JP2001345657A - 弾性表面波装置およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパークを防止し、不良の発生しない、高品
質な弾性表面波装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 圧電基板1上に、励振電極と反射器電極
とを弾性表面波の伝搬方向に並設して成り、励振電極及
び反射器電極を保護膜で覆うとともに、励振電極と反射
器電極との間に圧電基板の表面を露出した開口部を形成
したことを特徴とする弾性表面波装置とした。また、そ
の製造方法は、圧電基板上に励振電極及び反射器電極を
接続させた状態で形成する工程と、前記励振電極及び前
記反射器電極に保護膜を被覆する工程と、前記励振電極
と前記反射器電極の接続部及び該接続部上の保護膜を除
去して圧電基板の表面を露出させる工程とを含む。
質な弾性表面波装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 圧電基板1上に、励振電極と反射器電極
とを弾性表面波の伝搬方向に並設して成り、励振電極及
び反射器電極を保護膜で覆うとともに、励振電極と反射
器電極との間に圧電基板の表面を露出した開口部を形成
したことを特徴とする弾性表面波装置とした。また、そ
の製造方法は、圧電基板上に励振電極及び反射器電極を
接続させた状態で形成する工程と、前記励振電極及び前
記反射器電極に保護膜を被覆する工程と、前記励振電極
と前記反射器電極の接続部及び該接続部上の保護膜を除
去して圧電基板の表面を露出させる工程とを含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気通信分野にお
いて携帯電話やセルラ電話等の移動体用通信機器に高周
波素子として頻繁に使用される弾性表面波装置及びその
製造方法に関する。
いて携帯電話やセルラ電話等の移動体用通信機器に高周
波素子として頻繁に使用される弾性表面波装置及びその
製造方法に関する。
【0002】
【従来技術とその課題】移動体通信用の弾性表面波装置
は、激化する高周波化・高密度化により割り当て周波数
帯域幅が不足し、その結果搬送周波数の高周波化に反し
て送受信帯域の間隔は広がらず、例えばフィルタの減衰
傾度向上もしくは温度特性向上、もしくは周波数製造偏
差圧縮の要求となって顕在化している。
は、激化する高周波化・高密度化により割り当て周波数
帯域幅が不足し、その結果搬送周波数の高周波化に反し
て送受信帯域の間隔は広がらず、例えばフィルタの減衰
傾度向上もしくは温度特性向上、もしくは周波数製造偏
差圧縮の要求となって顕在化している。
【0003】フィルタの周波数温度特性は広帯域化と共
に増加する傾向にある。この理由は、通過帯域を広帯域
化するにあたり、電気機械結合係数の大きな材料を使用
することが必須条件となり、ところが、電気機械結合係
数の大きな材料は周波数温度係数が大きくなる傾向にあ
るからである。このため、使用温度範囲が広がるとシス
テム側から要求される仕様を満足できない結果となって
いた。
に増加する傾向にある。この理由は、通過帯域を広帯域
化するにあたり、電気機械結合係数の大きな材料を使用
することが必須条件となり、ところが、電気機械結合係
数の大きな材料は周波数温度係数が大きくなる傾向にあ
るからである。このため、使用温度範囲が広がるとシス
テム側から要求される仕様を満足できない結果となって
いた。
【0004】周波数温度特性の補償の方法としては、弾
性表面波共振子に関する方法が富士通株式会社により実
用化された。具体的にはLiTaO3単結晶基板上に作
成したSAW−VCO(Surface Acoustic Wave Volta
ge Control Oscillator:弾性表面波を用いた電圧制御
型発振器)用の弾性表面波共振子の主面にSiO2膜を
数万nmの厚みで成膜し、LiTaO3の温度変動を線
膨張係数の小さいSiO2膜の被覆により温度補償する
方法である。
性表面波共振子に関する方法が富士通株式会社により実
用化された。具体的にはLiTaO3単結晶基板上に作
成したSAW−VCO(Surface Acoustic Wave Volta
ge Control Oscillator:弾性表面波を用いた電圧制御
型発振器)用の弾性表面波共振子の主面にSiO2膜を
数万nmの厚みで成膜し、LiTaO3の温度変動を線
膨張係数の小さいSiO2膜の被覆により温度補償する
方法である。
【0005】図3は従来技術の構造を示す図である。圧
電基板1の主面に励振電極2、入力,出力電極3,4、
接地電極5が形成され、入出力電極および各接地電極間
は励振電極部2で分離されている。さらに、それらの上
に保護膜7が形成され、バンプ接続用窓6も形成されて
いる。保護膜の材質としては周波数温度特性を補償する
CVD法により250℃以上で成膜されたSiO2が良
く、250℃以下で成膜した膜やスパッタ法、蒸着法で
成膜した膜では周波数温度特性が十分に補償されない。
電基板1の主面に励振電極2、入力,出力電極3,4、
接地電極5が形成され、入出力電極および各接地電極間
は励振電極部2で分離されている。さらに、それらの上
に保護膜7が形成され、バンプ接続用窓6も形成されて
いる。保護膜の材質としては周波数温度特性を補償する
CVD法により250℃以上で成膜されたSiO2が良
く、250℃以下で成膜した膜やスパッタ法、蒸着法で
成膜した膜では周波数温度特性が十分に補償されない。
【0006】一方、移動体通信用の弾性表面波装置は、
小型化によりフリップチップ実装が実用化されてきてい
る。フリップチップ実装するためには、弾性表面波素子
の入出力電極及び接地電極上にパッケージと電気的接続
をとるためのバンプを形成しなくてはならない。バンプ
の引っ張り強度を上げるためには、入出力電極及び接地
電極の膜厚を厚く形成することが必要であった。素子特
性を得るために圧電基板上に形成する励振電極の膜厚は
100〜500nm程度であるが、十分な引っ張り強度
を得るためには厚さを600nm以上にしなくてはなら
ず、入力および出力電極3,4や接地電極5は励振電極
部2よりも膜厚を厚く形成してある。
小型化によりフリップチップ実装が実用化されてきてい
る。フリップチップ実装するためには、弾性表面波素子
の入出力電極及び接地電極上にパッケージと電気的接続
をとるためのバンプを形成しなくてはならない。バンプ
の引っ張り強度を上げるためには、入出力電極及び接地
電極の膜厚を厚く形成することが必要であった。素子特
性を得るために圧電基板上に形成する励振電極の膜厚は
100〜500nm程度であるが、十分な引っ張り強度
を得るためには厚さを600nm以上にしなくてはなら
ず、入力および出力電極3,4や接地電極5は励振電極
部2よりも膜厚を厚く形成してある。
【0007】しかしながら、LiTaO3単結晶、Li
NbO3単結晶などの焦電性のある圧電基板を用いる場
合、保護膜を250℃以上の高温成膜する工程で、基板
上の電極間のスパークにより励振電極の損傷が起るとい
う問題がある。これは、圧電基板を高温度状態へ昇温さ
せるときや高温状態から室温へ降温させるときに、基板
の焦電性により基板上の電極間が接続されていない各電
極に静電荷が溜められ、雰囲気中のイオンによる静電荷
の中和に金属膜の面積比が異なることにより不均一性が
現れ、ついで、その電極間に強い電界が発生する。その
ため、雰囲気の絶縁限界に達した際、その最も電界の強
いところで放電(スパーク)が生じるからある。電界の
強度は電極間の間隔が狭い励振電極部で特に強い。前述
したように、この電界を緩和するため電極間でスパーク
が起るため、このスパークの熱衝撃や電荷移動衝撃によ
り、微細な櫛歯状に形成された励振電極の一部が損傷
し、素子特性を劣化させ、歩留りを低下させていた。
NbO3単結晶などの焦電性のある圧電基板を用いる場
合、保護膜を250℃以上の高温成膜する工程で、基板
上の電極間のスパークにより励振電極の損傷が起るとい
う問題がある。これは、圧電基板を高温度状態へ昇温さ
せるときや高温状態から室温へ降温させるときに、基板
の焦電性により基板上の電極間が接続されていない各電
極に静電荷が溜められ、雰囲気中のイオンによる静電荷
の中和に金属膜の面積比が異なることにより不均一性が
現れ、ついで、その電極間に強い電界が発生する。その
ため、雰囲気の絶縁限界に達した際、その最も電界の強
いところで放電(スパーク)が生じるからある。電界の
強度は電極間の間隔が狭い励振電極部で特に強い。前述
したように、この電界を緩和するため電極間でスパーク
が起るため、このスパークの熱衝撃や電荷移動衝撃によ
り、微細な櫛歯状に形成された励振電極の一部が損傷
し、素子特性を劣化させ、歩留りを低下させていた。
【0008】これを解決するひとつの方法として、入出
力電極及び接地電極をダイシングラインに接続したパタ
ーンにする方法がある。ダイシングラインを通して各電
極間の電位差は緩和される。しかし、このような方法を
行っても、電極間が最も近接する励振電極部では急速な
温度変化に対応して電位差を十分に緩和することができ
ず、低い確率ではあるがスパークが発生していた。
力電極及び接地電極をダイシングラインに接続したパタ
ーンにする方法がある。ダイシングラインを通して各電
極間の電位差は緩和される。しかし、このような方法を
行っても、電極間が最も近接する励振電極部では急速な
温度変化に対応して電位差を十分に緩和することができ
ず、低い確率ではあるがスパークが発生していた。
【0009】そこで本発明は、上記事情に鑑みて、スパ
ークを防止し、不良の発生しない、高品質な弾性表面波
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
ークを防止し、不良の発生しない、高品質な弾性表面波
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】以上の問題点を解決する
ため、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、励振
電極と反射器電極とを弾性表面波の伝搬方向に並設して
成る弾性表面波装置であって、前記励振電極及び前記反
射器電極を保護膜で覆うとともに、前記励振電極と前記
反射器電極との間に前記圧電基板の表面を露出した開口
部を形成したことを特徴とする。
ため、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、励振
電極と反射器電極とを弾性表面波の伝搬方向に並設して
成る弾性表面波装置であって、前記励振電極及び前記反
射器電極を保護膜で覆うとともに、前記励振電極と前記
反射器電極との間に前記圧電基板の表面を露出した開口
部を形成したことを特徴とする。
【0011】また、その製造方法は、圧電基板上に励振
電極及び反射器電極を接続させた状態で形成する工程
と、前記励振電極及び前記反射器電極に保護膜を被覆す
る工程と、前記励振電極と前記反射器電極の接続部及び
該接続部上の保護膜を除去して圧電基板の表面を露出さ
せる工程とを含む。
電極及び反射器電極を接続させた状態で形成する工程
と、前記励振電極及び前記反射器電極に保護膜を被覆す
る工程と、前記励振電極と前記反射器電極の接続部及び
該接続部上の保護膜を除去して圧電基板の表面を露出さ
せる工程とを含む。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施形態を図面に基
づき詳細に説明する。
づき詳細に説明する。
【0013】図1は本発明に係る弾性表面波装置の上面
図である。圧電基板1上に励振電極2、入力電極3、出
力電極4、接地電極5が形成されている。該入力電極
3、出力電極4、接地電極5は励振電極部よりも膜厚を
厚く形成されている。電極及び圧電基板上に保護膜7が
形成されている。入力電極3、出力電極4、接地電極5
上の保護膜は除去されバンプ接続用窓6が形成されてい
る。
図である。圧電基板1上に励振電極2、入力電極3、出
力電極4、接地電極5が形成されている。該入力電極
3、出力電極4、接地電極5は励振電極部よりも膜厚を
厚く形成されている。電極及び圧電基板上に保護膜7が
形成されている。入力電極3、出力電極4、接地電極5
上の保護膜は除去されバンプ接続用窓6が形成されてい
る。
【0014】また、入力電極3、出力電極4、接地電極
5に接続部12を介して接続された励振電極部2には保
護膜と電極が除去された開口部8が形成されている。す
なわち、特に励振電極とその両端に配設された反射器電
極との間に、圧電基板の表面を露出した開口部を形成し
ている。これら開口部は保護膜をエッチングするのと同
時に励振電極の接続部分もエッチングする形状になって
いることにより、保護膜成膜時には各電極間のスパーク
を防止することができるとともに、保護膜形成後に励振
電極を分離して所望の励振電極形状を得ることができ
る。
5に接続部12を介して接続された励振電極部2には保
護膜と電極が除去された開口部8が形成されている。す
なわち、特に励振電極とその両端に配設された反射器電
極との間に、圧電基板の表面を露出した開口部を形成し
ている。これら開口部は保護膜をエッチングするのと同
時に励振電極の接続部分もエッチングする形状になって
いることにより、保護膜成膜時には各電極間のスパーク
を防止することができるとともに、保護膜形成後に励振
電極を分離して所望の励振電極形状を得ることができ
る。
【0015】以下に本発明の製造方法を説明する。図4
は本発明における保護膜形成前の図1中のA−A’線の
端面を示したものである。LiTaO3単結晶、LiN
bO3単結晶などの圧電基板1上にアルミニウム、アル
ミニウム合金などをスパッタ法、蒸着法などにより成膜
する。このとき、金属成膜する厚みは、弾性表面波の伝
搬損失を与えない適当な厚みにすることが好ましい。次
にフォトリソグラフィとエッチングにより励振電極部2
を形成する。
は本発明における保護膜形成前の図1中のA−A’線の
端面を示したものである。LiTaO3単結晶、LiN
bO3単結晶などの圧電基板1上にアルミニウム、アル
ミニウム合金などをスパッタ法、蒸着法などにより成膜
する。このとき、金属成膜する厚みは、弾性表面波の伝
搬損失を与えない適当な厚みにすることが好ましい。次
にフォトリソグラフィとエッチングにより励振電極部2
を形成する。
【0016】また、入力電極3、出力電極4、接地電極
5を厚くするため、リフトオフ法により入力電極3、出
力電極4、接地電極5の部分を抜いたレジストを形成
し、その上に、アルミニウム、アルミニウム合金などを
スパッタ法、蒸着法などにより成膜する。この後、レジ
ストを溶解し、レジスト上の金属膜を取り去る。このと
きの金属膜の膜厚は600nm以上が好ましい。
5を厚くするため、リフトオフ法により入力電極3、出
力電極4、接地電極5の部分を抜いたレジストを形成
し、その上に、アルミニウム、アルミニウム合金などを
スパッタ法、蒸着法などにより成膜する。この後、レジ
ストを溶解し、レジスト上の金属膜を取り去る。このと
きの金属膜の膜厚は600nm以上が好ましい。
【0017】図2に本発明におけるこれらの工程を終了
した、保護膜形成前の平面図を示す。励振電極2におい
て図3の開口部8に本来分離されるべき部分が接続され
ている。すなわち、励振電極及び反射器電極を接続させ
た状態で形成する。
した、保護膜形成前の平面図を示す。励振電極2におい
て図3の開口部8に本来分離されるべき部分が接続され
ている。すなわち、励振電極及び反射器電極を接続させ
た状態で形成する。
【0018】一般的には、最初に微細加工を施すべき励
振電極2を加工し、その後入力電極3、出力電極4、接
地電極5を厚くした電極を形成した方がパターン不良を
少なくすることができるが、さほど励振電極2に精度が
必要でないか、若しくは、後入力電極3、出力電極4、
接地電極5を厚くした電極に精度が必要な場合、成膜順
序を変更しても良い。
振電極2を加工し、その後入力電極3、出力電極4、接
地電極5を厚くした電極を形成した方がパターン不良を
少なくすることができるが、さほど励振電極2に精度が
必要でないか、若しくは、後入力電極3、出力電極4、
接地電極5を厚くした電極に精度が必要な場合、成膜順
序を変更しても良い。
【0019】図5は本発明における保護膜成膜後の図1
中のA−A’線端面図である。保護膜7となるSiO2
はCVD法、スパッタ法などにより250℃の成膜温度
で成膜する。このとき励振電極は8の部分で接続されて
いるので焦電効果によるスパークは発生しない。
中のA−A’線端面図である。保護膜7となるSiO2
はCVD法、スパッタ法などにより250℃の成膜温度
で成膜する。このとき励振電極は8の部分で接続されて
いるので焦電効果によるスパークは発生しない。
【0020】図6は本発明における保護膜をパターンニ
ングするためのフォトレジスト9を形成したときのA−
A’断面である。このときのパターンは入力電極3、出
力電極4と接地電極5のSiO2を除去する形状と励振
電極2の接続部分8を除去する形状となっている。
ングするためのフォトレジスト9を形成したときのA−
A’断面である。このときのパターンは入力電極3、出
力電極4と接地電極5のSiO2を除去する形状と励振
電極2の接続部分8を除去する形状となっている。
【0021】図7は本発明において保護膜と電極をエッ
チングにより除去したときのA−A’断面を示すもので
ある。はじめにRIE法によりSiO2を除去する。続
いてRIE法により電極の接続部分8を除去する。エッ
チングは励振電極部分のエッチングが終了した時点で終
了させる。このとき入力電極3、出力電極4、接地電極
5部分は予め厚く形成されているため電極がエッチング
されてなくなってしまうことがない。
チングにより除去したときのA−A’断面を示すもので
ある。はじめにRIE法によりSiO2を除去する。続
いてRIE法により電極の接続部分8を除去する。エッ
チングは励振電極部分のエッチングが終了した時点で終
了させる。このとき入力電極3、出力電極4、接地電極
5部分は予め厚く形成されているため電極がエッチング
されてなくなってしまうことがない。
【0022】図8は本発明でレジストを除去した後のA
−A’断面である。励振電極2が分離され所望のパター
ンが得られる。このようにして、本発明の弾性表面波装
置を形成し得ることが可能である。
−A’断面である。励振電極2が分離され所望のパター
ンが得られる。このようにして、本発明の弾性表面波装
置を形成し得ることが可能である。
【0023】また、図9は本発明に係る別の実施形態の
励振電極および開口部付近を示す上面図である。励振電
極2と反射器電極11の間の微小な電極面積部を電極膜
付け時には形成されているが、保護膜成膜工程後に開口
部8を設けて共振子とするものである。微小な面積を加
工するだけで良いため、弾性表面波装置の電極面積が小
さくなり、延いては圧電基板材料の使用量が削減される
ため、コスト削減が可能である。
励振電極および開口部付近を示す上面図である。励振電
極2と反射器電極11の間の微小な電極面積部を電極膜
付け時には形成されているが、保護膜成膜工程後に開口
部8を設けて共振子とするものである。微小な面積を加
工するだけで良いため、弾性表面波装置の電極面積が小
さくなり、延いては圧電基板材料の使用量が削減される
ため、コスト削減が可能である。
【0024】またさらに、図10は本発明に係る別の実
施形態の励振電極および開口部付近を示す上面図であ
る。励振電極2と反射器電極11の間にジャンパ線状の
バスバー10を設け、保護膜成膜工程後にそのバスバー
10の一部に開口部8を設けて共振子とするものであ
る。前述のジャンパ線状のバスバー10であるため、励
振電極や反射器電極の微細電極まで距離を大きく取るこ
とが可能であり、開口部形成に際し、フォトリソグラフ
ィ等のエッチング加工工程の加工精度を緩和することで
きる。そのため、開口部形成加工が簡便になり、コスト
削減が可能である。
施形態の励振電極および開口部付近を示す上面図であ
る。励振電極2と反射器電極11の間にジャンパ線状の
バスバー10を設け、保護膜成膜工程後にそのバスバー
10の一部に開口部8を設けて共振子とするものであ
る。前述のジャンパ線状のバスバー10であるため、励
振電極や反射器電極の微細電極まで距離を大きく取るこ
とが可能であり、開口部形成に際し、フォトリソグラフ
ィ等のエッチング加工工程の加工精度を緩和することで
きる。そのため、開口部形成加工が簡便になり、コスト
削減が可能である。
【0025】また、同様に接続部12とバスバー10の
間に開口部8を設けた構造にしても同じ効果が得られ
る。
間に開口部8を設けた構造にしても同じ効果が得られ
る。
【0026】また、IDT電極および反射器電極は、A
lもしくはAl合金(Al−Cu系、Al−Ti系)か
らなり、蒸着法、スパッタ法、またはCVD法などの薄
膜形成法により形成する。電極厚みは0.1μm〜0.
5μm程度とすることがSAW装置としての特性を得る
うえで好適である。
lもしくはAl合金(Al−Cu系、Al−Ti系)か
らなり、蒸着法、スパッタ法、またはCVD法などの薄
膜形成法により形成する。電極厚みは0.1μm〜0.
5μm程度とすることがSAW装置としての特性を得る
うえで好適である。
【0027】また、本発明に係る弾性表面波装置の電極
および圧電基板上のSAW伝搬部にSi、SiO2、S
iN、Al2O3を保護膜として形成して、導電性異物
による通電防止や耐電力向上を行ってもかまわない。
および圧電基板上のSAW伝搬部にSi、SiO2、S
iN、Al2O3を保護膜として形成して、導電性異物
による通電防止や耐電力向上を行ってもかまわない。
【0028】かくして、本発明の弾性表面波装置及びそ
の製造方法によれば、スパークを防止し、不良の発生し
ない、高品質な弾性表面波装置を提供できる。
の製造方法によれば、スパークを防止し、不良の発生し
ない、高品質な弾性表面波装置を提供できる。
【0029】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変更は何ら差し支えない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変更は何ら差し支えない。
【0030】
【実施例】次に図4に示した弾性表面波装置の基本的な
構造にしたがって具体的に作成したラダー型弾性表面波
フィルタについて説明する。
構造にしたがって具体的に作成したラダー型弾性表面波
フィルタについて説明する。
【0031】42度回転YカットX伝搬のLiTaO3
単結晶からなる圧電基板上に、スパッタ法によりAl−
1wt%Cu膜を200nm成膜した。
単結晶からなる圧電基板上に、スパッタ法によりAl−
1wt%Cu膜を200nm成膜した。
【0032】次にフォトリソグラフィとエッチング工程
を用い接続された励振電極部分を作成した。作成したラ
ダー型弾性表面波フィルタは、1900MHz帯の弾性
表面波フィルタで、励振電極部の最小電極幅および電極
スペースはそれぞれ約0.5μmである。
を用い接続された励振電極部分を作成した。作成したラ
ダー型弾性表面波フィルタは、1900MHz帯の弾性
表面波フィルタで、励振電極部の最小電極幅および電極
スペースはそれぞれ約0.5μmである。
【0033】ついで、その上にレジストを塗布し、入力
電極、出力電極、接地電極部分をフォトリソグラフィを
用いて取り除き、その上に、蒸着法により800nmの
アルミニウム膜を成膜した。
電極、出力電極、接地電極部分をフォトリソグラフィを
用いて取り除き、その上に、蒸着法により800nmの
アルミニウム膜を成膜した。
【0034】その後、レジストリムーバでレジストを溶
解し、レジスト上の金属膜を取り払い、入力電極、出力
電極、接地電極部分を厚く形成した。
解し、レジスト上の金属膜を取り払い、入力電極、出力
電極、接地電極部分を厚く形成した。
【0035】フィルタの構成は励振電極を5個使用した
ラダー型弾性表面波フィルタであり、夫々の励振電極の
構成は低損失と高帯域外減衰量を得るため直列側と並列
側の容量比を最大限大きくとってある。
ラダー型弾性表面波フィルタであり、夫々の励振電極の
構成は低損失と高帯域外減衰量を得るため直列側と並列
側の容量比を最大限大きくとってある。
【0036】弾性表面波共振子の構成は、弾性表面波励
振電極2の対数が直列側にて約60対並列側で約100
対、交差幅は直列側15λ、並列側30λ(但し、λ:
弾性表面波素子の平均波長と一致)である。
振電極2の対数が直列側にて約60対並列側で約100
対、交差幅は直列側15λ、並列側30λ(但し、λ:
弾性表面波素子の平均波長と一致)である。
【0037】その次に、保護膜は原料ガスにTEOSと
O2を用い、CVD法により温度300℃でSiO2膜を
20nm成膜した。
O2を用い、CVD法により温度300℃でSiO2膜を
20nm成膜した。
【0038】基板上にフォトレジストを再塗布し、フォ
トリソグラフィ法を用いて入力電極、出力電極、接地電
極部と励振電極の接続部分を選択的に露出させた後、R
IE(リアクティブ・イオン・エッチング)装置を利用
して保護膜を除去した。エッチングの際使用した反応性
ガスはCF4,O2を主成分として選択した。RIEは方
向選択性が強いためフォトリソグラフィ工程で得られた
フォトレジスト寸法どおり電極を露出することができ
る。続いてRIEにより励振電極を接続させているAl
−1wt%Cuを除去した。この時用いたガスはBCl
3とN2である。エッチング時間はAl−1wt%Cu膜
20nmをエッチングする時間に設定した。
トリソグラフィ法を用いて入力電極、出力電極、接地電
極部と励振電極の接続部分を選択的に露出させた後、R
IE(リアクティブ・イオン・エッチング)装置を利用
して保護膜を除去した。エッチングの際使用した反応性
ガスはCF4,O2を主成分として選択した。RIEは方
向選択性が強いためフォトリソグラフィ工程で得られた
フォトレジスト寸法どおり電極を露出することができ
る。続いてRIEにより励振電極を接続させているAl
−1wt%Cuを除去した。この時用いたガスはBCl
3とN2である。エッチング時間はAl−1wt%Cu膜
20nmをエッチングする時間に設定した。
【0039】弾性表面波素子を作製したLiTaO3圧
電基板は0.35mmの厚みのものを使用した。これ
は、圧電基板の厚みがこれ以上厚くなると、装置の総厚
みに影響与え低背位化の妨げになり、これ以下の厚みに
なると電極加工プロセス中に基板が破損しやすくなり、
歩留まりが著しく低下するためである。
電基板は0.35mmの厚みのものを使用した。これ
は、圧電基板の厚みがこれ以上厚くなると、装置の総厚
みに影響与え低背位化の妨げになり、これ以下の厚みに
なると電極加工プロセス中に基板が破損しやすくなり、
歩留まりが著しく低下するためである。
【0040】素子の電気的特性の測定にはネットワーク
アナライザを使用し、1900MHzにおいて良好な電
気的特性を確認できた。また基板内で特性を測定した素
子のうち不良であったものを外観検査した。そのうちス
パークによる不良は約0.5%で従来の2%より低減し
ていた。
アナライザを使用し、1900MHzにおいて良好な電
気的特性を確認できた。また基板内で特性を測定した素
子のうち不良であったものを外観検査した。そのうちス
パークによる不良は約0.5%で従来の2%より低減し
ていた。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の弾性表面
波装置および製造方法によれば、励振電極及び反射器電
極を作製する場合に、その上に被覆させる保護膜を高温
でスパークを発生させることなく成膜することができた
め、スパークによる不良を極力低減できるとともに、弾
性表面波装置の周波数温度特性を保証することができ、
信頼性の高い弾性表面波装置及びその製造方法を提供で
きる。
波装置および製造方法によれば、励振電極及び反射器電
極を作製する場合に、その上に被覆させる保護膜を高温
でスパークを発生させることなく成膜することができた
め、スパークによる不良を極力低減できるとともに、弾
性表面波装置の周波数温度特性を保証することができ、
信頼性の高い弾性表面波装置及びその製造方法を提供で
きる。
【図1】本発明の弾性表面波装置を模式的に図示した平
面図である。
面図である。
【図2】本発明の保護膜形成前の電極形状を模式的に図
示した示した平面図である。
示した示した平面図である。
【図3】従来の弾性表面波装置を模式的に図示した平面
図である。
図である。
【図4】本発明の製造工程(保護膜形成前)を模式的に
図示した断面図である。
図示した断面図である。
【図5】本発明の製造工程(保護膜形成後)を模式的に
図示した断面図である。
図示した断面図である。
【図6】本発明の製造工程(保護膜をパターンニングす
るためのレジスト形成)を模式的に図示した断面図であ
る。
るためのレジスト形成)を模式的に図示した断面図であ
る。
【図7】本発明の製造工程(保護膜と電極のエッチング
除去)を模式的に図示した断面図である。
除去)を模式的に図示した断面図である。
【図8】本発明の製造工程(レジスト除去後)を模式的
に図示した断面図である。
に図示した断面図である。
【図9】本発明に係る他の実施形態の励振電極および開
口部付近を示す上面図である。
口部付近を示す上面図である。
【図10】本発明に係る他の実施形態の励振電極および
開口部付近を示す上面図である。
開口部付近を示す上面図である。
1:圧電基板 2:励振電極 3:入力電極 4:出力電極 5:接地電極 6:バンプ接続用窓 7:保護膜 8:開口部 9:フォトレジスト 10:バスバー 11:反射器電極 12:接続部
Claims (2)
- 【請求項1】 圧電基板上に、励振電極と反射器電極と
を弾性表面波の伝搬方向に並設して成る弾性表面波装置
であって、前記励振電極及び前記反射器電極を保護膜で
覆うとともに、前記励振電極と前記反射器電極との間に
前記圧電基板の表面を露出した開口部を形成したことを
特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項2】 圧電基板上に励振電極及び反射器電極を
接続させた状態で形成する工程と、前記励振電極及び前
記反射器電極に保護膜を被覆する工程と、前記励振電極
と前記反射器電極の接続部及び該接続部上の保護膜を除
去して前記圧電基板の表面を露出させる工程とを含む弾
性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000162246A JP2001345657A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000162246A JP2001345657A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001345657A true JP2001345657A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18666167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000162246A Pending JP2001345657A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001345657A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005002049A1 (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波素子 |
WO2023058579A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000162246A patent/JP2001345657A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005002049A1 (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波素子 |
US7282835B2 (en) | 2003-06-26 | 2007-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave element |
WO2023058579A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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