックスによって被
覆された各エリヤの部分に配されるよう第一基板上に形
成される。第一基板と、共通電極を上面に備えた第二基
板は平行に組み付けるが、第一基板と第二基板相互間に
はホトレジスト・スペーサと共通電極が介在する。液晶
層は第一基板と第二基板との間に形成する。ホトレジス
ト・スペーサを形成するステップとピクセル電極のステ
ップの順序は取り替えることができる。
【００１６】他の実施例において、ブラック・マトリッ
クス層は制御回路を上面に備えた第一基板上に形成す
る。複数の開口部をブラック・マトリックス層に形成し
て第一基板を露出させる。カラー・フィルタ層はブラッ
ク・マトリックス層上に形成する。開口部の各々に整列
するよう複数のピクセル電極をカラー・フィルタ層上に
形成する。共通電極を上面に備えた第二基板上に複数の
ホトレジスト・スペーサを形成する。第一基板と第二基
板は平行に組み付けるが、第一基板と第二基板との間に
はホトレジスト・スペーサとピクセル電極が介在する。
液晶層は第一基板と第二基板との間に形成する。
【００１７】本発明の更なる目的は多層のカラー・ホト
レジストを積み重ねてホトレジスト・スペーサを形成す
る液晶ディスプレイを形成する方法を提供することであ
る。
【００１８】この実施例にあって、ブラック・マトリッ
クス層は制御回路を上面に備えた第一基板上に形成す
る。複数の第一、第二、第三開口部をブラック・マトリ
ックス層に形成して第一基板を露出させる。第一カラー
・ホトレジストを第一基板上に形成する。その第一カラ
ー・ホトレジストは第一開口部の各々に整列した複数の
第一フィルタ・シートと、ブラック・マトリックスによ
って被覆した各エリヤの一部上に配される複数の第一ス
ペーサとを形成するパターン形状にする。第二カラー・
ホトレジストを第一基板上に形成する。その第二カラー
・ホトレジストは第二開口部の各々に整列した複数の第
二フィルタ・シートと、第一スペーサと重なり合う複数
の第二スペーサとを形成するパターン形状にする。第三
カラー・ホトレジストを第一基板上に形成する。その第
三カラー・ホトレジストは第三開口部の各々に整列した
複数の第三フィルタ・シートと、第二スペーサと重なり
合う複数の第三スペーサとを形成するパターン形状にす
る。第一、第二、第三フィルタ・シート上にそれぞれ複
数のピクセル電極を形成する。第一基板と、共通電極を
上面に備えた第二基板は平行に組み付けるが、第一基板
と第二基板との間にはホトレジスト・スペーサと共通電
極が介在する。液晶層は第一基板と第二基板との間に形
成する。
【００１９】本明細書に実施内容が記載され、幅広く説
明されているように、本発明は液晶ディスプレイ構造
と、それを形成する方法を提供するが、ブラック・マト
リックス層とカラー・フィルタ層はカラー・フィルタ基
板から制御回路基板に移動されている。整列精度は殆ど
がホトリソグラフィによって支配されるため、整列誤差
はミクロン以下まで大幅に縮小することができる。更
に、ホトレジスト・スペーサはブラック・マトリックス
によって被覆された各エリヤの部分に配され、液晶ディ
スプレイの輝度とカラー・コントラストを大いに増強す
ることができる。その上、スペーサの形成にもカラー・
ホトレジストを使用し、製造コストを大幅に低減でき、
製品歩留まりを大幅に向上できる。
【００２０】前文に述べた一般的な説明と以下の詳細な
解説は共に例証的なものであり、請求項の記載では本発
明について一層の説明を加えることを意図したものであ
ることを理解する必要がある。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明を一層理解するため付属図
面は本明細書に含めて援用し、かつ本明細書の一部を構
成する。図面は本発明の各実施例を解説し、解説の他に
本発明の原理を説明する役割を果たす。
【００２２】実施例１ 図１Ａ〜図１Ｄは本発明の好ましい第一実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。
【００２３】図１Ａにあって、ブラック・マトリックス
層１１０はＴＦＴ回路を上面に備えた第一基板１００上
に形成する。ブラック・マトリックス層１１０はＴＦＴ
各部とＴＦＴ回路の金属線路を被覆するパターン形状に
し、その層に開口部１２０を形成する。各開口部１２０
は１ピクセルに対応する。ブラック・マトリックス層１
１０はクロミウム／酸化クロミウム、オキシ樹脂又はブ
ラック樹脂のような材料である。ブラック・マトリック
ス層１１０は物理的な堆積又はパターン形状化が後続す
るコーティングのような方法によって形成する。
【００２４】図１Ｂにあって、カラー・フィルタ層１３
０はブラック・マトリックス層１１０上に形成する。カ
ラー・フィルタ層１３０は様々なカラーのカラー・フィ
ルタ・シート１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃで構成す
る。各カラー・フィルタ・シート１３０ａ、１３０ｂ、
１３０ｃは隣り合うピクセル相互間のカラー・コントラ
ストを増強するため各開口部１２０に整列する。
【００２５】図１Ｃにあって、ピクセル電極１４０はそ
れぞれ各開口部１２０に整列するよう形成する。ピクセ
ル電極１４０は透明である。例えば、ピクセル電極１４
０の材料は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）である。例え
ば、透明導電層をスパッタリング形成した後にホトリソ
グラフィを適用することでピクセル電極１４０が形成さ
れる。
【００２６】ホトレジスト層はピクセル電極１４０を被
覆するよう形成する。ホトレジスト層はブラック・マト
リックス１１０の部分上にスペーサ１５０が形成される
ようなパターン形状にして開口比を最大にする。セル・
ギャップを一定値に維持するには、スペーサ１５０の高
さは１〜１０μｍの範囲にあることが好ましく、スペー
サ１５０の硬度は２Ｈ〜４Ｈの範囲にあることが好まし
い。ホトレジスト層の材料は例えばＪＳＲ社から販売さ
れているＯＰＴＭＥＲ ＮＮ ５００又はＯＰＴＭＥＲ
ＮＮ７００のようなアクリル樹脂又はエポキシ樹脂で
ある。例えば、パターン形状化の方法はホトリソグラフ
ィ即ちエッチングが後続して行われる露光処理を含む。
【００２７】図１Ｄにあって、共通電極１７０は第二基
板１８０上に形成する。第二基板１８０の材料は例えば
ガラス又は石英である。共通電極１７０は透明であり、
共通電極１７０の材料は例えば酸化インジウム錫であ
る。共通電極１７０の形成方法は例えばエッチングが後
続して行われるスパッタリング方式である。
【００２８】第一基板１００と第二基板１８０は平行に
組み立て、相互間に共通電極１７０とスペーサ１５０を
配する。第一基板１００と第二基板１８０との間のセル
・ギャップの側面は密封し、液晶注入のための開口部
（図１Ｄには示さず）は密封せずに保留しておく。
【００２９】液晶を側面開口部からセル・ギャップ内に
注入して液晶層１６０を形成する。その開口部は密封す
る。ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する工程が完了する。
【００３０】前文で説明した実施例１に従い、ブラック
・マトリックス層とカラー・フィルタ層はＴＦＴ基板に
移してＴＦＴ（ＣＯＴ）構造上にカラー・フィルタを形
成する。総ての正確な整列がＴＦＴ基板上で行われるた
め、第一基板と第二基板を組み付けるとき、整列が行わ
れぬことに斟酌する必要はない。従って、ＣＯＴ構造は
製品歩留まりを大幅に増大することができるが、更に、
その構造は第四世代又はそれ以上の世代の製造技法に応
用できる。
【００３１】その上、スペーサはホトレジストで構成さ
れ、それ故にスペーサの位置をブラック・マトリックス
層上に限定してＬＣＤの開口比を拡大し、このようにし
て、ＬＣＤの輝度とカラー・コントラストを増強するこ
とができる。
【００３２】実施例２ 図２Ａ〜図２Ｄは本発明の好ましい第二実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。
【００３３】図２Ａにあって、ブラック・マトリックス
層２１０はＴＦＴ回路を上面に備えた第一基板２００上
に形成される。ブラック・マトリックス層２１０は各Ｔ
ＦＴとＴＦＴ回路の金属線路を被覆するパターン形状に
し、その層に開口部２２０を形成する。各開口部２２０
は一ピクセルに対応する。ブラック・マトリックス層２
１０はクロミウム／酸化クロミウム、オキシ樹脂又はブ
ラック樹脂のような材料である。ブラック・マトリック
ス層２１０は物理的な堆積又はパターン形状化が後続す
るコーティングのような方法によって形成する。
【００３４】図２Ｂにあって、カラー・フィルタ層２３
０はブラック・マトリックス層２１０上に形成する。カ
ラー・フィルタ層２３０は全カラーＬＤＣのための赤、
緑、青のような各種のカラーのカラー・フィルタ・シー
ト２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃで構成する。各カラー
・フィルタ・シート２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃは隣
り合うピクセル相互間のカラー・コントラストを増強す
るため各開口部２２０に整列する。第一カラー・スペー
サ２３０ａ’、第二カラー・スペーサ２３０ｂ’、第三
カラー・スペーサ２３０ｃ’はブラック・マトリックス
２１０の部分に積み重ねてカラー・スペーサ２４０を形
成する。工程は以下のように説明される。
【００３５】第一カラー・ホトレジスト層は第一基板２
００上に形成する。第一カラー・ホトレジスト層は開口
部２２０の部分の上に配される第一カラー・フィルタ・
シート２３０ａと、ブラック・マトリックス２１０の部
分の上に配される第一カラー・スペーサ２３０ａ’を同
時に形成するパターン形状にする。同様に、第二カラー
・フィルタ層を第一基板２００上に形成する。第二カラ
ー・ホトレジスト層は開口部２２０の他の部分上に配さ
れる第二カラー・フィルタ・シート２３０ｂと第一カラ
ー・スペーサ２３０ａ’上に配される第二カラー・スペ
ーサ２３０ｂ’を同時に形成するパターン形状にする。
最後に、第三カラー・フィルタ層を第一基板２００上に
形成する。第三カラー・ホトレジスト層は開口部２２０
の残る部分上に配される第三カラー・フィルタ・シート
２３０ｃと、第二カラー・スペーサ２３０ｂ’上に配さ
れる第三カラー・スペーサ２３０ｃ’を同時に形成する
パターン形状にする。従って、第一カラー・スペーサ２
３０ａ’、第二カラー・スペーサ２３０ｂ’、第三カラ
ー・スペーサ２３０ｃ’は積み重ねられてブラック・マ
トリックス２１０の一部上にカラー・スペーサ２４０を
形成する。
【００３６】図２Ｃにあって、ピクセル電極２５０はそ
れぞれカラー・フィルタ・シート２３０ａ、２３０ｂ、
２３０ｃ上に形成する。ピクセル電極２５０の材料は例
えば酸化インジウム錫である。ピクセル電極２５０の形
成方法は以下のように各ステップを含む。パターンにあ
う透明導電層をカラー・フィルタ層２３０とカラー・ス
ペーサ２４０上に堆積させる。パターン形状にしたホト
レジスト層をその導電層上に形成してカラー・フィルタ
・シート２３０ａ，２３０ｂ、２３０ｃ上の導電層の一
部を被覆する。その導電層の露出部分は除去してピクセ
ル電極２５０を形成する。次いで、パターン形状にした
そのホトレジスト層を取り除く。導電層を除去する方法
には例えば湿式エッチングがある。
【００３７】図２Ｄにあって、共通電極２７０が第２基
板２８０上に形成される。第２基板２８０の材料は例え
ばガラス又は石英である。共通電極２７０は透明であり
材料は例えば酸化インジウム錫である。共通電極２７０
の形成方法は例えばスパッタリングである。
【００３８】第一基板２００と第二基板２８０は互いに
平行に組み立て、その間に共通電極２７０とスペーサ２
５０を配する。第一基板２００と第二基板２８０との間
のセル・ギャップの側面は密封し、液晶注入のための開
口部（図２Ｄには示さず）は密封せずに保留しておく。
【００３９】液晶を側面開口部から第一基板２００と第
二基板２８０との間のセル・ギャップ内に注入して液晶
層２６０を形成する。開口部は密封する。ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの製造工程は完了する。
【００４０】前文に説明した実施例２に従い、ブラック
・マトリックス層とカラー・フィルタ層をＴＦＴ基板に
移してＴＦＴ（ＣＯＴ）構造上にカラー・フィルタを形
成する。総ての正確な整列がＴＦＴ基板上で行われるた
め、第一基板と第二基板を組み付けるとき、整列が行わ
れぬことに斟酌する必要はない。従って、ＣＯＴ構造は
製品歩留まりを大幅に増大することができるが、更に、
その構造は第四世代又はそれ以上の世代の製造技法に応
用できる。
【００４１】実施例２において、カラー・フィルタ層と
カラー・スペーサは同時に形成され、それ故、スペーサ
を形成するステップを省略して製造コストを低減し、製
品歩留まりを増大することができる。その上、カラー・
スペーサをブラック・マトリックス層上に配し、開口比
を最大にする。従って、ＬＣＤの輝度とコントラストを
増強することができる。
【００４２】実施例３ 図３Ａ〜図３Ｂは本発明の好ましい第三実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。ホトレジスト・スペー
サが実施例２におけるカラー・スペーサの代わりに使用
される。
【００４３】図３Ａにあって、ブラック・マトリックス
層３１０を形成する工程は実施例２と同じである（図２
Ａの説明を参照する）。カラー・スペーサ２４０を図２
Ｂに記載のブラック・マトリックス層２１０の部分に形
成することを除くと、カラー・フィルタ層３３０を形成
する工程は実施例２におけるカラー・フィルタ層２３０
を形成する工程に基本的に類似する。それ故、図３Ａで
はカラー・フィルタ・シート３３０ａ、３３０ｂ、３３
０ｃのみが形成される。
【００４４】ホトレジスト層はカラー・フィルタ層３３
０を被覆するよう形成する。そのホトレジスト層はスペ
ーサ３４０を形成するパターン形状にする。スペーサ３
４０をブラック・マトリックス３１０の部分上に配しＬ
ＣＤの開口比を最大にする。セル・ギャップを一定値に
維持するには、スペーサ３４０の好ましい高さは１〜１
０μｍの範囲であり、スペーサ３４０の硬度は鉛筆硬度
２Ｈ〜４Ｈの範囲である。ホトレジストの材料は例えば
ＪＳＲ社から販売されているＯＰＴＭＥＲ ＮＮ５００
又はＯＰＴＭＥＲ ＮＮ７００のようなアクリル樹脂又
はエポキシ樹脂である。例えば、パターン形状化の方法
はホトリソグラフィ又はエッチングが後続して行われる
露光処理を含む。
【００４５】図３Ｂにあって、後続の工程は実施例２と
同一である。ピクセル電極３５０はカラー・フィルタ層
３３０上に形成する。共通電極３７０は第二基板３８０
上に形成する。第一基板３００と第二基板３８０は互い
に平行に結合し、その間に共通電極３７０とスペーサ３
４０を配する。第一基板３００と第二基板３８０との間
のセル・ギャップの側面は密封し、液晶注入のための開
口部（図３Ｂには示さず）は密封せずに保留しておく。
【００４６】液晶を側面開口部から第一基板３００と第
二基板３８０との間のセル・ギャップ内に注入して液晶
層３６０を形成する。開口部は密封する。ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの製造プロセスは完了する。
【００４７】前文に説明した実施例３に従い、ブラック
・マトリックス層とカラー・フィルタ層をＴＦＴ基板に
移してＴＦＴ（ＣＯＴ）構造上にカラー・フィルタを形
成する。総ての正確な整列がＴＦＴ基板上で行われるた
め、第一基板と第二基板を組み付けるとき、整列が行わ
れぬことに斟酌する必要はない。従って、ＣＯＴ構造は
製品歩留まりを大幅に増大することができるが、更に、
その構造は第四世代又はそれ以上の世代の製造技法に応
用できる。
【００４８】その上、スペーサはホトレジストで構成さ
れ、それ故にスペーサの位置をブラック・マトリックス
層上に限定してＬＣＤの開口比を拡大し、このようにし
て、ＬＣＤの輝度とカラー・コントラストを増強するこ
とができる。
【００４９】実施例４ 図４Ａ〜図４Ｄは本発明の好ましい第四実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。
【００５０】図４Ａにあって、ブラック・マトリックス
層４１０はＴＦＴ回路を上面に備えた第一基板４００上
に形成する。ブラック・マトリックス層４１０はＴＦＴ
各部とＴＦＴ回路の金属線路を被覆するパターン形状に
し、その層に開口部４２０を形成する。各開口部４２０
は一ピクセルに対応する。ブラック・マトリックス層４
１０はクロミウム／酸化クロミウム、オキシ樹脂又はブ
ラック樹脂のような材料である。ブラック・マトリック
ス層４１０は物理的な堆積又はパターン形状化が後続す
るコーティングのような方法によって形成する。
【００５１】図４Ｂにあって、カラー・フィルタ層４３
０はブラック・マトリックス層４１０上に形成する。カ
ラー・フィルタ層４３０は様々なカラーのカラー・フィ
ルタ・シートで構成する。各カラー・フィルタ・シート
は隣り合うピクセル相互間のカラー・コントラストを増
強するため各開口部４２０に整列する。
【００５２】ピクセル電極４４０はそれぞれ各開口部４
２０に整列するよう形成する。ピクセル電極４４０は透
明である。ピクセル電極４４０の材料は例えば酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）である。例えば、透明導電層をスパ
ッタリング形成した後にホトリソグラフィを適用するこ
とでピクセル電極４４０が形成される。
【００５３】図４Ｃにあって、共通電極４７０は第二基
板４８０上に形成する。第二基板４８０の材料は例えば
ガラス又は石英である。共通電極４７０は透明であり、
共通電極４７０の材料は例えば酸化インジウム錫であ
る。共通電極４７０の形成方法は例えばエッチングが後
続して行われるスパッタリング方式である。
【００５４】ホトレジスト層は共通電極４７０を被覆す
るよう形成する。そのホトレジスト層はスペーサ４５０
を形成するパターン形状にする。セル・ギャップを一定
値に維持するには、スペーサ４５０の高さは１〜１０μ
ｍの範囲にあることが好ましく、スペーサ４５０の硬度
は２Ｈ〜４Ｈ（鉛筆硬度）の範囲にあることが好まし
い。ホトレジストの材料は例えばＪＳＲ社から販売され
ているＯＰＴＭＥＲ ＮＮ５００又はＯＰＴＭＥＲ Ｎ
Ｎ７００のようなアクリル樹脂又はエポキシ樹脂であ
る。例えば、パターン形状化の方法はホトリソグラフィ
又はエッチングが後続して行われる露光処理を含む。
【００５５】図４Ｄにあって、第一基板４００と第二基
板４８０は互いに平行に組み立て、相互間にピクセル電
極４４０とスペーサ４５０を配する。第一基板４００と
第二基板４８０との間のセル・ギャップの側面は密封
し、液晶注入のための開口部（図４Ｄには示さず）は密
封せずに保留しておく。
【００５６】液晶を側面開口部から第一基板４００と第
二基板４８０との間のセル・ギャップ内に注入して液晶
層４６０を形成する。開口部は密封する。ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄを製造する工程は完了する。
【００５７】前文に説明した実施例４に従い、ブラック
・マトリックス層とカラー・フィルタ層をＴＦＴ基板に
移してＴＦＴ（ＣＯＴ）構造上にカラー・フィルタを形
成する。総ての正確な整列がＴＦＴ基板上で行われるた
め、第一基板と第二基板を組み付けるとき、整列が行わ
れぬことに斟酌する必要はない。従って、ＣＯＴ構造は
製品歩留まりを大幅に増大することができるが、更に、
その構造は第四世代又はそれ以上の世代の製造技法に応
用できる。
【００５８】実施例１では、第二基板に関わる製造ステ
ップの数は第一基板の製造ステップ数より少ない。従っ
て、スペーサを配する位置を実施例１の第一基板から本
実施例の第二基板に移し、従って、第一基板に関わる製
造ステップの数は減少する。同様に、製品歩留まりに付
いての重荷は第一基板から第二基板に移行し、第一基板
の製品歩留まりが増大する。更に、図４Ｄに記載の組み
立てステップのプロセス・ウインドウはより緩やかであ
る。組み立てステップのプロセス・ウインドウは約１０
〜２０μｍの範囲である。しかし、第３．５世代ＬＣＤ
のプロセス・ウインドウは僅かに約４〜５μｍの範囲で
ある。従って、最終的な製品歩留まりはそれでも変わら
ぬか、あるいは増大さえする。
【００５９】実施例５ 図５Ａ〜図５Ｃは本発明の好ましい第五実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。
【００６０】図５Ａにあって、ブラック・マトリックス
層５１０はＴＦＴ回路を上面に備えた第一基板５００上
に形成する。ブラック・マトリックス層５１０はＴＦＴ
各部とＴＦＴ回路の金属線路を被覆するパターン形状に
し、その層に開口部５２０を形成する。各開口部５２０
は１ピクセルに対応する。ブラック・マトリックス層５
１０はブラック樹脂のような材料であり、その厚さは約
０．１〜６μｍである。
【００６１】図５Ｂにあって、共通電極５７０は第二基
板上５８０上に形成する。第二基板５８０の材料は例え
ばガラス又は石英であることが好ましい。共通電極５７
０は透明であり、共通電極５７０の材料は例えば酸化イ
ンジウム錫である。共通電極５７０の形成方法は例えば
スパッタリング方式である。
【００６２】ホトレジスト層は共通電極５７０を被覆す
るように形成する。そのホトレジスト層はスペーサ５５
０を形成するようパターン形状にする。セル・ギャップ
を一定値に維持するには、スペーサ５５０の高さは１〜
１０μｍの範囲にあることが好ましく、スペーサ５５０
の硬度は２Ｈ〜４Ｈ（鉛筆硬度）の範囲にあることが好
ましい。ホトレジストの材料は例えばＪＳＲ社から販売
されているＯＰＴＭＥＲ ＮＮ５００又はＯＰＴＭＥＲ
ＮＮ７００のようなアクリル樹脂又はエポキシ樹脂で
ある。例えば、パターン形状化の方法はホトリソグラフ
ィ又はエッチングが後続して行われる露光処理を含む。
【００６３】図５Ｃにあって、第一基板５００と第二基
板５８０は互いに平行に組み立て、相互間に共通電極５
４０とスペーサ５５０を配する。第一基板５００と第二
基板５８０との間のセル・ギャップの側面は密封し、液
晶注入のための開口部（図５Ｃには示さず）は密封せず
に保留しておく。
【００６４】液晶を側面開口部から第一基板５００と第
二基板５８０との間のセル・ギャップ内に注入して液晶
層５６０を形成する。開口部は密封する。ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの製造工程は完了する。
【００６５】前文に説明した実施例５に従い、ブラック
・マトリックス層とカラー・フィルタ層をＴＦＴ基板に
移してＴＦＴ（ＣＯＴ）構造上にカラー・フィルタを形
成する。総ての正確な整列がＴＦＴ基板上で行われるた
め、第一基板と第二基板を組み付けるとき、整列が行わ
れぬことに斟酌する必要はない。従って、ＣＯＴ構造は
製品歩留まりを大幅に増大することができるが、更に、
その構造は第四世代又はそれ以上の世代の製造技法に応
用できる。
【００６６】その上、ホトレジスト・スペーサを配する
位置も実施例４におけるように第一基板から第二基板に
移し、第一基板の製品歩留まりに関わる重荷を軽減す
る。組み立てステップのプロセス・ウインドウは約１０
〜２０μｍの範囲である。 しかし、第３．５世代ＬＣ
Ｄのプロセス・ウインドウは僅かに約４〜５μｍの範囲
である。 従って、最終的な製品歩留まりはそれでも変
わらぬか、あるいは増大さえする。
【００６７】本発明の範囲又は精神から逸脱することな
く本発明の構造に様々な修正と変更を加え得ることは当
前記技術に精通した者にとっては明らかであろう。前文
に鑑み、本発明はこれに対する修正と変更が前述の請求
項と、それに同等なものの範囲内にあることを条件にそ
のような修正と変更を網羅しようとするものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】これらは本発明の好ましい第一実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。
【図２】これらは本発明の好ましい第二実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。
【図３】これらは本発明の好ましい第三実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。
【図４】これらは本発明の好ましい第四実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。
【図５】これらは本発明の好ましい第五実施例に従い薄
膜トランジスタ液晶ディスプレイを形成する製造工程を
概略的に解説する断面図である。
【符号の説明】
１００．第一基板 １１０．ブラック・マトリックス層 １２０．開口部 １３０．カラー・フィルタ層 １４０．ピクセル電極 １５０．スペーサ １６０．液晶層 １８０．第二基板。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H048 BA11 BA45 BA48 BB01 BB02 BB03 BB08 BB44 2H089 LA16 MA03X NA14 PA06 QA12 QA14 2H091 FA02Y FA35Y GA03 GA08 5C094 AA06 AA08 AA42 AA43 AA44 BA03 BA43 EA05 EA07 EB02 ED02 HA08

Claims (63)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液晶ディスプレイであって、 制御回路を上面に備えた第一基板上にあるブラック・マ
    トリックス層と、前記第一基板を露出させるため前記ブ
    ラック・マトリックス層に設けた複数の開口部と、 前記ブラック・マトリックス層上にあって、それぞれ各
    前記開口部に整列した複数のカラー・フィルタ・シート
    で構成するカラー・フィルタ層と、 前記カラー・フィルタ・シート上にあって、それぞれ各
    前記カラー・フィルタ・シートに整列した複数のピクセ
    ル電極で構成するピクセル電極層と、 前記ピクセル電極層上にあって、前記ブラック・マトリ
    ックス層によって被覆したエリヤの一部上に配した複数
    のホトレジスト・スペーサと、 前記ピクセル電極層上にあって、前記ホトレジスト・ス
    ペーサ間の空間を満たす液晶層と、 前記液晶層と前記ホトレジスト・スペーサ上にある共通
    電極と、 前記共通電極上にある第二基板と、を含む液晶ディスプ
    レイ。
  2. 【請求項２】 前記カラー・フィルタ・シートのカラー
    が赤、緑又は青である請求項１に記載の液晶ディスプレ
    イ。
  3. 【請求項３】 前記ピクセル電極の材料が酸化インジウ
    ム錫を含む請求項１に記載の液晶ディスプレイ。
  4. 【請求項４】 前記共通電極の材料が酸化インジウム錫
    を含む請求項１に記載の液晶ディスプレイ。
  5. 【請求項５】 前記ホトレジスト・スペーサの硬度が約
    ２Ｈ〜４Ｈの範囲にある請求項１に記載の液晶ディスプ
    レイ。
  6. 【請求項６】 前記ホトレジスト・スペーサの高さが約
    １〜１０μｍの範囲にある請求項１に記載の液晶ディス
    プレイ。
  7. 【請求項７】 前記ホトレジスト・スペーサの材料がア
    クリル樹脂を含む請求項１に記載の液晶ディスプレイ。
  8. 【請求項８】 前記ホトレジスト・スペーサの材料がエ
    ポキシ樹脂を含む請求項１に記載の液晶ディスプレイ。
  9. 【請求項９】 液晶ディスプレイを形成する方法であっ
    て、前記方法が制御回路を上面に備えた第一基板上にブ
    ラック・マトリックス層を形成するステップと、 前記第一基板を露出させるため、前記ブラック・マトリ
    ックス層に複数の開口部を形成するステップと、 前記ブラック・マトリックス層上にカラー・フィルタ層
    を形成するステップと、 それぞれ前記開口部の各々に整列するよう前記カラー・
    フィルタ層上に複数のピクセル電極を形成するステップ
    と、 前記ブラック・マトリックスによって被覆したエリヤの
    部分上に配されるよう前記第一基板上に複数のホトレジ
    スト・スペーサを形成するステップと、 前記第一基板と、共通電極を上面に備えた第二基板を相
    互間に前記ホトレジスト・スペーサと前記共通電極を介
    在させて平行に組み立てるステップと、 前記第一基板と、前記第二基板との間に液晶層を形成す
    るステップとを含む方法。
  10. 【請求項１０】 前記ホトレジスト・スペーサを形成す
    る方法が 前記ピクセル電極を被覆するホトレジスト層を形成する
    ステップと、 前記ホトレジスト・スペーサを形成するように前記ホト
    レジスト層をパターン形状にするステップとを含む請求
    項９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 パターン形状にする前記方法が露光−
    現像ステップを含む請求項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 パターン形状にする前記方法が露光−
    エッチングステップを含む請求項１０に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料の硬度が約２Ｈ〜４Ｈの範囲にある請求項
    ９に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記ホトレジスト・スペーサの高さが
    約１〜１０μｍの範囲にある請求項９に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料がアクリル樹脂である請求項９に記載の方
    法。
  16. 【請求項１６】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料がエポキシ樹脂である請求項９に記載の方
    法。
  17. 【請求項１７】 液晶ディスプレイを形成する方法であ
    って、前記方法が制御回路を上面に備えた第一基板上に
    ブラック・マトリックス層を形成するステップと、 前記第一基板を露出させるため前記ブラック・マトリッ
    クス層に複数の開口部を形成するステップと、 前記ブラック・マトリックス層上にカラー・フィルタ層
    を形成するステップと、 前記開口部の各々にそれぞれ整列するよう前記カラー・
    フィルタ層上に複数のピクセル電極を形成するステップ
    と、 共通電極を上面に備えた第二基板上に複数のホトレジス
    ト・スペーサを形成するステップと、 前記第一基板と前記第二基板を相互間に前記ホトレジス
    ト・スペーサと前記ピクセル電極を介在させて平行に組
    み立てるステップと、 前記第一基板と前記第二基板との間に液晶層を形成する
    ステップとを含む方法。
  18. 【請求項１８】 前記ホトレジスト・スペーサを形成す
    る方法が前記共通電極を被覆するホトレジスト層を形成
    するステップと、 前記ホトレジスト・スペーサを形成するよう前記ホトレ
    ジスト層をパターン形状にするステップとを含む請求項
    １７に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 パターン形状する前記方法が露光−現
    像ステップを含む請求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 パターン形状にする前記方法が露光−
    エッチングステップを含む請求項１８に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料の硬度が約２Ｈ〜４Ｈの範囲にある請求項
    １７に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記ホトレジスト・スペーサの高さが
    約１〜１０μｍの範囲にある請求項１７に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料がアクリル樹脂を含む請求項１７に記載の
    方法。
  24. 【請求項２４】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料がエポキシ樹脂である請求項１７に記載の
    方法。
  25. 【請求項２５】 液晶ディスプレイであって、 制御回路を上面に備えた第一基板と、 前記第一基板上に設けたブラック・マトリックス層と、
    それに配した複数の開口部と、 前記ブラック・マトリックス層上にあって、各前記開口
    部にそれぞれ整列した複数のカラー・フィルタ・シート
    を含むカラー・フィルタ層と、 前記カラー・フィルタ層上にあって、前記ブラック・マ
    トリックスによって被覆したエリヤの一部上に配される
    複数のホトレジスト・スペーサと、 それぞれ前記カラー・フィルタ・シートの各々の上面に
    あって、高さが前記ホトレジスト・スペーサの高さより
    低い複数のピクセル電極と、 前記ピクセル電極上にあって、前記ホトレジスト・スペ
    ーサ間の空間を満たす液晶層と、 前記液晶層と前記ホトレジスト・スペーサ上にある共通
    電極と、 前記共通電極上にある第二基板とを含む液晶ディスプレ
    イ。
  26. 【請求項２６】 カラー・フィルタ・シートのカラーが
    赤、緑又は青である請求項２５に記載の液晶ディスプレ
    イ。
  27. 【請求項２７】 前記ピクセル電極の材料が酸化インジ
    ウム錫を含む請求項２５に記載の液晶ディスプレイ。
  28. 【請求項２８】 前記共通電極の材料が酸化インジウム
    錫を含む請求項２５に記載の液晶ディスプレイ。
  29. 【請求項２９】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料の硬度が約２Ｈ〜４Ｈの範囲にある請求項
    ２５に記載の液晶ディスプレイ。
  30. 【請求項３０】 前記ホトレジスト・スペーサの高さが
    約１〜１０μｍの範囲にある請求項２５に記載の液晶デ
    ィスプレイ。
  31. 【請求項３１】 前記ホトレジスト・スペーサの材料が
    アクリル樹脂を含む請求項２５に記載の液晶ディスプレ
    イ。
  32. 【請求項３２】 前記ホトレジスト・スペーサの材料が
    エポキシ樹脂を含む請求項２５に記載の液晶ディスプレ
    イ。
  33. 【請求項３３】 前記ホトレジスト・スペーサがカラー
    ・ホトレジスト・スペーサを含む請求項２５に記載の液
    晶ディスプレイ。
  34. 【請求項３４】 前記ホトレジスト・スペーサが複数の
    積み重ねたカラー・ホトレジスト層で構成する請求項２
    ５に記載の液晶ディスプレイ。
  35. 【請求項３５】 液晶ディスプレイを形成する方法であ
    って、制御回路を上面に備えた第一基板上にブラック・
    マトリックス層を形成するステップと、 前記第一基板を露出させるため前記ブラック・マトリッ
    クス層に複数の開口部を形成するステップと、 前記ブラック・マトリックス層上にカラー・フィルタ層
    を形成するステップと、 前記ブラック・マトリックス層によって被覆したエリヤ
    の一部上に複数のホトレジスト・スペーサを形成するス
    テップと、 前記開口部の各々にそれぞれ整列するよう前記カラー・
    フィルタ層上に複数のピクセル電極を形成するステップ
    と、 前記第一基板と、共通電極を上面に備えた第二基板を相
    互間に前記ホトレジスト・スペーサと前記共通電極を介
    在させて平行に組み立てるステップと、 前記第一基板と前記第二基板との間に液晶層を形成する
    ステップとを含む方法。
  36. 【請求項３６】 前記ホトレジスト・スペーサを形成す
    る方法が前記カラー・フィルタ層を被覆するホトレジス
    ト層を形成するステップと、 前記ホトレジスト・スペーサを形成するよう前記ホトレ
    ジスト層をパターン形状にするステップとを含む請求項
    ３５に記載の方法。
  37. 【請求項３７】 パターン形状にする前記方法が露光−
    現像ステップを含む請求項３６に記載の方法。
  38. 【請求項３８】 パターン形状にする前記方法が露光−
    エッチングステップを含む請求項３６に記載の方法。
  39. 【請求項３９】 前記ホトレジスト・スペーサの形成
    に使用する材料の硬度が約２Ｈ〜４Ｈの範囲にある請求
    項３５に記載の方法。
  40. 【請求項４０】 前記ホトレジスト・スペーサの高さが
    約１〜１０μｍの範囲にある請求項３５に記載の方法
  41. 【請求項４１】 前記ピクセル電極を形成する方法が前
    記カラー・フィルタ層と前記ホトレジスト・スペーサ上
    に透明導電層を形成するステップと、 前記ホトレジスト・スペーサ上にある前記透明導電層の
    各部を除去するステップとを含む請求項３５に記載の方
    法。
  42. 【請求項４２】 除去する前記方法がホトリソグラフィ
    −エッチングステップを含む請求項４１に記載の方法。
  43. 【請求項４３】 液晶ディスプレイを形成する方法であ
    って、 制御回路を上面に備えた第一基板上にブラック・マトリ
    ックス層を形成するステップと、 前記第一基板を露出させるため前記ブラック・マトリッ
    クス層に複数の第一、第二、第三開口部を形成するステ
    ップと、 前記第一基板上に第一カラー・ホトレジスト層を形成す
    るステップと、 前記第一開口部の各々にそれぞれ整列した複数の第一フ
    ィルタ・シートと、前記ブラック・マトリックス層によ
    って被覆したエリヤの部分上に配される複数の第一スペ
    ーサとを形成するよう前記第一カラー・ホトレジスト層
    をパターン形状にするステップと、 前記第一基板上に第二カラー・ホトレジスト層を形成す
    るステップと、 前記第二開口部の各々にそれぞれ整列した複数の第二フ
    ィルタ・シートと、前記第一スペーサ上にそれぞれ積み
    重ねる複数の第二スペーサとを形成するように前記第二
    カラー・ホトレジスト層をパターン形状にするステップ
    と、 前記第一基板上に第三カラー・ホトレジスト層を形成す
    るステップと、 前記第三開口部の各々にそれぞれ整列した複数の第三フ
    ィルタ・シートと、前記第二スペーサ上にそれぞれ積み
    重ねる複数の第三スペーサとを形成するよう前記第三カ
    ラー・ホトレジスト層をパターン形状にするステップ
    と、 前記第一、第二、第三フィルタ・シート上にそれぞれ複
    数のピクセル電極を形成するステップと、 前記第一基板と、共通電極を上面に備えた第二基板を相
    互間に前記ホトレジスト・スペーサと前記共通電極を介
    在させて平行に組み立てるステップと、 前記第一基板と前記第二基板との間に液晶層を形成する
    ステップとを含む方法。
  44. 【請求項４４】 前記ピクセル電極を形成する方法が前
    記第一、前記第二、前記第三フィルタ・シートと、前記
    第三スペーサ上に透明導電層を形成するステップと、 前記第三スペーサ上にある前記透明導電層の各部を除去
    するステップとを含む請求項４３に記載の方法。
  45. 【請求項４５】 除去する前記方法がホトリソグラフィ
    −エッチングステップを含む請求項４４に記載の方法。
  46. 【請求項４６】 液晶ディスプレイであって、 制御回路を上面に備えた第一基板と、 前記第一基板上にあって、複数のカラー・フィルタ・シ
    ートで構成するカラー・フィルタ層と、 前記カラー・フィルタ・シートの各々にそれぞれ整列し
    た複数のピクセル電極と、 前記ピクセル電極上にあって、前記ピクセル電極の周囲
    に配されるブラック・マトリックス層と、 前記ブラック・マトリックス層の各部上にある複数のホ
    トレジスト・スペーサと、 前記ピクセル電極と前記ブラック・マトリックス層上に
    あって、前記ホトレジスト・スペーサ間の空間を満たす
    液晶層と、 前記液晶層と前記ホトレジスト・スペーサ上にある共通
    電極と、 前記共通電極上の第二基板とを含む液晶ディスプレイ。
  47. 【請求項４７】 カラー・フィルタ・シートのカラーが
    赤、緑又は青である請求項４６に記載の液晶ディスプレ
    イ。
  48. 【請求項４８】 前記ピクセル電極の材料が酸化インジ
    ウム錫を含む請求項４６に記載の液晶ディスプレイ。
  49. 【請求項４９】 前記共通電極の材料が酸化インジウム
    錫を含む請求項４６に記載の液晶ディスプレイ。
  50. 【請求項５０】 前記ホトレジスト・スペーサの硬度が
    約２Ｈ〜４Ｈの範囲にある請求項４６に記載の液晶ディ
    スプレイ。
  51. 【請求項５１】 前記ホトレジスト・スペーサの高さが
    約１〜１０μｍの範囲にある請求項４６に記載の液晶デ
    ィスプレイ。
  52. 【請求項５２】 前記ホトレジスト・スペーサの材料が
    アクリル樹脂を含む請求項４６に記載の液晶ディスプレ
    イ。
  53. 【請求項５３】 前記ホトレジスト・スペーサの材料が
    エポキシ樹脂を含む請求項４６に記載の液晶ディスプレ
    イ。
  54. 【請求項５４】 前記ブラック・マトリックス層の高さ
    が約０．１〜６ｍμの範囲にある請求項４６に記載の液
    晶ディスプレイ。
  55. 【請求項５５】 液晶ディスプレイを形成する方法であ
    って、 制御回路を上面に備えた第一基板上に複数のカラー・フ
    ィルタ・シートで構成するカラー・フィルタ層を形成す
    るステップと、 前記カラー・フィルタ・シートの各々にそれぞれ整列し
    た複数のピクセル電極を前記カラー・フィルタ・シート
    上に形成するステップと、 前記ピクセル電極の周囲に配されるブラック・マトリッ
    クス層を前記ピクセル電極上に形成するステップと、 共通電極を上面に備えた第二基板上に複数のホトレジス
    ト・スペーサを形成するステップと、 前記第一基板と前記第二基板を相互間に前記ホトレジス
    ト・スペーサと前記ブラック・マトリックスを互いに整
    列して介在させ平行に組み立てるステップと、 前記第一基板と前記第二基板との間に液晶層を形成する
    ステップとを含む方法。
  56. 【請求項５６】 前記ホトレジスト・スペーサを形成す
    る方法が 前記共通電極を被覆するホトレジスト層を形成するステ
    ップと、 前記ホトレジスト・スペーサを形成するよう前記ホトレ
    ジスト層をパターン形状にするステップとを含む請求項
    ５５に記載の方法。
  57. 【請求項５７】 パターン形状にする前記方法が露光−
    現像ステップを含む請求項５６に記載の方法。
  58. 【請求項５８】 パターン形状にする前記方法が露光−
    エッチングステップを含む請求項５６に記載の方法。
  59. 【請求項５９】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料の硬度が約２Ｈ〜４Ｈの範囲にある請求項
    ５５に記載の方法。
  60. 【請求項６０】 前記ホトレジスト・スペーサの高さが
    約１〜１０μｍの範囲にある請求項５５に記載の方法。
  61. 【請求項６１】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料がアクリル樹脂を含む請求項５５に記載の
    液晶ディスプレイ。
  62. 【請求項６２】 前記ホトレジスト・スペーサの形成に
    使用する材料がエポキシ樹脂を含む請求項５５に記載の
    液晶ディスプレイ。
  63. 【請求項６３】 前記ブラック・マトリックス層の高さ
    が約０．１〜６μｍの範囲にある請求項５５に記載の液
    晶ディスプレイ。
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