JP2002029744A - 酸化錫粉末の製造方法 - Google Patents
酸化錫粉末の製造方法Info
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Abstract
の原料等として好適に用いることができ、一次粒子の凝
集が少なく、粒度分布の狭い酸化錫粉末が合成可能な方
法を提供する。 【解決手段】BET比表面積より算出した粒径が0.0
5μm以上1μm以下であり、レーザー回折散乱法によ
り測定した累積粒度分布の微粒側から累積10%、累積
50%、累積90%の粒径をそれぞれD10、D50、
D90としたとき、(D90−D10)/D50が2以
下であり、D50が1μm以下である酸化錫粉末。錫塩
水溶液とアルカリ溶液を反応させて錫含有沈殿を生成さ
せ、該錫塩水溶液と該アルカリ溶液の反応液から錫含有
沈殿を分離し乾燥した後に、該錫含有沈殿を焼成する酸
化錫粉末の製造方法において、該錫塩水溶液が4価の錫
イオンを含む錫塩水溶液であり、該錫塩水溶液とアルカ
リ溶液の反応をpHが0.5以上4以下の範囲で行い、
該焼成を400℃以上1200℃以下の温度範囲で行う
酸化錫粉末の製造方法。
Description
結用として好適な酸化錫粉末およびその製造方法に関す
る。
性を有するので、ITOとともに、透明導電膜として利
用されている。ITOは液晶ディスプレイ用の透明導電
膜として使用されているが、非常に高価である。酸化錫
は安価であるが、膜の加工性がITOより劣るため、微
細加工の必要がない太陽電池用TCO基板ガラス(透明
導電性酸化物コートガラス)、熱線反射ガラス、低放射
ガラス、電熱ガラスなどに使用されている。ITO薄膜
は、ITOの焼結体をターゲットとしてスパッタ法によ
り製造されているが、酸化錫薄膜は酸化錫ではなく金属
錫をターゲットとしており、スパッタにより気化した金
属錫を酸化性雰囲気中で酸化して酸化錫としつつスパッ
タを行う反応性スパッタにより酸化錫薄膜が製造されて
いる。これはターゲットとして使用可能な密度の高い酸
化錫焼結体が得られていないためである。ターゲットと
して好適な密度の高い酸化錫焼結体が望まれているが、
従来の酸化錫粉末は焼結性が不十分であった。
特開平3−263705号公報に、「塩化スズおよび塩
化アンチモンの溶液をアルカリで中和して酸化スズと酸
化アンチモンの水和物を生成させ、このものを焼成して
導電性微粉末を製造する方法において、該焼成をアンモ
ニウム塩の存在下に行うことを特徴とする導電性粉末の
製造方法」が開示されている。
による中和をpHを7.0または7.3に維持して行
い、生成した水和物をアンモニウム塩存在下にて500
〜550℃で焼成する技術が開示されている。しかし、
生成した粉末のBET比表面積は60〜76m2/gと
大きく、従って極めて微粒の粉末であり、焼結用には必
ずしも十分なものではなかった。
酸化物前駆体をハロゲン化水素や分子状ハロゲンを含有
する雰囲気中にて焼成することにより、粒度分布の狭い
酸化物粉末を得る方法が開示されている。該公報の実施
例においては市販のメタスズ酸(金属錫と硝酸の反応に
より得られる固体)を塩化水素中で焼成する技術を開示
しているが、生成した粉末の一次粒子には凝集が残存し
ており、焼結用には必ずしも十分なものではなかった。
ッタターゲットに用いられる酸化錫焼結体の原料等とし
て好適に用いることができる、一次粒子の凝集が少な
く、粒度分布の狭い酸化錫粉末とその製造方法を提供す
ることにある。
題を解決するために鋭意検討の結果、錫塩水溶液とアル
カリ溶液を反応させて錫含有沈殿を生成させ、該錫塩水
溶液と該アルカリ溶液の反応液から該錫含有沈殿を分離
し乾燥した後に、該錫含有沈殿を焼成することによる酸
化錫粉末の製造方法において、該錫塩水溶液中の錫イオ
ンの価数を4価を含むように制御し、該錫塩水溶液と該
アルカリ溶液を反応させる工程におけるpHを従来技術
とは異なる特定の範囲に制御することにより、一次粒子
の凝集が少なく粒度分布が狭く、スパッタターゲット用
の酸化錫焼結体の原料等として好適に用いることができ
る酸化錫粉末が製造できることを見出し、本発明を完成
するに至った。
出した粒径が0.05μm以上1μm以下であり、レー
ザー回折散乱法により測定した累積粒度分布の微粒側か
ら累積10%、累積50%、累積90%の粒径をそれぞ
れD10、D50、D90としたとき、(D90−D1
0)/D50が2以下であり、D50が1μm以下であ
る酸化錫粉末を提供する。また本発明は、錫塩水溶液と
アルカリ溶液を反応させて錫含有沈殿を生成させ、該錫
塩水溶液と該アルカリ溶液の反応液から該錫含有沈殿を
分離し乾燥した後に、該錫含有沈殿を焼成する酸化錫粉
末の製造方法において、該錫塩水溶液が4価の錫イオン
を含み、該錫塩水溶液と該アルカリ溶液の反応をpHが
0.5以上4以下の範囲で行い、該焼成を400℃以上
1200℃以下の温度範囲で行う上記の酸化錫粉末の製
造方法を提供する。また本発明は、上記の酸化錫粉末を
用いる酸化錫焼結体を提供する。さらに本発明は、上記
の酸化錫焼結体を用いるスパッタターゲットを提供す
る。
する。本発明の方法においては、錫塩水溶液とアルカリ
溶液を反応させて錫含有沈殿を生成させ、該錫塩水溶液
と該アルカリ溶液の反応液から該錫含有沈殿を分離し乾
燥した後に、該錫含有沈殿を焼成するのであるが、該錫
塩水溶液が4価の錫イオンを含むことと、該錫塩水溶液
と該アルカリ溶液の反応をpHが0.5以上4以下の範
囲で行うことが必要である。錫は2価と4価の価数を有
するが、錫が2価である錫塩の水溶液を用いた場合は、
理由は明らかではないが、焼結用に適した酸化錫粉末を
得ることはできず、錫が主に4価である錫塩の水溶液を
用いた場合に、焼結用に適した酸化錫粉末を得ることが
できる。錫塩水溶液とアルカリ溶液の反応は、従来技術
においては中性付近すなわちpH=7付近で行っていた
のであるが、意外にもかなり酸性側である0.5以上4
以下のpH範囲で行った場合に、理由は明らかではない
が、焼結用に適した酸化錫粉末を得ることができるので
ある。
について詳しく説明する。本発明の方法で使用される4
価の錫イオンを含む錫塩水溶液としては、金属錫を塩酸
と硝酸の混酸に溶解させたものかまたは錫の無機塩を用
いることができる。金属錫を塩酸に溶解させて2価の錫
イオンを含む塩化錫水溶液を作製した後、2価の錫イオ
ンを硝酸により酸化して4価とすることにより、4価の
錫イオンを含む錫塩水溶液としたものを用いることがで
きる。さらに、塩化第二錫水溶液や硫酸第二錫水溶液等
の2価の錫イオンを含む錫塩水溶液と硝酸を反応させて
2価の錫イオンを酸化することにより4価の錫イオンを
生成させ、4価の錫イオンを含む錫塩水溶液としたもの
を用いることができる。
錫の形態としては、インゴット、ショット、ビーズ等を
挙げることができる。
モルに対して塩酸を0.2〜5モル混合して得たものが
望ましい。混合する塩酸が硝酸に対して0.2モルより
少ないと、目的の酸化錫粉末を得ることが困難となり、
また5モルより多いと、錫塩水溶液中に、2価の錫イオ
ンが増えるため好ましくない。
工業的に実施可能な反応時間に設定するために、6モル
/リットル以上であることが好ましい。工業的に入手可
能な硝酸の濃度は最大16モル/リットルであるので、
本発明の方法における硝酸の濃度は6モル/リットル〜
16モル/リットルが好ましい。
めの金属錫と上記混酸との反応時の温度は40℃以上が
好ましい。40℃未満であると反応が遅く反応に長時間
を要するため、工業的な製造方法としては好ましくな
い。
400g/リットルの範囲のが好ましい。錫濃度がSn
として20g/リットル未満では得られる酸化錫粉末の
生産性(錫塩水溶液の単位体積当りの酸化錫の生産量)
が低下し、工業的な製造方法としては好ましくない。4
00g/リットルを越える濃度は飽和濃度を越える。
液とアルカリ溶液を反応させ、錫含有沈殿を生成させ
る。該錫塩水溶液と該アルカリ溶液の反応中のpHが
0.5以上4以下の範囲に維持されるように、該錫塩水
溶液と該アルカリ溶液を供給する。反応中のpHが4よ
り高くなるかまたは0.5未満であると、目的とする狭
い粒度分布を有する焼結用に好適な酸化錫粉末が得られ
なくなる。
しては、アンモニア水、水酸化ナトリウム水溶液あるい
は水酸化カリウム水溶液等を挙げることができる。
ため、本発明の方法における錫塩水溶液とアルカリ溶液
の反応の温度は40℃以上100℃未満の範囲であるこ
とが好ましい。
カリ溶液を反応させ錫含有沈殿を生成させる方法として
は、反応槽中の錫塩水溶液中にアルカリ溶液を供給する
方法、反応槽中のアルカリ溶液中に錫塩水溶液を供給す
る方法、錫塩水溶液とアルカリ溶液を同時に反応槽に供
給する方法などを挙げることができる。
リ溶液を反応させ錫含有沈殿を生成させる方法として
は、例えば、反応槽に所定量、所定温度、所定pHの水
(蒸留水あるいはイオン交換水等)を入れて攪拌し、攪
拌しながら水中に錫塩水溶液の供給を開始し、錫塩水溶
液の供給により反応槽内の液のpHが低下するので、p
Hが0.5以上4以下の範囲に維持されるよう必要量の
アルカリ溶液を供給する方法を挙げることができる。
ルカリ溶液の反応により生成した錫含有沈殿を、該錫塩
水溶液と該アルカリ溶液の反応液から濾過あるいは遠心
分離等の方法により分離して回収する。該分離操作に使
用する装置としては、ヌッチェフィルター、フィルター
プレス、ケリー葉状濾過機、押出板型遠心分離機、スク
リュー排出型遠心脱水機、シックナー、回分式沈降装置
などを挙げることができる。
の錫含有沈殿には、錫塩とアルカリの反応により生成し
た塩(硝酸アンモニウムなどのアンモニウム塩、硝酸ナ
トリウムなどのアルカリ金属塩)が残存しているため、
該錫含有沈殿を洗浄することが望ましい。洗浄に用いる
液としては、副生成した塩類を溶解することができ、か
つ乾燥後に洗浄液由来の残留物を残すことの無い蒸留水
やイオン交換水等の水、あるいは、アンモニア水等のア
ルカリ水溶液を挙げることができる。
に乾燥が必要である。コニカルドライヤーや棚段式乾燥
機等、工業的に使用できる装置を用いて乾燥する事がで
きる。乾燥温度は、錫含有沈殿に付着した水分を除去で
きる程度の温度であれば良く、20℃以上300℃以下
の温度範囲が好ましく、90℃以上150℃以下がさら
に好ましい。また、焼成炉の中に仕込んだ状態で乾燥を
行い、乾燥工程と焼成工程を連続して行うこともでき
る。
1200℃以下の温度範囲で行うが、600℃以上11
00℃以下の温度範囲が望ましい。焼成温度が400℃
未満では、結晶化温度が十分でなかったり、錫含有沈殿
の乾燥物に付着した硝酸アンモニウム等の塩の分解が不
十分であったりする。焼成温度が1200℃を超える場
合には、一次粒子が結晶成長し一部が凝集して、一次粒
子の分散性のよい酸化錫粉末が得られない場合がある。
適切な焼成の時間は雰囲気ガスの濃度や焼成の温度にも
依存するが、好ましくは1分以上24時間以下、より好
ましくは10分以上10時間以下である。
しては、空気、酸素、窒素あるいは塩化水素、臭化水
素、ヨウ化水素等のハロゲン化水素ガス、または、塩
素、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス等を用いることが好
ましいが、ハロゲン化水素ガスまたはハロゲンガスを含
有する雰囲気中での焼成がより好ましく、塩化水素ガス
を含有する雰囲気ガス中での焼成が特に好ましい。塩化
水素ガスを含有する雰囲気ガス中での焼成によって、最
も一次粒子の凝集の弱い酸化錫粉末を得ることができ
る。
スあるいはハロゲンガス、特に塩化水素ガスを含有する
雰囲気中で焼成する場合、雰囲気ガスの全体積に対し
て、該ガスを好ましくは0.5体積%以上、より好まし
くは1体積%、さらに好ましくは2体積%以上含有する
雰囲気ガス中にて焼成する。ハロゲン化水素ガスの濃度
の上限は特に限定されないが、工業的な生産性の面か
ら、好ましくは50体積%以下、より好ましくは20体
積%以下、さらに好ましくは10体積%以下である。該
ガスの希釈ガスとしては、アルゴン等の不活性ガス、窒
素、酸素、空気またはこれらの混合ガスを挙げることが
できる。
あるいはハロゲンガス含有雰囲気中で焼成を行う場合、
雰囲気ガスの供給方法としては、例えば所定の濃度にガ
スを混合したボンベ等を用いることができる。焼成にお
ける雰囲気ガスの圧力は、工業的に用いられる範囲にお
いて選ぶことができる。
て、例えばガス炉、電気炉、トンネル炉などの焼成炉を
挙げることができる。
あるいはハロゲンガス含有雰囲気中で焼成を行う場合、
焼成炉はハロゲン化水素ガスまたはハロゲンガスに腐食
されない材質で構成されていることが好ましく、気密性
があることが望ましい。本発明の方法においてハロゲン
化水素ガスあるいはハロゲンガス含有雰囲気中で焼成を
行う場合、焼成炉の高温部や錫含有沈殿を入れる容器
(坩堝やボート)は、アルミナ製、石英製、耐酸レンガ
或いはグラファイト製であることが好ましい。
必要に応じて粉砕することができる。酸化錫粉末の粉砕
方法としは、例えば通常工業的に用いられる、振動ミ
ル、ボールミルやジェットミル、アトリッションミル等
による粉砕方法が挙げられるが、本発明の酸化錫粉末は
一次粒子同士の凝集が弱いため、例えばボールミルやジ
ェットミル等による軽度の粉砕方法を用いることができ
る。また、ボールミル粉砕に際しては、乾式粉砕、湿式
粉砕またはこれらの組み合わせのいずれの方法も用いる
ことができる。
いられる粉砕容器としては、アルミナ製や樹脂製等のも
のを挙げることができ、粉砕用ボールとしてはアルミナ
製やジルコニア製や樹脂製等のものを挙げることができ
る。ボールミル粉砕の際に粉砕容器やボールからの汚染
を抑制するため、粉砕用容器は樹脂製容器を、粉砕用ボ
ールは耐摩耗性の高いジルコニア製ボールを用いること
が好ましい。
ら算出した粒径(以下「BET比表面積径」と称する)
は、0.05μm以上1μm以下であり、レーザー回折
散乱法による累積粒度分布の微粒側から累積10%、累
積50%、累積90%の粒径をそれぞれD10、D5
0、D90としたとき、(D90−D10)/D50が
2以下、好ましくは1.5以下であり、D50が1μm
以下である粒度分布を有する。焼結に適当な粒径を有
し、かつ一次粒子の凝集が少なく粒径が揃っているの
で、本発明の酸化錫粉末は焼結用に好適に使用できる。
BET比表面積径が0.05μmより小さいと一次粒子
が凝集し焼結性が低下する。BET比表面積径が1μm
より大きいと焼結性が低下する。(D90−D10)/
D50が2より大きいと粒径が不揃いであるため焼結性
が低下する。D50が大き過ぎると粒径が大き過ぎ、焼
結性が低下する。D50/(BET比表面積径)は1〜
10が好ましい。10より大きいかまたは1より小さい
と凝集粒子が多く凝集も強く焼結性が低下する場合があ
る。
例えば特開平11−116325号公報に開示された公
知の方法を用いることができ、本発明の酸化錫粉末を使
用して製造した焼結体は、透明導電膜を作製するための
スパッタターゲットとして好適に使用できる。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
T比表面積の測定は次のようにして行った。 1.粒度分布 レーザー回折散乱法を測定原理とする粒度分布測定装置
である株式会社島津製作所製SALD−2000A型を
用いて測定した。 2.BET比表面積 BET比表面積測定装置の株式会社島津製作所製フロー
ソーブII2300型を用いてBET比表面積を測定し
た。また、次式によってBET比表面積径を算出した。 BET比表面積径(μm)=6/(S*ρ) SはBET比表面積(m2/g) ρは酸化錫の理論密度であり7.00g/cm3であ
る。
質量%硝酸200ミリリットルを混合し混酸(A)(塩
酸/硝酸モル比=2.6)を得た。金属錫113.66
gと混酸(A)を混合し、塩化錫(4価)水溶液を得
た。次いで容量2リットルのセパラブルフラスコ中に純
水1リットルを入れ、60℃に保持した。この60℃の
純水1リットルを攪拌回転数290rpmで攪拌しなが
ら、塩化錫(4価)水溶液627.34gと濃度28質
量%のアンモニア水を、反応中のpHを2.0に維持す
るように122分かけて同時に供給して反応させ、錫含
有沈殿を生成させた。錫含有沈殿を生成後、60℃にて
30分攪拌し、さらに室温で一晩静置して沈殿を熟成し
た。錫含有沈殿をpH=8に調整し、室温にて30分攪
拌した。次いで、吸引濾過を行い、洗浄を行い、沈殿を
回収した。この沈殿を130℃にて乾燥した。
トに充填し、管状炉にて焼成を行った。焼成温度は11
00℃で30分とし、昇温速度は900℃までは10℃
/分、900℃からは5℃/分とした。雰囲気ガスとし
ては、室温から1000℃までは空気のみを流し、10
00℃から1100℃までは2.5体積%塩化水素ガス
−97.5体積%空気を流した。焼成後は空気のみを流
して冷却し、炉から取り出した粉末を水洗、乾燥して酸
化錫粉末を得た。得られた酸化錫粉末を湿式粉砕した。
布を測定したところ、D50は0.65μm、(D90
−D10)/D50は1.05であった。BET比表面
積は4.42m2/gであった。BET比表面積径を算
出すると0.19μmとなり、D50をBET比表面積
径で除した値は3.42となる。
解して塩化錫(2価)水溶液(A)を得た。次いで塩化
錫(2価)水溶液(A)352.5gと濃度35質量%
の塩酸209.5gを混合し、塩化錫(2価)水溶液
(B)を得た。次いで塩化錫(2価)水溶液(B)を8
0℃に保持した。80℃に保持したこの溶液中に濃度6
0質量%の硝酸188.5gを68分かけて滴下し、塩
化錫(4価)水溶液(C)を得た。次いで2リットルの
セパラブルフラスコ中に純水1リットルを入れ、60℃
に保持した。この60℃の純水1リットルを攪拌回転数
298rpmで攪拌しながら、塩化錫(4価)水溶液
(C)733.3gと濃度28質量%アンモニア水を、
反応中のpHを2.0に維持するように122分かけて
同時に供給して反応させ、錫含有沈殿を生成させた。錫
含有沈殿を生成後、60℃にて30分攪拌し、さらに室
温で一晩静置して沈殿を熟成した。錫含有沈殿をpHを
8に調整し、室温にて30分攪拌した。次いで、吸引濾
過を行い、洗浄を行い、沈殿を回収した。この沈殿を1
30℃にて乾燥した。
トに充填し、管状炉にて焼成を行った。焼成温度は11
00℃で30分とし、昇温速度は900℃までは10℃
/分、900℃からは5℃/分とした。雰囲気ガスとし
ては、室温から1000℃までは空気のみを流し、10
00℃から1100℃までは2.5体積%塩化水素ガス
−97.5体積%空気を流した。焼成後は空気のみを流
して冷却し、炉から取り出した粉末を水洗、乾燥して酸
化錫粉末を得た。得られた酸化錫粉末のBET比表面積
は3.12m2/gであった。得られた酸化錫粉末を湿
式粉砕した。
分布を測定したところ、D50は0.49μm、(D9
0−D10)/D50は0.72であった。BET比表
面積は13.09m2/gであった。BET比表面積径
を算出すると0.07μmとなり、D50をBET比表
面積径で除した値は7.00となる。
(固体)を得た。次いで吸引濾過を行い、洗浄を行い、
メタスズ酸を回収した。このメタスズ酸を130℃にて
乾燥した後、石英ガラス製のボートに充填し、管状炉に
て焼成を行った。焼成温度は1100℃で60分とし、
昇温速度は5℃/分とした。雰囲気ガスとしては、室温
から1000℃までは空気のみを流し、1000℃から
1100℃までは20体積%塩化水素ガス−80体積%
空気を流した。焼成後は空気のみを流して冷却し、炉か
ら取り出した粉末を水洗、乾燥して酸化錫粉末を得た。
得られた酸化錫粉末を湿式粉砕した。粉砕後の酸化錫粉
末の粒度分布を測定したところ、D50は1.32μ
m、(D90−D10)/D50は2.35であり、B
ET比表面積は9.26m2/gであった。BET比表
面積径は0.09μmとなり、D50をBET比表面積
径で除した値は14.67となる。
解して塩化錫(2価)水溶液を得た。次いで1リットル
のセパラブルフラスコ中に純水400ミリリットルを入
れ、60℃に保持した。この60℃の純水400ミリリ
ットルを攪拌回転数250rpmで攪拌しながら、塩化
錫(2価)水溶液150.0gと28質量%アンモニア
水を、反応中のpHを6.0に維持するように65分か
けて同時に供給して反応させ、錫含有沈殿を生成させ
た。錫含有沈殿を生成後、60℃にて30分攪拌し、さ
らに室温で一晩静置して沈殿を熟成した。錫含有沈殿を
pH=8に調整し、室温にて30分攪拌した。次いで吸
引濾過を行い、洗浄を行い、沈殿を回収した。この沈殿
を130℃にて乾燥した。
トに充填し、管状炉にて焼成を行った。焼成温度は11
00℃で30分とし、昇温速度は900℃までは10℃
/分、900℃からは5℃/分とした。雰囲気ガスとし
ては、室温から1000℃までは空気のみを流し、10
00℃から1100℃までは10体積%の塩化水素ガス
−90体積%空気を流した。焼成後は空気のみを流して
冷却し、炉から取り出した粉末を水洗、乾燥して酸化錫
粉末を得た。得られた酸化錫粉末の粒度分布を測定した
ところ、D50は1.77μm、(D90−D10)/
D50は2.36であった。
少なく粒度分布が狭い、焼結用に好適な粉末であり、本
発明の製造方法により該酸化錫粉末を製造することがで
きるので、本発明は工業的に有用である。
Claims (9)
- 【請求項1】BET比表面積より算出した粒径が0.0
5μm以上1μm以下であり、レーザー回折散乱法によ
り測定した累積粒度分布の微粒側から累積10%、累積
50%、累積90%の粒径をそれぞれD10、D50、
D90としたとき、(D90−D10)/D50が2以
下であり、D50が1μm以下である酸化錫粉末。 - 【請求項2】D50をBET比表面積より算出した粒径
で除した値が1〜10である請求項1記載の酸化錫粉
末。 - 【請求項3】錫塩水溶液とアルカリ溶液を反応させて錫
含有沈殿を生成させ、該錫塩水溶液と該アルカリ溶液の
反応液から該錫含有沈殿を分離し乾燥した後に、該錫含
有沈殿を焼成する酸化錫粉末の製造方法において、該錫
塩水溶液が4価の錫イオンを含む錫塩水溶液であり、該
錫塩水溶液と該アルカリ溶液の反応をpHが0.5以上
4以下の範囲で行い、該焼成を400℃以上1200℃
以下の温度範囲で行うことを特徴とする請求項1記載の
酸化錫粉末の製造方法。 - 【請求項4】焼成をハロゲン化水素ガスまたはハロゲン
ガスを0.5体積%以上含有する雰囲気ガス中で行う請
求項3記載の酸化錫粉末の製造方法。 - 【請求項5】4価の錫イオンを含む錫塩水溶液が、硝酸
1モルに対して塩酸を0.2〜5モルの範囲で混合して
得られる混酸と金属錫を反応させて得られる4価の錫イ
オンを含む錫塩水溶液である請求項3記載の酸化錫粉末
の製造方法。 - 【請求項6】4価の錫イオンを含む錫塩水溶液が、2価
の錫イオンを含む錫塩水溶液と硝酸を反応させて得られ
る4価の錫イオンを含む錫塩水溶液である請求項3記載
の酸化錫粉末の製造方法。 - 【請求項7】2価の錫イオンを含む錫塩水溶液が、金属
錫と塩酸を反応させて得られる2価の錫イオンを含む錫
塩水溶液である請求項6記載の酸化錫粉末の製造方法。 - 【請求項8】請求項1記載の酸化錫粉末を用いる酸化錫
焼結体。 - 【請求項9】請求項8記載の酸化錫焼結体を用いるスパ
ッタターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000215482A JP4701480B2 (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 酸化錫粉末および酸化錫粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000215482A JP4701480B2 (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 酸化錫粉末および酸化錫粉末の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002029744A true JP2002029744A (ja) | 2002-01-29 |
JP4701480B2 JP4701480B2 (ja) | 2011-06-15 |
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ID=18710897
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000215482A Expired - Fee Related JP4701480B2 (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 酸化錫粉末および酸化錫粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4701480B2 (ja) |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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