JP2001321735A - 異物除去方法 - Google Patents
異物除去方法Info
- Publication number
- JP2001321735A JP2001321735A JP2000143690A JP2000143690A JP2001321735A JP 2001321735 A JP2001321735 A JP 2001321735A JP 2000143690 A JP2000143690 A JP 2000143690A JP 2000143690 A JP2000143690 A JP 2000143690A JP 2001321735 A JP2001321735 A JP 2001321735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign matter
- substrate
- organic
- organic foreign
- carbon film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機系の異物を基板から完全に除去する異物
除去方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に付着した有機系の異物２に対
してイオンビーム法を用いて炭素膜３を蒸着して、炭素
膜３に有機系異物２を取込む。次にレーザービーム法を
用いてレーザービームを結合した有機系異物２と炭素膜
３に照射して、有機系の異物２を炭素膜３と一体に基板
１から熱蒸発させて剥離させる。
除去方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に付着した有機系の異物２に対
してイオンビーム法を用いて炭素膜３を蒸着して、炭素
膜３に有機系異物２を取込む。次にレーザービーム法を
用いてレーザービームを結合した有機系異物２と炭素膜
３に照射して、有機系の異物２を炭素膜３と一体に基板
１から熱蒸発させて剥離させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に付着した
有機系の異物を除去する異物除去方法に関するものであ
る。
有機系の異物を除去する異物除去方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上に付着した異物を除去する
には、硫酸過水，アンモニア過水に代表される薬品を使
用して洗浄する化学洗浄法と、超音波など使用して洗浄
する物理洗浄法を組み合わせて行われている。
には、硫酸過水，アンモニア過水に代表される薬品を使
用して洗浄する化学洗浄法と、超音波など使用して洗浄
する物理洗浄法を組み合わせて行われている。
【０００３】これらの洗浄方法は、特開昭５７−１０２
２２９号公報にも記載されているように、基板に付着し
た異物がＡｌ等の金属膜の場合には有効であり、多用さ
れている。
２２９号公報にも記載されているように、基板に付着し
た異物がＡｌ等の金属膜の場合には有効であり、多用さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
ト残査等のように有機系の異物が基板（ガラス）の表面
に付着した場合、有機系の異物と基板の間に生じる結合
力が洗浄力よりも強力であるため、このような有機系の
異物を従来の洗浄方法で除去することは不可能である。
ト残査等のように有機系の異物が基板（ガラス）の表面
に付着した場合、有機系の異物と基板の間に生じる結合
力が洗浄力よりも強力であるため、このような有機系の
異物を従来の洗浄方法で除去することは不可能である。
【０００５】そこで、従来では例えば基板としての透明
なガラスにマスクパターンを形成するフォトマスクの分
野では、基板に付着した有機系異物の部分は予め欠陥部
分として取扱い、その部分を使って露光形成した素子を
欠陥素子として除去しているのが実状である。
なガラスにマスクパターンを形成するフォトマスクの分
野では、基板に付着した有機系異物の部分は予め欠陥部
分として取扱い、その部分を使って露光形成した素子を
欠陥素子として除去しているのが実状である。
【０００６】このような方法を用いると、歩留まりを低
下させるという問題があり、有機系の異物を基板から完
全に除去する方法が望まれている。
下させるという問題があり、有機系の異物を基板から完
全に除去する方法が望まれている。
【０００７】本発明の目的は、有機系の異物を基板から
完全に除去する異物除去方法を提供することにある。
完全に除去する異物除去方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る異物除去方法は、基板上に付着した有
機系の異物を除去する異物除去方法であって、前記有機
系の異物を炭素膜に取込み、前記有機系の異物と前記炭
素膜の間に生じる分子間力をもって、前記有機系の異物
を前記炭素膜と一体に前記基板から剥離するものであ
る。
め、本発明に係る異物除去方法は、基板上に付着した有
機系の異物を除去する異物除去方法であって、前記有機
系の異物を炭素膜に取込み、前記有機系の異物と前記炭
素膜の間に生じる分子間力をもって、前記有機系の異物
を前記炭素膜と一体に前記基板から剥離するものであ
る。
【０００９】またイオンビーム法を用いて前記有機系の
異物を炭素膜に取込むものである。
異物を炭素膜に取込むものである。
【００１０】また前記有機系異物の炭素分子と前記炭素
膜の炭素分子の間に前記分子間力を生じさせるものであ
る。
膜の炭素分子の間に前記分子間力を生じさせるものであ
る。
【００１１】またレーザービーム法を用いて、前記有機
系の異物を前記炭素膜と一体に前記基板から熱蒸発させ
て剥離するものである。
系の異物を前記炭素膜と一体に前記基板から熱蒸発させ
て剥離するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１３】図１に示すように本発明に係る異物除去方
法は、基板１上に付着した有機系の異物２を除去する異
物除去方法であって、前記有機系の異物２を炭素膜３に
取込み、前記有機系の異物２と前記炭素膜３の間に生じ
る分子間力をもって、前記有機系の異物２を前記炭素膜
３と一体に前記基板１から剥離することを特徴とするも
のである。
法は、基板１上に付着した有機系の異物２を除去する異
物除去方法であって、前記有機系の異物２を炭素膜３に
取込み、前記有機系の異物２と前記炭素膜３の間に生じ
る分子間力をもって、前記有機系の異物２を前記炭素膜
３と一体に前記基板１から剥離することを特徴とするも
のである。
【００１４】前記有機系の異物２を炭素膜３に取込むに
は、イオンビーム法を用いて前記有機系の異物２を炭素
膜３に取込んでいる。
は、イオンビーム法を用いて前記有機系の異物２を炭素
膜３に取込んでいる。
【００１５】前記分子間力は、前記有機系異物２の炭素
分子と前記炭素膜３の炭素分子の間に生じさせている。
分子と前記炭素膜３の炭素分子の間に生じさせている。
【００１６】またレーザービーム法を用いて、前記有機
系の異物２を前記炭素膜３と一体に前記基板１から熱蒸
発させて剥離させている。
系の異物２を前記炭素膜３と一体に前記基板１から熱蒸
発させて剥離させている。
【００１７】次に図１を用いて本発明において基板に付
着した異物を除去する方法を工程順に具体的に説明す
る。
着した異物を除去する方法を工程順に具体的に説明す
る。
【００１８】基板１上には有機系の異物２が付着してい
るとする。異物２は有機系であるから、その分子成分は
炭素から構成されている。
るとする。異物２は有機系であるから、その分子成分は
炭素から構成されている。
【００１９】本発明では、基板１上に付着した有機系の
異物２に対してイオンビーム法を用いて炭素膜３を蒸着
して、炭素膜３に有機系異物２を取込む。
異物２に対してイオンビーム法を用いて炭素膜３を蒸着
して、炭素膜３に有機系異物２を取込む。
【００２０】炭素膜３に有機系異物２が取込まれると、
有機系の異物２の炭素分子と炭素膜３の炭素分子が結合
して分子間力が有機系の異物２の炭素分子と炭素膜３の
炭素分子の間に生じる。
有機系の異物２の炭素分子と炭素膜３の炭素分子が結合
して分子間力が有機系の異物２の炭素分子と炭素膜３の
炭素分子の間に生じる。
【００２１】この場合、基板１にはガラス板が用いられ
る場合があり、その基板１に含まれる分子は珪素であ
り、その珪素分子と有機系異物２の炭素分子の間に生じ
る分子間力より、有機系の異物２の炭素分子と炭素膜３
の炭素分子の間に生じる分子間力が大きいものである。
る場合があり、その基板１に含まれる分子は珪素であ
り、その珪素分子と有機系異物２の炭素分子の間に生じ
る分子間力より、有機系の異物２の炭素分子と炭素膜３
の炭素分子の間に生じる分子間力が大きいものである。
【００２２】次にレーザービーム法を用いてレーザービ
ームを結合した有機系異物２と炭素膜３に照射して、有
機系の異物２を炭素膜３と一体に基板１から熱蒸発させ
て剥離させる。
ームを結合した有機系異物２と炭素膜３に照射して、有
機系の異物２を炭素膜３と一体に基板１から熱蒸発させ
て剥離させる。
【００２３】上述したように基板１に含まれる珪素分子
と有機系異物２の炭素分子の間に生じる分子間力より、
有機系異物２の炭素分子と炭素膜３の炭素分子の間に生
じる分子間力が大きいため、基板１に含まれる珪素分子
と有機系異物２の炭素分子の間に生じる分子間力に打勝
って、有機系の異物２は炭素膜３と一体に基板１から熱
蒸発して剥離することとなる。
と有機系異物２の炭素分子の間に生じる分子間力より、
有機系異物２の炭素分子と炭素膜３の炭素分子の間に生
じる分子間力が大きいため、基板１に含まれる珪素分子
と有機系異物２の炭素分子の間に生じる分子間力に打勝
って、有機系の異物２は炭素膜３と一体に基板１から熱
蒸発して剥離することとなる。
【００２４】なお、上述した本発明では主にフォトマス
クの分野を想定して説明したが、この分野に限らず、ウ
エハーの分野にも同様に適用することができる。
クの分野を想定して説明したが、この分野に限らず、ウ
エハーの分野にも同様に適用することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、有
機系異物の炭素分子と炭素膜の炭素分子の間に生じる分
子間力を利用して、有機系異物を基板から完全に除去す
ることができる。
機系異物の炭素分子と炭素膜の炭素分子の間に生じる分
子間力を利用して、有機系異物を基板から完全に除去す
ることができる。
【図１】本発明に係る異物除去方法を説明する図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 有機系異物 ３ 炭素膜
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に付着した有機系の異物を除去す
る異物除去方法であって、 前記有機系の異物を炭素膜に取込み、前記有機系の異物
と前記炭素膜の間に生じる分子間力をもって、前記有機
系の異物を前記炭素膜と一体に前記基板から剥離するこ
とを特徴とする異物除去方法。 - 【請求項２】 イオンビーム法を用いて前記有機系の異
物を炭素膜に取込むことを特徴とする請求項１に記載の
異物除去方法。 - 【請求項３】 前記有機系異物の炭素分子と前記炭素膜
の炭素分子の間に前記分子間力を生じさせることを特徴
とする請求項１に記載の異物除去方法。 - 【請求項４】 レーザービーム法を用いて、前記有機系
の異物を前記炭素膜と一体に前記基板から熱蒸発させて
剥離することを特徴とする請求項１に記載の異物除去方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000143690A JP2001321735A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 異物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000143690A JP2001321735A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 異物除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001321735A true JP2001321735A (ja) | 2001-11-20 |
Family
ID=18650473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000143690A Pending JP2001321735A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 異物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001321735A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005251806A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体用基板の洗浄方法およびスピン式洗浄装置 |
| JP2020086280A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 大日本印刷株式会社 | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05107744A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの異物除去方法 |
| JPH06347997A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 構造体の欠陥修正方法 |
| JPH07171689A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-07-11 | Hitachi Ltd | 金属表面処理方法 |
-
2000
- 2000-05-16 JP JP2000143690A patent/JP2001321735A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05107744A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの異物除去方法 |
| JPH06347997A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 構造体の欠陥修正方法 |
| JPH07171689A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-07-11 | Hitachi Ltd | 金属表面処理方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005251806A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体用基板の洗浄方法およびスピン式洗浄装置 |
| JP2020086280A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 大日本印刷株式会社 | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 |
| JP7334408B2 (ja) | 2018-11-29 | 2023-08-29 | 大日本印刷株式会社 | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5395405B2 (ja) | 基板洗浄方法及び装置 | |
| WO2006104819A3 (en) | A method and system for removing an oxide from a substrate | |
| WO2004059383A3 (en) | Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal | |
| JP2006003684A (ja) | 基板レスフィルタの製造方法 | |
| JP2001321735A (ja) | 異物除去方法 | |
| JP2003302745A (ja) | 異物の無害化方法 | |
| WO2015172510A1 (zh) | 一种去除光刻胶的方法 | |
| WO2004049073A3 (en) | Drying process for low-k dielectric films | |
| JP2002083771A (ja) | ＳｉＣ素子の製造方法 | |
| US20060243300A1 (en) | Method for cleaning lithographic apparatus | |
| WO2002063670A3 (en) | Method for removing copper from a wafer edge | |
| KR950021200A (ko) | 포토레지스트 제거 방법 | |
| JP2001052979A (ja) | レジストの形成方法及び基体の加工方法、並びにフィルター構造 | |
| JP3062337B2 (ja) | 異物の除去方法 | |
| JP2008244323A (ja) | ステンシルマスク | |
| JP2616139B2 (ja) | 半導体結晶表面クリーニング方法 | |
| JPH10199847A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| JP2002373878A (ja) | 基板表面のクリーニング装置及び方法 | |
| JP2803259B2 (ja) | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 | |
| JP2002110658A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその装置 | |
| KR20080084371A (ko) | 포토마스크 제조방법 | |
| JP2004119708A (ja) | 微細パターン形成法 | |
| JP2000208463A (ja) | 異物除去方法及び異物除去装置 | |
| JP2007152308A (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JPS59207628A (ja) | ドライエツチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070410 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090527 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090529 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091016 |