JP2002008447A - 複合膜 - Google Patents

複合膜

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JP2002008447A
JP2002008447A JP2000184162A JP2000184162A JP2002008447A JP 2002008447 A JP2002008447 A JP 2002008447A JP 2000184162 A JP2000184162 A JP 2000184162A JP 2000184162 A JP2000184162 A JP 2000184162A JP 2002008447 A JP2002008447 A JP 2002008447A
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久男 永井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プロトン伝導性を損なうことなく、ガス遮断
性を維持し、さらにスルホン化ポリアリーレンからなる
膜の靱性を改善した複合膜を提供する。 【解決手段】 プロトン伝導性を有するテトラフルオロ
エチレン共重合体からなる膜と、スルホン化ポリアリー
レンからなる膜を積層してなる複合膜。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エラストマー状の
プロトン伝導性を有するテトラフルオロエチレン共重合
体からなる膜にスルホン化ポリアリーレンの膜を積層す
ることにより、プロトン伝導性を損なうことなく、ガス
遮断性を維持しつつ、スルホン化ポリアリーレンからな
る膜の靱性を改善した複合膜に関する。
【0002】
【従来の技術】電解質は、通常、(水)溶液で用いられ
ることが多い。しかし、近年、これを固体系に置き替え
ていく傾向が高まってきている。その第1の理由として
は、例えば、上記の電気・電子材料に応用する場合のプ
ロセッシングの容易さであり、第2の理由としては、軽
薄短小・高電力化への移行である。従来、プロトン伝導
性材料としては、無機物からなるもの、有機物からなる
ものの両方が知られている。無機物の例としては、例え
ば水和化合物であるリン酸ウラニルが挙げられるが、こ
れら無機化合物は界面での接触が充分でなく、伝導層を
基板あるいは電極上に形成するには問題が多い。
【0003】一方、有機化合物の例としては、いわゆる
陽イオン交換樹脂に属するポリマー、例えばポリスチレ
ンスルホン酸などのビニル系ポリマーのスルホン化物、
ナフィオン(デュポン社製)を代表とするパーフルオロ
アルキルスルホン酸ポリマー、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸ポリマーや、ポリベンズイミダゾール、ポリエ
ーテルエーテルケトンなどの耐熱性高分子にスルホン酸
基やリン酸基を導入したポリマー〔Polymer P
reprints,Japan,Vol.42,No.
7,p.2490〜2492(1993)、Polym
er Preprints,Japan,Vol.4
3,No.3,p.735〜736(1994)、Po
lymer Preprints,Japan,Vo
l.42,No.3,p730(1993)〕などの有
機系ポリマーが挙げられる。
【0004】これら有機系ポリマーは、通常、フィルム
状で用いられるが、溶媒に可溶性であること、または熱
可塑性であることを利用し、電極上に伝導膜を接合加工
できる。しかしながら、これら有機系ポリマーの多く
は、プロトン伝導性がまだ充分でないことに加え、耐久
性や高温(100℃以上)でのプロトン伝導性が低下し
てしまうことや、湿度条件下の依存性が大きいこと、あ
るいは電極との密着性が充分満足のいくものとはいえな
かったり、含水ポリマー構造に起因する稼働中の過度の
膨潤による強度の低下や形状の崩壊に至るという問題が
ある。したがって、これらの有機ポリマーは、上記の電
気・電子材料などに応用するには種々問題がある。
【0005】さらに、米国特許第5,403,675号
明細書では、スルホン化された剛直ポリフェニレン(す
なわち、ポリアリーレン構造を主成分とするスルホン化
物)からなる固体高分子電解質が提案されている。この
ポリマーは、芳香族化合物を重合して得られるフェニレ
ン連鎖からなるポリマー(同明細書カラム9記載の構
造)を主成分とし、これをスルホン化剤と反応させてス
ルホン酸基を導入している。しかしながら、スルホン酸
基の導入量の増加によって、プロトン伝導度も向上する
ものの、得られるスルホン化ポリマーの機械的性質を著
しく損なう結果となる。そのため、優れた機械的性質を
維持し、かつプロトン伝導性を発現する適正なスルホン
化濃度を調整する必要がある。実際、このポリマーで
は、スルホン化反応が進行しやすく、適正なスルホン酸
基の導入量を制御するのは非常に困難である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
技術的課題を背景になされたもので、プロトン伝導性を
損なうことなく、ガス遮断性を維持し、さらにスルホン
化ポリアリーレンからなる膜の靱性を改善した複合膜を
提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、プロトン伝導
性を有するテトラフルオロエチレン共重合体からなる膜
(以下「膜(1)」ともいう)とスルホン化ポリアリー
レンからなる膜(以下「膜(2)」ともいう)とが積層
されてなる複合膜に関する。ここで、上記プロトン伝導
性を有するテトラフルオロエチレン共重合体としては、
一般式(1)で表される構造単位からなるポリマー(以
下「ポリマー(1)」ともいう)が好ましい。
【0008】
【化3】
【0009】〔一般式(1)中、xは1〜30の数、y
は10〜2,000の数、mは0〜10の数、nは1〜
10の数、Aは−SO3 Zまたは−COOZ(ここで、
Zは水素原子またはアルカリ金属原子である)を示
す。〕 また、上記スルホンポリアリーレンとしては、一般式
(2)で表される構造単位からなる重合体(以下「ポリ
マー(2)」ともいう)のスルホン化物が好ましい。
【0010】
【化4】
【0011】〔一般式(2)中、Xは−CQQ′−(こ
こで、Q,Q′は同一または異なり、ハロゲン化アルキ
ル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子またはアリ
ール基を示す)で表される基およびフルオレニレン基の
群から選ばれる基であり、R1〜R36は同一または異な
り、水素原子、ハロゲン原子または1価の有機基を示
し、Yは−O−,−CO−,−COO−,−CONH−
および−SO2 −基の群から選ばれる基であり、pは0
〜100モル%、qは0〜100モル%、rは0〜10
0モル%、sは0〜100モル%(ただし、p+q+r
+s=100モル%)、tは0か1である。〕 本発明の複合膜の好ましい態様としては、プロトン伝導
性を有するテトラフルオロエチレン共重合体からなる膜
の両面をスルホン化ポリアリーレンからなる膜で挟み込
んだ複合膜が挙げられる。次に、本発明は、それぞれの
膜の接合表面に、N−ビニルピロリドンおよびポリエチ
レングリコールに重合性官能基を1以上有する重合性化
合物もしくはいずれか一方を付与したのち、積層し加熱
することを特徴とする上記複合膜の製造方法に関する。
また、本発明は、接着剤として、アルコール系溶剤に溶
解したプロトン伝導性を有するテトラフルオロエチレン
共重合体およびアルコール系溶剤に溶解したスルホン化
ポリアリーレンもしくはいずれか一方を用いる上記複合
膜の製造方法に関する。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の複合膜は、プロトン伝導
性を有するテトラフルオロエチレン共重合体からなる膜
と、スルホン化ポリアリーレンからなる膜を積層するこ
とにより、プロトン伝導性を損なうことなく、ガス遮断
性を維持しつつ、スルホン化ポリアリーレンからなる膜
の靱性を改善した複合膜である。
【0013】プロトン伝導性を有するテトラフルオロエ
チレン共重合体 膜(1)を構成するポリマーとしては、例えば、上記一
般式(1)で表されるプロトン伝導性を有するテトラフ
ルオロエチレン共重合体である。このプロトン伝導性を
有するテトラフルオロエチレン共重合体は、例えば、テ
トラフルオロエチレンと末端にスルホニルフルオライド
基を有するパーフルオロビニルエーテルの共重合体を加
水分解してスルホン酸基としたスルホン化ポリマー、あ
るいは、このスルホン酸基の一部または全部がカルボキ
シル基に置換された形のカルボキシル化ポリマーであ
る。上記一般式(1)中、xは1〜30、好ましくは1
〜20の数、yは10〜2,000、好ましくは100
〜1,000の数、mは0〜10、好ましくは0〜5の
数、nは1〜10、好ましくは1〜5の数である。ここ
で、xが1未満では、水溶性となってしまう。一方、3
0を超えると、プロトン伝導度が低下する。また、yが
10未満では、プロトン伝導度が低下する。一方、2,
000を超えると、機械的強度が低下する。さらに、m
が10を超えると、プロトン伝導度が低下する。さら
に、nが5を超えると、プロトン伝導度が低下する。ま
た、上記一般式(1)中、Aは、−SO3 Zまたは−C
OOZであり、ここで、Zは、水素原子またはナトリウ
ムもしくはカリウムなどのアルカリ金属原子である。
【0014】プロトン伝導性を有するテトラフルオロエ
チレン共重合体中のイオン交換容量は、0.7〜1.5
meq/g、好ましくは0.8〜1.2meq/gであ
る。
【0015】ポリマー(1)の具体例としては、米国・
デュポン社製のナフィオン(x=5〜13.5、y=
1,000、m≧1、n=2、イオン交換容量=0.9
1meq/g、A=−SO3 H)、米国・ダウケミカル
社製の通称Dow膜(m=0、n=2、イオン交換容量
=0.8meq/g、A=−SO3 H)、旭化成工業
(株)製のアシペックス(Acipex)(x=1.5
〜14、m=0〜3、n=2〜5、イオン交換容量=
0.9〜1.0meq/g、A=−SO3 H,−COO
H)、旭硝子(株)製のフレミオン(Flemion)
(m=0〜1、n=1〜5、イオン交換容量=0.9m
eq/g、A=−COOH)などが挙げられる。
【0016】スルホン化ポリアリーレン 膜(2)を構成するスルホン化ポリアリーレンは、好ま
しくは上記一般式(2)で表されるポリアリーレンをス
ルホン化したスルホン化物である。ここで、ポリマー
(2)は、上記一般式(2)で表される繰り返し構造単
位を有する。以下、一般式(2)において、pで括られ
た構造単位を「構造単位p」、qで括られた構造単位を
「構造単位q」、rで括られた構造単位を「構造単位
r」、sで括られた構造単位を「構造単位s」ともい
う。
【0017】上記一般式(2)中、Xは、−CQQ′−
(ここで、Q,Q′は同一または異なり、ハロゲン化ア
ルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子または
アリール基を示す)で表される基およびフルオレニレン
基の群から選ばれる基である。ここで、Q,Q′のう
ち、ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチレン基などが、またアリール
基としては、フェニル基、ビフェニル基、トリル基、ペ
ンタフルオロフェニル基などが挙げられる。上記一般式
(2)中、R1 〜R36は、同一または異なり、水素原
子、アルキル基、ハロゲン原子、1価の有機基(例え
ば、ハロゲン化アルキル基、またはポリアリーレン生成
の重合反応を阻害しない官能基を含む1価の有機基)を
示す。R1 〜R36中、アルキル基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル
基などが挙げられる。また、ハロゲン原子としては、フ
ッ素が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、ト
リフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフル
オロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロ
ペンチル基、パーフルオロヘキシル基などが挙げられ
る。さらに、ポリアリーレン生成の重合反応を阻害しな
い官能基を含む1価の有機基としては、例えばアリール
オキシ、アリールオキソ、アリールチオカルボニル、ア
リールオキシカルボニル、アリールチオ、アリールスル
ホンなどが挙げられる。これらは、また、2つ以上の官
能基を含む1価の有機基、例えばアリールオキシアリー
ルオキソ、アリールオキシアリールスルホン、アリール
チオアリールオキソなどが挙げられる。さらに、これら
は、アリール基の代わりに、アルキル基、アルキルアリ
ール基、アリールアルキル基に代えて用いてもよい。さ
らに、上記一般式(2)中、Yは−O−,−CO−,−
COO−,−CONH−,および−SO2 −基の群から
選ばれた少なくとも1種であり、pは0〜100モル
%、qは0〜100モル%、rは0〜100モル%、s
は0〜100モル%(ただし、p+q+r+s=100
モル%)、tは0か1である。〕
【0018】式(2)において、構造単位pを構成する
モノマー(以下「モノマーp」ともいう)としては、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシフェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(4
−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフ
ォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ
−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロ
キシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロ
キシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)プロパン、2,
2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフ
ェニル)プロパン、2,2−ビス(4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシフ
ェニル)プロパン、2,2−ビス(4−フェニルスルフ
ォニロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニル
フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−フェニルスル
フォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フ
ルオロフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(p
−トリルスルフォニロキシフェニル)プロパン、2,2
−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチル
フェニル)プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチル
フェニル)プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、ビス
(p−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニ
ル)プロパン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3,5−ジフルオロフェニル)プロパン、9,9−ビス
(4−メチルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチ
ルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルス
ルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレ
ン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−
プロペニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−
メチルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フル
オレン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチ
ルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスル
フォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニル
メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロ
ペニルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチル
スルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニル
メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−
ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス
(4−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、ビ
ス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビ
ス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニ
ル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,
5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−メチルスル
フォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、ビス
(4−メチルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロ
メチルフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォニロ
キシフェニル)フェニルメタン、2,2−ビス(4−ト
リフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロ
メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−
トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェ
ニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フ
ルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスル
フォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス(4−ト
リフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニ
ル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチル
スルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェ
ニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−
フルオロフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロ
フェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(4−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フ
ルオレン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチル
スルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−
ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタ
ン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフ
ェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(4
−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−フェニルスル
フォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−フェニルス
ルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−フ
ェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−フェニルス
ルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォ
ニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フ
ェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオ
レン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−
3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス
(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェ
ニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフ
ォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス
(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニ
ル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォニ
ロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペ
ニルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニル
スルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニル
メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5
−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビ
ス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フルオロフェ
ニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフ
ォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレ
ン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)メ
タン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチ
ルフェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロ
キシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−
フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)
メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニ
ル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(4−フ
ェニルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシフェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(p
−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ
−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビ
ス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フェ
ニルフェニル)フルオレン、ビス(p−トリルスルフォ
ニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビ
ス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)ジフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォ
ニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロ
フェニル)ジフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニル
メタン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(p
−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニ
ル)フルオレン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフ
ェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3−メチルフェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス
(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニ
ル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(p−ト
リルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタンなどを
挙げることができる。上記モノマーpは、1種単独であ
るいは2種以上を併用することができる。
【0019】また、式(2)において、構造単位qを構
成するモノマー(以下「モノマーq」ともいう)として
は、例えば、4,4′−ジメチルスルフォニロキシビフ
ェニル、4,4′−ジメチルスルフォニロキシ−3,
3′−ジプロペニルビフェニル、4,4′−ジブロモビ
フェニル、4,4′−ジヨードビフェニル、4,4′−
ジメチルスルフォニロキシ−3,3′−ジメチルビフェ
ニル、4,4′−ジメチルスルフォニロキシ−3,3′
−ジフルオロビフェニル、4,4′−ジメチルスルフォ
ニロキシ−3,3′,5,5′−テトラフルオロビフェ
ニル、4,4′−ジブロモオクタフルオロビフェニル、
4,4−メチルスルフォニロキシオクタフルオロビフェ
ニル、3,3′−ジアリル−4,4′−ビス(4−フル
オロベンゼンスルフォニロキシ)ビフェニル、4,4′
−ジクロロ−2,2′−トリフルオロメチルビフェニ
ル、4,4′−ジブロモ−2,2′−トリフルオロメチ
ルビフェニル、4,4′−ジヨード−2,2′−トリフ
ルオロメチルビフェニル、ビス(4−クロロフェニル)
スルフォン、4,4′−ジクロロベンゾフェノン、2,
4−ジクロロベンゾフェノンなどを挙げることができ
る。上記モノマーqは、1種単独であるいは2種以上を
併用することができる。
【0020】さらに、式(2)において、構造単位rを
構成するモノマー(以下「モノマーr」ともいう)とし
ては、例えば、p−ジクロロベンゼン、p−ジブロモベ
ンゼン、p−ジヨードベンゼン、p−ジメチルスルフォ
ニロキシベンゼン、2,5−ジクロロトルエン、2,5
−ジブロモトルエン、2,5−ジヨードトルエン、2,
5−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、2,5−ジク
ロロ−p−キシレン、2,5−ジブロモ−p−キシレ
ン、2,5−ジヨード−p−キシレン、2,5−ジクロ
ロベンゾトリフルオライド、2,5−ジブロモベンゾト
リフルオライド、2,5−ジヨードベンゾトリフルオラ
イド、1,4−ジクロロ−2,3,5,6−テトラフル
オロベンゼン、1,4−ジブロモ−2,3,5,6−テ
トラフルオロベンゼン、1,4−ジヨード−2,3,
5,6−テトラフルオロベンゼン、2,5−ジクロロ安
息香酸、2,5−ジブロモ安息香酸、2,5−ジクロロ
安息香酸メチル、2,5−ジブロモ安息香酸メチル、
2,5−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、2,5−ジブ
ロモ安息香酸−t−ブチル、3,6−ジクロロフタル酸
無水物などを挙げることができ、好ましくはp−ジクロ
ロベンゼン、p−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、
2,5−ジクロロトルエン、2,5−ジクロロベンゾト
リフルオライド、2,5−ジクロロベンゾフェノン、
2,5−ジクロロフェノキシベンゼンなどである。
【0021】また、上記モノマーrとしては、例えば、
m−ジクロロベンゼン、m−ジブロモベンゼン、m−ジ
ヨードベンゼン、m−ジメチルスルフォニロキシベンゼ
ン、2,4−ジクロロトルエン、2,4−ジブロモトル
エン、2,4−ジヨードトルエン、3,5−ジクロロト
ルエン、3,5−ジブロモトルエン、3,5−ジヨード
トルエン、2,6−ジクロロトルエン、2,6−ジブロ
モトルエン、2,6−ジヨードトルエン、3,5−ジメ
チルスルフォニロキシトルエン、2,6−ジメチルスル
フォニロキシトルエン、2,4−ジクロロベンゾトリフ
ルオライド、2,4−ジブロモベンゾトリフルオライ
ド、2,4−ジヨードベンゾトリフルオライド、3,5
−ジクロロベンゾトリフルオライド、3,5−ジブロモ
トリフルオライド、3,5−ジヨードベンゾトリフルオ
ライド、1,3−ジブロモ−2,4,5,6−テトラフ
ルオロベンゼン、2,4−ジクロロベンジルアルコー
ル、3,5−ジクロロベンジルアルコール、2,4−ジ
ブロモベンジルアルコール、3,5−ジブロモベンジル
アルコール、3,5−ジクロロフェノール、3,5−ジ
ブロモフェノール、3,5−ジクロロ−t−ブトキシカ
ルボニロキシフェニル、3,5−ジブロモ−t−ブトキ
シカルボニロキシフェニル、2,4−ジクロロ安息香
酸、3,5−ジクロロ安息香酸、2,4−ジブロモ安息
香酸、3,5−ジブロモ安息香酸、2,4−ジクロロ安
息香酸メチル、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、3,
5−ジブロモ安息香酸メチル、2,4−ジブロモ安息香
酸メチル、2,4−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、
3,5−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、2,4−ジブ
ロモ安息香酸−t−ブチル、3,5−ジブロモ安息香酸
−t−ブチルなどを挙げることもでき、好ましくはm−
ジクロロベンゼン、2,4−ジクロロトルエン、3,5
−ジメチルスルフォニロキシトルエン、2,4−ジクロ
ロベンゾトリフルオライド、2,4−ジクロロベンゾフ
ェノン、2,4−ジクロロフェノキシベンゼンなどであ
る。
【0022】さらに、式(2)において、構造単位sを
構成するモノマー(以下「モノマーs」ともいう)とし
ては、例えば、4,4′−ビス(4−クロロベンゾイ
ル)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス(3−クロロ
ベンゾイル)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス(4
−ブロモベンゾイル)ジフェニルエーテル、4,4′−
ビス(3−ブロモベンゾイル)ジフェニルエーテル、
4,4′−ビス(4−ヨードベンゾイル)ジフェニルエ
ーテル、4,4′−ビス(3−ヨードベンゾイル)ジフ
ェニルエーテル、4,4′−ビス(4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルエーテル、
4,4′−ビス(3−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシフェニル)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス
(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルエ
ーテル、4,4′−ビス(3−メチルスルフォニロキシ
フェニル)ジフェニルエーテルなどが挙げられる。
【0023】また、上記モノマーsとしては、例えば
4′−ビス(4−クロロベンゾイルアミノ)ジフェニル
エーテル、3,4′−ビス(4−クロロベンゾイルア
ミ)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス(3−クロロ
ベンゾイルアミノ)ジフェニルエーテル、3,4′−ビ
ス(3−クロロベンゾイル)ジフェニルエーテル、4,
4′−ビス(4−ブロモベンゾイルアミノ)ジフェニル
エーテル、3,4′−ビス(4−ブロモベンゾイルアミ
ノ)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス(3−ブロモ
ベンゾイルアミノ)ジフェニルエーテル、3,4′−ビ
ス(3−ブロモベンゾイルアミノ)ジフェニルエーテ
ル、4,4′−ビス(4−ヨードベンゾイルアミノ)ジ
フェニルエーテル、3,4′−ビス(4−ヨードベンゾ
イルアミノ)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス(3
−ヨードベンゾイルアミノ)ジフェニルエーテル、3,
4′−ビス(3−ヨードベンゾイルアミノ)ジフェニル
エーテル、4,4′−ビス(4−トリフルオロメチルス
ルフォニロキシフェニル)ジフェニルエーテル、3,
4′−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ
フェニル)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス(3−
トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ジフェ
ニルエーテル、3,4′−ビス(3−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルエーテル、
4,4′−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニ
ル)ジフェニルエーテル、3,4′−ビス(4−メチル
スルフォニロキシフェニル)ジフェニルエーテル、4,
4′−ビス(3−メチルスルフォニロキシフェニル)ジ
フェニルエーテル、3,4′−ビス(3−メチルスルフ
ォニロキシフェニル)ジフェニルエーテルなどが挙げら
れる。
【0024】さらに、上記モノマーsとしては、例えば
4,4′−ビス(4−クロロフェニルスルホニル)ジフ
ェニルエーテル、4′−ビス(4−クロロフェニルスル
ホニル)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス(3−ク
ロロフェニルスルホニル)ジフェニルエーテル、3,
4′−ビス(3−クロロフェニルスルホニル)ジフェニ
ルエーテル、4,4′−ビス(4−ブロモフェニルスル
ホニル)ジフェニルエーテル、4′−ビス(4−ブロモ
フェニルスルホニル)ジフェニルエーテル、4,4′−
ビス(3−ブロモフェニルスルホニル)ジフェニルエー
テル、3,4′−ビス(3−ブロモフェニルスルホニ
ル)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス(4−ヨード
フェニルスルホニル)ジフェニルエーテル、4′−ビス
(4−ヨードフェニルスルホニル)ジフェニルエーテ
ル、4,4′−ビス(3−ヨードフェニルスルホニル)
ジフェニルエーテル、3,4′−ビス(3−ヨードフェ
ニルスルホニル)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニスル
ホニル)ジフェニルエーテル、4′−ビス(4−トリフ
ルオロメチルスルフォニロキシフェニルスルホニル)ジ
フェニルエーテル、4,4′−ビス(3−トリフルオロ
メチルスルフォニロキシフェニスルホニル)ジフェニル
エーテル、3,4′−ビス(3−トリフルオロメチルス
ルフォニロキシフェニルスルホニル)ジフェニルエーテ
ル、4,4′−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェ
ニスルホニル)ジフェニルエーテル、4′−ビス(4−
メチルスルフォニロキシフェニルスルホニル)ジフェニ
ルエーテル、4,4′−ビス(3−メチルスルフォニロ
キシフェニスルホニル)ジフェニルエーテル、3,4′
−ビス(3−メチルスルフォニロキシフェニルスルホニ
ル)ジフェニルエーテルなどが挙げられる。
【0025】さらに、上記モノマーsとしては、例えば
4,4′−ビス(4−クロロフェニル)ジフェニルエー
テルジカルボキシレート、3,4′−ビス(4−クロロ
フェニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレート、
4,4′−ビス(3−クロロフェニル)ジフェニルエー
テルジカルボキシレート、3,4′−ビス(3−クロロ
フェニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレート、
4,4′−ビス(4−ブロモフェニル)ジフェニルエー
テルジカルボキシレート、3,4′−ビス(4−ブロモ
フェニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレート、
4,4′−ビス(3−ブロモフェニル)ジフェニルエー
テルジカルボキシレート、3,4′−ビス(3−ブロモ
フェニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレート、
4′−ビス(4−ヨードフェニル)ジフェニルエーテル
ジカルボキシレート、3,4′−ビス(4−ヨードフェ
ニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレート、4,
4′−ビス(3−ヨードフェニル)ジフェニルエーテル
ジカルボキシレート、3,4′−ビス(3−ヨードフェ
ニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレート、4,
4′−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ
フェニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレート、
3,4′−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシフェニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレー
ト、4,4′−ビス(3−トリフルオロメチルスルフォ
ニロキシフェニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレ
ート、3,4′−ビス(3−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル)ジフェニルエーテルジカルボキシ
レート、4,4′−ビス(4−メチルスルフォニロキシ
フェニル)ジフェニルエーテルジカルボキシレート、
3,4′−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニ
ル)ジフェニルエーテルジカルボキシレート、4,4′
−ビス(3−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェ
ニルエーテルジカルボキシレート、3,4′−ビス(3
−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルエーテ
ルジカルボキシレートなどが挙げられる。
【0026】さらに、上記モノマーsとしては、例えば
4,4′−ビス〔(4−クロロフェニル)−1,1,
1,3,3,3―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニル
エーテル、3,4′−ビス〔(4−クロロフェニル)−
1,1,1,3,3,3―ヘキサフルオロプロピル〕ジ
フェニルエーテル、4,4′−ビス〔(3−クロロフェ
ニル)−1,1,1,3,3,3―ヘキサフルオロプロ
ピル〕ジフェニルエーテル、3,4′−ビス〔(3−ク
ロロフェニル)−1,1,1,3,3,3―ヘキサフル
オロプロピル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス
[(4−ブロモフェニル)−1,1,1,3,3,3―
ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテル、3,
4′−ビス〔(4−ブロモフェニル)−1,1,1,
3,3,3―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエー
テル、4,4′−ビス〔(3−ブロモフェニル)−1,
1,1,3,3,3―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェ
ニルエーテル、3,4′−ビス〔(3−ブロモフェニ
ル)−1,1,1,3,3,3―ヘキサフルオロプロピ
ル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス〔(4−ヨー
ドフェニル)−1,1,1,3,3,3―ヘキサフルオ
ロプロピル〕ジフェニルエーテル、3,4′−ビス
〔(4−ヨードフェニル)−1,1,1,3,3,3―
ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテル、4′−
ビス〔(3−ヨードフェニル)−1,1,1,3,3,
3―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテル、
3,4′−ビス〔(3−ヨードフェニル)−1,1,
1,3,3,3―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニル
エーテル、4,4′−ビス〔(4−トリフルオロメチル
スルフォニロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3
―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテル、3,
4′−ビス〔(4−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シフェニル)−1,1,1,3,3,3―ヘキサフルオ
ロプロピル〕ジフェニルエーテル、4′−ビス〔(3−
トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)−1,
1,1,3,3,3―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェ
ニルエーテル、3,4′−ビス〔(3−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシフェニル)−1,1,1,3,
3,3―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテ
ル、4,4′−ビス〔(4−メチルスルフォニロキシフ
ェニル)−1,1,1,3,3,3―ヘキサフルオロプ
ロピル〕ジフェニルエーテル、3,4′−ビス〔(4−
メチルスルフォニロキシフェニル)−1,1,1,3,
3,3―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテ
ル、4,4′−ビス〔(3−メチルスルフォニロキシフ
ェニル)−1,1,1,3,3,3―ヘキサフルオロプ
ロピル〕ジフェニルエーテル、3,4′−ビス〔(3−
メチルスルフォニロキシフェニル)−1,1,1,3,
3,3―ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテル
などが挙げられる。
【0027】さらに、上記モノマーsとしては、例えば
4,4′−ビス〔(4−クロロフェニル)テトラフルオ
ロエチル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス〔(3
−クロロフェニル)テトラフルオロエチル〕ジフェニル
エーテル、4,4′−ビス〔(4−クロロフェニル)ヘ
キサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテル、4,4′
−ビス〔(3−クロロフェニル)ヘキサフルオロプロピ
ル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス〔(4−クロ
ロフェニル)オクタフルオロブチル〕ジフェニルエーテ
ル、4,4′−ビス〔(3−クロロフェニル)オクタフ
ルオロブチル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス
〔(4−クロロフェニル)デカフルオロペンチル〕ジフ
ェニルエーテル、4,4′−ビス〔(3−クロロフェニ
ル)デカフルオロペンチル〕ジフェニルエーテル、4,
4′−ビス〔(4−ブロモフェニル)テトラフルオロエ
チル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス〔(3−ブ
ロモフェニル)テトラフルオロエチル〕ジフェニルエー
テル、4,4′−ビス〔(4−ブロモフェニル)ヘキサ
フルオロプロピル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビ
ス〔(3−ブロモフェニル)ヘキサフルオロプロピル〕
ジフェニルエーテル、4,4′−ビス〔(4−ブロモフ
ェニル)オクタフルオロブチル〕ジフェニルエーテル、
4,4′−ビス〔(3−ブロモフェニル)オクタフルオ
ロブチル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス〔(4
−ブロモフェニル)デカフルオロペンチル〕ジフェニル
エーテル、4,4′−ビス〔(3−ブロモフェニル)デ
カフルオロペンチル〕ジフェニルエーテル、4,4′−
ビス〔(4−ヨードフェニル)テトラフルオロエチル〕
ジフェニルエーテル、4,4′−ビス〔(3−ヨードフ
ェニル)テトラフルオロエチル〕ジフェニルエーテル、
4,4′−ビス〔(4−ヨードフェニル)ヘキサフルオ
ロプロピル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス
〔(3−ヨードフェニル)ヘキサフルオロプロピル〕ジ
フェニルエーテル、4,4′−ビス〔(4−ヨードフェ
ニル)オクタフルオロブチル〕ジフェニルエーテル、
4,4′−ビス〔(3−ヨードフェニル)オクタフルオ
ロブチル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス〔(4
−ヨードフェニル)デカフルオロペンチル〕ジフェニル
エーテル、4,4′−ビス〔(3−ヨードフェニル)デ
カフルオロペンチル〕ジフェニルエーテル、4,4′−
ビス〔(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェ
ニル)テトラフルオロエチル〕ジフェニルエーテル、
4,4′−ビス〔(3−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシフェニル)テトラフルオロエチル〕ジフェニルエ
ーテル、4,4′−ビス〔(4−トリフルオロメチルス
ルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロピル〕ジ
フェニルエーテル、4,4′−ビス〔(3−トリフルオ
ロメチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロピル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス〔(4−
トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)オクタ
フルオロブチル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス
〔(3−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニ
ル)オクタフルオロブチル〕ジフェニルエーテル、4,
4′−ビス〔(4−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シフェニル)デカフルオロペンチル〕ジフェニルエーテ
ル、4,4′−ビス〔(3−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシ)デカフルオロペンチル〕ジフェニルエーテ
ル、4,4′−ビス〔(4−メチルスルフォニロキシフ
ェニル)テトラフルオロエチル〕ジフェニルエーテル、
4,4′−ビス〔(3−メチルスルフォニロキシフェニ
ル)テトラフルオロエチル〕ジフェニルエーテル、4,
4′−ビス〔(4−メチルスルフォニロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテル、4,
4′−ビス〔(3−メチルスルフォニロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロピル〕ジフェニルエーテル、4,
4′−ビス〔(4−メチルスルフォニロキシフェニル)
オクタフルオロブチル〕ジフェニルエーテル、4,4′
−ビス〔(3−メチルスルフォニロキシフェニル)オク
タフルオロブチル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビ
ス〔(4−メチルスルフォニロキシフェニル)デカフル
オロペンチル〕ジフェニルエーテル、4,4′−ビス
〔(3−メチルスルフォニロキシ)デカフルオロペンチ
ル〕ジフェニルエーテルなどが挙げられる。
【0028】また、上記モノマーp〜s以外にも、例え
ば、o−ジクロロベンゼン、o−ジブロモベンゼン、o
−ジヨードベンゼン、o−ジメチルスルフォニロキシベ
ンゼン、2,3−ジクロロトルエン、2,3−ジブロモ
トルエン、2,3−ジヨードトルエン、3,4−ジクロ
ロトルエン、3,4−ジブロモトルエン、3,4−ジヨ
ードトルエン、2,3−ジメチルスルフォニロキシベン
ゼン、3,4−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、
3,4−ジクロロベンゾトリフルオライド、3,4−ジ
ブロモベンゾトリフルオライド、3,4−ジヨードベン
ゾトリフルオライド、1,2−ジブロモ−3,4,5,
6−テトラフルオロベンゼン、4,5−ジクロロフタル
酸無水物などを共重合させることができる。
【0029】ポリアリーレン中の繰り返し構造単位の割
合は、上記式(2)において、pが0〜100モル%、
qが0〜100モル%、rが0〜100モル%、sが0
〜100モル%、好ましくは、pが50〜100モル
%、qが0〜50モル%、rが50〜100モル%、s
が0〜50モル%(ただし、p+q+r+s=100モ
ル%)である。
【0030】本発明に用いられるポリアリーレンを製造
する際に用いられる触媒は、遷移金属化合物を含む触媒
系が好ましく、この触媒系としては、遷移金属塩およ
び配位子、または配位子が配位された遷移金属(塩)、
ならびに還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を
上げるために、「塩」を添加してもよい。
【0031】ここで、遷移金属塩としては、塩化ニッケ
ル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケル、ニッケルアセチル
アセトナートなどのニッケル化合物、塩化パラジウム、
臭化パラジウム、ヨウ化パラジウムなどのパラジウム化
合物、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄などの鉄化合物、塩化
コバルト、臭化コバルト、ヨウ化コバルトなどのコバル
ト化合物などを挙げることができる。これらのうち特
に、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好ましい。
【0032】また、配位子としては、トリフェニルホス
フィン、2,2′−ビピリジン、1,5−シクロオクタ
ジエン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ンなどを挙げることができるが、トリフェニルホスフィ
ン、2,2′−ビピリジンが好ましい。上記配位子は、
1種単独でまたは2種以上を組合わせて用いることがで
きる。
【0033】さらに、あらかじめ配位子が配位された遷
移金属(塩)としては、例えば、塩化ニッケル2トリフ
ェニルホスフィン、臭化ニッケル2トリフェニルホスフ
ィン、ヨウ化ニッケル2トリフェニルホスフィン、硝酸
ニッケル2−トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル
2,2′ビピリジン、臭化ニッケル2,2′ビピリジ
ン、ヨウ化ニッケル2,2′ビピリジン、硝酸ニッケル
2,2′ビピリジン、ビス(1,5−シクロオクタジエ
ン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)
ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスファイト)ニ
ッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウムなどを挙げることができるが、塩化ニッケル2トリ
フェニルホスフィン、塩化ニッケル2,2′ビピリジン
が好ましい。
【0034】このような触媒系において使用することが
できる上記還元剤としては、例えば、鉄、亜鉛、マンガ
ン、アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシ
ウムなどを挙げることできるが、亜鉛、マンガンが好ま
しい。これらの還元剤は、酸や有機酸に接触させること
により、より活性化して用いることができる。
【0035】また、このような触媒系において使用する
ことのできる「塩」としては、フッ化ナトリウム、塩化
ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸
ナトリウムなどのナトリウム化合物、フッ化カリウム、
塩化カリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム、硫酸カ
リウムなどのカリウム化合物、フッ化テトラエチルアン
モニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラ
エチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウ
ム、硫酸テトラエチルアンモニウムなどのアンモニウム
化合物などを挙げることができるが、臭化ナトリウム、
ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、臭化テトラエチルア
ンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウムが好まし
い。
【0036】このような触媒系における各成分の使用割
合は、遷移金属塩または配位子が配位された遷移金属
(塩)が、上記モノマーp〜sの総量1モルに対し、通
常、0.0001〜10モル、好ましくは0.01〜
0.5モルである。0.0001モル未満であると、重
合反応が充分に進行せず、一方、10モルを超えると、
分子量が低下することがある。
【0037】このような触媒系において、遷移金属塩お
よび配位子を用いる場合、この配位子の使用割合は、遷
移金属塩1モルに対し、通常、0.1〜100モル、好
ましくは1〜10モルである。0.1モル未満では、触
媒活性が不充分となり、一方、100モルを超えると、
分子量が低下するという問題がある。
【0038】また、触媒系における還元剤の使用割合
は、モノマーp〜sの総量1モルに対し、通常、0.1
〜100モル、好ましくは1〜10モルである。0.1
モル未満であると、重合が充分進行せず、100モルを
超えると、得られるポリアリーレンの精製が困難になる
ことがある。
【0039】さらに、触媒系に「塩」を使用する場合、
その使用割合は、上記モノマーp〜sの総量1モルに対
し、通常、0.001〜100モル、好ましくは0.0
1〜1モルである。0.001モル未満であると、重合
速度を上げる効果が不充分であり、100モルを超える
と、得られるポリアリーレンの精製が困難となることが
ある。
【0040】本発明で使用することのできる重合溶媒と
しては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2
−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、γ−ブチロラクタ
ムなどを挙げることができ、テトラヒドロフラン、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド、1−メチル−2−ピロリドンが好ましい。これら
の重合溶媒は、充分に乾燥してから用いることが好まし
い。
【0041】重合溶媒中における上記モノマーp〜sの
総量の濃度は、通常、1〜100重量%、好ましくは5
〜40重量%である。
【0042】また、本発明のポリアリーレンを重合する
際の重合温度は、通常、0〜200℃、好ましくは50
〜80℃である。また、重合時間は、通常、0.5〜1
00時間、好ましくは1〜40時間である。なお、本発
明に用いられるポリアリーレンのポリスチレン換算の重
量平均分子量は、通常、1,000〜1,000,00
0である。
【0043】本発明の複合膜に用いられるポリマー
(2)のスルホン化物(スルホン化ポリアリーレン)
は、スルホン酸基を有しない上記ポリマー(2)に、ス
ルホン化剤を用い、常法によりスルホン酸基を導入する
ことにより得ることができる。スルホン酸基を導入する
方法としては、例えば、上記ポリマー(2)を、無水硫
酸、発煙硫酸、クロルスルホン酸、硫酸、亜硫酸水素ナ
トリウムなどの公知のスルホン化剤を用いて、公知の条
件でスルホン化することができる〔Polymer P
reprints,Japan,Vol.42,No.
3,p.730(1993);Polymer Pre
prints,Japan,Vol.42,No.3,
p.736(1994);Polymer Prepr
ints,Japan,Vol.42,No.7,p.
2490〜2492(1993)〕。
【0044】すなわち、このスルホン化の反応条件とし
ては、上記ポリマー(2)を、無溶剤下、あるいは溶剤
存在下で、上記スルホン化剤と反応させる。溶剤として
は、例えばn−ヘキサンなどの炭化水素溶剤、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶剤、N,N
−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ドのような非プロトン系極性溶剤のほか、テトラクロロ
エタン、ジクロロエタン、クロロホルム、塩化メチレン
などのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。反応温度
は、特に制限はないが、通常、−50〜200℃、好ま
しくは−10〜100℃である。また、反応時間は、通
常、0.5〜1,000時間、好ましくは1〜200時
間である。
【0045】このようにして得られる、上記ポリマー
(2)のスルホン化物(スルホン化ポリアリーレン)中
の、スルホン酸基量は、重合体を構成する単位p〜sの
1ユニットに対して、通常、0.05〜2個、好ましく
は0.3〜1.5個である。0.05個未満では、プロ
トン伝導性が上がらず、一方2個を超えると、親水性が
向上し、水溶性ポリマーとなってしまうか、また水溶性
に至らずとも耐久性が低下する。
【0046】また、このようにして得られるポリマー
(2)のスルホン化物(スルホン化ポリアリーレン)
は、スルホン化前のベースポリマーの分子量が、ポリス
チレン換算重量平均分子量で、1,000〜1,00
0,000、好ましくは1,500〜300,000で
ある。1,000未満では、成形フィルムにクラックが
発生するなど、塗膜性が不充分であり、また強度的性質
にも問題がある。一方、1,000,000を超える
と、溶解性が不充分となり、また溶液粘度が高く、加工
性が不良になるなどの問題がある。
【0047】なお、本発明に用いられる膜(2)は、上
記ポリマー(2)のスルホン化物(スルホン化ポリアリ
ーレン)からなるが、上記スルホン化物以外に、硫酸、
リン酸などの無機酸、カルボン酸を含む有機酸、適量の
水などを併用しても良い。
【0048】本発明の複合膜 本発明のプロトン伝導性に優れた複合膜を製造するに
は、例えば、ポリマー(1)やポリマー(2)のスルホ
ン化物(スルホン化ポリアリーレン)を、それぞれ、溶
剤に溶解したのち、キャスティングによりフィルム状に
成形するキャスティング法や、溶融成形法などにより、
膜(1),膜(2)を製造する方法が挙げられる。ここ
で、キャスティング法における溶剤としては、N,N−
ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ドなどの非プロトン系極性溶剤やメタノールなどのアル
コール系溶剤などが挙げられる。膜(1)や(2)の乾
燥膜厚は、それぞれ、通常、10〜150μm、好まし
くは10〜100μmである。また、得られる複合膜と
しての乾燥膜厚は、通常、10〜100μm、好ましく
は20〜80μmである。
【0049】ここで、本発明の複合膜の態様としては、
プロトン伝導性を有するテトラフルオロエチレン共重合
体からなる膜(1)に、スルホン化ポリアリーレンから
なる膜(2)を積層すればよいが、ガス遮断性、靱性の
発現効果の面から、膜(1)の両面を膜(2)で挟み込
んだ態様が好ましい。
【0050】ここで、膜(1)と膜(2)を積層するに
は、N−ビニルピロリドンおよびポリエチレングリコ
ールに重合性官能基を1以上有する重合性化合物もしく
はいずれか一方を付与したのち、積層し加熱するか(積
層法)、あるいは、接着剤として、アルコール系溶
剤に溶解したプロトン伝導性を有するテトラフルオロエ
チレン共重合体およびアルコール系溶剤に溶解したスル
ホン化ポリアリーレンもしくはいずれか一方を用いる方
法(積層法)などが挙げられる。
【0051】積層法;積層法に用いられる重合性化
合物は、重合官能基を1以上有するポリエチレングリコ
ール誘導体であり、その具体例としては、ポリエチレン
グリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタ
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロ
ールプロパンエトキシレートメチルエーテルジアクリレ
ート、トリメチロールプロパンエトキシレートトリアク
リレート、トリメチロールプロパンエトキシレートメチ
ルエーテルジメタクリレート、トリメチロールプロパン
エトキシレートトリメタクリレートなどが挙げられる。
【0052】N−ビニルピロリドンや上記重合性化合物
には、通常、ラジカル重合開始剤として、過酸化ベンゾ
イル、過酸化ラウロイル、クメンヒドロペルオキシド、
t−ブチルパーオキシアセテート、1,1−ビス(t−
ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、t−クミルパーオ
キサイド、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パー
オキシジカーボネートなどの有機過酸化物が、これらモ
ノマー類に対し、通常、0.01〜10重量%、好まし
くは0.1〜5重量%程度用いられる。また、この際、
N−ビニルピロリドンや重合性化合物は、メタノール、
エタノール、ヘキサフルオロイソプロパノールなどのア
ルコール系溶剤や、N−メチルピロリドン、N,N−ジ
メチルアセトアミドなどのアミド系溶剤などの有機溶剤
溶液として用いられる。
【0053】積層法では、N−ビニルピロリドンや重
合性化合物を上記有機溶剤に溶解し、これに上記のラジ
カル開始剤を配合して、この混合液を、膜(1)や膜
(2)の接合表面に塗布、あるいは浸漬し、次いで、室
温〜200℃、好ましくは常温で、10〜180分、好
ましくは10〜60分乾燥し、次いで、両膜を積層し
て、数100g/cm2 程度の加圧下、50〜200
℃、好ましくは50〜150℃で加熱して接着する。こ
のようにして得られた複合膜は、複合面において、N−
ビニルピロリドンや重合性化合物がポリマー化して、膜
(1)〜膜(2)を強固に接合することができる。ま
た、この接合面に存在するポリビニルピロリドンやポリ
エチレングリコール誘導体は、親水性ポリマーなので、
得られる複合膜は、プロトン伝導度の低下が小さいとい
う効果を奏する。
【0054】積層法;積層法に用いられるアルコー
ル系溶剤としては、メタノール、エタノール、ヘキサフ
ルオロイソプロパノールなどのポリマー(1)およびポ
リマー(2)のスルホン化物(スルホン化ポリアリーレ
ン)を溶解し得るアルコール系溶剤が用いられる。
【0055】積層層では、ポリマー(1)およびポリ
マー(2)のスルホン化物(スルホン化ポリアリーレ
ン)もしくはいずれか一方を上記アルコール系溶剤に溶
解して接着剤とし、これを用いて、膜(1)と膜(2)
を積層する。この際、接着剤中のポリマー濃度は、通
常、5〜50重量%、好ましくは10〜30重量%であ
る。積層法では、上記のようにして得られた接着剤
を、膜(1)や膜(2)の接合表面に塗布、あるいは浸
漬し、次いで、室温〜80℃、好ましくは常温で、10
〜180分、好ましくは10〜60分乾燥し、次いで、
両膜を積層して、数100g/cm2 程度の加圧下、5
0〜200℃、好ましくは50〜150℃で加熱して接
着する。積層法では、この接合面が、ポリマー(1)
あるいはポリマー(2)のスルホン化物自体(スルホン
化ポリアリーレン)であるので、得られる複合膜は、プ
ロトン伝導度の低下が極めて少なくなるという効果を奏
する。
【0056】本発明の複合膜は、エラストマー状のプロ
トン伝導性を有するテトラフルオロエチレン共重合体か
らなる膜にスルホン化ポリアリーレンの膜を積層するこ
とにより、プロトン伝導性を損なうことなく、ガス遮断
性を維持しつつ、スルホン化ポリアリーレンからなる膜
の靱性が改善される。したがって、本発明の複合膜は、
例えば一次電池用電解質、二次電池用電解質、燃料電池
用高分子固体電解質、表示素子、各種センサー、信号伝
達媒体、固体コンデンサー、イオン交換膜などに利用可
能なプロトン伝導性の伝導膜に利用可能である。
【0057】
【実施例】以下、実施例を挙げ本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。なお、実施例中の各種の測定項目は、下記のよ
うにして求めた。
【0058】数平均分子量、重量平均分子量 スルホン化前のポリマーの数平均分子量,重量平均分子
量は、溶媒にテトラヒドロフラン(THF)を用い、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によ
って、ポリスチレン換算の分子量を求めた。
【0059】スルホン化当量 得られたポリマーの水洗水が中性になるまで洗浄し、フ
リーの残存している酸を除いて、充分に水洗し、乾燥
後、所定量を秤量し、THF/水の混合溶剤に溶解し、
フェノールフタレインを指示薬とし、NaOHの標準液
にて滴定し、中和点から、スルホン化当量を求めた。
【0060】引張強度 引張強度は、得られたフィルムの室温での引張試験によ
って測定した。弾性率 弾性率は、得られたフィルムの室温の引張試験の応力−
歪曲線の引張初期の傾きから計算した。フィルム耐折性 耐折試験機を用い、屈曲回数166回/分、荷重200
g、屈曲変形角度135°の条件で測定した。
【0061】吸水率 室温で蒸留水に1時間フィルムを浸漬し、前後の重量変
化から求めた。
【0062】プロトン伝導度の測定 100%相対湿度下に置かれた直径13mmのフィルム
状試料を、白金電極に挟み、密閉セルに封入し、インピ
ーダンスアナライザー(HYP4192A)を用いて、
周波数5〜13MHz、印加電圧12mV、温度20
℃、50℃、100℃にてセルのインピーダンスの絶対
値と位相角を測定した。得られたデータは、コンピュー
タを用いて発振レベル12mVにて複素インピーダンス
測定を行い、プロトン伝導率を算出した。
【0063】ガス透過性 高真空法ガス透過試験機を用い、30℃の条件でのガス
透過量を求め、単位時間、膜厚、圧力、面積に規格化し
た。
【0064】実施例1 プロトン伝導性を有するテトラフルオロエチレン共重合
体からなる市販の高分子膜〔デュポン社製、商品名;ナ
フィオン(Nafion)112、膜厚50μm〕を加
熱ロールで圧延し、膜厚20μmとした。一方、重量平
均分子量14.5万のポリ(4−フェノキシベンゾイル
−1,4−フェニレン)を濃硫酸でスルホン化したスル
ホン化物(繰り返し単位に対し、85モル%をスルホン
化)を、NMP溶媒でPETフィルム上に流延、乾燥
し、膜厚20μmのフィルムを調製した。それぞれの膜
を、モノマーに対し0.01部の過酸化ベンゾイルとモ
ノマーのN−ビニルピロリドンの10部を含むエタノー
ル90部からなる溶液に室温で1時間浸漬した。浸漬
後、フィルム表面を室温で20分乾燥したのち、プロト
ン伝導性を有するテトラフルオロエチレン共重合体から
なる膜を中央に配し、両面をスルホン化ポリアリーレン
で挟み込んで複合膜とし、スペーサーを介して加熱プレ
スを用い、100g/cm2 で予備プレス3分、さらに
1kg/cm2 の圧力で加圧下、100℃で30分、硬
化接着を行った。得られた積層複合膜の評価結果を表1
に示す。
【0065】実施例2 実施例1で用いたポリアリーレンであるポリ(4−フェ
ノキシベンゾイル−1,4−フェニレン)の単独重合体
の代わりに、(4−フェノキシベンゾイル−1,4−フ
ェニレン)の繰り返しユニット(A)と(ジフェニルメ
タン−4,4′−ジイル)の繰り返しユニット(B)か
らなる共重合体〔共重合組成;(A)/(B)=90/
10%〕のスルホン化膜〔ユニット(A)の90モル%
がスルホン化されている一方、ユニット(B)はスルホ
ン化されていない〕を用いた以外は、実施例1と同様に
して複合膜を得た。結果を表1に示す。
【0066】実施例3 実施例1で調製した膜厚20μmのプロトン伝導性を有
するテトラフルオロエチレン共重合体の膜(ナフィオ
ン)の両面に、ポリアリーレンであるポリ(4−フェノ
キシベンゾイル−1,4−フェニレン)のスルホン化物
の10%メタノール溶液を塗布し、室温で予備乾燥、実
施例1と同様に、このプロトン伝導性を有するテトラフ
ルオロエチレン共重合体からなる膜を中央に配し、両面
を実施例1と同様のスルホン化ポリアリーレンからなる
膜で挟み込んで複合膜とし、スペーサーを介した加熱プ
レスを用い、100g/cm2 で予備プレス3分、さら
に1kg/cm2 の圧力で加圧下で100℃で30分間
硬化接着させた。得られた積層複合膜の特性を、表1に
示す。
【0067】比較例1 実施例1で用いたポリアリーレンであるポリ(4−フェ
ノキシベンゾイル−1,4−フェニレン)のスルホン化
物の膜(膜厚50μm)の評価結果を表1に示す。
【0068】比較例2 実施例2で用いたポリアリーレンである(4−フェノキ
シベンゾイル−1,4−フェニレン)の繰り返しユニッ
ト(A)と(ジフェニルメタン−4,4′−ジイル)の
繰り返しユニット(B)からなる共重合体〔共重合組
成;(A)/(B)=90/10%〕のスルホン化膜
〔ユニット(A)の90モル%がスルホン化されている
一方、ユニット(B)はスルホン化されていない〕の膜
厚50μmの評価結果を表1に示す。
【0069】比較例3 実施例1で用いた市販のプロトン伝導性を有するテトラ
フルオロエチレン共重合体の膜(デュポン社製、Naf
ion 117、膜厚50μm)の評価結果を表1に示
す。
【0070】
【表1】
【0071】
【発明の効果】本発明の複合膜は、エラストマー状のプ
ロトン伝導性を有するテトラフルオロエチレン共重合体
からなる膜にスルホン化ポリアリーレンの膜を積層する
ことにより、プロトン伝導性を損なうことなく、ガス遮
断性を維持しつつ、スルホン化ポリアリーレンからなる
膜の靱性を改善することができる。したがって、本発明
の複合膜は、伝導膜として、広い温度範囲にわたって高
いプロントン伝導性を有し、かつ基板、電極に対する密
着性が優れ、脆くなく強度において優れており、一次電
池用電解質、二次電池用電解質、燃料電池用高分子固体
電解質、表示素子、各種センサー、信号伝達媒体、固体
コンデンサー、イオン交換膜などの伝導膜として利用可
能であり、この工業的意義は極めて大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08F 216/14 C08F 216/14 5G301 C08G 61/12 C08G 61/12 5G307 75/20 75/20 C08J 5/12 CEU C08J 5/12 CEU CEZ CEZ H01B 1/06 H01B 1/06 A // C08L 27:18 C08L 27:18 65:00 65:00 (72)発明者 永井 久男 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 4D006 GA01 MA03 MA06 MA11 MA31 MB16 MB17 MC30 MC30X MC42X MC46 MC48 MC49 MC54 MC61 MC61X MC74 MC74X MC75 NA10 NA12 NA46 NA47 NA63 NA64 NA66 4F071 AA27A AA27B AA37A AA64A AA64B AA69A AA69B CB02 CD03 4J030 BA09 BC08 BC13 BD03 BF13 BG06 4J032 CA04 CB03 CB05 CD09 CE03 CF01 CG01 4J100 AC26P AE38Q BA02Q BA17Q BA56Q BB13Q CA04 5G301 CA30 CD01 5G307 BA07 BB09 BC10

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プロトン伝導性を有するテトラフルオロ
    エチレン共重合体からなる膜とスルホン化ポリアリーレ
    ンからなる膜とが積層されてなる複合膜。
  2. 【請求項2】 プロトン伝導性を有するテトラフルオロ
    エチレン共重合体が一般式(1)で表される構造単位か
    らなる請求項1記載の複合膜。 【化1】 〔一般式(1)中、xは1〜30の数、yは10〜2,
    000の数、mは0〜10の数、nは1〜10の数、A
    は−SO3 Zまたは−COOZ(ここで、Zは水素原子
    またはアルカリ金属原子である)を示す。〕
  3. 【請求項3】 スルホンポリアリーレンが一般式(2)
    で表される構造単位からなる重合体のスルホン化物であ
    る請求項1記載の複合膜。 【化2】 〔一般式(2)中、Xは−CQQ′−(ここで、Q,
    Q′は同一または異なり、ハロゲン化アルキル基、アル
    キル基、水素原子、ハロゲン原子またはアリール基を示
    す)で表される基およびフルオレニレン基の群から選ば
    れる基であり、R1〜R36は同一または異なり、水素原
    子、ハロゲン原子または1価の有機基を示し、Yは−O
    −,−CO−,−COO−,−CONH−および−SO
    2 −基の群から選ばれる基であり、pは0〜100モル
    %、qは0〜100モル%、rは0〜100モル%、s
    は0〜100モル%(ただし、p+q+r+s=100
    モル%)、tは0か1である。〕
  4. 【請求項4】 プロトン伝導性を有するテトラフルオロ
    エチレン共重合体からなる膜の両面をスルホン化ポリア
    リーレンからなる膜で挟み込んだ請求項1記載の複合
    膜。
  5. 【請求項5】 それぞれの膜の接合表面に、N−ビニル
    ピロリドンおよびポリエチレングリコールに重合性官能
    基を1以上有する重合性化合物もしくはいずれか一方を
    付与したのち、積層し加熱することを特徴とする請求項
    1〜4いずれか1項記載の複合膜の製造方法。
  6. 【請求項6】 接着剤として、アルコール系溶剤に溶解
    したプロトン伝導性を有するテトラフルオロエチレン共
    重合体およびアルコール系溶剤に溶解したスルホン化ポ
    リアリーレンもしくはいずれか一方を用いる請求項1〜
    4いずれか1項記載の複合膜の製造方法。
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