JP2001503007A

JP2001503007A - 延伸ファイバの破断源を低減するための装置及び方法

Info

Publication number: JP2001503007A
Application number: JP10520490A
Authority: JP
Inventors: イージュニアディキンソン，ジェイムズ; ジーグリースマン，スコット; エイスナイプス，ジェイムズ; タオ，ティンホン; ジェイジュニアウィシュチェック，ドナルド
Original assignee: Corning Inc
Current assignee: Corning Inc
Priority date: 1996-10-25
Filing date: 1997-10-03
Publication date: 2001-03-06
Also published as: CA2267916A1; DE69723579D1; US6345519B1; EP0950032A4; US20020029591A1; EP0950032A1; AU744011B2; EP0950032B1; AU6908298A; WO1998018735A1

Abstract

(57)【要約】光導波を作成するためのガラス予備成形品（３０）は炭化ケイ素あるいは窒化ケイ素のような表面不純物を有する。導管（４０）を介して酸素が供給される炉（１２）内で予備成形品を延伸する。酸素は不純物を酸化しファイバ強度には影響を与えない。

Description

【発明の詳細な説明】延伸ファイバの破断源を低減するための装置及び方法発明の詳細な説明発明の属する技術分野本発明はブランクからファイバを延伸する方法及び装置に関し、さらに詳しくは、シリカ含有ブランクから光導波路ファイバを延伸するための方法及び装置に関する。発明の背景光導波路ファイバ（光ファイバ）は、光通信システムで用いられる伝送媒体である。光ファイバは通常、ファイバを延伸する基となるブランクを形成し、前記ブランクを均熱炉内に保管し、延伸炉内で前記ブランクからファイバを延伸することを含む、よく知られた方法により作成される。強度は光ファイバの重要な特性である。ファイバ表面の粒状汚染物はファイバを弱め、引張荷重の下で傷を生じさせファイバ破損の原因となることが多い。ある種の光ファイバ、特にジルコニア（ＺｒＯ₂）マッフル炉内で延伸された光ファイバは、前記汚染物により低応力の下でも破損する。発明の要約本発明の目的は、ファイバ強度を向上させることである。本発明の別の目的は、低ストレスでファイバを破損させる破断源を除去することである。本発明のさらなる目的及び長所は、一部は以下の記述において説明され、一部は以下の説明から明らかであるか、あるいは本発明の実施によりわかるはずである。本発明の前記目的及び長所は、特に特許請求の範囲で指し示される要素及び組合せにより実現され、達成される。以下でさらに十分に説明されるように、破断光ファイバには低応力でファイバを破損させる炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）耐火性汚染物が含まれることが確定された。本発明はファイバ延伸プロセス中の活性酸化を通じて前記汚染物を除去することによりファイバ強度を向上させる。前記目的を本発明の意向に従って達成するため、本明細書に概括的に説明されるように、本発明は、耐火性酸化物構成部品を延伸部に有する延伸装置において、耐火性汚染物を有するブランクを前記延伸部に配置し、前記耐火性汚染物を活性酸化する環境を前記延伸部に与え、前記環境内で前記ブランクからファイバを延伸する工程を含む、改善されたファイバ作成方法を提供する。本発明はまた、耐火性酸化物構成部品を有し耐火性汚染物を有するブランクを加熱する延伸部と、前記耐火性汚染物を活性酸化する環境を前記延伸部に与えるために延伸部にガスを供給する供給装置と、前記環境内で前記ブランクからファイバを延伸するための装置を含む、改善されたファイバ作成装置も提供する。上述の一般的説明及び以降の詳細な説明はいずれも例示及び説明のみのためのものであり、特許請求の範囲に示されるように、本発明を限定するものではないことは当然である。本明細書に含まれ、本明細書の一部をなす添付図面は、本発明の実施の形態を示し、記述とともに本発明の原理を説明する役に立つ。図面の簡単な説明図１は、本発明に従う延伸炉の好ましい実施の形態の断面図である。図２は、均熱炉の断面図である。好ましい実施の形態の説明ここで本発明の現在好ましい実施の形態、すなわち添付図面に示される例について、詳細に述べる。できるところであればどこでも、全図面にわたって同じ参照数字が、同じあるいは同様の部品を参照するために用いられる。本発明に関連して、通常のジルコニア・マッフル炉で延伸した低応力の下で破損するファイバが非酸化物耐火性汚染物である炭化ケイ素及び窒化ケイ素を含んでいることが発見された。前記汚染物は、大きさが空中浮遊粒子に一般的な（５ μｍより小さい）範囲にあり、延伸工程の前あるいは途中でブランク表面に付着し、よってファイバ表面に延伸溝をつくる。各汚染物は表面の、少なくとも一部に、通常のジルコニア・マッフル炉内の環境による、非晶質シリカ（ＳｉＯ₂）の付着不動態層を有することも発見された。前記不動態層は不活酸化の固体反応生成物である。炭化ケイ素及び窒化ケイ素に対する不活酸化機構は以下の反応式で表わされる。 (2)ＳｉＣ＋(3)Ｏ₂→(2)ＳｉＯ₂(固体)＋(2)ＣＯ(気体) Ｓｉ₃Ｎ₄＋(3)Ｏ₂→(3)ＳｉＯ₂(固体)＋２Ｎ₂(気体) 通常のジルコニア・マッフル炉には、不活酸化により前記汚染物上に不動態層を形成するに十分な、周囲空気の炉内への漏れにより供給される、酸素がある。本発明に関連して、前記不動態層のある汚染物が光ファイバの低応力破断源として作用することがさらに発見された。本発明の延伸工程は、前記汚染物を活性酸化により除去するように考えたものである。活性酸化機構は気体反応生成物をつくり、よって前記炭化ケイ素及び窒化ケイ素汚染物を食刻する。炭化ケイ素及び窒化ケイ素に対する活性酸化機構は以下の反応式で表わされる。ＳｉＣ(固体)＋Ｏ₂(気体)→ＳｉＯ(気体)＋ＣＯ(気体) Ｓｉ₃Ｎ₄(固体）＋(3/2)Ｏ₂(気体)→３ＳｉＯ(気体)＋２Ｎ₂(気体) よって、活性酸化を促進することにより、前記汚染物を食刻して除去することができる。例えばグラファイト・マッフル炉は、活性酸化を促進すると考えられるから、不動態層のある汚染物を含まないファイバをつくる。前記環境の酸素濃度及び温度が、不活及び活性酸化のいずれが支配的になるかを決定する。例えばある与えられた温度において、Ｐ_O2＞Ｐ_CO+SiOのとき不活酸化機構が支配的であり、Ｐ_CO+SiO＞Ｐ_O2のとき活性酸化機構が支配的になる。従って本発明は、好ましくは、延伸炉内の延伸部に低酸素環境を与えることにより活性酸化を促進する。好ましい形態において、前記延伸部に酸素と反応して酸素濃度を低下させる還元性ガスを導入することにより、低酸素環境が与えられる。前記還元性ガスは、酸素と容易に反応して酸素濃度を低下させ、よって良性ガス、すなわちブランクあるいはファイバと反応しないガスをつくるものであれば、何であってもよい。現在一酸化炭素（ＣＯ）が好ましい還元性ガスである。以下の実験は、ジルコニア・マッフル炉の前記延伸部環境への一酸化炭素の効果を説明する。初めに、マッフルを通して市販の純ヘリウム（Ｈｅ）を流量を変えて流しながら酸素濃度を測定した。結果を表１に示す。次いで、マッフルを通して市販の純ヘリウム（Ｈｅ）と１０％の一酸化炭素からなるガスを流量を変えて流しながら酸素濃度を測定した。結果を表２に示す。表１及び２に示されるように、還元性ガスとしての一酸化炭素の使用により、前記マッフル内の環境の酸素濃度は著しく低下する。酸素が低減した環境により、以下の実験で示されるように、ジルコニア・マッフル炉内で延伸されるファイバの強度が向上する。導波路ブランクを、高濃度の炭化ケイ素汚染物で汚染した。平均粒子寸法は６．７４ミクロン、最大寸法は２５ミクロンであった。汚染物を、被覆密度がブランク表面１平方センチメートルあたり２０個をこえるように被着した。前記種付けされたブランクを通常のジルコニア・マッフル炉内で延伸してファイバにした。通常の作業条件（ヘリウム・パージガスのみ）の下では、延伸後のファイバを巻きつけることが困難であり、破断させずに得られたのは２００ないし４００メートルでしかなかった。ほぼ２キロメートルの長さのファイバの強度試験では、低強度破断が平均して１メートルあたりほぼ２個所で生じた。破断源解析により、巻きつけ及び強度試験時の破断が非晶質シリカ層で覆われた炭化ケイ素汚染物によるものであることを確認した。次に、前記ジルコニア・マッフル炉内のヘリウム・パージガスに一酸化炭素を添加して、反応式：２ＣＯ＋Ｏ₂→２ＣＯ₂に従って酸素濃度を低下させた。前記ヘリウム・パージガスに適当な量の一酸化炭素を含む炉環境内に前記ブランクを装填したとき、延伸性能は劇的に向上し、破断なしに６５キロメートルもの長さのファイバが得られた。２００キロメートルをこえる長さのファイバの強度試験及びこれにともなう破断端の解析から、炭化ケイ素による低強度破断はないことが示された。最後に、前記延伸工程をパージガスとしてヘリウムのみを用いて開始し、延伸工程の途中でヘリウムに一酸化炭素を添加した。延伸性能は直ちに劇的に向上し、（一酸化炭素無しでの）巻きつけ不能状態から（一酸化炭素有りでの）１００キロメートルをこえる長さで巻きつけ可能となる状態に変化した。窒化ケイ素汚染物で汚染したブランタでの同様な試験で、同様の結果が得られた。上記実験で示されるように、一酸化炭素の添加によりつくられた酸素が低減した環境により、不活酸化から活性酸化への遷移が生じる。活性酸化により前記汚染物は食刻除去され、破断源をつくらない。本発明に従う延伸炉の好ましい実施の形態を図１に示し、総体として参照数字１０で表示してある。本発明に従えば延伸炉１０には、耐火性酸化物構成部品を有し、耐火性汚染物を有するブランクをファイバ延伸温度まで加熱する延伸部、及び前記延伸部にガスを供給して前記耐火性汚染物の活性酸化を起こさせる環境を延伸部に与える供給装置がある。図１に示すように、前記延伸部１２には耐火性酸化物構成部品である、ジルコニア・マッフル１４がある。前記ジルコニア・マッフルは、加熱コイル１６によって生成され、断熱材１８を通過した熱を分配する。本発明においては、前記延伸部内環境の完全性は、ビーカー上部２０と上部マッフル延長部２２との間に気密シールを形成する高温セラミック接着剤（セラマボンド（ＣＥＲＡＭＡＢＯＮＤ）５０３番：アームコ・プロダクツ（ＡｒｍｃｏＰｒｏｄｕｃｔｓ）社）、及び下部マッフル延長部２６とエルマー（Ｅｌｍｅｒ）管２７との間に気密シールを形成する平−独立気泡シリコーンガスケット２４（材料番号７２０４：グローエンダイク・マニファクチュァ社（ＧｒｏｅｎｄｙｋＭｆｇ．Ｃｏ．））を与えることにより向上している。ブランク支持棒２８がブランク３０を延伸部１２内に保持する。Ｏリング３２は棒２８と、金属箔等でつくられたシール部材３４との間のシールを形成する。前記シール部材３４はエンドキャップ３６に接合し、前記エンドキャップ３４自体は環状部材３８に接合している。図１に示すように、前記供給装置には環状部材３８を貫通して伸びるパイプ４０がある。パイプ４０はガス供給源４２に接続され、ガス供給源４２から前記延伸部１２にガスを供給して、延伸部１２内に前記耐火性汚染物の活性酸化をおこさせ不活酸化を抑える環境を与える。パイプ４０は、毎分２ないし５標準リットルの一定流量でマッフル１４を通してガスを流すことが好ましい。前記流量はファイバ属性の制御を維持するために必要な流量のような要因に基づいて変えることができる。前記ガス供給源４２は、酸素と反応して前記延伸部環境の酸素濃度を低下させる還元ガスを含む、パージガスを供給することが好ましい。前記パージガスはヘリウム及び一酸化炭素からなることがさらに好ましい。一酸化炭素は酸素と反応して二酸化炭素（ＣＯ₂）を生成し、よって前記環境内の酸素濃度を低減する。前記好ましいパージガスを用いる場合、前記ガス供給源４２は例えば、ヘリウム及び一酸化炭素を一緒にした貯留槽であってもよいし、ヘリウム及び一酸化炭素のそれぞれの貯留槽として、それぞれから流出するガスを前記延伸炉に入れる前にあるいは入れながら混合してもよい。しかし一酸化炭素の有毒な性質を考えると、反応によって一酸化炭素を生成する外部炉を用い、よって一酸化炭素の貯留槽を不要にすることが好ましい。図１は、前記外部炉７０を図式的に示している。外部炉７０には、（図示されていないガス貯留槽から供給される）少なくとも１種の無毒性混合ガスと反応して一酸化炭素を生成する反応性材料７２がある。前記反応性材料７２は、前記無毒性混合ガスが通り抜けられる（コーニング社（ＣｏｒｎｉｎｇＩｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ）で製造されているカーボンハニカム基板のような）多孔質カーボンあるいはグラファイト材でよい。前記無毒性混合ガスはヘリウム及び反応性ガスを含むことが好ましい。反応性ガス、これは例えば二酸化炭素あるいは酸素でよい、はカーボン材７２と反応して一酸化炭素を生成する。所望の量の一酸化炭素（約２容積％が好ましい）は、反応性ガス濃度及び反応温度を適当な値にすることで生成できる（前記外部炉７０は大気圧で稼働させることが好ましい）。前記反応性ガスが二酸化炭素である場合、平衡反応式は：ＣＯ₂＋Ｃ＝２ＣＯである。この反応は１０００℃及び大気圧でほぼ完全に（９５％をこえる転化率で）進む。前記反応性ガスが酸素の場合、２つの競合反応：Ｏ₂＋Ｃ＝ＣＯ₂ Ｏ₂＋２Ｃ＝２ＣＯがおこる。一酸化炭素を生成する反応は、高温及び低酸素圧力の下で進みやすい。１０００℃及び大気圧（Ｐ_O2＜０．０５）の下では、熱力学的平衡条件からＣＯ：ＣＯ₂比が１００：１より大きくなるはずであると予想される。前記比は、ガス流量が多すぎて不完全反応がおこる場合は小さくなる。しかしジルコニア・マッフル炉で一般的な流量（毎分４．５標準リットル）は十分小さいので、間違いなく前記反応が速度論的に制限されることはない。このことは、二酸化炭素あるいは酸素のいずれかが前記反応性ガスである場合には、あてはまる。前記好ましい無毒性混合ガスを所望の量の一酸化炭素を生成するために加熱しなければならない以上、前記外部炉７０は加熱装置を含むことが好ましい。前記加熱装置は、加熱コイル７６により発生する熱を分配して前記ガスを好ましい温度である１０００℃まで加熱するマッフル７４を含む。前記マッフル７４は普通アルミナでつくられるが、比較的高い温度に耐えることができ前記外部炉７０を通過するガス流と反応しない材料であればどれでもよい。従って前記外部炉７０は、一酸化炭素貯留槽の保守に内在する危険性をともなわずに、一酸化炭素を含むパージガスを供給することができる。前記パージガスは、活性酸化を促進する酸素濃度を与えるに必要なだけの一酸化炭素を含むことが好ましい。一酸化炭素の所要量は理論的に、例えば（一酸化炭素導入前の）Ｐ_O2より（一酸化炭素導入後の）Ｐ_COを高くするに必要な一酸化炭素量を計算することにより、決定することができる。現在のジルコニア・マッフル炉では、上記条件を満たすためにはパージガス中にほぼ２ないし５％の一酸化炭素が必要である。あるいは、一酸化炭素の所要量は前記延伸部内の酸素濃度を測定し、適当な酸素濃度が得られるように一酸化炭素量を調節することにより決定できる。現在のところ、延伸部内の酸素濃度測定にはデルタ−Ｆ電解検出器が使用できると考えている。通常の延伸機構（図示せず）を前記延伸部環境内のブランクからのファイバ延伸に用いることができる。汚染物を気化させて除去するには延伸速度が遅い方がよいが、選ばれる特定の延伸速度は炉のタイプ及び製品のタイプのような他の要因にも依存する。上述のプロセスの効率を向上させるように、均熱炉を設計した。本均熱炉及びこれを延伸炉とともに使用することは、本明細書と同時に出願された、ジェイ・イー・ディッキンソン（Ｊ．Ｅ．Ｄｉｃｋｉｎｓｏｎ），ディー・ジェイ・ワイシュチェク（Ｄ．Ｊ．Ｗｉｓｓｕｃｈｅｋ），ジェイ・エイ・スナイプス（Ｊ．Ａ．Ｓｎｉｐｅｓ），ジェイ・エル・ダン（Ｊ．Ｌ．Ｄｕｎｎ），ビー・ダブリュー・レディング（Ｂ．Ｗ．Ｒｅｄｉｎｇ），及びジー・エス・グルースマン（Ｇ．Ａ．Ｇｌａｅｓｅｍａｎｎ）の“光導波路の延伸に用いるブランクの汚染物の不活酸化を抑制するための装置及び方法”と題する米国特許出願明細書（弁理士事件整理番号Ａ−８６１４）に開示され、特許請求されている。前記開示は参照として本明細書に含まれる。ブランクが前記延伸炉に入れられる前に汚染物上に形成された不動態層は、前記延伸工程において活性酸化による汚染物の食刻を抑制する。前記不動態層は、酸化反応体及び反応生成物が拡散可能な層を形成することによる前記反応を妨げる。例えば炭化ケイ素及び窒化ケイ素の食刻に対する反応速度は、前記不動態層を通過する一酸化炭素あるいは窒素の拡散速度によって支配される。よって、不動態層のある汚染物を有するブランクに対しては、前記汚染物をその不動態層とともに気化して除去するための活性酸化条件下で、前記延伸工程に十分時間をかけなければならない。前記不動態層が十分厚ければ、延伸工程で汚染物を完全に除去し得ないか、あるいは除去に時間がかかりすぎて前記工程が実用にならなくなる。前記改善された均熱炉は汚染物の不活酸化を抑え、不動態層の形成を防止する。前記改善された均熱炉の実施の形態を図２に示し、総体として参照数字５０で表示する。均熱炉５０は、汚染物の不活酸化を抑える環境を与えるように改良された通常の均熱炉である。均熱炉５０には、ブランクを保管するための区画、及び前記区画にブランクの耐火性汚染物の不活酸化を抑える環境を与えるガスを前記区画に供給する供給装置がある。図２に示すように、ブランク３０を保管するための区画５２は心合わせリング５６及び上部シール５８により中心に置かれるマッフル５４を含む。区画５２の上部は上部シール５８及びカバー６０によりふたをされる。柄６２がカバー６０を貫通してブランク３０を保持する。加熱器及び断熱材６４が前記区画５２を適当な温度、好ましくは約９５０℃に保つ。図示した形態において、供給装置は上部シール５８を貫通して区画５２内に伸びるパイプ６６を含む。パイプ６６はガス貯留槽６８に接続されて前記ガスを貯留槽６８から区画５２に供給し、よって前記汚染物の不活酸化を抑制する環境をつくる。貯留層６８内の前記ガスは、酸素濃度が０．１ｐｐｍ（１００万分率）より低い、市販の純アルゴン（Ａｒ）が好ましい。アルゴンは前記ブランクへの他の不純物の付着を防ぐことにより清浄な環境を与える。またアルゴンは空気より重く、従ってふたがされていない区画内にとどまる。酸素濃度がほぼ８０ｐｐｍの市販の純窒素（Ｎ₂）のようなその他の良性ガスを選ぶこともできる。前記アルゴンガスは、毎分０．５ないし１．０標準リットルの一定流量で前記区画を通して流れることが好ましい。本発明の範囲あるいは精神から逸脱することなく本発明の方法及び装置に種々の変形あるいは変更をなし得ることは、当業者には明らかであろう。例えば、好ましい実施の形態をシリカ含有ブランクからの光導波路ファイバの延伸に関して説明したが、本発明のある形態はその他の適当な材料のファイバの延伸に適用できる。別の例として、本発明を炭化ケイ素及び窒化ケイ素汚染物に関して説明したが、本発明を炭化タングステンのようなその他の酸化可能な耐火性汚染物に用いることができる。本発明のその他の実施の形態は、本明細書及び本明細書に開示した本発明の実施を考察することにより、当業者には明らかであろう。本明細書及び例は単に例示的なものであると見なされるべきであり、本発明の真の範囲及び精神は以下の特許請求の範囲により示されるものであることは当然である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者グリースマン，スコットジーアメリカ合衆国ニューヨーク州 14830 コーニングジョンヒルロード 1039 (72)発明者スナイプス，ジェイムズエイアメリカ合衆国ノースカロライナ州 28405 ウィルミントンストローフィールドドライヴ 6303 (72)発明者タオ，ティンホンアメリカ合衆国ニューヨーク州 14814 ビッグフラッツデイヴンポートロード 165 (72)発明者ウィシュチェック，ドナルドジェイジュニアアメリカ合衆国ニューヨーク州 14845 ホースヘッズアルゴンクインドライヴ 12

Claims

【特許請求の範囲】１．延伸部に耐火性酸化物構成部品を有する延伸装置内でファイバを作成する方法において、前記方法が：耐火性汚染物を有するブランクを前記延伸部に配置し；前記延伸部に前記汚染物を活性酸化する環境を与え；前記環境内で前記ブランクからファイバを延伸する；各工程を含むことを特徴とする方法。２．前記延伸装置が耐火性酸化物マッフルを有する炉を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の方法。３．前記耐火性酸化物マッフルがジルコニアを含むことを特徴とする請求の範囲第２項記載の方法。４．前記汚染物がケイ素化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の方法。５．前記ケイ素化合物が炭化ケイ素及び窒化ケイ素の内の少なくともいずれかであることを特徴とする請求の範囲第４項記載の方法。６．前記環境を与える前記工程が、前記環境の酸素濃度を低下させるための、前記環境内の酸素と反応する還元性ガスを含むパージガスの供給を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の方法。７．前記還元性ガスが一酸化炭素を含むことを特徴とする請求の範囲第６項記載の方法。８．前記パージガスがヘリウム及び一酸化炭素を含むことを特徴とする請求の範囲第６項記載の方法。９．前記ファイバがケイ素を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の方法。 10．前記ファイバが光導波路ファイバであることを特徴とする請求の範囲第１項記載の方法。 11．前記汚染物がケイ素化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第１０項記載の方法。 12．前記延伸装置がジルコニア・マッフルを有する炉を含むことを特徴とする請求の範囲第１１項記載の方法。 13．前記環境を与える前記工程が、前記環境の酸素濃度を低下させるための、前記環境内の酸素と反応する一酸化炭素を含むパージガスの供給を含むことを特徴とする請求の範囲第１１項記載の方法。 14．延伸装置の、耐火性酸化物構成部品を有する、延伸部に配置されたブランクから延伸されるファイバの耐火性汚染物破断源を低減する方法において、前記方法が：前記延伸部に前記汚染物破断源を活性酸化する環境を与える；工程を含むことを特徴とする方法。 15．前記延伸装置が耐火性酸化物マッフルを有する炉を含むことを特徴とする請求の範囲第１４項記載の方法。 16．前記耐火性酸化物マッフルがジルコニアを含むことを特徴とする請求の範囲第１５項記載の方法。 17．前記汚染物破断源がケイ素化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第１４項記載の方法。 18．前記ケイ素化合物が炭化ケイ素及び窒化ケイ素の内の少なくともいずれかであることを特徴とする請求の範囲第１７項記載の方法。 19．前記環境を与える前記工程が、前記環境の酸素濃度を低下させるための、前記環境内の酸素と反応する還元性ガスを含むパージガスの供給を含むことを特徴とする請求の範囲第１４項記載の方法。 20．前記還元性ガスが一酸化炭素を含むことを特徴とする請求の範囲第１９項記載の方法。 21．前記パージガスがヘリウム及び一酸化炭素を含むことを特徴とする請求の範囲第１９項記載の方法。 22．前記ファイバがケイ素を含むことを特徴とする請求の範囲第１４項記載の方法。 23．前記ファイバが光導波路ファイバであることを特徴とする請求の範囲第１４項記載の方法。 24．前記汚染物がケイ素化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第２３項記載の方法。 25．前記延伸装置がジルコニア・マッフルを有する炉を含むことを特徴とする請求の範囲第２４項記載の方法。 26．前記環境を与える前記工程が、前記環境の酸素濃度を低下させるための、前記環境内の酸素と反応する一酸化炭素を含むパージガスの供給を含むことを特徴とする請求の範囲第２４項記載の方法。 27．延伸部に耐火性酸化物構成部品を有するファイバ延伸装置内に配置されたブランクから酸化可能な耐火性汚染物を除去する方法において、前記方法が：前記汚染物を活性酸化し前記汚染物の不活酸化を抑制する環境を前記延伸部に与える；工程を含むことを特徴とする方法。 28．前記延伸装置が耐火性酸化物マッフルを有する炉を含むことを特徴とする請求の範囲第２７項記載の方法。 29．前記耐火性酸化物マッフルがジルコニアを含むことを特徴とする請求の範囲第２８項記載の方法。 30．前記汚染物がケイ素化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第２７項記載の方法。 31．前記ケイ素化合物が炭化ケイ素及び窒化ケイ素の内の少なくともいずれかであることを特徴とする請求の範囲第３０項記載の方法。 32．前記環境を与える前記工程が、前記環境の酸素濃度を低下させるための、前記環境内の酸素と反応する還元性ガスを含むパージガスの供給を含むことを特徴とする請求の範囲第２７項記載の方法。 33．前記還元性ガスが一酸化炭素を含むことを特徴とする請求の範囲第３２項記載の方法。 34．前記パージガスがヘリウム及び一酸化炭素を含むことを特徴とする請求の範囲第３２項記載の方法。 35．前記ファイバがケイ素を含むことを特徴とする請求の範囲第２７項記載の方法。 36．前記ファイバが光導波路ファイバであることを特徴とする請求の範囲第２７項記載の方法。 37．前記汚染物がケイ素化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第３６項記載の方法。 38．前記延伸装置がジルコニア・マッフルを有する炉を含むことを特徴とする請求の範囲第３７項記載の方法。 39．前記環境を与える前記工程が、前記環境の酸素濃度を低下させるための、前記環境内の酸素と反応する一酸化炭素を含むパージガスの供給を含むことを特徴とする請求の範囲第３７項記載の方法。 40．ファイバを作成する装置において、前記装置が：耐火性酸化物構成部品を有し、耐火性汚染物を有するブランクをファイバ延伸温度まで加熱する延伸部；及び前記汚染物を活性酸化する環境を前記延伸部に与えるために前記延伸部にガスを供給する供給装置；を含むことを特徴とする装置。 41．前記装置が炉を含み、前記延伸部が耐火性酸化物マッフルを有することを特徴とする請求の範囲第４０項記載の装置。 42．前記耐火性酸化物マッフルがジルコニアを含むことを特徴とする請求の範囲第４１項記載の装置。 43．前記供給装置が前記環境の酸素濃度を低下させるために前記環境内の酸素と反応する還元性ガスを含むパージガスを供給することを特徴とする請求の範囲第４０項記載の装置。 44．前記還元性ガスが一酸化炭素を含むことを特徴とする請求の範囲第４０項記載の装置。 45．前記パージガスがヘリウム及び一酸化炭素を含むことを特徴とする請求の範囲第４０項記載の装置。 46．前記汚染物がケイ素化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第４０項記載の装置。 47．前記ケイ素化合物が炭化ケイ素及び窒化ケイ素の内の少なくともいずれかであることを特徴とする請求の範囲第４６項記載の装置。 48．前記ファイバがケイ素を含むことを特徴とする請求の範囲第４０項記載の装置。 49．前記ファイバが光導波路ファイバであることを特徴とする請求の範囲第４８項記載の装置。 50．前記汚染物がケイ素化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第４９項記載の装置。 51．前記装置が炉を含み、前記耐火性酸化物構成部品がジルコニア・マッフルであることを特徴とする請求の範囲第５０項記載の装置。 52．前記供給装置が前記環境の酸素濃度を低下させるために前記環境内の酸素と反応する一酸化炭素を含むパージガスを供給することを特徴とする請求の範囲第５０項記載の装置。 53．延伸部に耐火性酸化物構成部品を有する延伸装置内でブランクからファイバを延伸する方法において、前記方法が：前記ブランク内の酸化可能な耐火性汚染物の不活酸化を抑制し；前記汚染物の活性酸化を促進し；前記ブランクから前記ファイバを延伸する；各工程を含むことを特徴とする方法。 54．前記汚染物がケイ素化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第５３項記載の方法。 55．前記ケイ素化合物が炭化ケイ素及び窒化ケイ素の内の少なくともいずれかであることを特徴とする請求の範囲第５４項記載の方法。 56．前記ブランクがケイ素を含むことを特徴とする請求の範囲第５３項記載の方法。 57．前記ファイバが光導波路ファイバであることを特徴とする請求の範囲第５３項記載の方法。