JP2001321735A - 異物除去方法 - Google Patents
異物除去方法Info
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- JP2001321735A JP2001321735A JP2000143690A JP2000143690A JP2001321735A JP 2001321735 A JP2001321735 A JP 2001321735A JP 2000143690 A JP2000143690 A JP 2000143690A JP 2000143690 A JP2000143690 A JP 2000143690A JP 2001321735 A JP2001321735 A JP 2001321735A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機系の異物を基板から完全に除去する異物
除去方法を提供する。 【解決手段】 基板1上に付着した有機系の異物2に対
してイオンビーム法を用いて炭素膜3を蒸着して、炭素
膜3に有機系異物2を取込む。次にレーザービーム法を
用いてレーザービームを結合した有機系異物2と炭素膜
3に照射して、有機系の異物2を炭素膜3と一体に基板
1から熱蒸発させて剥離させる。
除去方法を提供する。 【解決手段】 基板1上に付着した有機系の異物2に対
してイオンビーム法を用いて炭素膜3を蒸着して、炭素
膜3に有機系異物2を取込む。次にレーザービーム法を
用いてレーザービームを結合した有機系異物2と炭素膜
3に照射して、有機系の異物2を炭素膜3と一体に基板
1から熱蒸発させて剥離させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に付着した
有機系の異物を除去する異物除去方法に関するものであ
る。
有機系の異物を除去する異物除去方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、基板上に付着した異物を除去する
には、硫酸過水,アンモニア過水に代表される薬品を使
用して洗浄する化学洗浄法と、超音波など使用して洗浄
する物理洗浄法を組み合わせて行われている。
には、硫酸過水,アンモニア過水に代表される薬品を使
用して洗浄する化学洗浄法と、超音波など使用して洗浄
する物理洗浄法を組み合わせて行われている。
【0003】これらの洗浄方法は、特開昭57−102
229号公報にも記載されているように、基板に付着し
た異物がAl等の金属膜の場合には有効であり、多用さ
れている。
229号公報にも記載されているように、基板に付着し
た異物がAl等の金属膜の場合には有効であり、多用さ
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
ト残査等のように有機系の異物が基板(ガラス)の表面
に付着した場合、有機系の異物と基板の間に生じる結合
力が洗浄力よりも強力であるため、このような有機系の
異物を従来の洗浄方法で除去することは不可能である。
ト残査等のように有機系の異物が基板(ガラス)の表面
に付着した場合、有機系の異物と基板の間に生じる結合
力が洗浄力よりも強力であるため、このような有機系の
異物を従来の洗浄方法で除去することは不可能である。
【0005】そこで、従来では例えば基板としての透明
なガラスにマスクパターンを形成するフォトマスクの分
野では、基板に付着した有機系異物の部分は予め欠陥部
分として取扱い、その部分を使って露光形成した素子を
欠陥素子として除去しているのが実状である。
なガラスにマスクパターンを形成するフォトマスクの分
野では、基板に付着した有機系異物の部分は予め欠陥部
分として取扱い、その部分を使って露光形成した素子を
欠陥素子として除去しているのが実状である。
【0006】このような方法を用いると、歩留まりを低
下させるという問題があり、有機系の異物を基板から完
全に除去する方法が望まれている。
下させるという問題があり、有機系の異物を基板から完
全に除去する方法が望まれている。
【0007】本発明の目的は、有機系の異物を基板から
完全に除去する異物除去方法を提供することにある。
完全に除去する異物除去方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る異物除去方法は、基板上に付着した有
機系の異物を除去する異物除去方法であって、前記有機
系の異物を炭素膜に取込み、前記有機系の異物と前記炭
素膜の間に生じる分子間力をもって、前記有機系の異物
を前記炭素膜と一体に前記基板から剥離するものであ
る。
め、本発明に係る異物除去方法は、基板上に付着した有
機系の異物を除去する異物除去方法であって、前記有機
系の異物を炭素膜に取込み、前記有機系の異物と前記炭
素膜の間に生じる分子間力をもって、前記有機系の異物
を前記炭素膜と一体に前記基板から剥離するものであ
る。
【0009】またイオンビーム法を用いて前記有機系の
異物を炭素膜に取込むものである。
異物を炭素膜に取込むものである。
【0010】また前記有機系異物の炭素分子と前記炭素
膜の炭素分子の間に前記分子間力を生じさせるものであ
る。
膜の炭素分子の間に前記分子間力を生じさせるものであ
る。
【0011】またレーザービーム法を用いて、前記有機
系の異物を前記炭素膜と一体に前記基板から熱蒸発させ
て剥離するものである。
系の異物を前記炭素膜と一体に前記基板から熱蒸発させ
て剥離するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【0013】図1に示すように本発明に係る異物除去方
法は、基板1上に付着した有機系の異物2を除去する異
物除去方法であって、前記有機系の異物2を炭素膜3に
取込み、前記有機系の異物2と前記炭素膜3の間に生じ
る分子間力をもって、前記有機系の異物2を前記炭素膜
3と一体に前記基板1から剥離することを特徴とするも
のである。
法は、基板1上に付着した有機系の異物2を除去する異
物除去方法であって、前記有機系の異物2を炭素膜3に
取込み、前記有機系の異物2と前記炭素膜3の間に生じ
る分子間力をもって、前記有機系の異物2を前記炭素膜
3と一体に前記基板1から剥離することを特徴とするも
のである。
【0014】前記有機系の異物2を炭素膜3に取込むに
は、イオンビーム法を用いて前記有機系の異物2を炭素
膜3に取込んでいる。
は、イオンビーム法を用いて前記有機系の異物2を炭素
膜3に取込んでいる。
【0015】前記分子間力は、前記有機系異物2の炭素
分子と前記炭素膜3の炭素分子の間に生じさせている。
分子と前記炭素膜3の炭素分子の間に生じさせている。
【0016】またレーザービーム法を用いて、前記有機
系の異物2を前記炭素膜3と一体に前記基板1から熱蒸
発させて剥離させている。
系の異物2を前記炭素膜3と一体に前記基板1から熱蒸
発させて剥離させている。
【0017】次に図1を用いて本発明において基板に付
着した異物を除去する方法を工程順に具体的に説明す
る。
着した異物を除去する方法を工程順に具体的に説明す
る。
【0018】基板1上には有機系の異物2が付着してい
るとする。異物2は有機系であるから、その分子成分は
炭素から構成されている。
るとする。異物2は有機系であるから、その分子成分は
炭素から構成されている。
【0019】本発明では、基板1上に付着した有機系の
異物2に対してイオンビーム法を用いて炭素膜3を蒸着
して、炭素膜3に有機系異物2を取込む。
異物2に対してイオンビーム法を用いて炭素膜3を蒸着
して、炭素膜3に有機系異物2を取込む。
【0020】炭素膜3に有機系異物2が取込まれると、
有機系の異物2の炭素分子と炭素膜3の炭素分子が結合
して分子間力が有機系の異物2の炭素分子と炭素膜3の
炭素分子の間に生じる。
有機系の異物2の炭素分子と炭素膜3の炭素分子が結合
して分子間力が有機系の異物2の炭素分子と炭素膜3の
炭素分子の間に生じる。
【0021】この場合、基板1にはガラス板が用いられ
る場合があり、その基板1に含まれる分子は珪素であ
り、その珪素分子と有機系異物2の炭素分子の間に生じ
る分子間力より、有機系の異物2の炭素分子と炭素膜3
の炭素分子の間に生じる分子間力が大きいものである。
る場合があり、その基板1に含まれる分子は珪素であ
り、その珪素分子と有機系異物2の炭素分子の間に生じ
る分子間力より、有機系の異物2の炭素分子と炭素膜3
の炭素分子の間に生じる分子間力が大きいものである。
【0022】次にレーザービーム法を用いてレーザービ
ームを結合した有機系異物2と炭素膜3に照射して、有
機系の異物2を炭素膜3と一体に基板1から熱蒸発させ
て剥離させる。
ームを結合した有機系異物2と炭素膜3に照射して、有
機系の異物2を炭素膜3と一体に基板1から熱蒸発させ
て剥離させる。
【0023】上述したように基板1に含まれる珪素分子
と有機系異物2の炭素分子の間に生じる分子間力より、
有機系異物2の炭素分子と炭素膜3の炭素分子の間に生
じる分子間力が大きいため、基板1に含まれる珪素分子
と有機系異物2の炭素分子の間に生じる分子間力に打勝
って、有機系の異物2は炭素膜3と一体に基板1から熱
蒸発して剥離することとなる。
と有機系異物2の炭素分子の間に生じる分子間力より、
有機系異物2の炭素分子と炭素膜3の炭素分子の間に生
じる分子間力が大きいため、基板1に含まれる珪素分子
と有機系異物2の炭素分子の間に生じる分子間力に打勝
って、有機系の異物2は炭素膜3と一体に基板1から熱
蒸発して剥離することとなる。
【0024】なお、上述した本発明では主にフォトマス
クの分野を想定して説明したが、この分野に限らず、ウ
エハーの分野にも同様に適用することができる。
クの分野を想定して説明したが、この分野に限らず、ウ
エハーの分野にも同様に適用することができる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、有
機系異物の炭素分子と炭素膜の炭素分子の間に生じる分
子間力を利用して、有機系異物を基板から完全に除去す
ることができる。
機系異物の炭素分子と炭素膜の炭素分子の間に生じる分
子間力を利用して、有機系異物を基板から完全に除去す
ることができる。
【図1】本発明に係る異物除去方法を説明する図であ
る。
る。
1 基板 2 有機系異物 3 炭素膜
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上に付着した有機系の異物を除去す
る異物除去方法であって、 前記有機系の異物を炭素膜に取込み、前記有機系の異物
と前記炭素膜の間に生じる分子間力をもって、前記有機
系の異物を前記炭素膜と一体に前記基板から剥離するこ
とを特徴とする異物除去方法。 - 【請求項2】 イオンビーム法を用いて前記有機系の異
物を炭素膜に取込むことを特徴とする請求項1に記載の
異物除去方法。 - 【請求項3】 前記有機系異物の炭素分子と前記炭素膜
の炭素分子の間に前記分子間力を生じさせることを特徴
とする請求項1に記載の異物除去方法。 - 【請求項4】 レーザービーム法を用いて、前記有機系
の異物を前記炭素膜と一体に前記基板から熱蒸発させて
剥離することを特徴とする請求項1に記載の異物除去方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000143690A JP2001321735A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 異物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000143690A JP2001321735A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 異物除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001321735A true JP2001321735A (ja) | 2001-11-20 |
Family
ID=18650473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000143690A Pending JP2001321735A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 異物除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001321735A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005251806A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体用基板の洗浄方法およびスピン式洗浄装置 |
JP2020086280A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 大日本印刷株式会社 | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05107744A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの異物除去方法 |
JPH06347997A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 構造体の欠陥修正方法 |
JPH07171689A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-07-11 | Hitachi Ltd | 金属表面処理方法 |
-
2000
- 2000-05-16 JP JP2000143690A patent/JP2001321735A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05107744A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの異物除去方法 |
JPH06347997A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 構造体の欠陥修正方法 |
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JP2020086280A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 大日本印刷株式会社 | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 |
JP7334408B2 (ja) | 2018-11-29 | 2023-08-29 | 大日本印刷株式会社 | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070410 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090529 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091016 |