JP2002030016A - 側鎖を有するジまたはトリアセチレン化合物、それを含む液晶組成物、およびそれを用いた液晶素子 - Google Patents
側鎖を有するジまたはトリアセチレン化合物、それを含む液晶組成物、およびそれを用いた液晶素子Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】屈折率異方性が大きく、他の液晶と混合し易い
新規なジ／トリアセチレン化合物、その製造法とそれを
用いた液晶組成物およびこれを用いた光シャッターや表
示素子など使用の液晶素子を提供する。 【解決手段】一般式１のジ／トリアセチレン化合物。 ［Ａ1〜Ａ12は独立にＨ、Ｆ又はＦで置換されてもよい
Ｃ１〜１０アルキル／アルコキシ、ｎは０又は１、Ｒ1
とＲ2は独立にＨ、Ｆ、ＣＮ、ＳＦ5、ＮＣＳ、４−Ｒ3
−（シクロアルキル）、４−Ｒ3−（シクロアルケニ
ル）又はＲ4−（Ｏ）qである（Ｒ3はＨ又は直鎖／分枝
のＦで置換されてもよいＣ１〜１２アルキル、Ｒ4は直
鎖／分枝のＦで置換されてもよいＣ１〜１２アルキル／
アルコキシアルキル、Ｃ３〜１２アルキニルアルケニ
ル、ｑは０又は１、Ｒ4がアルコキシアルキルの場合は
ｑ＝１であり、Ｒ1とＲ2は同時にＨではない）。］
新規なジ／トリアセチレン化合物、その製造法とそれを
用いた液晶組成物およびこれを用いた光シャッターや表
示素子など使用の液晶素子を提供する。 【解決手段】一般式１のジ／トリアセチレン化合物。 ［Ａ1〜Ａ12は独立にＨ、Ｆ又はＦで置換されてもよい
Ｃ１〜１０アルキル／アルコキシ、ｎは０又は１、Ｒ1
とＲ2は独立にＨ、Ｆ、ＣＮ、ＳＦ5、ＮＣＳ、４−Ｒ3
−（シクロアルキル）、４−Ｒ3−（シクロアルケニ
ル）又はＲ4−（Ｏ）qである（Ｒ3はＨ又は直鎖／分枝
のＦで置換されてもよいＣ１〜１２アルキル、Ｒ4は直
鎖／分枝のＦで置換されてもよいＣ１〜１２アルキル／
アルコキシアルキル、Ｃ３〜１２アルキニルアルケニ
ル、ｑは０又は１、Ｒ4がアルコキシアルキルの場合は
ｑ＝１であり、Ｒ1とＲ2は同時にＨではない）。］
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の構
成材料あるいは液晶組成物の配合成分として有用であ
り、側鎖を有するジまたはトリアセチレン化合物とその
製造法、それを含む液晶組成物およびそれを用いた液晶
素子に関する。
成材料あるいは液晶組成物の配合成分として有用であ
り、側鎖を有するジまたはトリアセチレン化合物とその
製造法、それを含む液晶組成物およびそれを用いた液晶
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子の高性能化は、情報
化社会の進展に伴い不可欠となっている。液晶組成物と
しては、より高速化、あるいは高性能化等の物性を達成
するために、屈折率異方性の大きい材料の配合が必要と
されている。屈折率異方性が比較的大きい液晶としてト
ラン化合物が知られている[Ｍｏｌ.Ｃｒｙｓｔ.Ｌｉｑ.
Ｃｒｙｓｔ.,第２３巻第２３３頁(１９７３年)］が、屈
折率異方性は約０．２と満足できるほどの大きさではな
かった。また、下記式で表される化合物(２)が開発され
ている(特開平２−８３３４０号公報)。
化社会の進展に伴い不可欠となっている。液晶組成物と
しては、より高速化、あるいは高性能化等の物性を達成
するために、屈折率異方性の大きい材料の配合が必要と
されている。屈折率異方性が比較的大きい液晶としてト
ラン化合物が知られている[Ｍｏｌ.Ｃｒｙｓｔ.Ｌｉｑ.
Ｃｒｙｓｔ.,第２３巻第２３３頁(１９７３年)］が、屈
折率異方性は約０．２と満足できるほどの大きさではな
かった。また、下記式で表される化合物(２)が開発され
ている(特開平２−８３３４０号公報)。
【０００３】
【化５】 （２）
【０００４】［式中、Ａｌｋｙｌは、アルキル基を表
す。］ この化合物(２)は屈折率異方性が０．３以上の値を有す
るが、他液晶との相溶性が悪く、実用的ではない。そこ
で、他液晶との相溶性を向上させることを目的として下
記式で表される化合物(３)が開発されている(特開平９
−２１６８４１号公報)。
す。］ この化合物(２)は屈折率異方性が０．３以上の値を有す
るが、他液晶との相溶性が悪く、実用的ではない。そこ
で、他液晶との相溶性を向上させることを目的として下
記式で表される化合物(３)が開発されている(特開平９
−２１６８４１号公報)。
【０００５】
【化６】 （３）
【０００６】［式中、Ｒはアルキル基を表し、Ｙは、
Ｒ、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又は
シアノ基を表し、Ｈ1〜Ｈ12は、それぞれ独立に水素原
子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｈ1〜Ｈ4、Ｈ9〜
Ｈ12の少なくとも１つはフッ素原子又は塩素原子であ
る。］で示される液晶性アセチレン誘導体。この化合物
(３)は、他液晶との相溶性の点で上記化合物(２)より改
善されているが、構造骨格のベンゼン環上の水素原子を
フッ素原子等のハロゲン原子で置換しているため屈折率
異方性が低下し、相溶性改善と引き替えに屈折率異方性
が犠牲にされている。また、側鎖を有さない下記トリア
セチレン化合物（比較例１中のＲ１）が知られている
［Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１３ ６９４３〜６
９４９（１９９１）］、しかし、比較例１に示すごと
く、液晶性はなく、液晶組成物成分としても好ましいも
のではなかった。
Ｒ、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又は
シアノ基を表し、Ｈ1〜Ｈ12は、それぞれ独立に水素原
子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｈ1〜Ｈ4、Ｈ9〜
Ｈ12の少なくとも１つはフッ素原子又は塩素原子であ
る。］で示される液晶性アセチレン誘導体。この化合物
(３)は、他液晶との相溶性の点で上記化合物(２)より改
善されているが、構造骨格のベンゼン環上の水素原子を
フッ素原子等のハロゲン原子で置換しているため屈折率
異方性が低下し、相溶性改善と引き替えに屈折率異方性
が犠牲にされている。また、側鎖を有さない下記トリア
セチレン化合物（比較例１中のＲ１）が知られている
［Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１３ ６９４３〜６
９４９（１９９１）］、しかし、比較例１に示すごと
く、液晶性はなく、液晶組成物成分としても好ましいも
のではなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大き
い屈折率異方性を有し、他の液晶と混合し易い新規なジ
またはトリアセチレン化合物、その製造法およびそれを
用いた液晶組成物およびこれを用いた、光シャッターや
表示素子などに使用できる液晶素子を提供することにあ
る。
い屈折率異方性を有し、他の液晶と混合し易い新規なジ
またはトリアセチレン化合物、その製造法およびそれを
用いた液晶組成物およびこれを用いた、光シャッターや
表示素子などに使用できる液晶素子を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討を加えた結果、ある種のジまた
はトリアセチレン化合物が十分大きな屈折率異方性を有
することを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、
本発明によれば、一般式(１)
を解決するため鋭意検討を加えた結果、ある種のジまた
はトリアセチレン化合物が十分大きな屈折率異方性を有
することを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、
本発明によれば、一般式(１)
【０００９】
【化７】 （１）
【００１０】［式中、Ａ1〜Ａ12は、それぞれ独立に水
素原子、フッ素原子、フッ素で置換されていてもよい炭
素数１〜１０のアルキル基又はフッ素で置換されていて
もよい炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、ｎは０又
は１であり、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に水素原子、
フッ素原子、シアノ基、ＳＦ5、ＮＣＳ、４−Ｒ3−（シ
クロアルキル）基、４−Ｒ3−（シクロアルケニル）基
又はＲ4−（Ｏ）q基を表し、ここにＲ3は水素原子、又
は直鎖もしくは分枝のフッ素で置換されていてもよい炭
素数１〜１２のアルキル基を表しＲ4は直鎖もしくは分
枝のフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２
のアルキル基、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換さ
れていてもよい炭素数１〜１２のアルコキシアルキル
基、炭素数３〜１２のアルキニル基又は炭素数３〜１２
のアルケニル基を表し、ｑは０又は１であり、Ｒ4がア
ルコキシアルキル基の場合はｑ＝１であり、Ｒ1及びＲ2
は同時に水素原子であることはない。］で示されるジま
たはトリアセチレン化合物（以下、本発明化合物と記
す）が提供される。
素原子、フッ素原子、フッ素で置換されていてもよい炭
素数１〜１０のアルキル基又はフッ素で置換されていて
もよい炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、ｎは０又
は１であり、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に水素原子、
フッ素原子、シアノ基、ＳＦ5、ＮＣＳ、４−Ｒ3−（シ
クロアルキル）基、４−Ｒ3−（シクロアルケニル）基
又はＲ4−（Ｏ）q基を表し、ここにＲ3は水素原子、又
は直鎖もしくは分枝のフッ素で置換されていてもよい炭
素数１〜１２のアルキル基を表しＲ4は直鎖もしくは分
枝のフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２
のアルキル基、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換さ
れていてもよい炭素数１〜１２のアルコキシアルキル
基、炭素数３〜１２のアルキニル基又は炭素数３〜１２
のアルケニル基を表し、ｑは０又は１であり、Ｒ4がア
ルコキシアルキル基の場合はｑ＝１であり、Ｒ1及びＲ2
は同時に水素原子であることはない。］で示されるジま
たはトリアセチレン化合物（以下、本発明化合物と記
す）が提供される。
【００１１】また本発明によれば、上記一般式(１)で示
される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とす
る液晶組成物（以下、本発明組成物と記す）が提供され
る。更にまた本発明によれば、上記液晶組成物を一対の
電極基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子が
提供される。
される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とす
る液晶組成物（以下、本発明組成物と記す）が提供され
る。更にまた本発明によれば、上記液晶組成物を一対の
電極基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子が
提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明を更に詳細に説明す
る。本発明において、Ｒ1及びＲ2の具体例としては、例
えば、水素原子；フッ素原子；メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基等のアルキル基及びこれらがフッ素原子
で置換されたフルオロアルキル基(例えばトリフルオロ
メチル基）；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オ
クチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウ
ンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等のアルコキシ基
及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロアルコキ
シ基(例えば１〜３個のフッ素原子で置換されたメトキ
シ基、１〜５個のフッ素原子で置換されたエトキシ
基)；
る。本発明において、Ｒ1及びＲ2の具体例としては、例
えば、水素原子；フッ素原子；メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基等のアルキル基及びこれらがフッ素原子
で置換されたフルオロアルキル基(例えばトリフルオロ
メチル基）；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オ
クチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウ
ンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等のアルコキシ基
及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロアルコキ
シ基(例えば１〜３個のフッ素原子で置換されたメトキ
シ基、１〜５個のフッ素原子で置換されたエトキシ
基)；
【００１３】メトキシメチル基、エトキシメチル基、プ
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペンチルオキシ
メチル基、ヘキシルオキシメチル基、ヘプチルオキシメ
チル基、オクチルオキシメチル基、ノニルオキシメチル
基、デシルオキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、
ペンチルオキシエチル基、ヘキシルオキシエチル基、ヘ
プチルオキシエチル基、オクチルオキシエチル基、ノニ
ルオキシエチル基、デシルオキシエチル基、メトキシプ
ロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル
基、ブトキシプロピル基、ペンチルオキシプロピル基、
ヘキシルオキシプロピル基、ヘプチルオキシプロピル
基、オクチルオキシプロピル基、ノニルオキシプロピル
基、メトキシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシ
ブチル基、ブトキシブチル基、ペンチルオキシブチル
基、ヘキシルオキシブチル基、ヘプチルオキシブチル
基、オクチルオキシブチル基、メトキシペンチル基、エ
トキシペンチル基、プロポキシペンチル基、ブトキシペ
ンチル基、ペンチルオキシペンチル基、ヘキシルオキシ
ペンチル基、ヘプチルオキシペンチル基等のアルコキシ
アルキル基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオ
ロアルコキシアルキル基；
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペンチルオキシ
メチル基、ヘキシルオキシメチル基、ヘプチルオキシメ
チル基、オクチルオキシメチル基、ノニルオキシメチル
基、デシルオキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、
ペンチルオキシエチル基、ヘキシルオキシエチル基、ヘ
プチルオキシエチル基、オクチルオキシエチル基、ノニ
ルオキシエチル基、デシルオキシエチル基、メトキシプ
ロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル
基、ブトキシプロピル基、ペンチルオキシプロピル基、
ヘキシルオキシプロピル基、ヘプチルオキシプロピル
基、オクチルオキシプロピル基、ノニルオキシプロピル
基、メトキシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシ
ブチル基、ブトキシブチル基、ペンチルオキシブチル
基、ヘキシルオキシブチル基、ヘプチルオキシブチル
基、オクチルオキシブチル基、メトキシペンチル基、エ
トキシペンチル基、プロポキシペンチル基、ブトキシペ
ンチル基、ペンチルオキシペンチル基、ヘキシルオキシ
ペンチル基、ヘプチルオキシペンチル基等のアルコキシ
アルキル基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオ
ロアルコキシアルキル基；
【００１４】２−メチルプロピル基、２−メチルブチル
基、３−メチルブチル基、３−メチルペンチル基等の分
枝アルキル基及びこれらがフッ素原子で置換されたフル
オロ分枝アルキル基；２−メチルプロピルオキシ基、２
−メチルブチルオキシ基、３−メチルブチルオキシ基、
３−メチルペンチルオキシ基等の分枝アルキルオキシ基
及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロ分枝アル
キルオキシ基；４−メチルシクロヘキシル基、４−エチ
ルシクロヘキシル基、４−プロピルシクロヘキシル基、
４−ブチルシクロヘキシル基、４−ペンチルシクロヘキ
シル基、４−ヘキシルシクロヘキシル基、４−ヘプチル
シクロヘキシル基、４−オクチルシクロヘキシル基、４
−ノニルシクロヘキシル基、４−デシルシクロヘキシル
基等の４−アルキル−シクロアルキル基およびこれらが
フッ素原子で置換された４−フルオロアルキル−シクロ
アルキル基；４−プロピルシクロヘキセニル基、４−ペ
ンチルシクロヘキセニル基等の４−アルキル−シクロア
ルケニル基及びこれらがフッ素原子で置換された４−フ
ルオロアルキル−シクロアルケニル基；シアノ基；ＳＦ
5；ＮＣＳ等が挙げられる。
基、３−メチルブチル基、３−メチルペンチル基等の分
枝アルキル基及びこれらがフッ素原子で置換されたフル
オロ分枝アルキル基；２−メチルプロピルオキシ基、２
−メチルブチルオキシ基、３−メチルブチルオキシ基、
３−メチルペンチルオキシ基等の分枝アルキルオキシ基
及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロ分枝アル
キルオキシ基；４−メチルシクロヘキシル基、４−エチ
ルシクロヘキシル基、４−プロピルシクロヘキシル基、
４−ブチルシクロヘキシル基、４−ペンチルシクロヘキ
シル基、４−ヘキシルシクロヘキシル基、４−ヘプチル
シクロヘキシル基、４−オクチルシクロヘキシル基、４
−ノニルシクロヘキシル基、４−デシルシクロヘキシル
基等の４−アルキル−シクロアルキル基およびこれらが
フッ素原子で置換された４−フルオロアルキル−シクロ
アルキル基；４−プロピルシクロヘキセニル基、４−ペ
ンチルシクロヘキセニル基等の４−アルキル−シクロア
ルケニル基及びこれらがフッ素原子で置換された４−フ
ルオロアルキル−シクロアルケニル基；シアノ基；ＳＦ
5；ＮＣＳ等が挙げられる。
【００１５】一般式(１)で示される本発明化合物の具体
例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられ
る。但し、Ｒ1及びＲ2は、上記列挙した基が好ましい
が、これに限定されない。
例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられ
る。但し、Ｒ1及びＲ2は、上記列挙した基が好ましい
が、これに限定されない。
【００１６】
【化８】
【００１７】
【化９】
【００１８】
【化１０】
【００１９】
【化１１】
【００２０】
【化１２】
【００２１】
【化１３】
【００２２】
【化１４】
【００２３】
【化１５】
【００２４】
【化１６】
【００２５】
【化１７】
【００２６】
【化１８】
【００２７】
【化１９】
【００２８】
【化２０】
【００２９】
【化２１】
【００３０】本発明化合物の中、 ｎ＝０であるトリア
セチレン化合物は、下記のようにして製造することがで
きる。即ち、一般式(ＩＭ−１)
セチレン化合物は、下記のようにして製造することがで
きる。即ち、一般式(ＩＭ−１)
【００３１】
【化２２】 （ＩＭ−１）
【００３２】［式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＲ1は、
前記と同じ意味を表し、Ｘは電子吸引性基を表す。］で
示される化合物と一般式（ＩＭ−２）
前記と同じ意味を表し、Ｘは電子吸引性基を表す。］で
示される化合物と一般式（ＩＭ−２）
【００３３】
【化２３】 （ＩＭ−２）
【００３４】［式中、Ａ5、Ａ6、Ａ7、Ａ8及びＲ2は、
前記と同じ意味を表す。］で示される化合物とを、塩基
の存在下で反応でさせることにより製造することができ
る［以下、本発明製法（１）と記す］。
前記と同じ意味を表す。］で示される化合物とを、塩基
の存在下で反応でさせることにより製造することができ
る［以下、本発明製法（１）と記す］。
【００３５】一般式（ＩＭ−１）中の電子吸引基Ｘは、
好ましいものとして、−ＳＯ2Ｒ、−ＣＮ、−ＳＯＲ、
−ＳＲ、−ＣＦ3、−ＣＰｈ3を挙げることができる。こ
こでＲはアルキル基、アルキニル基、アルケニル基、フ
ェニル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
好ましいものとして、−ＳＯ2Ｒ、−ＣＮ、−ＳＯＲ、
−ＳＲ、−ＣＦ3、−ＣＰｈ3を挙げることができる。こ
こでＲはアルキル基、アルキニル基、アルケニル基、フ
ェニル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００３６】本発明製法（１）において、化合物（ＩＭ
−２）の使用量は、化合物（ＩＭ−１）に対して通常
０．３〜１０倍当量であるが、好ましくは０．５〜２倍
当量である。反応温度は室温（約２０℃）以下であれば
特に限定されるものではないが、通常−１００−２０
℃、好ましくは−８０−０℃の範囲である。また使用す
る反応溶媒は、この反応により分解しないものであれば
特に限定されないが、エーテル系溶媒が好ましく、例え
ばＴＨＦ、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン等を挙
げることができる。溶媒の使用量は特に限定されない。
一般式（ＩＭ−１）の具体例を以下に示す。
−２）の使用量は、化合物（ＩＭ−１）に対して通常
０．３〜１０倍当量であるが、好ましくは０．５〜２倍
当量である。反応温度は室温（約２０℃）以下であれば
特に限定されるものではないが、通常−１００−２０
℃、好ましくは−８０−０℃の範囲である。また使用す
る反応溶媒は、この反応により分解しないものであれば
特に限定されないが、エーテル系溶媒が好ましく、例え
ばＴＨＦ、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン等を挙
げることができる。溶媒の使用量は特に限定されない。
一般式（ＩＭ−１）の具体例を以下に示す。
【００３７】
【化２４】
【００３８】
【化２５】
【００３９】
【化２６】
【００４０】一般式（ＩＭ−２）の具体例を以下に示
す。
す。
【００４１】
【化２７】
【００４２】
【化２８】
【００４３】
【化２９】
【００４４】
【化３０】
【００４５】また、本発明化合物の中、ｎ＝１であるの
ジアセチレン化合物は、下記のようにして合成すること
ができる。即ち、上記一般式(ＩＭ−１)で表される化合
物と一般式(ＩＭ−３)
ジアセチレン化合物は、下記のようにして合成すること
ができる。即ち、上記一般式(ＩＭ−１)で表される化合
物と一般式(ＩＭ−３)
【００４６】
【化３１】 （ＩＭ−４）
【００４７】［式中、Ａ5、Ａ6、Ａ7及びＡ8は、前記と
同じ意味を表す。］で示される化合物とを、塩基の存在
下で反応でさせることにより製造することができる［以
下、本発明製法（２）と記す］。
同じ意味を表す。］で示される化合物とを、塩基の存在
下で反応でさせることにより製造することができる［以
下、本発明製法（２）と記す］。
【００４８】本発明製法（２）において、化合物（ＩＭ
−１）の使用量は、化合物（ＩＭ−３）に対して通常
０．３〜１０倍当量であるが、好ましくは１〜４倍当量
である。
−１）の使用量は、化合物（ＩＭ−３）に対して通常
０．３〜１０倍当量であるが、好ましくは１〜４倍当量
である。
【００４９】反応温度は室温以下であれば特に限定され
るものではないが、通常−１００〜２０℃、好ましくは
−８０〜０℃の範囲である。また使用する反応溶媒は、
この反応により分解しないものであれば特に限定されな
いが、エーテル系溶媒が好ましく、例えばＴＨＦ、ジエ
チルエーテル、ジメトキシエタン等を挙げることができ
る。溶媒の使用量は特に限定されない。一般式（ＩＭ−
３）の具体例を以下に示す。
るものではないが、通常−１００〜２０℃、好ましくは
−８０〜０℃の範囲である。また使用する反応溶媒は、
この反応により分解しないものであれば特に限定されな
いが、エーテル系溶媒が好ましく、例えばＴＨＦ、ジエ
チルエーテル、ジメトキシエタン等を挙げることができ
る。溶媒の使用量は特に限定されない。一般式（ＩＭ−
３）の具体例を以下に示す。
【００５０】
【化３２】
【００５１】本発明組成物は、一般式(１)で示される本
発明化合物を少なくとも１種配合成分として含有する液
晶組成物である。混合する他の成分は特に限定されない
が、液晶相を示す化合物あるいは組成物が好ましい。本
発明組成物において、一般式(１) で示される本発明化
合物の配合割合は、液晶組成物中に０．１〜９９．９質
量％、好ましくは１〜９９質量％の範囲が好ましい。
発明化合物を少なくとも１種配合成分として含有する液
晶組成物である。混合する他の成分は特に限定されない
が、液晶相を示す化合物あるいは組成物が好ましい。本
発明組成物において、一般式(１) で示される本発明化
合物の配合割合は、液晶組成物中に０．１〜９９．９質
量％、好ましくは１〜９９質量％の範囲が好ましい。
【００５２】本発明組成物には、捩れ剤として、カイラ
ル化合物を一種もしくは複数種含有させることができ
る。カイラル化合物は、特に限定されないが、好ましく
は以下に示す化合物を例示することができる（但し、例
示中の＊は不斉炭素を表す）。
ル化合物を一種もしくは複数種含有させることができ
る。カイラル化合物は、特に限定されないが、好ましく
は以下に示す化合物を例示することができる（但し、例
示中の＊は不斉炭素を表す）。
【００５３】
【化３３】
【００５４】本発明組成物において、カイラル化合物の
配合割合は、配合組成等において適宜選択することがで
き、特に限定されない。本発明の液晶表示素子は、上記
本発明組成物を一対の電極基板に挟持した素子であれ
ば、特に限定されず、公知の液晶表示素子と同様な構成
ものが挙げられる。電極の種類及び形態も特に限定され
ず、公知の電極等が使用できる。また、本発明の液晶表
示素子の作製は、通常の液晶表示素子の作製にしたがっ
て同様に行うことができ、他の要素を適宜付加させるこ
とも可能である。
配合割合は、配合組成等において適宜選択することがで
き、特に限定されない。本発明の液晶表示素子は、上記
本発明組成物を一対の電極基板に挟持した素子であれ
ば、特に限定されず、公知の液晶表示素子と同様な構成
ものが挙げられる。電極の種類及び形態も特に限定され
ず、公知の電極等が使用できる。また、本発明の液晶表
示素子の作製は、通常の液晶表示素子の作製にしたがっ
て同様に行うことができ、他の要素を適宜付加させるこ
とも可能である。
【００５５】
【実施例】以下実施例により、本発明に関してより詳細
に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
【００５６】実施例１ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内で、下記中間
体(ＩＭ１−１)０．３９８ｇを乾燥したＴＨＦ４ｍｌに
溶解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジイ
ソプロピルアミン２２６μｌとｎ−ブチルリチウム
（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）１０００μｌを混合
してあらかじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。こ
れを０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ２−１）
０．２４４ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、
さらに５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエ
ステル２５１μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌し
た。反応物を再び０−５℃に冷却し、リチウムヘキサメ
チルジシラザン（ヘキサメチルジシラザン９６％ＴＨＦ
溶液１．７４ｍｌと、ｎ−ブチルリチウム１．６ｍｏｌ
／Ｌヘキサン溶液４．５３ｍｌを混合してあらかじめ調
製したもの）を加え、冷却槽をはずして室温で３時間攪
拌した。塩化アンモニウム水溶液で反応をクエンチし、
反応物を酢酸エチルで抽出した。これを飽和食塩水で洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成
物をｎ−ヘキサンに２％酢酸エチルを加えたものを移動
相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目
的とする化合物（１−１）を０．２７１ｇ得た。
体(ＩＭ１−１)０．３９８ｇを乾燥したＴＨＦ４ｍｌに
溶解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジイ
ソプロピルアミン２２６μｌとｎ−ブチルリチウム
（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）１０００μｌを混合
してあらかじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。こ
れを０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ２−１）
０．２４４ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、
さらに５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエ
ステル２５１μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌し
た。反応物を再び０−５℃に冷却し、リチウムヘキサメ
チルジシラザン（ヘキサメチルジシラザン９６％ＴＨＦ
溶液１．７４ｍｌと、ｎ−ブチルリチウム１．６ｍｏｌ
／Ｌヘキサン溶液４．５３ｍｌを混合してあらかじめ調
製したもの）を加え、冷却槽をはずして室温で３時間攪
拌した。塩化アンモニウム水溶液で反応をクエンチし、
反応物を酢酸エチルで抽出した。これを飽和食塩水で洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成
物をｎ−ヘキサンに２％酢酸エチルを加えたものを移動
相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目
的とする化合物（１−１）を０．２７１ｇ得た。
【００５７】
【化３４】 （ＩＭ１−１）
【００５８】
【化３５】 （ＩＭ２−１）
【００５９】
【化３６】 （１−１）
【００６０】化合物(１−１）のＮＭＲスペクトルデー
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：３．８３（ｓ、３Ｈ、ＯＣＨ3）、
６．８５−６．８６（ｍ、２Ｈ）、７．０１−７．０５
（ｍ、２Ｈ）、７．４７−７．５３（ｍ，４Ｈ） 13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：５５．３７（ｓ、１Ｃ、ＯＣ
Ｈ3）、６５．８５（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、６６．８４（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７３．３５（ｓ、１、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、
７４．４０（ｄ、Ｊ＝２．１Ｈｚ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌ
ｅｎｉｃ）、７７．２２（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎ
ｉｃ）、７９．００（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、１１２．７２（ｓ、１Ｃ）、１１４．２６（ｓ、
２Ｃ）、１１５．９６（ｄ、Ｊ＝２２．７Ｈｚ、２
Ｃ）、１１７．２９（ｄ、Ｊ＝３．０Ｈｚ、１Ｃ）、１
３４．７２（ｓ、２Ｃ）、１３５．０１（ｄ、Ｊ＝８．
３Ｈｚ、２Ｃ）、１６０．８１（ｓ、１Ｃ）、１６３．
２２（ｄ、Ｊ＝２５２．８Ｈｚ、１Ｃ）
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：３．８３（ｓ、３Ｈ、ＯＣＨ3）、
６．８５−６．８６（ｍ、２Ｈ）、７．０１−７．０５
（ｍ、２Ｈ）、７．４７−７．５３（ｍ，４Ｈ） 13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：５５．３７（ｓ、１Ｃ、ＯＣ
Ｈ3）、６５．８５（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、６６．８４（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７３．３５（ｓ、１、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、
７４．４０（ｄ、Ｊ＝２．１Ｈｚ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌ
ｅｎｉｃ）、７７．２２（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎ
ｉｃ）、７９．００（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、１１２．７２（ｓ、１Ｃ）、１１４．２６（ｓ、
２Ｃ）、１１５．９６（ｄ、Ｊ＝２２．７Ｈｚ、２
Ｃ）、１１７．２９（ｄ、Ｊ＝３．０Ｈｚ、１Ｃ）、１
３４．７２（ｓ、２Ｃ）、１３５．０１（ｄ、Ｊ＝８．
３Ｈｚ、２Ｃ）、１６０．８１（ｓ、１Ｃ）、１６３．
２２（ｄ、Ｊ＝２５２．８Ｈｚ、１Ｃ）
【００６１】実施例２ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、下記中間
体(ＩＭ１−２)０．４６４ｇを乾燥したＴＨＦ４ｍｌに
溶解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジイ
ソプロピルアミン２２３μｌとｎ−ブチルリチウム
（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）９８１μｌを混合し
てあらかじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。これ
を０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ２−１）０．
２４０ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、さら
に５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエステ
ル２４８μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌した。
反応物を再び０〜５℃に冷却し、リチウムヘキサメチル
ジシラザン（ヘキサメチルジシラザン９６％ＴＨＦ溶液
１．７１ｍｌと、ｎ−ブチルリチウム１．６ｍｏｌ／Ｌ
ヘキサン溶液４．４７ｍｌを混合してあらかじめ調製し
たもの）を加え、冷却槽をはずして室温で３時間攪拌し
た。塩化アンモニウム水溶液で反応をクエンチし、反応
物を酢酸エチルで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物
をｎ−ヘキサンに２％酢酸エチルを加えたものを移動相
とするシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的
とする化合物（１−２）を０．１８２ｇ得た。
体(ＩＭ１−２)０．４６４ｇを乾燥したＴＨＦ４ｍｌに
溶解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジイ
ソプロピルアミン２２３μｌとｎ−ブチルリチウム
（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）９８１μｌを混合し
てあらかじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。これ
を０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ２−１）０．
２４０ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、さら
に５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエステ
ル２４８μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌した。
反応物を再び０〜５℃に冷却し、リチウムヘキサメチル
ジシラザン（ヘキサメチルジシラザン９６％ＴＨＦ溶液
１．７１ｍｌと、ｎ−ブチルリチウム１．６ｍｏｌ／Ｌ
ヘキサン溶液４．４７ｍｌを混合してあらかじめ調製し
たもの）を加え、冷却槽をはずして室温で３時間攪拌し
た。塩化アンモニウム水溶液で反応をクエンチし、反応
物を酢酸エチルで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物
をｎ−ヘキサンに２％酢酸エチルを加えたものを移動相
とするシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的
とする化合物（１−２）を０．１８２ｇ得た。
【００６２】
【化３７】 （ＩＭ１−２）
【００６３】
【化３８】 （１−２）
【００６４】化合物(１−２）のＮＭＲスペクトルデー
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：３．８３（ｓ、３Ｈ、ＯＣＨ3）、
６．８５−６．８６（ｍ、２Ｈ）、７．４８−７．５０
（ｍ、２Ｈ）、７．５８−７．６３（ｍ，４Ｈ） 13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：５５．３８（ｓ、１Ｃ、ＯＣ
Ｈ3）、６５．４２（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、６８．１０（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７３．２０（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７６．５１（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７６．８１（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７９．７５（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、１１２．４８（ｓ、１Ｃ）、１１４．３１（ｓ、
２Ｃ）、１２３．６８（ｑ、Ｊ＝５４４．６、２７２．
０Ｈｚ、１Ｃ、ＣＦ３）、１２５．１１（ｄ、Ｊ＝１．
６Ｈｚ、１Ｃ）、１２５．３９（ｑ、Ｊ＝７．５、３．
８Ｈｚ、２Ｃ）、１３１．０３（ｑ、Ｊ＝６５．４、３
２．３Ｈｚ、１Ｃ）、１３３．１１（ｓ、２Ｃ）、１３
４．８０（ｓ、２Ｃ）、１６０．９６（ｓ、１Ｃ）
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：３．８３（ｓ、３Ｈ、ＯＣＨ3）、
６．８５−６．８６（ｍ、２Ｈ）、７．４８−７．５０
（ｍ、２Ｈ）、７．５８−７．６３（ｍ，４Ｈ） 13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：５５．３８（ｓ、１Ｃ、ＯＣ
Ｈ3）、６５．４２（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、６８．１０（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７３．２０（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７６．５１（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７６．８１（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７９．７５（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、１１２．４８（ｓ、１Ｃ）、１１４．３１（ｓ、
２Ｃ）、１２３．６８（ｑ、Ｊ＝５４４．６、２７２．
０Ｈｚ、１Ｃ、ＣＦ３）、１２５．１１（ｄ、Ｊ＝１．
６Ｈｚ、１Ｃ）、１２５．３９（ｑ、Ｊ＝７．５、３．
８Ｈｚ、２Ｃ）、１３１．０３（ｑ、Ｊ＝６５．４、３
２．３Ｈｚ、１Ｃ）、１３３．１１（ｓ、２Ｃ）、１３
４．８０（ｓ、２Ｃ）、１６０．９６（ｓ、１Ｃ）
【００６５】実施例３ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、下記中間
体(ＩＭ１−１)０．２７４ｇを乾燥したＴＨＦ４ｍｌに
溶解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジイ
ソプロピルアミン１５６μｌとｎ−ブチルリチウム
（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）６８８μｌを混合し
てあらかじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。これ
を０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ２−２）０．
２２７ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、さら
に５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエステ
ル１７３μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌した。
反応物を再び０?５℃に冷却し、リチウムヘキサメチル
ジシラザン（ヘキサメチルジシラザン９６％ＴＨＦ溶液
１．２ｍｌと、ｎ−ブチルリチウム１．６ｍｏｌ／Ｌヘ
キサン溶液３．１２５ｍｌを混合してあらかじめ調製し
たもの）を加え、冷却槽をはずして室温で３時間攪拌し
た。塩化アンモニウム水溶液で反応をクエンチし、反応
物を酢酸エチルで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物
をｎ−ヘキサンに２％酢酸エチルを加えたものを移動相
とするシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的
とする化合物（１−３）を０．２４５ｇ得た。
体(ＩＭ１−１)０．２７４ｇを乾燥したＴＨＦ４ｍｌに
溶解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジイ
ソプロピルアミン１５６μｌとｎ−ブチルリチウム
（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）６８８μｌを混合し
てあらかじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。これ
を０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ２−２）０．
２２７ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、さら
に５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエステ
ル１７３μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌した。
反応物を再び０?５℃に冷却し、リチウムヘキサメチル
ジシラザン（ヘキサメチルジシラザン９６％ＴＨＦ溶液
１．２ｍｌと、ｎ−ブチルリチウム１．６ｍｏｌ／Ｌヘ
キサン溶液３．１２５ｍｌを混合してあらかじめ調製し
たもの）を加え、冷却槽をはずして室温で３時間攪拌し
た。塩化アンモニウム水溶液で反応をクエンチし、反応
物を酢酸エチルで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物
をｎ−ヘキサンに２％酢酸エチルを加えたものを移動相
とするシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的
とする化合物（１−３）を０．２４５ｇ得た。
【００６６】
【化３９】 （ＩＭ２−１）
【００６７】
【化４０】 （１−３）
【００６８】化合物(１−３）のＮＭＲスペクトルデー
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：０．９３（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、
３Ｈ、ＣＨ3）、１．３６−１．４６（ｍ、４Ｈ）、
１．７６−１．８２（ｍ、２Ｈ）、３．９６（ｔ、Ｊ＝
６．７Ｈｚ、２Ｈ、ＯＣＨ2）６．８２−６．８５
（ｍ、２Ｈ）、７．０１−７．０５（ｍ、２Ｈ）、７．
４５−７．５４（ｍ、４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：１３．９７（ｓ、１Ｃ）、２２．
４１（ｓ、１Ｃ）、２８．０８（ｓ、１Ｃ）、２８．７
７（ｓ、１Ｃ）、６５．８０（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌ
ｅｎｉｃ）、６６．８９（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎ
ｉｃ）、６８．１１（ｓ、１Ｃ、ＯＣＨ2）、７３．２
４（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７４．４０
（ｄ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７７．１８（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７９．１５（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、１１２．２６（ｓ、１Ｃ）、１１４．６８（ｓ、
２Ｃ）、１３５．９１（ｄ、Ｊ＝２２．３Ｈｚ、２
Ｃ）、１１７．２３（ｄ、Ｊ＝３．６Ｈｚ、１Ｃ）、１
３４．６６（ｓ、２Ｃ）、１３４．９７（ｄ、Ｊ＝８．
２Ｈｚ、２Ｃ）、１６０．３（ｓ、１Ｃ）、１６３．１
４ｄ、Ｊ＝２５１．７Ｈｚ、１Ｃ）
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：０．９３（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、
３Ｈ、ＣＨ3）、１．３６−１．４６（ｍ、４Ｈ）、
１．７６−１．８２（ｍ、２Ｈ）、３．９６（ｔ、Ｊ＝
６．７Ｈｚ、２Ｈ、ＯＣＨ2）６．８２−６．８５
（ｍ、２Ｈ）、７．０１−７．０５（ｍ、２Ｈ）、７．
４５−７．５４（ｍ、４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：１３．９７（ｓ、１Ｃ）、２２．
４１（ｓ、１Ｃ）、２８．０８（ｓ、１Ｃ）、２８．７
７（ｓ、１Ｃ）、６５．８０（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌ
ｅｎｉｃ）、６６．８９（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎ
ｉｃ）、６８．１１（ｓ、１Ｃ、ＯＣＨ2）、７３．２
４（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７４．４０
（ｄ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７７．１８（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７９．１５（ｓ、１Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、１１２．２６（ｓ、１Ｃ）、１１４．６８（ｓ、
２Ｃ）、１３５．９１（ｄ、Ｊ＝２２．３Ｈｚ、２
Ｃ）、１１７．２３（ｄ、Ｊ＝３．６Ｈｚ、１Ｃ）、１
３４．６６（ｓ、２Ｃ）、１３４．９７（ｄ、Ｊ＝８．
２Ｈｚ、２Ｃ）、１６０．３（ｓ、１Ｃ）、１６３．１
４ｄ、Ｊ＝２５１．７Ｈｚ、１Ｃ）
【００６９】また、化合物(１−３)をギャップ８μｍの
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、９０℃以下では結晶相であったが、９０
℃以上でネマティック相を示した。またこの化合物（１
−３）の屈折率異方性を、「強誘電性液晶の構造と物
性」（福田敦夫、竹添秀男著、コロナ社（１９９０）、
３１６頁）記載の方法で測定したところ、０．５２（測
定温度；９０℃、測定波長；６３３ｎｍ）と極めて大き
い値であった。
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、９０℃以下では結晶相であったが、９０
℃以上でネマティック相を示した。またこの化合物（１
−３）の屈折率異方性を、「強誘電性液晶の構造と物
性」（福田敦夫、竹添秀男著、コロナ社（１９９０）、
３１６頁）記載の方法で測定したところ、０．５２（測
定温度；９０℃、測定波長；６３３ｎｍ）と極めて大き
い値であった。
【００７０】実施例４ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内で、下記中間
体(ＩＭ３−１)０．７ｇを乾燥したＴＨＦ１０ｍｌに溶
解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジイソ
プロピルアミン２２６μｌとｎ−ブチルリチウム（１．
６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）１．５ｍｌを混合してあら
かじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。これを０．
５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ４−１）０．２１０
ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、さらに５分
間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエステル４０
５μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌した。反応物
を再び０〜５℃に冷却し、ｔ−ブトキシカリウム（９０
％、１．２４６ｇ）を加え、冷却槽をはずして室温で３
時間攪拌した。塩化アンモニウム水溶液で反応をクエン
チし、反応物をジクロロメタンで抽出した。これを飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得ら
れた粗生成物をｎ−ヘキサンに２０％ジクロロメタンを
加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィ
ーにて精製し、目的とする化合物（１−４）を得た。
体(ＩＭ３−１)０．７ｇを乾燥したＴＨＦ１０ｍｌに溶
解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジイソ
プロピルアミン２２６μｌとｎ−ブチルリチウム（１．
６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）１．５ｍｌを混合してあら
かじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。これを０．
５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ４−１）０．２１０
ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、さらに５分
間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエステル４０
５μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌した。反応物
を再び０〜５℃に冷却し、ｔ−ブトキシカリウム（９０
％、１．２４６ｇ）を加え、冷却槽をはずして室温で３
時間攪拌した。塩化アンモニウム水溶液で反応をクエン
チし、反応物をジクロロメタンで抽出した。これを飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得ら
れた粗生成物をｎ−ヘキサンに２０％ジクロロメタンを
加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィ
ーにて精製し、目的とする化合物（１−４）を得た。
【００７１】
【化４１】 （ＩＭ３−１）
【００７２】
【化４２】 （ＩＭ４−１）
【００７３】
【化４３】 （１−４）
【００７４】化合物(１−４）のＮＭＲスペクトルデー
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：１．０４（ｓ、１８Ｈ、ＣＨ3）
２．４１（ｓ、６Ｈ、ＣＨ３）、３．６０（ｓ、４Ｈ、
ＯＣＨ2）、６．８５−６．８８（ｍ、４Ｈ）、７．３
２（ｓ、２Ｈ）、７．４５−７．４７（ｍ、４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：２０．０１（２Ｃ）、２６．５２
（６Ｃ、ＣＨ3）、３１．８２（２Ｃ）、７２．６７
（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７７．８５（２Ｃ、
ＯＣＨ２）、７９．５４（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７９．６９（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、８
３．６０（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、１１３．２
２（２Ｃ）、１１４．６６（４Ｃ）、１２２．４２（２
Ｃ）、１３３．５１（２Ｃ）、１３４．０３（４Ｃ）、
１３８．６４（２Ｃ）、１６０．４０（２Ｃ、Ｃ−Ｏ）
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：１．０４（ｓ、１８Ｈ、ＣＨ3）
２．４１（ｓ、６Ｈ、ＣＨ３）、３．６０（ｓ、４Ｈ、
ＯＣＨ2）、６．８５−６．８８（ｍ、４Ｈ）、７．３
２（ｓ、２Ｈ）、７．４５−７．４７（ｍ、４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：２０．０１（２Ｃ）、２６．５２
（６Ｃ、ＣＨ3）、３１．８２（２Ｃ）、７２．６７
（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７７．８５（２Ｃ、
ＯＣＨ２）、７９．５４（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉ
ｃ）、７９．６９（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、８
３．６０（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、１１３．２
２（２Ｃ）、１１４．６６（４Ｃ）、１２２．４２（２
Ｃ）、１３３．５１（２Ｃ）、１３４．０３（４Ｃ）、
１３８．６４（２Ｃ）、１６０．４０（２Ｃ、Ｃ−Ｏ）
【００７５】実施例５ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内で、下記中間
体(ＩＭ３−２)１．３７３ｇを乾燥したＴＨＦ１５ｍｌ
に溶解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジ
イソプロピルアミン２２５μｌとｎ−ブチルリチウム
（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）１．５ｍｌを混合し
てあらかじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。これ
を０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ４−１）０．
３１５ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、さら
に５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエステ
ル６０７μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌した。
反応物を再び０−５℃に冷却し、ｔ−ブトキシカリウム
（９０％、１．８７ｇ）を加え、冷却槽をはずして室温
で３時間攪拌した。塩化アンモニウム水溶液で反応をク
エンチし、反応物をジクロロメタンで抽出した。これを
飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
得られた粗生成物をｎ−ヘキサンに１５％ジクロロメタ
ンを加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラ
フィーにて精製し、目的とする化合物（１−５）を得
た。
体(ＩＭ３−２)１．３７３ｇを乾燥したＴＨＦ１５ｍｌ
に溶解したものに、リチウムジイソプロピルアミド（ジ
イソプロピルアミン２２５μｌとｎ−ブチルリチウム
（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）１．５ｍｌを混合し
てあらかじめ調製したもの）を−７８℃で加えた。これ
を０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ４−１）０．
３１５ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、さら
に５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエステ
ル６０７μｌ加え、冷却槽をはずして２時間攪拌した。
反応物を再び０−５℃に冷却し、ｔ−ブトキシカリウム
（９０％、１．８７ｇ）を加え、冷却槽をはずして室温
で３時間攪拌した。塩化アンモニウム水溶液で反応をク
エンチし、反応物をジクロロメタンで抽出した。これを
飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
得られた粗生成物をｎ−ヘキサンに１５％ジクロロメタ
ンを加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラ
フィーにて精製し、目的とする化合物（１−５）を得
た。
【００７６】
【化４４】 （ＩＭ３−２）
【００７７】
【化４５】 （ＩＭ４−１）
【００７８】
【化４６】 （１−５）
【００７９】化合物(１−５）のＮＭＲスペクトルデー
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：０．８８（ｔ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、
６Ｈ、ＣＨ3）、１．２６−１．３５（ｍ、３２Ｈ、Ｃ
Ｈ2）、１．４１−１．４６（ｍ、４Ｈ、ＣＨ2）、１．
７５−１．８１（ｍ、４Ｈ、ＣＨ2）、２．４１（ｓ、
６Ｈ）、３．９６（ｔ、Ｊ＝６．７Ｈｚ、４Ｈ、ＯＣＨ
2）、６．８３−６．８６（ｍ、４Ｈ）、７．３２
（ｓ、２Ｈ）、７．４５−７．４８（ｍ、４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：１４．１２（２Ｃ）、２０．０１
（２Ｃ）、２２．６８（２Ｃ）、２５．９７（２Ｃ）、
２９．１１（２Ｃ）、２９．３４（２Ｃ）、２９．３５
（２Ｃ）、２９．５５（２Ｃ）、２９．５８（２Ｃ）、
２９．６３（２Ｃ）、２９．６５（２Ｃ）、３１．９１
（２Ｃ）、６８．１３（２Ｃ、ＯＣＨ2）、７２．６７
（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７９．５２（２Ｃ、
ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７９．６９（２Ｃ、ａｃｅｔ
ｙｌｅｎｉｃ）、８３．５５（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎ
ｉｃ）、１１３．３１（２Ｃ）、１１４．６４（４
Ｃ）、１２２．４４（２Ｃ）、１３３．５４（２Ｃ）、
１３４．０７（４Ｃ）、１３８．６７（２Ｃ）、１６
０．０３（２Ｃ）
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：０．８８（ｔ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、
６Ｈ、ＣＨ3）、１．２６−１．３５（ｍ、３２Ｈ、Ｃ
Ｈ2）、１．４１−１．４６（ｍ、４Ｈ、ＣＨ2）、１．
７５−１．８１（ｍ、４Ｈ、ＣＨ2）、２．４１（ｓ、
６Ｈ）、３．９６（ｔ、Ｊ＝６．７Ｈｚ、４Ｈ、ＯＣＨ
2）、６．８３−６．８６（ｍ、４Ｈ）、７．３２
（ｓ、２Ｈ）、７．４５−７．４８（ｍ、４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：１４．１２（２Ｃ）、２０．０１
（２Ｃ）、２２．６８（２Ｃ）、２５．９７（２Ｃ）、
２９．１１（２Ｃ）、２９．３４（２Ｃ）、２９．３５
（２Ｃ）、２９．５５（２Ｃ）、２９．５８（２Ｃ）、
２９．６３（２Ｃ）、２９．６５（２Ｃ）、３１．９１
（２Ｃ）、６８．１３（２Ｃ、ＯＣＨ2）、７２．６７
（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７９．５２（２Ｃ、
ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７９．６９（２Ｃ、ａｃｅｔ
ｙｌｅｎｉｃ）、８３．５５（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎ
ｉｃ）、１１３．３１（２Ｃ）、１１４．６４（４
Ｃ）、１２２．４４（２Ｃ）、１３３．５４（２Ｃ）、
１３４．０７（４Ｃ）、１３８．６７（２Ｃ）、１６
０．０３（２Ｃ）
【００８０】また、化合物(１−５)をギャップ８μｍの
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、１３３℃から１５９℃の範囲でネマティ
ック相を示した。またこの化合物の屈折率異方性を実施
例３記載と同じ方法で測定したところ、０．３１（測定
温度；１３５℃、測定波長；６３３ｎｍ）と極めて大き
いものであった。
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、１３３℃から１５９℃の範囲でネマティ
ック相を示した。またこの化合物の屈折率異方性を実施
例３記載と同じ方法で測定したところ、０．３１（測定
温度；１３５℃、測定波長；６３３ｎｍ）と極めて大き
いものであった。
【００８１】実施例６ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内で、下記中間
体(ＩＭ３−３)０．４３５ｇを乾燥したＴＨＦ８ｍｌに
溶解したものに、ｎ−ブチルリチウム（１．６ｍｏｌ／
Ｌヘキサン溶液）０．９７５ｍｌを−７８℃で加えた。
これを０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ４−２）
０．１１８ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、
さらに５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエ
ステル２６３μｌ加え、室温に戻しながらさらに２時間
攪拌した。反応物を再び０〜５℃に冷却し、ｔ−ブトキ
シカリウム（９０％、０．８１ｇ）を加え、冷却槽をは
ずして室温で３時間攪拌した。塩化アンモニウム水溶液
で反応をクエンチし、反応物をジクロロメタンで抽出し
た。これを飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。得られた粗生成物をｎ−ヘキサンに２５％ジ
クロロメタンを加えたものを移動相とするシリカゲルク
ロマトグラフィーにて精製し、目的とする化合物（１−
６）を０．１８ｇ得た。化合物(１−６）のＮＭＲスペ
クトルデータは以下のとおりであった。
体(ＩＭ３−３)０．４３５ｇを乾燥したＴＨＦ８ｍｌに
溶解したものに、ｎ−ブチルリチウム（１．６ｍｏｌ／
Ｌヘキサン溶液）０．９７５ｍｌを−７８℃で加えた。
これを０．５時間攪拌したのち、中間体（ＩＭ４−２）
０．１１８ｇをＴＨＦに溶解したものをゆっくり加え、
さらに５分間攪拌した。さらにクロロリン酸ジエチルエ
ステル２６３μｌ加え、室温に戻しながらさらに２時間
攪拌した。反応物を再び０〜５℃に冷却し、ｔ−ブトキ
シカリウム（９０％、０．８１ｇ）を加え、冷却槽をは
ずして室温で３時間攪拌した。塩化アンモニウム水溶液
で反応をクエンチし、反応物をジクロロメタンで抽出し
た。これを飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。得られた粗生成物をｎ−ヘキサンに２５％ジ
クロロメタンを加えたものを移動相とするシリカゲルク
ロマトグラフィーにて精製し、目的とする化合物（１−
６）を０．１８ｇ得た。化合物(１−６）のＮＭＲスペ
クトルデータは以下のとおりであった。
【００８２】
【化４７】 （ＩＭ３−３）
【００８３】
【化４８】 （ＩＭ４−２）
【００８４】
【化４９】 （１−６）
【００８５】1Ｈ−ＮＭＲ（δ）：０．９７（ｔ、Ｊ＝
７．５Ｈｚ、６Ｈ、ＣＨ3）、１．３０（ｄ、Ｊ＝６．
１Ｈｚ、６Ｈ、ＣＨ3）、１．６０−１．６６（ｍ、２
Ｈ）、１．７２−１．７８（ｍ、２Ｈ）、４．３３（ｓ
ｅｘｔｅｔ、Ｊ＝６．１Ｈｚ、２Ｈ、ＯＣＨ）、６．８
２−６．８５（ｍ、４Ｈ）、６．８２−６．８５（ｍ、
４Ｈ）、７．４３−７．４６（ｍ、８Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：９．７０（２Ｃ）、１９．１３
（２Ｃ）、２９．０８（２Ｃ）、７２．４６（２Ｃ、ａ
ｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７５．１６（２Ｃ、ＯＣＨ）、
８０．３４（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、８３．４
３（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、１１２．９６（２
Ｃ）、１１５．７７（４Ｃ）、１２２．５９（２Ｃ）、
１３２．３１（４Ｃ）、１３４．２０（４Ｃ）、１５
９．３１（２Ｃ、Ｃ−Ｏ） また、化合物(１−６)をギャップ８μｍのガラスセルに
注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観察したとこ
ろ、２０１℃から２２２℃の範囲でネマティック相を示
した。またこの化合物の屈折率異方性を測定したとこ
ろ、０．４６（測定温度；２１０℃、測定波長；６３３
ｎｍ）と極めて大きいものであった。
７．５Ｈｚ、６Ｈ、ＣＨ3）、１．３０（ｄ、Ｊ＝６．
１Ｈｚ、６Ｈ、ＣＨ3）、１．６０−１．６６（ｍ、２
Ｈ）、１．７２−１．７８（ｍ、２Ｈ）、４．３３（ｓ
ｅｘｔｅｔ、Ｊ＝６．１Ｈｚ、２Ｈ、ＯＣＨ）、６．８
２−６．８５（ｍ、４Ｈ）、６．８２−６．８５（ｍ、
４Ｈ）、７．４３−７．４６（ｍ、８Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：９．７０（２Ｃ）、１９．１３
（２Ｃ）、２９．０８（２Ｃ）、７２．４６（２Ｃ、ａ
ｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、７５．１６（２Ｃ、ＯＣＨ）、
８０．３４（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、８３．４
３（２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎｉｃ）、１１２．９６（２
Ｃ）、１１５．７７（４Ｃ）、１２２．５９（２Ｃ）、
１３２．３１（４Ｃ）、１３４．２０（４Ｃ）、１５
９．３１（２Ｃ、Ｃ−Ｏ） また、化合物(１−６)をギャップ８μｍのガラスセルに
注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観察したとこ
ろ、２０１℃から２２２℃の範囲でネマティック相を示
した。またこの化合物の屈折率異方性を測定したとこ
ろ、０．４６（測定温度；２１０℃、測定波長；６３３
ｎｍ）と極めて大きいものであった。
【００８６】実施例７ 実施例５において、中間体（ＩＭ３−２）の代わりに中
間体（ＩＭ３−４）を用いて同様に合成することにより
下記（１−７）を得ることができた。
間体（ＩＭ３−４）を用いて同様に合成することにより
下記（１−７）を得ることができた。
【００８７】
【化５０】 （ＩＭ３−２）
【００８８】
【化５１】 （１−７）
【００８９】また、化合物(１−７)をギャップ８μｍの
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、１７７℃から２２１℃の範囲でネマティ
ック相を示した。またこの化合物の屈折率異方性を測定
したところ、０．４４（測定温度；１８５℃、測定波
長；６３３ｎｍ）と極めて大きいものであった。
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、１７７℃から２２１℃の範囲でネマティ
ック相を示した。またこの化合物の屈折率異方性を測定
したところ、０．４４（測定温度；１８５℃、測定波
長；６３３ｎｍ）と極めて大きいものであった。
【００９０】実施例８ 実施例６において、中間体（ＩＭ３−３）の代わりに中
間体（ＩＭ３−２）を用いて同様に合成することにより
下記（１−８）を得ることができた。
間体（ＩＭ３−２）を用いて同様に合成することにより
下記（１−８）を得ることができた。
【００９１】
【化５２】 （１−８）
【００９２】また、化合物(１−８)をギャップ８μｍの
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、２３７℃から２７１℃の範囲でネマティ
ック相を示した。
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、２３７℃から２７１℃の範囲でネマティ
ック相を示した。
【００９３】実施例９ 実施例４において、中間体（ＩＭ３−１）の代わりに中
間体（ＩＭ３−３）を用いて同様に合成することにより
下記（１−９）を得ることができた。
間体（ＩＭ３−３）を用いて同様に合成することにより
下記（１−９）を得ることができた。
【００９４】
【化５３】 （１−９）
【００９５】また、化合物(１−９)をギャップ８μｍの
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、１４５℃から１４７℃の範囲でネマティ
ック相を示した。
ガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光顕微鏡観
察したところ、１４５℃から１４７℃の範囲でネマティ
ック相を示した。
【００９６】実施例１０ 実施例３記載の化合物（１−３）を、メルクジャパン社
製ネマティック液晶ＭＪ９３１３８１（Δｎ＝０．１４
（２０℃、５８９ｎｍ）に１０重量％添加し、屈折率異
方性を測定したところ、０．１９（２０℃、５８９ｎ
ｍ）と大きなΔｎを示す液晶が得られた。
製ネマティック液晶ＭＪ９３１３８１（Δｎ＝０．１４
（２０℃、５８９ｎｍ）に１０重量％添加し、屈折率異
方性を測定したところ、０．１９（２０℃、５８９ｎ
ｍ）と大きなΔｎを示す液晶が得られた。
【００９７】比較例１ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内で、下記中間
体(ＲＩＭ１−１)０．２５６ｇと中間体（ＲＩＭ２−
１）１５３μｌを乾燥したＴＨＦに溶解したものに、無
水メトキシカリウム０．０８８６ｇを乾燥したＴＨＦ４
ｍｌに溶解したものを−７８℃でゆっくり加えた。−７
８℃で２時間攪拌した後、トリメチルシリルクロライド
１５５μｌを加え、冷却槽をはずしてさらに２時間攪拌
した。再度０−５℃に反応槽を冷却し、リチウムヘキサ
メチルジシラザン（ヘキサメチルジシラザン２３９５μ
ｌとｎ−ブチルリチウム（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶
液）６２５０μｌを混合してあらかじめ調製したもの）
のＴＨＦ溶液をで加えた。これを室温で３時間攪拌した
のち、塩化アンモニウム水溶液で反応をクエンチし、反
応物を酢酸エチルで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物
をｎ−ヘキサンを移動相とするシリカゲルクロマトグラ
フィーにて精製し、目的とする化合物（Ｒ１）を０．１
１２ｇ得た。
体(ＲＩＭ１−１)０．２５６ｇと中間体（ＲＩＭ２−
１）１５３μｌを乾燥したＴＨＦに溶解したものに、無
水メトキシカリウム０．０８８６ｇを乾燥したＴＨＦ４
ｍｌに溶解したものを−７８℃でゆっくり加えた。−７
８℃で２時間攪拌した後、トリメチルシリルクロライド
１５５μｌを加え、冷却槽をはずしてさらに２時間攪拌
した。再度０−５℃に反応槽を冷却し、リチウムヘキサ
メチルジシラザン（ヘキサメチルジシラザン２３９５μ
ｌとｎ−ブチルリチウム（１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶
液）６２５０μｌを混合してあらかじめ調製したもの）
のＴＨＦ溶液をで加えた。これを室温で３時間攪拌した
のち、塩化アンモニウム水溶液で反応をクエンチし、反
応物を酢酸エチルで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物
をｎ−ヘキサンを移動相とするシリカゲルクロマトグラ
フィーにて精製し、目的とする化合物（Ｒ１）を０．１
１２ｇ得た。
【００９８】
【化５４】 （ＩＭ１−１）
【００９９】
【化５５】 （ＲＩＭ２−１）
【０１００】
【化５６】 （Ｒ１）
【０１０１】化合物(１−１）のＮＭＲスペクトルデー
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：７．３２−７．３６（ｍ、４
Ｈ）、７．３７−７．４１（ｍ、２Ｈ）、７．５２?
７．５５（ｍ，４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：６６．４４（ｓ、２Ｃ、ａｃｅｔ
ｙｌｅｎｉｃ）、７４．４１（ｓ、２Ｃ、ａｃｅｔｙｌ
ｅｎｉｃ）、７８．５６（ｓ、２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎ
ｉｃ）、１２０．９０（ｓ、２Ｃ）、１２８．４６
（ｓ、４Ｃ）、１２９．６７（ｓ、２Ｃ）、１３２．９
４（ｓ、４Ｃ） 化合物Ｒ１は室温では結晶であった。これををギャップ
８μｍのガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光
顕微鏡観察したところ、９３℃で結晶相から液相に転移
した。また、液相から降温したところ、４１℃で結晶相
に転移した。したがってＲ１は液晶相をとらない化合物
であることがわかった。
タは以下のとおりであった。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ）：７．３２−７．３６（ｍ、４
Ｈ）、７．３７−７．４１（ｍ、２Ｈ）、７．５２?
７．５５（ｍ，４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ（δ）：６６．４４（ｓ、２Ｃ、ａｃｅｔ
ｙｌｅｎｉｃ）、７４．４１（ｓ、２Ｃ、ａｃｅｔｙｌ
ｅｎｉｃ）、７８．５６（ｓ、２Ｃ、ａｃｅｔｙｌｅｎ
ｉｃ）、１２０．９０（ｓ、２Ｃ）、１２８．４６
（ｓ、４Ｃ）、１２９．６７（ｓ、２Ｃ）、１３２．９
４（ｓ、４Ｃ） 化合物Ｒ１は室温では結晶であった。これををギャップ
８μｍのガラスセルに注入して、温度を変えながら偏光
顕微鏡観察したところ、９３℃で結晶相から液相に転移
した。また、液相から降温したところ、４１℃で結晶相
に転移した。したがってＲ１は液晶相をとらない化合物
であることがわかった。
【０１０２】
【発明の効果】本発明のジまたはトリアセチレン化合物
は、屈折率異方性が極めて大きく、他液晶に混合し易
く、例えば、ＳＴＮ(超ねじれネマティック)型液晶素子
やＰＤＬＣ(ポリマ−分散型液晶)型液晶素子に代表され
る液晶素子を構成する材料として特に有用である。
は、屈折率異方性が極めて大きく、他液晶に混合し易
く、例えば、ＳＴＮ(超ねじれネマティック)型液晶素子
やＰＤＬＣ(ポリマ−分散型液晶)型液晶素子に代表され
る液晶素子を構成する材料として特に有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 41/30 Ｃ０７Ｃ 41/30 43/225 43/225 Ｃ 45/68 45/68 49/84 49/84 Ｆ 253/30 253/30 255/50 255/50 255/54 255/54 Ｃ０９Ｋ 19/18 Ｃ０９Ｋ 19/18 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (5)
- 【請求項１】一般式(１) 【化１】 （１） ［式中、Ａ1〜Ａ12は、それぞれ独立に水素原子、フッ
素原子、フッ素で置換されていてもよい炭素数１〜１０
のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい炭素数
１〜１０のアルコキシ基を表し、ｎは０又は１であり、
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、
シアノ基、ＳＦ5、ＮＣＳ、４−Ｒ3−（シクロアルキ
ル）基、４−Ｒ3−（シクロアルケニル）基又はＲ4−
（Ｏ）q基を表し、ここにＲ3は水素原子、又は直鎖もし
くは分枝のフッ素で置換されていてもよい炭素数１〜１
２のアルキル基を表しＲ4は直鎖もしくは分枝のフッ素
原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキル
基、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても
よい炭素数１〜１２のアルコキシアルキル基、炭素数３
〜１２のアルキニル基又は炭素数３〜１２のアルケニル
基を表し、ｑは０又は１であり、Ｒ4がアルコキシアル
キル基の場合はｑ＝１であり、Ｒ1及びＲ2は同時に水素
原子であることはない。］で示されるジまたはトリアセ
チレン化合物。 - 【請求項２】一般式（ＩＭ−１） 【化２】 （ＩＭ−１） ［式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＲ1は、前記と同じ意
味を表し、Ｘは電子吸引性基を表す。］で示される化合
物と一般式（ＩＭ−２） 【化３】 （ＩＭ−２） ［式中、Ａ5、Ａ6、Ａ7、Ａ8及びＲ2は、前記と同じ意
味を表す。］で示される化合物とを、塩基の存在下で反
応でさせることを特徴とする請求項１記載においてｎ＝
０である化合物の製造法。 - 【請求項３】請求項２記載の一般式（ＩＭ−１）で示さ
れる化合物と、一般式（ＩＭ−３） 【化４】 （ＩＭ−３） ［式中、Ａ5、Ａ6、Ａ7及びＡ8は、前記と同じ意味を表
す。］で示される化合物とを、塩基の存在下で反応でさ
せることを特徴とする請求項１記載においてｎ＝１であ
る化合物の製造法。 - 【請求項４】請求項１記載の一般式(１)で示される化合
物を少なくとも１種含有することを特徴とする液晶組成
物。 - 【請求項５】請求項３記載の液晶組成物を一対の電極基
板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220515A JP4576678B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 側鎖を有するジまたはトリアセチレン化合物、それを含む液晶組成物、およびそれを用いた液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220515A JP4576678B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 側鎖を有するジまたはトリアセチレン化合物、それを含む液晶組成物、およびそれを用いた液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002030016A true JP2002030016A (ja) | 2002-01-29 |
| JP4576678B2 JP4576678B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=18715109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000220515A Expired - Fee Related JP4576678B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 側鎖を有するジまたはトリアセチレン化合物、それを含む液晶組成物、およびそれを用いた液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4576678B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010126468A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Toyota Central R&D Labs Inc | スルホンアミド化合物の製造方法 |
| WO2011024958A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 株式会社クラレ | アセチレン化合物及びそれを含有している有機蛍光体材料 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2013821A1 (en) * | 1970-03-23 | 1971-10-14 | Basf Ag | Sulphonium - contg polyenes, used asorganic semiconductors |
| JPS6160638A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機非線形光学材料 |
| JPH0566434A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Fujitsu Ltd | 非線形光学材料 |
| JPH0672905A (ja) * | 1983-08-24 | 1994-03-15 | Univ Pennsylvania | 液晶相をもつジアセチレン |
| JPH0940958A (ja) * | 1994-10-05 | 1997-02-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | 液晶組成物およびこれを用いた液晶素子 |
| US5820785A (en) * | 1994-05-19 | 1998-10-13 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Fluoroalkylethnyl- and difluoroalkylethynylbenzenes, and their use in liquid-crystal mixtures |
| JPH111445A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | ジアセチレン化合物、それを含む液晶組成物およびそれを用いた液晶素子 |
| JP2000273205A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | 光学異方体フィルムおよび液晶表示装置 |
-
2000
- 2000-07-21 JP JP2000220515A patent/JP4576678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2013821A1 (en) * | 1970-03-23 | 1971-10-14 | Basf Ag | Sulphonium - contg polyenes, used asorganic semiconductors |
| JPH0672905A (ja) * | 1983-08-24 | 1994-03-15 | Univ Pennsylvania | 液晶相をもつジアセチレン |
| JPS6160638A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機非線形光学材料 |
| JPH0566434A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Fujitsu Ltd | 非線形光学材料 |
| US5820785A (en) * | 1994-05-19 | 1998-10-13 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Fluoroalkylethnyl- and difluoroalkylethynylbenzenes, and their use in liquid-crystal mixtures |
| JPH0940958A (ja) * | 1994-10-05 | 1997-02-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | 液晶組成物およびこれを用いた液晶素子 |
| JPH111445A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | ジアセチレン化合物、それを含む液晶組成物およびそれを用いた液晶素子 |
| JP2000273205A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | 光学異方体フィルムおよび液晶表示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010126468A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Toyota Central R&D Labs Inc | スルホンアミド化合物の製造方法 |
| WO2011024958A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 株式会社クラレ | アセチレン化合物及びそれを含有している有機蛍光体材料 |
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