JPS59210716A - 表面波デバイス用基板 - Google Patents
表面波デバイス用基板Info
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- JPS59210716A JPS59210716A JP8444883A JP8444883A JPS59210716A JP S59210716 A JPS59210716 A JP S59210716A JP 8444883 A JP8444883 A JP 8444883A JP 8444883 A JP8444883 A JP 8444883A JP S59210716 A JPS59210716 A JP S59210716A
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- thin film
- wave device
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、弾性表面波デバイス用の基板に関するもので
、特に高精度の弾性表面波デバイス用の基板に関してい
る。
、特に高精度の弾性表面波デバイス用の基板に関してい
る。
従来例の構成とその問題点
高精度の固体化フィルタ、共振器、遅延素子などに弾性
表面波デバイスが有用であるとされているか、弾性表面
波デバイスを生産すると使用材料の特性バラツキのため
、例えば弾性表面波フィルりの中心周波数のバラツキが
0.05%以上である。
表面波デバイスが有用であるとされているか、弾性表面
波デバイスを生産すると使用材料の特性バラツキのため
、例えば弾性表面波フィルりの中心周波数のバラツキが
0.05%以上である。
一方、最近の情報機器では中心周波数の・くラツキは、
この値よりさらに1桁以上小さいことが要求されるため
、一般には選別という手段で生産されている。しかし、
この場合、より高精度のデノ(イスを大量に生産するこ
とは不可能であるため、高精度の弾性表面波デバイス用
材料の開発が強く要請されていた。本発明はこの要請に
応するものである。
この値よりさらに1桁以上小さいことが要求されるため
、一般には選別という手段で生産されている。しかし、
この場合、より高精度のデノ(イスを大量に生産するこ
とは不可能であるため、高精度の弾性表面波デバイス用
材料の開発が強く要請されていた。本発明はこの要請に
応するものである。
発明の目的
発明の構成
本発明は、基体表面を不整格子配列の薄膜で被覆された
層状構造基板の上記不整格子配列の薄膜の膜厚が1Q八
から0.032(λ:層状構造基板における表面波の波
長)の範囲にあることを特徴とするもので、共振子、フ
ィルタ等の表面波デバイスに好適な表面波デバイス用基
板を提供するものである。
層状構造基板の上記不整格子配列の薄膜の膜厚が1Q八
から0.032(λ:層状構造基板における表面波の波
長)の範囲にあることを特徴とするもので、共振子、フ
ィルタ等の表面波デバイスに好適な表面波デバイス用基
板を提供するものである。
実施例の説明
以下、図と実施例により本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の高精度の弾性表面波デバイス用基板
の要部構造を示す。すなわち、第1図10は表面弾性波
デバイスの要部構造を示すもので、弾性表面波11が伝
搬する基板12の上に、不整格子配列の薄膜13を、厚
さ10八から0.o3λ():弾性表面波の波長)の範
囲で蒸着した層状構造を有している。
の要部構造を示す。すなわち、第1図10は表面弾性波
デバイスの要部構造を示すもので、弾性表面波11が伝
搬する基板12の上に、不整格子配列の薄膜13を、厚
さ10八から0.o3λ():弾性表面波の波長)の範
囲で蒸着した層状構造を有している。
すなわち、通常弾性表面波デバイスの周波数特性例えば
弾性表面波フィルタの中心周波数f。は、fo−v/λ
(■:弾性表面波の伝搬速度)の関係で決する。この場
合、λは1例えば弾性表面波励振用のインターディジタ
ル電極の幾可学的寸法で決まり、その設計値の寸法に加
工することは容易である。したかって、この種のデバイ
スを製造するときに問題になるのは、弾性表面波の伝搬
速度Vの基板材料によるバラツキに起因したf。のバラ
ツキである。foのバラツキは基板材料の物性定数例え
ばヤング率、密度、ボアノン比などのバラツキに起因し
たり、あるいは単結晶基板では弾性表面波の伝搬方向の
設定のバラツキなども加わったりして複雑である。した
がって、これらのバラツキを減らすことは通常の技術で
は容易ではない。
弾性表面波フィルタの中心周波数f。は、fo−v/λ
(■:弾性表面波の伝搬速度)の関係で決する。この場
合、λは1例えば弾性表面波励振用のインターディジタ
ル電極の幾可学的寸法で決まり、その設計値の寸法に加
工することは容易である。したかって、この種のデバイ
スを製造するときに問題になるのは、弾性表面波の伝搬
速度Vの基板材料によるバラツキに起因したf。のバラ
ツキである。foのバラツキは基板材料の物性定数例え
ばヤング率、密度、ボアノン比などのバラツキに起因し
たり、あるいは単結晶基板では弾性表面波の伝搬方向の
設定のバラツキなども加わったりして複雑である。した
がって、これらのバラツキを減らすことは通常の技術で
は容易ではない。
一方2本発明は、従来のf。のバラツキに関して、10
0八程度の薄い薄膜でかつ結晶化の進んでいない不整格
子配列した薄膜アモルファス構造で、この種の薄膜は冷
却基板上に例えば蒸着プロセスで薄膜を形成するとき、
その薄膜の成長過程でしばしば見られる。この薄膜は島
状構造の薄膜が層状に積層されて、その状態が凍結され
た構造を示す。)を、弾性表面波の伝搬路上に例えば室
温程度に冷してスパッタ蒸着すると、蒸着時間を変えて
上記不整格子配列した薄膜の膜厚を調整するだけで容易
にf。を調整しうるという本発明者らの発見に基づくも
のである。第2図に、具体的な実施例を示す。水晶基板
上に形成した弾性表面波フィルタの弾性表面波の伝搬路
に、スパッタ法でSiC2の不整路に配列した薄膜を形
成した時の膜厚とf。との関係を曲線21に示す。曲線
21は、foの変化が膜厚により負から正に変化するこ
とを示すとともに、この変化を用いると膜厚によりf。
0八程度の薄い薄膜でかつ結晶化の進んでいない不整格
子配列した薄膜アモルファス構造で、この種の薄膜は冷
却基板上に例えば蒸着プロセスで薄膜を形成するとき、
その薄膜の成長過程でしばしば見られる。この薄膜は島
状構造の薄膜が層状に積層されて、その状態が凍結され
た構造を示す。)を、弾性表面波の伝搬路上に例えば室
温程度に冷してスパッタ蒸着すると、蒸着時間を変えて
上記不整格子配列した薄膜の膜厚を調整するだけで容易
にf。を調整しうるという本発明者らの発見に基づくも
のである。第2図に、具体的な実施例を示す。水晶基板
上に形成した弾性表面波フィルタの弾性表面波の伝搬路
に、スパッタ法でSiC2の不整路に配列した薄膜を形
成した時の膜厚とf。との関係を曲線21に示す。曲線
21は、foの変化が膜厚により負から正に変化するこ
とを示すとともに、この変化を用いると膜厚によりf。
を正負の方向に任意に調整できることを示すっこの場合
、膜厚が薄すぎて、例えば蒸着され/c、1.7膜の厚
さが例えば10八以下になると蒸着され/ζ薄膜が連続
膜にならず特性の再現性がない。
、膜厚が薄すぎて、例えば蒸着され/c、1.7膜の厚
さが例えば10八以下になると蒸着され/ζ薄膜が連続
膜にならず特性の再現性がない。
1に逆に膜厚が厚すぎて例えば膜厚が0.03λ(λ:
表面波の波長)以上になると曲線22が示すごとく挿入
損失が通常の回路設計に問題になる1dB以上に増加し
、実用性に欠く。なお、この構造では、foとSt○2
薄膜の膜厚との関係は、理論的には第2図曲線23のご
とく単調にf。が増加すると考えられていた。したがっ
て、第2図曲線21でのfoの負から正への転換(極小
点の存在)は、通常の格子の整った薄膜では見られない
もので、本発明にかかる不整格子配列の薄膜の特徴でも
ある。
表面波の波長)以上になると曲線22が示すごとく挿入
損失が通常の回路設計に問題になる1dB以上に増加し
、実用性に欠く。なお、この構造では、foとSt○2
薄膜の膜厚との関係は、理論的には第2図曲線23のご
とく単調にf。が増加すると考えられていた。したがっ
て、第2図曲線21でのfoの負から正への転換(極小
点の存在)は、通常の格子の整った薄膜では見られない
もので、本発明にかかる不整格子配列の薄膜の特徴でも
ある。
なお、不整格子配列の薄膜13の膜厚によるf。
の特異な変化21は、上述したように、この種の薄膜の
通常のバルク材料との物性の差を示しており、これは−
1′た第3図曲線31に示すような屈折率の膜厚による
特異な変化からも推察される。この曲線31によれば、
薄い薄膜ではバルクより屈折率が少さく、一定膜厚にな
るとバルク値に近づくことがわかる。
通常のバルク材料との物性の差を示しており、これは−
1′た第3図曲線31に示すような屈折率の膜厚による
特異な変化からも推察される。この曲線31によれば、
薄い薄膜ではバルクより屈折率が少さく、一定膜厚にな
るとバルク値に近づくことがわかる。
また、この種の層状構成において1、不整格子配列の薄
膜の組成は、化学的に安定で、かつ弾性表面波の伝搬に
大きなさまたげにならなければよく、上述した5102
のような酸化物以外に、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ムのような窒化物、シリコンカーバイト、ボロンカーバ
イトなどの炭化物。
膜の組成は、化学的に安定で、かつ弾性表面波の伝搬に
大きなさまたげにならなければよく、上述した5102
のような酸化物以外に、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ムのような窒化物、シリコンカーバイト、ボロンカーバ
イトなどの炭化物。
ボロン、ボロン化シリコンなどの硼化物、 A s 2
Se3などのカルコゲ−ナイトなども有効であることを
本発明者らは確認した。ただ、薄膜13の膜厚により、
第2図曲線21のとと〈foに正負の特異な変化特性を
得るには、例えば、基板12の音速が薄膜13の音速の
バルク値と薄膜13の不整格子配列秋態の場合の値の間
の値である必要があり、このためには例えば基板12が
水晶単結晶であるときは、例えば水晶と化学組成が同一
のS z 02の薄膜13を用いる。なお、ガラス材料
を例えば基板12に用いると、広範囲の音速の基板が得
られるから、この種の層状構造の基板として有効であこ
のような層状構造の基板は、各種の弾性表面波デバイス
の形成に有効であり、例えば弾性表面波フィルタ、遅延
素子2発振子などに広範囲に実用されることを本発明者
らは確認した。
Se3などのカルコゲ−ナイトなども有効であることを
本発明者らは確認した。ただ、薄膜13の膜厚により、
第2図曲線21のとと〈foに正負の特異な変化特性を
得るには、例えば、基板12の音速が薄膜13の音速の
バルク値と薄膜13の不整格子配列秋態の場合の値の間
の値である必要があり、このためには例えば基板12が
水晶単結晶であるときは、例えば水晶と化学組成が同一
のS z 02の薄膜13を用いる。なお、ガラス材料
を例えば基板12に用いると、広範囲の音速の基板が得
られるから、この種の層状構造の基板として有効であこ
のような層状構造の基板は、各種の弾性表面波デバイス
の形成に有効であり、例えば弾性表面波フィルタ、遅延
素子2発振子などに広範囲に実用されることを本発明者
らは確認した。
第4図40は基板12に上述した例のごとく圧電結晶を
用い、一対の送受信用の弾性表面波励振用櫛型電極より
なるインターディジタルトランスデユーサ(IDT)4
1を設けた所謂4端子構造の弾性裏面波フィルタである
が、ここではIDT部に7:、り膜13を設けている。
用い、一対の送受信用の弾性表面波励振用櫛型電極より
なるインターディジタルトランスデユーサ(IDT)4
1を設けた所謂4端子構造の弾性裏面波フィルタである
が、ここではIDT部に7:、り膜13を設けている。
基板12に用いる圧電体としては、水晶以外にLiNb
O3,LiTaos。
O3,LiTaos。
CdS、Zn○、A6N、GaAs、pZT(PbZr
、Ti1−xO)などがよく、この場合、例えば水晶は
超高安定用、 L I N bo3. p Z Tは高
結合用(広帯域用) 、 LiTaos 、 Z n
Oは高安定用の弾性表面波デバイスの形成に有効である
。また、G a A s結晶は、G a A s半導体
素子と弾性表面波デノくイスとのモノリシック化に有効
である。
、Ti1−xO)などがよく、この場合、例えば水晶は
超高安定用、 L I N bo3. p Z Tは高
結合用(広帯域用) 、 LiTaos 、 Z n
Oは高安定用の弾性表面波デバイスの形成に有効である
。また、G a A s結晶は、G a A s半導体
素子と弾性表面波デノくイスとのモノリシック化に有効
である。
さらに、これらの圧電性基板に適した不整格子配列の薄
膜材料としては、水晶では5102 、 L lNb0
ではLiNb0 LiTa0 ではL z T
a Osの3 3、 3 ごとく基板と同一組成が有用であることを本発明者らは
確認した。
膜材料としては、水晶では5102 、 L lNb0
ではLiNb0 LiTa0 ではL z T
a Osの3 3、 3 ごとく基板と同一組成が有用であることを本発明者らは
確認した。
第5図60は、基板12を非圧電性基板121上に圧電
性薄膜122を蒸着した積層構造で構成した弾性表面波
遅延線の構造を示す。この場合、非圧電性基板121は
弾性表面波の伝搬速度の温度変化が小さい例えば零温度
係数ガラスを用い、圧電性薄膜122には例えばC軸配
向したZnO圧電薄膜を用いる。また、遅延線の特性周
波数の子配列の薄膜13をつづいて蒸着し、最後に送受
信用のIDT部1を形成する。この基板121として、
ガラス以外にサファイア、スピネル、マグネシアのよう
な絶縁体あるいはStのような半導体を用いると、これ
らの基板上に良質の圧電性薄膜が形成され、弾性表面波
デバイスと半導体、光デバイスなどとのモノリシック化
にも有効である。
性薄膜122を蒸着した積層構造で構成した弾性表面波
遅延線の構造を示す。この場合、非圧電性基板121は
弾性表面波の伝搬速度の温度変化が小さい例えば零温度
係数ガラスを用い、圧電性薄膜122には例えばC軸配
向したZnO圧電薄膜を用いる。また、遅延線の特性周
波数の子配列の薄膜13をつづいて蒸着し、最後に送受
信用のIDT部1を形成する。この基板121として、
ガラス以外にサファイア、スピネル、マグネシアのよう
な絶縁体あるいはStのような半導体を用いると、これ
らの基板上に良質の圧電性薄膜が形成され、弾性表面波
デバイスと半導体、光デバイスなどとのモノリシック化
にも有効である。
さらに、本発明者らはこの種の層状基板を用いると、第
6図60に示すような共振子の形成にも有効であること
を確認した。この共振子は、例えば基板12にSTカッ
ト水晶を用い、中央部に一対のIDT61、端部にグレ
ーテング構造の反射器62を設ける。この場合、主成分
が5102の不整格子配列の薄膜13を、反射器62の
上部に積層し、この薄膜13の膜厚を所望の値にして共
振子の中心周波数f。を所望の値にする。 この例以外
に、例えば非圧電性基板12を用いるときは、中央部の
IDTは薄膜圧電体を積層した所謂薄膜トランステユー
ザの構造を用いる。また、反射器は非圧電性基板上に形
成する場合は、上述したグレーテング構造を用いるが、
圧電性基板の場合は反#J器はグレーテング構造以外に
例えばへ4蒸着膜からなるインターデジタル電極でも形
成しうるから、この場合、上記薄膜13は、インターデ
ジタル電極の上に形成する。当然のことながら、これら
の反射器は、薄膜13を最適の薄膜に蒸着してから、こ
の薄膜13の±に形成してもよい。
6図60に示すような共振子の形成にも有効であること
を確認した。この共振子は、例えば基板12にSTカッ
ト水晶を用い、中央部に一対のIDT61、端部にグレ
ーテング構造の反射器62を設ける。この場合、主成分
が5102の不整格子配列の薄膜13を、反射器62の
上部に積層し、この薄膜13の膜厚を所望の値にして共
振子の中心周波数f。を所望の値にする。 この例以外
に、例えば非圧電性基板12を用いるときは、中央部の
IDTは薄膜圧電体を積層した所謂薄膜トランステユー
ザの構造を用いる。また、反射器は非圧電性基板上に形
成する場合は、上述したグレーテング構造を用いるが、
圧電性基板の場合は反#J器はグレーテング構造以外に
例えばへ4蒸着膜からなるインターデジタル電極でも形
成しうるから、この場合、上記薄膜13は、インターデ
ジタル電極の上に形成する。当然のことながら、これら
の反射器は、薄膜13を最適の薄膜に蒸着してから、こ
の薄膜13の±に形成してもよい。
ここで、本発明をよりよく理解されるために、より具体
的な実施例を説明する。
的な実施例を説明する。
実施例 (1)
STカット水晶120表面にAl蒸着膜からなる櫛型電
極対(線巾0.9μm、対数300.電極膜厚500人
)を形成した。この電極付を入出力電極とした弾性表面
波フィルタの中心周波数f0は848.2MH2であっ
たが、所望の周波数0.2MHzずれていた。
極対(線巾0.9μm、対数300.電極膜厚500人
)を形成した。この電極付を入出力電極とした弾性表面
波フィルタの中心周波数f0は848.2MH2であっ
たが、所望の周波数0.2MHzずれていた。
つづいて、マグネトロンバッタ装置で、石英ターゲット
をアルゴンガス中でスパッタし、伝搬路に1分間主成分
がSio2の薄膜13を形成した。
をアルゴンガス中でスパッタし、伝搬路に1分間主成分
がSio2の薄膜13を形成した。
蒸着中素子の温度は30’Cに保持した。その結果、中
心周波数は848 MHz (所望の値)を得た。薄膜
13の厚さは100八であった。ここで、膜厚組成がこ
れと同一の100人の薄膜13をあらかじめ蒸着した層
状構造の本発明の基板を形成し、この上に同様のプロセ
スで弾性表面波フィルタを形成すると、foの製造バラ
ツキは量産時で±50KHz以下であった。
心周波数は848 MHz (所望の値)を得た。薄膜
13の厚さは100八であった。ここで、膜厚組成がこ
れと同一の100人の薄膜13をあらかじめ蒸着した層
状構造の本発明の基板を形成し、この上に同様のプロセ
スで弾性表面波フィルタを形成すると、foの製造バラ
ツキは量産時で±50KHz以下であった。
実施例 (2)
(0001)ZnO薄膜/ガラス基板の多層構造基板1
20表面にAl蒸着膜からなる櫛型電極対(線115.
47zm 、対数20.電極膜厚1500八)を形成し
た。この電極付を入出力電極とした弾性表面波フィルタ
の中心周波数f。は145 、05MHzてあっ/でか
、所望の周波数0 、05 MHzずれていた。
20表面にAl蒸着膜からなる櫛型電極対(線115.
47zm 、対数20.電極膜厚1500八)を形成し
た。この電極付を入出力電極とした弾性表面波フィルタ
の中心周波数f。は145 、05MHzてあっ/でか
、所望の周波数0 、05 MHzずれていた。
つづいて、マグネトロンスパッタ装置で石英ターゲット
をアルゴンガス中でスパッタし、伝搬路に1分間主成分
が8102の薄膜13を形成した。蒸着中素子の湿度は
30℃に保持した。その結果、中心周波数は145 M
Hz (所望の値)を得た。薄膜13の厚さは300八
であった。ここで膜厚組成がこれと同一の300人の薄
膜13をあらかじめ蒸着した層状構造の本発明の基板を
形成し、この上に同様のプロセスで弾性表面波フィルタ
を形成すると、foの製造バラツキは量産時で±10K
Hz以下であった。
をアルゴンガス中でスパッタし、伝搬路に1分間主成分
が8102の薄膜13を形成した。蒸着中素子の湿度は
30℃に保持した。その結果、中心周波数は145 M
Hz (所望の値)を得た。薄膜13の厚さは300八
であった。ここで膜厚組成がこれと同一の300人の薄
膜13をあらかじめ蒸着した層状構造の本発明の基板を
形成し、この上に同様のプロセスで弾性表面波フィルタ
を形成すると、foの製造バラツキは量産時で±10K
Hz以下であった。
実施例 (3)
STカット水晶12の表面の中央部にA6蒸着膜からな
る櫛型電極対(線巾1.271m、対数30゜電極膜N
500人)と、これらの電極付の両端部にグレーテング
反射器(線巾1,2μm、グレーテング数2oO)を設
けて弾性表面波共振器を形成した。その結果、共振周波
数ばe 74.2MHzであったが、所望の周波数より
0.2 MHzずれていた。
る櫛型電極対(線巾1.271m、対数30゜電極膜N
500人)と、これらの電極付の両端部にグレーテング
反射器(線巾1,2μm、グレーテング数2oO)を設
けて弾性表面波共振器を形成した。その結果、共振周波
数ばe 74.2MHzであったが、所望の周波数より
0.2 MHzずれていた。
つづいて、マグネトロンスパッタ装置で、石英ターケソ
トヲアルゴンガス中でスパッタし、グレーテング上に1
分間主成分が8102の薄膜13を形成した。蒸着中素
子の温度は30℃に保持した。。
トヲアルゴンガス中でスパッタし、グレーテング上に1
分間主成分が8102の薄膜13を形成した。蒸着中素
子の温度は30℃に保持した。。
その結果、共振周波数は674MHz (所望の値)を
得た。薄膜13の厚さは100八であった。ここで、膜
厚がこれと同一の100への主成分がSio2の薄膜1
3をあらかじめ蒸着した層状構造の本発明の基板を形成
し、この上に同様のプロセスで弾性表面波共振子を形成
すると、共振周波数の製造時のバラツキは量産時で±6
0 KHz以下であった。
得た。薄膜13の厚さは100八であった。ここで、膜
厚がこれと同一の100への主成分がSio2の薄膜1
3をあらかじめ蒸着した層状構造の本発明の基板を形成
し、この上に同様のプロセスで弾性表面波共振子を形成
すると、共振周波数の製造時のバラツキは量産時で±6
0 KHz以下であった。
発明の効果
以上の説明からも明らかなごとく、本発明の弾性表面彼
テ・・イス用基板を用いると、高精度の弾性表面波デバ
イスか容易に生産できる特長がある。
テ・・イス用基板を用いると、高精度の弾性表面波デバ
イスか容易に生産できる特長がある。
この場合、弾性表面波デバイスの伝搬路面への不整格子
配列の薄膜の積層構造が特徴である。不整格子配列のン
′!9膜は、本実施例ではスパッタ蒸着で形成する方法
について述べたが、必ずしもスパッタ蒸着法に依る必要
はなく、蒸着された薄膜の格子が乱れておりさえすれば
よい。イオンビームスバッタ、電子ビーム蒸着、化学的
気相成長(CVD)、プラズマCVDも実用し得るので
、製造上技術的な問題はない。なお従来弾性表面波伝搬
面に、異種月利を積層することは一般に弾性表面波の伝
搬損失が増えたり、基板に歪の発生のためデバイスの信
頼性が下がるといわれて好ましくないとされていたが、
本発明のごとく特異な構造の薄膜とその膜厚範囲を選←
べば、これらを弾性表面波デバイスの伝搬面に積層して
も、弾性表面波特性に悪影響しないばかりか例えばシリ
コンカーバイト薄膜では破水性を示すためデバイスの耐
湿性の向上にもつながる。−!だ、本発明の効果は、実
施例に述べたフィルタあるいは遅延素子2発振子に限定
されたものではなく、これ以外にコンボルバ−をはじめ
、あらゆる種類の弾性表面波デバイス、さらには音響光
学デバイスの形成に本発明は有効であるから、その工業
的価値は高い。
配列の薄膜の積層構造が特徴である。不整格子配列のン
′!9膜は、本実施例ではスパッタ蒸着で形成する方法
について述べたが、必ずしもスパッタ蒸着法に依る必要
はなく、蒸着された薄膜の格子が乱れておりさえすれば
よい。イオンビームスバッタ、電子ビーム蒸着、化学的
気相成長(CVD)、プラズマCVDも実用し得るので
、製造上技術的な問題はない。なお従来弾性表面波伝搬
面に、異種月利を積層することは一般に弾性表面波の伝
搬損失が増えたり、基板に歪の発生のためデバイスの信
頼性が下がるといわれて好ましくないとされていたが、
本発明のごとく特異な構造の薄膜とその膜厚範囲を選←
べば、これらを弾性表面波デバイスの伝搬面に積層して
も、弾性表面波特性に悪影響しないばかりか例えばシリ
コンカーバイト薄膜では破水性を示すためデバイスの耐
湿性の向上にもつながる。−!だ、本発明の効果は、実
施例に述べたフィルタあるいは遅延素子2発振子に限定
されたものではなく、これ以外にコンボルバ−をはじめ
、あらゆる種類の弾性表面波デバイス、さらには音響光
学デバイスの形成に本発明は有効であるから、その工業
的価値は高い。
えい、D41ヶ、。、L楚へ、□いえ。
いた弾性表面波デバイスの要部構造図である。
12・・・・・・基板、13・・・・・・不整格子配列
の薄膜、41・・・・・・弾性表面波励振用櫛型電極、
62・・・・・反射器、121・・・・・・非圧電性基
板、122・・・・・・圧電性薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 R莫屑(う皮五す七う 第4図 R肩(/i〕
の薄膜、41・・・・・・弾性表面波励振用櫛型電極、
62・・・・・反射器、121・・・・・・非圧電性基
板、122・・・・・・圧電性薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 R莫屑(う皮五す七う 第4図 R肩(/i〕
Claims (12)
- (1)基体表面を不整格子配列の薄膜で被覆された層状
構造基板の上記不整格子配列の薄膜の膜厚が10人から
0.03λ(λ:層状構造基板における表面波の波長〕
の範囲にあることを特徴とする表面波デバイス用基板。 - (2)不整格子配列の薄膜が、酸化物、窒化物、炭化物
、硼化物、カルコゲケナイトのうちの少なくとも一種か
らなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の表
面波デバイス用基板。 - (3)不整格子配列の薄膜が酸化シリコンであることを
!#I徴とする特許請求の範囲第1項記載の表面波デバ
イス用基板。 - (4)基体か圧電体であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の表面波デバイス用基板。 - (5)基体。が圧電性薄膜で表面を被覆された半導体あ
るいは絶縁体であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の表面波デバイス用基板。 - (6)圧電体が水晶、LiNb0 LiTaO3,Z
n0゜3ア AIN、GaAs、 あるいはp Z T (PbZ
rxTil−x○3)であることを特徴とする特許請求
の範囲第4項記載の表面波デバイス用基板。 - (7)圧電性薄膜がZnO,AlN、CdSあるいはp
zT(P b Z r xT 11−x○3)であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の表面波デバ
イス用基板。 - (8)基体がガラス、サファイア、スピネル、マグネシ
ャあるいはSiで構成されたことを特徴とする特許m’
lJ求の範囲第1項記載の表面波デバイス用基板。 - (9)不整格子配列の薄膜と基体の構成材料組成が同一
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の表
面波デバイス用基板。 - (10)不整格子配列の薄膜が酸化シリコンでかつ基体
が水晶であることを特徴とする特許請求の範囲第9項記
載の表面波デバイス用基板。 - (11)基板上に共振子用の弾性表面波反射器を設けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の表面波
デバイス用基板。 - (12)基板」二にフィルタ用弾性表面波励振用櫛型電
極を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記
載の表面波デバイス用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8444883A JPS59210716A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 表面波デバイス用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8444883A JPS59210716A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 表面波デバイス用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59210716A true JPS59210716A (ja) | 1984-11-29 |
Family
ID=13830887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8444883A Pending JPS59210716A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 表面波デバイス用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59210716A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57107626A (en) * | 1980-11-03 | 1982-07-05 | United Technologies Corp | Gallium arsenide surface sound wave element compensated for temperature |
JPS5884447A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 素子間配線接続方法 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8444883A patent/JPS59210716A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57107626A (en) * | 1980-11-03 | 1982-07-05 | United Technologies Corp | Gallium arsenide surface sound wave element compensated for temperature |
JPS5884447A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 素子間配線接続方法 |
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