JP2002029830A - 耐プラズマ性部材およびその製造方法 - Google Patents

耐プラズマ性部材およびその製造方法

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JP2002029830A
JP2002029830A JP2000214198A JP2000214198A JP2002029830A JP 2002029830 A JP2002029830 A JP 2002029830A JP 2000214198 A JP2000214198 A JP 2000214198A JP 2000214198 A JP2000214198 A JP 2000214198A JP 2002029830 A JP2002029830 A JP 2002029830A
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Masahiko Ichijima
雅彦 市島
Mitsuhiro Fujita
光広 藤田
Shuichi Saito
秀一 齋藤
Katsuaki Aoki
克明 青木
Eriko Nishimura
絵里子 西村
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低圧高密度プラズマ曝露に対しても十分耐え
る耐プラズマ性部材およびその製造方法の提供。 【解決手段】 耐プラズマ性部材の発明は、実質的にイ
ットリウムアルミン酸ガーネット燒結体から成り、かつ
表面粗さ(Ra)0.01μm以下におけるL
表色系での色差が70以上であることを特徴とする。
製造方法の発明は、イットリウムアルミン酸ガーネット
系成形体を仮焼・脱脂処理する工程と、前記仮焼・脱脂
処理した成形体を真空燒結して結晶中の酸素イオンサイ
トに欠陥を導入し黒色化する工程と、前記黒色化させた
燒結体を大気雰囲気中、1400〜1900℃の温度で
熱処理し結晶中の酸素欠陥イオンサイトに酸素を結合さ
せて白色化する工程と、を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐プラズマ性部材
およびその製造方法に係り、さらに詳しくはハロゲン系
腐食性ガス雰囲気下で、すぐれた耐プラズマ性を呈する
耐プラズマ性部材およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウエハーに微細な加工を施すエッチング装置やスパッ
タリング装置、あるいは半導体ウエハーに成膜を施すC
VD装置などが使用されている。そして、これらの製造
装置では、高集積化を目的としてプラズマ発生機構を備
えた構成が採られている。たとえば、図1に構成の概略
を示すように、マイクロ波発生室1および処理室2を有
する電子サイクロトロン共鳴を用いたエッチング装置が
知られている。
【0003】ここで、マイクロ波発生室1と処理室2と
は、マイクロ波導入窓3で離隔されており、また、処理
室2の外周には磁界を形成するコイル4が配置されてい
る。さらに、処理室2は、エッチングガスを供給するガ
ス供給口5と、処理室2内を真空排気するガス排気口6
と、処理室2内を監視する監視窓7とを有するととも
に、処理室2内には、半導体ウエハー8を直接もしくは
サセプター(図示省略)を介して支持する支持・載置台
9が設置されている。
【0004】そして、このエッチング装置によるエッチ
ングは、次のように行われる。すなわち、支持・載置台
9面に半導体ウエハー8を載置し、処理室2内を真空化
した後に、エッチングガスを供給する。一方、マイクロ
波発生室1からマイクロ波導入窓3を介して、マイクロ
波を処理室2内に導入するとともに、コイル4に通電し
て磁界を発生させることにより、高密度のプラズマを発
生させる。このプラズマエネルギーによって、エッチン
グガスを原子状態に分解して、半導体ウエハー8面のエ
ッチングが行われる。
【0005】ところで、この種の製造装置では、エッチ
ングガスとして塩素系ガス(たとえば塩化ホウ素(BC
l)など)を、もしくはフッ素系ガス(たとえばフッ化
炭素(CF)など)の腐食性ガスを使用する。したが
って、処理室2の内壁部、監視窓7、マイクロ波導入窓
3、支持・載置台9など、腐食性ガス雰囲気下でプラズ
マに曝される構成部材については、耐プラズマ性が要求
される。このような要求に対応して、上記耐プラズマ性
部材として、アルミナ系燒結体、窒化ケイ素系燒結体、
窒化アルミニウム系焼結体などが使用されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ア
ルミナ系燒結体、窒化ケイ素系燒結体、窒化アルミニウ
ム系焼結体などの耐プラズマ性部材は、腐食性ガス雰囲
気下でプラズマに曝されると徐々に腐食が進行して、表
面を構成する結晶粒子が離脱するため、いわゆるパーテ
ィクル汚染を生じる。すなわち、離脱したパーティクル
が、半導体ウエハー8や支持・載置台9などに付着し、
エッチングの精度などに悪影響を与え、半導体の性能や
信頼性が損なわれ易いという問題がある。
【0007】また、CVD装置においても、クリーニン
グ時に窒化フッ素(NF)などのフッ素系ガスにプラ
ズマ下で曝されるため、耐食性が必要とされている。
【0008】上記耐食性の問題に対し、イットリウムア
ルミン酸ガーネット(いわゆるYAG)焼結体を素材と
する耐プラズマ性部材が提案されている(たとえば特開
平10−45461号公報、特開平10−236871
号公報)。すなわち、ハロゲン系腐食性ガス雰囲気下で
プラズマに曝される表面が、気孔率3%以下のスピネ
ル、コージェライト、イットリウムアルミン酸ガーネッ
トなど、複合酸化物を主体とした焼結体で形成され、か
つ表面を中心線平均粗さ(Ra)1μm以下とした耐プ
ラズマ性部材が知られている。
【0009】しかし、このイットリウムアルミン酸ガー
ネット焼結体などは、耐プラズマ性の点ですぐれている
とはいえ、エッチング処理や成膜処理の微細化、あるい
は被加工体の大口径化などに対応し得ない。すなわち、
半導体の製造におけるドライプロセス、特に、エッチン
グプロセスにおいて、エッチング処理の微細化、あるい
は被加工体の大口径化の際、低圧高密度プラズマが使用
されており、従来のプラズマエッチング条件に較べて、
さらに、すぐれた耐プラズマ性が望まれる。
【0010】本発明は、上記事情に対処してなされたも
ので、低圧高密度プラズマ曝露に対しても十分耐える耐
プラズマ性部材およびその製造方法の提供を目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、実質
的にイットリウムアルミン酸ガーネット燒結体から成
り、かつ表面粗さ(Ra)0.01μm以下におけるL
表色系での色差が70以上であることを特徴
とする耐プラズマ性部材である。
【0012】請求項2の発明は、イットリウムアルミン
酸ガーネット系成形体を仮焼・脱脂処理する工程と、前
記仮焼・脱脂処理した成形体を真空燒結して結晶中の酸
素イオンサイトに欠陥を導入し黒色化する工程と、前記
黒色化させた燒結体を大気雰囲気中、1400〜190
0℃の温度で熱処理し結晶中の酸素欠陥イオンサイトに
酸素を結合させて白色化する工程と、を有することを特
徴とする耐プラズマ性部材の製造方法である。
【0013】請求項1および2の発明は、真空燒結によ
り結晶中の酸素イオンサイトに欠陥を導入し黒色化した
後に、大気雰囲気中、1400〜1900℃の温度で熱
処理し結晶中の酸素欠陥イオンサイトに酸素を結合さ
せ、表面粗さ(Ra)0.01μm以下におけるL
表色系での色差が70以上に白色化させたイット
リウムアルミン酸ガーネット系燒結体とした場合、低圧
高密度プラズマ曝露に対しても十分耐える耐プラズマ性
を呈するという知見に基づくものである。
【0014】すなわち、イットリウムアルミン酸ガーネ
ット系燒結体は、その燒結雰囲気によって外観上呈する
色合いが異なり、真空燒結すると結晶中の酸素イオンサ
イトに欠陥が生じて黒色化する。この黒色化イットリウ
ムアルミン酸ガーネット系燒結体を一定の温度範囲内で
熱処理すると、酸素欠陥イオンサイトに酸素が結合して
白色化する。一方、大気中で燒結を行うと結晶中に酸素
イオンサイトに欠陥が生じていないにも拘わらず白色と
ならないでクリーム色化する。ここで、色合いの相違
は、JIS Z8701−1994色の表示方法「L
表色系」によるもので、明るさ方向のL軸を
縦軸にとり、色相の代わりに、赤緑の方向をa軸、黄
と青の方向をb軸で表し、Lは0(黒)〜100
(白)、aは+方向が赤、−方向が緑、bは+方向
が黄、−方向が青で示される。
【0015】そして、これら色合いの違ったイットリウ
ムアルミン酸ガーネット系燒結体について、耐プラズマ
性を比較評価したところ、表面粗さ(Ra)が0.01
μm以下に研磨した状態での色差で、白色化させた場合
は、黒色化状態の1.5倍、クリーム色状態の1.3倍
と耐プラズマ性が大幅に向上していることを確認した。
また、白色化させたイットリウムアルミン酸ガーネット
系燒結体、および黒色状態のイットリウムアルミン酸ガ
ーネット系燒結体の各表面状態をXPS(X線光電子分
光法)で測定したところ、白色イットリウムアルミン酸
ガーネット系燒結体の方が、高エネルギー側にシフトし
ており、これにより高耐食性を呈すると考えられる。
【0016】なお、大気雰囲気中での燒結処理で一旦、
クリーム色化したイットリウムアルミン酸ガーネット系
燒結体は、その後、大気雰囲気中、1400〜1900
℃の温度で熱処理してもクリーム色を保持している。つ
まり、イットリウムアルミン酸ガーネット系燒結体の白
色化に当たっては、真空燒結により結晶中の酸素イオン
サイトに欠陥を導入し黒色化した後に、クリーム色化の
過程を経ないで、直ちに大気雰囲気中、1400〜19
00℃の温度で熱処理し、結晶中の酸素欠陥イオンサイ
トに酸素を結合させる必要がある。
【0017】上記白色化のための大気雰囲気中での熱処
理条件は、1400〜1900℃、より好ましくは15
00〜1700℃の温度が選ばれ、一般的に、処理時間
は5〜15時間程度である。ここで、熱処理温度が14
00℃未満では、白色化に要する時間が長く成って生産
性が損なわれ易く、また、1900℃を超えると燒結体
の融点に近づくため変形などが起こる恐れがあるので、
上記範囲内で選択・設定される。
【0018】請求項1の発明に係る耐プラズマ性部材
は、たとえば請求項2の発明に係る手法で製造すること
ができる。すなわち、平均粒径0.1〜1.0μmのイ
ットリウムアルミン酸ガーネット粒子を主体とした原料
粉末に、マグネシア成分、バインダー樹脂および媒体液
の撹拌・混合によるスラリーを、たとえば回転式のボー
ルミルなどによって調製する。また、調製したスラリー
から、たとえばドライスプレイ法によって造粒し、静水
圧プレス法などで成形して、その成形体に仮焼・脱脂処
理を施す。なお、原料粉の成形は、静水圧プレスで行う
代わりに、たとえば金型成形、押し出し成形、射出成
形、鋳込み成形などの成形手段であってもよい。
【0019】次いで、前記仮焼・脱脂処理した成形体
に、真空燒結処理を施して、結晶中の酸素イオンサイト
に欠陥を導入・発生させる。つまり、真空燒結によっ
て、燒結する結晶中に酸素欠陥部を生成させて黒色化し
た後、大気雰囲気中、上記所要の温度で加熱処理を施し
て、イットリウムアルミン酸ガーネット系燒結体の結晶
中の酸素イオンサイトに欠陥に再び酸素を結合・導入す
る。
【0020】前記酸素の再結合・導入によって、中間的
なクリーム色相を経ずに、黒色から白色化のイットリウ
ムアルミン酸ガーネット系燒結体となる。そして、白色
化した状態で、表面粗さ(Ra)が0.01μmを超え
ている場合は、機械的な研磨処理もしくは化学的な研磨
処理を施して、表面粗さ(Ra)が0.01μm以下と
なるように加工して、L表色系による色差を
評価する。
【0021】請求項1の発明では、黒色もしくはクリー
ム色のイットリウムアルミン酸ガーネット系燒結体に較
べて、より耐プラズマ性のすぐれた白色系イットリウム
アルミン酸ガーネット系燒結体から成る耐プラズマ性部
材が提供される。すなわち、請求項1の発明に係る耐プ
ラズマ性部材は、低圧高密度の腐食性プラズマに曝され
る領域での使用において、パーティクル汚染を生じる恐
れもなくなり、高精度で、信頼性の高い加工などに適し
た機能を呈する。
【0022】したがって、製造装置ないし半導体の製造
コストアップを抑制防止しながら、成膜の質や精度など
に悪影響を与えることなく、性能や信頼性の高い半導体
の製造・加工に、効果的に寄与する。
【0023】請求項2の発明では、より耐プラズマ性が
向上・改善された耐プラズマ性部材を歩留まりよく、か
つ量産的に提供することが可能となる。
【0024】
【発明の実施形態】以下、実施例を説明する。
【0025】純度99.9%、平均粒子径0.5μmの
イットリウムアルミン酸ガーネット粒子100重量%に
対し、適量のイオン交換水およびポリビニルアルコール
2重量%を加え、撹拌・混合してスラリーを調製する。
次いで、前記調製したスラリーをスプレードライヤーで
造粒し、得られた造粒粉を静水圧プレス(CIPプレ
ス)にて、9.807x10MPa(1000kgf
/cm)の圧力で成形し、厚さ10mm、幅100
mm、長さ100mmの成形体をそれぞれ得た。
【0026】上記成形体について、大気中、900℃の
温度で仮焼・脱脂の処理を施した後、1.33Pa
(0.01Torr)以下の真空中、1750℃の温度
で燒結・焼成処理を行って、黒色化したイットリウムア
ルミン酸ガーネット系燒結体を得た。次いで、前記黒色
燒結体を大気雰囲気中、1600℃の温度で10時間熱
処理を行って、白色化したイットリウムアルミン酸ガー
ネット系燒結体を得た。この白色燒結体は、表面粗さR
a0.01μmにおけるL表色系での色差が
79.27であった。
【0027】また、上記白色燒結体から、厚さ2mm、
10x10mm角の試験片を切り出し、平行平板型RI
E装置に取り付け、周波数13.56MHz、高周波ソ
ース500W、高周波バイアス300W、CF/O
/Ar=30:20:50、5x133Pa(5mTo
rr)の条件でプラズマ曝露試験を行ったところ、エッ
チングレート(オングストローム/時間)が76であっ
た。
【0028】純度99.9%、平均粒子径0.5μmの
イットリウムアルミン酸ガーネット粒子100重量%に
対し、適量のイオン交換水およびポリビニルアルコール
2重量%を加え、撹拌・混合してスラリーを調製する。
次いで、前記調製したスラリーをスプレードライヤーで
造粒し、得られた造粒粉を静水圧プレス(CIPプレ
ス)にて、9.807x10MPa(1000kgf
/cm)の圧力で成形し、厚さ10mm、幅100
mm、長さ100mmの成形体を複数個得た。
【0029】上記成形体の一部について、900℃の温
度で仮焼・脱脂の処理を施した後、大気雰囲気中、17
50℃の温度で燒結・焼成処理を行って、クリーム色化
したイットリウムアルミン酸ガーネット系燒結体(比較
例1)を得た。また、成形体の残りの一部について、9
00℃の温度で仮焼・脱脂の処理を施した後、1.33
Pa(0.01mTorr)Torr以下の真空中、1
750℃の温度で燒結・焼成処理を行って、黒色化した
イットリウムアルミン酸ガーネット系燒結体(比較例
2)を得た。
【0030】上記クリーム色燒結体(比較例1)は、表
面粗さRa0.01μmにおけるL 表色系で
の色差が68.67であり、黒色燒結体(比較例2)
は、表面粗さRa0.01μmにおけるL
色系での色差が42.74であった。
【0031】また、上記クリーム色燒結体(比較例
1)、および黒色燒結体(比較例2)から、それぞれ厚
さ2mm、10x10mm角の試験片を切り出し、平行
平板型RIE装置に取り付け、周波数13.56MH
z、高周波ソース500W、高周波バイアス300W、
CF/O/Ar=30:20:50、ガス圧5x1
33Pa(5mTorr)の条件でプラズマ曝露試験を
行ったところ、エッチングレート(オングストローム/
時間)が比較例1の場合101、比較例2の場合126
であった。
【0032】上記実施例および比較例に係る耐プラズマ
性部材のL表色系での色差、エッチングレー
トを表1に併せて表示する。
【0033】
【表1】
【0034】上記表1から分かるように、実施例に係る
耐プラズマ性部材は、比較例に係る耐プラズマ性部材に
較べて、腐食性ガス下におけるプラズマによる損傷、フ
ッ化アルミニウムなどのパーティクルなども大幅に抑制
される。つまり、半導体の製造工程などにおいて、精度
の高い加工などを行えるだけでなく、被加工体に悪影響
を及ぼす恐れの解消も図られる。
【0035】本発明は、上記実施例に限定されるもので
なく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を
採ることができる。たとえば真空焼成・燒結温度、大気
雰囲気中での焼成・燒結温度、イットリウムアルミン酸
ガーネット原料組成など、許容される範囲で適宜変更で
きる。
【0036】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、耐プラズマ性
のすぐれたイットリウムアルミン酸ガーネット系燒結体
で、さらに、耐プラズマ性のすぐれた耐プラズマ性部材
が提供される。つまり、腐食性のガスを含むプラズマに
曝される領域の構成において、すぐれた耐久性を有する
部材として機能するので、半導体製造装置の長寿命化な
どに寄与する。また、パーティクル汚染を生じる恐れも
なくなるため、半導体の信頼性の向上、歩留まりの向上
なども図れる。
【0037】請求項2の発明によれば、耐プラズマ性が
すぐれており、半導体の製造装置に適する耐プラズマ性
部材を歩留まりよく、かつ量産的に提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】プラズマエッチング装置の概略構成を示す断面
図。
【符号の説明】 1……マイクロ波発生室 2……処理室 3……マイクロ波導入窓 4……磁界形成コイル 5……ガス供給口 6……ガス排出口 7……監視窓 8……半導体ウエハー 9……半導体ウエハー支持・載置台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05H 1/46 C04B 35/64 301 // C23C 16/44 H01L 21/302 B (72)発明者 藤田 光広 神奈川県秦野市曾屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 齋藤 秀一 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 青木 克明 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 西村 絵里子 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 Fターム(参考) 4G031 AA03 AA08 AA29 CA01 GA04 GA08 GA16 GA19 4K030 FA01 KA30 KA46 5F004 AA16 BB07 BB14 BB29 5F045 BB08 BB10 BB20 EB03 EC05 EM09

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 実質的にイットリウムアルミン酸ガーネ
    ット燒結体から成り、かつ表面粗さ(Ra)0.01μ
    m以下におけるL表色系での色差が70以上
    であることを特徴とする耐プラズマ性部材。
  2. 【請求項2】 イットリウムアルミン酸ガーネット系成
    形体を仮焼・脱脂処理する工程と、前記仮焼・脱脂処理
    した成形体を真空燒結して結晶中の酸素イオンサイトに
    欠陥を導入し黒色化する工程と、前記黒色化させた燒結
    体を大気雰囲気中、1400〜1900℃の温度で熱処
    理し結晶中の酸素欠陥イオンサイトに酸素を結合させて
    白色化する工程と、を有することを特徴とする耐プラズ
    マ性部材の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011151336A (ja) * 2009-12-21 2011-08-04 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック、その製造方法及び静電チャック装置

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