JP2002032256A - 端末装置 - Google Patents
端末装置Info
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- JP2002032256A JP2002032256A JP2000218536A JP2000218536A JP2002032256A JP 2002032256 A JP2002032256 A JP 2002032256A JP 2000218536 A JP2000218536 A JP 2000218536A JP 2000218536 A JP2000218536 A JP 2000218536A JP 2002032256 A JP2002032256 A JP 2002032256A
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- flash memory
- terminal device
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 NAND型フラッシュメモリ上の特定の領域
に書換えが集中するのを防ぎ、NAND型フラッシュメ
モリ全体に書換え頻度を分散させることができ、また書
換えが発生した際には、ブロックの書換え回数を極力減
少させ、製品のデータ書換えに関する処理速度を向上で
きる端末装置を提供すること。 【解決手段】 論理セクタ番号をNAND型フラッシュ
メモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位(ペー
ジ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物
理セクタ番号に変換するマッピング管理手段7と、NA
ND型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状
態を管理するブロック状態管理手段8と、不良ブロック
管理手段9と、ブロック内の不要なデータを一定のタイ
ミングで消去するガーベッジコレクション手段10とを
備え、ブロック内の不要なデータを消去するようにガー
ベッジコレクション手段を構成する。
に書換えが集中するのを防ぎ、NAND型フラッシュメ
モリ全体に書換え頻度を分散させることができ、また書
換えが発生した際には、ブロックの書換え回数を極力減
少させ、製品のデータ書換えに関する処理速度を向上で
きる端末装置を提供すること。 【解決手段】 論理セクタ番号をNAND型フラッシュ
メモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位(ペー
ジ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物
理セクタ番号に変換するマッピング管理手段7と、NA
ND型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状
態を管理するブロック状態管理手段8と、不良ブロック
管理手段9と、ブロック内の不要なデータを一定のタイ
ミングで消去するガーベッジコレクション手段10とを
備え、ブロック内の不要なデータを消去するようにガー
ベッジコレクション手段を構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、NAND型フラッ
シュメモリを搭載した端末装置に関するものである。
シュメモリを搭載した端末装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、端末装置の記憶装置としてフラッ
シュメモリの一種であるNAND型フラッシュメモリが
注目を集めている。
シュメモリの一種であるNAND型フラッシュメモリが
注目を集めている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】NAND型フラッシュ
メモリはデータの上書きが不可能であり、データ書換え
の際にはブロックと呼ばれる単位で一括消去した上で、
変更したデータを再度書き込みしなければならないとい
う特徴がある。また、ブロックの消去保証回数の制限
(一般的には100万回)があり、これを上回ると、不
良ブロックと呼ばれる、データへのアクセスが不可能と
なるブロックに変化してしまう特性も存在する。そのた
め、データ管理用としてFAT(File Alloc
ationTable)ファイルシステムなどの一般的
なファイルシステムを用いた場合、ファイルの管理領域
などのある一部の領域に対する書換えが頻繁に発生して
しまい、その結果、書換えが集中したブロックのみがい
ち早く消去保証回数に達し、製品寿命が短くなってしま
う。また、ブロック消去には非常に長い処理時間が必要
であるため、データの変更ごとにブロック消去を実行し
ていると、製品のデータ書換えに関する処理速度が悪化
してしまう。
メモリはデータの上書きが不可能であり、データ書換え
の際にはブロックと呼ばれる単位で一括消去した上で、
変更したデータを再度書き込みしなければならないとい
う特徴がある。また、ブロックの消去保証回数の制限
(一般的には100万回)があり、これを上回ると、不
良ブロックと呼ばれる、データへのアクセスが不可能と
なるブロックに変化してしまう特性も存在する。そのた
め、データ管理用としてFAT(File Alloc
ationTable)ファイルシステムなどの一般的
なファイルシステムを用いた場合、ファイルの管理領域
などのある一部の領域に対する書換えが頻繁に発生して
しまい、その結果、書換えが集中したブロックのみがい
ち早く消去保証回数に達し、製品寿命が短くなってしま
う。また、ブロック消去には非常に長い処理時間が必要
であるため、データの変更ごとにブロック消去を実行し
ていると、製品のデータ書換えに関する処理速度が悪化
してしまう。
【0004】そこで本発明は、NAND型フラッシュメ
モリを搭載した端末装置において、NAND型フラッシ
ュメモリ上の特定の領域に書換えが集中するのを防ぎ、
NAND型フラッシュメモリ全体に書換え頻度を分散さ
せることができる端末装置を提供することを目的とす
る。また、書換えが発生した際には、そのブロック内の
空き領域に逐次データを書き込むことにより、ブロック
の書換え回数を極力減少させ、製品のデータ書換えに関
する処理速度を向上させることができる端末装置を提供
することを目的とする。
モリを搭載した端末装置において、NAND型フラッシ
ュメモリ上の特定の領域に書換えが集中するのを防ぎ、
NAND型フラッシュメモリ全体に書換え頻度を分散さ
せることができる端末装置を提供することを目的とす
る。また、書換えが発生した際には、そのブロック内の
空き領域に逐次データを書き込むことにより、ブロック
の書換え回数を極力減少させ、製品のデータ書換えに関
する処理速度を向上させることができる端末装置を提供
することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、FATファイ
ルシステムなどの一般的なファイルシステムがデータア
クセスの際に用いるデータの単位を論理セクタ番号を、
NAND型フラッシュメモリ上のデータ記憶領域に対し
て書き込み単位ごとに割り振られたシーケンシャルな番
号である物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段
と、NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロ
ックの状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、システムがアイドルの
間にブロック内の不要なデータを消去するようにガーベ
ッジコレクション手段を構成することにより、システム
使用中の負荷を削減するようにした。
ルシステムなどの一般的なファイルシステムがデータア
クセスの際に用いるデータの単位を論理セクタ番号を、
NAND型フラッシュメモリ上のデータ記憶領域に対し
て書き込み単位ごとに割り振られたシーケンシャルな番
号である物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段
と、NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロ
ックの状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、システムがアイドルの
間にブロック内の不要なデータを消去するようにガーベ
ッジコレクション手段を構成することにより、システム
使用中の負荷を削減するようにした。
【0006】本発明によれば、NAND型フラッシュメ
モリを搭載した端末装置において、NAND型フラッシ
ュメモリ上の特定の領域に書換えが集中するのを防ぎ、
NAND型フラッシュメモリ全体に書換え頻度を分散さ
せることができる端末装置を提供できる。また、書換え
が発生した際には、そのブロック内の空き領域に逐次デ
ータを書き込むことにより、ブロックの書換え回数を極
力減少させ、製品のデータ書換えに関する処理速度を向
上させることができる端末装置を提供できる。
モリを搭載した端末装置において、NAND型フラッシ
ュメモリ上の特定の領域に書換えが集中するのを防ぎ、
NAND型フラッシュメモリ全体に書換え頻度を分散さ
せることができる端末装置を提供できる。また、書換え
が発生した際には、そのブロック内の空き領域に逐次デ
ータを書き込むことにより、ブロックの書換え回数を極
力減少させ、製品のデータ書換えに関する処理速度を向
上させることができる端末装置を提供できる。
【0007】
【発明の実施の形態】請求項1に記載の発明は、FAT
ファイルシステムなどの一般的なファイルシステムがデ
ータアクセスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND
型フラッシュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込
み単位(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな
番号である物理セクタ番号に変換するマッピング管理手
段と、NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブ
ロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物
理セクタが有効なデータを保持しているかどうかなどの
状態を管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可
能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、
ブロック内の不要なデータを一定のタイミングで消去す
るガーベッジコレクション手段と、プログラムやプロセ
ッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する
制御手段とを有する端末装置であって、システムがアイ
ドルの間にブロック内の不要なデータを消去するように
ガーベッジコレクション手段を構成することにより、シ
ステム使用中の負荷を極力削減することが可能となる。
ファイルシステムなどの一般的なファイルシステムがデ
ータアクセスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND
型フラッシュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込
み単位(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな
番号である物理セクタ番号に変換するマッピング管理手
段と、NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブ
ロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物
理セクタが有効なデータを保持しているかどうかなどの
状態を管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可
能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、
ブロック内の不要なデータを一定のタイミングで消去す
るガーベッジコレクション手段と、プログラムやプロセ
ッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する
制御手段とを有する端末装置であって、システムがアイ
ドルの間にブロック内の不要なデータを消去するように
ガーベッジコレクション手段を構成することにより、シ
ステム使用中の負荷を極力削減することが可能となる。
【0008】請求項2に記載の発明は、FATファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、ガーベッジコレクショ
ンが必要なブロック内の有効なデータがある規定値以上
存在する場合、フラッシュメモリ内の空きブロックに変
更後の物理セクタを書きこむガーベッジコレクション手
段を構成することにより、毎回ガーベッジコレクション
が発生することを避けることが可能となる。
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、ガーベッジコレクショ
ンが必要なブロック内の有効なデータがある規定値以上
存在する場合、フラッシュメモリ内の空きブロックに変
更後の物理セクタを書きこむガーベッジコレクション手
段を構成することにより、毎回ガーベッジコレクション
が発生することを避けることが可能となる。
【0009】請求項3に記載の発明は、FATファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、ガーベッジコレクショ
ンが必要なブロック内の有効なデータがある規定値以上
存在する場合、フラッシュメモリに空きブロックが存在
する際にはその空きブロックに、また空きブロックが存
在しない場合には書き込みセクタ数が最小のブロックに
対して、変更後の物理セクタを書きこむガーベッジコレ
クション手段を構成することにより、毎回ガーベッジコ
レクションが発生することを極力避けることが可能とな
る。
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、ガーベッジコレクショ
ンが必要なブロック内の有効なデータがある規定値以上
存在する場合、フラッシュメモリに空きブロックが存在
する際にはその空きブロックに、また空きブロックが存
在しない場合には書き込みセクタ数が最小のブロックに
対して、変更後の物理セクタを書きこむガーベッジコレ
クション手段を構成することにより、毎回ガーベッジコ
レクションが発生することを極力避けることが可能とな
る。
【0010】請求項4に記載の発明は、FATファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、ブロックの消去回数を管理
する消去回数管理手段と、プログラムやプロセッサ等で
構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段
とを有することにより、ガーベッジコレクションの際は
消去回数が最小のブロックを用いることで、ブロックの
消去回数を平均化するものであり、ガーベッジコレクシ
ョンの際は、ガーベッジコレクションの対象となったブ
ロックの消去回数が予め設定された規定値以上になった
場合に、消去回数が最小のブロックを用いることで、ブ
ロックの消去回数を平均化することが可能となる。
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、ブロックの消去回数を管理
する消去回数管理手段と、プログラムやプロセッサ等で
構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段
とを有することにより、ガーベッジコレクションの際は
消去回数が最小のブロックを用いることで、ブロックの
消去回数を平均化するものであり、ガーベッジコレクシ
ョンの際は、ガーベッジコレクションの対象となったブ
ロックの消去回数が予め設定された規定値以上になった
場合に、消去回数が最小のブロックを用いることで、ブ
ロックの消去回数を平均化することが可能となる。
【0011】請求項5に記載の発明は、FATファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、ブロックの消去回数を管理
する消去回数管理手段と、論理セクタの書換え回数をカ
ウントする書換え回数管理手段と、プログラムやプロセ
ッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する
制御手段とを有することにより、ガーベッジコレクショ
ンの際に書換え頻度の低い論理セクタは消去回数の多い
ブロックに、書換え頻度の高い論理セクタは消去回数の
少ないブロックに配置することで、ブロックの消去回数
を平均化するものであり、ガーベッジコレクションの際
に書換え頻度の低い論理セクタは消去回数の多いブロッ
クに、書換え頻度の高い論理セクタは消去回数の少ない
ブロックに配置することで、ブロックの消去回数を平均
化することが可能となる。
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
(ページ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
NAND型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、ブロックの消去回数を管理
する消去回数管理手段と、論理セクタの書換え回数をカ
ウントする書換え回数管理手段と、プログラムやプロセ
ッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する
制御手段とを有することにより、ガーベッジコレクショ
ンの際に書換え頻度の低い論理セクタは消去回数の多い
ブロックに、書換え頻度の高い論理セクタは消去回数の
少ないブロックに配置することで、ブロックの消去回数
を平均化するものであり、ガーベッジコレクションの際
に書換え頻度の低い論理セクタは消去回数の多いブロッ
クに、書換え頻度の高い論理セクタは消去回数の少ない
ブロックに配置することで、ブロックの消去回数を平均
化することが可能となる。
【0012】請求項6に記載の発明は、請求項1〜3に
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データをNAND型フラッシュメモリ上に記憶し、電源
投入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発
性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
り、アクセス頻度の多い管理領域をNAND型フラッシ
ュメモリと比較してアクセススピードの速い揮発性メモ
リ上に保持することが可能となり、製品のデータ書換え
に関する処理速度が向上する。
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データをNAND型フラッシュメモリ上に記憶し、電源
投入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発
性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
り、アクセス頻度の多い管理領域をNAND型フラッシ
ュメモリと比較してアクセススピードの速い揮発性メモ
リ上に保持することが可能となり、製品のデータ書換え
に関する処理速度が向上する。
【0013】請求項7に記載の発明は、請求項1〜3に
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段の生成に必要なデータを、NAND型フ
ラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記
憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをRAM
などの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成する
ことにより、NAND型フラッシュメモリの使用効率を
高めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理速
度が向上すると同時に、NAND型フラッシュメモリの
使用効率が向上する。
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段の生成に必要なデータを、NAND型フ
ラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記
憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをRAM
などの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成する
ことにより、NAND型フラッシュメモリの使用効率を
高めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理速
度が向上すると同時に、NAND型フラッシュメモリの
使用効率が向上する。
【0014】請求項8に記載の発明は、請求項1〜3に
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データを、NAND型フラッシュメモリ以外の不揮発性
メモリ(例えばプログラム格納用のNOR型フラッシュ
メモリ等)上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することにより、処理速度とNAND型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、N
AND型フラッシュメモリの使用効率が向上する。
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データを、NAND型フラッシュメモリ以外の不揮発性
メモリ(例えばプログラム格納用のNOR型フラッシュ
メモリ等)上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することにより、処理速度とNAND型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、N
AND型フラッシュメモリの使用効率が向上する。
【0015】請求項9に記載の発明は、請求項4に記載
の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック状
態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手段
の生成に必要なデータをNAND型フラッシュメモリ上
に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをR
AMなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成
することにより、処理速度を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上する。
の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック状
態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手段
の生成に必要なデータをNAND型フラッシュメモリ上
に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをR
AMなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成
することにより、処理速度を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上する。
【0016】請求項10に記載の発明は、請求項4に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
を、NAND型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼
ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することにより、処理速度とNAND型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、N
AND型フラッシュメモリの使用効率が向上する。
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
を、NAND型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼
ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することにより、処理速度とNAND型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、N
AND型フラッシュメモリの使用効率が向上する。
【0017】請求項11に記載の発明は、請求項4に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段の生成に必要なデータを、NAND型フラッシュメモ
リやDRAM以外の不揮発性メモリ(例えばプログラム
格納用のNOR型フラッシュメモリ等)上に記憶し、電
源投入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮
発性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
り、処理速度とNAND型フラッシュメモリの使用効率
を高めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理
速度が向上すると同時に、NAND型フラッシュメモリ
の使用効率が向上する。
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段の生成に必要なデータを、NAND型フラッシュメモ
リやDRAM以外の不揮発性メモリ(例えばプログラム
格納用のNOR型フラッシュメモリ等)上に記憶し、電
源投入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮
発性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
り、処理速度とNAND型フラッシュメモリの使用効率
を高めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理
速度が向上すると同時に、NAND型フラッシュメモリ
の使用効率が向上する。
【0018】請求項12に記載の発明は、請求項10に
記載の端末装置において、消去回数管理手段の生成に必
要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回RAMなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成すること
により、NAND型フラッシュメモリの使用効率を高め
るものであり、NAND型フラッシュメモリの使用効率
が向上する。
記載の端末装置において、消去回数管理手段の生成に必
要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回RAMなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成すること
により、NAND型フラッシュメモリの使用効率を高め
るものであり、NAND型フラッシュメモリの使用効率
が向上する。
【0019】請求項13に記載の発明は、請求項5に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータをNAN
D型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステ
ム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成
される記憶手段上に生成することにより、処理速度を高
めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理速度
が向上する。
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータをNAN
D型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステ
ム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成
される記憶手段上に生成することにより、処理速度を高
めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理速度
が向上する。
【0020】請求項14に記載の発明は、請求項5に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段
の生成に必要なデータを、NAND型フラッシュメモリ
の冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入
後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メ
モリで構成される記憶手段上に生成することにより、処
理速度とNAND型フラッシュメモリの使用効率を高め
るものであり、製品のデータ書換えに関する処理速度が
向上すると同時に、NAND型フラッシュメモリの使用
効率が向上する。
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段
の生成に必要なデータを、NAND型フラッシュメモリ
の冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入
後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メ
モリで構成される記憶手段上に生成することにより、処
理速度とNAND型フラッシュメモリの使用効率を高め
るものであり、製品のデータ書換えに関する処理速度が
向上すると同時に、NAND型フラッシュメモリの使用
効率が向上する。
【0021】請求項15に記載の発明は、請求項5に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、NA
ND型フラッシュメモリやDRAM以外の不揮発性メモ
リ上(例えばプログラム格納用のNOR型フラッシュメ
モリ等)に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
れらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
上に生成することにより、処理速度とNAND型フラッ
シュメモリの使用効率を高めるものであり、製品のデー
タ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、NAN
D型フラッシュメモリの使用効率が向上する。
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、NA
ND型フラッシュメモリやDRAM以外の不揮発性メモ
リ上(例えばプログラム格納用のNOR型フラッシュメ
モリ等)に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
れらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
上に生成することにより、処理速度とNAND型フラッ
シュメモリの使用効率を高めるものであり、製品のデー
タ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、NAN
D型フラッシュメモリの使用効率が向上する。
【0022】請求項16に記載の発明は、請求項14に
記載の端末装置において、消去回数管理手段の生成に必
要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回RAMなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成すること
により、処理速度とNAND型フラッシュメモリの使用
効率を高めるものであり、製品のデータ書換えに関する
処理速度が向上すると同時に、NAND型フラッシュメ
モリの使用効率が向上する。
記載の端末装置において、消去回数管理手段の生成に必
要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回RAMなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成すること
により、処理速度とNAND型フラッシュメモリの使用
効率を高めるものであり、製品のデータ書換えに関する
処理速度が向上すると同時に、NAND型フラッシュメ
モリの使用効率が向上する。
【0023】請求項17に記載の発明は、請求項14に
記載の端末装置において、書換え回数管理手段の生成に
必要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に、毎回RAMなど
の揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成するこ
とにより、NAND型フラッシュメモリの使用効率が向
上する。
記載の端末装置において、書換え回数管理手段の生成に
必要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に、毎回RAMなど
の揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成するこ
とにより、NAND型フラッシュメモリの使用効率が向
上する。
【0024】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1〜17におけるNAND型フラッシュメモリの構
成図であって、一般的なNAND型フラッシュメモリを
示すものである。1はNAND型フラッシュメモリ全
体、2はNAND型フラッシュメモリのデータ消去単位
であるブロック、3はアクセスが不可能な不良ブロッ
ク、4はデータの書き込み単位であるページ(セク
タ)、5はページ内の実データが書き込まれる部分であ
るデータ部、6はエラー訂正符号等が格納される冗長セ
ルアレイである。
形態1〜17におけるNAND型フラッシュメモリの構
成図であって、一般的なNAND型フラッシュメモリを
示すものである。1はNAND型フラッシュメモリ全
体、2はNAND型フラッシュメモリのデータ消去単位
であるブロック、3はアクセスが不可能な不良ブロッ
ク、4はデータの書き込み単位であるページ(セク
タ)、5はページ内の実データが書き込まれる部分であ
るデータ部、6はエラー訂正符号等が格納される冗長セ
ルアレイである。
【0025】図2は本発明の実施の形態1〜3における
端末装置の機能ブロック図である。7はFAT(Fil
e Allocation Table)ファイルシス
テムなどの一般的なファイルシステムがデータアクセス
の際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッシュ
メモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位(ペー
ジ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物
理セクタ番号に変換するマッピング管理手段、8はNA
ND型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状
態(ブロック内の空きセクタ数や各物理セクタが有効な
データを保持しているかどうかなど)を管理するブロッ
ク状態管理手段、9は不可能な不良ブロックを管理する
不良ブロック管理手段、10はブロック内の不要なデー
タを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクショ
ン手段、11はプログラムやプロセッサ等で構成され、
端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段である。
端末装置の機能ブロック図である。7はFAT(Fil
e Allocation Table)ファイルシス
テムなどの一般的なファイルシステムがデータアクセス
の際に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッシュ
メモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位(ペー
ジ)ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物
理セクタ番号に変換するマッピング管理手段、8はNA
ND型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状
態(ブロック内の空きセクタ数や各物理セクタが有効な
データを保持しているかどうかなど)を管理するブロッ
ク状態管理手段、9は不可能な不良ブロックを管理する
不良ブロック管理手段、10はブロック内の不要なデー
タを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクショ
ン手段、11はプログラムやプロセッサ等で構成され、
端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段である。
【0026】図3は本発明の実施の形態1〜17におけ
る端末装置のハードウェア構成を示す装置ブロック図で
ある。入力デバイス12は、ペンやマウス等のポインテ
ィングデバイスや、キーボード、テンキー等を使用した
ユーザによるデータの入力を可能にするものである。出
力デバイス13はLCDやディスプレイ等で構成され、
文字や図形等のデータの表示を行う。NAND型フラッ
シュメモリ14はユーザデータや工場設定値等の不揮発
性データが格納される。また、それに加えて中央処理装
置15によって処理実行されるプログラムが格納される
場合もある。プログラム格納メモリ16は各種リードオ
ンリメモリやNOR型フラッシュメモリ等で構成され、
端末装置起動時のハードウェア初期化プログラムである
ブートプログラム等が格納される。ランダムアクセスメ
モリ17には入力装置から読み込んだデータや、プログ
ラムの実行によって作成されるデータ等が格納される。
また、前記NAND型フラッシュメモリ14に格納され
ているプログラムが実行処理のために、ランダムアクセ
スメモリ17上に展開される場合もある。
る端末装置のハードウェア構成を示す装置ブロック図で
ある。入力デバイス12は、ペンやマウス等のポインテ
ィングデバイスや、キーボード、テンキー等を使用した
ユーザによるデータの入力を可能にするものである。出
力デバイス13はLCDやディスプレイ等で構成され、
文字や図形等のデータの表示を行う。NAND型フラッ
シュメモリ14はユーザデータや工場設定値等の不揮発
性データが格納される。また、それに加えて中央処理装
置15によって処理実行されるプログラムが格納される
場合もある。プログラム格納メモリ16は各種リードオ
ンリメモリやNOR型フラッシュメモリ等で構成され、
端末装置起動時のハードウェア初期化プログラムである
ブートプログラム等が格納される。ランダムアクセスメ
モリ17には入力装置から読み込んだデータや、プログ
ラムの実行によって作成されるデータ等が格納される。
また、前記NAND型フラッシュメモリ14に格納され
ているプログラムが実行処理のために、ランダムアクセ
スメモリ17上に展開される場合もある。
【0027】以下、本発明の実施の形態1の動作につい
て説明する。図4は本発明の実施の形態1〜17におけ
るデータリード手順を示すフローチャート、図5は本発
明の実施の形態1〜17におけるデータライト手順を示
すフローチャート、図6は本発明の実施の形態1におけ
るガーベッジコレクション手順を示すフローチャートで
ある。
て説明する。図4は本発明の実施の形態1〜17におけ
るデータリード手順を示すフローチャート、図5は本発
明の実施の形態1〜17におけるデータライト手順を示
すフローチャート、図6は本発明の実施の形態1におけ
るガーベッジコレクション手順を示すフローチャートで
ある。
【0028】図4は端末装置がNAND型フラッシュメ
モリからデータをリードする手順である。ステップS1
では、論理セクタのリードが生じた場合、マッピング管
理手段7で実現されるマッピングテーブルを参照する。
ステップS2では、マッピングテーブルを参照すること
により、指定された論理セクタが格納されている物理セ
クタが存在しているかどうか判断する。もし存在してい
る場合はステップS3に進むが、そうでない場合はステ
ップS4に進み、エラーをセットして処理を終了する。
モリからデータをリードする手順である。ステップS1
では、論理セクタのリードが生じた場合、マッピング管
理手段7で実現されるマッピングテーブルを参照する。
ステップS2では、マッピングテーブルを参照すること
により、指定された論理セクタが格納されている物理セ
クタが存在しているかどうか判断する。もし存在してい
る場合はステップS3に進むが、そうでない場合はステ
ップS4に進み、エラーをセットして処理を終了する。
【0029】図5は端末装置がNAND型フラッシュメ
モリからデータをライトする手順である。論理セクタの
ライトが生じた場合、ステップS5では指定された論理
セクタが範囲内かどうかチェックする。論理セクタが範
囲内であればステップS6に進むが、そうでない場合は
ステップS7に進み、エラーをセットした後で処理を終
了する。
モリからデータをライトする手順である。論理セクタの
ライトが生じた場合、ステップS5では指定された論理
セクタが範囲内かどうかチェックする。論理セクタが範
囲内であればステップS6に進むが、そうでない場合は
ステップS7に進み、エラーをセットした後で処理を終
了する。
【0030】ステップS6では、指定された論理セクタ
に対応する物理セクタが、すでにマッピングテーブル内
に存在しているかどうか、すなわちデータの更新か、そ
れともデータの新規作成かを判定する。もし存在してい
る場合はステップS8に進み、そうでない場合はステッ
プS17に進む。
に対応する物理セクタが、すでにマッピングテーブル内
に存在しているかどうか、すなわちデータの更新か、そ
れともデータの新規作成かを判定する。もし存在してい
る場合はステップS8に進み、そうでない場合はステッ
プS17に進む。
【0031】ステップS8では、マッピングテーブルを
参照し、対応する物理セクタ数取得する。ステップS9
では、ステップS8で取得した物理セクタ数から、その
物理セクタがどのブロックに存在するものなのか、ブロ
ックの特定を行う。ステップS10では、特定されたブ
ロック内に空き物理セクタが存在するかどうか、ブロッ
ク状態管理手段8で実現されるブロック状態管理テーブ
ルの探索を行う。ステップS11では、ステップS10
の結果、空き物理セクタが存在するかどうかの判定を行
う。空き物理セクタが発見された場合にはステップS1
2に、そうでない場合にはステップS13のガーベッジ
コレクション処理を実行する。
参照し、対応する物理セクタ数取得する。ステップS9
では、ステップS8で取得した物理セクタ数から、その
物理セクタがどのブロックに存在するものなのか、ブロ
ックの特定を行う。ステップS10では、特定されたブ
ロック内に空き物理セクタが存在するかどうか、ブロッ
ク状態管理手段8で実現されるブロック状態管理テーブ
ルの探索を行う。ステップS11では、ステップS10
の結果、空き物理セクタが存在するかどうかの判定を行
う。空き物理セクタが発見された場合にはステップS1
2に、そうでない場合にはステップS13のガーベッジ
コレクション処理を実行する。
【0032】ステップS12では、発見された空き物理
セクタに、実際にデータを書きこむ。ステップS14で
は、ブロック状態管理テーブル内の、前の物理セクタの
不要フラグをセットする。ステップS15では、ブロッ
ク内の物理セクタの状態などを管理する、ブロック状態
管理テーブルの変更を行う。ステップS16では、マッ
ピングテーブルの変更を行い、処理を終了する。
セクタに、実際にデータを書きこむ。ステップS14で
は、ブロック状態管理テーブル内の、前の物理セクタの
不要フラグをセットする。ステップS15では、ブロッ
ク内の物理セクタの状態などを管理する、ブロック状態
管理テーブルの変更を行う。ステップS16では、マッ
ピングテーブルの変更を行い、処理を終了する。
【0033】一方、ステップS17では、全くデータが
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プS18では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
S20に進み、空きブロックの物理セクタに対しデータ
の書込みを行う。空きブロックが発見されなかった場合
には、ステップS19に進む。ステップS19では、空
き物理セクタが存在するブロックを探索する。ステップ
S21では、空き物理セクタが存在するブロックが発見
されたかどうかの判定を、ブロック状態管理テーブルを
用いて行う。もし、空き物理セクタが存在するブロック
が発見された場合にはステップS22にすすむが、そう
でない場合にはステップS23に進み、エラーセット後
に処理を終了する。ステップS22では、ブロック状態
管理テーブルにより、発見されたブロック内で空き物理
セクタを探索する。ステップS24では、ステップS2
2で検出された空き物理セクタにデータの書込みを行
い、ステップS15に進む。
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プS18では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
S20に進み、空きブロックの物理セクタに対しデータ
の書込みを行う。空きブロックが発見されなかった場合
には、ステップS19に進む。ステップS19では、空
き物理セクタが存在するブロックを探索する。ステップ
S21では、空き物理セクタが存在するブロックが発見
されたかどうかの判定を、ブロック状態管理テーブルを
用いて行う。もし、空き物理セクタが存在するブロック
が発見された場合にはステップS22にすすむが、そう
でない場合にはステップS23に進み、エラーセット後
に処理を終了する。ステップS22では、ブロック状態
管理テーブルにより、発見されたブロック内で空き物理
セクタを探索する。ステップS24では、ステップS2
2で検出された空き物理セクタにデータの書込みを行
い、ステップS15に進む。
【0034】図6はガーベッジコレクション処理の手順
である。ステップS25は、システムがアイドル状態か
どうか判定する。もしアイドル状態であればステップS
26に進むが、アイドル状態でなければ、ステップS2
5に戻り、システムがアイドル状態になるのを待つ。ス
テップS26では、ブロック状態管理テーブルを参照
し、ガーベッジコレクションが行われるブロック内の物
理セクタのうち、不要フラグがセットされていないセク
タを検出、そのセクタをRAM上のバッファにコピーす
る。ステップS27では、必要に応じてRAMのバッフ
ァの内容を適切に書き換えた後、NAND型フラッシュ
メモリ上のガーベッジコレクション用の入れ替えブロッ
クにデータを書きこむ。ステップS28では、ガーベッ
ジコレクションの対象となったブロックをイレースす
る。ステップS29では、マッピングテーブルの変更を
行う。
である。ステップS25は、システムがアイドル状態か
どうか判定する。もしアイドル状態であればステップS
26に進むが、アイドル状態でなければ、ステップS2
5に戻り、システムがアイドル状態になるのを待つ。ス
テップS26では、ブロック状態管理テーブルを参照
し、ガーベッジコレクションが行われるブロック内の物
理セクタのうち、不要フラグがセットされていないセク
タを検出、そのセクタをRAM上のバッファにコピーす
る。ステップS27では、必要に応じてRAMのバッフ
ァの内容を適切に書き換えた後、NAND型フラッシュ
メモリ上のガーベッジコレクション用の入れ替えブロッ
クにデータを書きこむ。ステップS28では、ガーベッ
ジコレクションの対象となったブロックをイレースす
る。ステップS29では、マッピングテーブルの変更を
行う。
【0035】(実施の形態2)以下、本発明の実施の形
態2を説明する。図7は本発明の実施の形態2における
ガーベッジコレクション手順を示すフローチャートであ
る。ステップS30では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロック内で有効な物理セクタ(不要フラグ
がセットされていない物理セクタ)が予め設定された規
定値以上存在しているかどうかを判断する。もし、規定
値以上存在している場合にはステップS32へ、そうで
ない場合にはステップS31へ進む。
態2を説明する。図7は本発明の実施の形態2における
ガーベッジコレクション手順を示すフローチャートであ
る。ステップS30では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロック内で有効な物理セクタ(不要フラグ
がセットされていない物理セクタ)が予め設定された規
定値以上存在しているかどうかを判断する。もし、規定
値以上存在している場合にはステップS32へ、そうで
ない場合にはステップS31へ進む。
【0036】ステップS31では、ブロック状態管理テ
ーブルを参照し、ガーベッジコレクションが行われるブ
ロック内の物理セクタのうち、不要フラグがセットされ
ていないセクタを検出、そのセクタをRAM上のバッフ
ァにコピーする。ステップS33では、必要に応じてR
AMのバッファの内容を適切に書き換えた後、NAND
型フラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入
れ替えブロックにデータを書きこむ。ステップS34で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックを
イレースする。ステップS35では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。
ーブルを参照し、ガーベッジコレクションが行われるブ
ロック内の物理セクタのうち、不要フラグがセットされ
ていないセクタを検出、そのセクタをRAM上のバッフ
ァにコピーする。ステップS33では、必要に応じてR
AMのバッファの内容を適切に書き換えた後、NAND
型フラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入
れ替えブロックにデータを書きこむ。ステップS34で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックを
イレースする。ステップS35では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。
【0037】一方、ステップS32では、全くデータが
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プS36では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
S37に進み、空きブロックが発見されなかった場合に
は、ステップS31に進む。ステップS37では、空き
ブロックの物理セクタに対して、書込み対象となってい
るデータのみを書きこむ。ステップS38では、この論
理セクタが以前に格納されていた物理セクタの不要フラ
グをセットする。
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プS36では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
S37に進み、空きブロックが発見されなかった場合に
は、ステップS31に進む。ステップS37では、空き
ブロックの物理セクタに対して、書込み対象となってい
るデータのみを書きこむ。ステップS38では、この論
理セクタが以前に格納されていた物理セクタの不要フラ
グをセットする。
【0038】(実施の形態3)以下、本発明の実施の形
態3を説明する。図8は本発明の実施の形態3における
ガーベッジコレクション手順を示すフローチャートであ
る。ステップS39では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロック内で有効な物理セクタ(不要フラグ
がセットされていない物理セクタ)が予め設定された規
定値以上存在しているかどうかを判断する。もし、規定
値以上存在している場合にはステップS41へ、そうで
ない場合にはステップS40へ進む。
態3を説明する。図8は本発明の実施の形態3における
ガーベッジコレクション手順を示すフローチャートであ
る。ステップS39では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロック内で有効な物理セクタ(不要フラグ
がセットされていない物理セクタ)が予め設定された規
定値以上存在しているかどうかを判断する。もし、規定
値以上存在している場合にはステップS41へ、そうで
ない場合にはステップS40へ進む。
【0039】ステップS40では、ブロック状態管理テ
ーブルを参照し、ガーベッジコレクションが行われるブ
ロック内の物理セクタのうち、不要フラグがセットされ
ていないセクタを検出、そのセクタをRAM上のバッフ
ァにコピーする。ステップS42では、必要に応じてR
AMのバッファの内容を適切に書き換えた後、NAND
型フラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入
れ替えブロックにデータを書きこむ。ステップS43で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックを
イレースする。ステップS44では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。
ーブルを参照し、ガーベッジコレクションが行われるブ
ロック内の物理セクタのうち、不要フラグがセットされ
ていないセクタを検出、そのセクタをRAM上のバッフ
ァにコピーする。ステップS42では、必要に応じてR
AMのバッファの内容を適切に書き換えた後、NAND
型フラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入
れ替えブロックにデータを書きこむ。ステップS43で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックを
イレースする。ステップS44では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。
【0040】一方、ステップS41では、全くデータが
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プS45では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
S46に進み、空きブロックが発見されなかった場合に
は、ステップS47に進む。ステップS46では、空き
ブロックの物理セクタに対して、書込み対象となってい
るデータのみを書きこむ。ステップS48では、この論
理セクタが以前に格納されていた物理セクタの不要フラ
グをセットする。一方、ステップS47では、書き込み
セクタ数が最小のブロックを探索する。ステップS49
では、探索の結果、検出されたブロックに対して書き込
み対象となっているデータのみを書きこむ。
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プS45では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
S46に進み、空きブロックが発見されなかった場合に
は、ステップS47に進む。ステップS46では、空き
ブロックの物理セクタに対して、書込み対象となってい
るデータのみを書きこむ。ステップS48では、この論
理セクタが以前に格納されていた物理セクタの不要フラ
グをセットする。一方、ステップS47では、書き込み
セクタ数が最小のブロックを探索する。ステップS49
では、探索の結果、検出されたブロックに対して書き込
み対象となっているデータのみを書きこむ。
【0041】(実施の形態4)図9は本発明の実施の形
態4における端末装置の機能を示す機能ブロック図、図
10は本発明の実施の形態4におけるガーベッジコレク
ション手順を示すフローチャートである。
態4における端末装置の機能を示す機能ブロック図、図
10は本発明の実施の形態4におけるガーベッジコレク
ション手順を示すフローチャートである。
【0042】図9において、18はFAT(File
Allocation Table)ファイルシステム
などの一般的なファイルシステムがデータアクセスの際
に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッシュメモ
リ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位(ページ)
ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物理セ
クタ番号に変換するマッピング管理手段、19はNAN
D型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状態
(ブロック内の空きセクタ数や各物理セクタが有効なデ
ータを保持しているかどうかなど)を管理するブロック
状態管理手段、20は不可能な不良ブロックを管理する
不良ブロック管理手段、21はブロック内の不要なデー
タを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクショ
ン手段、22は各ブロックの消去回数を管理する消去回
数管理手段、23はプログラムやプロセッサ等で構成さ
れ、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段であ
る。
Allocation Table)ファイルシステム
などの一般的なファイルシステムがデータアクセスの際
に用いる論理セクタ番号を、NAND型フラッシュメモ
リ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位(ページ)
ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物理セ
クタ番号に変換するマッピング管理手段、19はNAN
D型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状態
(ブロック内の空きセクタ数や各物理セクタが有効なデ
ータを保持しているかどうかなど)を管理するブロック
状態管理手段、20は不可能な不良ブロックを管理する
不良ブロック管理手段、21はブロック内の不要なデー
タを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクショ
ン手段、22は各ブロックの消去回数を管理する消去回
数管理手段、23はプログラムやプロセッサ等で構成さ
れ、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段であ
る。
【0043】以下、本発明の実施の形態4の動作につい
て、ガーベッジコレクション手順を示すフローチャート
である図10をもとに説明する。ステップS45では、
ブロック状態管理テーブルを参照し、ガーベッジコレク
ションが行われるブロック内の物理セクタのうち、不要
フラグがセットされていないセクタを検出、そのセクタ
をRAM上のバッファにコピーする。ステップS46で
は、必要に応じてRAMのバッファの内容を適切に書き
換えた後、NAND型フラッシュメモリ上のガーベッジ
コレクション用の入れ替えブロックにデータを書きこ
む。ステップS47では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロックをイレースする。ステップS48で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックの
消去回数をインクリメントする。ステップS49では、
ガーベッジコレクションの対象となったブロックの消去
回数が、予め設定された規定値を上回ったかどうか判定
する。もし規定値以上である場合はステップS50に進
み、そうでない場合はステップS51に進む。検出され
たブロックに対して書き込み対象となっているデータの
みを書きこむ。ステップS51では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。
て、ガーベッジコレクション手順を示すフローチャート
である図10をもとに説明する。ステップS45では、
ブロック状態管理テーブルを参照し、ガーベッジコレク
ションが行われるブロック内の物理セクタのうち、不要
フラグがセットされていないセクタを検出、そのセクタ
をRAM上のバッファにコピーする。ステップS46で
は、必要に応じてRAMのバッファの内容を適切に書き
換えた後、NAND型フラッシュメモリ上のガーベッジ
コレクション用の入れ替えブロックにデータを書きこ
む。ステップS47では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロックをイレースする。ステップS48で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックの
消去回数をインクリメントする。ステップS49では、
ガーベッジコレクションの対象となったブロックの消去
回数が、予め設定された規定値を上回ったかどうか判定
する。もし規定値以上である場合はステップS50に進
み、そうでない場合はステップS51に進む。検出され
たブロックに対して書き込み対象となっているデータの
みを書きこむ。ステップS51では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。
【0044】一方、ステップS50では消去回数管理手
段22を用いて、消去回数が最低のブロックを探索す
る。ステップS52では、ブロック状態管理テーブルを
参照し、消去回数が最低のブロック内の物理セクタのう
ち、不要フラグがセットされていないセクタを検出、そ
のセクタをRAM上のバッファにコピーする。ステップ
S53では、必要に応じてRAMのバッファの内容を適
切に書き換えた後、ステップS47においてイレースさ
れたブロックにデータを書きこむ。ステップS54で
は、消去回数が最低のブロックのイレースを行い、この
ブロックをガーベッジコレクション用の入れ替えブロッ
クとする。ステップS55では、このブロックの消去回
数をインクリメントする。
段22を用いて、消去回数が最低のブロックを探索す
る。ステップS52では、ブロック状態管理テーブルを
参照し、消去回数が最低のブロック内の物理セクタのう
ち、不要フラグがセットされていないセクタを検出、そ
のセクタをRAM上のバッファにコピーする。ステップ
S53では、必要に応じてRAMのバッファの内容を適
切に書き換えた後、ステップS47においてイレースさ
れたブロックにデータを書きこむ。ステップS54で
は、消去回数が最低のブロックのイレースを行い、この
ブロックをガーベッジコレクション用の入れ替えブロッ
クとする。ステップS55では、このブロックの消去回
数をインクリメントする。
【0045】(実施の形態5)図11は本発明の実施の
形態5における端末装置の機能を示す機能ブロック図、
図12は本発明の実施の形態5におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャートである。
形態5における端末装置の機能を示す機能ブロック図、
図12は本発明の実施の形態5におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャートである。
【0046】24はマッピング管理手段、25はブロッ
ク状態管理手段、26は不可能な不良ブロックを管理す
る不良ブロック管理手段、27はブロック内の不要なデ
ータを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクシ
ョン手段、28は各ブロックの消去回数を管理する消去
回数管理手段、29は各論理セクタの書換え回数を管理
する書換え回数管理手段、30はプログラムやプロセッ
サ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制
御手段である。
ク状態管理手段、26は不可能な不良ブロックを管理す
る不良ブロック管理手段、27はブロック内の不要なデ
ータを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクシ
ョン手段、28は各ブロックの消去回数を管理する消去
回数管理手段、29は各論理セクタの書換え回数を管理
する書換え回数管理手段、30はプログラムやプロセッ
サ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制
御手段である。
【0047】以下、本発明の実施の形態5の動作につい
て、ガーベッジコレクション手順を示すフローチャート
である図12をもとに説明する。ステップS56では、
書換え回数管理手段29により、対象となる論理セクタ
の書換え頻度が高いかどうかを判定する。書換え頻度が
高い場合にはステップS57に進むが、そうでない場合
にはステップS58に進む。ステップS58では、対象
となる論理セクタの書換え頻度が低いかどうかを判定す
る。書換え頻度が低い場合にはステップS59に進む
が、そうでない場合にはステップS60に進む。ステッ
プS60では、ブロック状態管理テーブルを参照し、ガ
ーベッジコレクションが行われるブロック内の物理セク
タのうち、不要フラグがセットされていないセクタを検
出、そのセクタをRAM上のバッファにコピーする。
て、ガーベッジコレクション手順を示すフローチャート
である図12をもとに説明する。ステップS56では、
書換え回数管理手段29により、対象となる論理セクタ
の書換え頻度が高いかどうかを判定する。書換え頻度が
高い場合にはステップS57に進むが、そうでない場合
にはステップS58に進む。ステップS58では、対象
となる論理セクタの書換え頻度が低いかどうかを判定す
る。書換え頻度が低い場合にはステップS59に進む
が、そうでない場合にはステップS60に進む。ステッ
プS60では、ブロック状態管理テーブルを参照し、ガ
ーベッジコレクションが行われるブロック内の物理セク
タのうち、不要フラグがセットされていないセクタを検
出、そのセクタをRAM上のバッファにコピーする。
【0048】ステップS61では、必要に応じてRAM
のバッファの内容を適切に書き換えた後、NAND型フ
ラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入れ替
えブロックにデータを書きこむ。ステップS62では、
ガーベッジコレクションの対象となったブロックをイレ
ースする。ステップS63では、ガーベッジコレクショ
ンの対象となったブロックの消去回数をインクリメント
する。ステップS64では、マッピングテーブルの変更
を行う。
のバッファの内容を適切に書き換えた後、NAND型フ
ラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入れ替
えブロックにデータを書きこむ。ステップS62では、
ガーベッジコレクションの対象となったブロックをイレ
ースする。ステップS63では、ガーベッジコレクショ
ンの対象となったブロックの消去回数をインクリメント
する。ステップS64では、マッピングテーブルの変更
を行う。
【0049】一方、ステップS57では、消去回数が低
く、かつ、空き物理セクタが存在するブロックを探索す
る。ステップS59では、消去回数が高く、かつ、空き
物理セクタが存在するブロックを探索する。ステップS
65では、それぞれ検出されたブロックの空き物理セク
タに対してデータの書込みを行う。ステップS66で
は、対象となった論理セクタの書換え回数をインクリメ
ントする。ステップS67では、この論理セクタが以前
に格納されていた物理セクタの不要フラグをセットす
る。
く、かつ、空き物理セクタが存在するブロックを探索す
る。ステップS59では、消去回数が高く、かつ、空き
物理セクタが存在するブロックを探索する。ステップS
65では、それぞれ検出されたブロックの空き物理セク
タに対してデータの書込みを行う。ステップS66で
は、対象となった論理セクタの書換え回数をインクリメ
ントする。ステップS67では、この論理セクタが以前
に格納されていた物理セクタの不要フラグをセットす
る。
【0050】(実施の形態6)実施の形態1〜3に記載
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データをNAND型フラッシュメモリ上に記憶し、電源
投入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発
性メモリで構成される記憶手段上に生成する。
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データをNAND型フラッシュメモリ上に記憶し、電源
投入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発
性メモリで構成される記憶手段上に生成する。
【0051】(実施の形態7)実施の形態1〜3に記載
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段の生成に必要なデータを、NAND型フ
ラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記
憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをRAM
などの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成す
る。
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段の生成に必要なデータを、NAND型フ
ラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記
憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをRAM
などの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成す
る。
【0052】(実施の形態8)実施の形態1〜3に記載
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データを、NAND型フラッシュメモリ以外の不揮発性
メモリ(例えばプログラム格納用のNOR型フラッシュ
メモリ等)上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成する。
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データを、NAND型フラッシュメモリ以外の不揮発性
メモリ(例えばプログラム格納用のNOR型フラッシュ
メモリ等)上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成する。
【0053】(実施の形態9)実施の形態4に記載の端
末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック状
態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手段
の生成に必要なデータをNAND型フラッシュメモリ上
に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをR
AMなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成
する。
末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック状
態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手段
の生成に必要なデータをNAND型フラッシュメモリ上
に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをR
AMなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成
する。
【0054】(実施の形態10)実施の形態4に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
を、NAND型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼
ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成する。
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
を、NAND型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼
ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成する。
【0055】(実施の形態11)実施の形態4に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段の生成に必要なデータを、NAND型フラッシュメモ
リやDRAM以外の不揮発性メモリ(例えばプログラム
格納用のNOR型フラッシュメモリ等)上に記憶し、電
源投入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮
発性メモリで構成される記憶手段上に生成する。
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段の生成に必要なデータを、NAND型フラッシュメモ
リやDRAM以外の不揮発性メモリ(例えばプログラム
格納用のNOR型フラッシュメモリ等)上に記憶し、電
源投入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮
発性メモリで構成される記憶手段上に生成する。
【0056】(実施の形態12)実施の形態10に記載
の端末装置において、特に消去回数管理手段の生成に必
要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回RAMなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。
の端末装置において、特に消去回数管理手段の生成に必
要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回RAMなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。
【0057】(実施の形態13)実施の形態5に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータをNAN
D型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステ
ム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成
される記憶手段上に生成する。
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータをNAN
D型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステ
ム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成
される記憶手段上に生成する。
【0058】(実施の形態14)実施の形態5に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段
の生成に必要なデータを、NAND型フラッシュメモリ
の冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入
後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メ
モリで構成される記憶手段上に生成する。
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段
の生成に必要なデータを、NAND型フラッシュメモリ
の冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入
後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メ
モリで構成される記憶手段上に生成する。
【0059】(実施の形態15)実施の形態5に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、NA
ND型フラッシュメモリやDRAM以外の不揮発性メモ
リ上(例えばプログラム格納用のNOR型フラッシュメ
モリ等)に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
れらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
上に生成する。
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、NA
ND型フラッシュメモリやDRAM以外の不揮発性メモ
リ上(例えばプログラム格納用のNOR型フラッシュメ
モリ等)に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
れらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
上に生成する。
【0060】(実施の形態16)実施の形態14に記載
の端末装置において、特に消去回数管理手段の生成に必
要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回RAMなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。
の端末装置において、特に消去回数管理手段の生成に必
要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回RAMなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。
【0061】(実施の形態17)実施の形態14に記載
の端末装置において、特に書換え回数管理手段の生成に
必要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に、毎回RAMなど
の揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。
の端末装置において、特に書換え回数管理手段の生成に
必要なデータはNAND型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に、毎回RAMなど
の揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。
【0062】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、NAND
型フラッシュメモリを搭載した端末装置において、NA
ND型フラッシュメモリ上の特定の領域に書換えが集中
するのを防ぎ、NAND型フラッシュメモリ全体に書換
え頻度を分散させることが可能となる。また、書換えが
発生した際には、そのブロック内の空き領域に逐次デー
タを書き込むことにより、ブロックの書換え回数を極力
減少させる。これにより、製品のデータ書換えに関する
処理速度を向上させることが可能となる。
型フラッシュメモリを搭載した端末装置において、NA
ND型フラッシュメモリ上の特定の領域に書換えが集中
するのを防ぎ、NAND型フラッシュメモリ全体に書換
え頻度を分散させることが可能となる。また、書換えが
発生した際には、そのブロック内の空き領域に逐次デー
タを書き込むことにより、ブロックの書換え回数を極力
減少させる。これにより、製品のデータ書換えに関する
処理速度を向上させることが可能となる。
【図1】本発明の実施の形態1〜17におけるNAND
型フラッシュメモリの構成図
型フラッシュメモリの構成図
【図2】本発明の実施の形態1〜3における端末装置の
機能ブロック図
機能ブロック図
【図3】本発明の実施の形態1〜17における端末装置
のハードウェア構成を示す装置ブロック図
のハードウェア構成を示す装置ブロック図
【図4】本発明の実施の形態1〜17におけるデータリ
ード手順を示すフローチャート
ード手順を示すフローチャート
【図5】本発明の実施の形態1〜17におけるデータラ
イト手順を示すフローチャート
イト手順を示すフローチャート
【図6】本発明の実施の形態1におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャート
クション手順を示すフローチャート
【図7】本発明の実施の形態2におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャート
クション手順を示すフローチャート
【図8】本発明の実施の形態3におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャート
クション手順を示すフローチャート
【図9】本発明の実施の形態4における端末装置の機能
を示す機能ブロック図
を示す機能ブロック図
【図10】本発明の実施の形態4におけるガーベッジコ
レクション手順を示すフローチャート
レクション手順を示すフローチャート
【図11】本発明の実施の形態5における端末装置の機
能を示す機能ブロック図
能を示す機能ブロック図
【図12】本発明の実施の形態5におけるガーベッジコ
レクション手順を示すフローチャート
レクション手順を示すフローチャート
1 NAND型フラッシュメモリ全体 2 ブロック 3 不良ブロック 4 ページ(セクタ) 5 データ部 6 冗長セルアレイ 7 マッピング管理手段 8 ブロック状態管理手段 9 不良ブロック管理手段 10 ガーベッジコレクション手段 11 制御手段 12 入力デバイス 13 出力デバイス 14 NAND型フラッシュメモリ 15 中央処理装置 16 プログラム格納メモリ 17 ランダムアクセスメモリ 18 マッピング管理手段 19 ブロック状態管理手段 20 不良ブロック管理手段 21 ガーベッジコレクション手段 22 消去回数管理手段 23 制御手段 24 マッピング管理手段 25 ブロック状態管理手段 26 不良ブロック管理手段 27 ガーベッジコレクション手段 28 消去回数管理手段 29 書換え回数管理手段 30 制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11C 16/04 G11C 17/00 601C 29/00 601 612Z 622E
Claims (17)
- 【請求項1】FATファイルシステムなどの一般的なフ
ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
タ番号を、NAND型フラッシュメモリ上のデータ記憶
領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
グ管理手段と、NAND型フラッシュメモリの消去単位
であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
数や各セクタが有効なデータを保持しているかどうかな
どの状態を管理するブロック状態管理手段と、アクセス
不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理手段
と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミングで消
去するガーベッジコレクション手段と、プログラムやプ
ロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御
する制御手段とを有する端末装置であって、システムが
アイドルの間にブロック内の不要なデータを消去するよ
うにガーベッジコレクション手段を構成することによ
り、システム使用中の負荷を削減することを特徴とする
端末装置。 - 【請求項2】FATファイルシステムなどの一般的なフ
ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
タ番号を、NAND型フラッシュメモリ上のデータ記憶
領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
グ管理手段と、NAND型フラッシュメモリの消去単位
であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
数や各物理セクタが有効なデータを保持しているかどう
かなどの状態を管理するブロック状態管理手段と、アク
セス不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理
手段と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミング
で消去するガーベッジコレクション手段と、プログラム
やプロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを
制御する制御手段とを有する端末装置であって、ガーベ
ッジコレクションが必要なブロック内の有効なデータが
ある規定値以上存在する場合、フラッシュメモリ内の空
きブロックに変更後の物理セクタを書きこむガーベッジ
コレクション手段を構成することにより、毎回ガーベッ
ジコレクションが発生することを避けることを特徴とす
る端末装置。 - 【請求項3】FATファイルシステムなどの一般的なフ
ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
タ番号を、NAND型フラッシュメモリ上のデータ記憶
領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
グ管理手段と、NAND型フラッシュメモリの消去単位
であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
数や各物理セクタが有効なデータを保持しているかどう
かなどの状態を管理するブロック状態管理手段と、アク
セス不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理
手段と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミング
で消去するガーベッジコレクション手段と、プログラム
やプロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを
制御する制御手段とを有する端末装置であって、ガーベ
ッジコレクションが必要なブロック内の有効なデータが
ある規定値以上存在する場合、フラッシュメモリに空き
ブロックが存在する際にはその空きブロックに、また空
きブロックが存在しない場合には書き込みセクタ数が最
小のブロックに対して、変更後の物理セクタを書きこむ
ガーベッジコレクション手段を構成することにより、毎
回ガーベッジコレクションが発生することを避けること
を特徴とする端末装置。 - 【請求項4】FATファイルシステムなどの一般的なフ
ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
タ番号を、NAND型フラッシュメモリ上のデータ記憶
領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
グ管理手段と、NAND型フラッシュメモリの消去単位
であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
数や各物理セクタが有効なデータを保持しているかどう
かなどの状態を管理するブロック状態管理手段と、アク
セス不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理
手段と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミング
で消去するガーベッジコレクション手段と、ブロックの
消去回数を管理する消去回数管理手段と、プログラムや
プロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制
御する制御手段とを有することにより、ガーベッジコレ
クションの際は消去回数が最小のブロックを用いること
で、ブロックの消去回数を平均化することを特徴とする
端末装置。 - 【請求項5】FATファイルシステムなどの一般的なフ
ァイルシステムがデータアクセスの際に用いる論理セク
タ番号を、NAND型フラッシュメモリ上のデータ記憶
領域に対して書き込み単位ごとに割り振られたシーケン
シャルな番号である物理セクタ番号に変換するマッピン
グ管理手段と、NAND型フラッシュメモリの消去単位
であるブロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ
数や各物理セクタが有効なデータを保持しているかどう
かなどの状態を管理するブロック状態管理手段と、アク
セス不可能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理
手段と、ブロック内の不要なデータを一定のタイミング
で消去するガーベッジコレクション手段と、ブロックの
消去回数を管理する消去回数管理手段と、論理セクタの
書換え回数をカウントする書換え回数管理手段と、プロ
グラムやプロセッサ等で構成され、端末装置全体の振る
舞いを制御する制御手段とを有することにより、ガーベ
ッジコレクションの際に書換え頻度の低い論理セクタは
消去回数の多いブロックに、書換え頻度の高い論理セク
タは消去回数の少ないブロックに配置することで、ブロ
ックの消去回数を平均化することを特徴とする端末装
置。 - 【請求項6】請求項1〜3に記載の端末装置において、
マッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロ
ック管理手段の生成に必要なデータをNAND型フラッ
シュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することを特徴とする端末装置。 - 【請求項7】請求項1〜3に記載の端末装置において、
マッピング管理手段、ブロック状態管理手段の生成に必
要なデータを、NAND型フラッシュメモリの冗長セル
アレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステ
ム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成
される記憶手段上に生成することにより、NAND型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端
末装置。 - 【請求項8】請求項1〜3に記載の端末装置において、
マッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロ
ック管理手段の生成に必要なデータを、NAND型フラ
ッシュメモリ以外の不揮発性メモリ上に記憶し、電源投
入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性
メモリで構成される記憶手段上に生成することにより、
処理速度とNAND型フラッシュメモリの使用効率を高
めることを特徴とする端末装置。 - 【請求項9】請求項4に記載の端末装置において、マッ
ピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロック
管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータをN
AND型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシ
ステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性メモリで
構成される記憶手段上に生成することにより、処理速度
を高めることを特徴とする端末装置。 - 【請求項10】請求項4に記載の端末装置において、マ
ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、消去回数管
理手段の生成に必要なデータを、NAND型フラッシュ
メモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電
源投入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮
発性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
り、処理速度とNAND型フラッシュメモリの使用効率
を高めることを特徴とする端末装置。 - 【請求項11】請求項4に記載の端末装置において、マ
ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロッ
ク管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
を、NAND型フラッシュメモリやDRAM以外の不揮
発性メモリ上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することにより、処理速度とNAND型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端
末装置。 - 【請求項12】請求項10に記載の端末装置において、
消去回数管理手段の生成に必要なデータはNAND型フ
ラッシュメモリ上に置かずに、電源投入後のシステム初
期化時に毎回RAMなどの揮発性メモリで構成される記
憶メモリ上に生成することにより、NAND型フラッシ
ュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端末装
置。 - 【請求項13】請求項5に記載の端末装置において、マ
ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロッ
ク管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段の
生成に必要なデータをNAND型フラッシュメモリ上に
記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをRA
Mなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成す
ることにより、処理速度を高めることを特徴とする端末
装置。 - 【請求項14】請求項5に記載の端末装置において、マ
ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、消去回数管
理手段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、
NAND型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれ
る冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
れらをRAMなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
上に生成することにより、処理速度とNAND型フラッ
シュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端末装
置。 - 【請求項15】請求項5に記載の端末装置において、マ
ッピング管理手段、ブロック状態管理手段、不良ブロッ
ク管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段の
生成に必要なデータを、NAND型フラッシュメモリや
DRAM以外の不揮発性メモリ上(例えばプログラム格
納用のNOR型フラッシュメモリ等)に記憶し、電源投
入後のシステム初期化時にそれらをRAMなどの揮発性
メモリで構成される記憶手段上に生成することにより、
処理速度とNAND型フラッシュメモリの使用効率を高
めることを特徴とする端末装置。 - 【請求項16】請求項14に記載の端末装置において、
消去回数管理手段の生成に必要なデータはNAND型フ
ラッシュメモリ上に置かずに、電源投入後のシステム初
期化時に毎回RAMなどの揮発性メモリで構成される記
憶メモリ上に生成することにより、処理速度とNAND
型フラッシュメモリの使用効率を高めることを特徴とす
る端末装置。 - 【請求項17】請求項14に記載の端末装置において、
書換え回数管理手段の生成に必要なデータはNAND型
フラッシュメモリ上に置かずに、電源投入後のシステム
初期化時に、毎回RAMなどの揮発性メモリで構成され
る記憶メモリ上に生成することにより、NAND型フラ
ッシュメモリの使用効率を高めることを特徴とする端末
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000218536A JP2002032256A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 端末装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000218536A JP2002032256A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 端末装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002032256A true JP2002032256A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18713464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000218536A Pending JP2002032256A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 端末装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002032256A (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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