JP2002040441A - 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セルギャップを均一化することができ、表示
品質を向上させることができる液晶装置の製造方法を提
供する。 【解決手段】 基板１１の表面上に、所定の粒径分布を
有するスペーサー２１と、スペーサー２１の平均粒径よ
りも大きい所定の平均粒径を有し、所定の粒径分布を有
する接着粒子２４とをそれぞれ所定の散布密度で散布す
る。次いで、基板１１と対向基板１２とを未硬化のシー
ル材１４Ａを介して貼着することにより、液晶セル１０
Ａを形成する。次に、液晶セル１０Ａを基板１１と対向
基板１２の外側から加圧した後、あるいは液晶セル１０
Ａを基板１１と対向基板１２の外側から加圧しながら、
液晶セル１０Ａを所定の温度に加熱して、常温まで温度
を下げることにより、接着粒子２４の高さをスペーサー
２１の径と略等しくするとともに、接着粒子２４を介し
て基板１１と対向基板１２とを接着固定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置の製造方
法、液晶装置及び電子機器に係り、特に、プラスチック
フィルム基板を用いて液晶装置を製造する際に、液晶装
置のセルギャップを均一化する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１７、図１８に基づいて、プラスチッ
クフィルム基板を用いた従来の単純マトリックス型の液
晶（表示）装置１００の構造について説明する。図１７
は液晶装置１００の概略断面図、図１８は液晶装置１０
０を上側基板側から見たときの概略平面図である。な
お、図１７は、液晶装置１００を図１８のＡ１０−Ａ１
０’線に沿って切断したときの断面図である。

【０００３】はじめに、図１７に基づき、液晶装置１０
０の断面構造について説明する。

【０００４】図１７に示すように、プラスチックフィル
ム基板からなる基板（下側基板）１０１と対向基板（上
側基板）１０２とがそれぞれの基板の周縁部においてシ
ール材１０４を介して所定間隔で貼着され、基板１０
１、対向基板１０２間に液晶層１０３が挟持されてい
る。基板１０１と対向基板１０２の液晶層１０３側表面
上には、それぞれストライプ状に電極１０５、１０６が
形成され、電極１０５、１０６の表面上には、配向膜１
０７、１０８が形成されている。

【０００５】液晶装置１００において、電極１０５、１
０６は互いに交差するように形成されている。また、配
向膜１０７、１０８間には、液晶セルのセルギャップを
均一化するために、二酸化珪素、樹脂等からなる多数の
球状のスペーサー１０９が配置されている。また、図示
は省略しているが、基板１０１、対向基板１０２の外側
には偏光板、位相差板などの光学素子が取り付けられて
いる。

【０００６】次に、図１８に基づき、液晶装置１００の
平面構造について説明する。

【０００７】シール材１０４は、図１８に示すように、
基板１０１、対向基板１０２の周縁部間に略環状に形成
されていて、その一部には液晶を注入するための注入孔
１１０が形成されている。注入孔１１０から基板１０
１、対向基板１０２間に液晶を注入した後、この注入孔
１１０は封止材１１１によって封止されている。

【０００８】上記の液晶装置１００の基板１０１、対向
基板１０２の内部構造について簡単に説明する。基板１
０１、対向基板１０２は、ポリカーボネート系、ポリア
クリレート系、ポリエーテルサルフォン系、ポリオレフ
ィン系、ポリエチレンテレフタレート等の透明な有機高
分子からなる厚さ０．４×１０^-3ｍ（０．４ｍｍ）以下
のプラスチックフィルムを基材とし、その両面に、ガス
を透過しないガスバリア層と保護層とが積層形成されて
なるものである。

【０００９】基板１０１、対向基板１０２として、この
ような構造を有するプラスチックフィルム基板を用いる
ことにより、液晶装置１００を小型軽量化できるという
利点がある。

【００１０】次に、上記の液晶装置１００の製造方法に
ついて簡単に説明する。

【００１１】基板１０１の表面上に電極１０５と配向膜
１０７とを順次積層形成し、対向基板１０２の表面上に
も電極１０６と配向膜１０８とを順次積層形成する。次
に、基板１０１、対向基板１０２のうち、一方の基板の
周縁部に未硬化のシール材を印刷し、同じ基板若しくは
もう一方の基板の表面上にスペーサー１０９を散布して
から、未硬化のシール材を介して基板１０１と対向基板
１０２とを貼着することにより液晶セルが形成される。
その後、液晶セルの未硬化のシール材を硬化することに
より、シール材１０４が形成される。

【００１２】次に、注入孔１１０から液晶セル内に液晶
を注入することにより、液晶層１０３を形成し、その
後、注入孔１１０を封止材１１１により封止する。最後
に、基板１０１、対向基板１０２の外側に位相差板、偏
光板などの光学素子を取り付けて、液晶装置１００が製
造される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記の液晶装置１００
の製造方法において、封止材１１１は、熱硬化性接着剤
又は光硬化性接着剤を、注入孔１１０が封止されるよう
に注入孔１１０の内部及び外部に塗布した後、注入孔１
１０を完全に封止するとともに、液晶セルのセルギャッ
プを均一化するために、液晶セルを基板１０１、対向基
板１０２の外側から加圧しながら、加熱又は紫外線照射
等により接着剤を硬化することにより形成されている。

【００１４】このように、封止材１１１の形成工程にお
いて、液晶セルを基板１０１、対向基板１０２の外側か
ら加圧しながら、接着剤の硬化を行うため、液晶セルの
内部が常圧の外気よりも低い負圧状態になる。

【００１５】プラスチックフィルム基板はガラス等と比
較してガスバリア性が劣るため、液晶セルの内部が負圧
状態になると、液晶セルの内部より高い圧力の外気中の
空気が基板１０１、対向基板１０２を徐々に透過して、
液晶層１０３内に溶解する。その結果、数年などの長期
間が経過した後に、液晶層１０３内に気泡が発生して、
液晶装置１００の表示品質を悪化させる恐れがある。

【００１６】上記の問題は、封止材１１１を形成する際
に液晶セルの加圧を低減することにより防止することが
できるが、封止材１１１を形成する際に液晶セルの加圧
を低減する場合には、注入孔１１０が完全に封止されな
いという恐れがあり、また、液晶セルのセルギャップに
分布が生じるという恐れがある。

【００１７】液晶セルのセルギャップに分布が生じる
と、液晶装置の表示性能が悪化することが知られてい
る。特に、ＳＴＮ(Super Twisted Nematic)モードの液
晶装置においては、Δｎ・ｄ値（但し、Δｎは液晶の複
屈折率、ｄはセルギャップ）の変化により光の透過率が
変化することが知られており、Δｎ・ｄ値の変化、すな
わちセルギャップｄの分布が大きいと光透過率すなわち
明るさに分布が発生するため、コントラストが低下し、
色むらが生じ、表示品質が悪化するという問題がある。

【００１８】以上の問題を解決するために、液晶装置の
製造工程において、スペーサー１０９の散布を行う際
に、スペーサー１０９の平均粒径よりも大きい平均粒径
を有する熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着剤からなる接
着粒子の散布を行い、基板１０１と対向基板１０２とを
未硬化のシール材を介して貼着して液晶セルを形成した
後、未硬化のシール材を硬化する際に、あるいは、別工
程において、液晶セルを基板１０１、対向基板１０２の
外側から加圧しながら、所定の温度に加熱して温度を下
げることにより、接着粒子をいったん溶融させた後、硬
化又は固化させることにより、接着粒子の高さをスペー
サー１０９の径と略等しくするとともに、接着粒子を介
して基板１０１と対向基板１０２とを接着固定させてか
ら、液晶セル内に液晶を注入する液晶装置の製造方法が
提案されている。

【００１９】この方法によれば、封止材１１１を形成す
る際に、液晶セルの加圧を行っても、基板１０１、対向
基板１０２は接着粒子により接着固定されているので、
液晶セル内が負圧になることを防止することができる。

【００２０】しかしながら、これまで、スペーサー及び
接着粒子を散布する際の最適条件が見出されておらず、
スペーサーと接着粒子の両方の散布を行っても、液晶装
置のセルギャップを均一化することができない場合や液
晶層１０３内に気泡が発生して表示品質が悪化する場合
があった。

【００２１】例えば、接着粒子をいったん溶融させた
後、硬化又は固化させる際に、接着粒子は収縮するが、
平均粒径の大きい接着粒子を用いた場合には、収縮率も
大きくなるため、製造された液晶装置の接着粒子近傍の
セルギャップが不均一になる場合があった。

【００２２】また、例えば、液晶の熱膨張係数と、スペ
ーサー及び接着粒子との熱膨張係数が異なるため、−３
０〜−２０℃程度の低温下において、液晶の収縮率より
もスペーサー及び接着粒子の収縮率が低いことに起因し
て、液晶層１０３内に空隙（真空部分）が発生して、液
晶セルの内部が負圧になり、その結果、外気中の空気が
液晶セル内に混入して液晶層１０３内に溶解し、液晶層
１０３内に気泡が発生して、表示品質を悪化させるとい
う問題点があった。

【００２３】以上の問題は、プラスチックフィルム基板
を用いた単純マトリックス型の液晶装置に顕著な問題で
あるが、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子などの２端子
型素子や、ＴＦＴ素子などの３端子型素子を用いたアク
ティブマトリックス型の液晶装置など、プラスチックフ
ィルム基板を用いたいかなる液晶装置においても生じる
問題である。

【００２４】そこで、本発明は上記問題点を解決し、ス
ペーサーと接着粒子の散布条件を最適化することによ
り、プラスチックフィルム基板を用いる液晶装置を製造
する際においても、セルギャップを均一化することがで
き、低温下における液晶層内の気泡発生を防止すること
ができ、表示品質を向上させることができる液晶装置の
製造方法を提供することを目的とする。

【００２５】また、この液晶装置の製造方法により、表
示品質の優れた液晶装置及び電子機器を提供することを
目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者が検討を行った結果、スペーサー及び接着
粒子を散布する際の最適条件を見出した。なお、本発明
者が見出したスペーサー及び接着粒子を散布する際の最
適条件の根拠については実施例において、詳述する。

【００２７】上記課題を解決するために本発明が講じた
第１の手段は、液晶層を挟持して対向配置された第１の
基板と第２の基板とがシール材を介して所定間隔で貼着
されてなるとともに、前記第１の基板と前記第２の基板
との間に、スペーサーと熱硬化性接着剤又は熱可塑性接
着剤からなる接着粒子とを具備してなる液晶装置の製造
方法であって、前記第１の基板の表面上に、所定の粒径
分布を有する前記スペーサーを所定の散布密度で散布す
る工程と、前記第１の基板の表面上に、前記スペーサー
の平均粒径よりも大きい所定の平均粒径を有し、所定の
粒径分布を有する前記接着粒子を所定の散布密度で散布
する工程と、前記第１の基板又は前記第２の基板の表面
上に前記シール材を形成する工程と、表面上に前記スペ
ーサーと前記接着粒子とを散布した前記第１の基板と第
２の基板とを前記シール材を介して貼着して液晶セルを
形成する工程と、前記液晶セルを該液晶セルの外側から
加圧することにより、前記接着粒子の高さを前記スペー
サーの径と略等しくする工程と、前記液晶セルを所定の
温度に加熱して、温度を下げることにより、前記接着粒
子を介して前記第１の基板と前記第２の基板とを接着固
定する工程とを有することを特徴とする。

【００２８】また、上記課題を解決するために本発明が
講じた第２の手段は、液晶層を挟持して対向配置された
第１の基板と第２の基板とがシール材を介して所定間隔
で貼着されてなるとともに、前記第１の基板と前記第２
の基板との間にスペーサーと熱硬化性接着剤又は熱可塑
性接着剤からなる接着粒子とを具備してなる液晶装置の
製造方法であって、前記第１の基板の表面上に、所定の
粒径分布を有する前記スペーサーを所定の散布密度で散
布する工程と、前記第１の基板の表面上に、前記スペー
サーの平均粒径よりも大きい所定の平均粒径を有し、所
定の粒径分布を有する前記接着粒子を所定の散布密度で
散布する工程と、前記第１の基板又は前記第２の基板の
表面上に前記シール材を形成する工程と、表面上に前記
スペーサーと前記接着粒子とを散布した前記第１の基板
と第２の基板とを前記シール材を介して貼着して液晶セ
ルを形成する工程と、前記液晶セルを該液晶セルの外側
から加圧しながら、所定の温度に加熱して温度を下げる
ことにより、前記接着粒子の高さを前記スペーサーの径
と略等しくするとともに、前記接着粒子を介して前記第
１の基板と前記第２の基板とを接着固定する工程とを有
することを特徴とする。

【００２９】また、上記第１、第２の手段において、前
記スペーサーを散布する工程において、前記スペーサー
の散布密度を５０×１０⁶乃至２００×１０⁶個／ｍ
²（５０乃至２００個／ｍｍ²）、より好ましくは１００
×１０⁶乃至２００×１０⁶個／ｍ²（１００乃至２００
個／ｍｍ²）とすることを特徴とする。

【００３０】また、前記スペーサーを散布する工程にお
いて、前記スペーサーとして粒径分布（ＣＶ値）が６％
以下、より好ましくは３％以下のものを用いることを特
徴とする。

【００３１】また、前記接着粒子を散布する工程におい
て、前記接着粒子の散布密度を１０×１０⁶乃至２００
×１０⁶個／ｍ²（１０乃至２００個／ｍｍ²）、より好
ましくは５０×１０⁶乃至１５０×１０⁶個／ｍ²（５０
乃至１５０個／ｍｍ²）とすることを特徴とする。

【００３２】また、前記接着粒子を散布する工程におい
て、前記接着粒子として前記スペーサーの平均粒径の
１．１乃至３倍、より好ましくは１．５乃至２．５倍の
平均粒径を有するものを用いることを特徴とする。

【００３３】また、前記接着粒子を散布する工程におい
て、前記接着粒子として粒径分布（ＣＶ値）が２０％以
下、より好ましくは１０％以下のものを用いることを特
徴とする。

【００３４】また、以上の手段は、前記第１の基板、前
記第２の基板として、プラスチックフィルムを基材とし
たものを用いるときに、特に有効な手段である。

【００３５】本発明者は、以上のようにスペーサーと接
着粒子の散布条件を最適化することにより、プラスチッ
クフィルム基板を用いる液晶装置を製造する際において
も、セルギャップを均一化することができ、低温下にお
ける液晶層内の気泡発生を防止することができ、表示品
質を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供
することができることを見出した。

【００３６】また、以上の本発明の液晶装置の製造方法
により、液晶層を挟持して対向配置された２枚の基板が
シール材を介して所定間隔で貼着されてなる液晶装置で
あって、前記２枚の基板間に、所定の密度で配置され、
所定の粒径分布を有する多数のスペーサーと、所定の密
度で配置された熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着剤から
なる多数の接着粒子とを具備したことを特徴とする液晶
装置を提供することができ、この液晶装置はセルギャッ
プが均一化され、低温下における液晶層内の気泡発生が
防止され、表示品質の優れたものとなる。

【００３７】さらに、この液晶装置を備えることによ
り、表示品質の優れた電子機器を提供することができ
る。

【００３８】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。

【００３９】図１〜図４に基づいて、本発明に係る実施
形態の単純マトリックス型の液晶装置１０の構造につい
て説明する。

【００４０】図１は液晶装置１０の概略断面図、図２は
液晶装置１０を上側基板側から見たときの概略平面図、
図３は液晶装置１０の下側基板の構造を示す概略平面
図、図４は液晶装置１０の上側基板の構造を示す概略平
面図である。

【００４１】なお、図１は、液晶装置１０を図２〜図４
のＡ１−Ａ１’線に沿って切断したときの断面図であ
る。また、図１〜図４において、各層や各部材を図面上
で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の
縮尺は実際のものとは異なるように表している。

【００４２】また、図１、図３、図４において、液晶装
置１０の表示領域（画素領域）を符号３０で示してい
る。液晶装置１０において、表示領域３０より外側の領
域が非表示領域になっている。

【００４３】はじめに、図１に基づき、液晶装置１０の
断面構造について説明する。

【００４４】図１に示すように、プラスチックフィルム
基板からなる基板（下側基板）１１と対向基板（上側基
板）１２とが、それぞれの基板の周縁部において熱硬化
性接着剤、光硬化性接着剤等からなるシール材１４を介
して所定間隔で貼着され、基板１１、対向基板１２間に
液晶層１３が挟持されている。

【００４５】液晶装置１０において、基板１１、対向基
板１２は、ポリカーボネート系、ポリアクリレート系、
ポリエーテルサルフォン系、ポリオレフィン系、ポリエ
チレンテレフタレート等の透明な有機高分子からなる厚
さ０．４×１０^-3ｍ（０．４ｍｍ）以下のプラスチック
フィルムを基材とし、少なくともその片面に、ガスを透
過しないガスバリア層と保護層とが積層形成されてなる
ものである。

【００４６】基板１１の液晶層１３側表面上において、
少なくとも表示領域３０内には所定のパターンで配列さ
れた赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層１５Ａと遮
光層（ブラックマトリックス）１５Ｂとからなるカラー
フィルター１５が形成されている。

【００４７】カラーフィルター１５の表面上には、カラ
ーフィルター１５を保護するための有機膜などからなる
保護膜１６が形成されている。保護膜１６の表面上に
は、ストライプ状に、インジウム錫酸化物等からなる複
数の電極１７が形成されている。電極１７の表面上に
は、液晶を配向させるためのポリイミド等からなる配向
膜１９が形成されている。

【００４８】対向基板１２の液晶層１３側表面上におい
て、少なくとも表示領域３０内にはストライプ状に、イ
ンジウム錫酸化物などからなる複数の電極１８が形成さ
れ、電極１８の表面上にはポリイミド等からなる配向膜
２０が形成されている。

【００４９】液晶装置１０において、電極１７と１８と
は互いに交差するように形成されている。また、電極１
７、１８の一方の端部には後述する引回し配線１７ａ、
１８ａが接続されている。

【００５０】また、液晶装置１０において、配向膜１
９、２０間には、液晶セルのセルギャップを均一化する
ために、二酸化珪素、樹脂等からなる多数の球状のスペ
ーサー２１が配置されている。また、配向膜１９、２０
間には、液晶セルのセルギャップを均一化するととも
に、基板１１と対向基板１２とを接着固定するために、
熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着剤からなる多数の接着
粒子２４が配置されている。

【００５１】本実施形態において、スペーサー２１の密
度は、５０×１０⁶〜２００×１０⁶個／ｍ²（５０〜２
００個／ｍｍ²）、より好ましくは１００×１０⁶〜２０
０×１０⁶個／ｍ²（１００〜２００個／ｍｍ²）とされ
ていることが望ましい。また、スペーサー２１の粒径分
布（ＣＶ値）は、６％以下、より好ましくは３％以下と
されていることが望ましい。なお、ＣＶ値は、粒径分布
の標準偏差を粒径分布の平均値で割ることにより、算出
されるものである。

【００５２】また、本実施形態において、接着粒子２４
の密度は、１０×１０⁶〜２００×１０⁶個／ｍ²（１０
〜２００個／ｍｍ²）、より好ましくは５０〜１５０×
１０⁶個／ｍ²（５０〜１５０個／ｍｍ²）とされている
ことが望ましい。

【００５３】また、基板１１、対向基板１２の外側には
位相差板、偏光板などの光学素子が形成されているが、
図面上は省略している。

【００５４】次に、図２に基づき、液晶装置１０の概略
平面構造について説明する。

【００５５】シール材１４は、図２に示すように、基板
１１、対向基板１２の周縁部間に略環状に形成されてい
て、その一部には液晶を注入するための注入孔２２が形
成されている。注入孔２２から基板１１、対向基板１２
間に液晶を注入した後、この注入孔２２は封止材２３に
よって封止されている。

【００５６】次に、図３、図４に基づいて、基板１１、
対向基板１２の平面構造について詳しく説明する。

【００５７】図３、図４に示すように、基板１１、対向
基板１２の外周部は非表示領域となり、それより内側が
表示領域３０となっている。表示領域３０の外側におい
て、基板１１、対向基板１２の周縁部にはシール材１４
が形成されているが、図面上は簡略化のため省略してい
る。

【００５８】表示領域３０に形成された電極１７、１８
の一方の端部には、それぞれ引回し配線１７ａ、１８ａ
が接続されている。引回し配線１７ａ、１８ａは、基板
１１、対向基板１２の表面上において、表示領域３０の
外側（すなわち非表示領域）に設けられている。

【００５９】図３に示すように、引回し配線１７ａは基
板１１の表面上において、表示領域３０の図示下側の領
域に形成されている。引回し配線１７ａが形成される領
域を引回し配線領域３２とする。一方、図４に示すよう
に、引回し配線１８ａは対向基板１２の表面上におい
て、表示領域３０の図示左側と図示右側の２つの領域に
形成されている。引回し配線１８ａが形成される領域を
引回し配線領域３１ａ、３１ｂとする。

【００６０】電極１７、１８は、それぞれ引回し配線１
７ａ、１８ａを介して外部接続用端子部に接続されてい
る。液晶装置１０を電子機器に実装する工程が容易とな
るため、外部接続用端子部は一方の基板の表面上にのみ
設けられていることが望ましい。

【００６１】例として、外部接続用端子部を基板１１の
表面上にのみ設けた場合について説明する。図３に示す
ように、基板１１の端部中央に、下側電極（１７）用外
部接続用端子部３５、その両側に上側電極（１８）用外
部接続用端子部３６が設けられている。上側電極用外部
接続用端子部３６は引回し配線領域３１ａ、３１ｂに対
応しているので、２箇所に分けて設けられている。

【００６２】引回し配線１７ａは下側電極用外部接続用
端子部３５に接続され、電極１７は引回し配線１７ａを
介して外部接続用端子部３５に接続されている。一方、
引回し配線１８ａは基板１１と対向基板１２間に設けら
れている導通部材３４に接続されている。導通部材３４
は引回し配線領域３１ａ、３１ｂに対応しているので、
２箇所に設けられている。導通部材３４は、プラスチッ
クボールにニッケルなどがコーティングされた導通粒子
とバインダー（熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等）とから
なる導電材などからなり、導通部材３４は基板１１の表
面上に設けられている上側電極用外部接続用端子部３６
に電気的に接続されている。電極１８は引回し配線１８
ａ、導通部材３４を介して外部接続用端子部３６に接続
されている。なお、導通部材３４は、シール材１４の内
部に設けられていても良いし、シール材１４とは独立し
て設けられていても良い。

【００６３】次に、図５(a)、(b)に基づいて、上記の液
晶装置１０の製造方法について説明する。

【００６４】はじめに、基板１１の表面上にフォトリソ
グラフィー法により所定のパターンの遮光層１５Ｂを形
成した後、顔料分散法や染色法などにより所定のパター
ンの着色層１５Ａを形成して、カラーフィルター１５を
形成する。次いで、カラーフィルター１５の表面上に、
有機膜などからなる保護膜１６を形成する。

【００６５】次に、保護膜１６の表面上にスパッタリン
グ法、ＣＶＤ法などによりインジウム錫酸化物等の電極
材料を成膜した後、成膜された電極材料をフォトリソグ
ラフィー法により所定のパターンに形成することにより
電極１７を形成する。さらに、電極１７の表面上にポリ
イミドなどからなる配向膜１９を形成する。

【００６６】一方、対向基板１２の表面上にも電極１８
と配向膜２０とを順次積層形成する。電極１８、配向膜
２０の形成方法は、それぞれ電極１７、配向膜１９の形
成方法と同様である。

【００６７】次に、配向膜１９、２０を形成した基板１
１、対向基板１２のうち、一方の基板の周縁部に、熱硬
化性接着剤、光硬化性接着剤等からなる未硬化のシール
材１４Ａを印刷する。

【００６８】また、未硬化のシール材１４Ａを印刷した
基板あるいはもう一方の基板の表面上に、所定の粒径分
布を有する、二酸化珪素、樹脂等からなる多数の球状の
スペーサー２１を所定の散布密度で散布し、さらに、ス
ペーサー２１の平均粒径よりも大きい所定の平均粒径を
有し、所定の粒径分布を有し、スペーサー２１の硬度よ
りも低い硬度を有する、熱硬化性接着剤又は熱硬化性接
着剤からなる多数の球状の接着粒子２４を所定の散布密
度で散布する。なお、本実施形態において、スペーサー
２１と接着粒子２４とを、基板の表面上において、少な
くとも表示領域３０内の任意の箇所に散布する。

【００６９】次いで、未硬化のシール材１４Ａ、スペー
サー２１、接着粒子２４を介して、配向膜１９、２０が
互いに対向するように、基板１１と対向基板１２とを対
向配置させ、基板１１と対向基板１２とを未硬化のシー
ル材１４Ａを介して貼着することにより、液晶セル１０
Ａを形成する。

【００７０】基板１１の表面上に未硬化のシール材１４
Ａを印刷し、基板１１の表面上にスペーサー２１と接着
粒子２４とを散布した場合を例として、基板１１と対向
基板１２とを未硬化のシール材１４Ａを介して貼着して
形成した液晶セル１０Ａの概略断面構造を図５(a)に示
している。

【００７１】ここで、スペーサー２１及び接着粒子２４
の散布条件について説明する。

【００７２】本実施形態において、スペーサー２１の散
布密度を５０×１０⁶〜２００×１０⁶個／ｍ²（５０〜
２００個／ｍｍ²）、より好ましくは１００×１０⁶〜２
００×１０⁶個／ｍ²（１００〜２００個／ｍｍ²）とす
ることが望ましい。

【００７３】また、スペーサー２１として粒径分布（Ｃ
Ｖ値）が６％以下のもの、より好ましくは３％以下のも
のを用いることが望ましい。なお、ＣＶ値は、粒径分布
の標準偏差を粒径分布の平均値で割ることにより、算出
されるものである。

【００７４】また、本実施形態において、接着粒子２４
の散布密度を１０×１０⁶〜２００×１０⁶個／ｍ²（１
０〜２００個／ｍｍ²）、より好ましくは５０×１０⁶〜
１５０×１０⁶個／ｍ²（５０〜１５０個／ｍｍ²）とす
ることが望ましい。

【００７５】また、本実施形態において、接着粒子２４
としてスペーサー２１の平均粒径の１．１〜３倍の平均
粒径を有するもの、より好ましくはスペーサー２１の平
均粒径の１．５〜２．５倍の平均粒径を有するものを用
いることが望ましい。

【００７６】また、接着粒子２４として粒径分布（ＣＶ
値）が２０％以下のもの、より好ましくは粒径分布（Ｃ
Ｖ値）が１０％以下のものを用いることが望ましい。

【００７７】次に、図５(b)に示すように、液晶セル１
０Ａを基板１１と対向基板１２の外側から加圧すること
により、接着粒子２４の（図示縦方向の）高さをスペー
サー２１の径と略等しくさせた後、液晶セル１０Ａを所
定の温度に加熱して、常温まで温度を下げることによ
り、接着粒子２４を介して基板１１と対向基板１２とを
接着固定する。

【００７８】接着粒子２４が熱硬化性接着剤からなる場
合には、液晶セル１０Ａを所定の温度に加熱する際に、
接着粒子２４がいったん溶融して、硬化することによ
り、基板１１と対向基板１２とが接着粒子２４を介して
接着固定される。

【００７９】また、接着粒子２４が熱可塑性接着剤から
なる場合には、液晶セル１０Ａを所定の温度に加熱する
際に、接着粒子２４がいったん溶融し、その後、液晶セ
ル１０Ａを常温に戻す際に、接着粒子２４が固化して、
基板１１と対向基板１２とが接着固定される。

【００８０】本実施形態において、接着粒子２４への加
圧と接着粒子２４による基板１１と対向基板１２との接
着固定とを同一の工程で行っても良く、この場合には、
液晶セル１０Ａを基板１１と対向基板１２の外側から加
圧しながら、液晶セル１０Ａを所定の温度に加熱して、
常温まで温度を下げることにより、接着粒子２４の高さ
をスペーサー２１の径と略等しくさせるとともに、接着
粒子２４を介して基板１１と対向基板１２とを接着固定
することができる。

【００８１】また、接着粒子２４を介して基板１１と対
向基板１２とを接着固定する工程と同一の工程又は別工
程において、未硬化のシール材１４Ａの硬化を行ってシ
ール材１４を形成する。

【００８２】接着粒子２４への加圧と、接着粒子２４に
よる基板１１と対向基板１２との接着固定と、未硬化の
シール材１４Ａの硬化とは、接着粒子２４、未硬化のシ
ール材１４Ａの材料として用いる接着剤の性質に応じ
て、適宜行う。

【００８３】以下に、接着粒子２４への加圧と、接着粒
子２４による基板１１と対向基板１２との接着固定と、
未硬化のシール材１４Ａの硬化とを行う方法の例につい
て説明する。なお、本発明は以下に示す方法に限定され
るものではない。

【００８４】未硬化のシール材１４Ａが熱硬化性接着剤
からなる場合には、接着粒子２４への加圧と、接着粒子
２４による基板１１と対向基板１２との接着固定と、未
硬化のシール材１４Ａの硬化とを同一の工程で行うこと
ができる。この場合には、液晶セル１０Ａを、基板１１
と対向基板１２の外側から加圧しながら、液晶セル１０
Ａを所定の温度に加熱し、常温まで温度を下げることに
より、接着粒子２４への加圧と、接着粒子２４による基
板１１と対向基板１２との接着固定と、未硬化のシール
材１４Ａの硬化とを同一の工程で行うことができる。

【００８５】一方、未硬化のシール材１４Ａが光硬化性
接着剤からなる場合には、液晶セル１０Ａを基板１１、
対向基板１２の外側から加圧しながら、未硬化のシール
材１４Ａに紫外線等を照射させることにより、接着粒子
２４への加圧と、未硬化のシール材１４Ａの硬化とを行
った後、液晶セル１０Ａを所定の温度に加熱し、常温ま
で温度を下げることにより、接着粒子２４を介して基板
１１と対向基板１２とを接着固定することができる。

【００８６】また、未硬化のシール材１４Ａが光硬化性
接着剤からなる場合には、液晶セル１０Ａを基板１１、
対向基板１２の外側から加圧しながら、液晶セル１０Ａ
を所定の温度に加熱し、常温まで温度を下げることによ
り、接着粒子２４を加圧するとともに、接着粒子２４を
介して基板１１と対向基板１２とを接着固定した後、未
硬化のシール材１４Ａに紫外線等を照射させることによ
り、未硬化のシール材１４Ａの硬化を行ってもよい。

【００８７】接着粒子２４への加圧と、接着粒子２４に
よる基板１１と対向基板１２との接着固定と、未硬化の
シール材１４Ａの硬化を終えた後、液晶セル１０Ａの内
部に真空注入法などにより液晶を注入することにより液
晶層１３を形成し、最後に、基板１１、対向基板１２の
外側に位相差板、偏光板などの光学素子を取り付けて液
晶装置１０が製造される。

【００８８】上記の液晶装置１０の製造方法において
は、基板１１と対向基板１２とから液晶装置１０を製造
する方法について説明したが、液晶装置１０を大量生産
するために、液晶装置１０は、基板１１、対向基板１２
を複数切り出すことができる２枚の基板母材を用いて製
造されることが望ましい。

【００８９】以下に、図６(a)〜(d)、図７(a)、(b)に基
づいて、２枚の基板母材から液晶装置１０を製造する方
法の一例について説明する。図６(a)〜(d)、図７(a)、
(b)は概略平面図を示している。なお、図６、図７にお
いて、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、各層や各部材の縮尺は実際のものとは異な
るように表している。また、図６、図７に示す液晶装置
１０の製造方法は一例であって、本発明はこれに限定さ
れるものではない。

【００９０】大量生産を行い、生産工程を短縮化するた
めに、液晶装置１０は、基板１１を複数個切り出すこと
が可能な大きさの、図６(a)に示す基板母材４１と、対
向基板１２を複数個切り出すことが可能な大きさの、図
６(b)に示す対向基板母材４２とを用いて製造される。

【００９１】基板母材４１、対向基板母材４２におい
て、切断されて最終的に基板１１、対向基板１２となる
領域をそれぞれ基板形成領域１１ａ、対向基板形成領域
１２ａとする。図６(a)、(b)には、一例として、基板形
成領域１１ａ、対向基板形成領域１２ａを４箇所ずつ設
けた場合の基板母材４１、対向基板母材４２について示
している。

【００９２】図面上は省略しているが、基板母材４１の
各基板形成領域１１ａにカラーフィルター１５、保護膜
１６、電極１７、配向膜１９を順次積層形成する。ま
た、図面上は省略しているが、対向基板母材４２の各対
向基板形成領域１２ａ内には、電極１８と配向膜２０と
を順次積層形成する。

【００９３】次に、図６(c)に示すように、基板母材４
１、対向基板母材４２のうち一方の基板母材の各基板形
成領域の周縁部に未硬化のシール材１４Ａを印刷し、同
じ基板母材又はもう一方の基板母材の各基板形成領域
に、スペーサー２１と接着粒子２４とを散布した後、基
板母材４１と対向基板母材４２とを未硬化のシール材１
４Ａを介して貼着することにより、液晶セル母材４３を
形成する。図６(c)において、符号１０Ａは個々の液晶
セルを示している。なお、スペーサー２１及び接着粒子
２４の散布条件については先に説明したので、省略す
る。

【００９４】次に、液晶セル母材４３において、接着粒
子２４への加圧と、接着粒子２４による基板母材４１と
対向基板母材４２との接着固定と、未硬化のシール材１
４Ａの硬化とを行う。接着粒子２４への加圧と、接着粒
子２４による基板１１と対向基板１２との接着固定と、
未硬化のシール材１４Ａの硬化とを行う方法については
先に詳述したので、説明は省略する。

【００９５】次に、図６(d)に示すように、液晶セル母
材４３を、注入孔２２が端部に位置するように切断し、
複数の液晶セル１０Ａが図示横方向に一列に配列された
短冊状の液晶セル母材４４を形成する。

【００９６】次に、図７(a)に示すように、注入孔２２
から各液晶セル１０Ａ内に液晶を注入し、液晶セル母材
４４の各液晶セル１０Ａ内に液晶層１３を形成した後、
液晶注入孔２２を封止材２３により封止する。

【００９７】次に、図７(b)に示すように、液晶セル母
材４４を各基板形成領域１１ａ、各対向基板形成領域１
２ａの外周部に沿って切断することにより、各液晶セル
１０Ａ毎に切断する。このようにして、基板１１、対向
基板１２が切り出される。最後に、基板１１、対向基板
１２の外側に位相差板、偏光板などの光学素子を取り付
けて、液晶装置１０が製造される。

【００９８】本実施形態によれば、スペーサー２１と接
着粒子２４の散布条件を最適化することにより、プラス
チックフィルム基板を用いる液晶装置を製造する際にお
いても、セルギャップを均一化することができ、低温下
における液晶層１３内の気泡発生を防止することがで
き、表示品質を向上させることができる液晶装置の製造
方法を提供することができる。

【００９９】また、本実施形態の液晶装置の製造方法に
より製造された上記の液晶装置１０はセルギャップが均
一化され、低温下における液晶層１３内の気泡発生が防
止され、表示品質の優れたものとなる。

【０１００】なお、本実施形態においては、単純マトリ
ックス型の液晶装置についてのみ説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Thin Film Di
ode）素子に代表される２端子型素子やＴＦＴ（Thin-Fi
lm Transistor）素子に代表される３端子型素子を用い
るアクティブマトリックス型の液晶装置などいかなる液
晶装置にも適用することができる。

【０１０１】次に、前記の実施形態により製造された液
晶装置１０を備えた電子機器の具体例について説明す
る。

【０１０２】図８(a)は携帯電話の一例を示した斜視図
である。図８(a)において、３００は携帯電話本体を示
し、３０１は前記の液晶装置１０を備えた液晶表示部を
示している。

【０１０３】図８(b)はワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図８(b)
において、４００は情報処理装置、４０１はキーボード
などの入力部、４０３は情報処理本体、４０２は前記の
液晶装置１０を備えた液晶表示部を示している。

【０１０４】図８(c)は腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図８(c)において、５００は時計本体
を示し、５０１は前記の液晶装置１０を備えた液晶表示
部を示している。

【０１０５】図８(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器
は、前記の液晶装置１０を備えたものであるので、表示
品質の優れたものとなる。

【０１０６】

【実施例】以下に、本発明に係る実施例について詳細に
説明する。

【０１０７】ポリカーボネートを基材とした厚さ０．２
×１０^-3ｍ（０．２ｍｍ）のプラスチックフィルム基板
を用い、実施の形態において説明した液晶装置の製造方
法により、単純マトリックス型の液晶装置を製造した。
画素数は、縦６４ドット、横６４ドットとし、画素ピッ
チを０．５×１０^-3ｍ（０．５ｍｍ）とした。

【０１０８】スペーサーとしては二酸化珪素からなるも
のを用い、接着粒子としては、エポキシ系の熱硬化性接
着剤からなるものを用いた。

【０１０９】表１に、液晶装置の製造工程において、ス
ペーサー、接着粒子を散布する際の標準条件を示す。な
お、表１において、粒径分布（ＣＶ値）は粒径分布の標
準偏差を粒径分布の平均値で割ったときの値を示してい
る。

【０１１０】

【表１】

【０１１１】以下に、表１に示す標準条件のうち１つの
条件のみを変化させ、それ以外の条件については表１に
示す条件で液晶装置を製造し、製造された液晶装置の特
性について検討を行ったときの条件と得られた結果を示
す。

【０１１２】なお、液晶装置のセルギャップのばらつき
については、表示むらが全くない表示品質の優れた液晶
装置が得られることから０．１×１０^-6ｍ（０．１μ
ｍ）以下を理想とし、若干の表示むらが生じるものの表
示品質が良好な液晶装置が得られることから０．１５×
１０^-6ｍ（０．１５μｍ）程度以下を許容範囲とした。

【０１１３】（スペーサーの散布密度）スペーサー、接
着粒子を散布する際の、スペーサーの散布密度以外の条
件については表１に示す条件とし、スペーサーの散布密
度のみを種々の値に設定して液晶装置を製造した。

【０１１４】スペーサーの散布密度と製造された液晶装
置のセルギャップのばらつきとの関係を図９に示す。

【０１１５】また、製造された液晶装置を−３０℃に２
４時間放置し、液晶層内に気泡が発生するかどうかを検
査した。液晶層内に大きさを問わず、１個でも気泡が発
生しているものを不良品とし、液晶装置を２００個検査
して、不良品発生率を算出した。この不良品発生率を低
温気泡発生率と定義する。スペーサーの散布密度と製造
された液晶装置の低温気泡発生率との関係を図１０に示
す。

【０１１６】図９に示すように、スペーサーの散布密度
が小さくなるにつれて、液晶装置のセルギャップのばら
つきが増大するが、スペーサーの散布密度が５０×１０
⁶個／ｍ²（５０個／ｍｍ²）未満になると急激に液晶装
置のセルギャップのばらつきが増大し、セルギャップの
ばらつきの許容範囲である０．１５×１０^-6ｍ（０．１
５μｍ）程度を大きく超えることが示された。

【０１１７】また、スペーサーの散布密度を１００×１
０⁶個／ｍ²（１００個／ｍｍ²）以上とすることによ
り、液晶装置のセルギャップを理想の０．１×１０^-6ｍ
（０．１μｍ）以下にすることができることが示され
た。

【０１１８】一方、図１０に示すように、スペーサーの
散布密度が２００×１０⁶個／ｍ²（２００個／ｍｍ²）
未満では、低温気泡発生率は０％であったが、スペーサ
ーの散布密度が２００×１０⁶個／ｍ²（２００個／ｍｍ
²）を超えると、急激に低温気泡発生率が増加すること
が示された。

【０１１９】以上の結果から、スペーサーの散布密度を
５０×１０⁶〜２００×１０⁶個／ｍ ²（５０〜２００個
／ｍｍ²）、より好ましくは１００×１０⁶〜２００×１
０⁶個／ｍ²（１００〜２００個／ｍｍ²）にすることが
望ましいことが判明した。

【０１２０】（スペーサーの粒径分布）スペーサー、接
着粒子を散布する際の、スペーサーの粒径分布以外の条
件については表１に示す条件とし、スペーサーの粒径分
布のみを種々の値に設定して液晶装置を製造した。

【０１２１】スペーサーの粒径分布（ＣＶ値）と製造さ
れた液晶装置のセルギャップのばらつきとの関係を図１
１に示す。

【０１２２】図１１に示すように、スペーサーの粒径分
布（ＣＶ値）が大きくなるにつれて、液晶装置のセルギ
ャップのばらつきが増大するが、スペーサーの粒径分布
（ＣＶ値）が６％を超えると急激に液晶装置のセルギャ
ップのばらつきが増大し、セルギャップのばらつきの許
容範囲である０．１５×１０^-6ｍ（０．１５μｍ）程度
を大きく超えることが示された。

【０１２３】また、スペーサーの粒径分布（ＣＶ値）を
３％以下とすることにより、液晶装置のセルギャップを
理想の０．１×１０^-6ｍ（０．１μｍ）以下にすること
ができることが示された。

【０１２４】以上の結果から、スペーサーの粒径分布
（ＣＶ値）を６％以下、より好ましくは３％以下にする
ことが望ましいことが判明した。

【０１２５】（接着粒子の散布密度）スペーサー、接着
粒子を散布する際の、接着粒子の散布密度以外の条件に
ついては表１に示す条件とし、接着粒子の散布密度のみ
を種々の値に設定して液晶装置を製造した。

【０１２６】接着粒子の散布密度と製造された液晶装置
のセルギャップのばらつきとの関係を図１２に示す。

【０１２７】また、製造された液晶装置を−３０℃に２
４時間放置し、液晶層内に気泡が発生するかどうかを検
査した。液晶層内に大きさを問わず、１個でも気泡が発
生しているものを不良品とし、液晶装置を２００個検査
して、低温気泡発生率を算出した。この不良品発生率を
低温気泡発生率と定義する。接着粒子の散布密度と製造
された液晶装置の低温気泡発生率との関係を図１３に示
す。

【０１２８】図１２に示すように、接着粒子の散布密度
が小さくなるにつれて、液晶装置のセルギャップのばら
つきが増大するが、接着粒子の散布密度が１０×１０⁶
個／ｍ²（１０個／ｍｍ²）未満になると急激に液晶装置
のセルギャップのばらつきが増大し、セルギャップのば
らつきの許容範囲である０．１５×１０^-6ｍ（０．１５
μｍ）程度を大きく超えることが示された。

【０１２９】また、接着粒子の散布密度を５０×１０⁶
個／ｍ²（５０個／ｍｍ²）以上とすることにより、液晶
装置のセルギャップを理想の０．１×１０^-6ｍ（０．１
μｍ）以下にすることができることが示された。

【０１３０】一方、図１３に示すように、接着粒子の散
布密度が１５０×１０⁶個／ｍ²（１５０個／ｍｍ²）未
満では、低温気泡発生率は０％であったが、接着粒子の
散布密度が１５０×１０⁶個／ｍ²（１５０個／ｍｍ²）
を超えると、徐々に低温気泡発生率が増加し、２００×
１０⁶個／ｍ²（２００個／ｍｍ²）を超えると急激に低
温気泡発生率が増加することが示された。

【０１３１】以上の結果から、接着粒子の散布密度を１
０×１０⁶〜２００×１０⁶個／ｍ²（１０〜２００個／
ｍｍ²）、より好ましくは５０×１０⁶〜１５０×１０⁶
個／ｍ²（５０〜１５０個／ｍｍ²）にすることが望まし
いことが判明した。

【０１３２】（接着粒子の平均粒径）スペーサー、接着
粒子を散布する際の、接着粒子の平均粒径以外の条件に
ついては表１に示す条件とし、接着粒子の平均粒径のみ
を種々の値に設定して液晶装置を製造した。

【０１３３】接着粒子の平均粒径とスペーサーの平均粒
径との比（接着粒子径／スペーサー径）と製造された液
晶装置全体のセルギャップのばらつきとの関係を図１４
に示す。

【０１３４】また、接着粒子の平均粒径とスペーサーの
平均粒径との比（接着粒子径／スペーサー径）と、製造
された液晶装置の接着粒子近傍（接着粒子の５０×１０
^-6ｍ（５０μｍ）以内）のセルギャップのばらつきとの
関係を図１５に示す。

【０１３５】図１４に示すように、接着粒子の平均粒径
がスペーサーの平均粒径の１．１倍未満になると急激に
液晶装置全体のセルギャップのばらつきが増大し、セル
ギャップのばらつきの許容範囲である０．１５×１０^-6
ｍ（０．１５μｍ）程度を大きく超えることが示され
た。

【０１３６】また、接着粒子の平均粒径がスペーサーの
平均粒径の１．５倍以上とすることにより、液晶装置全
体のセルギャップのばらつきを理想の０．１×１０^-6ｍ
（０．１μｍ）以下にすることができることが示され
た。

【０１３７】一方、図１５に示すように、接着粒子の平
均粒径がスペーサーの平均粒径の３倍より大きくなる
と、液晶装置の接着粒子近傍のセルギャップのばらつき
が許容範囲である０．１５×１０^-6ｍ（０．１５μｍ）
程度を超えることが示された。

【０１３８】また、接着粒子の平均粒径をスペーサーの
平均粒径の２．５倍以下とすることにより、液晶装置の
接着粒子近傍のセルギャップも理想の０．１×１０^-6ｍ
（０．１μｍ）以下にすることができることが示され
た。

【０１３９】以上の結果から、接着粒子の平均粒径をス
ペーサーの平均粒径の１．１倍以上３倍以下、より好ま
しくは１．５倍以上２．５倍以下にすることが望ましい
ことが判明した。

【０１４０】（接着粒子の粒径分布）スペーサー、接着
粒子を散布する際の、接着粒子の粒径分布以外の条件に
ついては表１に示す条件とし、接着粒子の粒径分布のみ
を種々の値に設定して液晶装置を製造した。

【０１４１】接着粒子の粒径分布と製造された液晶装置
のセルギャップのばらつきとの関係を図１６に示す。

【０１４２】図１６に示すように、接着粒子の粒径分布
（ＣＶ値）が大きくなるにつれて、液晶装置のセルギャ
ップのばらつきが増大するが、接着粒子の粒径分布（Ｃ
Ｖ値）が２０％を超えると急激に液晶装置のセルギャッ
プのばらつきが増大し、セルギャップのばらつきの許容
範囲である０．１５×１０^-6ｍ（０．１５μｍ）程度を
大きく超えることが示された。

【０１４３】また、接着粒子の粒径分布（ＣＶ値）を１
０％以下とすることにより、液晶装置のセルギャップを
理想の０．１×１０^-6ｍ（０．１μｍ）以下にすること
ができることが示された。

【０１４４】以上の結果から、接着粒子の粒径分布（Ｃ
Ｖ値）を２０％以下、より好ましくは１０％以下にする
ことが望ましいことが判明した。

【０１４５】なお、以上はポリカーボネートを基材とし
た厚さ０．２×１０^-3ｍ（０．２ｍｍ）のプラスチック
フィルム基板を用いた場合の検討結果であるが、本発明
者は、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルスルホン、アクリル系樹脂、ポリイミ
ドを基材とした厚さ０．４×１０^-3ｍ（０．４ｍｍ）以
下のプラスチックフィルム基板を用いた場合に、同様の
結果が得られることを確認している。

【０１４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
ペーサーと接着粒子の散布条件を最適化することによ
り、プラスチックフィルム基板を用いる液晶装置を製造
する際においても、セルギャップを均一化することがで
き、低温下における液晶層内の気泡発生を防止すること
ができ、表示品質を向上させることができる液晶装置の
製造方法を提供することができる。

【０１４７】また、この液晶装置の製造方法により、表
示品質の優れた液晶装置及び電子機器を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明に係る実施形態の単純マトリ
ックス型の液晶装置の構造を示す概略断面図である。

【図２】 図２は、本発明に係る実施形態の単純マトリ
ックス型の液晶装置を上側基板側から見たときの概略平
面図である。

【図３】 図３は、本発明に係る実施形態の単純マトリ
ックス型の液晶装置の下側基板の構造を示す概略平面図
である。

【図４】 図４は、本発明に係る実施形態の単純マトリ
ックス型の液晶装置の上側基板の構造を示す概略平面図
である。

【図５】 図５(a)、(b)は、本発明に係る実施形態の単
純マトリックス型の液晶装置の製造方法を示す工程図で
ある。

【図６】 図６(a)〜(d)は、本発明に係る実施形態の単
純マトリックス型の液晶装置の製造方法を示す工程図で
ある。

【図７】 図７(a)、(b)は、本発明に係る実施形態の単
純マトリックス型の液晶装置の製造方法を示す工程図で
ある。

【図８】 図８(a)は上記実施形態の液晶装置を備えた
携帯電話の一例を示す図、図８(b)は上記実施形態の液
晶装置を備えた携帯型情報処理装置の一例を示す図、図
８(c)は上記実施形態の液晶装置を備えた腕時計型電子
機器の一例を示す図である。

【図９】 図９は、本発明に係る実施例において、スペ
ーサーの散布密度と液晶装置のセルギャップのばらつき
との関係を示す図である。

【図１０】 図１０は、本発明に係る実施例において、
スペーサーの散布密度と液晶装置の低温気泡発生率との
関係を示す図である。

【図１１】 図１１は、本発明に係る実施例において、
スペーサーの粒径分布と液晶装置のセルギャップのばら
つきとの関係を示す図である。

【図１２】 図１２は、本発明に係る実施例において、
接着粒子の散布密度と液晶装置のセルギャップのばらつ
きとの関係を示す図である。

【図１３】 図１３は、本発明に係る実施例において、
接着粒子の散布密度と液晶装置の低温気泡発生率との関
係を示す図である。

【図１４】 図１４は、本発明に係る実施例において、
接着粒子の平均粒径とスペーサーの平均粒径との比と、
液晶装置全体のセルギャップのばらつきとの関係を示す
図である。

【図１５】 図１５は、本発明に係る実施例において、
接着粒子の平均粒径とスペーサーの平均粒径との比と、
液晶装置の接着粒子近傍のセルギャップのばらつきとの
関係を示す図である。

【図１６】 図１６は、本発明に係る実施例において、
接着粒子の粒径分布と液晶装置のセルギャップのばらつ
きとの関係を示す図である。

【図１７】 図１７は、従来の単純マトリックス型の液
晶装置の構造を示す概略断面図である。

【図１８】 図１８は、従来の単純マトリックス型の液
晶装置の構造を示す概略平面図である。

【符号の説明】

１０ 液晶（表示）装置 １０Ａ 液晶セル １１ 基板（下側基板） １２ 対向基板（上側基板） １３ 液晶層 １４ シール材 １４Ａ 未硬化のシール材 １５ カラーフィルター １５Ａ 着色層 １５Ｂ 遮光層（ブラックマトリック
ス） １６ 保護膜 １７、１８ 電極 １７ａ、１８ａ 引回し配線 １９、２０ 配向膜 ２１ スペーサー ２４ 接着粒子 ２２ 注入孔 ２３ 封止材 ３０ 表示領域（画素領域） ３１ａ、３１ｂ、３２ 引回し配線領域 ３４ 導通部材 ３５ 下側電極用外部接続用端子部 ３６ 上側電極用外部接続用端子部 ４１ 基板母材 ４２ 対向基板母材 ４３、４４ 液晶セル母材 １１ａ 基板形成領域 １２ａ 対向基板形成領域

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA05 LA07 LA11 LA19 LA20 MA01X MA03X NA09 NA40 NA45 NA48 QA06 QA14 TA01 TA06 TA09 TA12 2H090 JB03 JC17 LA02 5C094 AA42 AA43 AA55 BA43 CA19 CA24 EB01 EC03 EC10 FB01 FB15 GB01 JA08 5G435 AA17 BB12 CC09 CC12 HH14 KK05

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶層を挟持して対向配置された第１の
   基板と第２の基板とがシール材を介して所定間隔で貼着
   されてなるとともに、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に、スペーサー
   と熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着剤からなる接着粒子
   とを具備してなる液晶装置の製造方法であって、 前記第１の基板の表面上に、所定の粒径分布を有する前
   記スペーサーを所定の散布密度で散布する工程と、 前記第１の基板の表面上に、前記スペーサーの平均粒径
   よりも大きい所定の平均粒径を有し、所定の粒径分布を
   有する前記接着粒子を所定の散布密度で散布する工程
   と、 前記第１の基板又は前記第２の基板の表面上に前記シー
   ル材を形成する工程と、 表面上に前記スペーサーと前記接着粒子とを散布した前
   記第１の基板と第２の基板とを前記シール材を介して貼
   着して液晶セルを形成する工程と、 前記液晶セルを該液晶セルの外側から加圧することによ
   り、前記接着粒子の高さを前記スペーサーの径と略等し
   くする工程と、 前記液晶セルを所定の温度に加熱して、温度を下げるこ
   とにより、前記接着粒子を介して前記第１の基板と前記
   第２の基板とを接着固定する工程とを有することを特徴
   とする液晶装置の製造方法。
2. 【請求項２】 液晶層を挟持して対向配置された第１の
   基板と第２の基板とがシール材を介して所定間隔で貼着
   されてなるとともに、 前記第１の基板と前記第２の基板との間にスペーサーと
   熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着剤からなる接着粒子と
   を具備してなる液晶装置の製造方法であって、 前記第１の基板の表面上に、所定の粒径分布を有する前
   記スペーサーを所定の散布密度で散布する工程と、 前記第１の基板の表面上に、前記スペーサーの平均粒径
   よりも大きい所定の平均粒径を有し、所定の粒径分布を
   有する前記接着粒子を所定の散布密度で散布する工程
   と、 前記第１の基板又は前記第２の基板の表面上に前記シー
   ル材を形成する工程と、 表面上に前記スペーサーと前記接着粒子とを散布した前
   記第１の基板と第２の基板とを前記シール材を介して貼
   着して液晶セルを形成する工程と、前記液晶セルを該液
   晶セルの外側から加圧しながら、所定の温度に加熱して
   温度を下げることにより、 前記接着粒子の高さを前記スペーサーの径と略等しくす
   るとともに、前記接着粒子を介して前記第１の基板と前
   記第２の基板とを接着固定する工程とを有することを特
   徴とする液晶装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記スペーサーを散布する工程におい
   て、前記スペーサーの散布密度を５０×１０⁶乃至２０
   ０×１０⁶個／ｍ²（５０乃至２００個／ｍｍ²）とする
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の液晶装置
   の製造方法。
4. 【請求項４】 前記スペーサーを散布する工程におい
   て、前記スペーサーの散布密度を１００×１０⁶乃至２
   ００×１０⁶個／ｍ²（１００乃至２００個／ｍｍ²）と
   することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の液晶
   装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記スペーサーを散布する工程におい
   て、前記スペーサーとして粒径分布（ＣＶ値）が６％以
   下のものを用いることを特徴とする請求項１から請求項
   ４までのいずれか１項記載の液晶装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記スペーサーを散布する工程におい
   て、前記スペーサーとして粒径分布（ＣＶ値）が３％以
   下のものを用いることを特徴とする請求項１から請求項
   ４までのいずれか１項記載の液晶装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記接着粒子を散布する工程において、
   前記接着粒子の散布密度を１０×１０⁶乃至２００×１
   ０⁶個／ｍ²（１０乃至２００個／ｍｍ²）とすることを
   特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか１項記
   載の液晶装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記接着粒子を散布する工程において、
   前記接着粒子の散布密度を５０×１０⁶乃至１５０×１
   ０⁶個／ｍ²（５０乃至１５０個／ｍｍ²）とすることを
   特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか１項記
   載の液晶装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記接着粒子を散布する工程において、
   前記接着粒子として前記スペーサーの平均粒径の１．１
   乃至３倍の平均粒径を有するものを用いることを特徴と
   する請求項１から請求項８までのいずれか１項記載の液
   晶装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記接着粒子を散布する工程におい
    て、前記接着粒子として前記スペーサーの平均粒径の
    １．５乃至２．５倍の平均粒径を有するものを用いるこ
    とを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか１
    項記載の液晶装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記接着粒子を散布する工程におい
    て、前記接着粒子として粒径分布（ＣＶ値）が２０％以
    下のものを用いることを特徴とする請求項１から請求項
    １０までのいずれか１項記載の液晶装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記接着粒子を散布する工程におい
    て、前記接着粒子として粒径分布（ＣＶ値）が１０％以
    下のものを用いることを特徴とする請求項１から請求項
    １０までのいずれか１項記載の液晶装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第１の基板、前記第２の基板とし
    て、プラスチックフィルムを基材としたものを用いるこ
    とを特徴とする請求項１から請求項１２までのいずれか
    １項記載の液晶装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 液晶層を挟持して対向配置された２枚
    の基板がシール材を介して所定間隔で貼着されてなる液
    晶装置であって、 前記２枚の基板間に、所定の密度で配置され、所定の粒
    径分布を有する多数のスペーサーと、 所定の密度で配置された熱硬化性接着剤又は熱可塑性接
    着剤からなる多数の接着粒子とを具備したことを特徴と
    する液晶装置。
15. 【請求項１５】 前記スペーサーの密度が５０×１０⁶
    乃至２００×１０⁶個／ｍ²（５０乃至２００個／ｍ
    ｍ²）とされたことを特徴とする請求項１４記載の液晶
    装置。
16. 【請求項１６】 前記スペーサーの密度が１００×１０
    ⁶乃至２００×１０⁶個／ｍ²（１００乃至２００個／ｍ
    ｍ²）とされたことを特徴とする請求項１４記載の液晶
    装置。
17. 【請求項１７】 前記スペーサーの粒径分布（ＣＶ値）
    が６％以下とされたことを特徴とする請求項１４から請
    求項１６までのいずれか１項記載の液晶装置。
18. 【請求項１８】 前記スペーサーの粒径分布（ＣＶ値）
    が３％以下とされたことを特徴とする請求項１４から請
    求項１６までのいずれか１項記載の液晶装置。
19. 【請求項１９】 前記接着粒子の密度が１０×１０⁶乃
    至２００×１０⁶個／ｍ²（１０乃至２００個／ｍｍ²）
    とされたことを特徴とする請求項１４から請求項１８ま
    でのいずれか１項記載の液晶装置。
20. 【請求項２０】 前記接着粒子の密度が５０×１０⁶乃
    至１５０×１０⁶個／ｍ²（５０乃至１５０個／ｍｍ²）
    とされたことを特徴とする請求項１４から請求項１８ま
    でのいずれか１項記載の液晶装置。
21. 【請求項２１】 前記２枚の基板が、プラスチックフィ
    ルムを基材としたものからなることを特徴とする請求項
    １４から請求項２０までのいずれか１項記載の液晶装
    置。
22. 【請求項２２】 請求項１４から請求項２１までのいず
    れか１項記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子
    機器。