JP2002006507A - フィルム回路基板の周辺露光装置 - Google Patents
フィルム回路基板の周辺露光装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅箔のエッジを正確に検出することができ、
照射領域の位置を精度よく制御することができるフィル
ム回路基板の周辺露光装置を提供すること。 【解決手段】 所定のピッチでパーフォレーションホー
ルＰＨが設けられたフィルム回路基板ＴＰを搬送しなが
ら、フィルム回路基板ＴＰ上の導電体の周辺部のレジス
トＲに露光光を照射し露光する。導電体のエッジ部分を
検出するセンサとして光センサ４を用い、導電体のエッ
ジ部分に照射したセンサ光を受光部４ｂで受光し、その
受光量が一定になるように光センサ４を搬送方向と直交
する方向に移動制御し、光センサ４と同じ量だけ露光光
の照射領域を移動させ周辺部を露光する。上記センサ光
のフィルム回路基板ＴＰ上の照射領域の搬送方向の長さ
は、パーフォレーションホールＰＨのピッチの整数倍と
されており、これより導電体のエッジ位置に正確に追従
させて導電体の周辺部のレジストＲを露光することがで
きる。
照射領域の位置を精度よく制御することができるフィル
ム回路基板の周辺露光装置を提供すること。 【解決手段】 所定のピッチでパーフォレーションホー
ルＰＨが設けられたフィルム回路基板ＴＰを搬送しなが
ら、フィルム回路基板ＴＰ上の導電体の周辺部のレジス
トＲに露光光を照射し露光する。導電体のエッジ部分を
検出するセンサとして光センサ４を用い、導電体のエッ
ジ部分に照射したセンサ光を受光部４ｂで受光し、その
受光量が一定になるように光センサ４を搬送方向と直交
する方向に移動制御し、光センサ４と同じ量だけ露光光
の照射領域を移動させ周辺部を露光する。上記センサ光
のフィルム回路基板ＴＰ上の照射領域の搬送方向の長さ
は、パーフォレーションホールＰＨのピッチの整数倍と
されており、これより導電体のエッジ位置に正確に追従
させて導電体の周辺部のレジストＲを露光することがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パーフォレーショ
ンホールを有するＴＡＢテープ等のフィルム回路基板の
不要レジストを露光する周辺露光装置に関する。
ンホールを有するＴＡＢテープ等のフィルム回路基板の
不要レジストを露光する周辺露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶基板、携帯電話、カメラ、電卓、Ｉ
Ｃカード等では、厚さ２５μｍ〜１２５μｍ程度のポリ
エステルフィルムやポリイミドフィルム等の絶縁性フィ
ルム上に、集積回路を実装したフィルム回路基板が用い
られている。図８（ａ）に、フィルム回路基板の一つで
あるＴＡＢテープの一部を示す。ＴＡＢテープＴＰは、
例えば幅３５〜７０ｍｍ、長さ数百ｍの帯状ワークであ
り、通常リールに巻かれている。ＴＡＢテープＴＰ上へ
の回路の製作は、上記の絶縁性フィルム上に、導電体
（例えば銅箔）を貼り付け、レジスト塗布工程、所望の
回路パターンを転写する露光工程、レジストの現像工
程、不要な導電体を除去するエッチング工程等を繰り返
すことにより行なわれる。各工程においては、フィルム
回路基板はリールから巻き出され、処理・加工され、再
びリールに巻き取られる。ＴＡＢテープＴＰ（以下テー
プと呼ぶ場合がある）には、その両側にパーフォレーシ
ョンホールＰＨ（スプロケットホールとも言うこともあ
る）と呼ばれる孔が等間隔（例えば４．７５ｍｍピッ
チ）で設けられている。パーフォレーションホールＰＨ
は、上記各工程におけるテープの位置決めや搬送に用い
られる。例えば、パーフォレーションホールＰＨに係合
する突起を持つローラを回転させてテープＴＰを搬送し
たり、また、露光等の処理時、装置の所定の位置に設け
たピンを、パーフォレーションホールＰＨに刺し込みテ
ープＴＰの位置決めを行なう。
Ｃカード等では、厚さ２５μｍ〜１２５μｍ程度のポリ
エステルフィルムやポリイミドフィルム等の絶縁性フィ
ルム上に、集積回路を実装したフィルム回路基板が用い
られている。図８（ａ）に、フィルム回路基板の一つで
あるＴＡＢテープの一部を示す。ＴＡＢテープＴＰは、
例えば幅３５〜７０ｍｍ、長さ数百ｍの帯状ワークであ
り、通常リールに巻かれている。ＴＡＢテープＴＰ上へ
の回路の製作は、上記の絶縁性フィルム上に、導電体
（例えば銅箔）を貼り付け、レジスト塗布工程、所望の
回路パターンを転写する露光工程、レジストの現像工
程、不要な導電体を除去するエッチング工程等を繰り返
すことにより行なわれる。各工程においては、フィルム
回路基板はリールから巻き出され、処理・加工され、再
びリールに巻き取られる。ＴＡＢテープＴＰ（以下テー
プと呼ぶ場合がある）には、その両側にパーフォレーシ
ョンホールＰＨ（スプロケットホールとも言うこともあ
る）と呼ばれる孔が等間隔（例えば４．７５ｍｍピッ
チ）で設けられている。パーフォレーションホールＰＨ
は、上記各工程におけるテープの位置決めや搬送に用い
られる。例えば、パーフォレーションホールＰＨに係合
する突起を持つローラを回転させてテープＴＰを搬送し
たり、また、露光等の処理時、装置の所定の位置に設け
たピンを、パーフォレーションホールＰＨに刺し込みテ
ープＴＰの位置決めを行なう。
【０００３】上記したようにエッチング工程において不
要な導電体（以下銅箔Ｃｕと呼ぶ場合がある）は除去さ
れる。導電体の除去が不充分であると、絶縁不良等が発
生し製品不良となる場合がある。また、外観上見栄えが
悪い。図８（ｂ）に、ＴＡＢテープＴＰの銅箔Ｃｕ上に
レジストＲを塗布した状態を示す。同図は図８（ａ）の
断面図を示しており、２点鎖線で示した部分がレジスト
Ｒである。上記したように、銅箔Ｃｕは絶縁性フィルム
上に貼り付けられたものである。銅箔Ｃｕのエッジ（以
下周辺部と呼ぶことがある）では塗布されたレジストＲ
が表面張力により盛り上がり、他の部分に比べて厚さが
厚くなる。
要な導電体（以下銅箔Ｃｕと呼ぶ場合がある）は除去さ
れる。導電体の除去が不充分であると、絶縁不良等が発
生し製品不良となる場合がある。また、外観上見栄えが
悪い。図８（ｂ）に、ＴＡＢテープＴＰの銅箔Ｃｕ上に
レジストＲを塗布した状態を示す。同図は図８（ａ）の
断面図を示しており、２点鎖線で示した部分がレジスト
Ｒである。上記したように、銅箔Ｃｕは絶縁性フィルム
上に貼り付けられたものである。銅箔Ｃｕのエッジ（以
下周辺部と呼ぶことがある）では塗布されたレジストＲ
が表面張力により盛り上がり、他の部分に比べて厚さが
厚くなる。
【０００４】通常、回路パターンは銅箔Ｃｕの周辺部を
避けて形成される。回路パターンが形成される領域（ハ
ッチング部分）は、図８（ａ）において、パターン有効
エリアとして示されている。通常、銅箔Ｃｕの周辺部は
エッチング工程によって除去される。ところが、上記し
たように銅箔周辺部のレジストＲは厚いので、完全に露
光するためには、露光量が他の部分（パターン形成部
分）よりも多く必要である。１回の露光（パターン形成
時による露光）のみでは、露光量が不足する。そうする
と、現像時に周辺部に未露光レジストが残り、エッチン
グ工程において銅箔が除去されない。この不要に残留し
た銅箔は、最終的には素子の実装に不要であり、カッタ
ー等で切除する等の処理が必要となる。そこで、銅箔周
辺部の不要レジストを完全に露光するために、銅箔周辺
部のレジストのみを露光装置を用いて複数回露光する必
要がある。
避けて形成される。回路パターンが形成される領域（ハ
ッチング部分）は、図８（ａ）において、パターン有効
エリアとして示されている。通常、銅箔Ｃｕの周辺部は
エッチング工程によって除去される。ところが、上記し
たように銅箔周辺部のレジストＲは厚いので、完全に露
光するためには、露光量が他の部分（パターン形成部
分）よりも多く必要である。１回の露光（パターン形成
時による露光）のみでは、露光量が不足する。そうする
と、現像時に周辺部に未露光レジストが残り、エッチン
グ工程において銅箔が除去されない。この不要に残留し
た銅箔は、最終的には素子の実装に不要であり、カッタ
ー等で切除する等の処理が必要となる。そこで、銅箔周
辺部の不要レジストを完全に露光するために、銅箔周辺
部のレジストのみを露光装置を用いて複数回露光する必
要がある。
【０００５】一方、銅箔周辺部のレジストのみを露光す
るＴＡＢテープの周辺露光方法として特開平３−７８２
３７公報などが提案されている。同公報図１（ロ）に
は、光源ランプからの紫外線をライトガイドによってフ
ィルムの両サイドに導き、出射光学ユニットにより集光
して、移動しているフィルムの周辺部のレジストを露光
する周辺露光方法が記載されている。同公報に記載され
るものにおいて、ＴＡＢテープの搬送は、フリクション
ローラとスプロケットローラとを備えたフィルム移送機
構によって行なわれる。ＴＡＢテープは、上記のように
薄い樹脂であるので搬送中、蛇行を生じやすい。上記ス
プロケットローラは、フィルム基板のパーフォレーショ
ンホールに契合する突起を有し、フィルムが搬送中にス
リップや蛇行を生じるのを防ぐ。
るＴＡＢテープの周辺露光方法として特開平３−７８２
３７公報などが提案されている。同公報図１（ロ）に
は、光源ランプからの紫外線をライトガイドによってフ
ィルムの両サイドに導き、出射光学ユニットにより集光
して、移動しているフィルムの周辺部のレジストを露光
する周辺露光方法が記載されている。同公報に記載され
るものにおいて、ＴＡＢテープの搬送は、フリクション
ローラとスプロケットローラとを備えたフィルム移送機
構によって行なわれる。ＴＡＢテープは、上記のように
薄い樹脂であるので搬送中、蛇行を生じやすい。上記ス
プロケットローラは、フィルム基板のパーフォレーショ
ンホールに契合する突起を有し、フィルムが搬送中にス
リップや蛇行を生じるのを防ぐ。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、ＴＡ
Ｂテープはフィルム上に銅箔が貼りつけられる。しか
し、銅箔をフィルムに精度良く貼りつけるのは困難で、
銅箔はフィルムに対し、およそ±０．３ｍｍの幅で蛇行
している。図９に、上記銅箔の蛇行の様子を模式的に示
す。図９（ｂ）は設計上銅箔Ｃｕが貼りつけられるべき
位置（標準位置）にある場合を示し、図９（ａ）は銅箔
ＣｕがテープＴＰ外側に寄っている場合を示し、図９
（ｃ）は、銅箔ＣｕがテープＴＰ内側に寄っている場合
を示す。また、スプロケットローラによってＴＡＢテー
プＴＰを搬送する場合であっても、パーフォレーション
ホールＰＨが、スプロケットローラの突起とぶつかつた
りこすれたりして傷つかないように、両者の間には０．
１ｍｍ程度のクリアランスが必要とされる。そのため、
搬送中、ＴＡＢテープＴＰは±０．１ｍｍ程度の蛇行が
生じる場合がある。すなわち、ＴＡＢテープＴＰに対す
る銅箔Ｃｕの蛇行と、ＴＡＢテープＴＰ自体の搬送中の
蛇行とにより、銅箔Ｃｕの周辺部は、搬送中最大約±
０．４ｍｍの幅で蛇行することになる。
Ｂテープはフィルム上に銅箔が貼りつけられる。しか
し、銅箔をフィルムに精度良く貼りつけるのは困難で、
銅箔はフィルムに対し、およそ±０．３ｍｍの幅で蛇行
している。図９に、上記銅箔の蛇行の様子を模式的に示
す。図９（ｂ）は設計上銅箔Ｃｕが貼りつけられるべき
位置（標準位置）にある場合を示し、図９（ａ）は銅箔
ＣｕがテープＴＰ外側に寄っている場合を示し、図９
（ｃ）は、銅箔ＣｕがテープＴＰ内側に寄っている場合
を示す。また、スプロケットローラによってＴＡＢテー
プＴＰを搬送する場合であっても、パーフォレーション
ホールＰＨが、スプロケットローラの突起とぶつかつた
りこすれたりして傷つかないように、両者の間には０．
１ｍｍ程度のクリアランスが必要とされる。そのため、
搬送中、ＴＡＢテープＴＰは±０．１ｍｍ程度の蛇行が
生じる場合がある。すなわち、ＴＡＢテープＴＰに対す
る銅箔Ｃｕの蛇行と、ＴＡＢテープＴＰ自体の搬送中の
蛇行とにより、銅箔Ｃｕの周辺部は、搬送中最大約±
０．４ｍｍの幅で蛇行することになる。
【０００７】フィルム回路基板を製造するユーザにもよ
るが、周辺露光を施したい領域は、銅箔のエッジから約
０．３ｍｍの幅（以下この幅を露光幅と呼ぶ）の領域で
ある。露光幅には多少誤差があってもよいが、次のよう
な問題を考慮する必要がある。 （１）露光幅が、銅箔Ｃｕのエッジから０．２ｍｍ以下
になると、レジストＲの盛り上がった部分よりも狭くな
り、現像時未露光レジストが残る。したがって、露光幅
は０．２ｍｍ以上が必要である。 （２）パターン形成領域は、銅箔Ｃｕの蛇行に関わら
ず、パーフォレーションホールＰＨを基準に（例えば図
９に示すように、パーフォレーションホール端から１ｍ
ｍ内側に）定められる。したがって、図９（ｃ）のよう
に、銅箔ＣｕがテープＴＰの内側によっている時、銅箔
Ｃｕのエッジからパターン形成領域までの距離は約０．
４ｍｍしかない。そのため露光幅が０．４ｍｍ以上であ
ると、露光光がパターン形成領域に入りこみ、パターン
形成に必要なレジストＲを露光してしまい、不良品とな
る可能性がある。 （３）上記（１）（２）より周辺露光の露光幅は０．３
ｍｍ±０．１ｍｍを確保する必要がある。
るが、周辺露光を施したい領域は、銅箔のエッジから約
０．３ｍｍの幅（以下この幅を露光幅と呼ぶ）の領域で
ある。露光幅には多少誤差があってもよいが、次のよう
な問題を考慮する必要がある。 （１）露光幅が、銅箔Ｃｕのエッジから０．２ｍｍ以下
になると、レジストＲの盛り上がった部分よりも狭くな
り、現像時未露光レジストが残る。したがって、露光幅
は０．２ｍｍ以上が必要である。 （２）パターン形成領域は、銅箔Ｃｕの蛇行に関わら
ず、パーフォレーションホールＰＨを基準に（例えば図
９に示すように、パーフォレーションホール端から１ｍ
ｍ内側に）定められる。したがって、図９（ｃ）のよう
に、銅箔ＣｕがテープＴＰの内側によっている時、銅箔
Ｃｕのエッジからパターン形成領域までの距離は約０．
４ｍｍしかない。そのため露光幅が０．４ｍｍ以上であ
ると、露光光がパターン形成領域に入りこみ、パターン
形成に必要なレジストＲを露光してしまい、不良品とな
る可能性がある。 （３）上記（１）（２）より周辺露光の露光幅は０．３
ｍｍ±０．１ｍｍを確保する必要がある。
【０００８】ところで、ワークのエッジより所定の幅で
露光するための周辺露光の技術に関し、特開平２−１１
１４号公報に記載される技術が提案されている。同公報
に記載されるものは、発光素子と受光素子とからなる光
センサを用い、受光素子が受光する光量の変化によっ
て、ワーク（ウエハ）のエッジの位置を検出し、この検
出信号に基づいて周辺露光光の照射位置を制御するもの
である。しかし、上記公報に記載される光センサをＴＡ
ＢテープＴＰの銅箔Ｃｕのエッジの検出に適用した場
合、次のような問題が生ずる。図９のように、ＴＡＢテ
ープＴＰの銅箔の近辺のフィルムには、パーフォレーシ
ョンホールＰＨが設けられている。光センサの投光（発
光）素子からのセンサ光は、銅箔のエッジ部（すなわち
パーフォレーションホールＰＨが設けられている付近）
に投光されるが、ＴＡＢテープＴＰが搬送される時、受
光素子は、フィルムを介した光を受光したり、パーフォ
レーションホールＰＨを素通りした光を受光したりす
る。ここで、フィルムを介した光は減衰され、その光量
は少なくなる〔センサ光波長６７０ｎｍ（非露光光）の
場合透過率は約２０％〕。一方、パーフォレーションホ
ールＰＨを素通りした光は減衰しないので、受光素子が
受光する光の光量は、ＴＡＢテープＴＰが搬送に伴って
大きく変動する。上記公報の光センサによるエッジ検出
は、受光素子が受光する光量の変化によってエッジの位
置を検出するようにしているので、上記のようにパーフ
ォレーションホールＰＨの有無により、受光素子が受光
する光の光量が変化すると、その光量変化がパーフォレ
ーションホールＰＨの有無によるものなのか、銅箔のエ
ッジ位置の変化によるものなのか、区別することができ
ないので、銅箔のエッジ位置を検出することができな
い。本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、本
発明の目的は、センサ光が投光される位置にパーフォレ
ーションホールが設けられ、受光素子がフィルムを介し
た減光した光や、パーフォレーションホールを素通りし
た減光されていない光を受光しても、銅箔のエッジを正
確に検出することができ、照射領域の位置を精度よく制
御することができるフィルム回路基板の周辺露光装置を
提供することである。
露光するための周辺露光の技術に関し、特開平２−１１
１４号公報に記載される技術が提案されている。同公報
に記載されるものは、発光素子と受光素子とからなる光
センサを用い、受光素子が受光する光量の変化によっ
て、ワーク（ウエハ）のエッジの位置を検出し、この検
出信号に基づいて周辺露光光の照射位置を制御するもの
である。しかし、上記公報に記載される光センサをＴＡ
ＢテープＴＰの銅箔Ｃｕのエッジの検出に適用した場
合、次のような問題が生ずる。図９のように、ＴＡＢテ
ープＴＰの銅箔の近辺のフィルムには、パーフォレーシ
ョンホールＰＨが設けられている。光センサの投光（発
光）素子からのセンサ光は、銅箔のエッジ部（すなわち
パーフォレーションホールＰＨが設けられている付近）
に投光されるが、ＴＡＢテープＴＰが搬送される時、受
光素子は、フィルムを介した光を受光したり、パーフォ
レーションホールＰＨを素通りした光を受光したりす
る。ここで、フィルムを介した光は減衰され、その光量
は少なくなる〔センサ光波長６７０ｎｍ（非露光光）の
場合透過率は約２０％〕。一方、パーフォレーションホ
ールＰＨを素通りした光は減衰しないので、受光素子が
受光する光の光量は、ＴＡＢテープＴＰが搬送に伴って
大きく変動する。上記公報の光センサによるエッジ検出
は、受光素子が受光する光量の変化によってエッジの位
置を検出するようにしているので、上記のようにパーフ
ォレーションホールＰＨの有無により、受光素子が受光
する光の光量が変化すると、その光量変化がパーフォレ
ーションホールＰＨの有無によるものなのか、銅箔のエ
ッジ位置の変化によるものなのか、区別することができ
ないので、銅箔のエッジ位置を検出することができな
い。本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、本
発明の目的は、センサ光が投光される位置にパーフォレ
ーションホールが設けられ、受光素子がフィルムを介し
た減光した光や、パーフォレーションホールを素通りし
た減光されていない光を受光しても、銅箔のエッジを正
確に検出することができ、照射領域の位置を精度よく制
御することができるフィルム回路基板の周辺露光装置を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】所定のピッチでパーフォ
レーションホールが設けられたフィルム回路基板を一定
方向に搬送しながら、該フィルム回路基板に設けられた
導電体の周辺部のレジストに、光照射手段から所定の照
射領域を有する露光光を照射することにより、上記周辺
部のレジストを露光するフィルム回路基板の周辺露光装
置において、フィルム回路基板に設けられた導電体のエ
ッジ部分を検出するエッジ検出手段として、投光部と受
光部を有する光センサを用い、投光部から投光されフィ
ルム回路基板上に照射されるセンサ光のフィルム回路基
板搬送方向の長さを、パーフォレーションホールのピッ
チの自然数倍とする。そして、フィルム回路基板に設け
られた導電体のエッジ部分に照射したセンサ光を上記受
光部で受光し、該受光部の受光量が一定になるように、
移動制御手段により上記エッジ検知手段を移動制御し、
該エッジ検知手段の移動方向及び移動量と、同じ方向に
同じ量だけ上記露光光の照射領域を移動させる。
レーションホールが設けられたフィルム回路基板を一定
方向に搬送しながら、該フィルム回路基板に設けられた
導電体の周辺部のレジストに、光照射手段から所定の照
射領域を有する露光光を照射することにより、上記周辺
部のレジストを露光するフィルム回路基板の周辺露光装
置において、フィルム回路基板に設けられた導電体のエ
ッジ部分を検出するエッジ検出手段として、投光部と受
光部を有する光センサを用い、投光部から投光されフィ
ルム回路基板上に照射されるセンサ光のフィルム回路基
板搬送方向の長さを、パーフォレーションホールのピッ
チの自然数倍とする。そして、フィルム回路基板に設け
られた導電体のエッジ部分に照射したセンサ光を上記受
光部で受光し、該受光部の受光量が一定になるように、
移動制御手段により上記エッジ検知手段を移動制御し、
該エッジ検知手段の移動方向及び移動量と、同じ方向に
同じ量だけ上記露光光の照射領域を移動させる。
【００１０】本発明においては、上記のように光センサ
の投光部から投光されフィルム回路基板上に照射される
センサ光のフィルム回路基板搬送方向の長さを、パーフ
ォレーションホールのピッチの自然数倍としたので、フ
ィルム回路基板の搬送に伴うパーフォレーションの移動
に関わらず、受光素子が受光する光（パーフォレーショ
ンホールを通過した光、及びフィルムを介した光）の総
量は変化しない。従って、ＴＡＢテープに対する銅箔の
蛇行と、ＴＡＢテープ自体の蛇行とに関わらず、受光部
で受光されるセンサ光の総量が一定になるように制御す
れば、フィルム回路基板のレジストの周辺部を精度よく
露光することができる。また、光センサの投光部と受光
部をフィルム回路基板に対し傾けて配置したり、投光部
の光出射部の形状を変えれば、センサ光のフィルム回路
基板搬送方向の長さを変えることができ、パーフォレー
ションホールのピッチが異なったフィルム回路基板の周
辺部の露光にも適用することができる。特に、光センサ
の投光部と受光部をフィルム回路基板に対し傾けて配置
し、その角度を調整できるようにすれば、その傾きを調
整するだけで、センサ光のフィルム回路基板搬送方向の
長さを容易に調整することができる。また、露光光の照
射領域は、露光光を集光する投影レンズユニットの位置
を移動させたり、露光光の出射端にマスクを設け該マス
クを移動させることにより、移動させることができる。
特に、マスクを移動させるようにすれば、投影レンズユ
ニットを移動させる必要がないので、投影レンズユニッ
トが大型化し重量が重くなっても移動制御手段が大型化
することがない。さらに、上記光センサとして、例えば
半導体レーザによる平行光リニアセンサを用いれば、フ
ィルム回路基板の搬送によるパーフォレーションホール
移動に対し、受光量をより一定とすることができる。す
なわち、平行光リニアセンサからの光はレーザ光であり
直進するので、フィルムを介した光と、パーフォレーシ
ョンホールを通過した光とを正確に受光することができ
る。
の投光部から投光されフィルム回路基板上に照射される
センサ光のフィルム回路基板搬送方向の長さを、パーフ
ォレーションホールのピッチの自然数倍としたので、フ
ィルム回路基板の搬送に伴うパーフォレーションの移動
に関わらず、受光素子が受光する光（パーフォレーショ
ンホールを通過した光、及びフィルムを介した光）の総
量は変化しない。従って、ＴＡＢテープに対する銅箔の
蛇行と、ＴＡＢテープ自体の蛇行とに関わらず、受光部
で受光されるセンサ光の総量が一定になるように制御す
れば、フィルム回路基板のレジストの周辺部を精度よく
露光することができる。また、光センサの投光部と受光
部をフィルム回路基板に対し傾けて配置したり、投光部
の光出射部の形状を変えれば、センサ光のフィルム回路
基板搬送方向の長さを変えることができ、パーフォレー
ションホールのピッチが異なったフィルム回路基板の周
辺部の露光にも適用することができる。特に、光センサ
の投光部と受光部をフィルム回路基板に対し傾けて配置
し、その角度を調整できるようにすれば、その傾きを調
整するだけで、センサ光のフィルム回路基板搬送方向の
長さを容易に調整することができる。また、露光光の照
射領域は、露光光を集光する投影レンズユニットの位置
を移動させたり、露光光の出射端にマスクを設け該マス
クを移動させることにより、移動させることができる。
特に、マスクを移動させるようにすれば、投影レンズユ
ニットを移動させる必要がないので、投影レンズユニッ
トが大型化し重量が重くなっても移動制御手段が大型化
することがない。さらに、上記光センサとして、例えば
半導体レーザによる平行光リニアセンサを用いれば、フ
ィルム回路基板の搬送によるパーフォレーションホール
移動に対し、受光量をより一定とすることができる。す
なわち、平行光リニアセンサからの光はレーザ光であり
直進するので、フィルムを介した光と、パーフォレーシ
ョンホールを通過した光とを正確に受光することができ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１、図２は本発明の第１の実施
例の周辺露光装置の構成を示す図であり、図１は本実施
例の周辺露光装置をフィルム回路基板の搬送方向に直交
する方向から見た図、図２はフィルム回路基板の搬送方
向から見た図である。本実施例の周辺露光装置は、ＴＡ
Ｂテープ現像装置の上流側（現像前段階）に、テープ１
本につき両側２台設けられ、フィルム回路基板ＴＰ（以
下ＴＡＢテープという）は現像スピードに合わせて１．
０〜３．０ｍ／分で連続的に搬送される。この搬送中
に、銅箔周辺部のレジストの露光が行なわれる。図１、
図２において、ＴＡＢテープＴＰは、図１に示すよう
に、送りローラＲ１，Ｒ２によりステージ３上を例えば
同図の矢印方向に搬送される。ステージ３は、搬送中に
ＴＡＢテープＴＰが周辺露光光の光軸方向（図面上下方
向）に移動しないように設けられたものであり、ＴＡＢ
テープＴＰを保持するための特別の機構を備えていな
い。
例の周辺露光装置の構成を示す図であり、図１は本実施
例の周辺露光装置をフィルム回路基板の搬送方向に直交
する方向から見た図、図２はフィルム回路基板の搬送方
向から見た図である。本実施例の周辺露光装置は、ＴＡ
Ｂテープ現像装置の上流側（現像前段階）に、テープ１
本につき両側２台設けられ、フィルム回路基板ＴＰ（以
下ＴＡＢテープという）は現像スピードに合わせて１．
０〜３．０ｍ／分で連続的に搬送される。この搬送中
に、銅箔周辺部のレジストの露光が行なわれる。図１、
図２において、ＴＡＢテープＴＰは、図１に示すよう
に、送りローラＲ１，Ｒ２によりステージ３上を例えば
同図の矢印方向に搬送される。ステージ３は、搬送中に
ＴＡＢテープＴＰが周辺露光光の光軸方向（図面上下方
向）に移動しないように設けられたものであり、ＴＡＢ
テープＴＰを保持するための特別の機構を備えていな
い。
【００１２】ＴＡＢテープＴＰ上のレジストを露光する
ための露光光（紫外光）は、ランプ１ａ、集光鏡１ｂを
備えた光源部１から、石英ライトガイド１ｃにより、投
影レンズユニット２に導かれる。投影レンズユニット２
は、ステージ３上のＴＡＢテープＴＰの銅箔周辺部に紫
外光を集光する。ＴＡＢテープＴＰ上に貼り付けられた
銅箔のエッジは、投光部４ａと受光部４ｂから構成され
る光センサ４によって検出される。光センサ４として
は、例えば、半導体レーザによる平行光リニアセンサを
用いることができる。平行光リニアセンサの投光部４ａ
から照射されるセンサ光（被露光光）は、レーザ光であ
り直進性が良く、平面の物体に対して垂直に投影すると
光の形状は短冊状になる。受光部４ｂは、投光部４ａか
らの光を所定の距離において全て受光することができ、
また受光量の変化を検出することができる。光センサ４
の投光部４ａと受光部４ｂは光センサ取付け部材６に取
り付けられ、光センサ取付け部材６は後述するセンサ光
／露光光相対位置調整機構７（以下相対位置調整機構と
略記する）を介してスライド台５に取付けられる。スラ
イド台５は駆動モータ８により図２（ａ）の矢印方向
（ＴＡＢテープＴＰの搬送方向に直交する方向）に駆動
される。スライド台５には前記投影レンズユニット２が
取付けられており、駆動モータ８によりスライド台５が
図２の矢印方向に移動すると、それに応じて投影レンズ
ユニット２、光センサ４も同方向に移動する。
ための露光光（紫外光）は、ランプ１ａ、集光鏡１ｂを
備えた光源部１から、石英ライトガイド１ｃにより、投
影レンズユニット２に導かれる。投影レンズユニット２
は、ステージ３上のＴＡＢテープＴＰの銅箔周辺部に紫
外光を集光する。ＴＡＢテープＴＰ上に貼り付けられた
銅箔のエッジは、投光部４ａと受光部４ｂから構成され
る光センサ４によって検出される。光センサ４として
は、例えば、半導体レーザによる平行光リニアセンサを
用いることができる。平行光リニアセンサの投光部４ａ
から照射されるセンサ光（被露光光）は、レーザ光であ
り直進性が良く、平面の物体に対して垂直に投影すると
光の形状は短冊状になる。受光部４ｂは、投光部４ａか
らの光を所定の距離において全て受光することができ、
また受光量の変化を検出することができる。光センサ４
の投光部４ａと受光部４ｂは光センサ取付け部材６に取
り付けられ、光センサ取付け部材６は後述するセンサ光
／露光光相対位置調整機構７（以下相対位置調整機構と
略記する）を介してスライド台５に取付けられる。スラ
イド台５は駆動モータ８により図２（ａ）の矢印方向
（ＴＡＢテープＴＰの搬送方向に直交する方向）に駆動
される。スライド台５には前記投影レンズユニット２が
取付けられており、駆動モータ８によりスライド台５が
図２の矢印方向に移動すると、それに応じて投影レンズ
ユニット２、光センサ４も同方向に移動する。
【００１３】相対位置調整機構７は、センサ光と露光光
の相対位置を調整する機構であり、図２（ｂ）に示すよ
うに相対位置調整機構７はマイクロメータ７ａを備え、
マイクロメータ７ａにより、スライド台５と光センサ取
付け部材６の相対位置を調整することができる。スライ
ド台５には前記したように投影レンズユニット２が取り
付けられ、光センサ取付け部材６には光センサ４が取り
付けられているので、マイクロメータ７ａを調整するこ
とにより、投影レンズユニット２から照射される露光光
の照射位置と、光センサ４の投光部４ａから照射される
センサ光の相対位置を調整することができる。
の相対位置を調整する機構であり、図２（ｂ）に示すよ
うに相対位置調整機構７はマイクロメータ７ａを備え、
マイクロメータ７ａにより、スライド台５と光センサ取
付け部材６の相対位置を調整することができる。スライ
ド台５には前記したように投影レンズユニット２が取り
付けられ、光センサ取付け部材６には光センサ４が取り
付けられているので、マイクロメータ７ａを調整するこ
とにより、投影レンズユニット２から照射される露光光
の照射位置と、光センサ４の投光部４ａから照射される
センサ光の相対位置を調整することができる。
【００１４】図２に示す制御部９には、光センサ４の受
光部４ｂにより受光される光の量（受光量）に応じた大
きさの信号が入力される。制御部９は駆動モータ８を駆
動してスライド台５を移動させ、上記受光量が常に一定
になるように光センサ４を移動させる。スライド台５に
は投影レンズユニット２を含む周辺露光光を出射する
（投影レンズを含む）出射部が取り付けられているの
で、スライド台５が移動することにより、上記出射部か
ら照射される露光光の照射領域の位置が変わる。すなわ
ち、受光量が常に一定になるように、光センサ４が移動
し、センサの移動方向移動量と、同じ方向に同じ量だ
け、露光光を出射する投影レンズユニット２、すなわち
露光光照射領域がテープＴＰの搬送方向を直交する方向
に移動する。
光部４ｂにより受光される光の量（受光量）に応じた大
きさの信号が入力される。制御部９は駆動モータ８を駆
動してスライド台５を移動させ、上記受光量が常に一定
になるように光センサ４を移動させる。スライド台５に
は投影レンズユニット２を含む周辺露光光を出射する
（投影レンズを含む）出射部が取り付けられているの
で、スライド台５が移動することにより、上記出射部か
ら照射される露光光の照射領域の位置が変わる。すなわ
ち、受光量が常に一定になるように、光センサ４が移動
し、センサの移動方向移動量と、同じ方向に同じ量だ
け、露光光を出射する投影レンズユニット２、すなわち
露光光照射領域がテープＴＰの搬送方向を直交する方向
に移動する。
【００１５】図３に光センサ４の設定方法を示す。光セ
ンサ４の投光部４ａからのセンサ光は、図３（ｂ）に示
すように、ＴＡＢテープＴＰに対して斜め方向から照射
される。これは、後述するように、ＴＡＢテープＴＰに
照射されるセンサ光の搬送方向の長さを調整できるよう
にするためである。光センサ４のセンサ光のＴＡＢテー
プＴＰへの入射角度を調整することにより、ＴＡＢテー
プＴＰ上に照射されるセンサ光の、ＴＡＢテープＴＰの
搬送方向の長さを調整することができる。図３（ａ）に
ＴＡＢテープＴＰ上にセンサ光が照射されている状態を
示す。斜線部がセンサ光の照射されている領域である。
ンサ４の投光部４ａからのセンサ光は、図３（ｂ）に示
すように、ＴＡＢテープＴＰに対して斜め方向から照射
される。これは、後述するように、ＴＡＢテープＴＰに
照射されるセンサ光の搬送方向の長さを調整できるよう
にするためである。光センサ４のセンサ光のＴＡＢテー
プＴＰへの入射角度を調整することにより、ＴＡＢテー
プＴＰ上に照射されるセンサ光の、ＴＡＢテープＴＰの
搬送方向の長さを調整することができる。図３（ａ）に
ＴＡＢテープＴＰ上にセンサ光が照射されている状態を
示す。斜線部がセンサ光の照射されている領域である。
【００１６】本実施例においては、センサ光のテープ搬
送方向に対する長さを、ＴＡＢテープＴＰのパーフォレ
ーションホールＰＨのピッチ（例えば、４．７５ｍｍ）
の自然数倍（例えば３倍の場合は１４．２５ｍｍ）にな
るようにする。図４に、上記のようにセンサ光の長さを
設定した場合の、ＴＡＢテープ移動時における光センサ
に受光されるセンサ光の様子を示す。同図の斜線部がセ
ンサ光の照射されている領域であり、銅箔Ｃｕにさえぎ
られない部分のセンサ光が、光センサ４の受光部４ｂで
受光される。光センサ４の受光部４ｂには、ＴＡＢテー
プＴＰのフィルム部分を介し減衰した光と、パーフォレ
ーションホールＰＨを通過した光の両方が受光される。
送方向に対する長さを、ＴＡＢテープＴＰのパーフォレ
ーションホールＰＨのピッチ（例えば、４．７５ｍｍ）
の自然数倍（例えば３倍の場合は１４．２５ｍｍ）にな
るようにする。図４に、上記のようにセンサ光の長さを
設定した場合の、ＴＡＢテープ移動時における光センサ
に受光されるセンサ光の様子を示す。同図の斜線部がセ
ンサ光の照射されている領域であり、銅箔Ｃｕにさえぎ
られない部分のセンサ光が、光センサ４の受光部４ｂで
受光される。光センサ４の受光部４ｂには、ＴＡＢテー
プＴＰのフィルム部分を介し減衰した光と、パーフォレ
ーションホールＰＨを通過した光の両方が受光される。
【００１７】ここで、センサ光のテープ搬送方向に対す
る長さを、ＴＡＢテープＴＰのパーフォレーションホー
ルＰＨのピッチの自然数倍になるようにしておけば、図
４（ａ）から図４（ｂ）のようにＴＡＢテープＴＰが搬
送されても、光センサ４の受光部４ｂで受光されるパー
フォレーションホールＰＨを通過したセンサ光の量は変
化しない。これは、ＴＡＢテープＴＰが搬送されてもセ
ンサ光照射領域におけるパーフォレーションホールＰＨ
が占める面積が常に一定のためである。すなわち、ＴＡ
Ｂテープ搬送方向に対して垂直方向の銅箔エッジの位置
がかわらなければ、ＴＡＢテープ搬送中において、セン
サ光がパーフォレーションホールＰＨを通過する場合で
あっても、受光部４ｂが受光する光の総量が一定にな
る。ＴＡＢテープに対する銅箔の蛇行と、ＴＡＢテープ
自体の蛇行に関わらず、受光部４ｂが受光する光の総量
が一定になるように光センサ４の位置を制御すれば、銅
箔Ｃｕのエッジを正確に検出することができる。パーフ
ォレーションホールＰＨの設けられるピッチが異なるＴ
ＡＢテープを露光する場合は、前記したように光センサ
４の傾きを変えればよい。これにより、センサ光のＴＡ
Ｂテープ搬送方向の長さを変えることができる。
る長さを、ＴＡＢテープＴＰのパーフォレーションホー
ルＰＨのピッチの自然数倍になるようにしておけば、図
４（ａ）から図４（ｂ）のようにＴＡＢテープＴＰが搬
送されても、光センサ４の受光部４ｂで受光されるパー
フォレーションホールＰＨを通過したセンサ光の量は変
化しない。これは、ＴＡＢテープＴＰが搬送されてもセ
ンサ光照射領域におけるパーフォレーションホールＰＨ
が占める面積が常に一定のためである。すなわち、ＴＡ
Ｂテープ搬送方向に対して垂直方向の銅箔エッジの位置
がかわらなければ、ＴＡＢテープ搬送中において、セン
サ光がパーフォレーションホールＰＨを通過する場合で
あっても、受光部４ｂが受光する光の総量が一定にな
る。ＴＡＢテープに対する銅箔の蛇行と、ＴＡＢテープ
自体の蛇行に関わらず、受光部４ｂが受光する光の総量
が一定になるように光センサ４の位置を制御すれば、銅
箔Ｃｕのエッジを正確に検出することができる。パーフ
ォレーションホールＰＨの設けられるピッチが異なるＴ
ＡＢテープを露光する場合は、前記したように光センサ
４の傾きを変えればよい。これにより、センサ光のＴＡ
Ｂテープ搬送方向の長さを変えることができる。
【００１８】図５（ａ）〜（ｃ）に、銅箔Ｃｕが蛇行し
ている場合の、周辺露光される領域を模式的に示す。右
下がりの斜線部分が周辺露光される領域（露光領域）で
あり、左下がりの斜線部分がセンサ光の照射されている
領域であり、同図においては、下側がＴＡＢテープＴＰ
の端部である。図５（ｄ）に、図５（ａ）〜（ｃ）の例
における、センサ光と前記投影レンズユニット２から照
射される露光光の照射領域の位置関係を示す。図５
（ｄ）に示すようにセンサ光照射領域と露光光照射領域
のＴＡＢテープ搬送方向の長さは、例えば１１ｍｍであ
り、ＴＡＢテープ搬送方向と直交する方向の長さ（幅）
は、センサ光照射領域が例えば１ｍｍ、露光光照射領域
が例えば１．２ｍｍである。また、同図に示すようにセ
ンサ光の照射領域の方が露光光照射領域よりテープＴＰ
のやや内側にある。
ている場合の、周辺露光される領域を模式的に示す。右
下がりの斜線部分が周辺露光される領域（露光領域）で
あり、左下がりの斜線部分がセンサ光の照射されている
領域であり、同図においては、下側がＴＡＢテープＴＰ
の端部である。図５（ｄ）に、図５（ａ）〜（ｃ）の例
における、センサ光と前記投影レンズユニット２から照
射される露光光の照射領域の位置関係を示す。図５
（ｄ）に示すようにセンサ光照射領域と露光光照射領域
のＴＡＢテープ搬送方向の長さは、例えば１１ｍｍであ
り、ＴＡＢテープ搬送方向と直交する方向の長さ（幅）
は、センサ光照射領域が例えば１ｍｍ、露光光照射領域
が例えば１．２ｍｍである。また、同図に示すようにセ
ンサ光の照射領域の方が露光光照射領域よりテープＴＰ
のやや内側にある。
【００１９】図５（ｂ）は、銅箔Ｃｕのエッジがパーフ
ォレーションホールＰＨから０．３ｍｍの標準（設計）
位置にある場合であり、銅箔周辺部の露光幅は０．３ｍ
ｍである。図５（ｃ）は、銅箔ＣｕがテープＴＰの内側
に蛇行している場合である。この場合、センサ光はパー
フォレーションホールＰＨを通過しなくなる。受光部４
ｂには投光部４ａからのセンサ光が直接受光されること
はなく、受光量は少なくなる。したがって、受光量を一
定にするため、光センサ４はテープＴＰの外側に移動
し、それにより露光幅は、図５（ｂ）に比べて０．２４
ｍｍとやや狭くなる。しかし、必要な露光幅を確保する
ことはでき、またパターン形成領域を露光してしまうこ
とはない。図５（ａ）は、銅箔ＣｕがテープＴＰの外側
に蛇行している場合である。この場合、パーフォレーシ
ョンホールＰＨを通過するセンサ光が多くなる。受光量
を一定するため、光センサ４はテープＴＰの内側に移動
し、それにより露光幅は、図５（ｂ）に比べてやや広く
なる。しかし、パターン形成領域までの距離は長くなる
ので、パターン形成領域を露光してしまうことはない。
ォレーションホールＰＨから０．３ｍｍの標準（設計）
位置にある場合であり、銅箔周辺部の露光幅は０．３ｍ
ｍである。図５（ｃ）は、銅箔ＣｕがテープＴＰの内側
に蛇行している場合である。この場合、センサ光はパー
フォレーションホールＰＨを通過しなくなる。受光部４
ｂには投光部４ａからのセンサ光が直接受光されること
はなく、受光量は少なくなる。したがって、受光量を一
定にするため、光センサ４はテープＴＰの外側に移動
し、それにより露光幅は、図５（ｂ）に比べて０．２４
ｍｍとやや狭くなる。しかし、必要な露光幅を確保する
ことはでき、またパターン形成領域を露光してしまうこ
とはない。図５（ａ）は、銅箔ＣｕがテープＴＰの外側
に蛇行している場合である。この場合、パーフォレーシ
ョンホールＰＨを通過するセンサ光が多くなる。受光量
を一定するため、光センサ４はテープＴＰの内側に移動
し、それにより露光幅は、図５（ｂ）に比べてやや広く
なる。しかし、パターン形成領域までの距離は長くなる
ので、パターン形成領域を露光してしまうことはない。
【００２０】以上のように本実施例によれば、センサ光
のＴＡＢテープ搬送方向の長さを、パーフォレーション
ホールＰＨのピッチの自然数倍としているので、フィル
ム回路基板の搬送に伴うパーフォレーションホールの移
動に関わらず、受光素子が受光する光（パーフォレーシ
ョンホールを通過した光、及びフィルムを介した光）の
総量は変化しない。従って、ＴＡＢテープに対する銅箔
の蛇行と、ＴＡＢテープ自体の蛇行とに関わらず、光セ
ンサ４の受光部４ｂで受光される光の総量が一定になる
ように投影レンズユニット２の位置を制御することによ
り、ＴＡＢテープＴＰ上の銅箔Ｃｕのエッジ位置に精度
よく追従させてＴＡＢテープＴＰの周辺露光を行うこと
ができる。また、光センサ４の傾きを変えることによ
り、センサ光のＴＡＢテープ搬送方向の長さを変えるこ
とができるので、パーフォレーションホールＰＨのピッ
チが異なるＴＡＢテープＴＰの周辺露光にも容易に対応
することができる。
のＴＡＢテープ搬送方向の長さを、パーフォレーション
ホールＰＨのピッチの自然数倍としているので、フィル
ム回路基板の搬送に伴うパーフォレーションホールの移
動に関わらず、受光素子が受光する光（パーフォレーシ
ョンホールを通過した光、及びフィルムを介した光）の
総量は変化しない。従って、ＴＡＢテープに対する銅箔
の蛇行と、ＴＡＢテープ自体の蛇行とに関わらず、光セ
ンサ４の受光部４ｂで受光される光の総量が一定になる
ように投影レンズユニット２の位置を制御することによ
り、ＴＡＢテープＴＰ上の銅箔Ｃｕのエッジ位置に精度
よく追従させてＴＡＢテープＴＰの周辺露光を行うこと
ができる。また、光センサ４の傾きを変えることによ
り、センサ光のＴＡＢテープ搬送方向の長さを変えるこ
とができるので、パーフォレーションホールＰＨのピッ
チが異なるＴＡＢテープＴＰの周辺露光にも容易に対応
することができる。
【００２１】なお、本実施例においては、図５（ａ），
（ｂ）に示したような場合には、センサ光がパーフォレ
ーションホールの一部を通過し、図５（ｃ）に示したよ
うな場合には、センサ光がパーフォレーションホールを
通過しないように、センサ光の幅、センサ光と銅箔のエ
ッジの位置関係を設定したが、これに限るものではな
く、図５（ａ）〜（ｃ）のいずれの場合にも、パーフォ
レーションホールの全面をセンサ光が通過するように、
センサ光の幅、センサ光と銅箔のエッジの位置関係を設
定してもよい。ただし、図５（ａ）〜（ｃ）のいずれの
場合にも、フィルムテープのエッジより、センサ光が漏
れ出すことがないようにすることが必要である。
（ｂ）に示したような場合には、センサ光がパーフォレ
ーションホールの一部を通過し、図５（ｃ）に示したよ
うな場合には、センサ光がパーフォレーションホールを
通過しないように、センサ光の幅、センサ光と銅箔のエ
ッジの位置関係を設定したが、これに限るものではな
く、図５（ａ）〜（ｃ）のいずれの場合にも、パーフォ
レーションホールの全面をセンサ光が通過するように、
センサ光の幅、センサ光と銅箔のエッジの位置関係を設
定してもよい。ただし、図５（ａ）〜（ｃ）のいずれの
場合にも、フィルムテープのエッジより、センサ光が漏
れ出すことがないようにすることが必要である。
【００２２】図６に本発明の第２の実施例の周辺露光装
置の構成を示す。本実施例は投影レンズユニットを移動
させずに、マスクを移動させることにより露光光照射領
域をＴＡＢテープ搬送方向と直交する方向に移動させる
実施例を示している。図６（ａ）は、本実施例の周辺露
光装置をＴＡＢテープの搬送方向から見た図（前記図２
に対応）を示しており、前記図２に示したものと同一の
ものには同一の符号が付されている。同図において、Ｔ
ＡＢテープＴＰ上のレジストＲを露光するための露光光
（紫外光）は、図示しない光源部から石英ライトガイド
１ｃにより、光出射部１１に導かれる。光出射部１１に
はマスクＭが設けられ、マスクＭにより光出射部１１か
ら出射される露光光の一部が遮光される。光出射部１１
から出射する光は投影レンズ２に入射し、投影レンズユ
ニット２は、ステージ３上のＴＡＢテープＴＰの銅箔周
辺部に紫外光を集光する。なお、投影レンズユニット２
は固定されており移動しない。
置の構成を示す。本実施例は投影レンズユニットを移動
させずに、マスクを移動させることにより露光光照射領
域をＴＡＢテープ搬送方向と直交する方向に移動させる
実施例を示している。図６（ａ）は、本実施例の周辺露
光装置をＴＡＢテープの搬送方向から見た図（前記図２
に対応）を示しており、前記図２に示したものと同一の
ものには同一の符号が付されている。同図において、Ｔ
ＡＢテープＴＰ上のレジストＲを露光するための露光光
（紫外光）は、図示しない光源部から石英ライトガイド
１ｃにより、光出射部１１に導かれる。光出射部１１に
はマスクＭが設けられ、マスクＭにより光出射部１１か
ら出射される露光光の一部が遮光される。光出射部１１
から出射する光は投影レンズ２に入射し、投影レンズユ
ニット２は、ステージ３上のＴＡＢテープＴＰの銅箔周
辺部に紫外光を集光する。なお、投影レンズユニット２
は固定されており移動しない。
【００２３】すなわち、本実施例においては、露光光照
射領域は、光出射部１１に設けたマスクＭによって形成
され、投影レンズユニット２によってＴＡＢテープＴＰ
上に投影される。このため、ＴＡＢテープＴＰ上には、
図６（ｂ）に示すように上記照射領域を形成するマスク
像の倒立像が投影される。したがって、本実施例におい
ては、露光光照射領域のマスクＭが遮光する部分が、光
センサ４の移動方向に対して反対方向に移動するよう構
成する。このため本実施例においては、前記した相対位
置調整機構７に加えて後述するラック・アンド・ピニオ
ン機構１２が設けられている。
射領域は、光出射部１１に設けたマスクＭによって形成
され、投影レンズユニット２によってＴＡＢテープＴＰ
上に投影される。このため、ＴＡＢテープＴＰ上には、
図６（ｂ）に示すように上記照射領域を形成するマスク
像の倒立像が投影される。したがって、本実施例におい
ては、露光光照射領域のマスクＭが遮光する部分が、光
センサ４の移動方向に対して反対方向に移動するよう構
成する。このため本実施例においては、前記した相対位
置調整機構７に加えて後述するラック・アンド・ピニオ
ン機構１２が設けられている。
【００２４】ＴＡＢテープＴＰ上に貼り付けられた銅箔
Ｃｕのエッジは、第１の実施例と同様、投光部４ａと受
光部４ｂから構成される光センサ４によって検出され
る。光センサ４としては、例えば、前記した平行光リニ
アセンサを用いることができる。センサ光のテープ搬送
方向に対する長さは、前記第１の実施例と同様、ＴＡＢ
テープＴＰのパーフォレーションホールＰＨのピッチの
自然数倍になるように設定されている。このため、第１
の実施例と同様、ＴＡＢテープ搬送中にセンサ光がパー
フォレーションホールＰＨを通過する場合であっても、
ＴＡＢテープ搬送方向に対して直交方向（図６の左右方
向）の銅箔Ｃｕエッジの位置がかわらなければ、受光部
４ｂが受光する光の総量が一定となる。すなわち、受光
部４ｂが受光する光の総量が一定となるように光センサ
４の位置を制御すれば、銅箔Ｃｕのエッジ位置を正確に
制御することができる。光センサ４の投光部４ａと受光
部４ｂは光センサ取付け部材６に取り付けられ、光セン
サ取付け部材６はスライド台５に取付けられる。スライ
ド台５は駆動モータ８により同図の矢印方向（ＴＡＢテ
ープＴＰの搬送方向に直交する方向）に駆動される。ス
ライド台５上には相対位置調整機構７とラック・アンド
・ピニオン機構１２が取り付けられ、これらを介して上
記光出射部１１を保持する光出射部／マスク保持台１３
が取り付けられる。
Ｃｕのエッジは、第１の実施例と同様、投光部４ａと受
光部４ｂから構成される光センサ４によって検出され
る。光センサ４としては、例えば、前記した平行光リニ
アセンサを用いることができる。センサ光のテープ搬送
方向に対する長さは、前記第１の実施例と同様、ＴＡＢ
テープＴＰのパーフォレーションホールＰＨのピッチの
自然数倍になるように設定されている。このため、第１
の実施例と同様、ＴＡＢテープ搬送中にセンサ光がパー
フォレーションホールＰＨを通過する場合であっても、
ＴＡＢテープ搬送方向に対して直交方向（図６の左右方
向）の銅箔Ｃｕエッジの位置がかわらなければ、受光部
４ｂが受光する光の総量が一定となる。すなわち、受光
部４ｂが受光する光の総量が一定となるように光センサ
４の位置を制御すれば、銅箔Ｃｕのエッジ位置を正確に
制御することができる。光センサ４の投光部４ａと受光
部４ｂは光センサ取付け部材６に取り付けられ、光セン
サ取付け部材６はスライド台５に取付けられる。スライ
ド台５は駆動モータ８により同図の矢印方向（ＴＡＢテ
ープＴＰの搬送方向に直交する方向）に駆動される。ス
ライド台５上には相対位置調整機構７とラック・アンド
・ピニオン機構１２が取り付けられ、これらを介して上
記光出射部１１を保持する光出射部／マスク保持台１３
が取り付けられる。
【００２５】相対位置調整機構７は、前記したようにセ
ンサ光の照射領域と露光光照射領域の相対位置を調整す
る機構であり、マイクロメータ７ａを備え、マイクロメ
ータ７ａを調整することにより、光出射部１１から照射
される投影レンズユニット２を介してＴＡＢテープＴＰ
上に照射される露光光の照射位置と、光センサ４の投光
部４ａから照射されるセンサ光の相対位置を調整するこ
とができる。ラック・アンド・ピニオン機構１２は、図
７に示すように、スライド台５に取り付けられたラック
１２ａと光出射部／マスク保持台１２に取付けられたラ
ック１２ｃと、ピニオン１２ｂを備えており、ピニオン
１２ｂの回転軸は固定され移動しない。このため、例え
ば下側のラック１２ａを同図の左方向に移動させると、
ピニオン１２ｂが回転してラック１２ｃは右方向に移動
する。したがって、スライド台５が移動すると、光出射
部／マスク保持台１３はスライド台５の移動方向と反対
方向に等しい量だけ移動する。すなわち、光センサ４が
移動すると、光出射端１１はその移動量と等しい量だけ
反対方向に移動し、マスクＭにより遮光された露光光照
射領域は、光センサ４の移動方向と同じ方向に、同じ量
だけ移動する。
ンサ光の照射領域と露光光照射領域の相対位置を調整す
る機構であり、マイクロメータ７ａを備え、マイクロメ
ータ７ａを調整することにより、光出射部１１から照射
される投影レンズユニット２を介してＴＡＢテープＴＰ
上に照射される露光光の照射位置と、光センサ４の投光
部４ａから照射されるセンサ光の相対位置を調整するこ
とができる。ラック・アンド・ピニオン機構１２は、図
７に示すように、スライド台５に取り付けられたラック
１２ａと光出射部／マスク保持台１２に取付けられたラ
ック１２ｃと、ピニオン１２ｂを備えており、ピニオン
１２ｂの回転軸は固定され移動しない。このため、例え
ば下側のラック１２ａを同図の左方向に移動させると、
ピニオン１２ｂが回転してラック１２ｃは右方向に移動
する。したがって、スライド台５が移動すると、光出射
部／マスク保持台１３はスライド台５の移動方向と反対
方向に等しい量だけ移動する。すなわち、光センサ４が
移動すると、光出射端１１はその移動量と等しい量だけ
反対方向に移動し、マスクＭにより遮光された露光光照
射領域は、光センサ４の移動方向と同じ方向に、同じ量
だけ移動する。
【００２６】９は制御部であり、制御部９には、光セン
サ４の受光部４ｂにより受光される光の量（受光量）に
応じた大きさの信号が入力され、制御部９は前記したよ
うに、駆動モータ８を駆動してスライド台５を移動さ
せ、上記受光量が常に一定になるように光センサ４を移
動させる。スライド台５には相対位置調整機構７とラッ
ク・アンド・ピニオン機構１２を介して光出射端１１が
取付けられているので、スライド台５が移動すると、上
記光出射部１１から照射される露光光の照射領域はスラ
イド台５と同じ方向に同じ量だけ移動する。すなわち、
受光量が常に一定になるように、光センサ４が移動し、
センサ光の移動方向に対して反対方向に光出射部１１が
移動し、露光光照射領域はセンサ光の移動方向と同じ方
向に同じ量だけ移動する。
サ４の受光部４ｂにより受光される光の量（受光量）に
応じた大きさの信号が入力され、制御部９は前記したよ
うに、駆動モータ８を駆動してスライド台５を移動さ
せ、上記受光量が常に一定になるように光センサ４を移
動させる。スライド台５には相対位置調整機構７とラッ
ク・アンド・ピニオン機構１２を介して光出射端１１が
取付けられているので、スライド台５が移動すると、上
記光出射部１１から照射される露光光の照射領域はスラ
イド台５と同じ方向に同じ量だけ移動する。すなわち、
受光量が常に一定になるように、光センサ４が移動し、
センサ光の移動方向に対して反対方向に光出射部１１が
移動し、露光光照射領域はセンサ光の移動方向と同じ方
向に同じ量だけ移動する。
【００２７】以上のように、本実施例においては、第１
の実施例と同様、光センサ４の受光部４ｂで受光される
光の総量が一定になるように光出射部１１およびマスク
Ｍの位置を制御することにより、ＴＡＢテープＴＰ上の
銅箔Ｃｕのエッジ位置に精度よく追従させてＴＡＢテー
プＴＰの周辺露光を行うことができる。また、光センサ
４の傾きを変えることにより、センサ光のＴＡＢテープ
搬送方向の長さを変えることができるので、パーフォレ
ーションホールＰＨのピッチが異なるＴＡＢテープＴＰ
の周辺露光にも容易に対応することができる。さらに、
本実施例においては、光出射部１１にマスクＭを設け、
光出射部１１を移動させるようにしているので、露光精
度の要求により、投影レンズユニット２が大型化し重量
が重くなる場合であっても、スライド台５を移動制御す
る手段の大型化を防ぐことができる。
の実施例と同様、光センサ４の受光部４ｂで受光される
光の総量が一定になるように光出射部１１およびマスク
Ｍの位置を制御することにより、ＴＡＢテープＴＰ上の
銅箔Ｃｕのエッジ位置に精度よく追従させてＴＡＢテー
プＴＰの周辺露光を行うことができる。また、光センサ
４の傾きを変えることにより、センサ光のＴＡＢテープ
搬送方向の長さを変えることができるので、パーフォレ
ーションホールＰＨのピッチが異なるＴＡＢテープＴＰ
の周辺露光にも容易に対応することができる。さらに、
本実施例においては、光出射部１１にマスクＭを設け、
光出射部１１を移動させるようにしているので、露光精
度の要求により、投影レンズユニット２が大型化し重量
が重くなる場合であっても、スライド台５を移動制御す
る手段の大型化を防ぐことができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
フィルム回路基板上に貼りつけられた導電体の周辺部に
塗布されたレジストを、導電体のエッジを検出しつつ露
光する露光装置において、導電体のエッジを検出するセ
ンサとして、投光部と受光部を有する光センサを用い、
投光部からテープ上に照射されるセンサ光のフィルム回
路基板搬送方向の長さを、パーフォレーションホールの
ピッチの自然数倍としたので、フィルム回路基板の搬送
によりパーフォレーションホールの搬送方向位置が変わ
っても、光センサの受光部で受光される光の量が大きく
変動するのを避けることができる。このため、受光部に
受光されるセンサ光の総量が一定になるように露光光照
射領域を位置制御すれば、導電体のエッジ位置に正確に
追従させて導電体の周辺部のレジストを露光することが
できる。
フィルム回路基板上に貼りつけられた導電体の周辺部に
塗布されたレジストを、導電体のエッジを検出しつつ露
光する露光装置において、導電体のエッジを検出するセ
ンサとして、投光部と受光部を有する光センサを用い、
投光部からテープ上に照射されるセンサ光のフィルム回
路基板搬送方向の長さを、パーフォレーションホールの
ピッチの自然数倍としたので、フィルム回路基板の搬送
によりパーフォレーションホールの搬送方向位置が変わ
っても、光センサの受光部で受光される光の量が大きく
変動するのを避けることができる。このため、受光部に
受光されるセンサ光の総量が一定になるように露光光照
射領域を位置制御すれば、導電体のエッジ位置に正確に
追従させて導電体の周辺部のレジストを露光することが
できる。
【図１】本発明の第１の実施例の周辺露光装置の構成を
示す図（１）である。
示す図（１）である。
【図２】本発明の第１の実施例の周辺露光装置の構成を
示す図（２）である。
示す図（２）である。
【図３】光センサの設定方法を示す図である。
【図４】ＴＡＢテープ移動時における光センサに受光さ
れるセンサ光の様子を示す図である。
れるセンサ光の様子を示す図である。
【図５】銅箔が蛇行している場合の、周辺露光される領
域を模式的に示す図である。
域を模式的に示す図である。
【図６】本発明の第２の実施例の周辺露光装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図７】ラック・アンド・ピニオン機構の動作を説明す
る図である。
る図である。
【図８】フィルム回路基板の一つであるＴＡＢテープの
一部および銅箔上にレジストを塗布した状態を示す図で
ある。
一部および銅箔上にレジストを塗布した状態を示す図で
ある。
【図９】フィルム回路基板上の銅箔の蛇行の様子を示す
図である。
図である。
１ 光源部 １ａ ランプ １ｂ 集光鏡 １ｃ 石英ライトガイド ２ 投影レンズユニット ３ ステージ ４ 光センサ ４ａ 投光部 ４ｂ 受光部 ５ スライド台 ６ 光センサ取付け部材 ７ センサ光／露光光相対位置調整機構 ８ 駆動モータ ９ 制御部 １１ 光出射部 １２ ラック・アンド・ピニオン機構 １３ 光出射部／マスク保持台 ＴＰ ＴＡＢテープ Ｍ マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 所定のピッチでパーフォレーションホー
ルが設けられたフィルム回路基板を一定方向に搬送しな
がら、該フィルム回路基板に設けられた導電体の周辺部
のレジストに、光照射手段から所定の照射領域を有する
露光光を照射することにより、上記周辺部のレジストを
露光するフィルム回路基板の周辺露光装置であって、 投光部から投光されるセンサ光を受光部により受光する
光センサから構成されるエッジ検知手段と、 フィルム回路基板の搬送時、上記エッジ検知手段をフィ
ルムの搬送方向に略直交する方向に移動制御する移動制
御手段と、 上記エッジ検知手段の移動方向及び移動量と、同じ方向
に同じ量だけ上記露光光の照射領域を移動させる移動機
構とを備え、 上記光センサの投光部から、フィルム回路基板搬送方向
の長さが上記パーフオレーションホールのピッチの自然
数倍であるセンサ光を上記フィルム回路基板上に投光
し、 上記フィルム回路基板に設けられた導電体のエッジ部分
に照射したセンサ光を上記受光部で受光し、該受光部の
受光量が一定になるように、上記移動制御手段によりエ
ッジ検知手段を移動制御するとともに、上記移動機構に
より、上部露光光の照射領域を移動させることを特徴と
するフィルム回路基板のレジスト露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000187646A JP3541783B2 (ja) | 2000-06-22 | 2000-06-22 | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
| TW090109064A TW500981B (en) | 2000-06-22 | 2001-04-16 | Device for exposure of the peripheral area of a film circuit board |
| KR1020010026408A KR100558402B1 (ko) | 2000-06-22 | 2001-05-15 | 필름 회로 기판의 주변 노광 장치 |
| EP01114566A EP1168082A3 (en) | 2000-06-22 | 2001-06-18 | Device for exposure of the peripheral area of a film circuit board |
| US09/886,005 US6515295B1 (en) | 2000-06-22 | 2001-06-22 | Device for exposure of the peripheral area of a film circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000187646A JP3541783B2 (ja) | 2000-06-22 | 2000-06-22 | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=18687591
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000187646A Expired - Fee Related JP3541783B2 (ja) | 2000-06-22 | 2000-06-22 | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6515295B1 (ja) |
| EP (1) | EP1168082A3 (ja) |
| JP (1) | JP3541783B2 (ja) |
| KR (1) | KR100558402B1 (ja) |
| TW (1) | TW500981B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196500A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-12 | Ushio Inc | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
| JP2004309901A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Ushio Inc | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
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| KR100652948B1 (ko) * | 2000-12-08 | 2006-12-01 | 삼성코닝 주식회사 | 액정표시장치용 유리기판의 두께 측정 시스템 및 방법 |
| WO2007119514A1 (ja) | 2006-04-17 | 2007-10-25 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| KR101075630B1 (ko) * | 2010-08-26 | 2011-10-21 | 삼성전기주식회사 | 인쇄 회로 기판 제조용 레지스트 도포 장치 |
| US9195861B2 (en) * | 2011-11-16 | 2015-11-24 | Georgia-Pacific Consumer Products Lp | Methods and systems involving manufacturing sheet products by testing perforations |
| JP7041482B2 (ja) * | 2017-09-13 | 2022-03-24 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
| CN110769608A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-02-07 | 江苏上达电子有限公司 | 一种快速去除cof基板两端残铜的方法和设备 |
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|---|---|---|---|---|
| US2339204A (en) * | 1937-05-05 | 1944-01-11 | Stockton Profile Gauge Corp | Web alignment detector |
| JPS5867093A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | 株式会社東芝 | 印刷回路基板検査方法及びその装置 |
| US4899195A (en) * | 1988-01-29 | 1990-02-06 | Ushio Denki | Method of exposing a peripheral part of wafer |
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| JP2657973B2 (ja) * | 1989-08-22 | 1997-09-30 | ウシオ電機株式会社 | フィルム回路基板の製作方法 |
| US5323944A (en) * | 1990-02-02 | 1994-06-28 | Siemens Nixdorf Informationssysteme Ag | Arrangement for the lateral positioning of a recording medium in a printer or photocopier |
| JPH053153A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Ushio Inc | ウエハ上の不要レジスト露光装置 |
| JPH06275518A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Nikon Corp | 基板の周縁露光装置 |
-
2000
- 2000-06-22 JP JP2000187646A patent/JP3541783B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-16 TW TW090109064A patent/TW500981B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-15 KR KR1020010026408A patent/KR100558402B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-06-18 EP EP01114566A patent/EP1168082A3/en not_active Withdrawn
- 2001-06-22 US US09/886,005 patent/US6515295B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196500A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-12 | Ushio Inc | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
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| EP1168082A3 (en) | 2005-05-04 |
| EP1168082A2 (en) | 2002-01-02 |
| KR20020000484A (ko) | 2002-01-05 |
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| US6515295B1 (en) | 2003-02-04 |
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