JP2001334455A - 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド - Google Patents

研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スラリーの保持性に優れ、研磨速度が大きい
研磨パッド及びこのような研磨パッドを形成できる研磨
パッド用組成物を提供する。 【解決手段】 架橋重合体を含有するマトリックス材と
して1,2−ポリブタジエン100重量部と、水溶性粒
子としてポリペプチドをコーティングしたβ−サイクロ
デキストリン230重量部とを加熱されたニーダーにて
混練し、その後、有機過酸化物0.3重量部を添加して
更に混練した後、金型内にて190℃で10分間架橋反
応させて研磨パッドを得る。得られた研磨パッドを構成
するマトリックス材は、JIS K 6251に準じて
80℃において行った引張試験において、破断後の標線
間合計距離が破断前の標線間距離に等しく弾性回復性を
有する。このため研磨パッドはポアを塞ぐことなくドレ
ッシングすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨パッド用組成
物及びこれを用いた研磨パッドに関し、この研磨パッド
は半導体ウエハ等の表面の研磨に好適に利用できる。
【0002】
【従来の技術】高い平坦性を有する表面を形成できる研
磨方法としてCMP(Chemical Mechan
ical Polishing)が近年注目されてい
る。CMPでは研磨パッドと被研磨面とを摺動しなが
ら、研磨パッド表面に砥粒が分散された水系分散体であ
るスラリーを上方から流下させて研磨が行われる。この
CMPにおいて生産性を大きく左右する因子として研磨
速度が挙げられるが、この研磨速度は従来よりもスラリ
ーの保持量を多くすることにより大幅に向上できるとさ
れている。
【0003】従来より、CMPでは微細な気泡を含有す
るポリウレタンフォームを研磨パッドとして用い、この
樹脂の表面に開口する穴(以下、「ポア」という)にス
ラリーを保持させて研磨が行われている。しかしながら
ポリウレタンフォームでは発泡を自在に制御することは
難しく、発泡気泡の大きさ、発泡密度等をフォームの全
域に渡って均一に制御することは極めて困難である。こ
の結果、ポリウレタンフォームからなる研磨パッドの品
質がばらつき、研磨速度及び加工状態がばらつく原因と
なっている。
【0004】この発泡に対してよりポアの制御が容易な
研磨パッドとして、特表平8−500622号公報、特
開2000−34416号公報及び特開2000−33
552号公報等に示されるような可溶物を種々の樹脂中
に分散させたものが知られている。この内、特表平8−
500622号公報及び特開2000−33552号公
報においては可溶物を含有する研磨パッドの有効性が示
唆されてはいる。しかし、研磨パッドとして実際に使用
した場合の母材(マトリックス材)に関する検討は行わ
れていない。また、特開2000−34416号公報で
はその構成材料が検討され、より安定した研磨と研磨速
度の向上は認められるが、更なるスラリーの保持性及び
研磨速度の向上を必要としている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものであり、スラリーの保持性に優れるた
め研磨速度が大きく、研磨中及びドレッシング後にもそ
の保持性及び研磨速度の低下を効果的防止できる研磨パ
ッド及びこのような研磨パッドを形成できる研磨パッド
用組成物を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、研磨中に
スラリーの保持性及び研磨速度が次第に低下する機構、
及びダイヤモンド砥石等により研磨パッド表面のポアを
形成(面出し)又は更新(面更新)を行うドレッシング
における機構を詳細に検討した。その結果、従来の研磨
パッド表面に上記研磨及びドレッシング等によりずり応
力が働いた場合、主構成材料であるマトリックス材表面
は伸びを生じ、その後、塑性変形するためにポアを塞ぐ
ことが分かった。更に、被研磨面だけでなくマトリック
ス材自身の屑も発生するために、この屑によってもポア
を塞いでいることが分かった。即ち、これらの原因によ
り十分に研磨速度の向上が図れないことが分かり、これ
らを防止する方法としてマトリックス材に弾性回復性を
発現する架橋構造を有する材料を用いることが効果的で
あることを見出し、本発明を完成させた。
【0007】本第1発明の研磨パッド用組成物は、架橋
重合体を含有する非水溶性マトリックス材と、該非水溶
性マトリックス材中に分散された水溶性粒子とを含有す
ることを特徴とする。
【0008】上記「非水溶性マトリックス材」(以下、
単に「マトリックス材」ともいう)は、その全体に水溶
性粒子を分散・含有する。そして、本発明の研磨パッド
用組成物から得られる研磨パッドにおいては、水と接触
してその最表層に存在する水溶性粒子が溶出することに
よりポアが形成される。ポアはスラリーを保持し、研磨
屑を一時的に滞留させる機能を有する。上記「水溶性粒
子」は、研磨パッド中において水系分散体であるスラリ
ーと接触することにより溶解又は膨潤し、マトリックス
材から離脱する。尚、マトリックス材は、酸無水物基、
カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ
基等により変性されていてもよい。この変性により水溶
性粒子及びスラリーとの親和性を調節できる。
【0009】上記「架橋重合体」は、マトリックス材を
構成し、架橋構造を有することによりマトリックス材に
弾性回復力を付与する。架橋重合体を含有することによ
り、研磨時に研磨パッドにかかるずり応力による変位を
小さく抑えることができ、研磨時及びドレッシング時に
マトリックス材が過度に引き延ばされ塑性変形してポア
が埋まること、また、研磨パッド表面が過度に毛羽立つ
こと等を効果的に抑制できる。従って、ポアが効率よく
形成され研磨時のスラリーの保持性の低下が少なく、ま
た、毛羽立ちが少なく研磨平坦性を阻害することもな
い。
【0010】このマトリックス材は第2発明のように、
JIS K 6251に準じ、マトリックス材からなる
試験片を80℃において破断させた場合に、破断後に残
留する伸び(以下、単に「破断残留伸び」という)が1
00%以下であることが好ましい。即ち、破断した後の
標線間合計距離が破断前の標線間距離の2倍以下である
ことが好ましい。この破断残留伸びは30%以下(更に
好ましくは10%以下、とりわけ好ましくは5%以下、
通常0%以上)であることがより好ましい。破断残留伸
びが100%を超えると、研磨時及び面更新時に研磨パ
ッド表面から掻き取られた又は引き延ばされた微細片が
ポアを塞ぎ易くなる傾向にあり好ましくない。
【0011】尚、上記「破断残留伸び」とは、JIS
K 6251「加硫ゴムの引張試験方法」に準じて、試
験片形状ダンベル状3号形、引張速度500mm/分、
試験温度80℃で引張試験において試験片を破断させた
場合に、破断して分割された試験片の各々の標線から破
断部までの合計距離から、試験前の標線間距離を差し引
いた伸びである。また、実際の研磨においては摺動によ
り発熱するため温度80℃における試験となっている。
【0012】このような架橋重合体としては、ウレタン
樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、ビニルエステル樹脂等の多官能性モノマーを単
量体の一部に用い、熱等の外部エネルギーを加えること
で架橋する硬化性樹脂や、ブタジエンゴム、1,2−ポ
リブタジエン、イソプレンゴム、アクリルゴム、アクリ
ロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴ
ム、エチレン−プロピレンゴム、シリコーンゴム、フッ
素ゴム、スチレンーイソプレンゴム等を架橋反応させた
架橋ゴムや、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデン等を
架橋させた(架橋剤、紫外線又は電子線等の照射によ
る)重合体や、イオノマー等が挙げられる。これらは1
種のみを用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよ
い。
【0013】これらの中でも、多くのスラリー中に含有
される強酸や強アルカリに対して安定であり、且つ吸水
による軟化が少ないことから、第3発明のように架橋ゴ
ムを用いることが好ましい。尚、架橋重合体に含有され
る架橋ゴムの量は適宜選択すればよく、架橋重合体全体
が架橋ゴムから構成されてもよく、その他の上記架橋重
合体との混合物であってもよい。これら架橋ゴム中で
も、とりわけ有機過酸化物を用いて架橋されたものが好
ましく、第4発明のように1,2−ポリブタジエンを用
いることが好ましい。1,2−ポリブタジエンは他の架
橋ゴムと比べると硬度の高いゴムを得易く好ましい。
【0014】一方、マトリックス材中に分散されている
水溶性粒子は、水との接触により完全に溶解するものの
みならず、水等を含有して膨潤し、ゲル状となることに
よってマトリックス材から遊離するものを含む。更に、
この溶解又は膨潤は水によるものばかりでなく、メタノ
ール等のアルコール系溶剤を含有する水系混合媒体との
接触においても溶解又は膨潤するものであってもよい。
【0015】このような水溶性粒子としては有機系水溶
性粒子及び無機系水溶性粒子を挙げることができる。有
機系水溶性粒子としては、デキストリン、シクロデキス
トリン、マンニット、糖類(乳糖等)、セルロース類
(ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース
等)、でんぷん、蛋白質、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリエチレンオキ
サイド、水溶性の感光性樹脂、スルフォン化ポリイソプ
レン、スルフォン化ポリイソプレン共重合体等から形成
されたものを挙げることができる。更に、無機系水溶性
粒子としては、酢酸カリウム、硝酸カリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸水素カリウム、塩化カリウム、臭化カリウ
ム、リン酸カリウム、硝酸マグネシウム等から形成され
たものを挙げることができる。これらの水溶性粒子は、
上記各材料を単独又は2種以上を組み合わせて含有して
もよい。更に、所定の材料からなる1種の水溶性粒子で
あってもよく、異なる材料からなる2種以上の水溶性粒
子であってもよい。
【0016】また、この水溶性粒子の粒径は0.1〜5
00μm(より好ましくは0.5〜100μm)とする
ことが好ましい。粒径が0.1μm未満であると、形成
されるポアの大きさが使用する砥粒より小さくなるため
スラリーを十分に保持できる研磨パッドが得難くなる傾
向にある。一方、500μmを超えると、形成されるポ
アの大きさが過大となり得られる研磨パッドの機械的強
度及び研磨速度が低下する傾向にある。
【0017】更に、この水溶性粒子の含有量は、第5発
明のように、マトリックス材と水溶性粒子との合計を1
00体積%とした場合に、水溶性粒子は10〜90体積
%(より好ましくは15〜60体積%、更に好ましくは
20〜40体積%)であることが好ましい。水溶性粒子
の含有量が10体積%未満であると、得られる研磨パッ
ドにおいてポアが十分に形成されず研磨速度が低下する
傾向にある。一方、90体積%を超えて水溶性粒子を含
有する場合は、得られる研磨パッドにおいて研磨パッド
内部に存在する水溶性粒子が膨潤又は溶解することを十
分に防止でき難くなる傾向にあり、研磨パッドの硬度及
び機械的強度を適正な値に保持し難くなる。
【0018】また、水溶性粒子は、研磨パッド内におい
て表層に露出した場合にのみ水溶し、研磨パッド内部で
は吸湿し、更には膨潤しないことが好ましい。このた
め、第6発明のように、水溶性粒子は最外部の少なくと
も一部に吸湿を抑制する外殻を備えることが好ましい。
この外殻は水溶性粒子に物理的に吸着していても、水溶
性粒子と化学結合していても、更にはこの両方により水
溶性粒子に接していてもよい。このような外殻を形成す
る材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリシリケート等を挙げることができる。尚、この
外殻は水溶性粒子の一部のみに形成されていても十分に
上記効果を得ることができる。
【0019】この水溶性粒子は、ポアを形成する機能以
外にも、研磨パッド中においては、研磨パッドの押し込
み硬さを大きくする機能を有する(例えば、ショアーD
硬度35〜100)。この押し込み硬さが大きいことに
より研磨パッドにおいて被研磨面に負荷する圧力を大き
くすることができる。このため、研磨速度を向上させる
ばかりでなく、同時に高い研磨平坦性が得られる。従っ
て、この水溶性粒子は、研磨パッドにおいて十分な押し
込み硬さを確保できる中実体であることが特に好まし
い。
【0020】本第1〜6発明においては、マトリックス
材に水溶性粒子以外にも、従来よりスラリーに含有され
ている砥粒、酸化剤、アルカリ金属の水酸化物及び酸、
pH調節剤、界面活性剤、スクラッチ防止剤等の少なく
とも1種を含有させることができる。これにより、この
研磨パッド用組成物から形成された研磨パッドを用いた
場合には、研磨時に水のみを供給して研磨を行うことも
可能となる。
【0021】また、マトリックス材と水溶性粒子との親
和性、並びにマトリックス材に対する水溶性粒子の分散
性を制御するため、相溶化剤を配合することができる。
相溶化剤としては、酸無水物基、カルボキシル基、ヒド
ロキシル基、エポキシ基、オキサゾリン基及びアミノ基
等により変性された重合体、ブロック共重合体、並びに
ランダム共重合体、更に、種々のノニオン系界面活性
剤、カップリング剤等を挙げることができる。更に、本
第1〜6発明の研磨パッド用組成物には必要に応じて、
充填剤、軟化剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止
剤、滑剤、可塑剤等の各種の添加剤を添加することがで
きる。更に、硫黄や過酸化物等の反応性添加物を添加し
て反応させ、架橋させることもできる。特に、充填材と
しては炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、タルク、ク
レー等の剛性を向上させる材料、及びシリカ、アルミ
ナ、セリア、ジルコニア、酸化チタン、酸化ジルコニウ
ム、二酸化マンガン、三酸化二マンガン、炭酸バリウム
等の研磨効果を備える材料等を用いてもよい。
【0022】この研磨パッド用組成物の製造方法は特に
限定されない。混練工程を有する場合は公知の混練機等
により混練を行うことができる。例えば、ロール、ニー
ダー、バンバリーミキサー、押出機(単軸、多軸)等の
混練機を挙げることができる。尚、混練された研磨パッ
ド用組成物は、プレス成形、押出成形、射出成形等を行
うことによりシート状、ブロック状又はフィルム状等の
所望の形状に加工することができる。また、これを所望
の大きさに加工することにより研磨パッドを得ることが
できる。
【0023】また、水溶性粒子をマトリックス材中に分
散させる方法は特に限定されないが、通常、マトリック
ス材、水溶性粒子及びその他の添加剤等を混練して得る
ことができる。この混練においてマトリックス材は加工
し易いように加熱されて混練されるが、この時の温度に
おいて水溶性粒子は固体であることが好ましい。固体で
あることにより、マトリックス材との相溶性の大きさに
関わらず水溶性粒子を前記の好ましい平均粒径を呈する
状態で分散させ易くなる。従って、使用するマトリック
ス材の加工温度により、水溶性粒子の種類を選択するこ
とが好ましい。
【0024】本第7発明の研磨パッドは、少なくとも1
部が、請求項1乃至6のうちのいずれか1項に記載の研
磨パッド用組成物から構成されていることを特徴とす
る。本第7発明の研磨パッドのショアーD硬度は35以
上(通常100以下、より好ましくは50〜90、更に
好ましくは60〜85)であることが好ましい。このシ
ョアーD硬度が35未満であると、研磨時に被研磨体に
加えることのできる圧力が低下する傾向にあり、研磨速
度が低下し、研磨平坦性が十分でなくなることがある。
【0025】また、ポアの大きさは0.1〜500μm
(より好ましくは0.5〜100μm)であることが好
ましい。このポアの大きさが0.1μm未満であると砥
粒の粒径より小さくなることがあるため、砥粒を十分に
保持し難くなる傾向にある。一方、ポアの大きさが50
0μmを超えると十分な強度及び押し込み硬さを得難く
なる傾向にある。
【0026】本発明の研磨パッドの表面(研磨面)には
スラリーの排出性を向上させる目的等で必要に応じて溝
及びドットパターンを所定の形状で形成できる。また、
この研磨パッドの裏面(研磨面と反対側)に、例えばよ
り軟質な層を張り合わせた研磨パッドのような多層構造
を呈する研磨パッドとすることもできる。更に、この研
磨パッドの形状は特に限定されず、円盤状、ベルト状、
ローラー状等研磨装置に応じて適宜選択することができ
る。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を具体
的に説明する。 [1]研磨パッド用組成物の調製及び研磨パッドの成形 実施例1 後に架橋されてマトリックス材となる1,2−ポリブタ
ジエン(JSR株式会社製、品名「JSR RB83
0」)100重量部と、水溶性粒子としてβ−サイクロ
デキストリン(横浜国際バイオ研究所株式会社製、品名
「デキシーパールβ−100」)100重量部とを12
0℃に加熱されたニーダーにて混練した。その後、有機
過酸化物(日本油脂株式会社製、品名「パーヘキシン2
5B」)0.3重量部を添加してさらに混練した後、金
型内にて190℃で10分間架橋反応させ、成形し、直
径60cm、厚さ2mmの研磨パッドを得た。尚、研磨
パッド全体に対する水溶性粒子の体積分率(マトリック
ス材と水溶性粒子との合計に対する水溶性粒子の体積分
率、架橋重合体と水溶性粒子との合計に対する水溶性粒
子の体積分率と同様)は約40%であった。
【0028】実施例2 後に架橋されてマトリックス材となる1,2−ポリブタ
ジエン(JSR株式会社製、「JSR RB840」)
100重量部と、水溶性粒子としてポリペプチドをコー
ティングしたβ−サイクロデキストリン(横浜国際バイ
オ研究所株式会社製、品名「デキシーパールβ−10
0」)230重量部とを120℃に加熱されたニーダー
にて混練した。その後、有機過酸化物(日本油脂株式会
社製、品名「パーヘキシン25B」)0.3重量部を添
加してさらに混練した後、金型内にて190℃で10分
間架橋反応させ、成形し、直径60cm、厚さ2mmの
研磨パッドを得た。尚、研磨パッド全体に対する水溶性
粒子の体積分率(マトリックス材と水溶性粒子との合計
に対する水溶性粒子の体積分率、架橋重合体と水溶性粒
子との合計に対する水溶性粒子の体積分率と同様)は約
60%であった。
【0029】比較例1 未架橋の熱可塑性樹脂であるエチレン−ビニルアルコー
ル共重合樹脂(クラレ株式会社製、品名「エバール E
P−F101」)100重量部と、水溶性粒子としてβ
−サイクロデキストリン(横浜国際バイオ研究所株式会
社製、品名「デキシーパールβ−100」)100重量
部とを200℃に加熱されたニーダーにて混練した後、
200℃にて熱プレスして成形し、直径60cm、厚さ
2mmの研磨パッドを得た。尚、研磨パッド全体に対す
る水溶性粒子の体積分率(マトリックス材と水溶性粒子
との合計に対する水溶性粒子の体積分率、架橋重合体と
水溶性粒子との合計に対する水溶性粒子の体積分率と同
様)は約44%であった。
【0030】比較例2 実施例1と同様な1,2−ポリブタジエンとβ−サイク
ロデキストリンとを混練した後、架橋反応させることな
く120℃でプレス成形し、直径60cm、厚さ2mm
の研磨パッドを得た。尚、研磨パッド全体に対する水溶
性粒子の体積分率(マトリックス材と水溶性粒子との合
計に対する水溶性粒子の体積分率、架橋重合体と水溶性
粒子との合計に対する水溶性粒子の体積分率と同様)は
約40%であった。
【0031】[2]研磨性能の評価 実施例1、2及び比較例1、2で得られた研磨パッドを
各々研磨機(SFT社製、型式「ラップマスター LM
−15」)の定盤上に装着し、定盤回転数50rpm、
スラリーの流量100cc/分の条件でシリカ膜ウェハ
を研磨し、各研磨パッドによる研磨性能の違いを評価
し、表1に示した。尚、研磨速度は光学式膜厚計による
膜厚変化測定により求めた。
【0032】更に、研磨パッド表面はドレッシング(#
400のダイヤモンド砥石で5分間研削)し、その後、
この表面のポアの状態を電子顕微鏡にて観察した。この
結果を表1に併記した。表1における「○」は良好なポ
アが確認できることを表し、「×」は一部ポアが塞がっ
ていることを表す。
【0033】
【表1】
【0034】[3]マトリックス材の破断残留伸びの測
定 実施例1、2及び比較例1、2に使用したマトリックス
材の破断残留伸びを測地するために、各実施例1、2及
び比較例1、2から水溶性粒子を除いた材料を同様にし
て混練・成形してシートを作成した。このシートをJI
S K 6251に示されたダンベル状3号形試験片形
状に打ち抜き、試験片とした。この各試験片を用いて、
JIS K 6251に準じて標線間距離20mm、引
張速度500mm/分、試験温度80℃で引っ張り各々
破断させて、前記に示すような基準で破断残留伸びを算
出した。尚、最大600%まで引っ張っても破断しない
試験片においては、この伸び600%において強制的に
切断して破断残留伸びを算出した。これらの破断残留伸
びを表1に併記した。
【0035】表1の結果より、マトリックス材が架橋重
合体である実施例1及び2ではポアがドレッシング後に
も良好な状態で形成されている。また、この研磨パッド
に使用されているマトリックス材の破断残留伸びはいず
れも0%であり、破断後の伸びが認められないことが分
かる。このような研磨パッドでは研磨速度は190〜2
50μm/分と高いことが分かる。
【0036】これに対して、比較例1ではマトリックス
材として未架橋の熱可塑性樹脂を用いた。この未架橋の
熱可塑性樹脂は破断残留伸びが510%と非常に大きく
延性を有していることが分かる。また、ドレッシングに
よりポアが一部塞がれていた。従って、研磨速度も60
μm/分と実施例1の32%、実施例2の24%に止ま
っている。一方、比較例2は実施例1及び2に用いたマ
トリックス材を未架橋のまま使用しているため弾性回復
性を有していない。このため、破断残留伸びが220%
と大きい。また、ドレッシングによりポアが一部塞がれ
ていた。従って、研磨速度も10μm/分と実施例1の
5%、実施例2の4%に止まっている。
【0037】
【発明の効果】本第1発明によると、ポアの形成状態が
良好であり、ドレッシングによってもポアが塞がれず、
スラリーの保持性がよい研磨パッドを得ることができる
研磨パッド用組成物を得る。本第6発明によると、研磨
パッド内に含有される水溶性粒子が吸湿及び膨潤せず、
高い硬度の研磨パッドを得ることができる研磨パッド用
組成物を得る。また、本第7発明によると高い研磨速度
で研磨を行うことができる研磨パッドを得る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川橋 信夫 東京都中央区築地2丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 3C058 AA07 CA05 DA17

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 架橋重合体を含有する非水溶性マトリッ
    クス材と、該非水溶性マトリックス材中に分散された水
    溶性粒子とを含有することを特徴とする研磨パッド用組
    成物。
  2. 【請求項2】 JIS K 6251に準じ、上記非水
    溶性マトリックス材からなる試験片を80℃において破
    断させた場合に、破断後に残留する伸びが100%以下
    である請求項1記載の研磨パッド用組成物。
  3. 【請求項3】 上記架橋重合体の少なくとも一部は架橋
    ゴムである請求項1又は2に記載の研磨パッド用組成
    物。
  4. 【請求項4】 上記架橋ゴムの少なくとも一部は架橋さ
    れた1,2−ポリブタジエンである請求項3記載の研磨
    パッド用組成物。
  5. 【請求項5】 上記非水溶性マトリックス材と上記水溶
    性粒子との合計を100体積%とした場合に、該水溶性
    粒子は10〜90体積%である請求項1乃至4のうちの
    いずれか1項に記載の研磨パッド用組成物。
  6. 【請求項6】 上記水溶性粒子は、最外部のすくなくと
    も一部に吸湿を抑制する外殻を備える請求項1乃至5の
    うちのいずれか1項に記載の研磨パッド用組成物。
  7. 【請求項7】 少なくとも1部が、請求項1乃至6のう
    ちのいずれか1項に記載の研磨パッド用組成物から構成
    されていることを特徴とする研磨パッド。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1468785A2 (en) 2003-04-15 2004-10-20 JSR Corporation Polishing pad and production method thereof
EP1561541A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-10 JSR Corporation Chemical mechanical polishing pad, production method thereof, and chemical mechanical polishing process
US6976910B2 (en) 2003-05-23 2005-12-20 Jsr Corporation Polishing pad
US6992123B2 (en) 2002-11-05 2006-01-31 Jsr Corporation Polishing pad
US7217179B2 (en) 2004-10-14 2007-05-15 Jsr Corporation Polishing pad
JP2007326217A (ja) * 2007-09-03 2007-12-20 Jsr Corp 研磨パッド
US7354527B2 (en) 2004-09-17 2008-04-08 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing process
JP2008168431A (ja) * 2008-02-26 2008-07-24 Jsr Corp 研磨パッド
US7442116B2 (en) 2003-11-04 2008-10-28 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad
KR101108880B1 (ko) * 2009-10-16 2012-01-30 대상 주식회사 전분계 연마 그릿
WO2020115968A1 (ja) 2018-12-03 2020-06-11 株式会社クラレ 研磨層用ポリウレタン、研磨層及び研磨パッド

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
JP3826702B2 (ja) * 2000-10-24 2006-09-27 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
CN100379522C (zh) * 2000-12-01 2008-04-09 东洋橡膠工业株式会社 研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层
KR100429691B1 (ko) * 2001-06-13 2004-05-03 동성에이앤티 주식회사 미세기공 함유 연마패드 및 그 제조방법
US7097549B2 (en) 2001-12-20 2006-08-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad
US20040171339A1 (en) * 2002-10-28 2004-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US6913517B2 (en) * 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US20050276967A1 (en) * 2002-05-23 2005-12-15 Cabot Microelectronics Corporation Surface textured microporous polishing pads
US20040014413A1 (en) * 2002-06-03 2004-01-22 Jsr Corporation Polishing pad and multi-layer polishing pad
US6641630B1 (en) 2002-06-06 2003-11-04 Cabot Microelectronics Corp. CMP compositions containing iodine and an iodine vapor-trapping agent
TWI228768B (en) * 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer
EP1394202A3 (en) * 2002-08-26 2004-03-31 JSR Corporation Composition for polishing pad and polishing pad therewith
KR100495404B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-14 한국포리올 주식회사 임베디드 액상 미소요소를 함유하는 연마 패드 및 그 제조방법
US20040058623A1 (en) * 2002-09-20 2004-03-25 Lam Research Corporation Polishing media for chemical mechanical planarization (CMP)
US7267607B2 (en) * 2002-10-28 2007-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
US7311862B2 (en) * 2002-10-28 2007-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size
US7435165B2 (en) 2002-10-28 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
JP3910921B2 (ja) * 2003-02-06 2007-04-25 株式会社東芝 研磨布および半導体装置の製造方法
US7988534B1 (en) * 2004-05-19 2011-08-02 Sutton Stephen P Optical polishing pitch formulations
JP2005340271A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Jsr Corp 化学機械研磨用パッド
US7153191B2 (en) * 2004-08-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Polishing liquids for activating and/or conditioning fixed abrasive polishing pads, and associated systems and methods
US20060046064A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Dwaine Halberg Method of improving removal rate of pads
US20060099891A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-11 Peter Renteln Method of chemical mechanical polishing, and a pad provided therefore
US8075372B2 (en) * 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
US20060089095A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
US20060089093A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
US8038752B2 (en) * 2004-10-27 2011-10-18 Cabot Microelectronics Corporation Metal ion-containing CMP composition and method for using the same
US20060089094A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
TW200709892A (en) * 2005-08-18 2007-03-16 Rohm & Haas Elect Mat Transparent polishing pad
TWI378844B (en) * 2005-08-18 2012-12-11 Rohm & Haas Elect Mat Polishing pad and method of manufacture
JP4868840B2 (ja) * 2005-11-30 2012-02-01 Jsr株式会社 半導体装置の製造方法
KR100804275B1 (ko) * 2006-07-24 2008-02-18 에스케이씨 주식회사 고분자 쉘로 둘러싸인 액상 유기물 코어를 포함하는 cmp연마패드 및 그 제조방법
CN100398579C (zh) * 2006-11-15 2008-07-02 济南大学 一种制备无色甲阶酚醛树脂的方法
WO2009134775A1 (en) * 2008-04-29 2009-11-05 Semiquest, Inc. Polishing pad composition and method of manufacture and use
JP5314329B2 (ja) * 2008-06-12 2013-10-16 富士フイルム株式会社 研磨液
TWI417169B (zh) * 2009-06-11 2013-12-01 Wei En Chen Cutting tools with the top of the complex cutting
US20130217231A1 (en) * 2010-10-05 2013-08-22 Basf Se Chemical mechanical polishing (cmp) composition
WO2012138705A2 (en) * 2011-04-05 2012-10-11 Universal Photonics, Inc. A self-conditioning polishing pad and a method of making the same
CN104302446B (zh) * 2012-03-20 2017-10-31 Jh罗得股份有限公司 自调理抛光垫及其制备方法
US9144880B2 (en) 2012-11-01 2015-09-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad
US9238296B2 (en) 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad stack with soft and conditionable polishing layer
US9238295B2 (en) 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad
US9233451B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack
US20150306731A1 (en) 2014-04-25 2015-10-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
WO2017074773A1 (en) 2015-10-30 2017-05-04 Applied Materials, Inc. An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential
US9484212B1 (en) 2015-10-30 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
KR102629800B1 (ko) 2016-01-19 2024-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다공성 화학적 기계적 연마 패드들
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
CN111320863A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 制备研磨垫之组合物
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
KR102509973B1 (ko) * 2021-05-07 2023-03-14 에스케이엔펄스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2701191A (en) * 1949-02-02 1955-02-01 American Optical Corp Polishing pads
JPS61111343A (ja) * 1984-11-06 1986-05-29 Bridgestone Corp 改良されたゴム組成物
JPH03266706A (ja) * 1990-03-15 1991-11-27 Yokohama Rubber Co Ltd:The 空気入りタイヤ
AU1548692A (en) * 1991-04-19 1992-11-17 Kabushikigaisha Asahi Rubber composition decayable in soil and binding article using said composition for soil in flowerpot
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US6245861B1 (en) * 1997-09-10 2001-06-12 Hercules Incorporated Use of peroxides to crosslink rubber compositions containing high vinyl styrene-butadiene rubber
JP3668046B2 (ja) * 1998-05-11 2005-07-06 株式会社東芝 研磨布及びこの研磨布を用いた半導体装置の製造方法
JP3918359B2 (ja) * 1998-05-15 2007-05-23 Jsr株式会社 研磨パッド用重合体組成物および研磨パッド
US6080221A (en) * 1999-09-17 2000-06-27 Agri-Nutrients Technology Group, Inc. Vacuum coated particulate fertilizers
JP3826702B2 (ja) * 2000-10-24 2006-09-27 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
DE60228784D1 (de) * 2001-04-25 2008-10-23 Jsr Corp Lichtduchlässiges Polierkissen für eine Halbleiterschleife

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6992123B2 (en) 2002-11-05 2006-01-31 Jsr Corporation Polishing pad
EP1468785A2 (en) 2003-04-15 2004-10-20 JSR Corporation Polishing pad and production method thereof
KR101089466B1 (ko) * 2003-04-15 2011-12-07 제이에스알 가부시끼가이샤 연마 패드 및 그의 제조 방법
US7922783B2 (en) 2003-04-15 2011-04-12 Jsr Corporation Polishing pad and production method thereof
KR101006648B1 (ko) * 2003-05-23 2011-01-10 제이에스알 가부시끼가이샤 연마 패드
US6976910B2 (en) 2003-05-23 2005-12-20 Jsr Corporation Polishing pad
US7442116B2 (en) 2003-11-04 2008-10-28 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad
EP1561541A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-10 JSR Corporation Chemical mechanical polishing pad, production method thereof, and chemical mechanical polishing process
US7354527B2 (en) 2004-09-17 2008-04-08 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing process
US7217179B2 (en) 2004-10-14 2007-05-15 Jsr Corporation Polishing pad
JP2007326217A (ja) * 2007-09-03 2007-12-20 Jsr Corp 研磨パッド
JP2008168431A (ja) * 2008-02-26 2008-07-24 Jsr Corp 研磨パッド
KR101108880B1 (ko) * 2009-10-16 2012-01-30 대상 주식회사 전분계 연마 그릿
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