JP2001517351A - アモルファスセレンを含有する部分反射層を有する2層光学記憶媒体 - Google Patents
アモルファスセレンを含有する部分反射層を有する2層光学記憶媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
多層光学記憶媒体(12)は、透明基材(14)、部分反射層(16)、透明スペーサー層(18)および高反射層(20)を含む。一方のデータピットパターン(15)は、基材上に部分反射層と隣接して設けられ、もう一方のピットパターン(19)は、前記スペーサー層上に高反射層と隣接して設けられている。部分反射層は、アモルファスセレン(a−Se)から作製されてよく、好ましくは実部nが2.8より大きくかつ虚部Kが0.01未満である屈折率を有する。本発明は、そのような媒体と互換性のある光学データ記憶装置(10)も包含する。
Description
【発明の詳細な説明】
アモルファスセレンを含有する部分反射層を有する2層光学記憶媒体技術分野
本発明は、一般に、光学媒体の分野、特に2層以上の情報記憶層を用いる光学
媒体の領域に関する。発明の背景
データ記憶分野では、大きな記憶容量と高い機能を有する媒体に対する明らか
に尽きることない需要がある。予め記録された光学ディスク(例えば、コンパク
トディスクやビデオディスク)の分野において、大きな記憶容量は、通常、ディ
スクの単位面積当たりの記憶密度を高めることによって達成されている。しかし
ながら、光学記録装置内で達成できる最大データ記憶密度は、光学装置が解像で
きる最小フィーチャーで制限されている。従来の遠視野画像形成装置において、
最小の解像可能なフィーチャーサイズは、回折効果によって、入手できる光源(
通常、固体半導体レーザ)の波長にほぼ限定されている。すなわち、ディスク記
憶容量を高める一つの方法は、半導体レーザの波長を短くすることである。しか
し、半導体レーザから得られる波長は着実に短くなってきているが、その短波長
化は、固体技術および材料における制限のために劇的ではなかった。
光学記録装置の記憶容量を高めるための多数の他の方法が提案されている。そ
のような方法としては、(1)高効率のデータコード化スキーム(例えば、パルス
幅変調);(2)光学的および/または磁気的超解像;(3)一定角速度での領域化記
録;(4)部分応答/最大見込み検出法のような、改良されたデータチャンネル検
出法;およびディスクの溝と島領域の両者における記録が挙げられる。
記憶容量を高める前記方法はいずれも、ディスクの単位面積当たりの記憶密度
を高めることに依存するが、光学ディスクの容量を高める別法は、独立して記録
または再生され得るディスク上に別の記憶層を用いることである。すなわち、こ
の場合の解決策は、ディスクのアドレス可能な領域を増やすことである。この解
決策は、媒体および記録装置の複雑さが適度に増加する場合にのみ、媒体記憶容
量を実質上増加させる可能性があることから、興味深い。
多層の(例えば、2層の)記憶層をディスクの一方の面上に設けられた光学ビ
ームで読み出しおよび/または書き込もうとする場合、ディスクの記憶層のうち
1層は、光学ビームで読み出しおよび/または書きこみできるほど十分に反射性
でなければならないが、ビームが第一記憶層を通過して2番目の記憶層に伝わる
ほど十分に透明でもなければならない。しかしながら、そのようなディスクは、
構成し難いことが分かっている。発明の要旨
従って、本発明は、部分反射層と高反射層とを有する光学記憶媒体であって、
データ/サーボ情報/フォーマット情報が、前記媒体の2層の別個の層に記憶で
きる光学記憶媒体を提供するものである。一態様において、媒体は、透明基材、
部分反射層、透明スペーサー層および高反射層を順次積層したものを包含する。
前記基材は、主要表面の一つの中にピットパターンを有している。部分反射層は
、前記基材のピットパターンに隣接していてよい。部分反射層は、アモルファス
−セレン(a−Se)を含有する。部分反射層は、a−Seを本質的に含んでい
てよく、無線周波数(RF)マグネトロンスパッタリングのようなRFスパッタ
リングを含む様々な方法で析出できる。
本発明のもう一つの態様は、透明基材、部分反射層、透明スペーサー層および
高反射層を順次含んで成る2層記録光学記憶ディスクを包含する。第一データピ
ットパターンは、前記ディスクの一方の面上に設けられる。部分反射層は、第一
ピットパターンに隣接しており、実部nおよび虚部Kで表される屈折率(ただし
、650nmで測定された場合、n>2.6およびK<0.035)を有してい
る。第二のデータピットパターンは、透明スペーサー層と高反射層の間に設けら
れる。前記屈折率の虚部Kは、好ましくは0.01未満、より好ましくは0.0
03未満である。前記屈折率の実部nは、好ましくは2.8より大きく、より好
ましくは3.0より大きい。部分反射層の厚さは、好ましくは、a−Seを含む
部分反射層についての上述の部分反射層と同様である。
上述の本発明の光学記憶媒体の態様は、2つの局面を有している。一つの局面
において、前記媒体は、2層以上の情報層それぞれの上に集束できるドライブに
よって読み出し可能な2層以上のデータ/サーボ/フォーマット情報を記憶する
ように設計されている。この場合、前記媒体と共に使用される光学記憶装置は、
上述のような媒体、基材を介して前記媒体に入射するように配置された集束レー
ザビーム、前記レーザビームの焦点を調節するための手段(ただし、前記ビーム
は、部分反射層または高反射層のいずれに集束されてもよい。)、および前記媒
体から反射されたレーザビームを検出するための光検出器を含んで成る。この局
面では、部分反射層の好ましい厚さは、約38〜69nm、より好ましくは42
〜64nmの範囲内である。
本発明の第二の局面において、光学記憶媒体は、2つの別個のドライブと共に
使用するように設計されるディスクである。ディスク全体の見かけの厚さは、1
.2mmであるので、高反射層内のピットパターンは、780nmレーザを有す
るCD−ROM(コンパクトディスク読み出し専用メモリー)ドライブによって
読み出すことができる。ディスクは、見かけの厚さ約0.6mmの基材も有して
いることから、部分反射層内のピットパターンは、650nmレーザを有するD
VD−ROM(デジタル・バーサティル・ディスク)ドライブによって読み出す
ことも可能である。このことは、予め記録されたディスクの販売者に、CD−R
OMまたはDVD−ROMドライブのいずれかを所有する消費者によって読み出
し可能である1個のディスクを売ることを許容するものである。(CD−ROM
フォーマットがDVD−ROMフォーマットほどの記憶容量を許容していないた
め、CD−ROM版の情報は、あまり精巧でないと予期されるであろう。)
この第二局面において、部分反射層の厚さは、好ましくは約130〜160n
mの範囲内、より好ましくは140〜160nmである。高反射層の反射率R1
は、好ましくは780nm光において0.7より大きく、および部分反射層の反
射率R2は、好ましくは650nm光において0.2〜0.4の間である。図面の簡単な説明
図1は、本発明の一態様の光学データ記憶装置を表す。
図2は、波長の関数としての140nm厚のアモルファスセレン試料の屈折率
の実部(n)のグラフである。
図3は、波長の関数としての140nm厚のアモルファスセレン試料の屈折率
の虚部(K)のグラフである。
図4は、波長650nmにおいて測定された、アモルファスセレン厚さの関数
としての2種類の反射層からの反射率を模擬するコンピューター処理されたグラ
フである。
図5は、2つの別個のデータ記憶装置内で使用するように適合された光学デー
タ記憶ディスクを表す。
図6A〜6Dは、各屈折率の虚部(K)0.02〜0.05における、650
nmおよび780nmの各波長での厚さの関数としての反射率を模擬するコンピ
ューター処理されたグラフである。
図7は、アモルファスセレンの厚さの関数としての、650nmおよび780
nmにおける部分反射層および高反射層の反射率を模擬するコンピューター処理
されたグラフである。詳細な説明
本発明の光学データ記憶装置10を図1に示す。光学記憶媒体12は、透明基
材14、データピットパターン15上の部分反射薄膜層16、透明スペーサー層
18、および第二のピットパターン19上のまたはそれと隣接する高反射薄膜層
20を含む。任意の保護層を、高反射層20上に設けてもよい。ここで使用する
「ピットパターン」とは、データ、サーボまたはトラッキング情報、フォーマッ
ト情報等の情報を記憶することができるピットまたは溝のパターンを意味する。
光学レーザ30は、図1に示すように、光学ビームを媒体12に向かって放出す
る。薄膜層16または20のいずれかによって反射される光学ビームからの光は
、検出器32で検出される。検出器は、前記薄膜層上の特定部位におけるピット
の存在または不存在に基づく光強度の変化を検出する。場合により、両面2層デ
ィスクは、各媒体の高反射層20が接着剤層で分離されるように円盤状の媒体1
2の裏面同士を接合することによって形成されることがある。
第一または第二のピットパターン15または19をそれぞれ独立して読み出す
ことの可能性は、通常の光学ディスク読み出し装置の比較的制限された焦点深さ
特性に基づいている。前記媒体の記憶層上に回折限界レーザ照射部位を形成する
ために通常の光学レコーダー/プレーヤーに用いられるレンズは、解像度を向上
させかつ記憶密度を高めるために、中程度の大きさ(0.4〜0.6)の開口数
を有している。そのようなレンズは、焦点深さ(すなわち、焦点寸法が回折限界
をほぼそのまま残している焦点変化の範囲)約2μmを示し、大きな焦点変化の
場合、照射部位の寸法が急に増大する。従って、部分反射薄膜層16が妥当な透
過率を示し、2つのデータピットパターン15と19との間の距離が光学装置の
焦点深さに比べて大きい場合、レーザ30をいずれかのデータピットパターン上
に、他のデータピットパターンからの容認できる低い「クロストーク」で集束す
ることができる。すなわち、レーザ30からの光は、層16と20の両方で反射
して検出器32の方へ戻るが、レーザが集束される層においてのみ、反射された
光強度を強く変化させることにより、データ読み出しが可能となる。
前記媒体10上のデータピットパターン15および19は、最初、反射層16
または20の一方で集束し、その後、焦点を移して他の反射層上に集束する前に
その層全体にデータを再生することによって大抵容易に再生できる。替わりとし
て、データピットパターン15および19の一方に含まれるデータを完全に再生
する前に、焦点を1回以上移すことが望ましいこともある。いずれの場合も、透
明層18で分離された2つのデータピットパターンの使用が、光学記録媒体10
のデータ記憶容量を有効に2倍にする
透明基材14は、データピットパターン15の成形を十分忠実に支持する、光
学ディスク基材に適したポリマー材料であってよく、例えば、ポリカーボネート
または非晶質ポリオレフィンであってよい。あるいは、例えばガラスまたはポリ
メチルメタクリレートのような平坦な基材を使用したり、データピットパターン
19の形成についての上述のごとく、データピットパターン15をフォトポリマ
0複製を用いて形成することもできる。
透明スペーサー層18は、光硬化性ポリマーのような、実部nが約1.45〜
1.6および虚部Kが10-4未満、より好ましくは10-5未満の複屈折率を有す
るポリマーであってよい。透明スペーサー層18は、レーザ30がデータピット
パターン15および19のいずれかの上に最小のクロストークで集束できるほど
十分に厚くなければならない。これは、好ましくは約5〜100μm、より好ま
しくは約30〜50μmの範囲の厚さを意味する。
高反射層20は、データを再生するのに使用されるレーザ波長で高反射率を示
す金属層であってよい。現在入手できる半導体レーザ光源は、約600〜850
nmの範囲の波長で光を放出する。アルミニウム、金、銀、銅およびそれらのア
ロイは、この波長範囲で好適な高反射率を示し得る。高反射層20は、好ましく
は少なくとも70%、より好ましくは少なくとも80%およびそれ以上(例えば
、85%または95%)の反射率を有する。
光学データ記憶装置10の複雑さやコストを最小限にするために、各データピ
ットパターン15および19からの平均的な読み出し信号レベルをほぼ等しくす
ることが望ましい。したがって、検出器32で判別されるような、層16および
20からの見かけの反射率もほぼ等しくすべきである。
ここで使用される「見かけの反射率」とは、層16または20のいずれかの平
坦な領域の部位に集束されると、光学読み出し装置内の光検出器で通常検出され
得る、透明基材14へ入射する光学エネルギーの画分をいう。読み出し装置は、
レーザ、適切に設計された光路、および光検出器を含むものと仮定する。さらに
、透明基材14と最も近接している光路内の光学要素は、高い開口数(>0.4
)の対物レンズである。ここで使用される「内側表面反射率」または「内側界面
反射率」とは、反射される、前記媒体構造物内の界面(例えば、透明基材14と
部分反射層16との間の界面、またはスペーサー層18と高反射層20との間の
界面)へ入射する光学エネルギーの画分をいう。
部分反射層16からの必要な反射率を見積もるために、高反射層20が、スペ
ーサー層18と高反射層20の間の内側界面に入射する光の約85%〜95%を
反射すると仮定する。さらに、スペーサー層18の屈折率の実部nは1.5であ
り、基材14は、屈折率の実部nが1.57のポリカーボネートであり、および
空気−基材界面での反射は読み出し信号には寄与しないものと仮定する。部分反
射層16が、(以前に使用された材料とは違って)本質的に吸収を示さない理想
的な材料であると仮定すれば、基材14と部分反射層の間の内側界面で観察され
るように約0.35の反射率は、前記層16および20からの見かけの反射率と
辻棲が合うことが分かる。
我々は、部分反射層16にとって優れた材料がアモルファスセレン(a−Se
)であることを見出した。図2に示すように、a−Seの屈折率は、波長40
0nm〜900nmの範囲に亙って高い実部(n)を有する。部分反射層16が
重要な波長(例えば、650nm)において25%よりも大きな反射率を有する
ように、高い実部nが要求される。図2に示すように、400nm<λ<750
nmではn>2.9、430nm<λ<670nmではn>3.0、460nm
<λ<625nmではn>3.1、490nm<λ<590nmではn>3.2
、およびλ≒550nmではn≒3.3である。
図3に示すように、a−Seの屈折率は、600nm〜800nmの範囲に亙
って非常に低い虚部(K)を有している。低いKは、顕著な光損失なく、部分反
射層16を介して2回の光透過を可能にし、高反射層20の読み出しを可能にす
るのに必要である。図3に示すように、λ>600nmではK<0.1、λ>6
25nmではK<0.035、λ>640nmではK<0.01、λ>650n
mではK<0.005、および(例えば、780nmを含む)λ>700nmで
はK<0.003であろう。高い実部(n)と低い虚部(K)の組み合わせは、
a−Seを部分反射層16に理想的な材料とする。
図2および3で分析されたa−Seフィルムは、無線周波数(RF)マグネト
ロンスパッタリングによって調製した。スパッタリング前の真空系の基本圧は、
5×10-8Torrであった。スパッタリングガスは、スパッタリング圧2mT
orrでアルゴン(Ar)であった。供給源と基材との間の距離は、8cmであ
った。前方スパッタリングエネルギーを15ワットに、およびバイアス電位を−
50ボルトに設定した。基材は、平坦なガラスであった。また、同様の条件下、
RFマグネトロンスパッタリングを使用してa−Seをポリカーボネート基材上
にも析出させた。
部分反射層16が厚さ方向に比較的一定の反射率を示すことによって、膜厚や
製造中の均一性の制御をそれほど困難しないことが非常に望ましい。厚さが変わ
ると、反射率がほんの少しだけ変化するような部分反射層を有することに加え、
前記層16および20からの見かけの反射率がほぼ等しいことも望ましく、両者
の特性が、部分反射層の厚さの同じ範囲で生じることが最も望ましい。別に規定
するように、層16および20からの見かけの反射率が、ほぼ等しく、かつ層1
6の厚さの変化に無関係である媒体構造を有することが最も望ましい。この状態
は、図4に示す、光学モデリングに基づくコンピューター処理されたグラフに模
式的に示されている。a−Se(層16)の様々な厚さにおける反射率、および
高反射層(層20)の対応する反射率が示されている。モデリングは、2つの場
合に対して行った。(1)650nmで95%(例えば、銀)の反射率を有する
高反射層20を用いた場合[図4中、塗りつぶし四角で示す]、および(2)65
0nmで85%(例えば、AlCr)の反射率を有する高反射層20を用いた場
合[図4中、中抜き四角で示す]。95%の場合(塗りつぶし四角)、層16およ
び20からの650nmでの見かけの反射率は、42〜64nmの部分反射層の
厚さ範囲において、互いに0.04未満だけ異なり、Rの平均値は0.37±0
.02である。85%の場合(中抜き四角)、見かけの反射率は、部分反射層の
厚さ38〜69nmの範囲で0.04未満変化し、Rの平均値は0.35±0.
02であった。電気ノイズが制限された光学ドライブでは、高いR値は、より高
い光学変調(信号)、すなわち検出されたデータパターン内でのより高い信号/
ノイズ比に関する。
本発明は、図5に示すような、本発明のもう一つの局面による光学記憶装置も
包含する。円盤状の光学記憶媒体52は、円盤状の透明基材54、第一データピ
ットパターン55上の部分反射薄膜層56、透明スペーサー層58、および第2
データピットパターン59上の高反射薄膜層60を含む。前記層54〜60は、
後述する内容を除き、図1中の各層14〜20と同一である。
この装置の好ましいバージョンにおいて、基材54の見かけの厚さは、約0.
6mmであって、ディスク全体の見かけの厚さは1.2mmである。ディスク5
2は、2つの異なるデータ記憶装置内で使用するために設計されている。一方の
装置(「一つ目の」装置)は、比較的長波長(例えば、λ=780nm)のレー
ザ70を使用する。この装置において、レーザ70からのビームは、基材54、
部分反射層56およびスペーサー層58を通過して、第二データピットパターン
59に集束される。レーザ70からのビームは、高反射層60で反射され、スペ
ーサー層58、部分反射層56および基材を通って戻り、検出器80で検出され
る。検出器は、第二ピットパターン59上の特定部位におけるピットの存在また
は不存在に基づく光強度の変化を検出する。レーザ70および検出器80は通常
、
同一のディスクドライブの部品であり、そのため検出器80はレーザ70につれ
て作動するように設計されていると解されるべきである。
ディスク52を挿入できるもう一つの装置(「二番目の」装置)は、比較的短
波長(例えば、650nm)のレーザ74を特徴とする。この装置において、レ
ーザ74からのビームは、基材54を通過して、第一データピットパターン55
に集束される。レーザ74からのビームは、部分反射層56で反射されて、基材
54を介して戻り、検出器84で検出される。レーザ74および検出器84は通
常、同一ディスクドライブの部品であり、そのため、検出器84はレーザ74に
つれて作動するように設計されていると解されるべきである。
ディスク52のようなディスクは、以下の理由には望ましいであろう。一方の
ディスク52は、その上に、2種類の密度の情報層(パターン55および59)
を有し得る。第二ピットパターン59は、第一フォーマット[例えば、コンパク
トディスク読み出し専用メモリー(CD−ROM)に使用されるような低い(ま
たは中程度の)密度のフォーマット]を有し得る。ディスク52の厚さは1.2
mm(CD−ROM仕様と一致)であり、高反射層60に隣接して配置された第
二ピットパターン59は、780nmレーザ(CD−ROM仕様と一致)で読み
出すことができる。
同様のディスク52は、その上に第二情報層を有することもあるが、異なるフ
ォーマット密度で記録され得る。第一ピットパターン55は、第二フォーマット
[例えば、DVD−ROM(デジタル・ヴァーダチル・ディスク)に使用される
ような高密度のフォーマット]を有し得る。基材54の厚さは、0.6mm(D
VD−ROM仕様と一致)であり、部分反射層56と隣接して配置された第一ピ
ットパターン55は、650nmレーザ(DVD−ROM仕様と一致)を用いて
読み出すことができる。
従って、あるディスク52は、2つのバージョンの同一ソフトウエアー(第二
ピットパターン59内には、CD−ROMドライブで読み出すための短いほうの
ょり簡易なバージョン、および第一ピットパターン55内には、DVD−ROM
ドライブで読み出すための長いほうのより精巧なバージョン)を記憶することが
できる。すなわち、ソフトウエアー開発者は、CD−ROMまたはDVD−RO
Mドライブのいずれかを有する者によって購入され得る、一個のディスクを販売
することが可能である。このことは、予め記録されたディスク産業がCD−RO
MドライブからDVD−ROMドライブへ移行し始めているため、著しい利益と
なり得る。
しかしながら、そのようなディスクの利益を容認することは、そのようなディ
スクを設計するのと同じことではない。24〜33%のDVD−ROM反射率目
標に次いで、部分反射層56のnは、650nmで2.6より大きくなければな
らない。第二に、反射層56の780nmでのKは、CD−ROM仕様の70%
反射率を満たすと同時に、780nmビームを前記層に2回通過させることがで
きるほど十分に小さくなければならない。出願人は、a−Seがこれらの判断基
準に適合することを見出した。
そのような部分反射層の望ましい物理的特性および厚さは、以下のようにして
導き出すことができる。部分反射層(56)は、n=1.57およびK=0の0
.6mmポリカーボネート基材(54)と、n=1.5およびK=0の低誘電率
またはポリマーフィルム層(58)との間に挿入される。この構造において、最
適な部分反射層は、第一波長(λ1)に対する反射率を最大にすると同時に、第
二波長(λ2)に対する透過率も最大にする。λ1での反射率の反射最大値は、部
分反射層が:
(I) T=(x/4)(λ1/nλ1)
ただし、x=1、3、5、…
(式中、nλ1は、λ1における部分反射層の屈折率の実部である。)
のような光学厚さTを有する場合に生じる。x=1の場合、上記式は、T=λ1
/4nλ1となる。部分反射層の実際の厚さは、好ましくは計算値Tの±20%
以内、より好ましくは±10%以内である。同様に、λ2の透過率の最大値は:
(II) T=(y/2)(λ2/nλ2)
ただし、y=1、2、3、…
において生じる。
前記2つの層の最大信号はいずれも、厚さが上記式IおよびIIを同時に満た
す解である場合に生じる。λ1=650nmおよびλ2=780nmの場合、上
記式IおよびIIに対する第一の解は、以下の式を満たすときに生じる。
T=(3/4)(λ1/nλ1)=1/2・λ2/nλ2
または
T=(3/4)(650nm)/n650=1/2(780nm)/n780
(III) ⇒n650=3.0場合、n780/n650=0.80および
厚さ160nm以下。
部分反射層の実際の厚さは、計算値Tの±20%以内、より好ましくは±10
%以内でなければならない。図6A〜6Dには、650nm(図中、線Aで示す
)および780nm(線Bで示す)における部分反射層56からの反射率の計算
値R56、並びに以下の条件下:
n650=3.0 n780=2.4
K=650=K780=0.02、0.03、0.04、0.05
(n780/n650=0.80)
R60=95%(例えば、Ag)
における、780nmでの高反射層60からの反射の大きさR60(=R60・T56 2
;式中、T56は、部分反射層の透過率である。)(図中、線Cで表す)を示す
。
従って、これらの条件によれば、理論上の光学積層物の厚さを、780nmで
のR60(CD−ROM反射率)と650nmでのR56(DVD−ROM反射率)
をいずれも最大値化する160nm以下に調整することができる。グラフは、7
80nmでのKが、CD−ROM仕様(780nmでのR60>0.70)を満た
すために約0.035未満でなければならないことも示している。
出願人らは、n、K、およびn780:n650の比=0.8の場合の要求をほぼ満
たす材料がa−Seであることを見出した。
図2に示すように、650nmにおけるa−Seに関するnは、要件である2
.6よりも大きい(実際は3.0よりも大きい)。図3に示すように、780n
mにおけるa−Seに関するKは、要件である0.035よりも小さい(実際は
0.01未満、更には約0.003未満でもある)。実際、780nmにおける
a−SeのKは、約0.001と同等ないしはそれ未満であってよい。
しかしながら、a−Seのn780:n650比は、0.80ではなく0.95であ
る。このことは、CD−ROM(780nm)とDVD−ROM(650nm)
に対する最大反射率におけるa−Se部分反射層56の厚さが一致していないこ
とを意味する。すなわち、通常のa−Se部分反射層の厚さの範囲は、CD−R
OM仕様を満たし(780nmにおけるR60>70%)かつDVD−ROM仕様
を満たす(650nmにおけるR56>25%)バンドの重なりで区切られている
。この重なりは、線Aで表される650nmにおけるR56と線CであらわSれル
780nmにおけるR60によって、図7のグラフに示されている。
図7に示すように、前記重なりは、a−Seの厚さが約130nm〜160n
mの間のときに生じている。a−Seは、140nm〜160nmの狭い範囲内
では650nmにおけるR56>35%という、より厳しい要求も満たすことに注
意すべきである。
a−Seの特徴は、電子写真の分野では重要であることが今までにもしばしば
報告されている。R.M.Schaffert著、Electrophotography、フォーカル・プレ
ス発行(ロンドン、第5版、1980年)参照。それは、普通、塩素(Cl)お
よび/または砒素(As)を少量添加することによって変化する優れた光導電性
および誘電特性を発現する。アモルファスセレンは、通常真空蒸着により析出さ
れるが、(生産効率を高めるために)スパッタリングのような他の析出法を使用
して析出することも可能である。
本発明の媒体12および52は、予め記録された媒体に限定されるものではな
いことが、当業者には自明であろう。例えば、第二データピットパターン19お
よび59は、ドライブにトラッキング情報を与える溝またはピットのパターンで
置きかえることが可能である。高反射性の記録可能な材料を高反射薄膜層20お
よび60に使用すると、媒体12および52はそれぞれ、第一データピットパタ
ーン15および55内に予め記録された情報を含むことができると同時に、前記
層20および60内にユーザーがデータを記録することもできる。従って、この
場合、媒体12および52は、予め記録されたデータの層とユーザーが記録でき
る情報の層をそれぞれ有し得る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 アープス,マーク・エイ
アメリカ合衆国55164―0898ミネソタ州セ
ント・ポール、ポスト・オフィス・ボック
ス64898
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.一主要表面内にピットパターン(15)を有する透明基材(14)、 前記基材に隣接する部分反射層(16)であって、実部nおよび虚部Kで 表される屈折率(650nmにおいて、n>2.6およびK<0.035である 。)を有する部分反射層(16)、 透明スペーサー層(18)、および 高反射層(20) を順次含んで成る光学記憶媒体(12)。 2.請求項1記載の光学記憶媒体、 前記基材を介して前記媒体に入射するように配置された集束レーザ(30 )ビーム、 前記レーザビームの焦点を調節するための手段であって、前記ビームが部 分反射層かまたは高反射層のいずれかの上に集光されるもの、および 前記媒体から反射されたレーザビームを検出するために配置された光検出 器(32) を含む光学記憶装置(10)。 3.部分反射層がアモルファス−Seを含む請求項1または2の物品。 4.部分反射層がアモルファス−Seを本質的に含んで成る請求項1または2 の物品。 5.780nmにおいてn>2.8およびK<0.003である請求項1〜4 のいずれかに記載の物品。 6.部分反射層の厚さが約42〜64nmの範囲である請求項1〜5のいずれ かに記載の物品。 7.部分反射層の厚さが約140〜160nmの範囲である請求項1〜5のい ずれかに記載の物品。 8.部分反射層の厚さがλ/4nλの±10%以内であって、ディスクが、波 長λの基材入射光ビームを用いて使用するために設計されており、および部分反 射層の屈折率が、λにおける測定値nλで表される実部(n)を有する請求項1 〜7のいずれかに記載の物品。 9.前記媒体がディスクであり、およびピットパターンが、第一データピット パターンと、高反射層と隣接するスペーサー層の主要表面内に設けられた第二の データピットパターン(19)とを更に含む請求項1〜8のいずれかに記載の物 品。 10.第一データピットパターンが、第一波長λ1の第一レーザ(74)ビー ムを有する第一ディスクドライブと共に使用するように設計されたフォーマット を含み、および第二のデータピットパターンが、前記λ1よりも大きい第二の別 の波長λ2の別のレーザ(70)を有する第二の別のディスクドライブと共に使 用するように設計された第二の別のフォーマットを含む請求項9記載の物品。 11.部分反射層(56)の厚さが3λ1/4nλ1(ただし、3λ1/4nλ1 =λ2/2nλ2)の±10%以内であり、および部分反射層の屈折率が、λ1で の測定値nλ1とλ2での測定値nλ2とを有する実部(n)で表される請求項1 0記載の物品。 12.基材(54)の厚さが約0.6mmであって、波長780nmの基材入 射光ビーム(70)が高反射層において反射率R1(ただし、R1>0.7)で反 射され、および波長650nmの基材入射光ビーム(74)が部分反射層におい て反射率R2(ただし、0.2<R2<0.4)で反射される請求項9記載の物 品。
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