JP2001319873A - Projection aligner, its manufacturing method, and adjusting method - Google Patents

Projection aligner, its manufacturing method, and adjusting method

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JP2001319873A
JP2001319873A JP2001047923A JP2001047923A JP2001319873A JP 2001319873 A JP2001319873 A JP 2001319873A JP 2001047923 A JP2001047923 A JP 2001047923A JP 2001047923 A JP2001047923 A JP 2001047923A JP 2001319873 A JP2001319873 A JP 2001319873A
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projection
frame mechanism
exposure apparatus
exposure
optical system
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JP2001047923A
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Masaya Iwasaki
雅弥 岩崎
Osamu Yamashita
修 山下
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a projection aligner easy to remove or replace a projection optical system. SOLUTION: A pattern image of a reticle in a reticle chamber 12 is transferred onto a wafer in a wafer chamber 23 through a projection optical system PL which is mounted on a support plate 16 of a frame mechanism 17 slidably mounted on a surface plate 2, and the wafer chamber 23 is mounted slidably forward on a region surrounded by columns 14B, 14C of the flame mechanism 17 on the surface plate 2. For removing the projection optical system PL, the wafer chamber 23 is moved forward and then the frame mechanism 17 supporting the projection optical system PL is moved to a position 17A on a fore adjustable table 38.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、プラズマディスプレイ素子又は薄膜
磁気ヘッド等のデバイスを製造するためのリソグラフィ
工程でマスクパターンを基板上に転写する際に使用され
る投影露光装置、並びにその製造方法及びその調整方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used when a mask pattern is transferred onto a substrate in a lithography process for manufacturing a device such as a semiconductor device, a liquid crystal display device, a plasma display device or a thin film magnetic head. The present invention relates to a projection exposure apparatus, a manufacturing method thereof, and an adjusting method thereof.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体素子等を製造する際に使用される
一括露光型（ステッパー型）、又は走査露光型（ステッ
プ・アンド・スキャン方式等）の投影露光装置には高い
露光精度が要求されている。そのため、投影露光装置に
おいて、マスクとしてのレチクルのパターンの像を基板
としてのウエハ上に投影する投影光学系は、開口数を大
きくして高い解像度を得るために大型化すると共に、露
光光の短波長化に対応するために、短波長でも高透過率
の硝材よりなる屈折部材の使用、又は反射部材の使用等
によって、構成が複雑化している。更に、レチクルを位
置決めするレチクルステージ系、及びウエハを２次元移
動するウエハステージ系には、それぞれ高精度な位置決
め、又は高精度な走査ができるような構成が採用されて
いる。2. Description of the Related Art High exposure accuracy is required for a projection exposure apparatus of a batch exposure type (stepper type) or a scanning exposure type (step-and-scan type, etc.) used for manufacturing a semiconductor device or the like. I have. Therefore, in a projection exposure apparatus, a projection optical system for projecting an image of a reticle pattern as a mask onto a wafer as a substrate is enlarged in order to obtain a high resolution by increasing the numerical aperture. In order to cope with the increase in wavelength, the configuration is complicated by the use of a refraction member made of a glass material having a high transmittance even at a short wavelength or the use of a reflection member. Further, the reticle stage system that positions the reticle and the wafer stage system that moves the wafer two-dimensionally adopt a configuration that enables high-precision positioning or high-precision scanning.

【０００３】そして、従来の投影露光装置は、所定のフ
レーム機構に対して投影光学系を装着した後、この投影
光学系を基準としてレチクルステージ系、及びウエハス
テージ系を所定の位置関係で組み上げることによって製
造されていた。また、露光光として紫外光を使用する場
合、紫外光は通常の空気中に存在する微量な有機物等と
化学反応を起こして、投影光学系を構成するレンズ等の
表面に曇り物質が生じることが知られている。このよう
に曇り物質が生じると、投影光学系の透過率が低下する
ため、従来はケミカルフィルタ等を用いて投影光学系の
周囲の気体から有機物等の不純物を除去していた。In a conventional projection exposure apparatus, after a projection optical system is mounted on a predetermined frame mechanism, a reticle stage system and a wafer stage system are assembled in a predetermined positional relationship based on the projection optical system. Was manufactured by In addition, when ultraviolet light is used as exposure light, the ultraviolet light causes a chemical reaction with a small amount of organic substances or the like present in the normal air, and a cloudy substance may be generated on the surface of a lens or the like constituting a projection optical system. Are known. When such a cloudy substance is generated, the transmittance of the projection optical system decreases. Therefore, conventionally, impurities such as organic substances have been removed from the gas around the projection optical system using a chemical filter or the like.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】最近の投影露光装置
は、半導体集積回路等の一層の微細化に対応して解像度
を更に高めるために、露光光の波長がＫｒＦエキシマレ
ーザ（波長２４８ｎｍ）から真空紫外域のＡｒＦエキシ
マレーザ（波長１９３ｎｍ）に移行しつつあり、更には
露光光としてＦ2 レーザ（波長１５７ｎｍ）やＫｒ2 レ
ーザ（波長１４６ｎｍ）等のより短波長の光の使用も検
討されている。In recent projection exposure apparatuses, the wavelength of exposure light is changed from a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm) to a vacuum in order to further increase the resolution in response to further miniaturization of semiconductor integrated circuits and the like. It is shifting to an ultraviolet ArF excimer laser (wavelength 193 nm), and the use of shorter wavelength light such as an F 2 laser (wavelength 157 nm) or a Kr 2 laser (wavelength 146 nm) as exposure light is also being studied. .

【０００５】このように露光光が波長２００ｎｍ以下程
度の真空紫外光（ＶＵＶ光）となると、通常の空気（特
に酸素）による吸収率が高いため、その光路に窒素ガス
やヘリウムガスのような真空紫外光に対して高透過率
で、有機物や酸素等の不純物が除去された高純度の気体
（パージガス）を供給することが望ましい。また、真空
紫外域の露光光に対しては、屈折部材の硝材として合成
石英や、蛍石（ＣａＦ2）のように短波長域でも高透過
率の光学材料を使用する必要がある。しかしながら、こ
のように高透過率の光学材料及びパージガスを使用した
としても、投影光学系の透過率が或る程度低下すること
は避けられない。[0005] When the exposure light becomes vacuum ultraviolet light (VUV light) having a wavelength of about 200 nm or less, the absorption rate of ordinary air (particularly oxygen) is high. It is desirable to supply a high-purity gas (purge gas) having a high transmittance to ultraviolet light and from which impurities such as organic substances and oxygen have been removed. For exposure light in the vacuum ultraviolet region, it is necessary to use an optical material having a high transmittance even in a short wavelength region, such as synthetic quartz or fluorite (CaF 2 ), as a glass material of the refraction member. However, even if the optical material and the purge gas having such a high transmittance are used, it is inevitable that the transmittance of the projection optical system is reduced to some extent.

【０００６】このような状態で、そのパージガス中に残
存している微量な有機物等によって投影光学系を構成す
る光学部材に僅かな曇り物質が生じると、投影光学系の
透過率が許容範囲を超えて低下する恐れがある。この際
に、その曇りを生じた光学部材の清掃、交換、又は再調
整を行うためには、投影光学系を露光本体部から取り外
す必要のある場合がある。そして、その投影光学系の再
調整等に時間を要する場合には、投影露光装置の稼働効
率を高めるために、露光本体部には別の調整済みの投影
光学系を装着することが望ましい。また、投影光学系の
透過率が低下する場合の他にも、外部からの振動等によ
って所定の収差が許容範囲を超えたときには、その投影
光学系を露光本体部から取り外して再調整を行うか、更
には交換する必要のある場合がある。In such a state, if a slight fogging substance is generated in the optical member constituting the projection optical system due to a trace amount of organic substances or the like remaining in the purge gas, the transmittance of the projection optical system exceeds the allowable range. May be reduced. At this time, it may be necessary to remove the projection optical system from the exposure main body in order to clean, replace, or readjust the fogged optical member. When it takes time to readjust the projection optical system or the like, it is desirable to attach another adjusted projection optical system to the exposure main body in order to increase the operation efficiency of the projection exposure apparatus. In addition to the case where the transmittance of the projection optical system is reduced, when the predetermined aberration exceeds an allowable range due to external vibration or the like, whether the projection optical system is removed from the exposure main body and readjustment is performed. May need to be replaced.

【０００７】ところが、従来の通常の投影露光装置で
は、投影光学系を取り外すためには、ウエハステージ等
を取り外すなど、実質的に投影露光装置の主要部分の分
解を行う作業のような、複雑で長時間を要する作業が必
要になる。更に、従来の通常の投影露光装置は、投影光
学系を基準として組み立てられているユニットが多く存
在するために、調整済みの投影光学系を露光装置の本体
部に装着する際には、非常に多くの作業手順を実行する
必要があり、結果としてメンテナンスのコストが上昇す
ると共に、投影露光装置の再稼働の開始が遅れてしまう
という不都合がある。However, in the conventional ordinary projection exposure apparatus, removing the projection optical system is complicated, such as the work of substantially disassembling the main part of the projection exposure apparatus, such as removing a wafer stage or the like. It takes a long operation. Further, in the conventional ordinary projection exposure apparatus, since many units are assembled based on the projection optical system, when the adjusted projection optical system is mounted on the main body of the exposure apparatus, it is very difficult. Many work procedures need to be performed, resulting in an increase in maintenance costs and a delay in restarting the projection exposure apparatus.

【０００８】本発明は斯かる点に鑑み、投影光学系（投
影系）の少なくとも一部の取り外し、交換、又は調整
（光学素子の洗浄、移動、若しくは再加工等）が容易な
投影露光装置、この投影露光装置の製造方法、及びこの
投影露光装置の調整方法を提供することを目的とする。In view of the foregoing, the present invention provides a projection exposure apparatus in which at least a part of a projection optical system (projection system) can be easily removed, replaced, or adjusted (such as cleaning, moving, or reworking an optical element). It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing the projection exposure apparatus and a method of adjusting the projection exposure apparatus.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明による第１の投影
露光装置は、露光ビームで投影系（ＰＬ）を介して物体
（Ｒ１，Ｗ１）を露光する投影露光装置において、ベー
ス部材（２）と、このベース部材上にスライド可能な状
態で設置されたフレーム機構（１７）とを有し、このフ
レーム機構に前記投影系を装着したものである。斯かる
本発明によれば、そのフレーム機構をスライドさせるこ
とによって、極めて容易にその投影系の取り外し、交
換、又は調整を行うことができる。According to the first aspect of the present invention, there is provided a projection exposure apparatus for exposing an object (R1, W1) with an exposure beam through a projection system (PL). And a frame mechanism (17) slidably mounted on the base member, and the projection system is mounted on the frame mechanism. According to the present invention, the projection system can be very easily removed, replaced, or adjusted by sliding the frame mechanism.

【００１０】また、本発明による第２の投影露光装置
は、露光ビームで投影系（ＰＬ）を介して物体（Ｗ１）
を露光する投影露光装置において、ベース部材（２）
と、このベース部材上に複数の又は一つの脚部（１４Ａ
〜１４Ｃ；１４Ａ〜１４Ｄ）を介して設置されたフレー
ム機構（１７）と、このフレーム機構に装着された投影
系（ＰＬ）と、そのベース部材上のその脚部で囲まれた
領域に所定方向にスライド可能な状態で支持部（２２Ａ
〜２２Ｃ；２２Ａ〜２２Ｄ）を介して設置されて、その
物体を駆動するステージ系（ＷＳＴ）とを有するもので
ある。A second projection exposure apparatus according to the present invention provides an object (W1) via an exposure beam through a projection system (PL).
In a projection exposure apparatus for exposing a substrate, a base member (2)
And one or more legs (14A) on the base member.
14C; 14A to 14D), a frame mechanism (17) mounted on the frame mechanism, a projection system (PL) mounted on the frame mechanism, and a predetermined direction in a region on the base member surrounded by the legs. In a state where it can slide to
-22C; 22A-22D) and a stage system (WST) for driving the object.

【００１１】斯かる本発明によれば、第１の方法として
先ずそのステージ系をその所定方向にスライド（摺動）
させて取り出した後、そのフレーム機構をその投影系を
支持した状態でその所定方向にスライドさせることによ
って、容易にその投影系を取り外すことができる。ま
た、第２の方法として、そのフレーム機構を直接その所
定方向の逆方向にスライドさせることでも、容易にその
投影系を取り外すことができる。そして、例えばそのフ
レーム機構上の投影系の再調整を行うか、又はその投影
系を調整済みの別の投影系と交換した後、その第１の方
法又は第２の方法の逆のシーケンスを実行することで、
容易にそのフレーム機構を露光位置に設置することがで
きる。According to the present invention, as a first method, first, the stage system is slid in the predetermined direction.
After being taken out, the projection system can be easily removed by sliding the frame mechanism in the predetermined direction while supporting the projection system. Further, as a second method, the projection system can be easily removed by directly sliding the frame mechanism in a direction opposite to the predetermined direction. Then, for example, after re-adjusting the projection system on the frame mechanism or replacing the projection system with another adjusted projection system, the reverse sequence of the first method or the second method is executed. by doing,
The frame mechanism can be easily installed at the exposure position.

【００１２】この場合、一例として図４に示すように、
そのフレーム機構の脚部は、実質的に三角形の各頂点に
配置された３個の脚部（１４Ａ〜１４Ｃ）であり、この
場合、そのステージ系の支持部（２２Ａ〜２２Ｃ）の幅
Ｄ１は、その３個の脚部の隣接する所定の２つの脚部
（１４Ａ，１４Ｂ）の間隔Ｄ２よりも小さいことが望ま
しい。この構成では、その２つの脚部（１４Ａ，１４
Ｂ）の方向にそのステージ系をスライドさせて取り出す
ことで、上記の第１の方法が使用できる。In this case, as an example, as shown in FIG.
The legs of the frame mechanism are substantially three legs (14A to 14C) arranged at each vertex of the triangle, and in this case, the width D1 of the support (22A to 22C) of the stage system is It is desirable that the distance between adjacent three legs (14A, 14B) of the three legs is smaller than D2. In this configuration, the two legs (14A, 14A)
The first method can be used by sliding out the stage system in the direction B).

【００１３】また、別の例として図５に示すように、そ
のフレーム機構の脚部は、実質的に長方形の各頂点に配
置された４個の脚部（１４Ａ〜１４Ｄ）であり、この場
合、そのステージ系の支持部（２２Ａ〜２２Ｄ）の幅
は、その４個の脚部の隣接する所定の２つの脚部（１４
Ｃ，１４Ｄ）の間隔よりも小さいことが望ましい。この
構成では、そのステージ系はその２つの脚部（１４Ｃ，
１４Ｄ）の方向（Ｂ４）にスライド可能であるため、そ
の逆の方向（Ｂ１）にそのフレーム機構をスライドさせ
ることで、上記の第２の方法が使用できる。As another example, as shown in FIG. 5, the legs of the frame mechanism are four legs (14A to 14D) arranged substantially at the vertices of a rectangle. The width of the supporting portion (22A to 22D) of the stage system is determined by two predetermined leg portions (14) adjacent to the four leg portions.
C, 14D). In this configuration, the stage system has its two legs (14C,
14D), the frame mechanism can be slid in the opposite direction (B1) to use the second method.

【００１４】また、そのフレーム機構の脚部の底面に圧
搾された気体を噴き出すためのエアーパッド（１３Ａ〜
１３Ｃ）を設けることが望ましい。これによって、その
フレーム機構をそのベース部材上で円滑にスライドさせ
ることができる。次に、本発明の第１の投影露光装置の
製造方法は、露光ビームで投影系（ＰＬ）を介して物体
（Ｗ１）を露光する投影露光装置の製造方法であって、
その投影系を支持するフレーム機構（１７）を複数の又
は一つの脚部を介して所定のベース部材上に配置する第
１工程（ステップ１０２）と、そのベース部材上のその
脚部で囲まれた領域に所定方向にスライド可能な状態で
その物体を駆動するステージ系（ＷＳＴ）を配置する第
２工程（ステップ１０３）とを有するものである。この
製造方法によって、上記の本発明の投影露光装置を効率
的に製造できる。An air pad (13A to 13A) for blowing compressed gas onto the bottom surface of the leg of the frame mechanism.
13C) is desirably provided. Thereby, the frame mechanism can be slid smoothly on the base member. Next, a first method for manufacturing a projection exposure apparatus according to the present invention is a method for manufacturing a projection exposure apparatus that exposes an object (W1) with an exposure beam via a projection system (PL),
A first step (step 102) of arranging a frame mechanism (17) supporting the projection system on a predetermined base member via a plurality of or one leg, and being surrounded by the legs on the base member; And a second step (step 103) of arranging a stage system (WST) for driving the object in a state where the object can be slid in a predetermined direction. According to this manufacturing method, the projection exposure apparatus of the present invention can be efficiently manufactured.

【００１５】この場合、その投影系の交換時に上記の第
１の方法を適用すると、そのステージ系をその所定方向
に沿ってそのベース部材上から搬出した後、そのフレー
ム機構をその投影系を支持した状態でそのベース部材上
から搬出することができる。また、その投影系の交換時
に上記の第２の方法を適用すると、そのフレーム機構を
その投影系を支持した状態でそのベース部材上でその所
定方向の逆方向に移動させて、そのフレーム機構をその
ベース部材上から搬出することができる。In this case, if the first method is applied when the projection system is replaced, after the stage system is carried out from the base member along the predetermined direction, the frame mechanism is supported by the projection system. In this state, it can be carried out from the base member. When the second method is applied when replacing the projection system, the frame mechanism is moved in a direction opposite to the predetermined direction on the base member while supporting the projection system, and the frame mechanism is moved. It can be carried out from the base member.

【００１６】次に、本発明の第３の投影露光装置は、第
１物体（Ｒ１）を介して露光ビームで第２物体（Ｗ１）
を露光する投影露光装置において、その第１物体にその
露光ビームを照射する照明系の少なくとも一部と、その
第１物体のパターン像をその第２物体上に形成する投影
系（ＰＬ）とを含み、その投影系を介してその露光ビー
ムでその第２物体を露光する露光本体部と、その露光本
体部の第１部分を所定面上で支持する第１フレーム機構
（６）と、その第１部分と異なるその露光本体部の第２
部分をその所定面上で支持して第１方向に移動可能であ
ると共に、その所定面上で少なくとも一部がその第１フ
レーム機構の内側に配置され、且つその第１方向と交差
する第２方向に関してその少なくとも一部の幅がその第
１フレーム機構よりも狭い第２フレーム機構（１７）と
を備えたものである。Next, the third projection exposure apparatus of the present invention uses the first object (R1) to expose the second object (W1) with an exposure beam.
A projection exposure apparatus that exposes the first object with at least a part of an illumination system that irradiates the first object with the exposure beam, and a projection system (PL) that forms a pattern image of the first object on the second object. An exposure body for exposing the second object with the exposure beam via the projection system; a first frame mechanism for supporting a first portion of the exposure body on a predetermined surface; The second part of the exposure body that is different from the one part
A second portion which is supported on the predetermined surface and is movable in the first direction, and at least a part of the second portion is disposed inside the first frame mechanism on the predetermined surface and intersects the first direction; A second frame mechanism (17) having at least a part of the width narrower than the first frame mechanism in the direction.

【００１７】斯かる投影露光装置によれば、その第２フ
レーム機構をその第１方向に移動することによって、そ
の露光本体部の第２部分（例えば投影系を含む部分）を
容易に取り外すか、交換するか、又は調整することがで
きる。なお、その第１フレーム機構でその第１部分とし
ての投影系を支持し、その第２フレーム機構でその第２
部分としてのその第２物体用のステージ系を支持するよ
うにしてもよい。According to such a projection exposure apparatus, by moving the second frame mechanism in the first direction, the second part (for example, a part including the projection system) of the exposure main body can be easily removed. It can be replaced or adjusted. The first frame mechanism supports the projection system as the first portion, and the second frame mechanism supports the second system.
The stage system for the second object as a part may be supported.

【００１８】また、その第１部分は、別の例としてその
第１物体用のステージ系（ＲＳＴ）の少なくとも一部、
又はその照明系の少なくとも一部を含むものである。ま
た、その所定面上でその第２フレーム機構の内側に配置
されるその第２物体用のステージ系（ＷＳＴ）と、この
ステージ系に接続され、その第２物体を移送する搬送機
構（ＷＲＤ）とを更に備え、その搬送機構は、その第２
フレーム機構の移動時にその第２物体用のステージ系と
の接続が解除されるようにしてもよい。これによって、
その第２フレーム機構を容易に移動することができる。Further, the first part is, as another example, at least a part of a stage system (RST) for the first object,
Or at least a part of the illumination system is included. A stage system (WST) for the second object disposed on the predetermined surface inside the second frame mechanism; and a transport mechanism (WRD) connected to the stage system and transporting the second object. And the transport mechanism includes the second
The connection with the stage system for the second object may be released when the frame mechanism moves. by this,
The second frame mechanism can be easily moved.

【００１９】また、本発明の第２の投影露光装置の製造
方法は、第１物体（Ｒ１）を介して露光ビームで第２物
体（Ｗ２）を露光する投影露光装置の製造方法におい
て、その第１物体をその露光ビームで照明し、投影系
（ＰＬ）を介してその露光ビームでその第２物体を露光
する露光本体部の第１部分を支持する第１フレーム機構
（６）を所定面上に配置し、その第１部分と異なり、且
つその投影系を含むその露光本体部の第２部分を支持し
て第１方向に移動可能であると共に、その第１フレーム
機構の内側に少なくとも一部が配置され、且つその第１
方向と交差する第２方向に関してその少なくとも一部の
幅がその第１フレーム機構よりも狭い第２フレーム機構
（１７）をその所定面上に配置するものである。The second method for manufacturing a projection exposure apparatus according to the present invention is directed to a method for manufacturing a projection exposure apparatus for exposing a second object (W2) with an exposure beam via a first object (R1). A first frame mechanism (6) supporting a first portion of an exposure main body for illuminating one object with the exposure beam and exposing the second object with the exposure beam via a projection system (PL) is provided on a predetermined surface. And is movable in a first direction while supporting a second portion of the exposure main body portion different from the first portion and including the projection system, and at least partially inside the first frame mechanism. Are arranged, and the first
A second frame mechanism (17), at least a part of which is narrower than the first frame mechanism in a second direction intersecting the direction, is disposed on the predetermined surface.

【００２０】斯かる製造方法によって、本発明の第３の
投影露光装置を容易に製造することができる。また、本
発明の投影露光装置の調整方法は、第１物体（Ｒ１）を
介して露光ビームで第２物体（Ｗ１）を露光する投影露
光装置の調整方法において、その第１物体をその露光ビ
ームで照明し、投影系（ＰＬ）を介してその露光ビーム
でその第２物体を露光する露光本体部の第１部分を支持
する第１フレーム機構（６）の設置面上で、その第１部
分と異なり、且つその投影系を含むその露光本体部の第
２部分を支持すると共に、その第１フレーム機構の内側
に少なくとも一部が配置され、且つ第１方向と交差する
第２方向に関してその少なくとも一部の幅がその第１フ
レーム機構よりも狭い第２フレーム機構（１７）をその
第１方向に移動して、その投影系をその露光本体部から
引き出し、その投影系の少なくとも一部の交換又は調整
を行うものである。According to such a manufacturing method, the third projection exposure apparatus of the present invention can be easily manufactured. The method for adjusting a projection exposure apparatus according to the present invention is a method for adjusting a projection exposure apparatus that exposes a second object (W1) with an exposure beam via a first object (R1). And a first frame mechanism (6) for supporting a first portion of an exposure main body for exposing the second object with the exposure beam via a projection system (PL). Differently, and supporting a second portion of the exposure main body including the projection system, at least a part of which is disposed inside the first frame mechanism, and at least a portion of the second frame intersecting the first direction. A second frame mechanism (17), a part of which is narrower than the first frame mechanism, is moved in the first direction, the projection system is pulled out of the exposure main body, and at least a part of the projection system is replaced. Or make adjustments It is.

【００２１】斯かる調整方法によれば、その投影系を容
易にその露光本体部から引き出すことができるため、そ
の投影系の交換又は調整を極めて容易に行うことができ
る。この場合、その第２フレーム機構の移動に先立ち、
その設置面上でその第２フレーム機構の内側に配置され
るその第２物体用のステージ系を移動させるか、又はそ
の第２物体を移送する搬送機構とその第２物体用のステ
ージ系との接続を解除することが望ましい。According to such an adjustment method, the projection system can be easily pulled out from the exposure main body, so that the replacement or adjustment of the projection system can be performed very easily. In this case, prior to the movement of the second frame mechanism,
Moving the stage system for the second object disposed inside the second frame mechanism on the installation surface, or moving the stage system for the second object between the transport mechanism for transferring the second object and the stage system for the second object; It is desirable to release the connection.

【００２２】また、その投影系の透過率と光学特性との
少なくとも一方に基づいて、その投影系の少なくとも一
部を交換又は調整する時期を決定することが望ましい。
また、その少なくとも一部の交換又は調整が行われた投
影系を、その露光本体部に戻してその光学特性を計測す
ることが望ましい。また、その投影系の波面収差を計測
し、その波面収差とツェルニケ多項式とに基づいて、そ
の露光ビームの波長変更と、その投影系の少なくとも１
つの光学素子の移動との少なくとも一方を行うようにし
てもよい。露光ビームの波長変更、又は一つの光学素子
の移動によって、所定範囲内でその投影系の結像特性を
所望の状態に調整することができる。Further, it is desirable to determine the timing for replacing or adjusting at least a part of the projection system based on at least one of the transmittance and the optical characteristics of the projection system.
Further, it is desirable to return the projection system, at least part of which has been replaced or adjusted, to the exposure main body and measure its optical characteristics. Further, the wavefront aberration of the projection system is measured, and the wavelength of the exposure beam is changed based on the wavefront aberration and the Zernike polynomial, and at least one of the projection system is changed.
At least one of the movement of the two optical elements may be performed. By changing the wavelength of the exposure beam or moving one optical element, the imaging characteristics of the projection system can be adjusted to a desired state within a predetermined range.

【００２３】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図面を参照して説明する。本例はステップ・アン
ド・スキャン方式よりなる走査露光方式の投影露光装置
に本発明を適用したものである。図１は、本例の投影露
光装置を示す一部を切り欠いた正面図、図２はその投影
露光装置を示す側面図であり、この図１及び図２におい
て、本例の投影露光装置の露光光源（不図示）として
は、ＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）が使
用されるが、それ以外のＦ2 レーザ光源（波長１５７ｎ
ｍ）、Ｋｒ2 レーザ光源（波長１４６ｎｍ）、ＹＡＧレ
ーザの高調波発生装置、半導体レーザの高調波発生装置
等の真空紫外光（本例では波長２００ｎｍ以下の光）を
発生する光源も使用することができる。但し、露光光源
としてＫｒＦエキシマレーザ光源（波長２４８ｎｍ）や
水銀ランプ（ｉ線等）等を使用する場合にも、後述のよ
うに投影光学系を交換する必要のある場合には本発明が
適用できる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, the present invention is applied to a projection exposure apparatus of a scanning exposure system using a step-and-scan system. FIG. 1 is a partially cutaway front view showing the projection exposure apparatus of the present embodiment, and FIG. 2 is a side view showing the projection exposure apparatus. In FIGS. the exposure light source (not shown), although the ArF excimer laser light source (wavelength 193 nm) is used, the other F 2 laser light source (wavelength 157n
m), a Kr 2 laser light source (wavelength 146 nm), a harmonic generation device for a YAG laser, a harmonic generation device for a semiconductor laser, or the like, which also uses a light source that generates vacuum ultraviolet light (light having a wavelength of 200 nm or less in this example). Can be. However, even when a KrF excimer laser light source (wavelength 248 nm), a mercury lamp (i-line or the like), or the like is used as the exposure light source, the present invention can be applied when the projection optical system needs to be replaced as described later. .

【００２４】本例のように露光ビームとして真空紫外光
を使用する場合、真空紫外光は、通常の大気中に存在す
る酸素、水蒸気、炭化水素系ガス（二酸化炭素等）、有
機物、及びハロゲン化物等の吸光物質（不純物）によっ
て大きく吸収されるため、露光ビームの減衰を防止する
ためには、これらの吸光物質の気体の濃度を露光ビーム
の光路上で平均的に１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度以下
に抑えることが望ましい。そこで本例では、その露光ビ
ームの光路上の気体を、露光ビームが透過する気体、即
ち窒素（Ｎ2 ）ガス、又はヘリウム（Ｈｅ）、ネオン
（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キ
セノン（Ｘｅ）、若しくはラドン（Ｒｎ）よりなる希ガ
ス等の露光ビームに対して高透過率で化学的に安定であ
ると共に、吸光物質が高度に除去された気体（以下、
「パージガス」とも呼ぶ。）で置換する。窒素ガス及び
希ガスをまとめて不活性ガスとも呼ぶ。When vacuum ultraviolet light is used as the exposure beam as in the present embodiment, the vacuum ultraviolet light may be oxygen, water vapor, a hydrocarbon-based gas (such as carbon dioxide), an organic substance, and a halide present in the ordinary atmosphere. In order to prevent the exposure beam from attenuating, the concentration of the gas of these light absorbing materials is suppressed to an average of about 10 ppm to 100 ppm or less on the optical path of the exposure beam. It is desirable. Therefore, in this example, the gas on the optical path of the exposure beam is changed to a gas through which the exposure beam passes, that is, nitrogen (N 2 ) gas, helium (He), neon (Ne), argon (Ar), and krypton (Kr). , Xenon (Xe), or a gas such as a rare gas such as radon (Rn), which has a high transmittance and is chemically stable to an exposure beam, and a gas from which a light-absorbing substance is highly removed (hereinafter, referred to as a gas).
Also called "purge gas". ). The nitrogen gas and the rare gas are collectively referred to as an inert gas.

【００２５】なお、その吸光物質（不純物）の濃度（又
はその許容値）は、露光ビームの光路上に存在する吸光
物質の種類に応じて異ならせてもよく、例えば曇り物質
を生じる恐れのある有機系の吸光物質の濃度を１〜１０
ｐｐｍ程度以下として最も厳しく管理し、それに続いて
水蒸気、及びその他の物質に順にその濃度を緩くしても
よい。また、後述の照明光学系内の光路、投影光学系内
の光路、レチクル室、ウエハ室、及びローダ系の内部な
どの一部で、吸光物質の濃度（又はその許容値）を他の
部分とは異ならせて管理してもよい。The concentration of the light absorbing substance (impurity) (or its allowable value) may be made different depending on the type of the light absorbing substance existing on the optical path of the exposure beam. The concentration of the organic light absorbing substance is 1 to 10
The most strict control may be performed at about ppm or less, and then the concentration of water vapor and other substances may be gradually reduced. In addition, the optical path in the illumination optical system described later, the optical path in the projection optical system, the reticle chamber, the wafer chamber, and the inside of the loader system, etc. May be managed differently.

【００２６】また、窒素ガスは、真空紫外域中でも波長
１５０ｎｍ程度までは露光ビームが透過する気体（パー
ジガス）として使用することができるが、波長が１５０
ｎｍ程度以下の光に対してはほぼ吸光物質として作用す
るようになる。そこで、波長が１５０ｎｍ程度以下の露
光ビームに対するパージガスとしては希ガスを使用する
ことが望ましい。また、希ガスの中では屈折率の安定
性、及び高い熱伝導率等の観点より、ヘリウムガスが望
ましいが、ヘリウムは高価であるため、運転コスト等を
重視する場合には他の希ガスを使用してもよい。また、
パージガスとしては、単一の種類の気体を供給するだけ
でなく、例えば窒素とヘリウムとを所定比で混合した気
体のような混合気体を供給するようにしてもよい。Nitrogen gas can be used as a gas (purge gas) through which the exposure beam passes up to a wavelength of about 150 nm even in a vacuum ultraviolet region.
The light substantially acts as a light-absorbing substance with respect to light of about nm or less. Therefore, it is desirable to use a rare gas as a purge gas for an exposure beam having a wavelength of about 150 nm or less. Among rare gases, helium gas is desirable from the viewpoint of stability of refractive index and high thermal conductivity. However, helium is expensive. May be used. Also,
As the purge gas, not only a single kind of gas may be supplied, but also a mixed gas such as a gas obtained by mixing nitrogen and helium at a predetermined ratio may be supplied.

【００２７】そして、本例では屈折率の安定性（結像特
性の安定性）、及び高い熱伝導率（高い冷却効果）等を
重視して、そのパージガスとしてヘリウムガスを使用す
るものとする。そのため、例えば本例の投影露光装置が
設置されている床の階下の機械室には、投影露光装置及
びこれに付属する装置内の複数の気密室に対して高純度
のパージガスを僅かに大気圧よりも高い気圧（陽圧）で
供給し、必要に応じてそれらの気密室を流れた気体を回
収して再利用するための気体供給装置（不図示）が設置
されている。In this embodiment, helium gas is used as the purge gas, with emphasis on the stability of the refractive index (stability of the imaging characteristics) and the high thermal conductivity (high cooling effect). For this reason, for example, in the machine room below the floor where the projection exposure apparatus of the present example is installed, a high-purity purge gas is supplied to the plurality of hermetic chambers in the projection exposure apparatus and the apparatus attached thereto at a slight atmospheric pressure. A gas supply device (not shown) for supplying gas at a higher pressure (positive pressure) and collecting and reusing gas flowing through the airtight chambers as necessary is provided.

【００２８】以下、本例の投影露光装置の構成につき詳
細に説明する。先ず図１において、気密室としてのサブ
チャンバ９内に、照度分布均一化用のオプティカル・イ
ンテグレータ（ユニフォマイザ、又はホモジナイザ）、
照明条件を切り換えるための照明系の可変の開口絞り
（σ絞り）、リレーレンズ、視野絞り、及びコンデンサ
レンズ等からなる照明光学系が収納されており、不図示
の露光光源から射出された露光ビームとしての波長１９
３ｎｍのパルスレーザ光よりなる露光光（露光用の照明
光）ＩＬは、サブチャンバ９内の照明光学系を介して、
マスクとしてのレチクルＲ１（又はＲ２）のスリット状
の照明領域を照明する。Hereinafter, the configuration of the projection exposure apparatus of this embodiment will be described in detail. First, in FIG. 1, an optical integrator (uniformizer or homogenizer) for uniforming the illuminance distribution is provided in a sub-chamber 9 as an airtight chamber.
An illumination optical system including a variable aperture stop (σ stop), a relay lens, a field stop, a condenser lens, and the like of an illumination system for switching illumination conditions is housed, and an exposure beam emitted from an exposure light source (not shown) Wavelength 19 as
Exposure light (illumination light for exposure) IL composed of 3 nm pulse laser light passes through an illumination optical system in the sub-chamber 9
The slit-shaped illumination area of the reticle R1 (or R2) as a mask is illuminated.

【００２９】その露光光ＩＬのもとで、レチクルＲ１
（又はＲ２）の照明領域内のパターンの像は、投影系と
しての投影光学系ＰＬを介して投影倍率β（βは、１／
４倍又は１／５倍等）で、感光基板（被露光基板）とし
てのフォトレジストが塗布されたウエハ（wafer)Ｗ１
（又はＷ２）上のスリット状の露光領域に投影される。
この状態でレチクルＲ１及びウエハＷ１を投影倍率βを
速度比として所定の走査方向に同期移動することで、ウ
エハＷ１上の一つのショット領域にレチクルＲ１のパタ
ーン像がステップ・アンド・スキャン方式で転写され
る。この際に、ウエハＷ上の１つのショット領域に複数
のレチクルのパターン像をステップ・アンド・スティッ
チ方式で継ぎ合わせて露光するようにしてもよい。レチ
クルＲ１，Ｒ２及びウエハＷ１，Ｗ２をそれぞれ第１物
体及び第２物体とみなすことができ、ウエハＷ１，Ｗ２
が本発明の露光対象の物体に対応している。ウエハＷ
１，Ｗ２は例えば半導体（シリコン等）又はＳＯＩ(sil
icon on insulator)等の直径が２００ｍｍ又は３００ｍ
ｍ等の円板状の基板である。Under the exposure light IL, the reticle R1
The image of the pattern in the illumination area of (or R2) is projected through a projection optical system PL as a projection system to a projection magnification β (β is 1 /
4 × or 1/5 ×), and a photoresist (a substrate to be exposed) coated with a photoresist W1
(Or W2) is projected onto the slit-shaped exposure area.
In this state, the reticle R1 and the wafer W1 are synchronously moved in a predetermined scanning direction with the projection magnification β as a speed ratio, so that a pattern image of the reticle R1 is transferred to one shot area on the wafer W1 by a step-and-scan method. Is done. At this time, pattern images of a plurality of reticles may be jointly exposed on one shot area on the wafer W by a step-and-stitch method. Reticles R1, R2 and wafers W1, W2 can be considered as first and second objects, respectively, and wafers W1, W2
Corresponds to the object to be exposed according to the present invention. Wafer W
1, W2 is, for example, a semiconductor (such as silicon) or SOI (silicon).
icon on insulator) etc. 200mm or 300m in diameter
m is a disk-shaped substrate.

【００３０】投影光学系ＰＬとしては、例えば特願平１
０−３７０１４３号、又は特願平１１−６６７６９号に
開示されているように、１本の光軸に沿って複数の屈折
レンズと、それぞれ光軸の近傍に開口を有する２つの凹
面鏡とを配置して構成される直筒型の反射屈折系や、１
本の光軸に沿って屈折レンズを配置して構成される直筒
型の屈折系等を使用することができる。更に、投影光学
系ＰＬとして双筒型の反射屈折系等を使用してもよい。
投影光学系ＰＬ中の屈折部材の硝材としては、合成石
英、所定の不純物をドープした石英ガラス、又は蛍石等
を使用することができる。以下、投影光学系ＰＬの光軸
ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面（本例では
ほぼ水平面に合致している）内で走査露光時のレチクル
Ｒ１及びウエハＷ１の走査方向（即ち、図１の紙面に平
行な方向）に沿ってＹ軸を取り、非走査方向（即ち、図
１の紙面に垂直な方向）に沿ってＸ軸を取って説明す
る。As the projection optical system PL, for example, Japanese Patent Application No. Hei.
As disclosed in Japanese Patent Application No. 0-370143 or Japanese Patent Application No. 11-66769, a plurality of refractive lenses are arranged along one optical axis, and two concave mirrors each having an opening near the optical axis. Straight cylindrical catadioptric system,
A straight-tube-type refraction system or the like configured by disposing a refraction lens along the optical axis of the book can be used. Further, a double-cylinder catadioptric system or the like may be used as the projection optical system PL.
As the glass material of the refractive member in the projection optical system PL, synthetic quartz, quartz glass doped with a predetermined impurity, fluorite, or the like can be used. Hereinafter, the Z axis is taken in parallel with the optical axis AX of the projection optical system PL, and the scanning direction of the reticle R1 and the wafer W1 at the time of scanning exposure in a plane perpendicular to the Z axis (in this example, substantially coincides with the horizontal plane). The description will be made by taking the Y axis along (ie, the direction parallel to the paper surface of FIG. 1) and the X axis along the non-scanning direction (ie, the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1).

【００３１】ここで、本例のレチクルＲ１，Ｒ２を支持
するステージ系、投影光学系ＰＬ、及びウエハＷ１，Ｗ
２を支持するステージ系を含む露光本体部の全体の構成
につき説明する。即ち、床上にベース部材としての厚い
平板状の高い剛性の定盤２が設置されている。その定盤
２の平面図である図４に示すように、定盤２の形状はほ
ぼ三角形状である。図１、図２に戻り、定盤２上のほぼ
正三角形の頂点に位置するように３本（４本等でもよ
い）のコラム３Ａ，３Ｂ，３Ｃが設置され、コラム３Ａ
〜３Ｃの上に防振台４Ａ〜４Ｃを介して、剛性の高い三
角形の平板状で中央部に露光光が通過する開口の形成さ
れた支持板５が設置されている。防振台４Ａ〜４Ｃはそ
れぞれエアーダンパ又は油圧式のダンパ等の大重量に耐
える機械式のダンパと、ボイスコイルモータ等のアクチ
ュエータよりなる電磁式のダンパとを含む能動型の防振
装置である。コラム３Ａ〜３Ｃ、防振台４Ａ〜４Ｃ、及
び支持板５より第１フレーム機構６が構成されている。Here, the stage system for supporting the reticles R1 and R2 of this embodiment, the projection optical system PL, and the wafers W1 and W
The overall configuration of the exposure main body including the stage system supporting the lens 2 will be described. That is, a thick flat plate-shaped high rigid base 2 as a base member is installed on the floor. As shown in FIG. 4 which is a plan view of the surface plate 2, the shape of the surface plate 2 is substantially triangular. Returning to FIGS. 1 and 2, three (or four, etc.) columns 3A, 3B, 3C are installed so as to be located at the vertices of a substantially equilateral triangle on the surface plate 2, and the column 3A
A support plate 5 having a highly rigid triangular flat plate and having an opening through which exposure light passes in the center is provided on the base plates 3A to 3C via anti-vibration tables 4A to 4C. The anti-vibration tables 4A to 4C are active type anti-vibration devices each including a mechanical damper that can withstand heavy weight such as an air damper or a hydraulic damper, and an electromagnetic damper including an actuator such as a voice coil motor. . The columns 3A to 3C, the vibration isolating tables 4A to 4C, and the support plate 5 constitute a first frame mechanism 6.

【００３２】支持板５の上面は平面度の極めて良好なガ
イド面に仕上げられ、そのガイド面上にレチクルステー
ジ１０がエアーベアリングを介して円滑に２次元的に摺
動自在に載置され、レチクルステージ１０上にレチクル
Ｒ１，Ｒ２が走査方向（Ｙ方向）に隣接するように真空
吸着等によって保持されている。このように本例のレチ
クルステージ１０はダブルホルダ方式であり、例えば二
重露光などが効率的に実行できるが、各レチクル毎に可
動ステージを用いるダブルステージ方式を採用してもよ
い。The upper surface of the support plate 5 is finished to a guide surface having extremely good flatness, and the reticle stage 10 is mounted on the guide surface via an air bearing so as to be smoothly slidable two-dimensionally. Reticles R1 and R2 are held on stage 10 by vacuum suction or the like so as to be adjacent in the scanning direction (Y direction). As described above, the reticle stage 10 of the present embodiment is of a double holder type, for example, can perform double exposure efficiently, but may adopt a double stage type using a movable stage for each reticle.

【００３３】レチクルステージ１０は、例えばレチクル
Ｒ１，Ｒ２を保持する微動ステージと、これを囲む枠状
の粗動ステージとから構成されており、後者の粗動ステ
ージを不図示のリニアモータによってＹ方向（走査方
向）に駆動し、前者の微動ステージを例えば３個のアク
チュエータによって粗動ステージに対してＸ方向、Ｙ方
向、回転方向に微小量駆動することによって、レチクル
Ｒ１，Ｒ２を＋Ｙ方向又は−Ｙ方向に所望の走査速度で
高精度に駆動すると共に、同期誤差を補正することがで
きる。この際に、レチクルステージ１０は、不図示の移
動部材を用いてＹ方向に対して運動量保存則を満たすよ
うに駆動されて、走査露光時に振動が殆ど発生しないよ
うに構成されている。また、レチクルステージ１０のＸ
方向、Ｙ方向の位置情報、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の回り
の回転角を計測するためにレーザ干渉計よりなるレチク
ル干渉計１１が配置されている。本例では、レチクルス
テージ１０、この駆動装置（不図示）、レチクル干渉計
１１等からレチクルステージ系ＲＳＴが構成され、レチ
クルステージ系ＲＳＴは気密性の高い箱状のレチクル室
１２（第１ステージ室）に覆われており、レチクル室１
２の上板の中央部に露光光ＩＬを通過させる窓部が形成
されている。The reticle stage 10 comprises, for example, a fine movement stage for holding the reticles R1 and R2 and a frame-like coarse movement stage surrounding the fine movement stage. The latter coarse movement stage is moved in the Y direction by a linear motor (not shown). (Retarders R1, R2 in the + Y direction or-) by driving the fine movement stage in the X direction, the Y direction, and the rotation direction relative to the coarse movement stage by, for example, three actuators. It is possible to drive with high accuracy at a desired scanning speed in the Y direction and correct a synchronization error. At this time, the reticle stage 10 is driven using a moving member (not shown) so as to satisfy the law of conservation of momentum in the Y direction, and is configured so that almost no vibration occurs during scanning exposure. Also, X of reticle stage 10
A reticle interferometer 11 composed of a laser interferometer is arranged to measure the direction information, the position information in the Y direction, and the rotation angles around the X, Y, and Z axes. In this example, a reticle stage system RST is configured by a reticle stage 10, a driving device (not shown), a reticle interferometer 11, and the like. The reticle stage system RST is a highly airtight box-shaped reticle chamber 12 (first stage chamber). ), And the reticle room 1
A window for allowing the exposure light IL to pass therethrough is formed at the center of the upper plate 2.

【００３４】本例のレチクル干渉計１１は、レチクル室
１２に固定された不図示の参照鏡を基準として、レチク
ルステージ１０の位置を計測しているが、それ以外に投
影光学系ＰＬに設けた参照鏡を基準としてレチクルステ
ージ１０の位置を計測してもよい。また、支持板５上で
レチクル室１２を囲むほぼ三角形の頂点に位置するよう
に３本のコラム７Ａ，７Ｂ，７Ｃが設置され、コラム７
Ａ〜７Ｃ上に露光光ＩＬを通過させる開口が形成された
支持板８が設置され、支持板８及び支持板５上に照明光
学系の少なくとも一部が収納されたサブチャンバ９が設
置されている。更に、支持板５上でレチクル室１２に−
Ｙ方向から隣接する領域に、レチクルステージ１０上の
レチクルＲ１，Ｒ２の交換を行うためのレチクルローダ
系ＲＲＤが設置されている。レチクルローダ系ＲＲＤ
は、例えば或る程度の気密性を有するボックス内にレチ
クルの交換機構を収納したものである。なお、レチクル
ローダ系ＲＲＤは、第１フレーム機構６とは別のフレー
ム機構に設けるようにしてもよい。The reticle interferometer 11 of this embodiment measures the position of the reticle stage 10 with reference to a reference mirror (not shown) fixed to the reticle chamber 12, but is additionally provided in the projection optical system PL. The position of the reticle stage 10 may be measured with reference to a reference mirror. Also, three columns 7A, 7B, 7C are installed on the support plate 5 so as to be located at the vertices of a substantially triangle surrounding the reticle chamber 12, and the columns 7A, 7B, 7C are provided.
A support plate 8 having an opening through which the exposure light IL passes is provided on A to 7C, and a sub-chamber 9 containing at least a part of an illumination optical system is provided on the support plate 8 and the support plate 5. I have. Further, the reticle chamber 12 is
A reticle loader system RRD for exchanging reticles R1 and R2 on reticle stage 10 is provided in an area adjacent to the Y direction. Reticle loader RRD
The reticle exchange mechanism is housed in a box having a certain degree of airtightness, for example. Note that the reticle loader system RRD may be provided on a frame mechanism different from the first frame mechanism 6.

【００３５】次に図１、図２において、定盤２上で第１
フレーム機構６の３本のコラム３Ａ〜３Ｃでほぼ囲まれ
た領域上に、三角形の頂点に位置するように３個の円板
状のエアーパッド１３Ａ，１３Ｂ，１３ＣがＸ方向、Ｙ
方向に摺動できるように載置され、エアーパッド１３Ａ
〜１３Ｃ上にコラム１４Ａ〜１４Ｃが固定され、コラム
１４Ａ〜１４Ｃ上に、防振台４Ａ〜４Ｃと同様の構成の
能動型の防振台１５Ａ〜１５Ｃを介して三角形の平板状
の高い剛性を有する支持板１６が設置されている。この
支持板１６の＋Ｘ方向（図１の手前側）の端部から中央
部にかけて形成されたＵ字型の切り欠き部１６ａに、フ
ランジ部を介して投影光学系ＰＬが載置され、その切り
欠き部１６ａの開放端は、平板状の連結部材１８をボル
トで固定することによって閉じられている。即ち、投影
光学系ＰＬは支持板１６に対して＋Ｘ方向から出し入れ
できるように支持されている。Next, referring to FIG. 1 and FIG.
Three disc-shaped air pads 13A, 13B, and 13C are arranged in the X direction and the Y direction on the region substantially surrounded by the three columns 3A to 3C of the frame mechanism 6 so as to be located at the vertices of a triangle.
The air pad 13A is placed so that it can slide in the
Columns 14A to 14C are fixed on to 13C, and triangular plate-like high rigidity is provided on columns 14A to 14C via active vibration isolators 15A to 15C having the same configuration as vibration isolators 4A to 4C. A supporting plate 16 is provided. The projection optical system PL is placed via a flange in a U-shaped notch 16a formed from the end of the support plate 16 in the + X direction (front side in FIG. 1) to the center, and the cutout is formed. The open end of the notch 16a is closed by fixing the flat connecting member 18 with a bolt. That is, the projection optical system PL is supported so that it can be moved in and out of the support plate 16 in the + X direction.

【００３６】エアーパッド１３Ａ〜１３Ｃ、コラム１４
Ａ〜１４Ｃ、防振台１５Ａ〜１５Ｃ、及び支持板１６よ
り第２のフレーム機構１７が構成され、この第２のフレ
ーム機構１７が本発明のフレーム機構に対応している。
本例の第２のフレーム機構１７は、エアーパッド１３Ａ
〜１３Ｃによって定盤２上を円滑に摺動させることがで
きる。Air pads 13A to 13C, column 14
A to 14C, anti-vibration tables 15A to 15C, and a support plate 16 constitute a second frame mechanism 17, which corresponds to the frame mechanism of the present invention.
The second frame mechanism 17 of the present example includes an air pad 13A.
13C allows the platen 2 to smoothly slide on the surface plate 2.

【００３７】図３は、図１中のエアーパッド１３Ｂの構
成を示す拡大断面図であり、この図３において、エアー
パッド１３Ｂの底面、即ち定盤２との接触面には圧搾さ
れた高圧の気体を噴き出すための噴き出し口１３Ｂａ，
１３Ｂｂが形成されている。そして、コラム１４Ｂを移
動させる場合には、エアーパッド１３Ｂに配管３６を介
して高圧の空気を出力するコンプレッサ３７を接続し、
エアーパッド１３Ｂの噴き出し口１３Ｂａ，１３Ｂｂか
ら高圧の空気を噴き出させるようにする。他のエアーパ
ッド１３Ａ，１３Ｃでも同様に高圧の空気を噴き出させ
ることによって、定盤２上で第２のフレーム機構１７を
小さい力で円滑に移動させることができる。FIG. 3 is an enlarged sectional view showing the structure of the air pad 13B in FIG. 1. In FIG. 3, a high-pressure compressed air is applied to the bottom surface of the air pad 13B, that is, the contact surface with the platen 2. Outlet 13Ba for blowing out gas,
13Bb is formed. When the column 14B is moved, a compressor 37 that outputs high-pressure air is connected to the air pad 13B via a pipe 36,
High-pressure air is blown out from the blowout ports 13Ba and 13Bb of the air pad 13B. The other air pads 13A and 13C can similarly move the second frame mechanism 17 on the surface plate 2 with a small force by blowing out high-pressure air.

【００３８】図１、図２に戻り、定盤２上で第２のフレ
ーム機構１７によってほぼ囲まれた領域、即ち第２のフ
レーム機構１７の３本のコラム１４Ａ〜１４Ｃでほぼ囲
まれた領域に、ほぼ正三角形の頂点となる位置に３個の
エアーパッド２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃが載置され、これ
らの上に防振台１５Ａ〜１５Ｃと同様の能動型の防振台
２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃを介してほぼ四角形の箱状の気
密室としてのウエハ室２３（第２ステージ室）が設置さ
れ、ウエハ室２３の内部にウエハステージ系ＷＳＴが収
納されている。エアーパッド２１Ａ〜２１Ｃから高圧の
空気を噴き出させることによって、定盤２上でウエハ室
２３をも小さい力で円滑に移動させることができる。こ
のようにエアーパッドから高圧の気体を噴き出させて所
定の機構を移動させる方式を「エアースライド方式」と
呼ぶ。Referring back to FIGS. 1 and 2, a region on the surface plate 2 substantially surrounded by the second frame mechanism 17, that is, a region substantially surrounded by the three columns 14A to 14C of the second frame mechanism 17. In addition, three air pads 21A, 21B, 21C are placed at positions substantially corresponding to the vertices of an equilateral triangle, and the active type vibration isolating tables 22A, 22B, 22C similar to the vibration isolating tables 15A to 15C are placed thereon. A wafer chamber 23 (second stage chamber) is provided as a substantially square box-shaped airtight chamber through the wafer chamber 23, and the wafer stage system WST is housed inside the wafer chamber 23. By blowing high-pressure air from the air pads 21A to 21C, the wafer chamber 23 can be moved smoothly on the surface plate 2 with a small force. The method of ejecting high-pressure gas from the air pad and moving a predetermined mechanism in this way is called an “air slide method”.

【００３９】そして、ウエハ室２３の底面の中央部にウ
エハベース２４が固定され、ウエハベース２４の上面は
平面度の極めて良好なガイド面に加工され、このガイド
面に第１のウエハステージ２５Ａ及び第２のウエハステ
ージ２５Ｂが、それぞれエアーベアリングを介して円滑
に、かつＸ軸ガイド部材２７及びＹ軸ガイド部材２６に
沿ってＸ方向、Ｙ方向に摺動自在に載置され、ウエハス
テージ２５Ａ及び２５Ｂ上にそれぞれ第１のウエハＷ１
及び第２のウエハＷ２が真空吸着等によって保持されて
いる。ウエハステージ２５Ａ，２５Ｂは、例えばリニア
モータ方式でＹ方向に連続移動すると共に、Ｘ方向及び
Ｙ方向にステップ移動する。この際に、ウエハステージ
２５Ａ，２５Ｂは、それぞれＸ軸ガイド部材２７及びＹ
軸ガイド部材２６が逆方向に移動することによって、Ｘ
方向、Ｙ方向に対して運動量保存則を満たすように駆動
されて、ステップ移動時及び走査露光時に振動が殆ど発
生しないように構成されている。A wafer base 24 is fixed to the center of the bottom surface of the wafer chamber 23, and the upper surface of the wafer base 24 is processed into a guide surface having extremely good flatness. The second wafer stage 25B is smoothly placed via air bearings and slidably mounted in the X and Y directions along the X-axis guide member 27 and the Y-axis guide member 26, respectively. 25B on the first wafer W1 respectively.
And the second wafer W2 is held by vacuum suction or the like. The wafer stages 25A and 25B continuously move in the Y direction by, for example, a linear motor system, and move stepwise in the X direction and the Y direction. At this time, the wafer stages 25A and 25B respectively move the X-axis guide member 27 and the Y-axis
When the shaft guide member 26 moves in the opposite direction, X
It is driven so as to satisfy the law of conservation of momentum in the direction and the Y direction, and is configured so that almost no vibration occurs at the time of stepping movement and scanning exposure.

【００４０】また、ウエハステージ２５Ａ，２５Ｂ内の
Ｚレベリング機構（試料台）は、レベリング及びフォー
カシングを行うためにウエハＷ１，Ｗ２のＺ方向への変
位、及び２軸の回り（即ち、Ｘ軸及びＹ軸の回り）の傾
斜ができるように構成されている。このように本例のウ
エハステージは、ダブル・ウエハステージ方式である。
そして、ウエハステージ２５Ａ及び２５Ｂの側面の移動
鏡（鏡面）に対向するようにレーザ干渉計よりなるウエ
ハ干渉計２８が設置され、ウエハ干渉計２８によって、
ウエハ室２３内の参照鏡（不図示）を基準としてウエハ
ステージ２５Ａ，２５ＢのＸ方向、Ｙ方向の位置、及び
Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の回りの回転角が計測されている。な
お、ウエハ干渉計２８についても、投影光学系ＰＬに固
定された参照鏡を基準としてウエハステージ２５Ａ，２
５Ｂの位置計測を行うようにしてもよい。Further, the Z leveling mechanism (sample stage) in the wafer stages 25A and 25B displaces the wafers W1 and W2 in the Z direction and performs rotation about two axes (that is, the X axis and the X axis) in order to perform leveling and focusing. (Around the Y axis). As described above, the wafer stage of this example is of a double wafer stage type.
Then, a wafer interferometer 28 composed of a laser interferometer is installed so as to face a movable mirror (mirror surface) on the side surface of the wafer stages 25A and 25B.
The positions of the wafer stages 25A and 25B in the X and Y directions and the rotation angles around the X, Y, and Z axes are measured with reference to a reference mirror (not shown) in the wafer chamber 23. Note that the wafer interferometer 28 also has a wafer stage 25A, 2
The position measurement of 5B may be performed.

【００４１】本例では、ウエハステージ２５Ａ，２５
Ｂ、この駆動装置（Ｘ軸ガイド部材２７、Ｙ軸ガイド部
材２６等）、ウエハ干渉計２８等からウエハステージ系
ＷＳＴが構成され、ウエハステージ系ＷＳＴが収納され
ているウエハ室２３の上板の中央部に露光光ＩＬを通過
させる開口が形成されている。そして、定盤２上でウエ
ハ室２３の−Ｙ方向の側面に隣接するように、ウエハス
テージ２５Ａ，２５Ｂ上のウエハＷ１，Ｗ２の交換を行
うためのウエハローダ系ＷＲＤが設置されている。ウエ
ハローダ系ＷＲＤは、例えば或る程度の気密性を有する
ボックス内に交換機構を収納したものである。更に、不
図示であるが、ウエハ室２３にはウエハのアライメント
用のアライメントセンサが配置され、レチクル室１２に
はレチクルのアライメント用のアライメント顕微鏡が配
置されている。In this example, the wafer stages 25A, 25
B, a wafer stage system WST including the driving device (the X-axis guide member 27, the Y-axis guide member 26, etc.), the wafer interferometer 28, etc., and the upper plate of the wafer chamber 23 in which the wafer stage system WST is stored. An opening for passing the exposure light IL is formed at the center. A wafer loader system WRD for exchanging wafers W1 and W2 on wafer stages 25A and 25B is provided adjacent to a side surface of wafer chamber 23 in the −Y direction on surface plate 2. In the wafer loader system WRD, for example, an exchange mechanism is housed in a box having a certain degree of airtightness. Further, although not shown, an alignment sensor for aligning the wafer is arranged in the wafer chamber 23, and an alignment microscope for aligning the reticle is arranged in the reticle chamber 12.

【００４２】また、図１において、第２のフレーム機構
１７の支持板１６の＋Ｙ方向の端部にＹ軸の干渉計ユニ
ット３１Ａが固定され、この干渉計ユニット３１Ａから
投影光学系ＰＬのＹ軸の参照鏡３５Ａ、及びウエハ室２
３のＹ軸の移動鏡３４Ａに計測ビームが照射されてい
る。更に、第１のフレーム機構６の支持板５の＋Ｙ方向
の端部に、計測ビームを伝えるための補助ユニット３２
Ａが固定され、干渉計ユニット３１Ａからの所定の計測
ビームが補助ユニット３２Ａを介してレチクル室１２の
Ｙ軸の移動鏡３３Ａに照射されている。干渉計ユニット
３１Ａは、投影光学系ＰＬ（参照鏡３５Ａ）を基準とし
てレチクル室１２、及びウエハ室２３のＹ方向の位置、
及びＺ軸の回りの回転角を計測する。In FIG. 1, a Y-axis interferometer unit 31A is fixed to an end of the support plate 16 of the second frame mechanism 17 in the + Y direction, and the Y-axis of the projection optical system PL is fixed from the interferometer unit 31A. Reference mirror 35A and wafer chamber 2
The measurement beam is applied to the Y-axis movable mirror 34A. Further, an auxiliary unit 32 for transmitting a measurement beam is provided at an end of the support plate 5 of the first frame mechanism 6 in the + Y direction.
A is fixed, and a predetermined measurement beam from the interferometer unit 31A is applied to the Y-axis movable mirror 33A of the reticle chamber 12 via the auxiliary unit 32A. The interferometer unit 31A is configured to position the reticle chamber 12 and the wafer chamber 23 in the Y direction with respect to the projection optical system PL (reference mirror 35A).
And the rotation angle around the Z axis.

【００４３】同様に、図２において、支持板５及び１６
の−Ｘ方向の端部にそれぞれ補助ユニット３２Ｂ、及び
干渉計ユニット３１Ｂが固定され、干渉計ユニット３１
Ｂから投影光学系ＰＬのＸ軸の参照鏡３５Ｂ、及びウエ
ハ室２３のＸ軸の移動鏡３４Ｂに計測ビームが照射さ
れ、干渉計ユニット３１Ｂからの所定の計測ビームが補
助ユニット３２Ｂを介してレチクル室１２のＸ軸の移動
鏡３３Ｂに照射されている。干渉計ユニット３１Ｂは、
投影光学系ＰＬ（参照鏡３５Ｂ）を基準としてレチクル
室１２、及びウエハ室２３のＸ方向の位置、及びＺ軸の
回りの回転角を計測する。本例では、レチクル干渉計１
１によって計測されるレチクル室１２に対するレチクル
ステージ１０の位置情報、及びウエハ干渉計２８によっ
て計測されるウエハ室２３に対するウエハステージ２５
Ａ，２５Ｂの位置情報を、干渉計ユニット３１Ａ，３１
Ｂによって計測される投影光学系ＰＬを基準としたレチ
クル室１２及びウエハ室２３の位置情報で補正すること
によって、投影光学系ＰＬを基準として、レチクルステ
ージ１０（レチクルＲ１，Ｒ２）及びウエハステージ２
５Ａ，２５Ｂ（ウエハＷ１，Ｗ２）の位置情報を高精度
に計測でき、この結果に基づいて高精度に走査露光を行
うことができる。Similarly, in FIG. 2, the support plates 5 and 16
The auxiliary unit 32B and the interferometer unit 31B are fixed to the ends in the -X direction of the
A measurement beam is irradiated from B to the X-axis reference mirror 35B of the projection optical system PL and the X-axis movable mirror 34B of the wafer chamber 23, and a predetermined measurement beam from the interferometer unit 31B is transmitted via the auxiliary unit 32B to the reticle. The X-axis movable mirror 33B of the chamber 12 is irradiated. The interferometer unit 31B
The position of the reticle chamber 12 and the wafer chamber 23 in the X direction and the rotation angle around the Z axis are measured with reference to the projection optical system PL (reference mirror 35B). In this example, the reticle interferometer 1
1, the position information of the reticle stage 10 with respect to the reticle chamber 12 and the wafer stage 25 with respect to the wafer chamber 23 measured by the wafer interferometer 28.
A, 25B are transmitted to the interferometer units 31A, 31A.
The reticle stage 10 (reticles R1, R2) and the wafer stage 2 are corrected on the basis of the projection optical system PL by correcting the position information of the reticle chamber 12 and the wafer chamber 23 on the basis of the projection optical system PL measured by B.
The position information of the wafers 5A and 25B (wafers W1 and W2) can be measured with high accuracy, and scanning exposure can be performed with high accuracy based on the result.

【００４４】これによって、レチクルＲ１，Ｒ２のパタ
ーン像をウエハＷ１，Ｗ２上に露光する際に高い露光精
度（重ね合わせ精度、転写忠実度等）が得られる。ま
た、本例のウエハステージ系ＷＳＴはダブル・ウエハス
テージ方式であり、例えば第１のウエハステージ２５Ａ
側でウエハＷ１に対する走査露光中に、第２のウエハス
テージ２５Ｂ側でウエハＷ２の交換及びアライメントを
行うことができるため、高いスループットが得られる。Thus, when exposing the pattern images of the reticles R1 and R2 onto the wafers W1 and W2, high exposure accuracy (overlay accuracy, transfer fidelity, etc.) can be obtained. Further, the wafer stage system WST of this example is of a double wafer stage type, for example, the first wafer stage 25A
The wafer W1 can be replaced and aligned on the second wafer stage 25B side during the scanning exposure on the wafer W1 on the side, so that high throughput can be obtained.

【００４５】また、図１、図２において、第１のフレー
ム機構６に固定された補助ユニット３２Ａ，３２Ｂにそ
れぞれレーザビームをスキャンする方式のエッジセンサ
３９Ａ，３９Ｂが固定されており、エッジセンサ３９
Ａ，３９Ｂはそれぞれ第１のフレーム機構６（支持板
５）を基準として投影光学系ＰＬのＸ方向の位置ＸPL、
及びＹ方向の位置ＹPLを検出することができる。投影光
学系ＰＬの位置検出用のエッジセンサ３９Ａ，３９Ｂの
代わりに、より高精度のレーザ干渉計方式の位置検出装
置を使用してもよい。1 and 2, edge sensors 39A and 39B for scanning laser beams are fixed to auxiliary units 32A and 32B fixed to the first frame mechanism 6, respectively.
A and 39B are positions X PL of the projection optical system PL in the X direction with respect to the first frame mechanism 6 (support plate 5), respectively.
And the position Y PL in the Y direction can be detected. Instead of the edge sensors 39A and 39B for detecting the position of the projection optical system PL, a more accurate laser interferometer type position detecting device may be used.

【００４６】さて、本例の投影露光装置では露光光ＩＬ
として真空紫外光が使用されているため、その露光光Ｉ
Ｌの透過率を高めてウエハＷ１，Ｗ２上での照度を高く
して高いスループットを得るために、その露光光ＩＬの
光路には高透過率のパージガス（本例ではヘリウムガ
ス）が供給されている。即ち、図１において、不図示の
気体供給装置からの高純度のパージガスは、不図示の配
管を介してサブチャンバ９、レチクル室１２、投影光学
系ＰＬの内部のレンズ間の空間、及びウエハ室２３の内
部に供給される。そして、サブチャンバ９、レチクル室
１２、投影光学系ＰＬ、及びウエハ室２３の内部の気体
は、必要に応じて不図示の配管を介してその気体供給装
置に回収されて、不純物が除去されて再び使用される。In the projection exposure apparatus of this embodiment, the exposure light IL
Vacuum ultraviolet light is used as the
In order to increase the transmittance of L and increase the illuminance on the wafers W1 and W2 to obtain a high throughput, a purge gas (helium gas in this example) having a high transmittance is supplied to the optical path of the exposure light IL. I have. That is, in FIG. 1, a high-purity purge gas from a gas supply device (not shown) is supplied via a pipe (not shown) to the sub-chamber 9, the reticle chamber 12, the space between the lenses inside the projection optical system PL, and the wafer chamber. 23. Then, the gas inside the sub-chamber 9, the reticle chamber 12, the projection optical system PL, and the wafer chamber 23 is collected by the gas supply device via a pipe (not shown) as necessary, and impurities are removed. Used again.

【００４７】この際に、サブチャンバ９とレチクル室１
２との間の空間、レチクル室１２と投影光学系ＰＬの上
端部との間の空間、投影光学系ＰＬとウエハ室２３との
間の空間、及びウエハ室２３とウエハローダ系ＷＲＤと
の間の空間は、それぞれ外気から隔離されるように大き
い可撓性を有し、かつ気体の遮断性の高い膜状の軟性シ
ールド部材２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，及び２９Ｄによっ
て密閉されている。本例の軟性シールド部材２９Ａ〜２
９Ｄは、軟性のシート部材を円筒のベローズ状に成形加
工したものであり（なお、ベローズ状ではなく、平面状
のままで円筒状としてもよい）、両端部が例えばセラミ
ックス製のフランジ部を介してねじ止め等によって対応
する部材に固定されている。軟性シールド部材２９Ａ等
は被覆部材とも呼ぶことができる。また、レチクル室１
２とレチクルローダ系ＲＲＤとの間の空間もその軟性シ
ールド部材で密閉されている。これによって、照明光学
系から被露光基板としてのウエハＷ１，Ｗ２までの露光
光ＩＬの光路は、ほぼ完全に密封されていることにな
る。このため、露光光ＩＬの光路上への外部からの吸光
物質を含む気体の混入は殆ど無く、露光光の減衰量は極
めて低く抑えられる。更に、軟性シールド部材２９Ａ〜
２９Ｄの使用によって、例えばレチクル室１２、及びウ
エハ室２３の内部で発生する振動が投影光学系ＰＬに伝
わらなくなり、振動の相互の影響が低減される。At this time, the sub-chamber 9 and the reticle chamber 1
2, the space between the reticle chamber 12 and the upper end of the projection optical system PL, the space between the projection optical system PL and the wafer chamber 23, and the space between the wafer chamber 23 and the wafer loader system WRD. The spaces are sealed by the film-like soft shield members 29A, 29B, 29C, and 29D, which have great flexibility so as to be isolated from the outside air, and have a high gas barrier property. Flexible shield member 29A-2 of this example
9D is obtained by forming a soft sheet member into a cylindrical bellows shape (note that the flat sheet shape may be used instead of the bellows shape, and the cylindrical shape may be used). It is fixed to the corresponding member by screwing or the like. The soft shield member 29A and the like can also be called a covering member. Reticle room 1
The space between the reticle loader system 2 and the reticle loader system RRD is also sealed by the soft shield member. As a result, the optical path of the exposure light IL from the illumination optical system to the wafers W1 and W2 as the substrates to be exposed is almost completely sealed. Therefore, almost no gas containing a light absorbing substance from the outside enters the optical path of the exposure light IL, and the amount of attenuation of the exposure light is suppressed to a very low level. Furthermore, the soft shield members 29A-
By using 29D, for example, the vibration generated inside the reticle chamber 12 and the wafer chamber 23 is not transmitted to the projection optical system PL, and the mutual influence of the vibration is reduced.

【００４８】なお、露光光源と照明光学系との間に配置
され、露光光と照明光学系の光軸との光学的な位置関係
を調整するビーム・マッチング・ユニットを含む伝送光
学系（不図示）内の光路も前述のパージガスで満たされ
ており、これによってその伝送光学系での露光光の減衰
が抑えられている。更に、本例の投影露光装置の組立時
にはそれらの軟性シールド部材２９Ａ等は、フランジ部
をボルト等で取り付けるのみで極めて短時間に、容易に
取り付けることができる。更に、例えば投影光学系ＰＬ
を交換するために、ウエハ室２３やフレーム機構１７を
移動させる際には、それらの軟性シールド部材２９Ｂ等
は、フランジ部のボルト等を取り外すのみで、極めて容
易に取り外すことができる。また、例えば投影光学系Ｐ
Ｌを交換するために、ウエハ室２３やフレーム機構１７
を移動させる際に、パージガス供給用の配管や各種の配
線等を容易に取り外すことができるように、それらの配
管や配線等の連結部は、着脱の容易なジョイント構造と
されている。Note that a transmission optical system (not shown) including a beam matching unit arranged between the exposure light source and the illumination optical system and for adjusting the optical positional relationship between the exposure light and the optical axis of the illumination optical system. The optical path in the parentheses is also filled with the above-mentioned purge gas, whereby the attenuation of the exposure light in the transmission optical system is suppressed. Further, at the time of assembling the projection exposure apparatus of this embodiment, the flexible shield members 29A and the like can be easily attached in a very short time only by attaching the flange portion with bolts or the like. Further, for example, the projection optical system PL
When the wafer chamber 23 and the frame mechanism 17 are moved in order to replace the soft shield members, the flexible shield members 29B and the like can be removed very easily only by removing the bolts and the like of the flange portion. Further, for example, the projection optical system P
In order to replace L, the wafer chamber 23 and the frame mechanism 17
In order to easily remove the purge gas supply pipes and various wirings when moving the pipes, the connecting parts of the pipes and the wirings have a joint structure that can be easily attached and detached.

【００４９】次に、本例の投影露光装置の投影光学系Ｐ
Ｌを支持する第２のフレーム機構１７と、ウエハステー
ジ系ＷＳＴを収納するウエハ室２３との関係につき図４
を参照して説明する。図４は、図１中の定盤２を示す平
面図であり、この図４において、ほぼ三角形状の平板の
定盤２上に、図１の第１のフレーム機構６の３本のコラ
ム３Ａ〜３Ｃがほぼ正三角形の頂点の位置に固定され、
この内側に第２のフレーム機構１７の一部である３本の
コラム１４Ａ〜１４Ｃ（本発明の「脚部」に対応する）
が、ほぼ正三角形の頂点の位置にスライド可能に載置さ
れ、この内側にウエハ室２３（ウエハステージ系ＷＳ
Ｔ）を支持する３個の防振台２２Ａ〜２２Ｃ（本発明の
「支持部」に対応する）が、ほぼ正三角形の頂点の位置
にスライド可能に載置されている。そして、フレーム機
構１７の一部である支持板１６に投影光学系ＰＬが支持
されている。この場合、コラム１４Ａ〜１４Ｃ内の＋Ｘ
方向の２つのコラム１４Ａ，１４ＢのＹ方向の間隔Ｄ２
は、防振台２２Ａ〜２２ＣのＹ方向の最大の幅Ｄ１より
も広く設定されている。即ち、次式が成立している。Next, the projection optical system P of the projection exposure apparatus of this embodiment
FIG. 4 shows the relationship between the second frame mechanism 17 supporting the wafer stage L and the wafer chamber 23 accommodating the wafer stage system WST.
This will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a plan view showing the surface plate 2 shown in FIG. 1. In FIG. 4, three columns 3A of the first frame mechanism 6 shown in FIG. ~ 3C is fixed approximately at the position of the vertex of the equilateral triangle,
Inside this, three columns 14A to 14C which are a part of the second frame mechanism 17 (corresponding to "legs" of the present invention)
Are slidably mounted at the positions of the vertices of a substantially equilateral triangle, and the wafer chamber 23 (wafer stage WS
Three vibration isolating tables 22A to 22C (corresponding to the "supporting portion" of the present invention) supporting T) are slidably mounted at the positions of the vertices of a substantially equilateral triangle. The projection optical system PL is supported by a support plate 16 which is a part of the frame mechanism 17. In this case, + X in columns 14A to 14C
Distance D2 between the two columns 14A and 14B in the Y direction
Is set to be wider than the maximum width D1 in the Y direction of the anti-vibration tables 22A to 22C. That is, the following equation holds.

【００５０】Ｄ２＞Ｄ１ …（１） これによって、本例のウエハ室２３は、第２のフレーム
機構１７のコラム１４Ａ〜１４Ｃの間を矢印Ａ１で示す
＋Ｘ方向（装置前面側）に引き出すことが可能であり、
その後、投影光学系ＰＬを搭載している第２のフレーム
機構１７を矢印Ａ２で示す＋Ｘ方向に引き出すことが可
能となっている。また、図４の例では、第２のフレーム
機構１７の移動方向（Ｘ方向）と直交するＹ方向に関し
て、コラム１４Ａ〜１４Ｃを含む第２のフレーム機構１
７の幅は、コラム３Ａ〜３Ｃを含む第１のフレーム機構
６の幅よりも狭く設定されている。D2> D1 (1) As a result, the wafer chamber 23 of the present embodiment can draw the space between the columns 14A to 14C of the second frame mechanism 17 in the + X direction (front side of the apparatus) indicated by the arrow A1. Is possible,
Thereafter, the second frame mechanism 17 on which the projection optical system PL is mounted can be pulled out in the + X direction indicated by the arrow A2. In the example of FIG. 4, the second frame mechanism 1 including the columns 14A to 14C in the Y direction orthogonal to the moving direction (X direction) of the second frame mechanism 17.
The width of 7 is set smaller than the width of the first frame mechanism 6 including the columns 3A to 3C.

【００５１】次に本例の投影露光装置の製造時の組立シ
ーケンスの一例につき図６のフローチャートを参照して
説明する。先ず図６のステップ１０１において、図１の
定盤２を例えば半導体製造工場の或る床上のクリーンル
ーム内に設置し、定盤２上に図１の第１のフレーム機構
６を組み上げる。この作業の前に予めステップ１１１に
おいて、図１の第２のフレーム機構１７の組立を行い、
フレーム機構１７の支持板１６の切り欠き部１６ａに光
学特性の調整済みの投影光学系ＰＬを搭載しておく。そ
して、ステップ１０２において、定盤２上に投影光学系
ＰＬを支持した状態の第２のフレーム機構１７を載置す
る。この際に、エアーパッド１３Ａ〜１３Ｃにコンプレ
ッサを接続して、定盤２上でエアースライド方式でフレ
ーム機構１７を円滑に摺動させる。Next, an example of an assembling sequence at the time of manufacturing the projection exposure apparatus of this embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in step 101 of FIG. 6, the surface plate 2 of FIG. 1 is installed in a clean room on a certain floor of a semiconductor manufacturing plant, for example, and the first frame mechanism 6 of FIG. Prior to this work, in step 111, the second frame mechanism 17 of FIG.
The projection optical system PL whose optical characteristics have been adjusted is mounted in the notch 16a of the support plate 16 of the frame mechanism 17. Then, in step 102, the second frame mechanism 17 supporting the projection optical system PL is placed on the surface plate 2. At this time, a compressor is connected to the air pads 13A to 13C, and the frame mechanism 17 is smoothly slid on the surface plate 2 by an air slide method.

【００５２】これまでの作業と並列に、ステップ１１２
において、ウエハステージ系ＷＳＴ及びウエハ室２３の
組立調整を行っておく。そして、ステップ１０３におい
て、定盤２上の第２のフレーム機構１７のコラム１４Ａ
〜１４Ｃの間の領域に、エアーパッド２１Ａ〜２１Ｃ、
及び防振台２２Ａ〜２２Ｃを介してウエハ室２３を設置
し、ウエハ室２３にウエハローダ系ＷＲＤを連結する。
この際にも、定盤２上でエアースライド方式でウエハ室
２３を円滑に摺動させる。それに続くステップ１０４に
おいて、第１のフレーム機構６上にレチクルステージ系
ＲＳＴ、レチクル室１２、照明光学系を収納したサブチ
ャンバ９、及びレチクルローダ系ＲＲＤ等を組み上げ
る。このとき、照明光学系は露光光源と接続された前述
の伝送光学系（不図示）と接続される。In parallel with the above operation, step 112
In the above, assembly adjustment of the wafer stage system WST and the wafer chamber 23 is performed. Then, in step 103, the column 14A of the second frame mechanism 17 on the surface plate 2
Air pads 21A to 21C in an area between
Then, the wafer chamber 23 is set via the vibration isolating tables 22A to 22C, and the wafer loader system WRD is connected to the wafer chamber 23.
At this time, the wafer chamber 23 is smoothly slid on the surface plate 2 by the air slide method. In a subsequent step 104, the reticle stage system RST, the reticle chamber 12, the sub-chamber 9 accommodating the illumination optical system, the reticle loader system RRD, and the like are assembled on the first frame mechanism 6. At this time, the illumination optical system is connected to the transmission optical system (not shown) connected to the exposure light source.

【００５３】なお、本例では、照明光学系を全てサブチ
ャンバ９内に収納するものとしたが、照明光学系の一部
のみをサブチャンバ９に収納し、残りをサブチャンバ９
とは別のサブチャンバ内に収納してもよい。この場合、
一例として、その照明光学系は、レチクルのパターン面
と実質的に共役に配置されると共に、走査露光時にレチ
クル及びウエハの移動に同期して駆動される視野絞り
（レチクルブラインド又はマスキングブレード）よりも
レチクル側に配置される第１部分と、残りの第２部分と
に分かれ、その第１部分がサブチャンバ９内に収納さ
れ、その第２部分（その視野絞りを含む）が別のサブチ
ャンバ内に収納される。この別のサブチャンバは、例え
ば第１のフレーム機構６とは別のフレーム機構で支持す
ることが好ましい。更に、その別のフレーム機構は、例
えば定盤２上で、第１のフレーム機構６に対して、第２
のフレーム機構１７及びウエハ室２３が引き出される＋
Ｘ方向とは反対方向（−Ｘ方向）に配置するとよい。ま
た、その別のフレーム機構は、例えば定盤２上での第１
のフレーム機構６の組み上げに先立ち、或いは並行して
組み上げられる。In this example, the entire illumination optical system is housed in the sub-chamber 9; however, only a part of the illumination optical system is housed in the sub-chamber 9 and the rest is housed in the sub-chamber 9.
Alternatively, it may be housed in a separate subchamber. in this case,
As an example, the illumination optical system is disposed substantially conjugate with the pattern surface of the reticle, and has a smaller field stop (reticle blind or masking blade) driven in synchronization with the movement of the reticle and the wafer during scanning exposure. The first portion disposed on the reticle side and the remaining second portion are separated, the first portion is housed in the sub-chamber 9, and the second portion (including the field stop) is mounted in another sub-chamber. Is stored in. This other sub-chamber is preferably supported by a frame mechanism different from the first frame mechanism 6, for example. Further, the other frame mechanism is, for example, on the platen 2,
Frame mechanism 17 and wafer chamber 23 are pulled out +
It is good to arrange in the direction (-X direction) opposite to the X direction. Another frame mechanism is, for example, a first frame mechanism on the surface plate 2.
The frame mechanism 6 is assembled before or in parallel with the frame mechanism 6.

【００５４】その後で、ステップ１０５において、機械
的、電気的、光学的な総合調整を行い、パージガスの供
給機構を配置し、軟性シールド部材２９Ａ〜２９Ｄを装
着してから、パージガスの供給機構の調整を行うことに
よって本例のモジュール方式（又はボックス方式）の投
影露光装置が完成する。この状態で、図１、図２のエッ
ジセンサ３９Ａ，３９Ｂによって第１のフレーム機構６
に対する投影光学系ＰＬのＸ方向の位置ＸPL、Ｙ方向の
位置ＹPLを検出し、検出結果を不図示の主制御系の記憶
部に記憶する。Thereafter, in step 105, a mechanical, electrical and optical comprehensive adjustment is performed, a purge gas supply mechanism is arranged, the soft shield members 29A to 29D are mounted, and then the purge gas supply mechanism is adjusted. Is performed, the module type (or box type) projection exposure apparatus of this example is completed. In this state, the first frame mechanism 6 is controlled by the edge sensors 39A and 39B shown in FIGS.
The position X PL in the X direction and the position Y PL in the Y direction of the projection optical system PL are detected, and the detection results are stored in a storage unit of a main control system (not shown).

【００５５】その後、図１の投影露光装置を用いて露光
を長時間行う過程で、例えば投影光学系ＰＬを構成する
レンズに曇り物質が付着して、投影光学系ＰＬの透過率
が所定の許容値よりも低下した場合、又は所定の収差が
許容範囲を超えて悪化したような場合には、投影光学系
ＰＬの再調整を行うために、図７に示すように投影光学
系ＰＬの交換シーケンスを実行する。Thereafter, in the course of performing the exposure for a long time using the projection exposure apparatus of FIG. 1, for example, a fogging substance adheres to the lens constituting the projection optical system PL, and the transmittance of the projection optical system PL becomes a predetermined allowable value. When the value has dropped below the predetermined value or when the predetermined aberration has deteriorated beyond the allowable range, as shown in FIG. 7, an exchange sequence of the projection optical system PL is performed in order to readjust the projection optical system PL. Execute

【００５６】そのために、図７のステップ１２１におい
て、図２に２点鎖線で示すように、定盤２の前に定盤２
と同じ厚さの平板状の調整台３８を設置し、ステップ１
２２において、図１の軟性シールド部材２９Ｂ，２９
Ｃ，２９Ｄを取り外して、図４に矢印Ａ３で示すように
ウエハローダ系ＷＲＤを取り外してから、ウエハ室２３
のエアーパッド２１Ａ〜２１Ｃに不図示のコンプレッサ
を連結する。その後、図２において、矢印Ａ１で示すよ
うに、エアースライド方式でウエハ室２３を＋Ｘ方向に
スライドさせて、ウエハ室２３を定盤２上から調整台３
８上の端部に移動する（ステップ１２３）。その後、第
２のフレーム機構１７のエアーパッド１３Ａ〜１３Ｃに
コンプレッサを連結して（ステップ１２４）、矢印Ａ２
で示すように、エアースライド方式で第２のフレーム機
構１７を＋Ｘ方向にスライドさせて、調整台３８上の位
置１７Ａに移動する（ステップ１２５）。投影光学系Ｐ
Ｌは位置ＰＬＡに移動する。For this purpose, in step 121 of FIG. 7, as shown by a two-dot chain line in FIG.
A flat adjustment table 38 having the same thickness as that of
In FIG. 22, the flexible shield members 29B, 29 of FIG.
C, 29D, and the wafer loader system WRD as shown by arrow A3 in FIG.
(Not shown) is connected to the air pads 21A to 21C. Thereafter, as shown by an arrow A1 in FIG. 2, the wafer chamber 23 is slid in the + X direction by an air slide method, and the wafer chamber 23 is moved from the surface plate 2 to the
8 (step 123). Thereafter, the compressor is connected to the air pads 13A to 13C of the second frame mechanism 17 (step 124), and the arrow A2
As shown by, the second frame mechanism 17 is slid in the + X direction by the air slide method to move to the position 17A on the adjustment table 38 (step 125). Projection optical system P
L moves to position PLA.

【００５７】そして、ステップ１２６において、フレー
ム機構１７上で投影光学系ＰＬを同じ機種で調整済みの
投影光学系と交換する。なお、例えば投影光学系ＰＬを
構成するレンズの曇りの清掃等が容易に、迅速に実施で
きる場合には、投影光学系ＰＬを交換することなくその
清掃等を行うようにしてもよい。その後、ステップ１２
７において、調整済みの投影光学系が搭載された第２の
フレーム機構１７をエアースライド方式で定盤２上に戻
す。この際に、エッジセンサ３９Ａ，３９Ｂによって検
出される投影光学系のＸ方向、及びＹ方向の位置が、上
記のように記憶されている位置ＸPL、及び位置ＹPLとな
るようにフレーム機構１７の位置決めを行う。その後、
ステップ１２８において、ウエハ室２３をエアースライ
ド方式でフレーム機構１７のコラム１４Ａ〜１４Ｃの間
に移動して、ウエハ室２３にウエハローダ系ＷＲＤを連
結する。その後、ウエハ室２３の位置関係の調整等を行
った後、軟性シールド部材２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄを装
着することで、投影光学系ＰＬの交換シーケンスが完了
する。Then, in step 126, the projection optical system PL is replaced on the frame mechanism 17 with a projection optical system that has been adjusted for the same model. In addition, for example, when the cleaning of the fogging of the lens constituting the projection optical system PL can be easily and quickly performed, the cleaning may be performed without replacing the projection optical system PL. Then, step 12
At 7, the second frame mechanism 17 on which the adjusted projection optical system is mounted is returned to the surface plate 2 by the air slide method. At this time, the frame mechanism 17 is set so that the positions of the projection optical system in the X direction and the Y direction detected by the edge sensors 39A and 39B are the position X PL and the position Y PL stored as described above. Perform positioning. afterwards,
In step 128, the wafer chamber 23 is moved between the columns 14A to 14C of the frame mechanism 17 by an air slide method, and the wafer loader system WRD is connected to the wafer chamber 23. Then, after the adjustment of the positional relationship of the wafer chamber 23 and the like are performed, the replacement sequence of the projection optical system PL is completed by mounting the soft shield members 29B, 29C, and 29D.

【００５８】このように本例の投影露光装置は、投影光
学系ＰＬを支持する第２のフレーム機構１７のコラム１
４Ａ〜１４Ｃの間をウエハ室２３（防振台２２Ａ〜２２
Ｃ）がスライド可能な状態で設置されているため、ウエ
ハ室２３を調整台３８上に移動させた後に、フレーム機
構１７を調整台３８上に容易に、かつ迅速に移動させる
ことができる。従って、投影光学系ＰＬの交換を極めて
容易に、かつ迅速に行うことができる。更に、エアース
ライド方式でウエハ室２３及びフレーム機構１７を移動
させることによって、作業効率が更に向上する。As described above, according to the projection exposure apparatus of this embodiment, the column 1 of the second frame mechanism 17 supporting the projection optical system PL is used.
4A to 14C, the wafer chamber 23 (vibration isolation tables 22A to 22C).
Since C) is installed in a slidable state, the frame mechanism 17 can be easily and quickly moved onto the adjustment table 38 after the wafer chamber 23 is moved onto the adjustment table 38. Therefore, replacement of the projection optical system PL can be performed very easily and quickly. Further, by moving the wafer chamber 23 and the frame mechanism 17 by the air slide method, the working efficiency is further improved.

【００５９】また、投影光学系ＰＬを交換したときに
は、エッジセンサ３９Ａ，３９Ｂを用いて交換後の投影
光学系の位置を元の位置に設定しているため、交換後の
光学調整を極めて短時間に済ますことができる。同様
に、再設定後のウエハ室２３も、例えば第２のフレーム
機構１７を基準にして位置合わせを行うことによって、
調整時間を短縮することができる。更に、図１に示すよ
うに本例では、レチクルローダ系ＲＲＤ、及びウエハロ
ーダ系ＷＲＤは、共に露光本体部の側面に設置されてい
る。従って、露光本体部の前面を、投影光学系ＰＬの交
換時の調整用の空間として使用できる。When the projection optical system PL is replaced, the position of the replaced projection optical system is set to the original position by using the edge sensors 39A and 39B. Can be completed. Similarly, the wafer chamber 23 after resetting is also aligned by, for example, using the second frame mechanism 17 as a reference.
Adjustment time can be reduced. Further, as shown in FIG. 1, in this example, the reticle loader system RRD and the wafer loader system WRD are both installed on the side surface of the exposure main body. Therefore, the front surface of the exposure main body can be used as a space for adjustment when replacing the projection optical system PL.

【００６０】なお、レチクルローダ系ＲＲＤ及びウエハ
ローダ系ＷＲＤを露光本体部の前面に設置し、第２のフ
レーム機構１７（投影光学系ＰＬ）及びウエハ室２３を
露光本体部に対してその側面側に引き出す、或いは露光
本体部の前面からレチクルローダ系ＲＲＤ及びウエハロ
ーダ系ＷＲＤをずらし、その後で第２のフレーム機構１
７及びウエハ室２３を露光本体部の前面側に引き出すよ
うにしてもよい。The reticle loader system RRD and the wafer loader system WRD are installed on the front surface of the exposure main body, and the second frame mechanism 17 (projection optical system PL) and the wafer chamber 23 are located on the side of the exposure main body. Pull out or shift the reticle loader system RRD and the wafer loader system WRD from the front of the exposure main body, and then move the second frame mechanism 1
The wafer chamber 7 and the wafer chamber 23 may be drawn out to the front side of the exposure main body.

【００６１】次に、本発明の実施の形態の他の例につき
図５を参照して説明する。図５は、図４に対応する本例
の投影露光装置のほぼ台形状の定盤２Ａを示す平面図で
あり、この図５において、定盤２Ａ上に図１の第１のフ
レーム機構６の３本のコラム３Ａ〜３Ｃがほぼ正三角形
の頂点の位置に固定され、この内側に第２のフレーム機
構の一部である４本のコラム１４Ａ〜１４Ｄ（脚部）
が、ほぼ正方形の頂点の位置にスライド可能に載置さ
れ、この上に投影光学系ＰＬを支持する支持板１６Ａが
固定される。そして、コラム１４Ａ〜１４Ｄの内側にウ
エハ室２３Ａ（図１のウエハステージ系ＷＳＴを収納す
る）を支持する４個の防振台２２Ａ〜２２Ｄ（支持部）
が、ほぼ長方形の頂点の位置にスライド可能に載置され
ている。この場合、コラム１４Ａ〜１４Ｄ内のＹ方向の
間隔は、防振台２２Ａ〜２２ＤのＹ方向の最大の幅より
も広く設定されている。Next, another example of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a plan view showing a substantially trapezoidal surface plate 2A of the projection exposure apparatus of the present embodiment corresponding to FIG. 4, and in FIG. 5, the first frame mechanism 6 of FIG. Three columns 3A to 3C are fixed substantially at the vertices of an equilateral triangle, and four columns 14A to 14D (legs) which are a part of the second frame mechanism inside the columns 3A to 3C.
Are slidably mounted at the positions of the vertices of a substantially square, on which a support plate 16A for supporting the projection optical system PL is fixed. Then, four anti-vibration tables 22A to 22D (support portions) that support the wafer chamber 23A (containing the wafer stage system WST of FIG. 1) inside the columns 14A to 14D.
Are slidably mounted at the positions of the vertices of a substantially rectangle. In this case, the interval in the Y direction within the columns 14A to 14D is set to be wider than the maximum width in the Y direction of the anti-vibration tables 22A to 22D.

【００６２】これによって、本例のウエハ室２３Ａは、
第２のフレーム機構のコラム１４Ａ〜１４Ｄの間を矢印
Ｂ４で示す−Ｘ方向（装置背面側）にスライド可能であ
る。従って、本例の投影光学系ＰＬを交換する際には、
ウエハ室２３Ａを移動しない状態で、支持板１６Ａ（第
２のフレーム機構）を矢印Ｂ４で示す方向と逆の矢印Ｂ
１で示す＋Ｘ方向に引き出すことが可能となっている。
従って、本例によれば、投影光学系ＰＬの交換時に、定
盤２Ａ上にウエハ室２３Ａを載置したままで投影光学系
ＰＬを支持する支持板１６Ａ（第２のフレーム機構）を
搬出できるため、投影光学系ＰＬの交換をより短時間で
行うことができる。As a result, the wafer chamber 23A of this embodiment is
The second frame mechanism can slide between the columns 14A to 14D in the -X direction (apparatus rear side) indicated by an arrow B4. Therefore, when replacing the projection optical system PL of this example,
In a state where the wafer chamber 23A is not moved, the support plate 16A (second frame mechanism) is moved in the direction indicated by an arrow B opposite to the direction indicated by the arrow B4.
1 can be pulled out in the + X direction.
Therefore, according to this example, when the projection optical system PL is replaced, the support plate 16A (second frame mechanism) that supports the projection optical system PL can be carried out while the wafer chamber 23A is placed on the surface plate 2A. Therefore, the replacement of the projection optical system PL can be performed in a shorter time.

【００６３】なお、上記の実施の形態では、投影光学系
ＰＬを支持するフレーム機構（第２のフレーム機構１７
等）は、３本のコラム１４Ａ〜１４Ｃ、又は４本のコラ
ム１４Ａ〜１４Ｄで支持されているが、そのコラム（脚
部）の本数は任意であると共に、そのフレーム機構の脚
部を例えば断面形状がＶ字型、又はコの字型等に一体化
された部材より形成してもよい。更に、その脚部は例え
ば支持板１６，１６Ａと一体化して形成してもよい。同
様に、ウエハ室２３を支持する防振台２２Ａ〜２２Ｃ
（又は２２Ａ〜２２Ｄ）の個数も任意であり、要はウエ
ハ室２３，２３Ａ、又は投影光学系ＰＬを支持するフレ
ーム機構を定盤２上で所定方向にスライドできる構成で
あればよい。In the above embodiment, the frame mechanism supporting the projection optical system PL (the second frame mechanism 17
Etc.) are supported by three columns 14A to 14C or four columns 14A to 14D. The number of the columns (legs) is arbitrary, and the legs of the frame mechanism are, for example, in cross section. The shape may be formed from a member integrated into a V-shape, a U-shape, or the like. Further, the legs may be formed integrally with the support plates 16 and 16A, for example. Similarly, anti-vibration tables 22A to 22C supporting the wafer chamber 23
The number of (or 22A to 22D) is also arbitrary. In short, any configuration may be used as long as the wafer chambers 23 and 23A or the frame mechanism supporting the projection optical system PL can be slid on the surface plate 2 in a predetermined direction.

【００６４】また、上記の実施の形態では、第２のフレ
ーム機構１７の底面にエアーパッド１３Ａ〜１３Ｃが設
けられているため、第２のフレーム機構１７をエアース
ライド方式で円滑にスライドさせることが可能である。
しかしながら、例えば第２のフレーム機構１７を小型の
クレーン等で移動させる場合には、エアーパッド１３Ａ
〜１３Ｃを設ける必要は無い。同様に、ウエハ室２３，
２３Ａについても、小型のクレーン等で移動させる場合
には、エアーパッド２１Ａ〜２１Ｃを設ける必要は無
い。In the above embodiment, since the air pads 13A to 13C are provided on the bottom surface of the second frame mechanism 17, the second frame mechanism 17 can be slid smoothly by the air slide method. It is possible.
However, for example, when the second frame mechanism 17 is moved by a small crane or the like, the air pad 13A
It is not necessary to provide １３13C. Similarly, the wafer chamber 23,
The air pads 21A to 21C do not need to be provided when the 23A is moved by a small crane or the like.

【００６５】これに関して、第２のフレーム機構１７、
及びウエハ室２３，２３Ａをスライドさせる機構は、エ
アースライド方式には限られない。例えばクレーン等で
移動させる場合には、それらのスライドは殆ど非接触方
式で行われる。また、ボールベアリング等の抵抗の極め
て少ない摺動機構を介して、第２のフレーム機構１７等
をスライドさせるようにしてもよい。In this regard, the second frame mechanism 17,
The mechanism for sliding the wafer chambers 23 and 23A is not limited to the air slide method. For example, when moving with a crane or the like, these slides are performed almost in a non-contact manner. Further, the second frame mechanism 17 and the like may be slid via a sliding mechanism such as a ball bearing having extremely low resistance.

【００６６】また、図１において、レチクルＲ１，Ｒ２
のパターン面と投影光学系ＰＬとの作動距離が短く、支
持板５が投影光学系ＰＬの先端部を覆うような構成も考
えられる。このような構成では、支持板１６に対して投
影光学系ＰＬを下げられる構成とするか、又はコラム１
４Ａ〜１４Ｃに上下動を行う機構を設けておき、第２の
フレーム機構１７を引き出す前に投影光学系ＰＬを下げ
るか、又は支持板１６を下げるようにすればよい。In FIG. 1, reticle R1, R2
The working distance between the pattern surface and the projection optical system PL may be short, and the support plate 5 may cover the tip of the projection optical system PL. In such a configuration, the projection optical system PL can be lowered with respect to the support plate 16 or the column 1
A mechanism for performing up and down movement may be provided in each of 4A to 14C, and the projection optical system PL may be lowered before the second frame mechanism 17 is pulled out, or the support plate 16 may be lowered.

【００６７】また、上記の実施の形態では、交換後の投
影光学系の位置を計測しているが、例えば支持板１６に
ウエハのアライメントセンサ、及びオートフォーカスセ
ンサ等をモジュール化して設置しておき、これらのアラ
イメントセンサ、又はオートフォーカスセンサの位置を
計測するようにしてもよい。また、上記各実施形態では
投影光学系を別の投影光学系と交換するものとしたが、
投影光学系の一部のみを交換するだけでもよい。このと
き、投影光学系の光学素子（レンズエレメント等）単位
でその交換を行ってもよいし、或いは複数の鏡筒を有す
る投影光学系ではその鏡筒単位で交換を行ってもよい。
更に、投影光学系を支持するフレーム機構（第２のフレ
ーム機構１７等）から、投影光学系を全て取り外した上
でその一部を交換してもよいし、或いは投影光学系をそ
のフレーム機構で支持した状態で、その投影光学系か
ら、交換が必要なその一部のみを取り外すだけでもよ
い。In the above embodiment, the position of the projection optical system after the replacement is measured. For example, a wafer alignment sensor, an autofocus sensor, and the like are modularized and installed on the support plate 16. Alternatively, the positions of these alignment sensors or autofocus sensors may be measured. In each of the above embodiments, the projection optical system is replaced with another projection optical system.
Only a part of the projection optical system may be replaced. At this time, the replacement may be performed for each optical element (such as a lens element) of the projection optical system, or for a projection optical system having a plurality of lens barrels, the replacement may be performed for each lens barrel.
Further, the projection optical system may be entirely removed from the frame mechanism (the second frame mechanism 17 or the like) supporting the projection optical system and a part thereof may be replaced, or the projection optical system may be replaced by the frame mechanism. In the supported state, only a part of the projection optical system that needs to be replaced may be removed.

【００６８】なお、露光本体部から引き出された投影光
学系の少なくとも一部を交換するのではなく、投影光学
系を支持するフレーム機構からその少なくとも一部を取
り外してその調整を行った上でその投影光学系に戻すだ
けでもよい。この調整では、例えば光学素子の洗浄又は
再加工等が行われ、特にレンズエレメントでは必要に応
じてその表面が非球面に加工される。この光学素子は、
レンズエレメント等の屈折光学素子だけでなく、例えば
凹面鏡等の反射光学素子、或いは投影光学系の収差（デ
ィストーション、球面収差等）、特にその非回転対称成
分を補正する収差補正板等でもよい。更に、露光本体部
から引き出された投影光学系の少なくとも一部をそのフ
レーム機構から取り外すことなく、例えば少なくとも１
つの光学素子の位置（他の光学素子との間隔を含む）や
傾斜等を変更するだけでもよい。特に光学素子がレンズ
エレメントであるときは、その偏芯を変更したり、或い
は光軸を中心として回転させてもよい。Instead of replacing at least a part of the projection optical system drawn out of the exposure main body, at least a part of the projection optical system is removed from a frame mechanism that supports the projection optical system, and adjustment is performed. It may just return to the projection optical system. In this adjustment, for example, cleaning or reworking of the optical element is performed. In particular, the surface of the lens element is processed into an aspherical surface as needed. This optical element
Not only a refractive optical element such as a lens element, but also a reflective optical element such as a concave mirror, or an aberration correction plate or the like for correcting aberrations (distortion, spherical aberration, etc.) of the projection optical system, particularly non-rotationally symmetric components thereof, may be used. Further, without removing at least a part of the projection optical system drawn out from the exposure main body from its frame mechanism, for example, at least one
It is only necessary to change the position of one optical element (including the distance from another optical element), the inclination, and the like. In particular, when the optical element is a lens element, the eccentricity may be changed or the optical element may be rotated about the optical axis.

【００６９】また、上記各実施形態では投影露光装置の
納入先（半導体製造工場等）で投影光学系（投影系）の
取り外し、交換、又は調整等を行うものとしたが、投影
露光装置の製造工場で同様に本発明を適用して投影光学
系の調整等を行うようにしてもよい。更に、投影露光装
置の納入先でその運用が開始された後は、例えばウエハ
ステージＷＳＴ上に受光面が配置される光検出器（照度
むらセンサ、照射量モニタ等）を用いて、投影光学系Ｐ
Ｌの透過率を定期的に計測し、且つ定期的な計測の間は
計算（シミュレーション等）にてその透過率の変化を算
出するようにしてもよい。また、レチクルのパターン像
を検出するための受光面がウエハステージＷＳＴ上に配
置される空間像検出器を用いたり、或いはそのパターン
像をウエハ等に転写してその転写像（潜像、レジスト像
等）を検出して、投影光学系の光学特性（収差等）を定
期的に計測し、且つ定期的な計測の間は計算にて光学特
性の変化を算出するようにしてもよい。In each of the above embodiments, the projection optical system (projection system) is removed, replaced, adjusted, or the like at the delivery destination of the projection exposure apparatus (such as a semiconductor manufacturing factory). The present invention may be similarly applied at a factory to adjust the projection optical system. Further, after the operation of the projection exposure apparatus is started at the delivery destination, the projection optical system is operated by using, for example, a photodetector (illuminance unevenness sensor, irradiation amount monitor, etc.) having a light receiving surface on the wafer stage WST. P
The transmittance of L may be measured periodically, and the change in the transmittance may be calculated by calculation (simulation or the like) during the periodic measurement. Further, a spatial image detector in which a light receiving surface for detecting a reticle pattern image is arranged on wafer stage WST is used, or the pattern image is transferred to a wafer or the like and the transferred image (latent image, resist image) , Etc.), the optical characteristics (such as aberration) of the projection optical system may be periodically measured, and the changes in the optical characteristics may be calculated by calculation during the periodic measurement.

【００７０】そして、投影露光装置の全体を統轄制御す
る主制御系（不図示）は、例えば投影光学系の交換又は
調整等が必要となる許容値（下限値）に投影光学系の透
過率が達した時点、或いは投影光学系の光学特性がその
交換又は調整等が必要となる許容範囲外となった時点で
露光動作を停止すると共に、投影露光装置のディスプレ
イ（モニタ）への警告表示、或いはインターネット又は
携帯電話等によって、オペレータ等にその必要性を通知
することが好ましい。このとき、投影光学系（又はその
一部）の交換の有無やその交換箇所、投影光学系の調整
箇所及びその方法等の情報、即ち、投影光学系の交換又
は調整に必要な情報を一緒に通知するとよい。これによ
り、投影光学系の交換又は調整等の作業時間だけでなく
その準備期間も短縮でき、投影露光装置の停止期間の短
縮、即ち稼働率の向上を図ることが可能となる。The main control system (not shown) for controlling the whole of the projection exposure apparatus has the transmittance of the projection optical system at a permissible value (lower limit value) at which replacement or adjustment of the projection optical system is required. At that time, or when the optical characteristics of the projection optical system are out of an allowable range that requires replacement or adjustment, the exposure operation is stopped, and a warning is displayed on a display (monitor) of the projection exposure apparatus, or It is preferable to notify the operator or the like of the necessity through the Internet or a mobile phone. At this time, information such as whether or not the projection optical system (or a part thereof) has been replaced and its replacement location, the adjustment location of the projection optical system and its method, that is, the information necessary for the replacement or adjustment of the projection optical system are also collected. You may want to be notified. As a result, not only the operation time for exchanging or adjusting the projection optical system but also the preparation period can be shortened, and the suspension period of the projection exposure apparatus can be shortened, that is, the operation rate can be improved.

【００７１】なお、交換又は調整等が行われた投影光学
系を露光本体部に戻した後、前述の空間像検出器又は転
写像の検出等によって投影光学系の光学特性を計測し、
必要ならばその計測結果に基づいてその光学特性を調整
することが望ましい。このとき、例えば投影光学系の少
なくとも１つの光学素子をアクチュエータ（ピエゾ素子
等）で駆動したり、露光光源を調整して露光光の中心波
長を僅かに変更する等してその光学特性を調整すればよ
い。After the exchanged or adjusted projection optical system is returned to the exposure main body, the optical characteristics of the projection optical system are measured by the aforementioned spatial image detector or the detection of a transferred image.
If necessary, it is desirable to adjust the optical characteristics based on the measurement results. At this time, for example, at least one optical element of the projection optical system is driven by an actuator (a piezo element or the like), or the optical characteristic is adjusted by adjusting the exposure light source to slightly change the center wavelength of the exposure light. I just need.

【００７２】また、上記各実施形態では、投影光学系の
波面収差を計測し、この波面収差とツェルニケ多項式と
を用いて投影光学系の収差等を算出してもよい。このと
き、例えばレチクルと投影光学系との間に配置されるピ
ンホールを通してレチクルパターンの投影像を形成する
と共に、この投影像を２次元ＣＣＤ等で検出するか、或
いはこの投影像をウエハ等に転写し、この投影像又はそ
の転写像の位置と所定の基準位置との差に基づいて波面
収差を計測すればよい。In each of the above embodiments, the wavefront aberration of the projection optical system may be measured, and the aberration and the like of the projection optical system may be calculated using the wavefront aberration and the Zernike polynomial. At this time, for example, a projected image of the reticle pattern is formed through a pinhole disposed between the reticle and the projection optical system, and the projected image is detected by a two-dimensional CCD or the like, or the projected image is projected on a wafer or the like. The wavefront aberration may be measured based on the difference between the position of the projected image or the transferred image and a predetermined reference position.

【００７３】更に、上記の実施の形態の投影露光装置は
モジュール方式（ボックス方式）であり、本発明の効果
は大きいが、それ以外に例えばレチクルステージ系やウ
エハステージ系の構成部材をベース部材上に順次組み上
げていくような方式の投影露光装置であっても本発明を
適用することができる。同様に、上記の実施の形態のレ
チクルステージ系ＲＳＴ、又はウエハステージ系ＷＳＴ
の代わりに、シングルホルダ方式のシングルステージを
使用する場合にも本発明が適用できる。Further, the projection exposure apparatus of the above embodiment is of a module type (box type), and the effect of the present invention is great. The present invention can be applied to a projection exposure apparatus of a type in which the projection exposure apparatuses are sequentially assembled. Similarly, reticle stage system RST or wafer stage system WST of the above-described embodiment.
Instead, the present invention can be applied to a case where a single stage of a single holder system is used.

【００７４】また、上記各実施形態ではベース部材とし
て定盤２，２Ａを用いるものとしたが、ベース部材は定
盤に限定されるものではなく、例えばフレームキャスタ
ー（運搬用の車輪が付いたベースプレート）等を用いて
もよいし、或いはクリーンルーム内で投影露光装置が設
置される床等をベース部材としてもよい。更に、投影光
学系ＰＬは屈折系、反射屈折系、及び反射系の何れでも
よいし、縮小系、等倍系、及び拡大系の何れでもよい。
なお、投影光学系ＰＬは直筒型や双筒型に限られるもの
ではなく、例えば直筒型の第１鏡筒と、この第１鏡筒と
直交する第２鏡筒とを組み合わせたものなどでもよい。In each of the above embodiments, the platen 2 or 2A is used as the base member. However, the base member is not limited to the platen. For example, a frame caster (a base plate having wheels for transportation) may be used. ) May be used, or a floor or the like on which a projection exposure apparatus is installed in a clean room may be used as a base member. Further, the projection optical system PL may be any one of a refraction system, a catadioptric system, and a reflection system, and may be any one of a reduction system, an equal magnification system, and an enlargement system.
In addition, the projection optical system PL is not limited to a straight tube type or a double tube type, but may be a combination of a straight tube type first lens tube and a second lens tube orthogonal to the first lens tube. .

【００７５】また、上記の実施の形態では、走査露光方
式の投影露光装置に本発明を適用したが、本発明はこれ
に限られず、ステップ・アンド・リピート方式等の一括
露光型（静止露光型）の投影露光装置、プロキシミティ
方式の露光装置、あるいは、Ｘ線等のＥＵＶ光を露光ビ
ームとする露光装置や電子線やイオンビーム（エネルギ
線）を光源（エネルギ源）とする荷電粒子線露光装置で
あっても同様に適用することができる。In the above-described embodiment, the present invention is applied to the scanning exposure type projection exposure apparatus. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to a batch exposure type (static exposure type) such as a step and repeat type. ), A projection type exposure apparatus, a proximity type exposure apparatus, an exposure apparatus using EUV light such as X-ray as an exposure beam, and a charged particle beam exposure using an electron beam or an ion beam (energy beam) as a light source (energy source). The same can be applied to a device.

【００７６】なお、露光装置の用途としては半導体素子
製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型
のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくは
プラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装
置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン、又は薄
膜磁気ヘッド等の各種デバイスを製造するための露光装
置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイス
のマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、
レチクル等）をフォトリソグフィ工程を用いて製造する
際の、露光工程（露光装置）にも適用することができ
る。The application of the exposure apparatus is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device. For example, an exposure apparatus for a liquid crystal display element formed on a square glass plate or an exposure apparatus for a display apparatus such as a plasma display. The present invention can be widely applied to an apparatus and an exposure apparatus for manufacturing various devices such as an imaging device (CCD or the like), a micromachine, and a thin-film magnetic head. Further, the present invention provides a mask (photomask,
The present invention can be applied to an exposure step (exposure apparatus) when a reticle or the like is manufactured using a photolithography step.

【００７７】また、ウエハステージ系やレチクルステー
ジ系にリニアモータを用いる場合は、エアーベアリング
を用いたエアー浮上型、又は磁気浮上型等の何れの方式
で可動ステージを保持してもよい。更に、可動ステージ
の反力を相殺する場合には、運動量保存則で相殺する方
式の他に、床面にその反力を逃がす構成としてもよい。When a linear motor is used for the wafer stage system or the reticle stage system, the movable stage may be held by any method such as an air floating type using an air bearing or a magnetic floating type. Further, in order to cancel the reaction force of the movable stage, in addition to the method of canceling by the law of conservation of momentum, the reaction force may be released to the floor surface.

【００７８】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can take various configurations without departing from the spirit of the present invention.

【００７９】[0079]

【発明の効果】本発明により、投影系（投影光学系）の
少なくとも一部の取り外し、交換、又は調整を容易に行
うことができる投影露光装置が実現できる。これによっ
て、投影露光装置の製造工場のみならず、投影露光装置
の納入先での投影系の交換や調整も短時間で可能とな
り、装置の製造コストを低減できると共に、装置の運転
コスト又はメンテナンスのコストも低減できる。According to the present invention, it is possible to realize a projection exposure apparatus in which at least a part of a projection system (projection optical system) can be easily removed, replaced, or adjusted. This makes it possible to replace and adjust the projection system not only at the factory of the projection exposure apparatus but also at the destination of the projection exposure apparatus in a short time, thereby reducing the manufacturing cost of the apparatus and reducing the operating cost or maintenance of the apparatus. Cost can also be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の実施の形態の一例の投影露光装置を
示す一部を切り欠いた正面図である。FIG. 1 is a partially cutaway front view showing a projection exposure apparatus according to an example of an embodiment of the present invention.

【図２】 図１の投影露光装置を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing the projection exposure apparatus of FIG.

【図３】 図２のエアーパッド１３Ｂにコンプレッサを
接続した状態の要部を示す一部を切り欠いた拡大図であ
る。FIG. 3 is an enlarged view of a main part in a state where a compressor is connected to the air pad 13B of FIG. 2 with a part cut away.

【図４】 図１の定盤２を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the surface plate 2 of FIG.

【図５】 本発明の実施の形態の他の例の図４に対応す
る定盤２Ａを示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a surface plate 2A corresponding to FIG. 4 of another example of the embodiment of the present invention.

【図６】 図１の実施の形態の投影露光装置の組立シー
ケンスの一例を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of an assembly sequence of the projection exposure apparatus according to the embodiment of FIG. 1;

【図７】 図１の実施の形態の投影露光装置の投影光学
系ＰＬの交換シーケンスの一例を示すフローチャートで
ある。FIG. 7 is a flowchart showing an example of an exchange sequence of the projection optical system PL of the projection exposure apparatus according to the embodiment of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２…定盤、３Ａ〜３Ｃ…コラム、４Ａ〜４Ｃ…防振台、
５…支持板、６…第１のフレーム機構、Ｒ１，Ｒ２…レ
チクル、ＰＬ…投影光学系、Ｗ１，Ｗ２…ウエハ、ＲＳ
Ｔ…レチクルステージ系、ＷＳＴ…ウエハステージ系、
１０…レチクルステージ、１２…レチクル室、１３Ａ〜
１３Ｃ，２１Ａ〜２１Ｃ…エアーパッド、１４Ａ〜１４
Ｃ…コラム、１５Ａ〜１５Ｃ，２２Ａ〜２２Ｃ…防振
台、１６…支持板、１７…第２のフレーム機構、２５
Ａ，２５Ｂ…ウエハステージ、２３…ウエハ室2 ... surface plate, 3A-3C ... column, 4A-4C ... vibration isolation table,
5 support plate, 6 first frame mechanism, R1, R2 reticle, PL projection optical system, W1, W2 wafer, RS
T: reticle stage system, WST: wafer stage system,
10: reticle stage, 12: reticle room, 13A ~
13C, 21A-21C ... air pad, 14A-14
C: column, 15A to 15C, 22A to 22C: anti-vibration table, 16: support plate, 17: second frame mechanism, 25
A, 25B: wafer stage, 23: wafer chamber

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 露光ビームで投影系を介して物体を露光
する投影露光装置において、 ベース部材と、 該ベース部材上にスライド可能な状態で設置されたフレ
ーム機構とを有し、 該フレーム機構に前記投影系を装着したことを特徴とす
る投影露光装置。1. A projection exposure apparatus for exposing an object with an exposure beam via a projection system, comprising: a base member; and a frame mechanism slidably mounted on the base member. A projection exposure apparatus comprising the projection system. 【請求項２】 露光ビームで投影系を介して物体を露光
する投影露光装置において、 ベース部材と、 該ベース部材上に複数の又は一つの脚部を介して設置さ
れたフレーム機構と、 該フレーム機構に装着された投影系と、 前記ベース部材上の前記脚部で囲まれた領域に所定方向
にスライド可能な状態で支持部を介して設置されて、前
記物体を駆動するステージ系と、を有することを特徴と
する投影露光装置。2. A projection exposure apparatus for exposing an object with an exposure beam via a projection system, comprising: a base member; a frame mechanism installed on the base member via a plurality of or one leg; A projection system mounted on a mechanism, and a stage system that is installed via a support unit in a state slidable in a predetermined direction in an area surrounded by the legs on the base member and drives the object. A projection exposure apparatus comprising: 【請求項３】 前記フレーム機構の脚部は、実質的に三
角形の各頂点に配置された３個の脚部であり、 前記ステージ系の支持部の幅は、前記３個の脚部の隣接
する所定の２つの脚部の間隔よりも小さいことを特徴と
する請求項２に記載の投影露光装置。3. The legs of the frame mechanism are substantially three legs disposed at each vertex of a triangle, and the width of the supporting portion of the stage system is adjacent to the three legs. 3. The projection exposure apparatus according to claim 2, wherein the distance between the predetermined two legs is smaller than a predetermined distance. 【請求項４】 前記フレーム機構の脚部は、実質的に長
方形の各頂点に配置された４個の脚部であり、 前記ステージ系の支持部の幅は、前記４個の脚部の隣接
する所定の２つの脚部の間隔よりも小さいことを特徴と
する請求項２に記載の投影露光装置。4. The leg of the frame mechanism is four legs disposed at each vertex of a substantially rectangle, and the width of the supporting part of the stage system is adjacent to the four legs. 3. The projection exposure apparatus according to claim 2, wherein the distance between the predetermined two legs is smaller than a predetermined distance. 【請求項５】 前記フレーム機構の脚部の底面に圧搾さ
れた気体を噴き出すためのエアーパッドを設けたことを
特徴とする請求項２、３、又は４に記載の投影露光装
置。5. The projection exposure apparatus according to claim 2, wherein an air pad for blowing out a compressed gas is provided on a bottom surface of the leg of the frame mechanism. 【請求項６】 露光ビームで投影系を介して物体を露光
する投影露光装置の製造方法であって、 前記投影系を支持するフレーム機構を複数の又は一つの
脚部を介して所定のベース部材上に配置する第１工程
と、 前記ベース部材上の前記脚部で囲まれた領域に所定方向
にスライド可能な状態で前記物体を駆動するステージ系
を配置する第２工程とを有することを特徴とする投影露
光装置の製造方法。6. A method of manufacturing a projection exposure apparatus for exposing an object through a projection system with an exposure beam, comprising: a frame mechanism supporting the projection system is provided with a predetermined base member via a plurality of or one leg. A first step of arranging a stage system for driving the object in a state slidable in a predetermined direction in a region surrounded by the legs on the base member. Of manufacturing a projection exposure apparatus. 【請求項７】 前記投影系の少なくとも一部の交換又は
調整時に、前記ステージ系を前記所定方向に沿って前記
ベース部材上から搬出した後、前記フレーム機構を前記
投影系を支持した状態で前記ベース部材上から搬出する
ことを特徴とする請求項６に記載の投影露光装置の製造
方法。7. When replacing or adjusting at least a part of the projection system, the stage system is carried out from the base member along the predetermined direction, and then the frame mechanism is supported with the projection system supported. 7. The method according to claim 6, wherein the projection exposure apparatus is carried out from above the base member. 【請求項８】 前記投影系の少なくとも一部の交換又は
調整時に、前記フレーム機構を前記投影系を支持した状
態で前記ベース部材上で前記所定方向の逆方向に移動さ
せて、前記フレーム機構を前記ベース部材上から搬出す
ることを特徴とする請求項６に記載の投影露光装置の製
造方法。8. When replacing or adjusting at least a part of the projection system, the frame mechanism is moved in a direction opposite to the predetermined direction on the base member while supporting the projection system, so that the frame mechanism is moved. The method according to claim 6, wherein the projection exposure apparatus is carried out from the base member. 【請求項９】 前記フレーム機構を前記ベース部材上で
移動させる際に、前記フレーム機構の脚部から前記ベー
ス部材上に圧搾された気体を噴き出すことを特徴とする
請求項７又は８に記載の投影露光装置の製造方法。9. The method according to claim 7, wherein when the frame mechanism is moved on the base member, compressed gas is blown from the legs of the frame mechanism onto the base member. A method for manufacturing a projection exposure apparatus. 【請求項１０】 第１物体を介して露光ビームで第２物
体を露光する投影露光装置において、 前記第１物体に前記露光ビームを照射する照明系の少な
くとも一部と、前記第１物体のパターン像を前記第２物
体上に形成する投影系とを含み、前記投影系を介して前
記露光ビームで前記第２物体を露光する露光本体部と、 前記露光本体部の第１部分を所定面上で支持する第１フ
レーム機構と、 前記第１部分と異なる前記露光本体部の第２部分を前記
所定面上で支持して第１方向に移動可能であると共に、
前記所定面上で少なくとも一部が前記第１フレーム機構
の内側に配置され、且つ前記第１方向と交差する第２方
向に関してその少なくとも一部の幅が前記第１フレーム
機構よりも狭い第２フレーム機構とを備えたことを特徴
とする投影露光装置。10. A projection exposure apparatus for exposing a second object with an exposure beam through a first object, wherein at least a part of an illumination system for irradiating the first object with the exposure beam, and a pattern of the first object A projection system for forming an image on the second object, an exposure body for exposing the second object with the exposure beam via the projection system, and a first part of the exposure body on a predetermined surface. A first frame mechanism that supports the second portion of the exposure main body portion, which is different from the first portion, on the predetermined surface and is movable in a first direction;
A second frame, at least a part of which is arranged inside the first frame mechanism on the predetermined surface, and at least a part of which is narrower than the first frame mechanism in a second direction intersecting the first direction; A projection exposure apparatus comprising a mechanism. 【請求項１１】 前記第２部分は前記投影系を含むこと
を特徴とする請求項１０に記載の投影露光装置。11. The projection exposure apparatus according to claim 10, wherein the second part includes the projection system. 【請求項１２】 前記第１部分は、前記第１物体用のス
テージ系の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求
項１０又は１１に記載の投影露光装置。12. The projection exposure apparatus according to claim 10, wherein the first portion includes at least a part of a stage system for the first object. 【請求項１３】 前記第１部分は前記照明系の少なくと
も一部を含むことを特徴とする請求項１０、１１、又は
１２に記載の投影露光装置。13. The projection exposure apparatus according to claim 10, wherein the first portion includes at least a part of the illumination system. 【請求項１４】 前記所定面上で前記第２フレーム機構
の内側に配置される前記第２物体用のステージ系と、該
ステージ系に接続され、前記第２物体を移送する搬送機
構とを更に備え、 前記搬送機構は、前記第２フレーム機構の移動時に前記
第２物体用のステージ系との接続が解除されることを特
徴とする請求項１０〜１３の何れか一項に記載の投影露
光装置。14. A stage system for the second object disposed on the predetermined surface inside the second frame mechanism, and a transport mechanism connected to the stage system and transporting the second object. The projection exposure according to any one of claims 10 to 13, wherein the transport mechanism is disconnected from the stage system for the second object when the second frame mechanism moves. apparatus. 【請求項１５】 第１物体を介して露光ビームで第２物
体を露光する投影露光装置の製造方法において、 前記第１物体を前記露光ビームで照明し、投影系を介し
て前記露光ビームで前記第２物体を露光する露光本体部
の第１部分を支持する第１フレーム機構を所定面上に配
置し、 前記第１部分と異なり、且つ前記投影系を含む前記露光
本体部の第２部分を支持して第１方向に移動可能である
と共に、前記第１フレーム機構の内側に少なくとも一部
が配置され、且つ前記第１方向と交差する第２方向に関
してその少なくとも一部の幅が前記第１フレーム機構よ
りも狭い第２フレーム機構を前記所定面上に配置するこ
とを特徴とする投影露光装置の製造方法。15. A method of manufacturing a projection exposure apparatus for exposing a second object with an exposure beam through a first object, wherein the first object is illuminated with the exposure beam, and the first object is illuminated with the exposure beam via a projection system. A first frame mechanism that supports a first portion of an exposure main body that exposes a second object is disposed on a predetermined surface, and a second part of the exposure main body that is different from the first part and includes the projection system. The first frame mechanism is supported and movable in a first direction, and at least a part thereof is disposed inside the first frame mechanism, and at least a part of the first frame mechanism has a width in the second direction intersecting the first direction. A method of manufacturing a projection exposure apparatus, wherein a second frame mechanism narrower than the frame mechanism is arranged on the predetermined surface. 【請求項１６】 前記所定面上で前記第２フレーム機構
の内側に前記第２物体用のステージ系を配置することを
特徴とする請求項１５に記載の投影露光装置の製造方
法。16. The method according to claim 15, wherein a stage system for the second object is arranged on the predetermined surface inside the second frame mechanism. 【請求項１７】 第１物体を介して露光ビームで第２物
体を露光する投影露光装置の調整方法において、 前記第１物体を前記露光ビームで照明し、投影系を介し
て前記露光ビームで前記第２物体を露光する露光本体部
の第１部分を支持する第１フレーム機構の設置面上で、
前記第１部分と異なり、且つ前記投影系を含む前記露光
本体部の第２部分を支持すると共に、前記第１フレーム
機構の内側に少なくとも一部が配置され、且つ第１方向
と交差する第２方向に関してその少なくとも一部の幅が
前記第１フレーム機構よりも狭い第２フレーム機構を前
記第１方向に移動して、前記投影系を前記露光本体部か
ら引き出し、前記投影系の少なくとも一部の交換又は調
整を行うことを特徴とする投影露光装置の調整方法。17. A method of adjusting a projection exposure apparatus for exposing a second object with an exposure beam via a first object, wherein the first object is illuminated with the exposure beam, and the first object is illuminated with the exposure beam via a projection system. On an installation surface of a first frame mechanism that supports a first portion of an exposure main body that exposes a second object,
A second portion that is different from the first portion and that supports a second portion of the exposure main body including the projection system, and that is at least partially disposed inside the first frame mechanism and intersects a first direction; A second frame mechanism at least a part of which is narrower than the first frame mechanism in the direction is moved in the first direction, the projection system is pulled out from the exposure main body, and at least a part of the projection system is moved. A method for adjusting a projection exposure apparatus, wherein replacement or adjustment is performed. 【請求項１８】 前記第２フレーム機構の移動に先立
ち、前記設置面上で前記第２フレーム機構の内側に配置
される前記第２物体用のステージ系を移動させることを
特徴とする請求項１７に記載の投影露光装置の調整方
法。18. The system according to claim 17, wherein a stage system for the second object arranged inside the second frame mechanism on the installation surface is moved prior to the movement of the second frame mechanism. 3. The method for adjusting a projection exposure apparatus according to claim 1. 【請求項１９】 前記第２フレーム機構の移動に先立
ち、前記第２物体を移送する搬送機構は前記第２物体用
のステージ系との接続が解除されることを特徴とする請
求項１７又は１８に記載の投影露光装置の調整方法。19. The transport mechanism for transporting the second object is disconnected from the stage system for the second object prior to the movement of the second frame mechanism. 3. The method for adjusting a projection exposure apparatus according to claim 1. 【請求項２０】 前記投影系の透過率と光学特性との少
なくとも一方に基づいて、前記投影系の少なくとも一部
を交換又は調整する時期を決定することを特徴とする請
求項１７、１８、又は１９に記載の投影露光装置の調整
方法。20. The method according to claim 17, wherein a timing for replacing or adjusting at least a part of the projection system is determined based on at least one of a transmittance and an optical characteristic of the projection system. 20. The method for adjusting a projection exposure apparatus according to 19 above. 【請求項２１】 前記少なくとも一部の交換又は調整が
行われた投影系を、前記露光本体部に戻してその光学特
性を計測することを特徴とする請求項１７〜２０の何れ
か一項に記載の投影露光装置の調整方法。21. The projection system according to claim 17, wherein the projection system having at least partially replaced or adjusted is returned to the exposure main body and its optical characteristics are measured. The method of adjusting the projection exposure apparatus according to the above. 【請求項２２】 前記投影系はその波面収差が計測さ
れ、その波面収差とツェルニケ多項式とに基づいて、前
記露光ビームの波長変更と、前記投影系の少なくとも１
つの光学素子の移動との少なくとも一方が行われること
を特徴とする請求項２１に記載の投影露光装置の調整方
法。22. The projection system, the wavefront aberration of which is measured, based on the wavefront aberration and the Zernike polynomial, changing the wavelength of the exposure beam and at least one of the projection system.
22. The method according to claim 21, wherein at least one of the movement of one optical element is performed.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003075327A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Exposure equipment and device manufacturing method
JP2008277824A (en) * 2007-04-27 2008-11-13 Nikon Corp Moving object apparatus, aligner and optical unit, and method of manufacturing device
JP2009302536A (en) * 2008-06-13 2009-12-24 Asml Netherlands Bv Lithography device and device manufacturing method
JP2010080941A (en) * 2008-08-29 2010-04-08 Komatsu Ltd Extreme ultraviolet light source device
JP2011029587A (en) * 2009-01-14 2011-02-10 Gigaphoton Inc Extreme ultraviolet light source system
KR101085191B1 (en) 2009-11-16 2011-11-18 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrates

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI262363B (en) * 2003-10-21 2006-09-21 Asml Netherlands Bv An assembly, a lithographic apparatus, and a device manufacturing method
JP2006128188A (en) * 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp Substrate carrying apparatus, substrate carrying method and exposure apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204106A (en) * 1992-12-28 1994-07-22 Hitachi Ltd Table apparatus, demagnifying projection aligner and electron-beam lithography apparatus
JP3172085B2 (en) * 1996-03-18 2001-06-04 キヤノン株式会社 Peripheral exposure equipment
JPH09289155A (en) * 1996-04-19 1997-11-04 Nikon Corp Scanning type aligner
US6404499B1 (en) * 1998-04-21 2002-06-11 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003075327A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Exposure equipment and device manufacturing method
JP2008277824A (en) * 2007-04-27 2008-11-13 Nikon Corp Moving object apparatus, aligner and optical unit, and method of manufacturing device
JP2009302536A (en) * 2008-06-13 2009-12-24 Asml Netherlands Bv Lithography device and device manufacturing method
US8289498B2 (en) 2008-06-13 2012-10-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010080941A (en) * 2008-08-29 2010-04-08 Komatsu Ltd Extreme ultraviolet light source device
US9052615B2 (en) 2008-08-29 2015-06-09 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light source apparatus
US9332625B2 (en) 2008-08-29 2016-05-03 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light source apparatus
US9429847B2 (en) 2008-08-29 2016-08-30 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light source apparatus
JP2011029587A (en) * 2009-01-14 2011-02-10 Gigaphoton Inc Extreme ultraviolet light source system
KR101085191B1 (en) 2009-11-16 2011-11-18 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrates

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