JP2002032256A - 端末装置 - Google Patents

端末装置

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JP2002032256A
JP2002032256A JP2000218536A JP2000218536A JP2002032256A JP 2002032256 A JP2002032256 A JP 2002032256A JP 2000218536 A JP2000218536 A JP 2000218536A JP 2000218536 A JP2000218536 A JP 2000218536A JP 2002032256 A JP2002032256 A JP 2002032256A
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management means
flash memory
terminal device
data
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JP2000218536A
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English (en)
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Hideki Kanegae
秀樹 鐘ケ江
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上の特定の領域
に書換えが集中するのを防ぎ、ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリ全体に書換え頻度を分散させることができ、また書
換えが発生した際には、ブロックの書換え回数を極力減
少させ、製品のデータ書換えに関する処理速度を向上で
きる端末装置を提供すること。 【解決手段】 論理セクタ番号をＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位（ペー
ジ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物
理セクタ番号に変換するマッピング管理手段７と、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状
態を管理するブロック状態管理手段８と、不良ブロック
管理手段９と、ブロック内の不要なデータを一定のタイ
ミングで消去するガーベッジコレクション手段１０とを
備え、ブロック内の不要なデータを消去するようにガー
ベッジコレクション手段を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリを搭載した端末装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、端末装置の記憶装置としてフラッ
シュメモリの一種であるＮＡＮＤ型フラッシュメモリが
注目を集めている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリはデータの上書きが不可能であり、データ書換え
の際にはブロックと呼ばれる単位で一括消去した上で、
変更したデータを再度書き込みしなければならないとい
う特徴がある。また、ブロックの消去保証回数の制限
（一般的には１００万回）があり、これを上回ると、不
良ブロックと呼ばれる、データへのアクセスが不可能と
なるブロックに変化してしまう特性も存在する。そのた
め、データ管理用としてＦＡＴ（Ｆｉｌｅ Ａｌｌｏｃ
ａｔｉｏｎＴａｂｌｅ）ファイルシステムなどの一般的
なファイルシステムを用いた場合、ファイルの管理領域
などのある一部の領域に対する書換えが頻繁に発生して
しまい、その結果、書換えが集中したブロックのみがい
ち早く消去保証回数に達し、製品寿命が短くなってしま
う。また、ブロック消去には非常に長い処理時間が必要
であるため、データの変更ごとにブロック消去を実行し
ていると、製品のデータ書換えに関する処理速度が悪化
してしまう。
【０００４】そこで本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリを搭載した端末装置において、ＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリ上の特定の領域に書換えが集中するのを防ぎ、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全体に書換え頻度を分散さ
せることができる端末装置を提供することを目的とす
る。また、書換えが発生した際には、そのブロック内の
空き領域に逐次データを書き込むことにより、ブロック
の書換え回数を極力減少させ、製品のデータ書換えに関
する処理速度を向上させることができる端末装置を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＦＡＴファイ
ルシステムなどの一般的なファイルシステムがデータア
クセスの際に用いるデータの単位を論理セクタ番号を、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上のデータ記憶領域に対し
て書き込み単位ごとに割り振られたシーケンシャルな番
号である物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段
と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロ
ックの状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、システムがアイドルの
間にブロック内の不要なデータを消去するようにガーベ
ッジコレクション手段を構成することにより、システム
使用中の負荷を削減するようにした。
【０００６】本発明によれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリを搭載した端末装置において、ＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリ上の特定の領域に書換えが集中するのを防ぎ、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全体に書換え頻度を分散さ
せることができる端末装置を提供できる。また、書換え
が発生した際には、そのブロック内の空き領域に逐次デ
ータを書き込むことにより、ブロックの書換え回数を極
力減少させ、製品のデータ書換えに関する処理速度を向
上させることができる端末装置を提供できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、ＦＡＴ
ファイルシステムなどの一般的なファイルシステムがデ
ータアクセスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ
型フラッシュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込
み単位（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな
番号である物理セクタ番号に変換するマッピング管理手
段と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブ
ロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物
理セクタが有効なデータを保持しているかどうかなどの
状態を管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可
能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、
ブロック内の不要なデータを一定のタイミングで消去す
るガーベッジコレクション手段と、プログラムやプロセ
ッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する
制御手段とを有する端末装置であって、システムがアイ
ドルの間にブロック内の不要なデータを消去するように
ガーベッジコレクション手段を構成することにより、シ
ステム使用中の負荷を極力削減することが可能となる。
【０００８】請求項２に記載の発明は、ＦＡＴファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、ガーベッジコレクショ
ンが必要なブロック内の有効なデータがある規定値以上
存在する場合、フラッシュメモリ内の空きブロックに変
更後の物理セクタを書きこむガーベッジコレクション手
段を構成することにより、毎回ガーベッジコレクション
が発生することを避けることが可能となる。
【０００９】請求項３に記載の発明は、ＦＡＴファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、ガーベッジコレクショ
ンが必要なブロック内の有効なデータがある規定値以上
存在する場合、フラッシュメモリに空きブロックが存在
する際にはその空きブロックに、また空きブロックが存
在しない場合には書き込みセクタ数が最小のブロックに
対して、変更後の物理セクタを書きこむガーベッジコレ
クション手段を構成することにより、毎回ガーベッジコ
レクションが発生することを極力避けることが可能とな
る。
【００１０】請求項４に記載の発明は、ＦＡＴファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、ブロックの消去回数を管理
する消去回数管理手段と、プログラムやプロセッサ等で
構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段
とを有することにより、ガーベッジコレクションの際は
消去回数が最小のブロックを用いることで、ブロックの
消去回数を平均化するものであり、ガーベッジコレクシ
ョンの際は、ガーベッジコレクションの対象となったブ
ロックの消去回数が予め設定された規定値以上になった
場合に、消去回数が最小のブロックを用いることで、ブ
ロックの消去回数を平均化することが可能となる。
【００１１】請求項５に記載の発明は、ＦＡＴファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、ブロックの消去回数を管理
する消去回数管理手段と、論理セクタの書換え回数をカ
ウントする書換え回数管理手段と、プログラムやプロセ
ッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する
制御手段とを有することにより、ガーベッジコレクショ
ンの際に書換え頻度の低い論理セクタは消去回数の多い
ブロックに、書換え頻度の高い論理セクタは消去回数の
少ないブロックに配置することで、ブロックの消去回数
を平均化するものであり、ガーベッジコレクションの際
に書換え頻度の低い論理セクタは消去回数の多いブロッ
クに、書換え頻度の高い論理セクタは消去回数の少ない
ブロックに配置することで、ブロックの消去回数を平均
化することが可能となる。
【００１２】請求項６に記載の発明は、請求項１〜３に
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に記憶し、電源
投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発
性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
り、アクセス頻度の多い管理領域をＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリと比較してアクセススピードの速い揮発性メモ
リ上に保持することが可能となり、製品のデータ書換え
に関する処理速度が向上する。
【００１３】請求項７に記載の発明は、請求項１〜３に
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記
憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭ
などの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成する
ことにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率を
高めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理速
度が向上すると同時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの
使用効率が向上する。
【００１４】請求項８に記載の発明は、請求項１〜３に
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ以外の不揮発性
メモリ（例えばプログラム格納用のＮＯＲ型フラッシュ
メモリ等）上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することにより、処理速度とＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、Ｎ
ＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率が向上する。
【００１５】請求項９に記載の発明は、請求項４に記載
の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック状
態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手段
の生成に必要なデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上
に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをＲ
ＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成
することにより、処理速度を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上する。
【００１６】請求項１０に記載の発明は、請求項４に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼
ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することにより、処理速度とＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、Ｎ
ＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率が向上する。
【００１７】請求項１１に記載の発明は、請求項４に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモ
リやＤＲＡＭ以外の不揮発性メモリ（例えばプログラム
格納用のＮＯＲ型フラッシュメモリ等）上に記憶し、電
源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮
発性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
り、処理速度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率
を高めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理
速度が向上すると同時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
の使用効率が向上する。
【００１８】請求項１２に記載の発明は、請求項１０に
記載の端末装置において、消去回数管理手段の生成に必
要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回ＲＡＭなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成すること
により、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率を高め
るものであり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率
が向上する。
【００１９】請求項１３に記載の発明は、請求項５に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータをＮＡＮ
Ｄ型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステ
ム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成
される記憶手段上に生成することにより、処理速度を高
めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理速度
が向上する。
【００２０】請求項１４に記載の発明は、請求項５に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段
の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
の冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入
後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メ
モリで構成される記憶手段上に生成することにより、処
理速度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率を高め
るものであり、製品のデータ書換えに関する処理速度が
向上すると同時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用
効率が向上する。
【００２１】請求項１５に記載の発明は、請求項５に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリやＤＲＡＭ以外の不揮発性メモ
リ上（例えばプログラム格納用のＮＯＲ型フラッシュメ
モリ等）に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
れらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
上に生成することにより、処理速度とＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリの使用効率を高めるものであり、製品のデー
タ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、ＮＡＮ
Ｄ型フラッシュメモリの使用効率が向上する。
【００２２】請求項１６に記載の発明は、請求項１４に
記載の端末装置において、消去回数管理手段の生成に必
要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回ＲＡＭなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成すること
により、処理速度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用
効率を高めるものであり、製品のデータ書換えに関する
処理速度が向上すると同時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリの使用効率が向上する。
【００２３】請求項１７に記載の発明は、請求項１４に
記載の端末装置において、書換え回数管理手段の生成に
必要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に、毎回ＲＡＭなど
の揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成するこ
とにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率が向
上する。
【００２４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１〜１７におけるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの構
成図であって、一般的なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを
示すものである。１はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全
体、２はＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータ消去単位
であるブロック、３はアクセスが不可能な不良ブロッ
ク、４はデータの書き込み単位であるページ（セク
タ）、５はページ内の実データが書き込まれる部分であ
るデータ部、６はエラー訂正符号等が格納される冗長セ
ルアレイである。
【００２５】図２は本発明の実施の形態１〜３における
端末装置の機能ブロック図である。７はＦＡＴ（Ｆｉｌ
ｅ Ａｌｌｏｃａｔｉｏｎ Ｔａｂｌｅ）ファイルシス
テムなどの一般的なファイルシステムがデータアクセス
の際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位（ペー
ジ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物
理セクタ番号に変換するマッピング管理手段、８はＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状
態（ブロック内の空きセクタ数や各物理セクタが有効な
データを保持しているかどうかなど）を管理するブロッ
ク状態管理手段、９は不可能な不良ブロックを管理する
不良ブロック管理手段、１０はブロック内の不要なデー
タを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクショ
ン手段、１１はプログラムやプロセッサ等で構成され、
端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段である。
【００２６】図３は本発明の実施の形態１〜１７におけ
る端末装置のハードウェア構成を示す装置ブロック図で
ある。入力デバイス１２は、ペンやマウス等のポインテ
ィングデバイスや、キーボード、テンキー等を使用した
ユーザによるデータの入力を可能にするものである。出
力デバイス１３はＬＣＤやディスプレイ等で構成され、
文字や図形等のデータの表示を行う。ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ１４はユーザデータや工場設定値等の不揮発
性データが格納される。また、それに加えて中央処理装
置１５によって処理実行されるプログラムが格納される
場合もある。プログラム格納メモリ１６は各種リードオ
ンリメモリやＮＯＲ型フラッシュメモリ等で構成され、
端末装置起動時のハードウェア初期化プログラムである
ブートプログラム等が格納される。ランダムアクセスメ
モリ１７には入力装置から読み込んだデータや、プログ
ラムの実行によって作成されるデータ等が格納される。
また、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１４に格納され
ているプログラムが実行処理のために、ランダムアクセ
スメモリ１７上に展開される場合もある。
【００２７】以下、本発明の実施の形態１の動作につい
て説明する。図４は本発明の実施の形態１〜１７におけ
るデータリード手順を示すフローチャート、図５は本発
明の実施の形態１〜１７におけるデータライト手順を示
すフローチャート、図６は本発明の実施の形態１におけ
るガーベッジコレクション手順を示すフローチャートで
ある。
【００２８】図４は端末装置がＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリからデータをリードする手順である。ステップＳ１
では、論理セクタのリードが生じた場合、マッピング管
理手段７で実現されるマッピングテーブルを参照する。
ステップＳ２では、マッピングテーブルを参照すること
により、指定された論理セクタが格納されている物理セ
クタが存在しているかどうか判断する。もし存在してい
る場合はステップＳ３に進むが、そうでない場合はステ
ップＳ４に進み、エラーをセットして処理を終了する。
【００２９】図５は端末装置がＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリからデータをライトする手順である。論理セクタの
ライトが生じた場合、ステップＳ５では指定された論理
セクタが範囲内かどうかチェックする。論理セクタが範
囲内であればステップＳ６に進むが、そうでない場合は
ステップＳ７に進み、エラーをセットした後で処理を終
了する。
【００３０】ステップＳ６では、指定された論理セクタ
に対応する物理セクタが、すでにマッピングテーブル内
に存在しているかどうか、すなわちデータの更新か、そ
れともデータの新規作成かを判定する。もし存在してい
る場合はステップＳ８に進み、そうでない場合はステッ
プＳ１７に進む。
【００３１】ステップＳ８では、マッピングテーブルを
参照し、対応する物理セクタ数取得する。ステップＳ９
では、ステップＳ８で取得した物理セクタ数から、その
物理セクタがどのブロックに存在するものなのか、ブロ
ックの特定を行う。ステップＳ１０では、特定されたブ
ロック内に空き物理セクタが存在するかどうか、ブロッ
ク状態管理手段８で実現されるブロック状態管理テーブ
ルの探索を行う。ステップＳ１１では、ステップＳ１０
の結果、空き物理セクタが存在するかどうかの判定を行
う。空き物理セクタが発見された場合にはステップＳ１
２に、そうでない場合にはステップＳ１３のガーベッジ
コレクション処理を実行する。
【００３２】ステップＳ１２では、発見された空き物理
セクタに、実際にデータを書きこむ。ステップＳ１４で
は、ブロック状態管理テーブル内の、前の物理セクタの
不要フラグをセットする。ステップＳ１５では、ブロッ
ク内の物理セクタの状態などを管理する、ブロック状態
管理テーブルの変更を行う。ステップＳ１６では、マッ
ピングテーブルの変更を行い、処理を終了する。
【００３３】一方、ステップＳ１７では、全くデータが
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プＳ１８では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
Ｓ２０に進み、空きブロックの物理セクタに対しデータ
の書込みを行う。空きブロックが発見されなかった場合
には、ステップＳ１９に進む。ステップＳ１９では、空
き物理セクタが存在するブロックを探索する。ステップ
Ｓ２１では、空き物理セクタが存在するブロックが発見
されたかどうかの判定を、ブロック状態管理テーブルを
用いて行う。もし、空き物理セクタが存在するブロック
が発見された場合にはステップＳ２２にすすむが、そう
でない場合にはステップＳ２３に進み、エラーセット後
に処理を終了する。ステップＳ２２では、ブロック状態
管理テーブルにより、発見されたブロック内で空き物理
セクタを探索する。ステップＳ２４では、ステップＳ２
２で検出された空き物理セクタにデータの書込みを行
い、ステップＳ１５に進む。
【００３４】図６はガーベッジコレクション処理の手順
である。ステップＳ２５は、システムがアイドル状態か
どうか判定する。もしアイドル状態であればステップＳ
２６に進むが、アイドル状態でなければ、ステップＳ２
５に戻り、システムがアイドル状態になるのを待つ。ス
テップＳ２６では、ブロック状態管理テーブルを参照
し、ガーベッジコレクションが行われるブロック内の物
理セクタのうち、不要フラグがセットされていないセク
タを検出、そのセクタをＲＡＭ上のバッファにコピーす
る。ステップＳ２７では、必要に応じてＲＡＭのバッフ
ァの内容を適切に書き換えた後、ＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリ上のガーベッジコレクション用の入れ替えブロッ
クにデータを書きこむ。ステップＳ２８では、ガーベッ
ジコレクションの対象となったブロックをイレースす
る。ステップＳ２９では、マッピングテーブルの変更を
行う。
【００３５】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２を説明する。図７は本発明の実施の形態２における
ガーベッジコレクション手順を示すフローチャートであ
る。ステップＳ３０では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロック内で有効な物理セクタ（不要フラグ
がセットされていない物理セクタ）が予め設定された規
定値以上存在しているかどうかを判断する。もし、規定
値以上存在している場合にはステップＳ３２へ、そうで
ない場合にはステップＳ３１へ進む。
【００３６】ステップＳ３１では、ブロック状態管理テ
ーブルを参照し、ガーベッジコレクションが行われるブ
ロック内の物理セクタのうち、不要フラグがセットされ
ていないセクタを検出、そのセクタをＲＡＭ上のバッフ
ァにコピーする。ステップＳ３３では、必要に応じてＲ
ＡＭのバッファの内容を適切に書き換えた後、ＮＡＮＤ
型フラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入
れ替えブロックにデータを書きこむ。ステップＳ３４で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックを
イレースする。ステップＳ３５では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。
【００３７】一方、ステップＳ３２では、全くデータが
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プＳ３６では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
Ｓ３７に進み、空きブロックが発見されなかった場合に
は、ステップＳ３１に進む。ステップＳ３７では、空き
ブロックの物理セクタに対して、書込み対象となってい
るデータのみを書きこむ。ステップＳ３８では、この論
理セクタが以前に格納されていた物理セクタの不要フラ
グをセットする。
【００３８】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３を説明する。図８は本発明の実施の形態３における
ガーベッジコレクション手順を示すフローチャートであ
る。ステップＳ３９では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロック内で有効な物理セクタ（不要フラグ
がセットされていない物理セクタ）が予め設定された規
定値以上存在しているかどうかを判断する。もし、規定
値以上存在している場合にはステップＳ４１へ、そうで
ない場合にはステップＳ４０へ進む。
【００３９】ステップＳ４０では、ブロック状態管理テ
ーブルを参照し、ガーベッジコレクションが行われるブ
ロック内の物理セクタのうち、不要フラグがセットされ
ていないセクタを検出、そのセクタをＲＡＭ上のバッフ
ァにコピーする。ステップＳ４２では、必要に応じてＲ
ＡＭのバッファの内容を適切に書き換えた後、ＮＡＮＤ
型フラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入
れ替えブロックにデータを書きこむ。ステップＳ４３で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックを
イレースする。ステップＳ４４では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。
【００４０】一方、ステップＳ４１では、全くデータが
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プＳ４５では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
Ｓ４６に進み、空きブロックが発見されなかった場合に
は、ステップＳ４７に進む。ステップＳ４６では、空き
ブロックの物理セクタに対して、書込み対象となってい
るデータのみを書きこむ。ステップＳ４８では、この論
理セクタが以前に格納されていた物理セクタの不要フラ
グをセットする。一方、ステップＳ４７では、書き込み
セクタ数が最小のブロックを探索する。ステップＳ４９
では、探索の結果、検出されたブロックに対して書き込
み対象となっているデータのみを書きこむ。
【００４１】（実施の形態４）図９は本発明の実施の形
態４における端末装置の機能を示す機能ブロック図、図
１０は本発明の実施の形態４におけるガーベッジコレク
ション手順を示すフローチャートである。
【００４２】図９において、１８はＦＡＴ（Ｆｉｌｅ
Ａｌｌｏｃａｔｉｏｎ Ｔａｂｌｅ）ファイルシステム
などの一般的なファイルシステムがデータアクセスの際
に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモ
リ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位（ページ）
ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物理セ
クタ番号に変換するマッピング管理手段、１９はＮＡＮ
Ｄ型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状態
（ブロック内の空きセクタ数や各物理セクタが有効なデ
ータを保持しているかどうかなど）を管理するブロック
状態管理手段、２０は不可能な不良ブロックを管理する
不良ブロック管理手段、２１はブロック内の不要なデー
タを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクショ
ン手段、２２は各ブロックの消去回数を管理する消去回
数管理手段、２３はプログラムやプロセッサ等で構成さ
れ、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段であ
る。
【００４３】以下、本発明の実施の形態４の動作につい
て、ガーベッジコレクション手順を示すフローチャート
である図１０をもとに説明する。ステップＳ４５では、
ブロック状態管理テーブルを参照し、ガーベッジコレク
ションが行われるブロック内の物理セクタのうち、不要
フラグがセットされていないセクタを検出、そのセクタ
をＲＡＭ上のバッファにコピーする。ステップＳ４６で
は、必要に応じてＲＡＭのバッファの内容を適切に書き
換えた後、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上のガーベッジ
コレクション用の入れ替えブロックにデータを書きこ
む。ステップＳ４７では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロックをイレースする。ステップＳ４８で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックの
消去回数をインクリメントする。ステップＳ４９では、
ガーベッジコレクションの対象となったブロックの消去
回数が、予め設定された規定値を上回ったかどうか判定
する。もし規定値以上である場合はステップＳ５０に進
み、そうでない場合はステップＳ５１に進む。検出され
たブロックに対して書き込み対象となっているデータの
みを書きこむ。ステップＳ５１では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。
【００４４】一方、ステップＳ５０では消去回数管理手
段２２を用いて、消去回数が最低のブロックを探索す
る。ステップＳ５２では、ブロック状態管理テーブルを
参照し、消去回数が最低のブロック内の物理セクタのう
ち、不要フラグがセットされていないセクタを検出、そ
のセクタをＲＡＭ上のバッファにコピーする。ステップ
Ｓ５３では、必要に応じてＲＡＭのバッファの内容を適
切に書き換えた後、ステップＳ４７においてイレースさ
れたブロックにデータを書きこむ。ステップＳ５４で
は、消去回数が最低のブロックのイレースを行い、この
ブロックをガーベッジコレクション用の入れ替えブロッ
クとする。ステップＳ５５では、このブロックの消去回
数をインクリメントする。
【００４５】（実施の形態５）図１１は本発明の実施の
形態５における端末装置の機能を示す機能ブロック図、
図１２は本発明の実施の形態５におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャートである。
【００４６】２４はマッピング管理手段、２５はブロッ
ク状態管理手段、２６は不可能な不良ブロックを管理す
る不良ブロック管理手段、２７はブロック内の不要なデ
ータを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクシ
ョン手段、２８は各ブロックの消去回数を管理する消去
回数管理手段、２９は各論理セクタの書換え回数を管理
する書換え回数管理手段、３０はプログラムやプロセッ
サ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制
御手段である。
【００４７】以下、本発明の実施の形態５の動作につい
て、ガーベッジコレクション手順を示すフローチャート
である図１２をもとに説明する。ステップＳ５６では、
書換え回数管理手段２９により、対象となる論理セクタ
の書換え頻度が高いかどうかを判定する。書換え頻度が
高い場合にはステップＳ５７に進むが、そうでない場合
にはステップＳ５８に進む。ステップＳ５８では、対象
となる論理セクタの書換え頻度が低いかどうかを判定す
る。書換え頻度が低い場合にはステップＳ５９に進む
が、そうでない場合にはステップＳ６０に進む。ステッ
プＳ６０では、ブロック状態管理テーブルを参照し、ガ
ーベッジコレクションが行われるブロック内の物理セク
タのうち、不要フラグがセットされていないセクタを検
出、そのセクタをＲＡＭ上のバッファにコピーする。
【００４８】ステップＳ６１では、必要に応じてＲＡＭ
のバッファの内容を適切に書き換えた後、ＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入れ替
えブロックにデータを書きこむ。ステップＳ６２では、
ガーベッジコレクションの対象となったブロックをイレ
ースする。ステップＳ６３では、ガーベッジコレクショ
ンの対象となったブロックの消去回数をインクリメント
する。ステップＳ６４では、マッピングテーブルの変更
を行う。
【００４９】一方、ステップＳ５７では、消去回数が低
く、かつ、空き物理セクタが存在するブロックを探索す
る。ステップＳ５９では、消去回数が高く、かつ、空き
物理セクタが存在するブロックを探索する。ステップＳ
６５では、それぞれ検出されたブロックの空き物理セク
タに対してデータの書込みを行う。ステップＳ６６で
は、対象となった論理セクタの書換え回数をインクリメ
ントする。ステップＳ６７では、この論理セクタが以前
に格納されていた物理セクタの不要フラグをセットす
る。
【００５０】（実施の形態６）実施の形態１〜３に記載
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に記憶し、電源
投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発
性メモリで構成される記憶手段上に生成する。
【００５１】（実施の形態７）実施の形態１〜３に記載
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記
憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭ
などの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成す
る。
【００５２】（実施の形態８）実施の形態１〜３に記載
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ以外の不揮発性
メモリ（例えばプログラム格納用のＮＯＲ型フラッシュ
メモリ等）上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成する。
【００５３】（実施の形態９）実施の形態４に記載の端
末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック状
態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手段
の生成に必要なデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上
に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをＲ
ＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成
する。
【００５４】（実施の形態１０）実施の形態４に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼
ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成する。
【００５５】（実施の形態１１）実施の形態４に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモ
リやＤＲＡＭ以外の不揮発性メモリ（例えばプログラム
格納用のＮＯＲ型フラッシュメモリ等）上に記憶し、電
源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮
発性メモリで構成される記憶手段上に生成する。
【００５６】（実施の形態１２）実施の形態１０に記載
の端末装置において、特に消去回数管理手段の生成に必
要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回ＲＡＭなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。
【００５７】（実施の形態１３）実施の形態５に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータをＮＡＮ
Ｄ型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステ
ム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成
される記憶手段上に生成する。
【００５８】（実施の形態１４）実施の形態５に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段
の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
の冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入
後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メ
モリで構成される記憶手段上に生成する。
【００５９】（実施の形態１５）実施の形態５に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリやＤＲＡＭ以外の不揮発性メモ
リ上（例えばプログラム格納用のＮＯＲ型フラッシュメ
モリ等）に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
れらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
上に生成する。
【００６０】（実施の形態１６）実施の形態１４に記載
の端末装置において、特に消去回数管理手段の生成に必
要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回ＲＡＭなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。
【００６１】（実施の形態１７）実施の形態１４に記載
の端末装置において、特に書換え回数管理手段の生成に
必要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に、毎回ＲＡＭなど
の揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。
【００６２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＮＡＮＤ
型フラッシュメモリを搭載した端末装置において、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリ上の特定の領域に書換えが集中
するのを防ぎ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全体に書換
え頻度を分散させることが可能となる。また、書換えが
発生した際には、そのブロック内の空き領域に逐次デー
タを書き込むことにより、ブロックの書換え回数を極力
減少させる。これにより、製品のデータ書換えに関する
処理速度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１〜１７におけるＮＡＮＤ
型フラッシュメモリの構成図
【図２】本発明の実施の形態１〜３における端末装置の
機能ブロック図
【図３】本発明の実施の形態１〜１７における端末装置
のハードウェア構成を示す装置ブロック図
【図４】本発明の実施の形態１〜１７におけるデータリ
ード手順を示すフローチャート
【図５】本発明の実施の形態１〜１７におけるデータラ
イト手順を示すフローチャート
【図６】本発明の実施の形態１におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャート
【図７】本発明の実施の形態２におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャート
【図８】本発明の実施の形態３におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャート
【図９】本発明の実施の形態４における端末装置の機能
を示す機能ブロック図
【図１０】本発明の実施の形態４におけるガーベッジコ
レクション手順を示すフローチャート
【図１１】本発明の実施の形態５における端末装置の機
能を示す機能ブロック図
【図１２】本発明の実施の形態５におけるガーベッジコ
レクション手順を示すフローチャート
【符号の説明】
１ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全体 ２ ブロック ３ 不良ブロック ４ ページ（セクタ） ５ データ部 ６ 冗長セルアレイ ７ マッピング管理手段 ８ ブロック状態管理手段 ９ 不良ブロック管理手段 １０ ガーベッジコレクション手段 １１ 制御手段 １２ 入力デバイス １３ 出力デバイス １４ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ １５ 中央処理装置 １６ プログラム格納メモリ １７ ランダムアクセスメモリ １８ マッピング管理手段 １９ ブロック状態管理手段 ２０ 不良ブロック管理手段 ２１ ガーベッジコレクション手段 ２２ 消去回数管理手段 ２３ 制御手段 ２４ マッピング管理手段 ２５ ブロック状態管理手段 ２６ 不良ブロック管理手段 ２７ ガーベッジコレクション手段 ２８ 消去回数管理手段 ２９ 書換え回数管理手段 ３０ 制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｃ 16/04 Ｇ１１Ｃ 17/00 ６０１Ｃ 29/00 ６０１ ６１２Ｚ ６２２Ｅ

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ＦＡＴファイルシステムなどの一般的なフ
    ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
    タ番号を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上のデータ記憶
    領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
    シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
    グ管理手段と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位
    であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
    数や各セクタが有効なデータを保持しているかどうかな
    どの状態を管理するブロック状態管理手段と、アクセス
    不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理手段
    と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミングで消
    去するガーベッジコレクション手段と、プログラムやプ
    ロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御
    する制御手段とを有する端末装置であって、システムが
    アイドルの間にブロック内の不要なデータを消去するよ
    うにガーベッジコレクション手段を構成することによ
    り、システム使用中の負荷を削減することを特徴とする
    端末装置。
  2. 【請求項２】ＦＡＴファイルシステムなどの一般的なフ
    ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
    タ番号を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上のデータ記憶
    領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
    シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
    グ管理手段と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位
    であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
    数や各物理セクタが有効なデータを保持しているかどう
    かなどの状態を管理するブロック状態管理手段と、アク
    セス不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理
    手段と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミング
    で消去するガーベッジコレクション手段と、プログラム
    やプロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを
    制御する制御手段とを有する端末装置であって、ガーベ
    ッジコレクションが必要なブロック内の有効なデータが
    ある規定値以上存在する場合、フラッシュメモリ内の空
    きブロックに変更後の物理セクタを書きこむガーベッジ
    コレクション手段を構成することにより、毎回ガーベッ
    ジコレクションが発生することを避けることを特徴とす
    る端末装置。
  3. 【請求項３】ＦＡＴファイルシステムなどの一般的なフ
    ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
    タ番号を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上のデータ記憶
    領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
    シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
    グ管理手段と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位
    であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
    数や各物理セクタが有効なデータを保持しているかどう
    かなどの状態を管理するブロック状態管理手段と、アク
    セス不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理
    手段と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミング
    で消去するガーベッジコレクション手段と、プログラム
    やプロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを
    制御する制御手段とを有する端末装置であって、ガーベ
    ッジコレクションが必要なブロック内の有効なデータが
    ある規定値以上存在する場合、フラッシュメモリに空き
    ブロックが存在する際にはその空きブロックに、また空
    きブロックが存在しない場合には書き込みセクタ数が最
    小のブロックに対して、変更後の物理セクタを書きこむ
    ガーベッジコレクション手段を構成することにより、毎
    回ガーベッジコレクションが発生することを避けること
    を特徴とする端末装置。
  4. 【請求項４】ＦＡＴファイルシステムなどの一般的なフ
    ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
    タ番号を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上のデータ記憶
    領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
    シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
    グ管理手段と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位
    であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
    数や各物理セクタが有効なデータを保持しているかどう
    かなどの状態を管理するブロック状態管理手段と、アク
    セス不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理
    手段と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミング
    で消去するガーベッジコレクション手段と、ブロックの
    消去回数を管理する消去回数管理手段と、プログラムや
    プロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制
    御する制御手段とを有することにより、ガーベッジコレ
    クションの際は消去回数が最小のブロックを用いること
    で、ブロックの消去回数を平均化することを特徴とする
    端末装置。
  5. 【請求項５】ＦＡＴファイルシステムなどの一般的なフ
    ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
    タ番号を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上のデータ記憶
    領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
    シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
    グ管理手段と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位
    であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
    数や各物理セクタが有効なデータを保持しているかどう
    かなどの状態を管理するブロック状態管理手段と、アク
    セス不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理
    手段と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミング
    で消去するガーベッジコレクション手段と、ブロックの
    消去回数を管理する消去回数管理手段と、論理セクタの
    書換え回数をカウントする書換え回数管理手段と、プロ
    グラムやプロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る
    舞いを制御する制御手段とを有することにより、ガーベ
    ッジコレクションの際に書換え頻度の低い論理セクタは
    消去回数の多いブロックに、書換え頻度の高い論理セク
    タは消去回数の少ないブロックに配置することで、ブロ
    ックの消去回数を平均化することを特徴とする端末装
    置。
  6. 【請求項６】請求項１〜３に記載の端末装置において、
    マッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロ
    ック管理手段の生成に必要なデータをＮＡＮＤ型フラッ
    シュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
    にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
    手段上に生成することを特徴とする端末装置。
  7. 【請求項７】請求項１〜３に記載の端末装置において、
    マッピング管理手段、ブロック状態管理手段の生成に必
    要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの冗長セル
    アレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステ
    ム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成
    される記憶手段上に生成することにより、ＮＡＮＤ型フ
    ラッシュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端
    末装置。
  8. 【請求項８】請求項１〜３に記載の端末装置において、
    マッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロ
    ック管理手段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラ
    ッシュメモリ以外の不揮発性メモリ上に記憶し、電源投
    入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性
    メモリで構成される記憶手段上に生成することにより、
    処理速度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率を高
    めることを特徴とする端末装置。
  9. 【請求項９】請求項４に記載の端末装置において、マッ
    ピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロック
    管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータをＮ
    ＡＮＤ型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシ
    ステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで
    構成される記憶手段上に生成することにより、処理速度
    を高めることを特徴とする端末装置。
  10. 【請求項１０】請求項４に記載の端末装置において、マ
    ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、消去回数管
    理手段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュ
    メモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電
    源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮
    発性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
    り、処理速度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率
    を高めることを特徴とする端末装置。
  11. 【請求項１１】請求項４に記載の端末装置において、マ
    ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロッ
    ク管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
    を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリやＤＲＡＭ以外の不揮
    発性メモリ上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
    にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
    手段上に生成することにより、処理速度とＮＡＮＤ型フ
    ラッシュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端
    末装置。
  12. 【請求項１２】請求項１０に記載の端末装置において、
    消去回数管理手段の生成に必要なデータはＮＡＮＤ型フ
    ラッシュメモリ上に置かずに、電源投入後のシステム初
    期化時に毎回ＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記
    憶メモリ上に生成することにより、ＮＡＮＤ型フラッシ
    ュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端末装
    置。
  13. 【請求項１３】請求項５に記載の端末装置において、マ
    ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロッ
    ク管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段の
    生成に必要なデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に
    記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡ
    Ｍなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成す
    ることにより、処理速度を高めることを特徴とする端末
    装置。
  14. 【請求項１４】請求項５に記載の端末装置において、マ
    ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、消去回数管
    理手段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、
    ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれ
    る冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
    れらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
    上に生成することにより、処理速度とＮＡＮＤ型フラッ
    シュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端末装
    置。
  15. 【請求項１５】請求項５に記載の端末装置において、マ
    ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロッ
    ク管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段の
    生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリや
    ＤＲＡＭ以外の不揮発性メモリ上（例えばプログラム格
    納用のＮＯＲ型フラッシュメモリ等）に記憶し、電源投
    入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性
    メモリで構成される記憶手段上に生成することにより、
    処理速度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率を高
    めることを特徴とする端末装置。
  16. 【請求項１６】請求項１４に記載の端末装置において、
    消去回数管理手段の生成に必要なデータはＮＡＮＤ型フ
    ラッシュメモリ上に置かずに、電源投入後のシステム初
    期化時に毎回ＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記
    憶メモリ上に生成することにより、処理速度とＮＡＮＤ
    型フラッシュメモリの使用効率を高めることを特徴とす
    る端末装置。
  17. 【請求項１７】請求項１４に記載の端末装置において、
    書換え回数管理手段の生成に必要なデータはＮＡＮＤ型
    フラッシュメモリ上に置かずに、電源投入後のシステム
    初期化時に、毎回ＲＡＭなどの揮発性メモリで構成され
    る記憶メモリ上に生成することにより、ＮＡＮＤ型フラ
    ッシュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端末
    装置。
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