JP2002009021A - ポリッシング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライイン／ドライアウト方式のポリッシン
グ装置として使用可能であり、半導体ウエハ等の被加工
物の単位時間及び単位面積あたりの処理能力を高めるこ
とができるポリッシング装置を提供する。 【解決手段】 研磨面を有した研磨テーブル３４，３６
と、半導体ウエハ１０１を保持し、かつ半導体ウエハ１
０１を研磨面に押圧するトップリング３２と、トップリ
ング３２が到達可能な位置に設置され、回転中心から所
定円周上に位置する複数のステージを有するロータリト
ランスポータ２７と、ロータリトランスポータ２７の各
ステージに着脱可能に保持されて半導体ウエハ１０１を
保持する複数の保持テーブル６００と、保持テーブル６
００を上下方向に動かしかつ保持テーブル６００とトッ
プリング３２との間で半導体ウエハ１０１を受け渡しす
るプッシャー３０とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等の被
加工物の表面を平坦且つ鏡面に研磨するポリッシング装
置に係り、特に被加工物を研磨位置に供給するロータリ
トランスポータを備えたポリッシング装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、半導体
ウエハの製造工程における半導体ウエハの表面を平坦且
つ鏡面にするためにポリッシングを行い、また半導体デ
バイス製造工程における半導体デバイス上に形成された
層を平坦且つ鏡面にするためにポリッシングを行ってい
る。これら半導体ウエハの製造工程及び半導体デバイス
の製造工程におけるポリッシング工程は、化学的機械的
ポリッシング装置と呼ばれる、ポリッシング装置によっ
て行なわれている。

【０００３】従来、ポリッシング装置は、半導体ウエハ
のポリッシングだけを行う専用のポリッシング装置であ
り、ポリッシング装置によりポリッシングの完了した半
導体ウエハは乾燥を防ぐため移動式の水槽の中に入れて
次の洗浄工程へ搬送されていた。ところが、このポリッ
シングと洗浄とを個別の工程で行なう方法では、クリー
ンルームのクリーン度を損ない、かつポリッシング終了
後の半導体ウエハの搬送もオペレータ又は人手で操作さ
れる搬送手段に頼らざるを得ない。またポリッシング装
置とその後の洗浄工程で使用する洗浄装置の２種類の装
置を必要とするため、広い設置スペースが必要である。

【０００４】そこで、ポリッシング工程のクリーン化を
図り、かつ装置の設置スペースを縮小するため、ポリッ
シング工程と洗浄工程を同一装置内で行い、半導体ウエ
ハをドライな状態で装置に入れ、処理後に半導体ウエハ
をクリーンでドライな状態で装置から払い出すドライイ
ン／ドライアウト方式を実現したポリッシング装置が開
発されている。一方、半導体ウエハのポリッシングのみ
を行なう単一の機能を有したポリッシング装置は、クリ
ーンルームのクリーン度を維持するために改良されてき
ている。そして、ポリッシング後の洗浄工程で用いられ
るポリッシング装置および洗浄装置の処理能力を増加さ
せ、それによりポリッシング工程に使用されるポリッシ
ング装置の数および洗浄装置の数を減らすようにしてい
る。その結果、半導体ウエハのポリッシングのみを行な
う従来の専用のポリッシング装置は、ドライイン／ドラ
イアウト方式のポリッシング装置と同等か又はより小さ
い程度に設置スペースを減少することができる。

【０００５】しかしながら、半導体ウエハのポリッシン
グのみを行なう単一の機能を有した専用のポリッシング
装置においては、ポリッシング装置によりポリッシング
された半導体ウエハは、従来と同様に、オペレータ又は
人手で操作される搬送手段によって搬送されている。搬
送手段を自動化しようとすると、半導体ウエハを移動式
の水槽に入れて保管するので取扱いが難しく、これ故、
従来の専用のポリッシング装置においては、搬送手段に
問題がある。

【０００６】また、ドライイン／ドライアウト方式のポ
リッシング装置は、ポリッシングだけを行なう専用のポ
リッシング装置に比べて、単位時間及び単位設置面積あ
たりの処理能力が低く、そのため、ポリッシング工程で
用いられる装置の数が多く、広い設置空間を必要とし、
しかも装置のランニングコストが高いという欠点があ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ドライイン
／ドライアウト方式のポリッシング装置として使用可能
であり、半導体ウエハ等の被加工物の単位時間及び単位
面積あたりの処理能力を高めることができるポリッシン
グ装置を提供することを目的とする。本発明は、半導体
ウエハ等の被加工物が反転機からトップリングに搬送さ
れる間の被加工物の搬送の回数を減少させ、又は最小と
することができるポリッシング装置を提供することを他
の目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は、研磨面を有した研磨テーブルと、被加工
物を保持し、かつ被加工物を前記研磨面に押圧するトッ
プリングと、前記トップリングが到達可能な位置に設置
され、回転中心から所定円周上に位置する複数のステー
ジを有するロータリトランスポータと、前記ロータリト
ランスポータの各ステージに着脱可能に保持されて被加
工物を保持する複数の保持テーブルと、前記保持テーブ
ルを上下方向に動かしかつ前記保持テーブルと前記トッ
プリングとの間で被加工物を受け渡しするプッシャーと
を備えたことを特徴とするものである。本発明によれ
ば、半導体ウエハ等の研磨対象物をトップリングに搬送
する時間を短縮することが可能となり、単位時間あたり
のポリッシング対象物の処理枚数、すなわちスループッ
トを飛躍的に増加することができる。

【０００９】好ましい態様においては、ポリッシング装
置は、被加工物を反転する反転機と、保持テーブルを上
下に動かし保持テーブルと反転機との間で被加工物を移
送するリフタとを備えている。これ故、反転機からトッ
プリングへの研磨すべき被加工物としての半導体ウエハ
の移送がロータリトランスポータの各ステージに着脱可
能に保持されたウエハ保持テーブルによってなされる。
したがって、例えば、リフタとロータリトランスポータ
間またはロータリトランスポータとプッシャー間の半導
体ウエハの移送がなくなり、ダストの発生を防止するこ
とができ、かつ半導体ウエハの移送時のエラーまたはク
ランプエラーによる損傷を防止することができる。

【００１０】好ましい態様においては、複数の保持テー
ブルは研磨すべき被加工物を保持するロード用の保持テ
ーブルと、研磨された被加工物を保持するためのアンロ
ード用の保持テーブルとを備えている。上述の構成によ
り、研磨前の半導体ウエハはプッシャーからでなくロー
ド用の保持テーブルからトップリングへ受け渡され、
又、研磨後の半導体ウエハはトップリングからプッシャ
ーではなくアンロード用の保持テーブルに受け渡され
る。従って、トップリングへの半導体ウエハのロードと
トップリングからの半導体ウエハのアンロードが、別の
治具（又は部材）、即ち、保持テーブルで行われるた
め、研磨後の半導体ウエハに付着した砥液等がロードと
アンロード共通のウエハの保持部材に付着し、固化した
砥液等が研磨前の半導体ウエハに付着したり半導体ウエ
ハを傷つけたりする問題点を解決できる。

【００１１】好ましい態様においては、ロータリトラン
スポータは各ステージに円周方向に沿って所定間隔離間
して設けられ、保持テーブルを着脱可能に支持するため
の複数のガイドブロックを備えている。好ましい態様に
おいては、ガイドブロックは調芯作用のためのテーパ面
を有した内面と、調芯作用のためのテーパ面を有した外
側面の少なくとも１つを備えている。上述の構成によれ
ば、ガイドブロックに対する保持テーブルの調芯がテー
パ面によって行なわれる。

【００１２】好ましい態様においては、複数のトップリ
ングの各々は、回転軸を中心として揺動することによ
り、少なくとも１つの研磨テーブルとロータリトランス
ポータのステージ上方との間を移動できる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係るポ
リッシング装置を図１乃至図１４を参照して説明する。
図１は、本発明に係るポリッシング装置の各部の配置構
造を示す平面図である。図１に示すポリッシング装置は
多数の半導体ウエハをストックするウエハカセット１を
載置するロードアンロードステージ２を４つ備えてい
る。ロードアンロードステージはウエハカセット１を昇
降する機構を備えてもよい。ロードアンロードステージ
２上の各ウエハカセット１に到達可能となるようにレー
ル３に沿って移動可能に、レール３の上に２つのハンド
を有した搬送ロボット４が配置されている。

【００１４】搬送ロボット４のレール３を対称軸に、ウ
エハカセット１とは反対側に２台の洗浄機５，６が配置
されている。各洗浄機５，６は搬送ロボット４のハンド
が到達可能な位置に配置されている。また２台の洗浄機
５，６の間で、搬送ロボット４が到達可能な位置に、４
つの半導体ウエハの載置台７，８，９，１０を備えたウ
エハステーション５０が配置されている。

【００１５】前記洗浄機５，６と載置台７，８，９，１
０を有したウエハステーション５０が配置されている領
域Ｂと前記ウエハカセット１と搬送ロボット４が配置さ
れている領域Ａのクリーン度を分けるために隔壁１４が
配置されている。隔壁１４は互いの領域の間で半導体ウ
エハを搬送するための開口部を有しており、この開口部
にシャッター１１が設けられている。洗浄機５と３つの
載置台７，９，１０に到達可能な位置に搬送ロボット２
０が配置されており、洗浄機６と３つの載置台８，９，
１０に到達可能な位置に搬送ロボット２１が配置されて
いる。

【００１６】前記洗浄機５と隣接する位置でかつ搬送ロ
ボット２０のハンドが到達可能な位置に洗浄機２２が配
置されている。また、洗浄機６と隣接する位置でかつ搬
送ロボット２１のハンドが到達可能な位置に洗浄機２３
が配置されている。前記洗浄機５，６，２２，２３とウ
エハステーション５０の載置台７，８，９，１０と搬送
ロボット２０，２１は全て領域Ｂの中に配置されてい
る。領域Ｂ内の圧力は領域Ａ内の圧力よりも低い圧力に
調整されている。前記洗浄機２２，２３は、半導体ウエ
ハの両面洗浄可能な洗浄機である。

【００１７】本ポリッシング装置は、各機器を囲むよう
にハウジング４６を有しており、このハウジング４６は
取り囲む構造を構成している。そして、前記ハウジング
４６の内部は隔壁１４、隔壁１５、隔壁１６、隔壁２
４、および隔壁４７により複数の部屋（領域Ａ、領域Ｂ
を含む）に区画されている。隔壁２４によって領域Ｂと
区分されたポリッシング室が形成され、このポリッシン
グ室は更に隔壁４７によって２つの領域ＣとＤに区分さ
れている。そして、２つの領域Ｃ，Ｄにはそれぞれ２つ
の研磨テーブルと、１枚の半導体ウエハを保持しかつ半
導体ウエハを前記研磨テーブルに対して押し付けながら
研磨するための１つのトップリングが配置されている。
すなわち、研磨テーブル３４，３６が領域Ｃに設置さ
れ、研磨テーブル３５，３７が領域Ｄに設置されてい
る。さらに、領域Ｃにトップリング３２が設置され、領
域Ｄにトップリング３３が設置されている。

【００１８】また領域Ｃ内の研磨テーブル３４に研磨砥
液を供給するための砥液ノズル４０と、研磨テーブル３
４のドレッシングを行うためのドレッサ３８とが領域Ｃ
内に配置されている。領域Ｄ内の研磨テーブル３５に研
磨砥液を供給するための砥液ノズル４１と、研磨テーブ
ル３５のドレッシングを行うためのドレッサ３９とが領
域Ｄ内に配置されている。さらに、領域Ｃ内の研磨テー
ブル３６のドレッシングを行うためのドレッサ４８が領
域Ｃ内に配置され、領域Ｄ内の研磨テーブル３７のドレ
ッシングを行うためのドレッサ４９が領域Ｄ内に配置さ
れている。

【００１９】図２はトップリング３２と研磨テーブル３
４，３６との関係を示す図である。なお、トップリング
３３と研磨テーブル３５，３７の関係もトップリング３
２と研磨テーブル３４，３６との関係と同様になってい
る。図２に示すように、トップリング３２は回転可能な
トップリング駆動軸９１によってトップリングヘッド３
１から吊下されている。トップリングヘッド３１は位置
決め可能な揺動軸９２によって支持されており、トップ
リング３２は研磨テーブル３４，３６にアクセス可能に
なっている。また、ドレッサ３８は回転可能なドレッサ
駆動軸９３によってドレッサヘッド９４から吊下されて
いる。ドレッサヘッド９４は位置決め可能な揺動軸９５
によって支持されており、ドレッサ３８は待機位置と研
磨テーブル３４上のドレッサ位置との間を移動可能にな
っている。ドレッサ４８も同様に、回転可能なドレッサ
駆動軸９６によってドレッサヘッド９７から吊下されて
いる。ドレッサヘッド９７は位置決め可能な揺動軸９８
によって支持されており、ドレッサ４８は待機位置と研
磨テーブル３６上のドレッサ位置との間を移動可能にな
っている。

【００２０】図１に示すように、隔壁２４によって領域
Ｂとは区切られた領域Ｃの中にあって、搬送ロボット２
０のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反転させ
る反転機２８が配置されている。領域Ｄの中にあって、
搬送ロボット２１のハンドが到達可能な位置に半導体ウ
エハを反転させる反転機２８’が配置されている。ま
た、領域Ｂと領域Ｃ，Ｄを仕切る隔壁２４には、半導体
ウエハ搬送用の２つの開口部が設けられ、一方の開口部
は反転機２８との間で半導体ウエハを受け渡すために使
用され、他方の開口部は反転機２８’との間で半導体ウ
エハを受け渡すために使用される。シャッター２５，２
６が隔壁の各開口部に設けられている。

【００２１】前記反転機２８及び反転機２８’は、それ
ぞれ、半導体ウエハをチャックするチャック機構と、半
導体ウエハの表面と裏面を反転させる反転機構と、半導
体ウエハを前記チャック機構によりチャックしているか
どうかを確認するウエハ有無検知センサとを備えてい
る。また、反転機２８には搬送ロボット２０によって半
導体ウエハが搬送され、反転機２８’には搬送ロボット
２１によって半導体ウエハが搬送される。

【００２２】前記反転機２８及び２８’とトップリング
３２及び３３の下方に、洗浄室（領域Ｂ）とポリッシン
グ室（領域Ｃ，Ｄ）の間でウエハを搬送するロータリト
ランスポータ２７が配置されている。ロータリトランス
ポータ２７には、ウエハを載せるステージが４ヶ所等配
に設けてあり、同時に複数の半導体ウエハおよび複数の
保持テーブルが搭載可能になっている。

【００２３】図３はリング状のウエハ保持テーブル６０
０の構造を示す図である。図３において、図面の左半分
はロータリトランスポータにより保持されたウエハ保持
テーブルを示し、図面の右半分はプッシャーによって保
持されたウエハ保持テーブルを示している。図３に示す
ように、このウエハ保持テーブル６００は、その上面に
半導体ウエハ１０１を載置保持するためのウエハ保持面
６０１を有し、また、その外側面にロータリトランスポ
ータ２７の各ステージに設けられたガイドブロック６１
０に対して自動調芯機能を持つテーパ面６０２を有して
いる。さらに、ウエハ保持テーブル６００は、その内側
面にリフタ及びプッシャーに対して自動調芯機能を持つ
別のテーパ面６０３が設けられられている（図３はテー
パ面と係合しているプッシャー３０を示す）。更に、ウ
エハ保持テーブル６００の下面には、ロータリトランス
ポータ２７に設けられたピン６２０に嵌合する穴６０４
と、リフタ及びプッシャーに設けられたピン６２１と嵌
合する穴６０５がそれぞれ設けられている（図３は穴６
０５に嵌合されたピン６２１を備えたプッシャー３０を
示す）。前記穴６０４，６０５およびピン６２０，６２
１は、ウエハ保持テーブル６００がロータリトランスポ
ータおよプッシャー（又はリフタ）に対して回転するこ
とを防止する機能を有している。

【００２４】反転機２８又は２８’に搬送された半導体
ウエハは、ロータリトランスポータ２７のステージの中
心と、反転機２８又は２８’により保持されたウエハの
中心の位相が合った時に、ロータリトランスポータ２７
の下方に設置されたリフタ２９又は２９’が上昇するこ
とで、リフタ２９又は２９’上に戴置されたウエハ保持
テーブル６００に受け渡される。リフタ２９又は２９’
上のウエハ保持テーブル６００に移された半導体ウエハ
は、リフタ２９又は２９’の下降により、ウエハ保持テ
ーブル６００と共に、ロータリトランスポータ２７に移
送される。ロータリトランスポータ２７のステージ上に
載せられたウエハ保持テーブル６００と半導体ウエハ
は、ロータリトランスポータ２７を９０°回転すること
で、トップリング３２又は３３の下方へ搬送される。こ
のとき、トップリング３２又は３３は予めロータリトラ
ンスポータ２７の上方に揺動している。

【００２５】トップリング３２又は３３の中心が前記ロ
ータリトランスポータ２７上のウエハ保持テーブル６０
０に載置されたウエハの中心と位相が合ったとき、ロー
タリトランスポータ２７の下方に配置されたプッシャー
３０又は３０’が上昇することで、ウエハ保持テーブル
６００と、その上に保持された半導体ウエハは、ロータ
リトランスポータ２７からプッシャー３０又は３０’上
に移され、最終的に半導体ウエハのみがトップリング３
２又は３３へ移送される（図３ではトップリング３２が
示される）。

【００２６】前記トップリング３２又は３３に移送され
た半導体ウエハは、トップリング３２又は３３の真空吸
着機構により吸着され、半導体ウエハは研磨テーブル３
４又は３５まで搬送される。そして、半導体ウエハは研
磨テーブル３４上に取り付けられた研磨パッド又は砥石
等からなる研磨面で研磨される。トップリング３２又は
３３がそれぞれに到達可能な位置に、前述した第２の研
磨テーブル３６および３７が配置されている。これによ
り、半導体ウエハは第１の研磨テーブル３４又は３５で
１次研磨が終了した後、第２の研磨テーブル３６又は３
７で２次研磨できるようになっている。また、半導体ウ
エハは第２の研磨テーブル３６又は３７で１次研磨され
た後、第１の研磨テーブル３４又は３５で２次研磨でき
るようになっている。この場合、第２の研磨テーブル３
６又は３７の研磨面が第１の研磨テーブル３４又は３５
の研磨面より小径であることから、第２の研磨テーブル
３６又は３７に研磨パッドに比べて値段の高い砥石（固
定砥粒）を張り付け、粗削り（１次研磨）をした後に、
大径の第１の研磨テーブル３４又は３５に砥石（固定砥
粒）に比べて寿命は短いが安価な研磨パッドを張り付け
て仕上げ研磨をすることで、ランニングコストを低減す
ることが可能である。

【００２７】研磨が終了した半導体ウエハは、上述とは
逆のルートで反転機２８又は２８’まで戻される。反転
機２８又は２８’まで戻された半導体ウエハはリンスノ
ズルから供給される純水もしくは洗浄用の薬液によりリ
ンスされる。また、半導体ウエハを離脱したトップリン
グ３２又は３３のウエハ吸着面は、トップリング洗浄ノ
ズルから供給される純水もしくは薬液によって洗浄され
る。

【００２８】図２の右側部分には、ロータリトランスポ
ータ２７と反転機２８又は２８’とプッシャー３０又は
３０’との関係が示されている。図２に示すように、ロ
ータリトランスポータ２７の上方に反転機２８又は２
８’が配置され、ロータリトランスポータ２７の下方に
プッシャー３０又は３０’が配置されている。

【００２９】（ウエハ保持テーブル及びロータリトラン
スポータ）次に説明では、トップリング３２、反転機２
８、リフタ２９およびプッシャー３０が移送動作の説明
のために用いられる。図４および図５はロータリトラン
スポータ２７とウエハ保持テーブル６００の関係を示す
図であり、図４はロータリトランスポータ２７およびウ
エハ保持テーブルを示す平面図、図５は図４のＡ−Ａ線
断面図である。図４および図５に示すように、ウエハ保
持テーブル６００は、その上面に半導体ウエハ１０１を
載置保持するためのウエハ保持面６０１を有し、その外
側面にロータリトランスポータ２７のガイドブロック６
１０のテーパ面６１１によって自動的に求芯されて、か
つロータリトランスポータ２７によって支持されるため
のテーパ面６０２を有している。ウエハ保持テーブル６
００は、その内側面にリフタ２９あるいはプッシャー３
０のテーパ面と係合することによって自動的に求芯され
かつリフタ２９あるいはプッシャー３０に支持されるた
めのテーパ面６０３を有している。図４および図５に示
すウエハ保持テーブル６００はウエハ保持面６０１の外
周から上方に突出し、半導体ウエハ１０１が左右にずれ
るのを防ぐための段部が設けられている。なお、段部に
代えて、図６（ｃ）に示すように、ウエハ保持面６０１
の周囲に、ピン６２２をばね６２３を介して埋没自在に
支持して配置するようにしても良い。この場合、トップ
リング３２が半導体ウエハ１０１を吸着保持する際に、
ピン６２２はばね６２３の付勢力に抗してウエハ保持面
６０１から引っ込み、ピン６２２が障害となることを防
止することができる。

【００３０】なお、この実施の形態においては、平坦な
面でウエハ保持面６０１を構成した例を示しているが、
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、内方に向けて
徐々に下方に傾斜するテーパ面でウエハ保持面６０１を
構成するようにしても良い。このように、ウエハ保持面
６０１をテーパ面とした方が、半導体ウエハ１０１とウ
エハ保持面６０１との接触面を少なくし、かつ半導体ウ
エハ１０１についた砥液を下方にスムーズに流下させる
上で好ましい。ウエハ保持面６０１は、ウエハ保持テー
ブル６００の全周にわたる必要はなく、少なくとも周上
３カ所、好ましくは６カ所あればよい。

【００３１】また、ウエハ保持テーブル６００にピン用
穴６０４を設けて、このピン用穴６０４にロータリトラ
ンスポータ２７に設けたピン６２０を嵌合させるように
しているが、逆に、ウエハ保持テーブルにピンを、ロー
タリトランスポータにこのピンに嵌合するピン用穴を設
けたり、互いに係合する切込みを設けるようにしても良
い。更に、図４および図５に示す実施の形態では、テー
パ面６０２と独立してテーパ面６０３を設けたが、テー
パ面６０３を設けることなく、テーパ面６０２をロータ
リトランスポータ２７との係合及びプッシャー３０ある
いはリフタ２９との係合の両方に使ってもよい。その場
合、ロータリトランスポータとの係合とプッシャーある
いはリフタとの係合面は周方向にずれている必要があ
る。

【００３２】（ロータリトランスポータ）図４および図
５に示すように、ウエハ保持テーブル６００を搭載して
搬送するロータリトランスポータ２７は４カ所のウエハ
保持テーブル搭載ステージ（９０°等配）を有してい
る。４カ所のウエハ保持テーブル搭載ステージの各々
は、ウエハ保持テーブル６００のテーパ面６０２と係合
して、ウエハ保持テーブル６００を支持するためのガイ
ドブロック６１０を有している。ガイドブロック６１０
は各ステージの周上３カ所に設けられている。この各ガ
イドブロック６１０の内周面には、テーパ面６１１が形
成されており、ウエハ保持テーブル６００を搭載する時
にウエハ保持テーブル６００を求芯することができるよ
うになっている。テーパ面６１１のテーパ角は垂直に対
して１５゜〜２５゜程度が好ましい。

【００３３】図１４はロータリトランスポータとロータ
リトランスポータと関連する構成部品を示す概略立面図
である。図１４に示すように、ウエハ有無センサ２００
がロータリトランスポータ２７から離れた場所に設置さ
れている。センサ２００はフォトセンサーであり投光素
子２００ａと受光素子２００ｂで構成され、センサ２０
０はステージと一緒に回転しないようになっている。搭
載する半導体ウエハ１０１はロータリトランスポータ２
７の各ステージで決まっている。即ち、図４に示すよう
に、ロータリトランスポータ２７は、処理前のロード専
用のウエハ保持テーブル６００（６００ａ，６００ｃ）
を搭載する２つのロードステージと、処理後のアンロー
ド専用のウエハ保持テーブル６００（６００ｂ、６００
ｃ）を搭載する２つのアンロードステージとを備えてい
る。各ステージに搭載されるウエハ保持テーブル６００
は常に決まっており、ロータリトランスポータ２７は研
磨テーブル３４で処理する前の半導体ウエハを保持する
ウエハ保持テーブル６００（６００ａ）を搭載するステ
ージ２１０と、研磨テーブル３４で処理された半導体ウ
エハを保持するウエハ保持テーブル６００（６００ｂ）
を搭載するステージ２１１と、研磨テーブル３５で処理
する前の半導体ウエハを保持するウエハ保持テーブル６
００（６００ｃ）を搭載するステージ２１２と、研磨テ
ーブル３５で処理された半導体ウエハを保持するウエハ
保持テーブル６００（６００ｄ）を搭載するステージ２
１３を備えている。

【００３４】半導体ウエハ及びウエハ保持テーブル６０
０に洗浄液を供給するためのリンスノズルがロータリト
ランスポータ２７の上下に、かつ該ロータリトランスポ
ータ２７から離れた場所に設置されている。リンスノズ
ルは固定して設置されており、ステージと一緒に回転し
ない。洗浄液は純水やイオン水などが使われることが多
い。図１４に示すように、ロータリトランスポータ２７
はサーボモータ２０５に連結されており、サーボモータ
２０５の回転によりロータリトランスポータ２７上のウ
エハ保持テーブルおよび半導体ウエハを搬送する。ロー
タリトランスポータ２７の下部には原点センサ２０６が
設置されており、ウエハ搬送ポジションの位置決めは原
点センサ２０６とサーボモータ２０５によって制御され
る。位置決めされる搬送ポジションはＨＰ（ホームポジ
ション）位置を中心とした９０°づつ位相を異にした３
位置である。

【００３５】（リフタ）図７はリフタを示す縦断面図で
あり、図８はリフタとウエハ保持テーブルとの関係を示
す縦断面図である。リフタ２９は、ウエハ保持テーブル
６００を載置するステージ２６０と、該ステージ２６０
の上昇下降動作を行うエアシリンダ２６１とを備えてい
る。エアシリンダ２６１とステージ２６０とは上下方向
にスライド可能なシャフト２６２で連結されている。図
８に示すように、ステージ２６０はその側面にウエハ保
持テーブル６００のテーパ面６０３と係合するテーパ面
２６０ａを有している。そして、リフタ２９のステージ
２６０がロータリトランスポータ２７より上に上昇する
と、ウエハ保持テーブル６００がステージ２６０にはま
り合ってウエハ保持テーブル６００を求芯し、その後ウ
エハ保持テーブル６００が上昇する。

【００３６】（プッシャー）図９および図１０はプッシ
ャーを示す図であり、図９はプッシャーの縦断面図、図
１０はプッシャーとウエハ保持テーブルとの関係を示す
縦断面図である。図９に示すように、中空シャフト１４
０の上方にトップリングガイド１４８を保持するための
ガイドステージ１４１が設置され、中空シャフト１４０
の中をスプラインシャフト１４２が通っている。スプラ
インシャフト１４２の上方にウエハを保持するプッシュ
ステージ１４３が設置されている。スプラインシャフト
１４２には、軸ブレに対してフレキシブルに軸を接続可
能なフローティングジョイント１４４によってエアシリ
ンダ１４５が連結されている。エアシリンダは２個直列
に上下に配置されている。最下段に配置されたエアシリ
ンダ１４６はガイドステージ１４１の上昇・下降用、及
びプッシュステージ１４３の上昇・下降用で、エアシリ
ンダ１４５ごと中空シャフト１４０を上下させる。エア
シリンダ１４５はプッシュステージ１４３の上昇・下降
用である。

【００３７】トップリングガイド１４８に位置合わせ機
構を持たせるため、Ｘ軸、Ｙ軸方向に移動可能なリニア
ウェイ１４９が配置されている。ガイドステージ１４１
はリニアウェイ１４９に固定されており、リニアウェイ
１４９は中空シャフト１４０に固定されている。中空シ
ャフト１４０はスライドブッシュ１５０を介してベアリ
ングケース１５１に保持されている。エアシリンダ１４
６のストロークは圧縮バネ１５２によって中空シャフト
１４０に伝えられる。

【００３８】プッシュステージ１４３はガイドステージ
１４１の上方にあり、プッシュステージ１４３の中心よ
り下方に伸びるプッシュロッド１６０はガイドステージ
１４１の中心のスライドブッシュ１４７を通すことで芯
出しされるようになっている。プッシュロッド１６０は
スプラインシャフト１４２の上端に接している。プッシ
ュステージ１４３はスプラインシャフト１４２を介して
エアシリンダ１４５によって上下し、トップリング３２
へ半導体ウエハ１０１をロードする。プッシュステージ
１４３の端部には位置決めのための圧縮バネ１５９が配
置されている。

【００３９】ガイドステージ１４１の最外周には、トッ
プリングガイド１４８が３個設置されている。各トップ
リングガイド１４８には、ガイドリング３０１の下面と
のアクセス部である１段下がった段部７００が設けられ
ている。更に、トップリングガイド１４８の上端部に
は、トップリング３２のガイドリング３０１を段部７０
０に案内するためのテーパ面２０８が形成されている。
テーパ面２０８は垂直に対して２５゜〜３５゜の角度に
なっている。

【００４０】プッシュステージ１４３の上側面はテーパ
面１４３ａとなっており、図１０に示すように、このテ
ーパ面１４３ａにより、ウエハ保持テーブル６００のテ
ーパ面６０３と求芯しながらはまり合うことができる。
プッシュステージ１４３の上昇により、ウエハ保持テー
ブル６００をロータリトランスポータ２７から分離して
半導体ウエハと共にトップリング３２へ搬送することが
できる。

【００４１】ガイドステージ１４１の中心部に水が入る
ことを防止するため、およびガイドステージが元の位置
に復帰するように案内するためにガイドスリーブ１５３
がガイドステージ１４１に固定されている。ガイドスリ
ーブ１５３の内側のセンタスリーブ１５４はガイドステ
ージ１４１をセンタリングするためにベアリングケース
１５１に固定されている。プッシャー３０はベアリング
ケース１５１によって研磨部側のモータハウジング１０
４に固定されている。

【００４２】プッシュステージ１４３とガイドステージ
１４１の間の防水にはＶリング１５５が用いられ、Ｖリ
ング１５５のリップ部分がガイドステージ１４１と接触
し、内部への水の浸入を防いでいる。ガイドステージ１
４１が上昇すると、Ｇ部の容積が大きくなり、圧力が下
がり水を吸い込んでしまう。水が入り込むことを防ぐた
めに、Ｖリング１５５の内側に穴を設け、圧力が下がる
ことを防止している。

【００４３】トップリングガイド１４８がトップリング
３２にアクセスする際の高さ方向の位置決めと衝撃吸収
のために、ショックキラー１５６が設置されている。各
々のエアシリンダにはプッシャー上下方向の位置確認の
ため上下リミットセンサが設けられている。即ち、エア
シリンダ１４５にセンサ２０３，２０４が設けられ、エ
アシリンダ１４６にセンサ２０６，２０７が設けられて
いる。プッシャーに付着したスラリーなどから半導体ウ
エハへの逆汚染を防止するため、汚れを洗浄するための
洗浄ノズルが別途設置されている。プッシャー上のウエ
ハ有無を確認するためのウエハ有無センサが別途設置さ
れる場合もある。エアシリンダ１４５，１４６の制御は
ダブルソレノイドバルブで行う。プッシャー３０および
３０’は各トップリング３２および３３の各々に１ユニ
ットずつ設置される。

【００４４】次に、上述のように構成されたロータリト
ランスポータ２７、リフタ２９、プッシャー３０の動作
を説明する。 （ウエハ受け渡し時）図１１（ａ）乃至図１１（ｆ）は
半導体ウエハを移送する工程を示す。次の説明では、研
磨前の半導体ウエハをロードするためのウエハ保持テー
ブルはロード用ウエハ保持テーブルと称し、研磨後の半
導体ウエハをアンロードするためのウエハ保持テーブル
はアンロード用ウエハ保持テーブルと称する。ホームポ
ジション（ＨＰ）では、ロータリトランスポータ２７が
反時計廻りに９０゜回転し、ステージ２１０がリフタ２
９の上方に位置している（図１１（ａ））。

【００４５】リフタ２９は反転機２８とロータリトラン
スポータ２７の間で半導体ウエハを移送するウエハ搬送
機構である。ポリッシング前の半導体ウエハ１０１は搬
送ロボット２０から反転機２８へ搬送される。その後、
半導体ウエハ１０１は反転機２８により反転され、パタ
ーン面（半導体デバイスが形成された面）が下を向く。
リフタ２９は上昇し、リフタ２９のステージ２６０はロ
ータリトランスポータ２７上のロード用のウエハ保持テ
ーブル６００（６００ａ）と、その側面のテーパ面２６
０ａを介して係合する（図１１（ｂ））。

【００４６】次に、リフタ２９は、ウエハ保持テーブル
６００を載置したままウエハ保持テーブル６００が反転
機２８から半導体ウエハ１０１を受け取る位置まで上昇
し停止する（図１１（ｃ））。ステージ２６０が半導体
ウエハ１０１の直下の位置でリフタ２９が停止したこと
を、リフタ２９の上昇用シリンダ２６１のセンサ２６６
で確認すると、反転機２８は半導体ウエハ１０１のクラ
ンプを開放し、半導体ウエハ１０１はリフタ２９のステ
ージ２６０上のロード用のウエハ保持テーブル６００上
に載る（図１１（ｄ））。その後、リフタ２９は半導体
ウエハ１０１をロード用のウエハ保持テーブル６００上
に載置したまま下降をする（図１１（ｅ））。すると、
ロータリトランスポータ２７のステージ２１０上のガイ
ドブロック６１０のテーパ面６１１により、リフタ２９
上に載せられ半導体ウエハを保持したロード用のウエハ
保持テーブル６００は求芯されつつリフタ２９からロー
タリトランスポータ２７へガイドブロック６１０を介し
て載せられる（図１１（ｅ））。ロード用のウエハ保持
テーブル６００がロータリトランスポータ２７に載せら
れた後も、リフタ２９はロータリトランスポータ２７が
回転しても互いに干渉しない位置まで下降を続け停止す
る（図１１（ｆ））。

【００４７】（ウエハロード時）図１２（ａ）乃至図１
２（ｆ）は半導体ウエハをロードする工程を示す。リフ
タ２９が下降を完了すると、ロータリトランスポータ２
７は時計廻りに９０°回転し、プッシャー３０の上方に
ロータリトランスポータ２７上のロード用のウエハ保持
テーブル６００（６００ａ）を位置させる（図１２
（ａ））。ロータリトランスポータ２７の位置決めが完
了すると、エアシリンダ１４６によりプッシャー３０が
ガイドステージ１４１周りの構成品と共に上昇してい
く。プッシャー３０の上昇途中で、ガイドステージ１４
１はロータリトランスポータ２７のウエハ保持位置を通
過する。このとき、通過と同時に半導体ウエハ１０１を
その上面に載置したロード用のウエハ保持テーブル６０
０は、プッシュステージ１４３の上側部のテーパ面１４
３ａによって求芯され、ロータリトランスポータ２７か
らプッシュステージ１４３に移送される（図１２
（ｂ））。

【００４８】プッシュステージ１４３がロード用のウエ
ハ保持テーブル６００を保持したまま、トップリングガ
イド１４８は停止することなく上昇していき、トップリ
ングガイド１４８のテーパ２０８によってトップリング
３２のガイドリング３０１を呼び込む。Ｘ，Ｙ方向に自
在に移動可能なリニアウェイ１４９による位置合わせで
トップリングガイド１４８はトップリング３２に求芯
し、トップリングガイド１４８の段部７００がガイドリ
ング３０１の下面と接触することでガイドステージ１４
１の上昇は終了する（図１２（ｃ））。

【００４９】トップリングガイド１４８の段部７００が
ガイドリング３０１の下面に接触し、ガイドステージ１
４１は固定され、それ以上上昇することはない。ところ
が、エアシリンダ１４６は、エアシリンダ１４６のロッ
ドに固定されたストッパがショックキラー１５６に当た
るまで上昇し続けるので、圧縮バネ１５２は収縮するた
めスプラインシャフト１４２のみが更に上昇し、プッシ
ュステージ１４３がさらに上昇する。半導体ウエハ１０
１がトップリング３２に接触した後に、エアシリンダ１
４６が上昇するストロークはバネ１５９が吸収し、半導
体ウエハ１０１を保護している。

【００５０】次に、エアシリンダ１４５によりプッシュ
ステージ１４３がウエハ保持テーブル６００を保持した
まま更に上昇し、トップリング３２により半導体ウエハ
１０１が吸着保持される（図１２（ｄ））。しかる後、
エアシリンダ１４５が逆作動してウエハ保持テーブル６
００がプッシュステージ１４３と共に下降する（図１２
（ｅ））。そして、エアシリンダ１４６によりプッシャ
ー３０がガイドステージ１４１周りの構成品と共に下降
していき、下降途中でウエハ保持テーブル６００をロー
タリトランスポータ２７に受け渡す。そして、プッシャ
ー３０は更に下降して所定の位置で停止する（図１２
（ｆ））。

【００５１】（ウエハアンロード時）プッシャー３０の
上方のウエハアンロード位置にトップリング３２によっ
て半導体ウエハ１０１が搬送され、ロータリトランスポ
ータ２７の回転により、ロータリトランスポータ２７上
のアンロード用のウエハ保持テーブル６００（６００
ｂ）がプッシャー３０の上方に位置する（図１３
（ａ））。すると、エアシリンダ１４６によりプッシャ
ー３０がガイドステージ１４１周りの構成品と共に上昇
していき、上昇途中で、ガイドステージ１４１はロータ
リトランスポータ２７のウエハ保持位置を通過する。こ
のとき、通過と同時に、半導体ウエハを保持していない
空のウエハ保持テーブル６００はプッシュステージ１４
３の上側部のテーパ面１４３ａによって求芯され、ロー
タリトランスポータ２７からプッシャー３０に受け渡さ
れる（図１３（ｂ））。

【００５２】トップリングガイド１４８のテーパ面２０
８によって、トップリング３２のガイドリング３０１を
呼び込み、リニアウェイ１４９による位置合わせでトッ
プリングガイド１４８はトップリング３２に求芯し、ト
ップリングガイド１４８の段部７００がガイドリング３
０１の下面と接触することでガイドステージ１４１の上
昇は終了する（図１３（ｃ））。

【００５３】この時、エアシリンダ１４６は、エアシリ
ンダ１４６のロッドに固定されたストッパーがショック
キラー１５６に当たるまで動作しつづける。しかしなが
ら、トップリングガイド１４８の段部７００がガイドリ
ング３０１の下面に接触してガイドステージ１４１が固
定されているため、エアシリンダ１４６は圧縮バネ１５
２の付勢力に打勝ってスプラインシャフト１４２をエア
シリンダ１４５ごと押し上げ、プッシュステージ１４３
を上昇させる。本実施例では、エアシリンダ１４６はト
ップリングガイド１４８がガイドリング３０１に接触し
た所から更にストロークするように設定されている。こ
の時の衝撃はバネ１５２によって吸収される。エアシリ
ンダ１４６の上昇が終了すると、トップリング３２より
半導体ウエハ１０１がリリースされ、半導体ウエハ１０
１はアンロード用のウエハ保持テーブル６００の上に保
持される（図１３（ｄ））。

【００５４】半導体ウエハ１０１がアンロード用のウエ
ハ保持テーブル６００上に保持されると、プッシャー３
０は下降を開始する。そして、アンロード用のウエハ保
持テーブル６００は研磨済の半導体ウエハとともにロー
タリトランスポータ２７上に移り（図１３（ｅ））、プ
ッシャー３０は引き続き下降し、下降終了でプッシャー
３０の動作が完了する（図１３（ｆ））。

【００５５】ロータリトランスポータ２７は回転し、研
磨済の半導体ウエハが載置されたアンロード用のウエハ
保持テーブル６００をリフタ２９の上方に位置させる。
リフタ２９が上昇し、リフタ２９は研磨済の半導体ウエ
ハが載置されたアンロード用のウエハ保持テーブル６０
０をロータリトランスポータ２７から受け取る。その
後、リフタ２９は更に上昇して、反転機２８へのウエハ
受け渡し位置へ半導体ウエハを位置させる。反転機２８
のアームが半導体ウエハ１０１を保持した後、リフタ２
９は下降して、アンロード用のウエハ保持テーブル６０
０はロータリトランスポータ２７に移送される。リフタ
２９の下降が終了したとき、トップリング３２から反転
機２８へのウエハの移載動作が完了する。

【００５６】上述した実施例においては、複数のウエハ
保持テーブルが研磨前の半導体ウエハを保持するロード
用ウエハ保持テーブルと研磨済の半導体ウエハを保持す
るアンロード用ウエハ保持テーブルに分けられている。
それ故、研磨前の半導体ウエハはプッシャーからではな
くロード用ウエハ保持テーブルからトップリングへ移送
され、研磨後の半導体ウエハはトップリングからプッシ
ャーではなくアンロード用ウエハ保持テーブルに移送さ
れる。これ故、半導体ウエハのトップリングへのロード
および半導体ウエハのトップリングからのアンロードは
各々のジグ（構成部品）または部材、即ち、ウエハ保持
テーブルによって行なわれる。これ故、研磨後の半導体
ウエハに付着した砥液等が半導体ウエハのロードおよび
アンロードを行なう共通の支持部材に付着することが防
止される。結果として、固化した砥液等が研磨前の半導
体ウエハに付着することがなく、研磨前の半導体ウエハ
への損傷を起こすことがない。

【００５７】本実施例では、被加工物をロードするため
の保持テーブルと被加工物をアンロードするための保持
テーブルが分けて使用されているが、被加工物をロード
およびアンロードするための単一の保持テーブルを使用
してもよい。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウエハ等の被加工物をトップリングに搬送する時
間を短縮することが可能となり、単位時間あたりの被加
工物の処理枚数（スループット）を飛躍的に増加させる
ことができる。本発明によれば、被加工物がロータリト
ランスポータと反転機との間で移送されるとき、被加工
物は保持テーブルと反転機との間で移送される。そし
て、被加工物がロータリトランスポータとトップリング
との間で移送されるときには、被加工物は保持テーブル
とトップリングとの間で移送される。これ故、保持テー
ブルは移送時に発生する被加工物への衝撃を吸収するこ
とができ、被加工物の搬送速度を増加させることがで
き、スループットを増加することができる。

【００５９】従来のポリッシング装置においては、トッ
プリングの数を増加することにより複数の被加工物を同
時に研磨し、これによりスループットを増加させてい
た。このため、トップリングの数を増加させることによ
るトップリングの個々の特質の違いによって被加工物が
均一に研磨できなかった。これに対して、本発明によれ
ば、被加工物の搬送速度を増加させることによりスルー
プットを増加させることができる。

【００６０】本発明によれば、反転機からトップリング
への半導体ウエハ等の被加工物の移送はロータリトラン
スポータの各ステージに着脱可能に保持されたウエハ保
持テーブルによって行なわれる。これ故、例えば、リフ
タとロータリトランスポータ間の半導体ウエハの移送ま
たはロータリトランスポータとプッシャー間の半導体ウ
エハの移送が省略され、ダストの発生を防ぐことがで
き、かつ搬送ミス又は把持ミスによる半導体ウエハの損
傷を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るポリッシング装
置の各部の配置構成を示す平面図である。

【図２】トップリングとターンテーブルとの関係を示す
立面図である。

【図３】ウエハ保持テーブルの構造を示す縦断面図であ
り、図面の左半分はロータリトランスポータによって保
持されたウエハ保持テーブルを示し、図面の右半分はプ
ッシャーによって保持されたウエハ保持テーブルを示
す。

【図４】ロータリトランスポータとウエハ保持テーブル
を示す平面図である。

【図５】図４のＡ−Ａ線断面図である。

【図６】図６（ａ）乃至図６（ｃ）は他のウエハ保持テ
ーブルを示す縦断面図である。

【図７】リフタの縦断面図である。

【図８】リフタとウエハ保持テーブルとの関係を示す縦
断面図である。

【図９】プッシャーの縦断面図である。

【図１０】プッシャーとウエハ保持テーブルの関係を示
す縦断面図である。

【図１１】図１１（ａ）乃至図１１（ｆ）は反転機によ
って保持された研磨前の半導体ウエハがウエハ保持テー
ブルに受け渡され、その後ウエハ保持テーブルがロータ
リトランスポータに受け渡される工程を示す概略図であ
る。

【図１２】図１２（ａ）乃至図１２（ｆ）はウエハ保持
テーブルによって保持された研磨前の半導体ウエハがプ
ッシャーに受け渡される工程を示す概略図である。

【図１３】図１３（ａ）乃至図１３（ｆ）はトップリン
グによって保持された研磨後の半導体ウエハがウエハ保
持テーブルに受け渡され、その後ウエハ保持テーブルが
ロータリトランスポータに受け渡される工程を示す概略
図である。

【図１４】ロータリトランスポータとロータリトランス
ポータに関連する構成部品を示す概略立面図である。

【符号の説明】

１ ウエハカセット ２ ロードアンロードステージ ３ レール ４，２０，２１ 搬送ロボット ５，６，２２，２３ 洗浄機 ７，８，９，１０ 載置台 １１，２５，２６ シャッター １４，１５，１６，２４，４７ 隔壁 ２７ ロータリトランスポータ ２８，２８’ 反転機 ２９，２９’ リフタ ３０，３０’ プッシャー ３１ トップリングヘッド ３２，３３ トップリング ３４，３５，３６，３７ 研磨テーブル ３８，３９，４８，４９ ドレッサ ４０ 砥液ノズル ４６ ハウジング ５０ ウエハステーション ９３，９６ ドレッサ駆動軸 ９４，９７ ドレッサヘッド ９８ 揺動軸 １０１ 半導体ウエハ １０４ モータハウジング １４０ 中空シャフト １４１ ガイドステージ １４２ スプラインシャフト １４３ プッシュステージ １４３ａ，２０８，６０２，６０３ テーパ面 １４４ フローティングジョイント １４５，１４６，２６１ エアシリンダ １４７，１５０ スライドブッシュ １４８ トップリングガイド １４９ リニアウエイ １５１ ベアリングケース １５２，１５９ 圧縮バネ １５５ Ｖリング １５６ ショックキラー １６０ プッシュロッド ２００ ウエハ有無センサ ２００ａ 投光素子 ２００ｂ 受光素子 ２０３，２０４，２０５，２０６ センサ ２０５ サーボモータ ２０６ 原点センサ ２１０，２１１，２１２，２１３，２６０ ステージ ２６２ シャフト ３０１ ガイドリング ６００，６００ａ，６００ｂ，６００ｃ ウエハ保持
テーブル ６０１ ウエハ保持面 ６０４，６０５ 穴 ６１０ ガイドブロック ６２０，６２１，６２２ ピン ６２３ ばね ７００ 段部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AB03 AB04 AB08 CB02 CB06 DA17

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 研磨面を有した研磨テーブルと、 被加工物を保持し、かつ被加工物を前記研磨面に押圧す
   るトップリングと、 前記トップリングが到達可能な位置に設置され、回転中
   心から所定円周上に位置する複数のステージを有するロ
   ータリトランスポータと、 前記ロータリトランスポータの各ステージに着脱可能に
   保持されて被加工物を保持する複数の保持テーブルと、 前記保持テーブルを上下方向に動かしかつ前記保持テー
   ブルと前記トップリングとの間で被加工物を受け渡しす
   るプッシャーとを備えたことを特徴とするポリッシング
   装置。
2. 【請求項２】 被加工物を反転する反転機と、前記保持
   テーブルを上下方向に動かし、かつ前記保持テーブルと
   前記反転機との間で被加工物を受け渡しするリフタとを
   備えたことを特徴とする請求項１記載のポリッシング装
   置。
3. 【請求項３】 前記複数の保持テーブルは、研磨前の被
   加工物を保持するロード用の保持テーブルと、研磨後の
   被加工物を保持するアンロード用の保持テーブルとを備
   えたことを特徴とする請求項１記載のポリッシング装
   置。
4. 【請求項４】 前記ロータリトランスポータの各ステー
   ジには、前記保持テーブルを着脱可能に保持する複数の
   ガイドブロックが円周方向に沿って所定間隔離間して設
   けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
   か１項に記載のポリッシング装置。
5. 【請求項５】 前記ガイドブロックの内側面及び／又は
   外側面には、調芯作用を有するテーパ面が設けられてい
   ることを特徴とする請求項４記載のポリッシング装置。
6. 【請求項６】 前記トップリングは、前記研磨テーブル
   上の位置と前記ロータリトランスポータ上の１つのステ
   ージ上の位置との間を移動できることを特徴とする請求
   項１乃至５のいずれか１項に記載のポリッシング装置。
7. 【請求項７】 研磨面を有した複数の研磨テーブルと、
   被加工物を保持し、かつ被加工物を前記研磨面に押圧す
   る複数のトップリングと、 前記複数のトップリングが到達可能な位置に設置され、
   回転中心から所定円周上に位置する複数のステージを有
   するロータリトランスポータと、 前記ロータリトランスポータの各ステージに着脱可能に
   保持されて被加工物を保持する複数の保持テーブルと、 前記保持テーブルを上下方向に動かしかつ前記保持テー
   ブルと前記複数のトップリングとの間で被加工物を受け
   渡しするプッシャーとを備えたことを特徴とするポリッ
   シング装置。
8. 【請求項８】 被加工物を反転する反転機と、前記保持
   テーブルを上下方向に動かし、かつ前記保持テーブルと
   前記反転機との間で被加工物を受け渡しするリフタとを
   備えたことを特徴とする請求項７記載のポリッシング装
   置。