JP2001328991A - カルボシラン及びポリカルボシラン - Google Patents

カルボシラン及びポリカルボシラン

Info

Publication number
JP2001328991A
JP2001328991A JP2001071336A JP2001071336A JP2001328991A JP 2001328991 A JP2001328991 A JP 2001328991A JP 2001071336 A JP2001071336 A JP 2001071336A JP 2001071336 A JP2001071336 A JP 2001071336A JP 2001328991 A JP2001328991 A JP 2001328991A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
carbosilane
general formula
polycarbosilane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001071336A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4635356B2 (ja
Inventor
Kazutoshi Ikenaga
和敏 池永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chisso Corp filed Critical Chisso Corp
Priority to JP2001071336A priority Critical patent/JP4635356B2/ja
Publication of JP2001328991A publication Critical patent/JP2001328991A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4635356B2 publication Critical patent/JP4635356B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子材料として有用な化合物である新規なカ
ルボシラン及びポリカルボシランを提供すること。 【解決手段】 下記一般式(1)で表わされるカルボシラ
ン及びこれをモノマーとして有機典型金属を開始剤とし
て重合反応することにより得られるポリカルボシランに
よる。 【化1】 ここで、MはSn、GeまたはPb原子を表わし、A
は、炭素数2〜10の脂肪族基、炭素数6〜30の炭素
環式基または珪素、酸素、窒素及び硫黄原子のうちの1
種以上を有する複素環式基であり、R1、R2、R3
6、R7及びR8は互いに独立に炭素数1〜20のアル
キル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくはアルキ
ニル基または炭素数6〜20のアリール基であり、
4、R5、R9及びR10は互いに独立に炭素数1〜20
のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくは
アルキニル基、炭素数3〜20のアルケニルアルキル基
若しくはアルキニルアルキル基または炭素数6〜20の
アリール基である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なカルボシラ
ン、それを用いて合成した新規なポリカルボシラン及び
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】オリゴカルボシランは従来Grinar
d法若しくはWurtz法によって合成されている。例
えば、下記に示す反応により合成することが可能である
と報告されている(K.Nate, M. Ishikawa, H.Ni, H.
Watanabe, Y.Saheki, Organometallics, 6, 1673 (198
7))。
【化4】
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した方法
では重合度のコントロールが困難であるため所望の分子
量の化合物がなかなか得られないという欠点があった。
本発明者はこの様な従来技術の欠点を改良することを目
的に研究を進めた結果、特定の有機金属基を末端に有す
るカルボシランを原料として用いることにより従来技術
の欠点を克服することが可能であることを知り本発明に
到達した。また、本発明の有機金属基を末端に有する本
発明のカルボシラン若しくはポリカルボシランはそれ自
体有用な有機材料であると共に、マクロモノマーとして
これを原料とした新規な材料への展開が期待されるもの
である。
【0004】本発明の方法が重合度のコントロールされ
たポリカルボシランの合成を可能にしたのは以下の理由
による。 (1)原料として分子の末端にスズ等の特定の有機金属
基を有する本発明のカルボシランを用いたこと。 (2)開始剤としてブチルリチウム等の有機典型金属化
合物を用いたこと。 この両化合物を組合せて用いることによって、重合反応
を行った後でも分子末端の有機金属基は安定に保存され
ている。従って、更に、開始剤である有機典型金属化合
物を添加すると再び反応が始まりポリカルボシランの重
合度を増加させることができる。あるいは、反応時間を
変化させることによりポリカルボシランの重合度は変え
られる。これらの方法により重合度をコントロールする
ことができる。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は以下の構成より
なる。 [1]下記一般式(1)で表わされるカルボシラン。
【化5】 ここで、MはSn、GeまたはPb原子を表わし、A
は、炭素数2〜10の脂肪族基、炭素数6〜30の炭素
環式基または珪素、酸素、窒素及び硫黄原子のうちの1
種以上を有する複素環式基であり、R1、R2、R3
6、R7及びR8は互いに独立に炭素数1〜20のアル
キル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくはアルキ
ニル基または炭素数6〜20のアリール基であり、
4、R5、R9及びR10は互いに独立に炭素数1〜20
のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくは
アルキニル基、炭素数3〜20のアルケニルアルキル基
若しくはアルキニルアルキル基または炭素数6〜20の
アリール基である。
【0006】[2]前記一般式(1)において、MがSn
原子である[1]項に記載のカルボシラン。 [3]前記一般式(1)において、Aが1,4−フェニレ
ン、2,5−ジメチル−1,4−フェニレン、1,4−キ
シリレン、1,4−チオフェン若しくは4,4′−ビフェ
ニレンである[1]若しくは[2]項に記載のカルボシ
ラン。 [4]前記一般式(1)において、R1、R2、R3、R4
5、R6、R7、R8、R 9及びR10が何れもメチル基で
ある[1]〜[3]項に記載のカルボシラン。 [5]前記一般式(2)で示される、ポリスチレン換算重
量平均分子量が800〜100,000であるポリカル
ボシラン。
【0007】
【化6】 ここで、MはSn、GeまたはPb原子を表わし、A
は、炭素数2〜10の脂肪族基、または炭素数6〜30
の炭素環式基または珪素、酸素、窒素及び硫黄原子のう
ちの1種以上を有する複素環式基であり、R1、R2、R
3、R6、R7及びR8は互いに独立に炭素数1〜20のア
ルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくはアル
キニル基または炭素数6〜20のアリール基であり、R
4、R5、R9及びR10は互いに独立に炭素数1〜20の
アルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくはア
ルキニル基、炭素数3〜20のアルケニルアルキル基若
しくはアルキニルアルキル基または炭素数6〜20のア
リール基であり、そしてnは1<n≦500である。
【0008】[6]下記一般式(3)で示される、ポリス
チレン換算重量平均分子量が800〜100,000で
あるポリカルボシラン。
【化7】 ここで、MはSn、GeまたはPb原子を表わし、A及
びA1は、独立に炭素数2〜10の脂肪族基、または炭
素数6〜30の炭素環式基または珪素、酸素、窒素及び
硫黄原子のうちの1種以上を有する複素環式基であり、
1、R2、R3、R6、R7、R8、は互いに独立に炭素数
1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基
若しくはアルキニル基または炭素数6〜20のアリール
基であり、R4、R5、R9、R10、R41、R51、R91
びR101は互いに独立に炭素数1〜20のアルキル基、
炭素数2〜20のアルケニル基若しくはアルキニル基、
炭素数3〜20のアルケニルアルキル基若しくはアルキ
ニルアルキル基または炭素数6〜20のアリール基であ
り、そしてn及びn1はそれぞれ、1≦n≦499、1
≦n1≦499、2≦n+n1≦500である。ただし、
2種のカルボシラン構造単位は同一ではないものとす
る。
【0009】[7]前記一般式(2)または(3)において
MがSn原子である[5]若しくは[6]項に記載のポ
リカルボシラン。 [8]前記一般式(2)または(3)においてAが1,4
−フェニレン、2,5−ジメチル−1,4−フェニレン、
1,4−キシリレン、1,4−チオフェン若しくは4,
4′−ビフェニレンである[5]〜[7]項に記載のポ
リカルボシラン。 [9]前記[1]項に記載の同種若しくは異種のカルボ
シランを有機典型金属化合物を開始剤として反応させる
ことを特徴とする[5]項若しくは[6]項に記載のポ
リカルボシランの製造方法。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の一般式(1)で示されるカ
ルボシランは例えば以下の式に従って合成することがで
きる。更にそれを有機典型金属化合物を開始剤として反
応させることにより本発明のポリカルボシランを得るこ
とができる。尚、本発明で言うポリカルボシランはいわ
ゆるオリゴマーからポリマーまで含み、GPCにより測
定したポリスチレン換算重量平均分子量が800〜10
0,000までのものを言う。
【0011】
【化8】 ここでM、A、R1、R2、R3、R4、R5及びnは既述
の通りである。
【0012】尚、上式では式を単純化するためカルボシ
ラン及びポリカルボシランの化学式が一般式(1)及び
(2)と完全には同一でないが、反応させる塩化シラン及
び有機典型金属化合物の種類を2種類とすることにより
一般式(1)及び(2)のR1〜R1 0が互いに異なる基から
なる化合物も得ることはできる。
【0013】一般式(1)、(2)若しくは(3)で示され
る化合物の珪素若しくは4価の金属の置換基である
1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9
10、R41、R51、R91及びR101については、既に述
べたが、それらのうちでもアルキル基は炭素数1〜6の
ものが好ましく、アルケニル基若しくはアルキニル基は
炭素数2〜6のものが好ましく、アリール基は炭素数6
〜12のものが好ましい。4価の金属の置換基であるR
1、R2、R3、R6、R7及びR8の場合はこれらのうちの
少なくとも1個がメチル基若しくはエチル基であること
が好ましく、すべてがメチル基若しくはエチル基である
ことがより好ましい。
【0014】一般式(1)、(2)若しくは(3)において
MはSn、Ge若しくはPb原子を表わすが、Snが最
も好ましい。更に2価の基であるA及びA1は既に述べ
たが、ここで、炭素環式基とは脂環式基若しくは芳香族
炭化水素基等の単環式炭化水素基、縮合多環式炭化水素
基及び橋かけ環式炭化水素基の内の少なくとも1種を必
須成分とし、必要によりこれらに任意の置換基若しくは
橋かけ基、例えば、炭化水素基、または珪素、酸素、硫
黄及び窒素原子の1種以上を含有する炭化水素基あるい
はスルホン基等のようにこれらの原子のみから構成され
る基により置換されあるいは橋かけされている基をい
う。
【0015】具体的には1,4−フェニレン、2,5−ジ
メチル−1,4−フェニレン、1,4−キシリレン、1,
4−チオフェン若しくは4,4′−ビフェニレンが好ま
しく、これらのうちでは1,4−チオフェンが溶媒に対
する溶解性に優れている。
【0016】一般式(1)で示されるカルボシランの具体
例として以下の式で表わされる化合物を挙げることがで
きる。
【化9】
【0017】上述したような方法で合成した末端に有機
金属基を有するカルボシランを有機典型金属化合物を開
始剤として重合反応させることにより本発明のポリカル
ボシランを得ることができる。既に述べたように本発明
のポリカルボシランは反応終了後もその末端の有機金属
基は安定に存在しているために、開始剤を添加すると更
に反応は進行する。あるいは反応時間を変化させること
によっても生成するポリカルボシランの重合度をコント
ロールすることができる。
【0018】重合体は単一の原料から合成することも可
能であるが、2種類以上のカルボシランを最初から混合
することによるランダムポリマーの合成を行うことがで
きる。この様な方法により溶媒に対する溶解性に優れた
ポリマーを合成することができる。あるいは2種類のポ
リマーが別々に保有する異なる物性上の特徴を併せ持つ
ポリマーを得るためには、予め両ポリマーを別々に合成
しておき、それらを混合し、開始剤の存在下反応を行う
ことによりブロックポリマーを合成することもできる。
【0019】重合反応用の開始剤として用いられる有機
典型金属化合物の有機基は炭素数1〜20のアルキル基
または炭素数2〜20のアルケニル基若しくはアルキニ
ル基であり、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基、炭
素数2〜6のアルケニル基若しくはアルキニル基または
炭素数6〜12のアリール基である。その典型金属はリ
チウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム若しく
は亜鉛であり、好ましくはリチウムである。リチウム化
合物の中でもブチルリチウム、メチルリチウムが好まし
い。多価金属の場合、置換基の少なくとも1個が上述し
た有機基であればよい。
【0020】本発明の製造方法において、反応は溶媒中
で行うことができる。原料化合物と反応せず、且つ原料
化合物を溶解することができるものなら特に限定されな
いが、例えば、汎用溶媒であるテトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、ヘ
キサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族、若しく
は脂環式炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素等を単一で若しくは混合して使用することができ
る。反応温度は−40〜30℃、好ましくは−20〜1
0℃である。
【0021】このようにして合成された本発明のカルボ
シランあるいはポリカルボシランの用途としては液晶化
合物、導電性材料、光スイッチ素子、メモリー素子のよ
うなセンサー材料、有機感光材料、光メモリー材料等の
機能性材料あるいはセラミック前駆体等が考えられる。
以下、本発明を実施例により具体的に開示するが、本発
明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【0022】
【実施例】実施例1
【化10】
【0023】(1) 1,4−ビス(ジメチルヒドロシリ
ル)ベンゼンの調製 滴下ロート2本と還流冷却器付き500ml三口フラスコ
に削状Mg(5.35g、220mmol)を入れ窒素置換
した。窒素雰囲気下で無水THF(150ml)を入れ、
一方の滴下ロートに1,4−ジブロモベンゼン(23.6
g、100mmol)と無水THF(25.0ml)、もう一
方の滴下ロートにジメチルクロロシラン(25.5ml、
230mmol)を入れ均一溶液にし、激しく撹拌した。約
3.0mlを滴下し、ドライヤーで加熱した。約10分
後、還流が始まり、保温しながら残りを滴下した。滴下
終了後、ホッチングマグネチックスターラーを用いて約
30分間加熱還流を行った。氷浴を用いてフラスコを冷
却し、エーテル(60.0ml)を加えて、飽和NH4Cl
水溶液(100ml)で中和、加水分解を行った。その
後、セライト−エーテルを用いた濾過でマグネシウム塩
を除去し、エーテル(100ml)で分液抽出し、無水M
gSO4で乾燥した。乾燥後、乾燥剤を濾別し、常圧蒸
留及び減圧濃縮で溶媒を除去後、精留ビーズを詰めた蒸
留塔を用いて減圧蒸留により目的物である1,4−ビス
(ジメチルヒドロシリル)ベンゼンを得た。IR測定に
より2100cm-1にSi−Hの伸縮振動が確認された。
蒸留条件は102〜104℃/16mmHg、収量は11.
3g、収率は41%であった。
【0024】(2) ヒドロシリル基の塩素化反応 窒素置換した還流冷却器付き100ml丸底フラスコに
1,4−ビス(ジメチルヒドロシリル)ベンゼンを入
れ、窒素雰囲気下で脱水CCl4(45.0ml)を加え均
一溶液とした。PdCl2(0.021g、0.12mmo
l)を加え、オイルバスを用いて加熱還流した。約3時
間加熱還流後、室温に冷却し、反応溶液の一部をマイク
ロシリンジで抜き取りGC分析で反応終了を確認した。
減圧で溶媒を除去後、クーゲルロール蒸留装置を用いて
塩素化物の単離を行った。外気にできる限り触れないよ
う窒素置換した受器を用いて蒸留することにより目的物
である1,4−ビス(ジメチルクロロシリル)ベンゼン
を得た。蒸留終了後、窒素バルーンをつけて次の反応ま
で保存した。蒸留条件は80〜110℃/0.9mmHg、
収率は90%であった。なお、次の反応の反応器への移
動については受器を反応器に連結して無水THFで流し
込んだ。
【0025】(3) トリメチルスタニルリチウムの調製 100ml滴下ロートと温度計を付けた200ml三つ口フ
ラスコを窒素置換して、Arガス雰囲気下で無水THF
(80ml)を入れ、塊状金属Li(400mmol)を細か
く切り入れた。滴下ロートにMe3SnCl(1mol/L
のTHF溶液100ml)を入れ、氷塩浴を用いて−3〜
0℃の範囲にフラスコを冷却した。約5.0ml滴下して
20〜30分後、0〜1℃まで温度上昇して溶液が黄緑
色へ変化した。その後、約1.5時間−3〜0℃に温度
を保ち、残りを滴下した。
【0026】(4) ビス(スタニルシリル)化合物の調
製 (a) 1,4−ビス(ジメチルトリメチルスタニルシリ
ル)ベンゼンの調製 窒素置換した100ml滴下ロート付き300ml三つ口フ
ラスコにArガス雰囲気下でフラスコへ、無水THF
(60ml)と1,4−ビス(ジメチルクロロシリル)ベ
ンゼン(50mmol)を入れ、均一溶液にした。滴下ロー
トに注射器でスタニルリチウムのTHF溶液を移し、氷
塩液を用いて約0℃にフラスコを冷却し、0℃を越えな
いように滴下した。滴下終了後、20〜30分間撹拌放
置し、反応溶液の一部をマイクロシリンジで抜き取りG
C分析で反応終了を確認した。減圧蒸留で溶媒を除去
後、セライト−ヘキサン(100ml)を用いた濾過で塩
化リチウムを除去し、溶液に無水MgSO4を入れ乾燥
した。乾燥後、減圧濃縮で溶媒を除去し、精留ビーズを
詰めた蒸留塔で減圧蒸留して、沸点98〜130℃/
1.3mmHgの白色固体である1,4−ビス(ジメチルトリ
メチルスタニルシリル)ベンゼン15.6g(収率60
%)を得た。また、得られた生成物の1H−NMR分
析、13C−NMR分析、IR分析及びGC分析から構造
を決定した。ヘキサンを用いて再結晶化して、白色結晶
化物を得た。融点は97〜98℃であった。
【0027】実施例2〜4 実施例1(1)の1,4−ジブロモベンゼンに代えて2,5
−ジメチル−1,4−ジブロモベンゼン、1,4−ビス
(ブロモメチル)ベンゼン、及び1,4−ジブロモチオ
フェンをそれぞれ用いて同様に反応を行うことにより、
2,5−ジメチル−1,4−ビス(ジメチルヒドロシリ
ル)ベンゼン、1,4−ビス(ジメチルヒドロシリルメ
チル)ベンゼン及び1,4−ビス(ジメチルヒドロシリ
ル)チオフェンをそれぞれ表1に示す収率で得た。
【0028】
【表1】
【0029】更に、実施例1(2)の1,4−ビス(ジメ
チルヒドロシリル)ベンゼンに代えて2,5−ジメチル
−1,4−ビス(ジメチルヒドロシリル)ベンゼン、1,
4−ビス(ジメチルヒドロシリルメチル)ベンゼン、及
び1,4−ビス(ジメチルヒドロシリル)チオフェンを
それぞれ用いて同様に反応を行うことにより、2,5−
ジメチル−1,4−ビス(ジメチルクロロシリル)ベン
ゼン、1,4−ビス(ジメチルクロロシリルメチル)ベ
ンゼン及び1,4−ビス(ジメチルクロロシリル)チオ
フェンをそれぞれ表2に示す収率で得た。
【0030】
【表2】
【0031】更に、実施例1(4)(a)における1,4−
ビス(ジメチルクロロシリル)ベンゼンに代えて2,5
−ジメチル−1,4−ビス(ジメチルクロロシリル)ベ
ンゼン、1,4−ビス(ジメチルクロロシリルメチル)
ベンゼン、及び1,4−ビス(ジメチルクロロシリル)
チオフェンをそれぞれ用いて同様に反応を行うことによ
り、2,5−ジメチル−1,4−ビス(ジメチルトリメチ
ルスタニルシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジメチル
トリメチルスタニルシリルメチル)ベンゼン及び1,4
−ビス(ジメチルトリメチルスタニルシリル)チオフェ
ンをそれぞれ表3に示す収率で得た。
【0032】
【表3】
【0033】実施例5 ビス(スタニルシリル)化合物
の重合反応
【化11】 窒素置換したセプタムキャップとデジタル温度計付き3
0ml三つ口フラスコに1,4−ビス(ジメチルトリメチ
ルスタニルシリル)ベンゼン(1.2g、2.0mmol)を
入れ、Arガス雰囲気下で無水THF(10.0ml)を
加え均一溶液とした。氷塩浴を用いて−10℃の温度に
フラスコを冷却し、マイクロシリンジを用いてn−Bu
Li(0.8ml、1.0mmol)を添加すると、溶液は白濁
してきた。約30分放置後、マイクロシリンジで溶液の
一部を採取し、GC分析で原料の完全消費を確認した。
反応終了後、減圧下で溶媒を除去し、ヘキサン(20m
l)を用いた吸引濾過で不溶性の固体を濾別回収し、水
洗後、デシケーター中で乾燥した。母液は減圧下で濃縮
後、セライト−ヘキサン(40ml)で濾別し、ヘキサン
可溶物とTHF可溶物を分取した。共に減圧下で濃縮
後、ヘキサン可溶物0.46g、THF可溶物0.17
g、不溶性固体0.18gを得た。この反応物の分析結
果を表4に示す。1H−NMR分析チャートを図1、13
C−NMR分析チャートを図2に示す。
【0034】実施例6〜9 実施例5の1,4−ビス(ジメチルトリメチルスタニル
シリル)ベンゼンに代えて、それぞれ2,5−ジメチル
−1,4−ビス(ジメチルトリメチルスタニルシリル)
ベンゼン(実施例6)、1,4−ビス(ジメチルトリメ
チルスタニルシリルメチル)ベンゼン(実施例7)、
1,4−ビス(ジメチルトリメチルスタニルシリル)チ
オフェン(実施例8)または4,4′−ビス(ジメチル
トリメチルスタニルシリル)ビフェニル(実施例9)を
用いて実施例5と同様に反応を行い各ポリマーを得た。
結果は表4に示す。
【0035】尚、実施例8では表4に示す所定の反応を
行った後、更に開始剤を追加して重合を行った結果得ら
れたポリマーの分子量が増加していた。GPCにより、
測定したポリスチレン換算分子量の測定結果は以下の通
りである(溶媒THF)。 1段目の反応後 Mn=1237,Mw=1631,Mz
=2084 Mw/Mn=1.3185、Mz/Mn=1.6853 2段目の反応後 Mn=2155,Mw=2913,Mz
=4193 Mw/Mn=1.3516,Mz/Mn=1.9454
【0036】
【表4】
【0037】尚、実施例7で得られたポリマーの1H−
NMR分析チャートを図3、13C−NMR分析チャート
を図4に示す。更に、実施例8で1段目の反応で得られ
たポリマーの1H−NMR分析チャートを図5に、2段
目の反応で得られたポリマーの1H−NMR分析チャー
トを図6に、13C−NMR分析チャートを図7に、実施
例9で得られたポリマーの1H−NMR分析チャートを
図8に、13C−NMR分析チャートを図9に、UV分析
チャートを図10に、それぞれ示す。
【0038】実施例10
【化12】 窒素置換したセプタムキャップとデジタル温度計付き3
0ml三つ口フラスコに1,4−ビス(トリメチルスタニ
ルジメチルシリル)ベンゼン(1)(0.50mmol)と
1,2−ビス(トリメチルスタニルジメチルシリル)エ
タン(2)(0.5mmol)及びTHF(4.0ml)を入
れ、0℃に保った。この溶液に1.0mmolのn−BuL
iを含有するそのヘキサン溶液をゆっくりと添加した。
12時間後に水を5ml添加して反応を停止した。反応液
をクロロホルムで抽出し、その抽出液をシリカゲルカラ
ムにかけ、続いてヘキサン及びTHFで分画した。ヘキ
サンで溶出した分画物の1H−NMRチャートを図11
に、13C−NMR分析チャートを図12にそれぞれ示し
た。これらのチャートより上記(1)及び(2)の共重
合物であることがわかる。更に、GPC分析の結果、数
平均分子量(Mn)が850、重量平均分子量(Mw)
が1000であった。
【0039】
【発明の効果】特定の有機金属基末端を有する本発明の
新規なカルボシランを原料として有機典型金属化合物を
開始剤として合成することにより、重合度の制御された
ポリカルボシランを合成することが可能になり、また、
本発明の新規なカルボシラン及びポリカルボシランはそ
れ自体有用な工業材料であると共に、マクロモノマーと
して有用な高分子材料の原料となる可能性を有している
化合物である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例5で得られた本発明のポリカルボシラン
1H−NMR分析チャートである。
【図2】実施例5で得られた本発明のポリカルボシラン
13C−NMR分析チャートである。
【図3】実施例7で得られた本発明のポリカルボシラン
1H−NMR分析チャートである。
【図4】実施例8で得られた本発明のポリカルボシラン
13C−NMR分析チャートである。
【図5】実施例8の最初の重合で得られた本発明のポリ
カルボシランの1H−NMR分析チャートである。
【図6】実施例8の追加の重合で得られた本発明のポリ
カルボシランの1H−NMR分析チャートである。
【図7】実施例8の追加の重合で得られた本発明のポリ
カルボシランの13C−NMR分析チャートである。
【図8】実施例9の重合で得られた本発明のポリカルボ
シランの1H−NMR分析チャートである。
【図9】実施例9の重合で得られた本発明のポリカルボ
シランの13C−NMR分析チャートである。
【図10】実施例9の重合で得られた本発明のポリカル
ボシランのUV分析チャートである。
【図11】実施例10の共重合で得られた本発明のポリ
カルボシラン共重合体の1H−NMR分析チャートであ
る。
【図12】実施例10の共重合で得られた本発明のポリ
カルボシランの13C−NMR分析チャートである。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1)で表わされるカルボシラ
    ン。 【化1】 ここで、MはSn、GeまたはPb原子を表わし、A
    は、炭素数2〜10の脂肪族基、炭素数6〜30の炭素
    環式基または珪素、酸素、窒素及び硫黄原子のうちの1
    種以上を有する複素環式基であり、R1、R2、R3
    6、R7及びR8は互いに独立に炭素数1〜20のアル
    キル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくはアルキ
    ニル基または炭素数6〜20のアリール基であり、
    4、R5、R9及びR10は互いに独立に炭素数1〜20
    のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくは
    アルキニル基、炭素数3〜20のアルケニルアルキル基
    若しくはアルキニルアルキル基または炭素数6〜20の
    アリール基である。
  2. 【請求項2】 前記一般式(1)において、MがSn原子
    である請求項1に記載のカルボシラン。
  3. 【請求項3】 前記一般式(1)において、Aが1,4−
    フェニレン、2,5−ジメチル−1,4−フェニレン、
    1,4−キシリレン、1,4−チオフェン若しくは4,
    4′−ビフェニレンである請求項1若しくは2に記載の
    カルボシラン。
  4. 【請求項4】 前記一般式(1)において、R1、R2、R
    3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10が何れもメ
    チル基である請求項1〜3に記載のカルボシラン。
  5. 【請求項5】 下記一般式(2)で示される、ポリスチレ
    ン換算重量平均分子量が800〜100,000である
    ポリカルボシラン。 【化2】 ここで、MはSn、GeまたはPb原子を表わし、A
    は、炭素数2〜10の脂肪族基、または炭素数6〜30
    の炭素環式基または珪素、酸素、窒素及び硫黄原子のう
    ちの1種以上を有する複素環式基であり、R1、R2、R
    3、R6、R7及びR8は互いに独立に炭素数1〜20のア
    ルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくはアル
    キニル基または炭素数6〜20のアリール基であり、R
    4、R5、R9及びR10は互いに独立に炭素数1〜20の
    アルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基若しくはア
    ルキニル基、炭素数3〜20のアルケニルアルキル基若
    しくはアルキニルアルキル基または炭素数6〜20のア
    リール基であり、そしてnは1<n≦500である。
  6. 【請求項6】 下記一般式(3)で示される、ポリスチレ
    ン換算重量平均分子量が800〜100,000である
    ポリカルボシラン。 【化3】 ここで、MはSn、GeまたはPb原子を表わし、A及
    びAlは、独立に炭素数2〜10の脂肪族基、または炭
    素数6〜30の炭素環式基または珪素、酸素、窒素及び
    硫黄原子のうちの1種以上を有する複素環式基であり、
    1、R2、R3、R6、R7、R8、は互いに独立に炭素数
    1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基
    若しくはアルキニル基または炭素数6〜20のアリール
    基であり、R4、R5、R9、R10、R41、R51、R91
    びR101は互いに独立に炭素数1〜20のアルキル基、
    炭素数2〜20のアルケニル基若しくはアルキニル基、
    炭素数3〜20のアルケニルアルキル基若しくはアルキ
    ニルアルキル基または炭素数6〜20のアリール基であ
    り、そしてn及びn1はそれぞれ、1≦n≦499、1
    ≦n1≦499、2≦n+n1≦500である。ただし、
    2種のカルボシラン構造単位は同一ではないものとす
    る。
  7. 【請求項7】 前記一般式(2)または(3)においてM
    がSn原子である請求項5若しくは6に記載のポリカル
    ボシラン。
  8. 【請求項8】 前記一般式(2)または(3)においてA
    が1,4−フェニレン、2,5−ジメチル−1,4−フェ
    ニレン、1,4−キシリレン、1,4−チオフェン若しく
    は4,4′−ビフェニレンである請求項5〜7に記載の
    ポリカルボシラン。
  9. 【請求項9】 請求項1に記載の同種若しくは異種のカ
    ルボシランを有機典型金属化合物を開始剤として反応さ
    せることを特徴とする請求項5若しくは6に記載のポリ
    カルボシランの製造方法。
JP2001071336A 2000-03-14 2001-03-14 カルボシラン及びポリカルボシラン Expired - Fee Related JP4635356B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001071336A JP4635356B2 (ja) 2000-03-14 2001-03-14 カルボシラン及びポリカルボシラン

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-70561 2000-03-14
JP2000070561 2000-03-14
JP2001071336A JP4635356B2 (ja) 2000-03-14 2001-03-14 カルボシラン及びポリカルボシラン

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001328991A true JP2001328991A (ja) 2001-11-27
JP4635356B2 JP4635356B2 (ja) 2011-02-23

Family

ID=26587452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001071336A Expired - Fee Related JP4635356B2 (ja) 2000-03-14 2001-03-14 カルボシラン及びポリカルボシラン

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4635356B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521809B1 (ko) * 2002-10-30 2005-10-14 삼성전자주식회사 포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체 및 이를포함한 포토레지스트 조성물
JP2009108225A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Osaka City Univ Si−Si結合を有する高分子化合物及びその製造方法
JP2009528396A (ja) * 2006-02-16 2009-08-06 ユニバーシティ オブ コネチカット 前駆体ポリマからの導電性ポリマ、その作製方法およびその使用
WO2010134611A1 (ja) 2009-05-22 2010-11-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
WO2013015096A1 (ja) 2011-07-25 2013-01-31 リンテック株式会社 ガスバリアフィルム積層体及び電子部材
WO2013065812A1 (ja) 2011-11-04 2013-05-10 リンテック株式会社 ガスバリアフィルム及びその製造方法、ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、並びに電子デバイス
WO2013141318A1 (ja) 2012-03-22 2013-09-26 リンテック株式会社 透明導電性積層体及び電子デバイス又はモジュール
WO2020138206A1 (ja) 2018-12-27 2020-07-02 リンテック株式会社 ガスバリア性積層体

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000053770A (ja) * 1998-08-05 2000-02-22 Chisso Corp ケイ素−スズ結合を有する化合物を用いたケイ素−ケイ素結合を有する化合物の製造方法及び新規なケイ素−スズ結合を有する化合物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000053770A (ja) * 1998-08-05 2000-02-22 Chisso Corp ケイ素−スズ結合を有する化合物を用いたケイ素−ケイ素結合を有する化合物の製造方法及び新規なケイ素−スズ結合を有する化合物

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6010045693, Zeitschrift fuer Naturforschung, B: Chemical Sciences, 1994, 49(5), p.609−614 *
JPN6010045695, Organometallics, 1996, 15(8), p.2170−2178 *
JPN6010045697, Journal of Organometallic Chemistry, 1994, 476(2), p.225−229 *
JPN6010045699, Chemische Berichte, 1994, 127(6), p.985−990 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521809B1 (ko) * 2002-10-30 2005-10-14 삼성전자주식회사 포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체 및 이를포함한 포토레지스트 조성물
JP2009528396A (ja) * 2006-02-16 2009-08-06 ユニバーシティ オブ コネチカット 前駆体ポリマからの導電性ポリマ、その作製方法およびその使用
JP2009108225A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Osaka City Univ Si−Si結合を有する高分子化合物及びその製造方法
WO2010134611A1 (ja) 2009-05-22 2010-11-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
WO2013015096A1 (ja) 2011-07-25 2013-01-31 リンテック株式会社 ガスバリアフィルム積層体及び電子部材
WO2013065812A1 (ja) 2011-11-04 2013-05-10 リンテック株式会社 ガスバリアフィルム及びその製造方法、ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、並びに電子デバイス
EP3636432A1 (en) 2011-11-04 2020-04-15 LINTEC Corporation Gas barrier film, method for producing same, gas barrier film laminate, member for electronic devices, and electronic device
WO2013141318A1 (ja) 2012-03-22 2013-09-26 リンテック株式会社 透明導電性積層体及び電子デバイス又はモジュール
WO2020138206A1 (ja) 2018-12-27 2020-07-02 リンテック株式会社 ガスバリア性積層体

Also Published As

Publication number Publication date
JP4635356B2 (ja) 2011-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001328991A (ja) カルボシラン及びポリカルボシラン
JP4797440B2 (ja) 芳香族化合物の製造方法
JP2862753B2 (ja) チオフェン−シロ−ル共重合体およびその製造方法
US5874514A (en) Siloxane unsaturated hydrocarbon based polymers
KR101156314B1 (ko) 폴리카르보실란 및 그의 제조 방법
JPS61257992A (ja) ハロシリルアロイルハライドの製法
US6596833B2 (en) Carbosilane and polycarbosilane
JP2917619B2 (ja) ポリシラン共重合体及びその製造方法
KR101478828B1 (ko) 클릭화학 반응을 이용한 폴리알킬티오펜의 말단 기능화방법
Malanga et al. Head‐to‐head polymers. XXIV. Synthesis of head‐to‐head polyisobutylene by Grignard coupling reaction
JPH064699B2 (ja) 1,2,2−トリメチル−1−フエニルポリジシランおよびその製造方法
JP3830677B2 (ja) 光学活性ポリチオフェン誘導体とその製造方法
JP4090055B2 (ja) ジベンゾジシラアゼピン系重合体、その製造方法、それを利用した蛍光材料及びそれを利用した電子素子、並びにジベンゾジシラアゾシン系重合体、その製造方法、それを利用した蛍光材料及びそれを利用した電子素子
JP3713536B2 (ja) カルボシランボラジン系共重合ポリマー及びその製造方法
JP3053736B2 (ja) ケイ素含有重合体の製造方法
JP3114556B2 (ja) 2,5−ピロール含有シロール化合物、シロール−ピロール共重合体及びそれらの製造方法
JP4135205B2 (ja) シラシクロペンタジエン誘導体の多量体
JP3627010B2 (ja) ポリカルボゲルマン類及びその製造方法
JP3636904B2 (ja) カルボラン含有ケイ素系重合体及びその製造方法
JPH08113650A (ja) 置換ポリシラン化合物の製造方法
JP2721860B2 (ja) ポリシラン化合物の製造方法
JP2956432B2 (ja) ピロリル基ペンダントポリシラン及びその製造方法
PL208918B1 (pl) Nowe poli(3-alkilotiofeny) z grupą fosfinową oraz sposób ich wytwarzania
JPH07107046B2 (ja) パーフルオロノネニルオキシ基を有するビスマレイミド化合物、その製造法及びビスマレイミド樹脂材料
JPH08277331A (ja) シラニレンジアルキニレンポリマーおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070926

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100811

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101004

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101026

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101108

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4635356

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees